JP2003226594A - 半導体結晶成長方法 - Google Patents
半導体結晶成長方法Info
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- JP2003226594A JP2003226594A JP2002026701A JP2002026701A JP2003226594A JP 2003226594 A JP2003226594 A JP 2003226594A JP 2002026701 A JP2002026701 A JP 2002026701A JP 2002026701 A JP2002026701 A JP 2002026701A JP 2003226594 A JP2003226594 A JP 2003226594A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＶＢ法又はＶＧＦ法による半導体結晶成長方法
において、成長界面の径方向の温度分布を均一にするこ
とで、結晶内部に対し外周部が早く固化することを防
ぎ、成長途中で転位が内部に集積し多結晶化するのを防
止可能にする。 【解決手段】ＶＢ法又はＶＧＦ法により化合物半導体の
単結晶を成長する過程において、単結晶成長炉垂直方向
に複数ある電気炉発熱体のうち、成長用発熱体１の垂直
中心位置１ａと結晶の成長界面７の位置のずれ１１を、
成長用発熱体１の高さＨの±５パーセントの範囲に収ま
るように調整することにより、成長界面７の径方向の温
度分布を均一にして成長する。
において、成長界面の径方向の温度分布を均一にするこ
とで、結晶内部に対し外周部が早く固化することを防
ぎ、成長途中で転位が内部に集積し多結晶化するのを防
止可能にする。 【解決手段】ＶＢ法又はＶＧＦ法により化合物半導体の
単結晶を成長する過程において、単結晶成長炉垂直方向
に複数ある電気炉発熱体のうち、成長用発熱体１の垂直
中心位置１ａと結晶の成長界面７の位置のずれ１１を、
成長用発熱体１の高さＨの±５パーセントの範囲に収ま
るように調整することにより、成長界面７の径方向の温
度分布を均一にして成長する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、垂直ブリッジマン
法（ＶＢ法）又は垂直温度傾斜法（ＶＧＦ法）により化
合物半導体の単結晶を成長する単結晶成長方法に係り、
詳しくは成長界面の径方向の温度分布を均一にして成長
する単結晶成長方法に関するものである。
法（ＶＢ法）又は垂直温度傾斜法（ＶＧＦ法）により化
合物半導体の単結晶を成長する単結晶成長方法に係り、
詳しくは成長界面の径方向の温度分布を均一にして成長
する単結晶成長方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、低転位密度のＧａＡｓ単結晶を成
長させる方法として、垂直ブリッジマン法（ＶＢ法）あ
るいは垂直温度傾斜法（ＶＧＦ法）が注目されている。
従来の液体封止引上法（ＬＥＣ法）に代わるこの方法
は、一般的には高温気相成長によるパイロリティック窒
化硼素（ＰＢＮ）製の成長容器の下部に種結晶を入れ、
その上にＧａＡｓ多結晶を配置し、これを上部が高温で
下部が低温の縦型電気炉内に入れ、種結晶より上方に向
けて結晶を成長させることによって単結晶を製造するも
ので、直径７６mmを超える大径の結晶成長を容易に行え
ることを特長としている。
長させる方法として、垂直ブリッジマン法（ＶＢ法）あ
るいは垂直温度傾斜法（ＶＧＦ法）が注目されている。
従来の液体封止引上法（ＬＥＣ法）に代わるこの方法
は、一般的には高温気相成長によるパイロリティック窒
化硼素（ＰＢＮ）製の成長容器の下部に種結晶を入れ、
その上にＧａＡｓ多結晶を配置し、これを上部が高温で
下部が低温の縦型電気炉内に入れ、種結晶より上方に向
けて結晶を成長させることによって単結晶を製造するも
ので、直径７６mmを超える大径の結晶成長を容易に行え
ることを特長としている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、結晶の
成長界面に照射される発熱体の輻射熱が不十分である
と、結晶内部に対し外周部が早く固化するため、結晶が
成長するにつれて転位が内部に集積し、これが原因で多
