JP2003217798A - セラミックヒータ、セラミックヒータの製造方法およびセラミックヒータの製造システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 短絡等を発生させず、比較的低コストで、精
密なパターンの抵抗発熱体を形成することができるセラ
ミックヒータの製造方法を提供すること。 【解決手段】 セラミック基板表面の所定領域に導体層
を形成した後、前記導体層にレーザ光を照射してその一
部除去することにより、所定パターンの抵抗発熱体を形
成することを特徴とするセラミックヒータの製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、主に、半導体の製
造や検査のために用いられるセラミックヒータ（ホット
プレート）、その製造方法、および、セラミックヒータ
の製造システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、エッチング装置や化学的気相成長
装置等を含む半導体製造・検査装置等として、ステンレ
ス鋼やアルミニウム合金などの金属製基材を用いたヒー
タやウエハプローバ等が用いられてきた。

【０００３】しかし、金属製のヒータは、ヒータ板が厚
いため、ヒータの重量が重く、嵩張る等の問題があり、
さらに、これらに起因して温度追従性にも問題があっ
た。

【０００４】そこで、特開平１１−４０３３０号公報等
には、基板として、熱伝導率が高く、強度も大きい窒化
物セラミックや炭化物セラミックを使用し、これらのセ
ラミックからなる板状体（セラミック基板）の表面に、
金属粒子を焼結して形成した発熱体を設けてなるセラミ
ックヒータが開示されている。

【０００５】このようなセラミックヒータを製造する際
に抵抗発熱体を形成する方法としては、以下のような方
法が挙げられる。まず初めに、所定形状のセラミック基
板を製造するが、この後、塗布法で抵抗発熱体を形成す
る場合には、続いて、このセラミック基板の表面に、ス
クリーン印刷等の方法を用いて発熱体パターンの導体ペ
ースト層を形成し、加熱、焼成を行って、抵抗発熱体を
形成していた。

【０００６】また、スパッタリング等の物理的蒸着法や
めっき法を用いて抵抗発熱体を形成する場合には、セラ
ミック基板の所定領域に、これらの方法により金属層を
形成しておき、その後、発熱体パターンの部分を覆うよ
うにエッチングレジストを形成した後、エッチング処理
を施すことにより、所定パターンの抵抗発熱体を形成し
ていた。

【０００７】また、初めに、発熱体パターン以外の部分
を樹脂等を被覆しておき、この後、上記処理を施すこと
により、一度の処理でセラミック基板の表面に所定パタ
ーンの抵抗発熱体を形成することもできる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スパッ
タリングやめっき等の方法では、精密なパターンを形成
することができるものの、所定パターンの抵抗発熱体を
形成するために、セラミック基板表面にフォトリソグラ
フィーの手法を用いてエッチングレジストやめっきレジ
スト等を形成する必要があるため、コストが高くつくと
いう問題があった。

【０００９】一方、導体ペーストを用いる方法では、上
記したように、スクリーン印刷等の手法を用いることに
より、比較的低コストで抵抗発熱体を形成することがで
きるものの、精密なパターンを作製しようとすると、印
刷時のわずかなミスで短絡等が発生してしまい、精密な
パターンの抵抗発熱体を形成するのが難しいという問題
があった。また、印刷の厚さがばらつくため抵抗値にば
らつきが発生するという問題を抱えていた。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述した
問題点に鑑み、精密な発熱体パターンを比較的低コスト
で形成することを目的に鋭意研究を行った結果、例え
ば、所定幅の同心円形状の導体層を形成した後、レーザ
光照射装置または研磨装置等を用いて、発熱体パターン
以外の部分を除去することにより、精密な発熱体パター
ンの形成が可能なことを見い出した。

【００１１】また、上記方法により抵抗発熱体を形成す
る際、または、抵抗発熱体を形成した後、レーザ光を照
射するか、または、研磨を行うことにより、抵抗発熱体
の厚みを調整したり、抵抗発熱体の一部を除去すること
で抵抗値を調整することができることも同時に見い出
し、本発明を完成するに至った。

【００１２】すなわち、第一の本発明は、セラミック基
板上に抵抗発熱体が形成されたセラミックヒータであっ
て、抵抗発熱体にトリミングが施されてなることを特徴
とするセラミックヒータである。

【００１３】第一の本発明において、上記トリミング
は、抵抗発熱体の表面、または、側面を含む部分を除去
するものであってもよく、全体として電気回路が形成さ
れていれば、その一部を断線させるように除去するもの
であってもよい。このようなトリミングにより、抵抗値
（抵抗率）の調整が可能になる。このため、抵抗発熱体
を導体ペーストの印刷により製造した場合でも、厚さの
ばらつきをトリミングで調整することができるのであ
る。

【００１４】また、第一の本発明では、セラミック基板
上に、金属を含む導体ペーストまたは金属と酸化物とを
含む導体ペーストを用いて抵抗発熱体を形成するため、
特にレーザ光でトリミングしやすい。金属はレーザで蒸
発除去されるが、セラミックは除去されないからであ
る。

【００１５】上記トリミングは、抵抗発熱体の側面を含
む部分に形成されていることが望ましい。側面を含む部
分のトリミングの形態としては、図８〜１０に示すよう
に、シングルカット（図８（ａ）参照）、ダブルリバー
スカット（図８（ｂ）参照）、Ｊカット（図８（ｃ）参
照）、バーニャ付きＬカット（図８（ｄ）参照）、ダブ
ルカット（図９（ｅ）参照）、サーペントカット（図９
（ｆ）参照）、Ｃカット（図９（ｇ）参照）、Ｔカット
（図９（ｈ）参照）、Ｌカット（図１０（ｉ）参照）な
どが挙げられる。

【００１６】また、図１１に示すように、抵抗発熱体１
２の表面に１以上の溝１２０を形成するトリミングも可
能である。この方法であれば、発熱体を断線させるおそ
れがなく、耐久性にも優れる。

【００１７】第二の本発明は、セラミック基板上に抵抗
発熱体が形成されたセラミックヒータであって、上記抵
抗発熱体は、並列回路の少なくとも一部にトリミングが
施されて形成されてなることを特徴とするセラミックヒ
ータである。具体的にいうならば、セラミック基板上に
抵抗発熱体が形成されたセラミックヒータであって、上
記抵抗発熱体は、互いに並行に形成されてなり、並行に
形成された上記抵抗発熱体間に、両者を電気的に接続す
る接続用抵抗発熱体が形成されるとともに、上記接続用
抵抗発熱体および並行に形成された上記抵抗発熱体の少
なくとも一部にトリミングが施されてなることを特徴と
するセラミックヒータである。

【００１８】第二の本発明では、梯子状などのように、
並列に形成された抵抗発熱体の一部を、適宜トリミング
して切断することにより抵抗値を調整する。例えば、図
１２Ａに示したように、並行に形成された抵抗発熱体２
２ａ、２２ｂの間に接続用抵抗発熱体２２ｃを設けて、
梯子状の抵抗発熱体とし、この梯子状の抵抗発熱体の一
部をＢやＣに示したようにトリミングすることにより、
抵抗値を調整する。Ｂに示したように接続用抵抗発熱体
２２ｃの一部をトリミングするとその抵抗値は下がり、
Ｃに示したように、並行に形成された抵抗発熱体２２
ａ、２２ｂをトリミングして、抵抗発熱体の長さが実質
的に長くなるようにすると、抵抗値が上がる。

【００１９】第三の本発明は、セラミック基板上に抵抗
発熱体が形成されたセラミックヒータであって、上記抵
抗発熱体の所定区域の厚さが、その他の部分の厚さと異
なることを特徴とするセラミックヒータである。

【００２０】第三の本発明では、抵抗発熱体の厚さを変
えることにより抵抗発熱体の抵抗値（抵抗率）を調整す
る。抵抗発熱体の厚さを薄くすれば抵抗値（抵抗率）が
大きくなる。ある所定箇所の抵抗値（抵抗率）が大きい
場合には、それ以外の抵抗発熱体の厚さを薄くし、逆に
ある所定箇所の抵抗値（抵抗率）が小さい場合は、その
部分の厚さを薄くすることにより抵抗発熱体の抵抗値
（抵抗率）を調整することができるのである。

【００２１】第四の本発明は、セラミック基板表面の所
定領域に導体層を形成した後、上記導体層の一部をトリ
ミングすることにより、所定パターンの抵抗発熱体を形
成することを特徴とするセラミックヒータの製造方法で
ある。

【００２２】上記導体層の一部をトリミングすることに
より、面状の導体層から所定のパターン（渦巻き、同心
円、屈曲など）を得ることができる。また、前述のよう
に、導体層の側面を含む部分または表面の一部を除去す
ることにより抵抗値を調整することができる。さらに、
抵抗発熱体の厚さを調整することにより、抵抗発熱体の
抵抗値（抵抗率）を調整することが可能となる（図２参
照）。

【００２３】第五の本発明は、セラミック基板表面の所
定領域に導体層を形成した後、上記導体層にレーザ光を
照射してその一部をトリミングすることにより、所定パ
ターンの抵抗発熱体を形成することを特徴とするセラミ
ックヒータの製造方法である。

【００２４】セラミック基板の上に抵抗発熱体を金属を
含む導体ペーストまたは金属と酸化物とを含む導体ペー
ストを用いて形成するため、特にレーザ光でトリミング
しやすい。金属はレーザで蒸発除去されるがセラミック
は除去されないからである。また、セラミックは、耐熱
性に優れ、レーザ光によるトリミングで変性したり、抵
抗発熱体が剥離したりすることはない。従って、半導体
ウエハやプリント配線板上のレーザトリミングとは全く
異なり、レーザ光出力を加減しなくてすみ、除去残渣が
なく、精度のよいトリミングを実現することができる。

