JP2003229638A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 半導体結晶基板上に、窒化物系化合物半導体の積層構造を備える窒化物系化合物半導体発光素子であって、
   前記半導体結晶基板は低密度欠陥領域と当該低密度欠陥領域内に前記半導体結晶基板面内に周期的に配列された高密度欠陥領域とからなり、
   前記高密度欠陥領域は前記半導体結晶基板を貫通し、
   前記積層構造及び前記半導体結晶基板を挟む１対の電極が形成され、当該１対の電極の一方の電極は前記半導体結晶基板の裏面の前記低密度欠陥領域上に設けられ、他方の電極は前記半導体結晶基板の前記低密度欠陥領域上の前記積層構造上に設けられ、
   前記１対の電極で挟まれた前記積層構造内に活性領域が形成されていることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。
2. 前記一方の電極は、前記半導体結晶基板上にほぼ全面に設けられた電極層から前記高密度欠陥領域と接触しないように一部を切り欠いてなる電極層として形成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
3. 前記高密度欠陥領域が、前記半導体結晶基板の基板面上で正方形格子状、長方形格子状、及び六方格子状のいずれかの配置で点在していることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
4. 前記高密度欠陥領域が、前記半導体結晶基板の基板面上で相互に離隔して平行に、かつ周期的に配置された線状の高密度欠陥領域であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
5. 前記線状の高密度欠陥領域は、点状の前記高密度欠陥領域が相互に接して、又は断続して線状に配置されてなる高密度欠陥領域であることを特徴とする請求項４に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
6. 前記線状の高密度欠陥領域は、前記高密度欠陥領域が連続して線状に延在してなる高密度欠陥領域であることを特徴とする請求項４に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
7. 前記半導体結晶基板はＧａＮ基板であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
8. 半導体結晶基板上に、窒化物系化合物半導体の積層構造を備える窒化物系化合物半導体発光素子であって、
   前記半導体結晶基板は低密度欠陥領域と当該低密度欠陥領域内に前記半導体結晶基板面内に周期的に配列された高密度欠陥領域とからなり、
   前記高密度欠陥領域は前記半導体結晶基板を貫通し、
   前記半導体結晶基板の前記低密度欠陥領域上の積層構造は、上部がリッジストライプとして形成され、かつ当該リッジストライプの両脇が絶縁膜で被覆されており、
   前記積層構造及び前記半導体結晶基板を挟む１対の電極が形成され、当該１対の電極の一方の電極は前記半導体結晶基板の裏面の前記低密度欠陥領域上に設けられ、他方の電極は前記リッジストライプ上に延在し、更に前記リッジストライプ脇の前記絶縁膜を介して前記高密度欠陥領域上の前記積層構造上に延在していることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。
9. 前記高密度欠陥領域が、前記半導体結晶基板の基板面上で正方形格子状、長方形格子状、及び六方格子状のいずれかの配置で点在していることを特徴とする請求項８に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
10. 前記高密度欠陥領域が、前記半導体結晶基板の基板面上で相互に離隔して平行に、かつ周期的に配置された線状の高密度欠陥領域であることを特徴とする請求項８に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
11. 前記線状の高密度欠陥領域は、点状の高密度欠陥領域が相互に接して、又は断続して線状に配置されてなる高密度欠陥領域であることを特徴とする請求項１０に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
12. 前記線状の高密度欠陥領域は、高密度欠陥領域が連続して線状 に延在してなる高密度欠陥領域であることを特徴とする請求項１０に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
13. 前記半導体結晶基板はＧａＮ基板であることを特徴とする請求項８に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。