結晶化するという問題があった。
成長界面に照射される発熱体の輻射熱が不十分である
と、結晶内部に対し外周部が早く固化するため、結晶が
成長するにつれて転位が内部に集積し、これが原因で多
結晶化するという問題があった。
【０００４】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、成長界面の径方向の温度分布を均一にすることで、
結晶内部に対し外周部が早く固化することを防ぎ、成長
途中で転位が内部に集積し多結晶化するのを防止できる
半導体結晶成長方法を提供することにある。
し、成長界面の径方向の温度分布を均一にすることで、
結晶内部に対し外周部が早く固化することを防ぎ、成長
途中で転位が内部に集積し多結晶化するのを防止できる
半導体結晶成長方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、単結晶成長炉長手方向に複数ある電気炉発
熱体のうち、最も輻射が大きい部分である成長用発熱体
の垂直中心位置と結晶の成長界面位置を、ある範囲に収
まるように調整し、成長界面に十分な輻射を与え成長界
面径方向の温度分布を均一にすることで、成長につれ結
晶の転位が結晶内部に伝搬・集積して単結晶が成長途中
で多結晶化するのを防止する成長方法である。本発明
は、具体的には次のように構成したものである。
成するため、単結晶成長炉長手方向に複数ある電気炉発
熱体のうち、最も輻射が大きい部分である成長用発熱体
の垂直中心位置と結晶の成長界面位置を、ある範囲に収
まるように調整し、成長界面に十分な輻射を与え成長界
面径方向の温度分布を均一にすることで、成長につれ結
晶の転位が結晶内部に伝搬・集積して単結晶が成長途中
で多結晶化するのを防止する成長方法である。本発明
は、具体的には次のように構成したものである。
【０００６】請求項１の発明に係る半導体結晶成長方法
は、垂直ブリッジマン法又は垂直温度傾斜法により化合
物半導体の単結晶を成長する過程において、単結晶成長
炉垂直方向に複数ある電気炉発熱体のうち、成長用発熱
体の垂直中心位置と結晶の成長界面位置のずれを、成長
用発熱体高さの±５パーセントの範囲に収まるように調
整することにより、成長界面の径方向の温度分布を均一
にして成長することを特徴とする。
は、垂直ブリッジマン法又は垂直温度傾斜法により化合
物半導体の単結晶を成長する過程において、単結晶成長
炉垂直方向に複数ある電気炉発熱体のうち、成長用発熱
体の垂直中心位置と結晶の成長界面位置のずれを、成長
用発熱体高さの±５パーセントの範囲に収まるように調
整することにより、成長界面の径方向の温度分布を均一
にして成長することを特徴とする。
【０００７】請求項２の発明は、請求項１記載の半導体
結晶成長方法において、上記化合物半導体の単結晶とし
てＧａＡｓ単結晶を成長することを特徴とする。
結晶成長方法において、上記化合物半導体の単結晶とし
てＧａＡｓ単結晶を成長することを特徴とする。
【０００８】請求項３の発明は、請求項１又は２記載の
半導体結晶成長方法において、下記のステップ(i) 〜
(v) により、成長用発熱体垂直中心位置と結晶成長界面
位置とのずれ△ｈの調整を行うことを特徴とする。
半導体結晶成長方法において、下記のステップ(i) 〜
(v) により、成長用発熱体垂直中心位置と結晶成長界面
位置とのずれ△ｈの調整を行うことを特徴とする。
【０００９】(i) 一定の成長速度で、結晶成長を開始す
る。
る。
【００１０】(ii) 成長開始から任意のＴ時間経過後、
結晶を急冷し成長を中止する。
結晶を急冷し成長を中止する。
【００１１】(iii) 結晶を観察し、成長縞の異常箇所を
探す。
探す。
【００１２】(iv) 成長開始位置を基準とした上記成長
縞位置をｈ、結晶成長速度をｖ、ずれを△ｈとして、次
式△ｈ＝ｖ・Ｔ−ｈによって、結晶を急冷した時点での
△ｈを求める。
縞位置をｈ、結晶成長速度をｖ、ずれを△ｈとして、次
式△ｈ＝ｖ・Ｔ−ｈによって、結晶を急冷した時点での
△ｈを求める。
【００１３】(v) 上記(iv) の結果をもとに、成長用発
熱体の垂直中心位置と結晶の成長界面位置のずれ△ｈ
が、成長用発熱体高さの±５パーセントの範囲に収まる
ように調整する。
熱体の垂直中心位置と結晶の成長界面位置のずれ△ｈ