【００２５】第六の本発明は、セラミック基板表面の所
定領域に導体ペースト層を形成し、加熱、焼成を行って
導体層とした後、レーザ光を照射して上記導体層の一部
をトリミングし、所定パターンの抵抗発熱体を形成する
ことを特徴とするセラミックヒータの製造方法である。

【００２６】第六の本発明では、導体ペーストを焼成し
て抵抗発熱体を形成した後に、レーザ光でトリミングす
る。焼成後であるため、焼成により生じた抵抗発熱体の
抵抗率の変動をレーザによるトリミングで修正すること
ができる。

【００２７】第七の本発明は、セラミック基板表面に発
熱体パターンの導体ペースト層を形成した後、または、
発熱体パターンの導体層を形成した後、上記導体ペース
ト層または上記導体層にレーザ光を照射して、抵抗発熱
体の厚みを調整することを特徴とするセラミックヒータ
の製造方法である。

【００２８】第七の本発明では、レーザにより厚さを調
整するため、除去した発熱体が付着したりせず、また、
均一な厚さの制御を短時間で実現することができる。

【００２９】第八の本発明は、セラミック基板表面の導
体層をトリミングして抵抗発熱体パターンを形成するこ
とによりセラミックヒータを製造する際に用いられる製
造システムであって、セラミック基板を載置するテーブ
ル、導体層を撮像するカメラ、データを記憶する記憶
部、レーザ光を偏向するガルバノミラー、データを入力
する入力部、データを演算する演算部、ならびに、テー
ブルおよび／またはガルバノミラーを制御する制御部か
らなり、抵抗発熱体パターンおよび／またはトリミング
のデータを入力部から入力して、これを記憶部に格納
し、カメラにより導体層の位置を読み取り、この位置デ
ータおよびパターンおよび／またはトリミングのデータ
から演算部にてトリミングのためのテーブルおよび／ま
たはガルバノミラーを制御する制御データを演算して、
記憶部に格納し、さらに、この制御データを記憶部から
制御部に送信してレーザを導体層に照射し、トリミング
を行うように構成されていることを特徴とするセラミッ
クヒータの製造システムである。

【００３０】第八の本発明に係る製造システムを用いる
ことにより、発熱体パターン（渦巻き、同心円、屈曲）
の形成、発熱体の表面の一部除去、側面を含む部分の除
去、膜の厚さ制御等を迅速に行うことができる。

【００３１】第九の本発明は、セラミック基板表面の導
体層をトリミングして抵抗発熱体パターンを形成するこ
とによりセラミックヒータを製造する際に用いられる製
造システムであって、セラミック基板を載置するテーブ
ル、導体層を撮像するカメラ、データを記憶する記憶
部、レーザ光を偏向するガルバノミラー、データを入力
する入力部、データを演算する演算部、テーブルおよび
／またはガルバノミラーを制御する制御部、ならびに、
抵抗測定部からなり、抵抗発熱体パターン、トリミング
および所望の抵抗値から選ばれるいずれか少なくとも１
種のデータを入力部から入力して、これを記憶部に格納
し、また、導体層の抵抗値を測定して、抵抗値データを
記憶部に格納し、カメラにより導体層の位置を読み取
り、この位置データ、抵抗値データとともに、抵抗発熱
体パターン、トリミングおよび所望の抵抗値から選ばれ
るいずれか少なくとも１種のデータをもって演算部にて
トリミングのためのテーブルおよび／またはガルバノミ
ラーを制御する制御データを演算して記憶部に格納し、
さらに、この制御データを記憶部から制御部に送信し
て、レーザを導体層に照射し、トリミングを行うように
構成されていることを特徴とするセラミックヒータの製
造システムである。

【００３２】第九の本発明に係る製造システムでは、抵
抗値を測定し、所望とする抵抗値とするためにどのよう
なトリミングを行うべきか制御データを演算し、この制
御データに従って、トリミングを行うものである。

【００３３】第九の本発明では、例えば、図１３に示し
たように、抵抗発熱体１２パターンを複数の区画（ｌ₁
〜ｌ₆ ）に分割し、各区画毎に抵抗値（抵抗率）を測定
し、各区画毎にトリミングを行う。このため、発熱体パ
ターンの抵抗値のバラツキを精度良く修正することがで
きる。

【００３４】第十の本発明は、セラミック基板表面の所
定領域に導体層を形成した後、研磨処理を施すことによ
り、導体層をトリミングして発熱体パターンを形成する
ことを特徴とするセラミックヒータの製造方法である。

【００３５】第十の本発明では、研磨処理を施すことに
より、導体層をトリミングして発熱体パターンとするた
め、広い面積の抵抗値の調整が可能になる。また、セラ
ミック基板の上に導体層を形成しているため、樹脂や半
導体ウエハ上に形成されるものとは全く異なり、研磨処
理による振動や応力でセラミック基板が破損したりする
ことはない。

【００３６】研磨処理を施す際には、上記導体層が形成
されたセラミック基板の表面に導体層を覆うように形成
されたマスクを載置し、ついで研磨処理を施す。図１４
に示したベルトサンダー６０（研磨テープをコンタクト
ローラで回転させる装置）のような研磨装置を使用する
場合には、このようなマスクは不要である。具体的に
は、セラミック基板１１の表面に所定パターンの抵抗発
熱体１２を形成した後、この抵抗発熱体１２に研磨処理
を施すことにより、その厚みを調整し、抵抗値（抵抗
率）を調整する。このベルトサンダー６０を用いる場
合、研磨テープの幅：１〜５０００ｍｍ、砥粒：＃１０
０〜＃１００００、被研磨物（発熱体）の移動速度：１
０〜３０００ｍｍ／分、テープの移動速度：１０〜５０
００ｍｍ／分、コンタクトローラゴムの硬度：１０〜１
００度で研磨を行う。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下、上述した第一〜第十の本発
明を発明の実施形態に則して説明する。これらの発明
は、互いに重複した部分を有するので、以下において
は、これらの発明の番号付けは行わず、適宜、これらの
発明を説明することとする。本発明のセラミックヒータ
は、セラミック基板上に抵抗発熱体を形成したセラミッ
クヒータであって、抵抗発熱体にトリミングが施されて
なることを特徴とするセラミックヒータである。

【００３８】このセラミックヒータは、発熱体形成面の
反対側面が、被加熱物を載置したり、セラミック基板上
に設置した支持ピン等を介して基板表面と一定の間隔を
保ちながら加熱する面（以下、加熱面という）となって
おり、抵抗発熱体にはトリミング処理が施されて抵抗値
が調整され、全体的に均一な抵抗値（抵抗率）となって
いる。その結果、このセラミックヒータを用いてシリコ
ンウエハ等の被加熱物を加熱すると、加熱面の温度分布
が均一になり、上記被加熱物を均一に加熱することがで
きる。

【００３９】上記トリミングは、抵抗発熱体の側面を含
む部分または抵抗発熱体の表面に形成されている。図８
は、側面を含む部分にトリミングを施した場合の抵抗発
熱体の形態を示した斜視図である。側面を含む部分のト
リミングには、図８〜１０に示すように、シングルカッ
ト（図８（ａ）参照）、ダブルリバースカット（図８
（ｂ）参照）、Ｊカット（図８（ｃ）参照）、バーニャ
付きＬカット（図８（ｄ）、図１０（ｊ）参照）、ダブ
ルカット（図９（ｅ）参照）、サーペントカット（図９
（ｆ）参照）、Ｃカット（図９（ｇ）参照）、Ｔカット
（図９（ｈ）参照）、Ｌカット（図１０（ｉ）参照）、
スキャンカット（図１０（ｋ）参照）などが挙げられ
る。なお、これらの図では、トリミングにより、形成し
た溝からセラミック基板が露出しているが、セラミック
基板を露出させるまで深くトリミングせず、表面に溝を
形成してもよい。

【００４０】また、図１１は、表面にトリミングが施さ
れた抵抗発熱体１２を示す斜視図であるが、このように
抵抗発熱体１２の表面に溝１２０を形成することによ
り、抵抗値（抵抗率）を調整することができる。表面ト
リミングの方法としては、抵抗発熱体１２の表面に直
線、曲線を描画する方法が挙げられる。直線や曲線は複
数であってもよい。

【００４１】また、トリミングは、図２に示すように厚
さ方向に施されてもよい。トリミングは、所定区画毎に
行われるため、抵抗値（抵抗率）が低い区域の抵抗発熱
体の厚さが、その他の部分の厚さより相対的に小さくな
り、これにより各区画における抵抗値（抵抗率）が同じ
になるので、発熱量も同じになり、局所的な発熱の不均
一が是正される。

【００４２】さらに、図１２Ａ〜Ｃに示すように、梯子
状の抵抗発熱体を形成した後、トリミング処理を施し
て、その一部を切断することにより、抵抗値を調整する
こともできる。

【００４３】すなわち、図１２Ａに示したように、並行
に形成された抵抗発熱体２２ａ、２２ｂ間に接続用抵抗
発熱体２２ｃを設けて、梯子状の抵抗発熱体２２とし、
この梯子状の抵抗発熱体２２の一部をＢやＣに示したよ
うにトリミングして切断ことにより、抵抗値を調整する
ことができる。Ｂに示したように接続用抵抗発熱体２２
ｃの一部をトリミングするとその抵抗値は下がり、Ｃに
示したように、並行に形成された抵抗発熱体２２ａ、２
２ｂをトリミングして、抵抗発熱体の長さが実質的に長
くなるようにすると、抵抗値は上がる。

