JP2003217485A - カーボン系物質で形成されたエミッタを有する電界放出表示装置 - Google Patents
カーボン系物質で形成されたエミッタを有する電界放出表示装置Info
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- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ゲート電極の駆動に必要な電圧を上昇させず
に、十分な電界放出を起こしながら良質のイメージを具
現する事ができる電界放出表示装置を提供する。 【解決手段】 第１基板２と、第１基板２上に第１方向
に形成されるゲート電極６と、ゲート電極６を覆いなが
ら第１基板２上に形成される絶縁層８と、絶縁層８上に
第２方向に形成されるカソード電極１０と、カソード電
極１０上に形成されるエミッタ１２と、絶縁層８上にエ
ミッタから間隔をおいて形成されながらゲート電極６と
連結されるカウンタ電極１４と、第１基板２と任意の間
隔をおいて配置されながら、第１基板２と真空容器を形
成する第２基板４及び第２基板４上にカソード電極１０
及びカウンタ電極１４と面するように形成されるアノー
ド電極１６を含む。
に、十分な電界放出を起こしながら良質のイメージを具
現する事ができる電界放出表示装置を提供する。 【解決手段】 第１基板２と、第１基板２上に第１方向
に形成されるゲート電極６と、ゲート電極６を覆いなが
ら第１基板２上に形成される絶縁層８と、絶縁層８上に
第２方向に形成されるカソード電極１０と、カソード電
極１０上に形成されるエミッタ１２と、絶縁層８上にエ
ミッタから間隔をおいて形成されながらゲート電極６と
連結されるカウンタ電極１４と、第１基板２と任意の間
隔をおいて配置されながら、第１基板２と真空容器を形
成する第２基板４及び第２基板４上にカソード電極１０
及びカウンタ電極１４と面するように形成されるアノー
ド電極１６を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電界放出表示装置に
関し、より詳しくは、炭素系物質からなるエミッタを有
する電界放出表示装置に関する。
関し、より詳しくは、炭素系物質からなるエミッタを有
する電界放出表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】冷陰極を電子放出源として使用してイメ
ージを形成する装置である電界放出表示装置（FED、Fie
ld Emission Display）は、電子放出層であるエミッタ
の特性によって装置全体の品質が大きく左右される。
ージを形成する装置である電界放出表示装置（FED、Fie
ld Emission Display）は、電子放出層であるエミッタ
の特性によって装置全体の品質が大きく左右される。
【０００３】初期の電界放出表示装置において、前記エ
ミッタは主にモリブデン（Mo）を主材質とする、いわゆ
る、スピント（Spindt）タイプの円錐形金属チップで形
成されてきたが、これに関する従来技術としては、米国
特許第３，７８９，４７１号に開示された電界放出カソ
ードを有する表示装置がある。
ミッタは主にモリブデン（Mo）を主材質とする、いわゆ
る、スピント（Spindt）タイプの円錐形金属チップで形
成されてきたが、これに関する従来技術としては、米国
特許第３，７８９，４７１号に開示された電界放出カソ
ードを有する表示装置がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記金属チッ
プ形状のエミッタを有する電界放出表示装置を製造する
時には、公知のように半導体製造工程、−エミッタが
配置されるホールを形成するためのフォトリソグラフィ
及びエッチング工程、金属チップを形成するためのモ
リブデンの蒸着工程など−を使用するため、製造工程が
複雑で高難度の技術を必要とするだけでなく、高価の装
備を使用しなければならないために製品製造単価の上昇
によって大量生産が難しいという問題点がある。
プ形状のエミッタを有する電界放出表示装置を製造する
時には、公知のように半導体製造工程、−エミッタが