が、成長用発熱体高さの±５パーセントの範囲に収まる
ように調整する。
【００１４】請求項４の発明は、請求項３記載の半導体
結晶成長方法において、上記ステップ(i) 〜(v) をロッ
トごとに繰り返し実施することを特徴とする。
結晶成長方法において、上記ステップ(i) 〜(v) をロッ
トごとに繰り返し実施することを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳述する。
に基づいて詳述する。
【００１６】図２に本発明の化合物半導体結晶成長装置
の概略図を示す。成長装置は、上部が高温で下部が低温
の縦型電気炉であって、種結晶８とＧａＡｓ原料９と封
止剤４を収容する筒状のＰＢＮ製成長容器３と、この成
長容器３内のＧａＡｓ原料９と封止剤４を所定の温度勾
配で加熱して融解および成長させるための発熱体１（発
熱体Ａ）および成長後の結晶を放熱させるための発熱体
２（発熱体Ｂ）と、成長につれて成長容器３を垂直下方
向に移動可能な移動架台１０とから構成されている。こ
の成長容器３の下部に種結晶８を入れ、その上に多結晶
のＧａＡｓ原料９を配置し、これを上部が高温で下部が
低温の上記縦型電気炉内に入れ、種結晶８より上方に向
けて結晶を成長させることによって単結晶を製造する。
の概略図を示す。成長装置は、上部が高温で下部が低温
の縦型電気炉であって、種結晶８とＧａＡｓ原料９と封
止剤４を収容する筒状のＰＢＮ製成長容器３と、この成
長容器３内のＧａＡｓ原料９と封止剤４を所定の温度勾
配で加熱して融解および成長させるための発熱体１（発
熱体Ａ）および成長後の結晶を放熱させるための発熱体
２（発熱体Ｂ）と、成長につれて成長容器３を垂直下方
向に移動可能な移動架台１０とから構成されている。こ
の成長容器３の下部に種結晶８を入れ、その上に多結晶
のＧａＡｓ原料９を配置し、これを上部が高温で下部が
低温の上記縦型電気炉内に入れ、種結晶８より上方に向
けて結晶を成長させることによって単結晶を製造する。
【００１７】ここで、図１に示す成長過程、すなわち単
結晶成長炉長手方向に二段に配設された電気炉発熱体
１、２のうち、原料融解および成長用の電気炉発熱体
（成長用発熱体）１中での成長過程において、ＧａＡｓ
原料融液５とＧａＡｓ単結晶６との境界面である成長界
面７と、発熱体１の垂直中心１ａとのずれ１１が、常
時、成長用発熱体１の高さＨの±５パーセントの範囲内
にあるように調整する。こうすることにより、成長界面
の径方向の温度分布を均一にすることができる。
結晶成長炉長手方向に二段に配設された電気炉発熱体
１、２のうち、原料融解および成長用の電気炉発熱体
（成長用発熱体）１中での成長過程において、ＧａＡｓ
原料融液５とＧａＡｓ単結晶６との境界面である成長界
面７と、発熱体１の垂直中心１ａとのずれ１１が、常
時、成長用発熱体１の高さＨの±５パーセントの範囲内
にあるように調整する。こうすることにより、成長界面
の径方向の温度分布を均一にすることができる。
【００１８】次に、成長用発熱体垂直中心位置と結晶成
長界面位置との位置合わせ（ずれ合わせ）方法につい
て、図３を参照しながら具体的に説明する。ＶＢ法およ
びＶＧＦ法は、結晶成長ロットごとの再現性がよい。こ
の点に注目し、ずれ合わせを行う。
長界面位置との位置合わせ（ずれ合わせ）方法につい
て、図３を参照しながら具体的に説明する。ＶＢ法およ
びＶＧＦ法は、結晶成長ロットごとの再現性がよい。こ
の点に注目し、ずれ合わせを行う。
【００１９】(i) 一定の成長速度で、結晶成長を開始す
る（図３（ａ）参照）。
る（図３（ａ）参照）。
【００２０】(ii) 成長開始から任意の時間ｔ＝Ｔ（ｈ
ｒ）経過後、結晶を急冷し成長を中止する（図３（ｂ）
参照）。
ｒ）経過後、結晶を急冷し成長を中止する（図３（ｂ）
参照）。
【００２１】(iii) 上記(ii) の結晶を観察し、成長縞
の異常箇所１２を探す。ここで、「成長縞に異常が認め
られた位置＝上記(i) で急冷した位置」である。
の異常箇所１２を探す。ここで、「成長縞に異常が認め
られた位置＝上記(i) で急冷した位置」である。
【００２２】(iv) 成長開始位置を基準とした上記(iii)
の成長縞位置をｈ、結晶成長速度の理論値をｖ（mm／