【００４４】表面や側面のトリミングは、溝や切断部分
の幅が１〜１００μｍ程度になるように形成することが
望ましい。幅が広すぎると断線などが発生しやすくなる
からである。厚さ方向にトリミングする場合は、元の厚
さの５〜８０％の部分をトリミングする。トリミング量
が多すぎると断線を招くからである。レーザ光のスポッ
ト径は、１〜１００μｍで調整する。また、トリミング
の形態によっては、１〜２００ｍｍのような大きなスポ
ット径でもよい。

【００４５】トリミングは、抵抗値（抵抗率）を測定
し、その測定値に基づいて行うことが望ましい。抵抗値
（抵抗率）の精度よい調整が可能になるからである。抵
抗値（抵抗率）を測定する際には、図１３に示すよう
に、抵抗発熱体１２をｌ ₁ 〜ｌ₆ の区画に分割し、各区
画について抵抗値（抵抗率）を測定する。そして、抵抗
値（抵抗率）が低い区画についてトリミング処理を実施
すればよい。

【００４６】トリミング処理が終わった後、再度抵抗値
の測定を実施し、必要があればさらにトリミングを実施
することができる。つまり、抵抗値測定とトリミングは
１回だけではなく、２回以上実施してもよい。

【００４７】トリミングは、抵抗発熱体ペーストを印刷
した後焼成し、その後に実施することが望ましい。焼成
により抵抗値が変動するからである。また、最初に抵抗
発熱体ペーストを面状（いわゆるベタ状）に印刷し、ト
リミングすることによりパターン化してもよい。この方
法では、最初からパターン状に印刷しようとすると、印
刷方向により厚さのばらつきが発生するが、面状に印刷
する場合には均一な厚さで印刷できるため、これをトリ
ミングしてパターン化することにより、均一な厚さの発
熱体パターンを得ることができる。

【００４８】トリミングは、レーザ光を照射する方法が
挙げられるほか、サンドブラスト、ベルトサンダーなど
の研磨処理方法を採用することができる。レーザ光とし
ては、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ（ＫｒＦ）、炭酸
ガスレーザなどを使用することができる。

【００４９】次に、本発明のトリミングシステムについ
て説明する。図１は、本発明のセラミックヒータの製造
システムを構成するレーザトリミング装置の概要を示す
ブロック図である。このレーザトリミングを行う際に
は、図１に示したように、形成する抵抗発熱体の回路を
含むように、例えば、所定幅の同心円形状に導体層１２
ｍが形成された円板状のセラミック基板１１をテーブル
１３上に固定する。

【００５０】このテーブル１３には、モータ等（図示せ
ず）が設けられているとともに、このモータ等は制御部
１７に接続されており、制御部１７からの信号でモータ
等を駆動させることにより、テーブル１３をｘｙ方向
（あるいはこれに加えてθ方向：上下方向）に自由に移
動させることができるようになっている。

【００５１】一方、このテーブル１３の上方には、ガル
バノミラー１５が設けられているが、このガルバノミラ
ー１５は、モータ１６により自由に回転できるようにな
っており、同じくテーブル１３の上方に配置されたレー
ザ照射装置１４から照射されたレーザ光２２が、このガ
ルバノミラー１５に当たって、反射し、セラミック基板
１１を照射するように構成されている。

【００５２】また、モータ１６およびレーザ照射装置１
４は、制御部１７に接続されており、制御部１７からの
信号でモータ１６やレーザ照射装置１４を駆動させるこ
とにより、ガルバノミラー１５を所定の角度回転させ、
セラミック基板１１上のｙ方向について、照射位置を自
由に設定することができるようになっている。

【００５３】このように、セラミック基板１１を載置し
たテーブル１３およびガルバノミラー１５を動かすこと
により、セラミック基板１１上の任意の位置にレーザ光
２２を照射することができる。

【００５４】一方、テーブル１３の上方には、カメラ２
１も設置されており、これにより、セラミック基板１１
の位置（ｘ，ｙ）を認識することができるようになって
いる。このカメラ２１は、記憶部１８に接続され、これ
によりセラミック基板１１の導体層１２ｍの位置（ｘ，
ｙ）等を認識し、その位置にレーザ光２２を照射する。

【００５５】また、入力部２０は、記憶部１８に接続さ
れるとともに、端末としてキーボード等（図示せず）を
有しており、記憶部１８やキーボード等を介して、所定
の指示等が入力されるようになっている。

【００５６】さらに、このレーザトリミング装置は、演
算部１９を備えており、カメラ２１により認識されたセ
ラミック基板１１の位置や厚さ等のデータに基づいて、
レーザ光２２の照射位置、照射速度、レーザ光の強度等
を制御するための演算を行い、この演算結果に基づいて
制御部１７からモータ１６、レーザ照射装置１４等に指
示を出し、ガルバノミラー１５を回転させ、テーブル１
３を移動させながらレーザ光２２を照射し、導体層１２
ｍの不要部分のトリミングを行う。このようにして、所
定パターンの抵抗発熱体を形成するのである。

【００５７】また、このレーザトリミング装置は、必要
に応じて抵抗測定部２３を有していてもよい。抵抗測定
部２３は、複数のテスタピン２４を備えており、抵抗発
熱体パターンを複数の区画に区分し、各区画毎にテスタ
ピン２４を接触させて、抵抗発熱体の抵抗値を測定し、
レーザ光を該当する区画に照射してトリミングするので
ある。

【００５８】次に、このようなレーザトリミング装置を
用いたセラミックヒータの製造方法について具体的に説
明する。ここでは、本発明の要部であるレーザトリミン
グ工程ついて詳しく説明し、それ以外の工程については
簡単に説明する。なお、これらトリミング以外の工程に
ついては、後でより詳しく説明する。

【００５９】最初に、セラミック基板の製造を行うが、
まず、セラミック粉末と樹脂とからなる生成形体を作製
する。この生成形体の作製方法としては、セラミック粉
末と樹脂とを含む顆粒を製造した後、これを金型等に投
入してプレス圧をかけることにより作製する方法と、グ
リーンシートを積層圧着することにより作製する方法と
があり、内部に静電電極等の他の導体層を形成するか否
か等により、より適切な方法を選択する。この後、生成
形体の脱脂、焼成を行うことにより、セラミック基板を
製造する。この後、セラミック基板にリフターピンを挿
通するための貫通孔の形成、測温素子を埋設するための
有底孔の形成等を行う。

【００６０】次に、このセラミック基板１１上に、抵抗
発熱体となる部分を含む広い領域（例えば、図１に示し
たような所定幅を有する同心円形状）に、スクリーン印
刷等により導体ペースト層を形成し、焼成することによ
り導体層１２ｍとする。めっき法やスパッタリング等の
物理蒸着法を用いて導体層を形成してもよい。めっきの
場合には、めっきレジストを形成することにより、スパ
ッタリング等の場合には、選択的なエッチングを行うこ
とにより、所定領域に導体層１２ｍを形成することがで
きる。また、導体層は、後述するように抵抗発熱体パタ
ーンとして形成されていてもよい。

【００６１】このようにして所定領域に導体層１２ｍが
形成されたセラミック基板１１をテーブル１３の所定位
置に固定する。予め、トリミングデータ、抵抗発熱体パ
ターンのデータ、または、トリミングデータと抵抗発熱
体パターンのデータとの両方を入力部２０から入力し、
記憶部１８に格納する。つまり、トリミングにより形成
しようとする形状のデータを記憶しておくのである。ト
リミングデータは、抵抗発熱体パターンの側面や表面の
トリミングもしくは厚さ方向のトリミング、または、梯
子状のパターンのトリミングを行う場合に使用されるデ
ータであり、抵抗発熱体パターンデータは、面状（いわ
ゆるベタ状）に印刷された導体層をトリミングして抵抗
発熱体パターンを形成する場合に使用される。無論、こ
れらを併用することもできる。

【００６２】さらに、これらのデータに加えて、所望と
する抵抗値データを入力し、記憶部１８に格納しておい
てもよい。これは抵抗測定部２３において抵抗値（抵抗
率）を実測し、所望とする抵抗値（抵抗率）とどれだけ
相違があるかを演算し、これを所望とする抵抗値（抵抗
率）に補正するために、どのようなトリミングを行うか
を演算し、制御データを生成させるのである。

【００６３】次に、固定されたセラミック基板１１をカ
メラ２１で撮影することにより、導体層１２ｍの形成位
置が記憶部１８に記憶される。この導体層の位置のデー
タ、トリミングにより形成しようとする形状のデータ、
および、必要となる抵抗値データに基づいて、演算部１
９で演算が行われ、その結果が制御データとして記憶部
１８に記憶される。

【００６４】そして、この演算結果に基づいて、制御部
１７から制御信号を発生させ、ガルバノミラー１５のモ
ータ１６およびテーブル１３のモータを駆動させなが
ら、レーザ光を照射することにより、導体層１２ｍの不
必要な部分を除去し、あるいは、すでにパターンとして
形成された抵抗発熱体の側面、表面、厚さ等をトリミン
グして所定パターンの抵抗発熱体１２を完成する。その
後、外部端子の接続、測温素子の設置等を経て、セラミ
ックヒータの製造が終了する。

【００６５】この工程では、セラミック基板１１上に導
体層を形成した後、レーザ光により不必要部分の除去を
行って、発熱体パターンとしたが、先に説明したよう
に、予め、抵抗発熱体のパターンを形成しておき、厚さ
方向、側面もしくは表面をトリミングし、または、梯子
状のパターンの一部をトリミングすることもできる。