配置されるホールを形成するためのフォトリソグラフィ
及びエッチング工程、金属チップを形成するためのモ
リブデンの蒸着工程など−を使用するため、製造工程が
複雑で高難度の技術を必要とするだけでなく、高価の装
備を使用しなければならないために製品製造単価の上昇
によって大量生産が難しいという問題点がある。
【０００５】これにより電界放出表示装置の関連業界で
は、低電圧（大略、１０〜５０Ｖ）の駆動条件でも電子
放出ができ、製造工程上にも便宜を図ることができるよ
うにするために、前記エミッタを平坦な形状に形成する
技術を研究開発している。
は、低電圧（大略、１０〜５０Ｖ）の駆動条件でも電子
放出ができ、製造工程上にも便宜を図ることができるよ
うにするために、前記エミッタを平坦な形状に形成する
技術を研究開発している。
【０００６】いままでの技術動向によれば、前記平板な
形状のエミッタとしては、炭素系物質、たとえば、グラ
ファイト、ダイアモンド、ＤＬＣ（diamond like carbo
n）、Ｃ６０（Fllerene、フラーレン）または炭素ナノ
チューブ（CNT、Carbon nanotube）などが適していると
知られており、このうち特に炭素ナノチューブが比較的
低い駆動電圧（大略、１０〜５０Ｖ）でも電子放出を円
滑に行うことができるので電界放出表示装置のエミッタ
として最も理想的な物質として期待されている。
形状のエミッタとしては、炭素系物質、たとえば、グラ
ファイト、ダイアモンド、ＤＬＣ（diamond like carbo
n）、Ｃ６０（Fllerene、フラーレン）または炭素ナノ
チューブ（CNT、Carbon nanotube）などが適していると
知られており、このうち特に炭素ナノチューブが比較的
低い駆動電圧（大略、１０〜５０Ｖ）でも電子放出を円
滑に行うことができるので電界放出表示装置のエミッタ
として最も理想的な物質として期待されている。
【０００７】このような炭素ナノチューブを利用した電
界放出表示装置と関する従来技術としては、米国特許第
６，０６２，９３１号、第６，０９７，１３８号に開示
された冷陰極電界放出表示装置がある。
界放出表示装置と関する従来技術としては、米国特許第
６，０６２，９３１号、第６，０９７，１３８号に開示
された冷陰極電界放出表示装置がある。
【０００８】一方、前記電界放出表示装置がカソード、
アノード及びゲート電極を有する３極管の構造を有する
時、この電界放出表示装置は、多くの場合、前記エミッ
タが配置される基板上に先にカソード電極を形成し、こ
の上に前記エミッタを配置した後、このエミッタ上方に
前記ゲート電極を配置した構造を有する。言い換える
と、従来の電界放出表示装置はカソード電極とアノード
電極との間にゲート電極を配置して前記エミッタから電
子を放出してこれを蛍光体に誘導する構造を有する。
アノード及びゲート電極を有する３極管の構造を有する
時、この電界放出表示装置は、多くの場合、前記エミッ
タが配置される基板上に先にカソード電極を形成し、こ
の上に前記エミッタを配置した後、このエミッタ上方に
前記ゲート電極を配置した構造を有する。言い換える
と、従来の電界放出表示装置はカソード電極とアノード
電極との間にゲート電極を配置して前記エミッタから電
子を放出してこれを蛍光体に誘導する構造を有する。
【０００９】しかし、電界放出表示装置がその特性を高
めるために、前記３極管の構造を取りながらも、前記炭
素系物質、特に、炭素ナノチューブを用いて前記エミッ
タを形成する時には、前記ゲート電極及びこのゲート電
極の下方に配置された絶縁層上部領域に形成されたホー
ルの中に前記エミッタを良好に形成することが難しいと
いう問題点がある。
めるために、前記３極管の構造を取りながらも、前記炭
素系物質、特に、炭素ナノチューブを用いて前記エミッ
タを形成する時には、前記ゲート電極及びこのゲート電
極の下方に配置された絶縁層上部領域に形成されたホー
ルの中に前記エミッタを良好に形成することが難しいと
いう問題点がある。
【００１０】このような問題点の原因は、ペーストを利
用した印刷法で前記エミッタを形成する時、微細な大き
さを有するホールの中にペーストを配置させるのが容易