ｈｒ）、ずれを△ｈ（mm）とすると、次式 △ｈ＝ｖ・Ｔ−ｈ によって、結晶を急冷した時点での△ｈが求められる
（図３（ｃ）参照）。
の成長縞位置をｈ、結晶成長速度の理論値をｖ（mm／
ｈｒ）、ずれを△ｈ（mm）とすると、次式 △ｈ＝ｖ・Ｔ−ｈ によって、結晶を急冷した時点での△ｈが求められる
（図３（ｃ）参照）。
【００２３】ここで、ずれ△ｈの符号を考慮すると、次
の関係になる。△ｈ＞０のとき：界面位置が発熱体垂直
中心位置に対し、上方にある。△ｈ＝０のとき：界面位
置と発熱体垂直中心位置が合っている。△ｈ＜０のと
き：界面位置が発熱体垂直中心位置に対し、下方にあ
る。
の関係になる。△ｈ＞０のとき：界面位置が発熱体垂直
中心位置に対し、上方にある。△ｈ＝０のとき：界面位
置と発熱体垂直中心位置が合っている。△ｈ＜０のと
き：界面位置が発熱体垂直中心位置に対し、下方にあ
る。
【００２４】(v) 上記(iv) の結果をもとに、成長条件
を最適化する。すなわち、成長用発熱体の垂直中心位置
と結晶の成長界面位置のずれ△ｈが、成長用発熱体高さ
の±５パーセントの範囲に収まるように調整する。
を最適化する。すなわち、成長用発熱体の垂直中心位置
と結晶の成長界面位置のずれ△ｈが、成長用発熱体高さ
の±５パーセントの範囲に収まるように調整する。
【００２５】(vi)上記(i) 〜(v) をロットごとに繰り返
し実施することにより、結晶の各位置におけるずれを所
定の範囲内に調整する。以上の方法により、ずれ合わせ
が可能である。
し実施することにより、結晶の各位置におけるずれを所
定の範囲内に調整する。以上の方法により、ずれ合わせ
が可能である。
【００２６】＜実施例＞図２に示したように、ＰＢＮ製
成長容器３の中に種結晶８とＧａＡｓ原料９を１１キロ
グラムと封止剤４を６００グラム入れる。このＰＢＮ製
成長容器３を移動架台１０の上にのせ、電気炉の発熱体
１及び発熱体２を昇温する。上方の発熱体１は原料融解
および成長用であり、下方の発熱体２は結晶放熱用であ
る。成長容器３を載せた移動架台１０を１〜３mm／時の
速度で下降させることにより結晶成長を行う。
成長容器３の中に種結晶８とＧａＡｓ原料９を１１キロ
グラムと封止剤４を６００グラム入れる。このＰＢＮ製
成長容器３を移動架台１０の上にのせ、電気炉の発熱体
１及び発熱体２を昇温する。上方の発熱体１は原料融解
および成長用であり、下方の発熱体２は結晶放熱用であ
る。成長容器３を載せた移動架台１０を１〜３mm／時の
速度で下降させることにより結晶成長を行う。
【００２７】このとき、発熱体１及び発熱体２の温度設
定を調整することにより、図１に示すＧａＡｓ原料融液
５とＧａＡｓ単結晶６との成長界面７と、成長用発熱体
１の垂直中心１ａとのずれ１１が、常時、成長用発熱体
１の高さＨの±５パーセントの範囲に収まるように成長
を進める。
定を調整することにより、図１に示すＧａＡｓ原料融液
５とＧａＡｓ単結晶６との成長界面７と、成長用発熱体
１の垂直中心１ａとのずれ１１が、常時、成長用発熱体
１の高さＨの±５パーセントの範囲に収まるように成長
を進める。
【００２８】この方法により、直径４インチ、長さ２０
０mmの半絶縁性ＧａＡｓ単結晶が得られた。この単結晶
の収率は約８０パーセントであり、転位密度は平均２０
００個／cm2と低く抑えられた。
０mmの半絶縁性ＧａＡｓ単結晶が得られた。この単結晶
の収率は約８０パーセントであり、転位密度は平均２０
００個／cm2と低く抑えられた。
【００２９】比較のため、成長用発熱体垂直中心と成長
界面位置のずれが成長用発熱体１の高さＨの±５パーセ
ント範囲を外れ±１０パーセントの範囲に収まるように
調整して成長を行った場合、単結晶収率は約５０パーセ
ントであり、結晶の転位密度は平均１００００個／cm2
であった。また、ずれが成長用発熱体１の高さＨの±５
パーセント範囲を外れ±２０パーセントの範囲に収まる
ように調整して成長を行った場合、単結晶収率は３０パ
ーセントであり、結晶の転位密度は１００００個／cm2
以上であった。
界面位置のずれが成長用発熱体１の高さＨの±５パーセ
ント範囲を外れ±１０パーセントの範囲に収まるように
調整して成長を行った場合、単結晶収率は約５０パーセ
ントであり、結晶の転位密度は平均１００００個／cm2
であった。また、ずれが成長用発熱体１の高さＨの±５