【００６６】例えば、セラミック基板の表面に発熱体パ
ターンの導体ペースト層を形成した後、または、発熱体
パターンの導体層を形成した後、上記導体ペースト層ま
たは上記導体層にレーザ光を照射して、抵抗発熱体の厚
みを調節する場合、レーザ光を導体層や導体ペースト層
の除去のみでなく、導体層の厚さを調整するために用い
る。すなわち、セラミック基板１１上に、発熱体パター
ンの導体層１２ｍや導体ペースト層を形成した後、図２
（ａ）に示すように、発熱体パターンの部分全体にレー
ザ光を照射し、上層の部分のみを蒸発させることによ
り、図２（ｂ）に示すように、導体層等の厚みを調整す
ることができる。

【００６７】このような方法を用いて導体層の厚みを調
整することができれば、例えば、抵抗発熱体を形成した
際、一部に厚い部分ができたり、全体的に設計値よりも
厚くなったりした場合や、抵抗発熱体は設計どおりに形
成されているが、セラミック基板の熱容量が設計よりも
大きくなったりした場合等において、抵抗発熱体の厚み
を薄くして抵抗値（体積抵抗率）を増大させることによ
り発熱量を多くすることができる。

【００６８】このように、抵抗発熱体の発熱量の制御を
より精密に行うことができるため、加熱面の温度の制御
が一層容易になる。抵抗値の制御は、図１３に示すよう
に、抵抗発熱体１２を２以上の部分に区画（１₁ 〜ｌ
₆ ）し、各区画毎に抵抗値の制御を行う。

【００６９】また、図８〜１２に示すように、抵抗発熱
体の一部に溝を形成するか、回路長さを変えることで抵
抗値を制御することができる。導体層等の不要部分を除
去する際には、レーザ光照射により導体層等の不要部分
は完全に除去するものの、その下に存在するセラミック
基板には、レーザ光照射により大きな影響を与えないこ
とが重要になる。

【００７０】従って、レーザ光は、導体層等を構成する
金属粒子等には良好に吸収され、一方、セラミック基板
に吸収されにくいものを選定する必要がある。このよう
なレーザの種類としては、例えば、ＹＡＧレーザ、炭酸
ガスレーザ、エキシマレーザ、ＵＶ（紫外線）レーザ等
が挙げられる。

【００７１】これらのレーザのなかでは、ＹＡＧレー
ザ、エキシマ（ＫｒＦ）レーザが最適である。また、セ
ラミック基板１１は、レーザ光が吸収されにくい材質の
ものが好ましく、例えば、窒化アルミニウム基板の場合
には、炭素含有量が５０００ｐｐｍ以下の少ないものが
好ましい。また、表面の面粗度をＪＩＳ Ｂ０６０１
Ｒａで１０μｍ以下にすることが望ましい。面粗度が大
きい場合は、レーザ光を吸収してしまうからである。

【００７２】ＹＡＧレーザとしては、日本電気製のＳＬ
４３２Ｈ、ＳＬ４３６Ｇ、ＳＬ４３２ＧＴ、ＳＬ４１１
Ｂなどを採用できる。

【００７３】図３は、このような方法により製造された
抵抗発熱体１２を有するセラミック基板１１を模式的に
示す平面図であり、図４は、その部分拡大断面図であ
る。このセラミックヒータ３０では、抵抗発熱体１２
（１２ａ〜１２ｄ）は、ウエハ加熱面１１ａの全体の温
度が均一になるように加熱するため、セラミック基板１
１の底面１１ｂに同心円形状のパターンと屈曲線形状の
パターンにより形成されている。

【００７４】抵抗発熱体１２ａ、１２ｂのように、配線
間が広いパターンの場合には、スクリーン印刷により抵
抗発熱体を形成する方が容易であるが、抵抗発熱体１２
ｃ、１２ｄのような間隔の狭いパターンや、屈曲形状の
パターンでも、その間隔が狭く込み入ったパターンを形
成する場合には、上記したレーザ光を用いたトリミング
により、抵抗発熱体を形成する方法が有効である。

【００７５】なお、このセラミックヒータ３０では、中
央に近い部分に、シリコンウエハ３９を運搬等するリフ
ターピン３６を挿通するための貫通孔３５が形成され、
さらに、測温素子を挿入するための有底孔３４が形成さ
れている。

【００７６】本発明のセラミックヒータ３０では、シリ
コンウエハ３９等の被加熱物をセラミック基板１１の加
熱面１１ａに接触させた状態で載置して加熱するほか、
図４に示すように、セラミック基板１１に貫通孔３５を
設け、この貫通孔３５にリフターピン３６を挿入し、こ
のリフターピン３６でシリコンウエハ３９等の被加熱物
を保持することにより、セラミック基板１１より一定の
距離離間させた状態で被加熱物を加熱してもよい。

【００７７】また、このリフターピン３６を上下させる
ことにより、搬送機からシリコンウエハ３９等の被加熱
物を受け取ったり、被加熱物をセラミック基板１１上に
載置したり、被加熱物を支持したまま加熱したりするこ
とができる。

【００７８】さらに、セラミック基板に凹部や貫通孔等
を形成し、この凹部等に先端が尖塔状または半球状の支
持ピンを先端がセラミック基板の表面よりわずかに突出
した状態で挿入、固定し、シリコンウエハ３９等の被加
熱物をこの支持ピンで支持することにより、セラミック
基板との間に一定の間隔を保って保持してもよい。

【００７９】本発明のセラミックヒータのように、セラ
ミック基板の表面（底面）に抵抗発熱体を設ける場合
は、加熱面は抵抗発熱体形成面の反対側であることが望
ましい。セラミック基板が熱拡散の役割を果たすため、
加熱面の温度均一性を向上させることができるからであ
る。

【００８０】本発明のセラミックヒータにおけるセラミ
ック基板は、円板であることが望ましく、その直径は１
９０ｍｍを超えるものが望ましい。このような直径が大
きいものほど加熱面での温度ばらつきが大きくなるから
である。

【００８１】また、本発明のセラミックヒータのセラミ
ック基板の厚さは、２５ｍｍ以下であることが望まし
い。上記セラミック基板の厚さが２５ｍｍを超えると温
度追従性が低下するからである。また、その厚さは、
１．５ｍｍを超え５ｍｍ以下であることがより望まし
い。５ｍｍより厚くなると、熱が伝搬しにくくなり、加
熱の効率が低下する傾向が生じ、一方、１．５ｍｍ以下
であると、セラミック基板中を伝搬する熱が充分に拡散
しないため加熱面に温度ばらつきが発生することがあ
り、また、セラミック基板の強度が低下して破損する場
合があるからである。

【００８２】本発明のセラミックヒータ１０では、基板
の材料としてセラミックを使用しているが、セラミック
としては特に限定されず、例えば、窒化物セラミック、
炭化物セラミックおよび酸化物セラミック等を挙げるこ
とができる。セラミック基板１１の材料として、これら
のなかでは、窒化物セラミックや炭化物セラミックが好
ましい。熱伝導特性に優れるからである。

【００８３】上記窒化物セラミックとしては、例えば、
窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタ
ン等が挙げられる。また、上記炭化物セラミックとして
は、炭化珪素、炭化チタン、炭化硼素等が挙げられる。
さらに、上記酸化物セラミックとしては、アルミナ、コ
ージェライト、ムライト、シリカ、ベリリア等が挙げら
れる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用
してもよい。これらのなかでは、窒化アルミニウムが最
も好ましい。熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・Ｋと最も高いか
らである。ただし、セラミック基板は、レーザ光を吸収
しないように、カーボンの量を少なくする、あるいは表
面を研磨してＪＩＳ Ｂ０６０１ Ｒａで１０μｍ以下
に調整するなどの工夫が必要になる。また必要に応じ
て、抵抗発熱体とセラミック基板の間に耐熱性セラミッ
ク層を設けてもよい。例えば、非酸化物系セラミックの
場合は、表面に酸化物セラミックを形成しておいてもよ
い。

【００８４】セラミック基板の表面または内部に形成さ
れる抵抗発熱体は、少なくとも２以上の回路に分割され
ていることが望ましい。回路を分割することにより、各
回路に投入する電力を制御して発熱量を変えることがで
き、シリコンウエハの加熱面の温度を調整することがで
きるからである。

【００８５】抵抗発熱体のパターンとしては、例えば、
同心円、渦巻き、偏心円、屈曲線などが挙げられるが、
セラミック基板全体の温度を均一にすることができる点
から、図１に示したような同心円状のものか、または、
同心円形状と屈曲形状とを組み合わせたものが好まし
い。上記レーザを用いて抵抗発熱体を形成する場合に
は、配線同士の間隔が狭く混み合ったパターンとなる場
合が有利である。

【００８６】抵抗発熱体をセラミック基板の表面に形成
する方法としては、上述した方法を用いる。すなわち、
セラミック基板の所定領域に導体ペーストを塗布し、次
に、導体ペースト層を形成した後にレーザによるトリミ
ング処理を行うか、または、導体ペーストを焼き付けた
後、レーザによるトリミング処理を行い、所定パターン
の抵抗発熱体を形成する。焼成によりセラミック基板の
表面で金属粒子を焼結させることができる。なお、金属
の焼結は、金属粒子同士および金属粒子とセラミックと
が融着していれば充分である。トリミングは焼成後が最
適である。焼成により抵抗値の変動があるため、焼成後
の方が精度よく抵抗値制御ができるからである。なお、
めっき法やスパッタリング等の方法を用いて所定領域に
導体層を形成し、レーザによるトリミング処理を行って
もよい。