ではないためである。
用した印刷法で前記エミッタを形成する時、微細な大き
さを有するホールの中にペーストを配置させるのが容易
ではないためである。
【００１１】最近は電界放出表示装置に用いる電極の配
置を別なものにして前記問題点を解決しようとする努力
がなされている。これに関する提案として、米国特許公
開ＵＳ２００１/０００６２３２ Ａ１には、ゲート電極
をエミッタが形成される基板とカソード電極との間に配
置して形成する電界放出表示装置が開示されている。
置を別なものにして前記問題点を解決しようとする努力
がなされている。これに関する提案として、米国特許公
開ＵＳ２００１/０００６２３２ Ａ１には、ゲート電極
をエミッタが形成される基板とカソード電極との間に配
置して形成する電界放出表示装置が開示されている。
【００１２】この技術では、ゲート電極の位置変更によ
りエミッタを基板の最上位置に配置させることによっ
て、炭素系物質で大量生産に効果がある印刷法でエミッ
タを容易に形成するようにしている。
りエミッタを基板の最上位置に配置させることによっ
て、炭素系物質で大量生産に効果がある印刷法でエミッ
タを容易に形成するようにしている。
【００１３】しかし、どうしてもゲート電極がエミッタ
の下に位置した状態で絶縁層によって覆われて非露出さ
れた状態を維持するので、カソード電極とゲート電極と
の間に、エミッタから電子を放出させるための電気場を
十分に形成するためには、高い電圧の印加を受けるかま
たは基板上に所定の間隔をおいて配置されるカソード電
極間の間隔を広くしなければならない。
の下に位置した状態で絶縁層によって覆われて非露出さ
れた状態を維持するので、カソード電極とゲート電極と
の間に、エミッタから電子を放出させるための電気場を
十分に形成するためには、高い電圧の印加を受けるかま
たは基板上に所定の間隔をおいて配置されるカソード電
極間の間隔を広くしなければならない。
【００１４】したがって、前記技術による電界放出表示
装置を使用する時には、ゲート電極に対する駆動電圧が
上昇する負担があったり、またはカソード電極間の間隔
を広くする時、装置の駆動が不可能になる負担がある。
装置を使用する時には、ゲート電極に対する駆動電圧が
上昇する負担があったり、またはカソード電極間の間隔
を広くする時、装置の駆動が不可能になる負担がある。
【００１５】ここで、前記装置駆動が不可能とは、カソ
ード電極間の間隔が広くなれば、エミッタから放出され
た電子と、この電子が該当蛍光体にぶつかって発生する
電子が絶縁層の表面に積まれ、充電（positively charg
ing）される確率が高まるが、このように絶縁層の表面
に蓄積された電子は、前記装置で一つの画素に対する電
界放出を起こす時、決められた必要量より多くの電界放
出が起こるようにし、不必要な電子を発生させることに
よって、望まない蛍光体の異常発光が発生することを言
う。
ード電極間の間隔が広くなれば、エミッタから放出され
た電子と、この電子が該当蛍光体にぶつかって発生する
電子が絶縁層の表面に積まれ、充電（positively charg
ing）される確率が高まるが、このように絶縁層の表面
に蓄積された電子は、前記装置で一つの画素に対する電
界放出を起こす時、決められた必要量より多くの電界放
出が起こるようにし、不必要な電子を発生させることに
よって、望まない蛍光体の異常発光が発生することを言
う。
【００１６】したがって、本発明は前記のような問題点
を勘案して案出されたものであって、本発明の目的は、
ゲート電極の駆動に必要な電圧を上昇させずに、十分な
電界放出を起こし、良質のイメージを表示できる電界放
出表示装置を提供することにある。
を勘案して案出されたものであって、本発明の目的は、
ゲート電極の駆動に必要な電圧を上昇させずに、十分な
電界放出を起こし、良質のイメージを表示できる電界放
出表示装置を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を実
現するために、第１基板と、前記第１基板上に第１方向
に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極を覆いなが