パーセント範囲を外れ±２０パーセントの範囲に収まる
ように調整して成長を行った場合、単結晶収率は３０パ
ーセントであり、結晶の転位密度は１００００個／cm2
以上であった。
【００３０】よって、単結晶成長炉垂直方向に複数ある
電気炉発熱体１、２のうち、成長用発熱体１の垂直中心
１ａと結晶の成長界面７の位置のずれ１１を、成長用発
熱体１の高さＨの±５パーセントの範囲に収まるように
調整すること、つまり成長用発熱体の垂直中心位置に結
晶の成長界面位置を常に一致させることにより、成長界
面の径方向の温度分布を均一にして成長することができ
る。
電気炉発熱体１、２のうち、成長用発熱体１の垂直中心
１ａと結晶の成長界面７の位置のずれ１１を、成長用発
熱体１の高さＨの±５パーセントの範囲に収まるように
調整すること、つまり成長用発熱体の垂直中心位置に結
晶の成長界面位置を常に一致させることにより、成長界
面の径方向の温度分布を均一にして成長することができ
る。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、単
結晶成長炉長手方向に複数ある電気炉発熱体のうち、成
長用発熱体の垂直中心位置に結晶の成長界面位置を常に
一致させること、つまり成長用発熱体の高さの±５パー
セントの範囲に収まるように調整することにより、成長
界面の径方向の温度分布を均一にして成長するため、成
長途中で転位が内部に集積し多結晶化するのを防止し、
従来よりも非常に高い収率、例えば８０パーセントの収
率でＧａＡｓ等の化合物半導体の単結晶を得ることがで
きる。
結晶成長炉長手方向に複数ある電気炉発熱体のうち、成
長用発熱体の垂直中心位置に結晶の成長界面位置を常に
一致させること、つまり成長用発熱体の高さの±５パー
セントの範囲に収まるように調整することにより、成長
界面の径方向の温度分布を均一にして成長するため、成
長途中で転位が内部に集積し多結晶化するのを防止し、
従来よりも非常に高い収率、例えば８０パーセントの収
率でＧａＡｓ等の化合物半導体の単結晶を得ることがで
きる。
【図１】本発明の方法による化合物半導体結晶成長過程
の概略を示す図である。
の概略を示す図である。
【図２】本発明の方法に用いた化合物半導体結晶成長装
置の概略を示す図である。
置の概略を示す図である。
【図３】本発明の成長用発熱体垂直中心と結晶成長界面
の位置合わせ方法の説明に供する図である。
の位置合わせ方法の説明に供する図である。
１ 成長用発熱体
１ａ 発熱体垂直中心
３ ＰＢＮ製成長容器
４ 封止剤
５ ＧａＡｓ原料融液
６ ＧａＡｓ単結晶
７ 成長界面
１１ 成長用発熱体垂直中心と成長界面位置とのずれ
フロントページの続き
(72)発明者 和地 三千則
東京都千代田区大手町一丁目６番１号 日
立電線株式会社内
(72)発明者 山本 俊輔
東京都千代田区大手町一丁目６番１号 日
立電線株式会社内
(72)発明者 井谷 賢哉
東京都千代田区大手町一丁目６番１号 日
立電線株式会社内
Ｆターム(参考） 4G077 AA02 BE46 CD02 CD04 EH07
MB04 MB08 MB33
Claims (4)
- 【請求項１】垂直ブリッジマン法又は垂直温度傾斜法に
より化合物半導体の単結晶を成長する過程において、 単結晶成長炉垂直方向に複数ある電気炉発熱体のうち、
成長用発熱体の垂直中心位置と結晶の成長界面位置のず
れを、成長用発熱体高さの±５パーセントの範囲に収ま
るように調整することにより、成長界面の径方向の温度
分布を均一にして成長することを特徴とする半導体結晶
成長方法。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体結晶成長方法におい
て、 上記化合物半導体の単結晶としてＧａＡｓ単結晶を成長
することを特徴とする半導体結晶成長方法。 - 【請求項３】請求項１又は２記載の半導体結晶成長方法
において、 下記のステップ(i) 〜(v) により、成長用発熱体垂直中
心位置と結晶成長界面位置とのずれ△ｈの調整を行うこ
とを特徴とする半導体結晶成長方法。 (i) 一定の成長速度で、結晶成長を開始する。 (ii) 成長開始から任意のＴ時間経過後、結晶を急冷し
成長を中止する。 (iii) 結晶を観察し、成長縞の異常箇所を探す。 (iv) 成長開始位置を基準とした上記成長縞位置をｈ、