【００８７】セラミック基板の表面に抵抗発熱体を形成
する場合には、抵抗発熱体の厚さは、１〜３０μｍが好
ましく、１〜１０μｍがより好ましい。また、抵抗発熱
体の幅は、０．１〜２０ｍｍが好ましく、０．１〜５ｍ
ｍがより好ましい。抵抗発熱体は、その幅や厚さにより
抵抗値に変化を持たせることができるが、上記した範囲
が最も実用的である。この抵抗値（体積抵抗率）は、上
述したように、レーザ光を用いることにより調整するこ
とができる。

【００８８】抵抗発熱体は、断面形状が矩形であっても
楕円であってもよいが、偏平であることが望ましい。偏
平の方が加熱面に向かって放熱しやすいため、加熱面の
温度分布ができにくいからである。断面のアスペクト比
（抵抗発熱体の幅／抵抗発熱体の厚さ）は、１０〜５０
００であることが望ましい。この範囲に調整することに
より、抵抗発熱体の抵抗値を大きくすることができると
ともに、加熱面の温度の均一性を確保することができる
からである。

【００８９】抵抗発熱体の厚さを一定とした場合、アス
ペクト比が上記範囲より小さいと、セラミック基板の加
熱面方向への熱の伝搬量が小さくなり、抵抗発熱体のパ
ターンに近似した熱分布が加熱面に発生してしまい、逆
にアスペクト比が大きすぎると抵抗発熱体の中央の直上
部分が高温となってしまい、結局、抵抗発熱体のパター
ンに近似した熱分布が加熱面に発生してしまう。従っ
て、温度分布を考慮すると、断面のアスペクト比は、１
０〜５０００であることが好ましいのである。

【００９０】上記導体ペーストとしては特に限定されな
いが、導電性を確保するための金属粒子または導電性セ
ラミックが含有されているほか、樹脂、溶剤、増粘剤な
どを含むものが好ましい。

【００９１】上記金属粒子としては、例えば、貴金属
（金、銀、白金、パラジウム）、鉛、タングステン、モ
リブデン、ニッケルなどが好ましい。これらは、単独で
用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの金
属は、比較的酸化しにくく、発熱するに充分な抵抗値を
有するからである。上記導電性セラミックとしては、例
えば、タングステン、モリブデンの炭化物などが挙げら
れる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用
してもよい。

【００９２】これら金属粒子または導電性セラミック粒
子の粒径は、０．１〜１００μｍが好ましい。０．１μ
ｍ未満と微細すぎると、酸化されやすく、一方、１００
μｍを超えると、焼結しにくくなり、抵抗値が大きくな
るからである。

【００９３】上記金属粒子の形状は、球状であっても、
リン片状であってもよい。これらの金属粒子を用いる場
合、上記球状物と上記リン片状物との混合物であってよ
い。上記金属粒子がリン片状物、または、球状物とリン
片状物との混合物の場合は、金属粒子間の金属酸化物を
保持しやすくなり、抵抗発熱体と窒化物セラミック等と
の密着性を確実にし、かつ、抵抗値を大きくすることが
できるため有利である。

【００９４】導体ペーストに使用される樹脂としては、
例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などが挙げられ
る。また、溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコ
ールなどが挙げられる。増粘剤としては、セルロースな
どが挙げられる。

【００９５】導体ペーストには、金属粒子に金属酸化物
を添加し、抵抗発熱体と金属粒子および金属酸化物とを
焼結させたものとすることが望ましい。このように、金
属酸化物を金属粒子とともに焼結させることにより、セ
ラミック基板である窒化物セラミック等と金属粒子とを
より密着させることができる。

【００９６】金属酸化物を混合することにより、窒化物
セラミック等との密着性が改善される理由は明確ではな
いが、金属粒子表面や窒化物セラミック等の表面は、わ
ずかに酸化されて酸化膜が形成されており、この酸化膜
同士が金属酸化物を介して焼結して一体化し、金属粒子
と窒化物セラミック等とが密着するのではないかと考え
られる。また、セラミック基板を構成するセラミックが
酸化物セラミックの場合は、当然に表面が酸化物からな
るので、密着性に優れた導体層が形成される。

【００９７】上記金属酸化物としては、例えば、酸化
鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ ₂ Ｏ₃ ）、アル
ミナ、イットリアおよびチタニアからなる群から選ばれ
る少なくとも１種が好ましい。

【００９８】これらの酸化物は、抵抗発熱体１２の抵抗
値を大きくすることなく、金属粒子と窒化物セラミック
等との密着性を改善することができるからである。

【００９９】上記酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ
素（Ｂ₂ Ｏ₃ ）、アルミナ、イットリア、チタニアの割
合は、金属酸化物の全量を１００重量部とした場合、重
量比で、酸化鉛が１〜１０、シリカが１〜３０、酸化ホ
ウ素が５〜５０、酸化亜鉛が２０〜７０、アルミナが１
〜１０、イットリアが１〜５０、チタニアが１〜５０で
あって、その合計が１００重量部を超えない範囲で調整
されていることが望ましい。これらの範囲で、これらの
酸化物の量を調整することにより、特に窒化物セラミッ
ク等との密着性を改善することができる。

【０１００】上記金属酸化物の金属粒子に対する添加量
は、０．１重量％以上１０重量％未満が好ましい。ま
た、このような構成の導体ペーストを使用して抵抗発熱
体１２を形成した際の面積抵抗率は、１〜４５ｍΩ／□
が好ましい。

【０１０１】面積抵抗率が４５ｍΩ／□を超えると、印
加電圧量に対して発熱量は大きくなりすぎて、セラミッ
ク基板の表面に抵抗発熱体１２を設けたセラミック基板
１１では、その発熱量を制御しにくいからである。な
お、金属酸化物の添加量が１０重量％以上であると、面
積抵抗率が５０ｍΩ／□を超えてしまい、発熱量が大き
くなりすぎて温度制御が難しくなり、温度分布の均一性
が低下する。また、必要に応じて面積抵抗率を５０ｍΩ
／□〜１０Ω／□にすることができる。面積抵抗率を大
きくすると、パターンを幅を広くすることができるた
め、断線の問題がない。

【０１０２】抵抗発熱体がセラミック基板の表面に形成
される場合には、抵抗発熱体の表面部分に、金属被覆層
が形成されていることが望ましい。内部の金属焼結体が
酸化されて抵抗値が変化するのを防止するためである。
形成する金属被覆層の厚さは、０．１〜１０μｍが好ま
しい。

【０１０３】金属被覆層を形成する際に使用される金属
は、非酸化性の金属であれば特に限定されないが、具体
的には、例えば、金、銀、パラジウム、白金、ニッケル
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上を併用してもよい。これらのなかでは、ニッケルが
好ましい。

【０１０４】抵抗発熱体には、電源と接続するための端
子が必要であり、この端子は、半田を介して抵抗発熱体
に取り付けるが、ニッケルは、半田の熱拡散を防止する
からである。接続端子としては、例えば、コバール製の
ものが挙げられる。

【０１０５】次に、レーザ処理を含む本発明のセラミッ
クヒータの製造方法について、レーザ処理工程以外の工
程に関し、図５に基づいてさらに詳しく説明する。レー
ザ処理工程については、前に詳しく説明したので、ここ
では、簡単に説明する。図５（ａ）〜（ｄ）は、レーザ
処理を含む本発明のセラミックヒータの製造方法の一部
を模式的に示す断面図である。

【０１０６】(1) セラミック基板の作製工程 窒化アルミニウム等のセラミックの粉末に、必要に応じ
て、イットリア（Ｙ₂ Ｏ ₃ ）等の焼結助剤、Ｎａ、Ｃａ
を含む化合物、バインダ等を配合してスラリーを調製し
た後、このスラリーをスプレードライ等の方法で顆粒状
にし、この顆粒を金型などに入れて加圧することにより
板状などに成形し、生成形体（グリーン）を作製する。

【０１０７】次に、生成形体に、必要に応じて、シリコ
ンウエハ３９等の被加熱物を運搬等するためのリフター
ピン３６を挿入する貫通孔３５となる部分や熱電対など
の測温素子を埋め込むための有底孔となる部分等を形成
する。

【０１０８】次に、この生成形体を加熱、焼成して焼結
させ、セラミック製の板状体を製造する。この後、所定
の形状に加工することにより、セラミック基板１１を作
製する（図５（ａ）参照）が、焼成後にそのまま使用す
ることができる形状としてもよい。また、例えば、上下
より加圧しながら加熱、焼成を行うことにより、気孔の
ないセラミック基板１１を製造することが可能となる。
加熱、焼成は、焼結温度以上であればよいが、例えば、
窒化物セラミックでは、１０００〜２５００℃である。

【０１０９】なお、通常は、焼成を行った後に、貫通孔
３５や測温素子を挿入するための有底孔（図示せず）を
設ける。貫通孔３５等は、表面研磨後に、ＳｉＣ粒子等
を用いたサンドブラスト等のブラスト処理を行うことに
より形成することができる。

【０１１０】(2) セラミック基板に導体ペーストを印刷
する工程 導体ペーストは、一般に、金属粒子、樹脂、溶剤からな
る粘度の高い流動物である。この導体ペーストをスクリ
ーン印刷などを用い、抵抗発熱体を設けようとする領域
一体に印刷を行うことにより、導体ペースト層１２ｍを
形成する（図５（ｂ））。抵抗発熱体のパターンは、セ
ラミック基板全体を均一な温度にする必要があることか
ら、図３に示すような同心円形状と屈曲形状とからなる
パターンとすることが望ましいが、導体ペースト層は、
これらのパターンを含むように、幅広の同心円形状、ま
たは、円形状のパターンとする。

【０１１１】(3) 導体ペーストの焼成 セラミック基板１１の底面に印刷した導体ペースト層を
加熱焼成して、樹脂、溶剤を除去するとともに、金属粒
子を焼結させ、セラミック基板１１の底面に焼き付け、
所定の幅を有する導体層を形成（図１参照）した後、上
述したレーザによるトリミング処理を行うことにより、
所定パターンの抵抗発熱体１２を形成する（図５（ｃ）
参照）。加熱焼成の温度は、５００〜１０００℃が好ま
しい。また、最初に同心円、渦巻き、屈曲パターンなど
のパターンを形成しておき、その一部をトリミング処理
して抵抗発熱体１２としてもよい。

【０１１２】(4) 金属被覆層の形成 抵抗発熱体１２表面には、図４に示したように、金属被
覆層１２０を設けることが望ましい。金属被覆層１２０
は、電解めっき、無電解めっき、スパッタリング等によ
り形成することができるが、量産性を考慮すると、無電
解めっきが最適である。なお、図５には、金属被覆層１
２０を示していない。

【０１１３】(5) 端子等の取り付け 抵抗発熱体１２のパターンの端部に電源との接続のため
の端子（外部端子３３）を半田を介して取り付ける（図
５（ｄ）参照）。また、有底孔３４に熱電対を挿入し、
ポリイミド等の耐熱樹脂等を用いて封止し、セラミック
ヒータの製造を終了する。

【０１１４】なお、本発明のセラミックヒータでは、セ
ラミック基板の内部に静電電極を設けることにより静電
チャックとして使用することができ、また、表面にチャ
ップトップ導体層を設け、内部にガード電極やグランド
電極を設けることによりウエハプローバとして使用する
ことができる。

【０１１５】次に、研磨装置を用いて導体層等のトリミ
ング等を行う発明について説明する。この発明は、セラ
ミック基板表面の所定領域に導体層を形成した後、研磨
処理を施すことにより、導体層をトリミングして発熱体
パターンを形成することを特徴とするセラミックヒータ
の製造方法である。

【０１１６】本発明において用いるセラミック基板は、
前述のセラミック基板と同様であり、セラミック基板表
面の所定領域に導体層を形成する方法も同様である。

【０１１７】このようにしてセラミック基板上の所定領
域に導体層を形成した後、セラミック基板の表面に発熱
体パターンとなる部分を覆うように形成されたマスクを
載置し、続いて、研磨処理を施すことにより、発熱体パ
ターン以外の導体層を除去し、発熱体パターンを形成す
る。あるいは、この後、マスクから露出した発熱体パタ
ーン表面を研磨して厚さ調整してもよい。

【０１１８】図６は、このような研磨処理を施す際に用
いるマスクを模式的に示した平面図である。このマスク
４０は、セラミック基板上の円環形状の導体層が形成さ
れた部分と重なるように開口部４１が形成され、開口部
の内部に抵抗発熱体のパターンからなるマスク部４２ａ
が形成されている。また、マスク部４２ａを外側や内側
のマスク部４２ｂ、４２ｃと連結するために連結部４２
０が形成されている。

【０１１９】従って、セラミック基板上に開口部４１が
導体層と重なるようにマスク４０を載置、固定し、研磨
を行うことにより、発熱体パターン以外の部分の導体層
を削除することができ、これにより抵抗発熱体のパター
ンを形成することができる。ただし、マスク４０に連結
部４２０が存在する部分は、削除されずに残存してしま
うので、その部分のみを後で削除する必要がある。

【０１２０】また、図７に示すように、発熱体パターン
の端部が導体層の端部と重なるようにセラミック基板上
に導体層を形成し、発熱体パターンのマスク部５２ａの
内側や外側の端部が、開口部５１の内側や外側のマスク
部５２ｂ、５２ｃと直接連結されるように構成されたマ
スク５０を作製しておけば、後で連結部を削除する必要
はなくなる。

【０１２１】マスク４０は、研磨装置で容易に研磨され
ないような材質のものが好ましく、例えば、ステンレ
ス、ニッケル、銅等が挙げられる。また、その厚さは、
５〜２０００μｍが好ましい。

【０１２２】また、研磨装置としては、通常、セラミッ
ク基板表面の研磨に用いる装置を用いることができ、サ
ンドブラスト、ベルトサンダー（図１４参照）を使用す
ることができる。研磨材としては、ダイヤモンドの微粉
末、ＳｉＣ、アルミナ、ジルコニア等が挙げられる。

【０１２３】また、通常の方法で抵抗発熱体を形成した
後、研磨処理を施すことにより、抵抗発熱体の厚さを調
整してもよい。上述したような導体層を削除する場合よ
りも弱い研磨処理を施すことにより、抵抗発熱体の厚さ
を調整することができる。

【０１２４】この場合は、特にマスクを必要とせず、図
１４に示すようなベルトサンダーで研磨してもよい。こ
の場合は広い面積を研磨できるため、抵抗発熱体の厚さ
の調整が容易である。

【０１２５】

【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明する。

【０１２６】（実施例１）セラミックヒータの製造（レ
ーザ光照射による一部導体ペースト層の除去、図１参
照） (1) 窒化アルミニウム粉末（平均粒径：１．１μｍ）１
００重量部、イットリア（平均粒径：０．４μｍ）４重
量部、アクリルバインダ１２重量部およびアルコールか
らなる組成物のスプレードライを行い、顆粒状の粉末を
作製した。

【０１２７】(2) 次に、この顆粒状の粉末を金型に入
れ、平板状に成形して生成形体（グリーン）を得た。

【０１２８】(3) 次に、この生成形体を１８００℃、圧
力：２０ＭＰａでホットプレスし、厚さがほぼ３ｍｍの
窒化アルミニウム板状体を得た。次に、この板状体から
直径２１０ｍｍの円板体を切り出し、セラミック製の板
状体（セラミック基板１１）とした。このセラミック基
板にドリル加工を施し、シリコンウエハのリフターピン
１６を挿入する貫通孔１５、熱電対を埋め込むための有
底孔１４（直径：１．１ｍｍ、深さ：２ｍｍ）を形成し
た（図５（ａ）参照）。

【０１２９】(4) 上記(3) で得たセラミック基板１１
に、スクリーン印刷にて導体ペースト層を形成した。印
刷パターンは、形成しようとする抵抗発熱体の各回路を
含むように塗布された所定幅を有する同心円形状と円形
状のパターンであった（図５（ｂ）参照）。上記導体ペ
ーストとしては、プリント配線板のスルーホール形成に
使用されている徳力化学研究所製のソルベストＰＳ６０
３Ｄを使用した。この導体ペーストは、銀−鉛ペースト
であり、銀１００重量部に対して、酸化鉛（５重量
％）、酸化亜鉛（５５重量％）、シリカ（１０重量
％）、酸化ホウ素（２５重量％）およびアルミナ（５重
量％）からなる金属酸化物を７．５重量部含むものであ
った。また、銀粒子は、平均粒径が４．５μｍで、リン
片状のものであった。 (5) さらに、発熱体パターンの導体ペースト層を形成し
た後、セラミック基板１１を７８０℃で加熱、焼成し
て、導体ペースト中の銀、鉛を焼結させるとともにセラ
ミック基板１１に焼き付けた。

【０１３０】(6) 次に、波長が１０６０ｎｍのＹＡＧレ
ーザ（日本電気社製 Ｓ１４３ＡＬ出力５Ｗ、パルス周
波数 ０．１〜４０ｋＨｚ）を用いてトリミングを行っ
た。この装置は、Ｘ−Ｙステージ、ガルバノミラー、Ｃ
ＣＤカメラ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを備え、また、ステー
ジとガルバノミラーを制御するコントローラを内蔵して
いる。このコントローラは、コンピュータ（日本電気社
製 ＦＣ−９８２１）に接続されている。また、上記コ
ンピュータは、演算部と記憶部を兼ねるＣＰＵを有して
いるとともに、記憶部と入力部を兼ねるハードディスク
と３．５インチＦＤドライブを有している。

【０１３１】このコンピュータにＦＤドライブから発熱
体パターンデータを入力し、さらに、導体層の位置を読
み取って（読み取りは、導体層の特定箇所またはセラミ
ック基板に形成されたマーカを基準にする）、必要な制
御データを演算し、導体ペースト層の発熱体パターン形
成予定領域以外の部分にレーザ光を照射し、その部分の
導体ペースト層を除去し、抵抗発熱体１２を形成した
（図５（ｃ）参照）。銀−鉛の抵抗発熱体は、厚さが５
μｍ、幅２．４ｍｍ、面積抵抗率が７．７ｍΩ／□であ
った。

【０１３２】(7) 硫酸ニッケル８０ｇ／ｌ、次亜リン酸
ナトリウム２４ｇ／ｌ、酢酸ナトリウム１２ｇ／ｌ、ほ
う酸８ｇ／ｌ、塩化アンモニウム６ｇ／ｌの濃度の水溶
液からなる無電解ニッケルめっき浴に上記(6) で作製し
たセラミック基板１１を浸漬し、銀−鉛の抵抗発熱体１
２の表面に厚さ１μｍの金属被覆層（ニッケル層）１２
ａを析出させた。