結晶成長速度をｖ、ずれを△ｈとして、次式△ｈ＝ｖ・
Ｔ−ｈによって、結晶を急冷した時点での△ｈを求め
る。 (v) 上記(iv) の結果をもとに、成長用発熱体の垂直中
心位置と結晶の成長界面位置のずれ△ｈが、成長用発熱
体高さの±５パーセントの範囲に収まるように調整す
る。 - 【請求項４】請求項３記載の半導体結晶成長方法におい
て、 上記ステップ(i) 〜(v) をロットごとに繰り返し実施す
ることを特徴とする半導体結晶成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002026701A JP2003226594A (ja) | 2002-02-04 | 2002-02-04 | 半導体結晶成長方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002026701A JP2003226594A (ja) | 2002-02-04 | 2002-02-04 | 半導体結晶成長方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003226594A true JP2003226594A (ja) | 2003-08-12 |
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| JP2002026701A Withdrawn JP2003226594A (ja) | 2002-02-04 | 2002-02-04 | 半導体結晶成長方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003226594A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008080304A1 (fr) * | 2006-12-29 | 2008-07-10 | Jiaxing University | Système de production de cristal contenant de multiples creusets utilisé dans un procédé à gradient de température |
| CN102140689A (zh) * | 2011-03-08 | 2011-08-03 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种生长蓝宝石晶体的方法 |
| CN110373710A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-10-25 | 有研光电新材料有限责任公司 | 水平法砷化镓单晶尾部位错密度的降低方法 |
-
2002
- 2002-02-04 JP JP2002026701A patent/JP2003226594A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008080304A1 (fr) * | 2006-12-29 | 2008-07-10 | Jiaxing University | Système de production de cristal contenant de multiples creusets utilisé dans un procédé à gradient de température |
| CN100422393C (zh) * | 2006-12-29 | 2008-10-01 | 嘉兴学院 | 多坩埚温梯法晶体生长系统 |
| CN102140689A (zh) * | 2011-03-08 | 2011-08-03 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种生长蓝宝石晶体的方法 |
| CN110373710A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-10-25 | 有研光电新材料有限责任公司 | 水平法砷化镓单晶尾部位错密度的降低方法 |
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