【０１３３】(8) 電源との接続を確保するための外部端
子１３を取り付ける部分に、スクリーン印刷により、銀
−鉛半田ペースト（田中貴金属社製）を印刷して半田層
を形成した。次いで、半田層の上にコバール製の外部端
子１３を載置して、４２０℃で加熱リフローし、外部端
子１３を抵抗発熱体１２の表面に取り付けた（図５
（ｄ）参照）。

【０１３４】(9) 温度制御のための熱電対をポリイミド
で封止し、セラミックヒータ１０を得た。上記工程を経
て得られたセラミックヒータに通電したところ、抵抗発
熱体に短絡は発生せず、設定通りにセラミック基板の温
度を上昇させることができ、昇温後のセラミック基板の
加熱面の温度も均一であった。

【０１３５】（実施例２）セラミックヒータの製造（レ
ーザ光照射による一部導体層の除去） (1) 実施例１と同様にして、セラミック基板１１を製造
した後、このセラミック基板にドリル加工を施し、シリ
コンウエハのリフターピン１６を挿入する貫通孔１５、
熱電対を埋め込むための有底孔１４（直径：１．１ｍ
ｍ、深さ：２ｍｍ）を形成した。

【０１３６】(2) 次に、セラミック基板に、スクリーン
印刷にて導体ペーストを印刷した。印刷パターンは、形
成しようとする抵抗発熱体の各回路を含むように塗布さ
れた所定幅を有する同心円形状のパターンであった。導
体ペーストは、実施例１と同様のものを用いた。

【０１３７】(3) このようにして、所定幅を有する同心
円形状の導体ペースト層を形成した後、セラミック基板
１１を７８０℃で加熱、焼成して、導体ペースト中の
銀、鉛を焼結させるとともにセラミック基板１１に焼き
付け、所定幅の同心円形状のパターンからなる導体層を
形成した。銀−鉛の抵抗発熱体は、厚さが５μｍ、面積
抵抗率が７．７ｍΩ／□であった。

【０１３８】(4) 次に、実施例１で使用したＹＡＧレー
ザ装置のコンピュータに抵抗測定装置に日置電気株式会
社製 ハイミリオームテスタ３２２０を接続した。この
テスタは、プローブピンを備えており、抵抗発熱体の抵
抗値（抵抗率）を測定することができるようになってい
る。そこで、抵抗発熱体を１００分割して、各区画毎に
テスタのプローブピンを当てて抵抗値（抵抗率）を測定
し、これをコンピュータの記憶部に格納した。

【０１３９】さらに、ＦＤから所望の抵抗値とパターン
データおよびトリミングデータを入力し、演算部にて、
所定の抵抗値にするためのトリミング制御データを演算
した。この制御データにより、発熱体パターンの所定箇
所にレーザ光を照射し、その部分の導体層の表面または
側面の一部を除去し、設計通りのパターンの抵抗発熱体
１２を得た。得られた抵抗発熱体の幅は、２．４ｍｍで
あった。

【０１４０】(5) 硫酸ニッケル８０ｇ／ｌ、次亜リン酸
ナトリウム２４ｇ／ｌ、酢酸ナトリウム１２ｇ／ｌ、ほ
う酸８ｇ／ｌ、塩化アンモニウム６ｇ／ｌの濃度の水溶
液からなる無電解ニッケルめっき浴に上記(4) で作製し
たセラミック基板１１を浸漬し、銀−鉛の抵抗発熱体１
２の表面に厚さ２μｍの金属被覆層（ニッケル層）１２
０を析出させた。

【０１４１】(6) 電源との接続を確保するための外部端
子１３を取り付ける部分に、スクリーン印刷により、銀
−鉛半田ペースト（田中貴金属社製）を印刷して半田層
を形成した。次いで、半田層の上にコバール製の外部端
子１３を載置して、４２０℃で加熱リフローし、外部端
子１３を抵抗発熱体１２の表面に取り付けた。

【０１４２】(7) 温度制御のための熱電対をポリイミド
で封止し、セラミックヒータ１０を得た。

【０１４３】上記工程を経て得られたセラミックヒータ
に通電したところ、抵抗発熱体に短絡は発生せず、設定
通りにセラミック基板の温度を上昇させることができ、
昇温後のセラミック基板の加熱面の温度も均一であっ
た。

【０１４４】（実施例３）セラミックヒータの製造（レ
ーザ光照射による導体層の厚みの調整） 実施例２とほぼ同様であるが、セラミック基板表面に形
成する導体ペーストのパターンを発熱体パターンとし、
焼成によりセラミック基板上に所定パターンの抵抗発熱
体を形成した。抵抗発熱体の幅は、２．４ｍｍであり、
厚さの平均値は、７μｍであった。次に、抵抗発熱体の
抵抗値（抵抗率）を実測して、抵抗値が低い部分を５μ
ｍ、抵抗値が高い場所は、その厚さが６μｍとなるよう
にレーザ光によるトリミングで調整した。

【０１４５】上記工程を経て得られたセラミックヒータ
に通電したところ、抵抗発熱体に短絡は発生せず、設定
通りにセラミック基板の温度を上昇させることができ、
昇温後のセラミック基板の加熱面の温度も均一であっ
た。

【０１４６】（実施例４）セラミックヒータの製造（研
磨による一部導体層の除去） (1) 実施例１と同様にして、セラミック基板１１を製造
した後、このセラミック基板にドリル加工を施し、シリ
コンウエハのリフターピン１６を挿入する貫通孔１５、
熱電対を埋め込むための有底孔１４（直径：１．１ｍ
ｍ、深さ：２ｍｍ）を形成した。

【０１４７】(2) 次に、セラミック基板に、スクリーン
印刷にて導体ペーストを印刷した。印刷パターンは、形
成しようとする抵抗発熱体の各回路を含むように塗布さ
れた所定幅を有する同心円形状のパターンであった。導
体ペーストは、実施例１と同様のものを用いた。

【０１４８】(3) このようにして、所定幅を有する導体
ペースト層を形成した後、セラミック基板１１を７８０
℃で加熱、焼成して、導体ペースト中の銀、鉛を焼結さ
せるとともにセラミック基板１１に焼き付け、所定幅の
同心円形状のパターンからなる導体層を形成した。銀−
鉛の抵抗発熱体は、厚さが５μｍ、面積抵抗率が７．７
Ω／□であった。

【０１４９】(4) 次に、導体層が形成された部分に開口
部が形成され、開口部の内部に発熱体パターンのマスク
部が形成されマスクをセラミック基板上に載置し、しっ
かり固定した後、平均粒子径３μｍのＳｉＣ粒子を用い
たサンドブラストでステンレス製マスクを介して研磨処
理を行い、発熱体パターン部分以外の導体層を除去し
た。マスクは、ステンレス製で、その厚さは、０．５ｍ
ｍであった。この研磨工程により、設計通りのパターン
の抵抗発熱体を得た。抵抗発熱体の幅は、２．４ｍｍで
あった。なお、この場合、図７に示したような形状のマ
スクを用いたため、２度研磨を行う必要はなかった。

【０１５０】(5) 次に、硫酸ニッケル８０ｇ／ｌ、次亜
リン酸ナトリウム２４ｇ／ｌ、酢酸ナトリウム１２ｇ／
ｌ、ほう酸８ｇ／ｌ、塩化アンモニウム６ｇ／ｌの濃度
の水溶液からなる無電解ニッケルめっき浴に上記(4) の
工程を経たセラミック基板１１を浸漬し、銀−鉛の抵抗
発熱体の表面に厚さ１μｍの金属被覆層（ニッケル層）
を析出させた。

【０１５１】(6) 電源との接続を確保するための外部端
子１３を取り付ける部分に、スクリーン印刷により、銀
−鉛半田ペースト（田中貴金属社製）を印刷して半田層
を形成した。次いで、半田層の上にコバール製の外部端
子１３を載置して、４２０℃で加熱リフローし、外部端
子１３を抵抗発熱体１２の表面に取り付けた。

【０１５２】(7) 温度制御のための熱電対をポリイミド
で封止し、セラミックヒータ１０を得た。

【０１５３】上記工程を経て得られたセラミックヒータ
に通電したところ、抵抗発熱体に短絡は発生せず、設定
通りにセラミック基板の温度を上昇させることができ、
昇温後のセラミック基板の加熱面の温度も均一であっ
た。

【０１５４】（実施例５）セラミックヒータの製造（研
磨による導体層の厚みの調整） (1) 〜(4) の工程で、その厚さが６μｍとなるように、
所定パターンの抵抗発熱体をセラミック基板上に形成
し、この後、抵抗発熱体形成部分にベルトサンダー６０
により研磨し、その厚みを５μｍに調整したほかは、実
施例４と同様にして、セラミックヒータを製造した。研
磨時のラッピングテープの幅：５００ｍｍ、砥粒：＃４
０００、研磨荷重：１８ｋｇ、セラミックヒータの移動
速度：３００ｍｍ／分、テープの移動速度：６００ｍｍ
／分、コンタクトローラゴムの硬度：６０度の条件で研
磨処理を行った。得られた、発熱体パターンの厚さを面
粗さ計で測定したチャートを図１５（ａ）（ｂ）に記載
する。（ｂ）が研磨前で、（ａ）が研磨後である。厚み
が均一（厚さのばらつきが１０％以下に調整されてい
る）になっていることが分かる。

【０１５５】上記工程を経て得られたセラミックヒータ
に通電したところ、抵抗発熱体に短絡は発生せず、設定
通りにセラミック基板の温度を上昇させることができ、
昇温後のセラミック基板の加熱面の温度も均一であっ
た。

【０１５６】（比較例１）実施例３と同様に抵抗発熱体
を有するセラミック基板を製造したが、レーザ光による
トリミングを行わなかった。

【０１５７】具体的には、３００℃まで昇温してサーモ
ビュア（日本電子データム社製 ＩＲ−１６２０１２−
００１２）により測定し、最低温度と最高温度の差ΔＴ
をもとめた。実施例１では、３℃、実施例２では２℃、
実施例３では２℃、実施例４では３℃、実施例５では３
℃、比較例１では６℃であった。

【０１５８】このように上記実施例で得られたセラミッ
クヒータは、精密なパターンが形成され、その厚みも調
整することができるため、ヒータ設計の自由度が増し、
より精密な特性を有するセラミックヒータを製造するこ
とができる。また、加熱面の温度の均一性にも優れてい
る。

【０１５９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
加熱面の温度均一性に優れたセラミックヒータが得ら
れ、ヒータ設計の自由度が上がる。また、抵抗発熱体の
印刷精度を考慮する必要もないため、生産性にも優れ
る。さらに製品の抵抗値を修正することができるため、
不良品の発生を低減させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のセラミックヒータの製造システムの概
要を示すブロック図である。

【図２】（ａ）〜（ｂ）は、レーザ光を用いた抵抗発熱
体の厚みの調整方法を模式的に示す断面図である。

【図３】本発明のセラミックヒータの製造方法により製
造されたセラミックヒータの一例を模式的に示す平面図
である。

【図４】図３に示したセラミックヒータの一部を模式的
に示す部分拡大断面図である。

【図５】（ａ）〜（ｄ）は、セラミックヒータの製造工
程の一部を模式的に示す断面図である。

【図６】本発明のセラミックヒータの製造方法において
用いるマスクを模式的に示す平面図である。

【図７】本発明のセラミックヒータの製造方法において
用いる別のマスクを模式的に示す平面図である。

【図８】抵抗発熱体の側面を含む部分にトリミングを施
した際の形態を模式的に示す斜視図である。

【図９】抵抗発熱体の側面を含む部分にトリミングを施
した際の形態を模式的に示す斜視図である。

【図１０】抵抗発熱体の側面を含む部分にトリミングを
施した際の形態を模式的に示す斜視図である。

【図１１】抵抗発熱体の表面にトリミングを施した際の
形態を模式的に示す斜視図である。

【図１２】Ａ〜Ｃは、梯子状の抵抗発熱体と該抵抗発熱
体にトリミングを施した際の形態を模式的に示す平面図
である。

【図１３】抵抗発熱体を複数の区画に分割した様子を示
す斜視図である。

【図１４】抵抗発熱体にベルトサンダー研磨を施す様子
を模式的に示す断面図である。

【図１５】（ａ）は、研磨後の抵抗発熱体の厚さを示す
チャートであり、（ｂ）は、研磨前の抵抗発熱体の厚さ
を示すチャートである。

【符号の説明】

１１ セラミック基板 １１ａ 加熱面 １１ｂ 底面 １２（１２ａ〜12ｄ）、２２ａ、２２ｂ、２２ｃ 抵抗
発熱体 １２ｍ 導体層 １３ テーブル １４ レーザ照射装置 １５ ガルバノミラー １６ モータ １７ 制御部 １８ 記憶部 １９ 演算部 ２０ 入力部 ２１ カメラ ２２ レーザ光 ２３ 抵抗測定部 ２４ テスターピン ３３ 外部端子 ３４ 有底孔 ３５ 貫通孔 ３６ リフターピン ３９ シリコンウエハ ４０、５０ マスク ４１、５１ 開口部 ４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、５２ａ、５２ｂ、５２ｃ マ
スク部 ６０ ベルトサンダー １２０ 溝 ４２０ 連結部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 苅谷 悟 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１ イビデ ン株式会社内 Ｆターム(参考） 3K092 PP20 QA05 QB02 QB17 QB18 QB20 QB31 QB40 QB43 QB75 QB76 QB78 RF03 RF11 RF17 RF22 VV18

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 セラミック基板上に抵抗発熱体が形成さ
   れたセラミックヒータであって、前記抵抗発熱体にトリ
   ミングが施されてなることを特徴とするセラミックヒー
   タ。
2. 【請求項２】 前記トリミングは、抵抗発熱体の側面を
   含む部分に形成されている請求項１に記載のセラミック
   ヒータ。
3. 【請求項３】 前記トリミングは、抵抗発熱体の表面に
   形成されている請求項１に記載のセラミックヒータ。
4. 【請求項４】 セラミック基板上に抵抗発熱体が形成さ
   れたセラミックヒータであって、前記抵抗発熱体は、並
   列回路の少なくとも一部にトリミングが施されて形成さ
   れてなることを特徴とするセラミックヒータ。
5. 【請求項５】 セラミック基板上に抵抗発熱体が形成さ
   れたセラミックヒータであって、前記抵抗発熱体は、互
   いに並行に形成されてなり、並行に形成された前記抵抗
   発熱体間に、両者を電気的に接続する接続用抵抗発熱体
   が形成されるとともに、上記接続用抵抗発熱体および並
   行に形成された前記抵抗発熱体の少なくとも一部にトリ
   ミングが施されてなることを特徴とするセラミックヒー
   タ。
6. 【請求項６】 セラミック基板上に抵抗発熱体が形成さ
   れたセラミックヒータであって、前記抵抗発熱体の所定
   区域の厚さが、その他の部分の厚さと異なることを特徴
   とするセラミックヒータ。
7. 【請求項７】 セラミック基板表面の所定領域に導体層
   を形成した後、前記導体層の一部をトリミングすること
   により、所定パターンの抵抗発熱体を形成することを特
   徴とするセラミックヒータの製造方法。
8. 【請求項８】 セラミック基板表面の所定領域に導体層
   を形成した後、前記導体層にレーザ光を照射してその一
   部をトリミングすることにより、所定パターンの抵抗発
   熱体を形成する請求項７記載のセラミックヒータの製造
   方法。
9. 【請求項９】 セラミック基板表面の所定領域に導体ペ
   ースト層を形成し、加熱、焼成を行って導体層とした
   後、レーザ光を照射して前記導体層の一部をトリミング
   し、所定パターンの抵抗発熱体を形成することを特徴と
   するセラミックヒータの製造方法。
10. 【請求項１０】 セラミック基板表面に発熱体パターン
    の導体ペースト層を形成した後、または、発熱体パター
    ンの導体層を形成した後、前記導体ペースト層または前
    記導体層にレーザ光を照射して、抵抗発熱体の厚みを調
    整することを特徴とするセラミックヒータの製造方法。
11. 【請求項１１】 セラミック基板表面の導体層をトリミ
    ングして抵抗発熱体パターンを形成することによりセラ
    ミックヒータを製造する際に用いられる製造システムで
    あって、セラミック基板を載置するテーブル、導体層を
    撮像するカメラ、データを記憶する記憶部、レーザ光を
    偏向するガルバノミラー、データを入力する入力部、デ
    ータを演算する演算部、ならびに、テーブルおよび／ま
    たはガルバノミラーを制御する制御部からなり、抵抗発
    熱体パターンおよび／またはトリミングのデータを入力
    部から入力して、これを記憶部に格納し、カメラにより
    導体層の位置を読み取り、この位置データおよびパター
    ンおよび／またはトリミングのデータから演算部にてト
    リミングのためのテーブルおよび／またはガルバノミラ
    ーを制御する制御データを演算して、記憶部に格納し、
    さらに、この制御データを記憶部から制御部に送信して
    レーザを導体層に照射し、トリミングを行うように構成
    されていることを特徴とするセラミックヒータの製造シ
    ステム。
12. 【請求項１２】 セラミック基板表面の導体層をトリミ
    ングして抵抗発熱体パターンを形成することによりセラ
    ミックヒータを製造する際に用いられる製造システムで
    あって、セラミック基板を載置するテーブル、導体層を
    撮像するカメラ、データを記憶する記憶部、レーザ光を
    偏向するガルバノミラー、データを入力する入力部、デ
    ータを演算する演算部、テーブルおよび／またはガルバ
    ノミラーを制御する制御部、ならびに、抵抗測定部から
    なり、抵抗発熱体パターン、トリミングおよび所望の抵
    抗値から選ばれるいずれか少なくとも１種のデータを入
    力部から入力して、これを記憶部に格納し、また、導体
    層の抵抗値を測定して、抵抗値データを記憶部に格納
    し、カメラにより導体層の位置を読み取り、この位置デ
    ータ、抵抗値データとともに、抵抗発熱体パターン、ト
    リミングおよび所望の抵抗値から選ばれるいずれか少な
    くとも１種のデータをもって演算部にてトリミングのた
    めのテーブルおよび／またはガルバノミラーを制御する
    制御データを演算して記憶部に格納し、さらに、この制
    御データを記憶部から制御部に送信して、レーザを導体
    層に照射し、トリミングを行うように構成されているこ
    とを特徴とするセラミックヒータの製造システム。
13. 【請求項１３】 セラミック基板表面の所定領域に導体
    層を形成した後、研磨処理を施すことにより、導体層を
    トリミングして発熱体パターンを形成することを特徴と
    するセラミックヒータの製造方法。
14. 【請求項１４】 前記導体層が形成されたセラミック基
    板の表面に導体層を覆うように形成されたマスクを載置
    する請求項１３に記載のセラミックヒータの製造方法。
15. 【請求項１５】 セラミック基板表面に所定パターンの
    抵抗発熱体を形成した後、研磨処理を施すことにより、
    抵抗発熱体の厚みを調整することを特徴とする請求項１
    ３に記載のセラミックヒータの製造方法。