ら前記第１基板上に形成される絶縁層と、前記絶縁層上
に第２方向に形成されるカソード電極と、前記カソード
電極上に形成されるエミッタと、前記絶縁層上に前記エ
ミッタから間隔をおいて形成されながら前記ゲート電極
と連結されるカウンタ電極と、前記第１基板と任意の間
隔をおいて配置されながら、この第１基板と協働して真
空容器を形成する第２基板及び前記第２基板上に前記カ
ソード電極及び前記カウンタ電極と対面するように形成
されるアノード電極を含む電界放出表示装置を提供す
る。
現するために、第１基板と、前記第１基板上に第１方向
に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極を覆いなが
ら前記第１基板上に形成される絶縁層と、前記絶縁層上
に第２方向に形成されるカソード電極と、前記カソード
電極上に形成されるエミッタと、前記絶縁層上に前記エ
ミッタから間隔をおいて形成されながら前記ゲート電極
と連結されるカウンタ電極と、前記第１基板と任意の間
隔をおいて配置されながら、この第１基板と協働して真
空容器を形成する第２基板及び前記第２基板上に前記カ
ソード電極及び前記カウンタ電極と対面するように形成
されるアノード電極を含む電界放出表示装置を提供す
る。
【００１８】前記でカウンタ電極とゲート電極との電気
的な連結は、前記絶縁層に形成される貫通ホール内に前
記カウンタ電極を形成する物質または導電性がある物質
が配置され、これらが前記カウンタ電極とゲート電極を
連結することによって形成される。
的な連結は、前記絶縁層に形成される貫通ホール内に前
記カウンタ電極を形成する物質または導電性がある物質
が配置され、これらが前記カウンタ電極とゲート電極を
連結することによって形成される。
【００１９】また、前記で前記カウンタ電極は前記エミ
ッタとの間に最適の電子放出を行うための電界を形成す
るために、前記カソード電極との間の間隔を適正に維持
するのが好ましい。
ッタとの間に最適の電子放出を行うための電界を形成す
るために、前記カソード電極との間の間隔を適正に維持
するのが好ましい。
【００２０】さらに、前記でカウンタ電極は前記エミッ
タとの間に最適の電子放出を行うための電界を形成する
ために、前記カソード電極より高く前記絶縁層上に形成
されるのが好ましい。
タとの間に最適の電子放出を行うための電界を形成する
ために、前記カソード電極より高く前記絶縁層上に形成
されるのが好ましい。
【００２１】さらに、前記でカウンタ電極とエミッタと
は最適の電子放出を行うための電界を形成するために、
その対向する各々の面を凹凸や曲面形状のように平らで
ない形状に形成されるのが好ましい。
は最適の電子放出を行うための電界を形成するために、
その対向する各々の面を凹凸や曲面形状のように平らで
ない形状に形成されるのが好ましい。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を明確にするための
好ましい実施例を添付した図面を参考にしてより詳細に
説明する。
好ましい実施例を添付した図面を参考にしてより詳細に
説明する。
【００２３】図１は本発明の第１実施例による電界放出
表示装置を示した部分斜視図であり、図２は本発明の第
１実施例による電界放出表示装置の結合断面図であっ
て、図１の矢印Ａ方向から見て示した図面である。な
お、各部品の平面的形状および配置は、仮想表示面に投
影された状態を記す。
表示装置を示した部分斜視図であり、図２は本発明の第
１実施例による電界放出表示装置の結合断面図であっ
て、図１の矢印Ａ方向から見て示した図面である。な
お、各部品の平面的形状および配置は、仮想表示面に投
影された状態を記す。
【００２４】図示されているように、電界放出表示装置
は任意の大きさを有する第１基板（または背面基板、以
下、便宜上背面基板と称する）２と第２基板（または前
面基板、以下、便宜上前面基板と称する）４とを内部空
間部が形成されるように所定の間隔をおいて実質的に平
行に配置して装置の外観である真空容器を形成してい
る。
は任意の大きさを有する第１基板（または背面基板、以
下、便宜上背面基板と称する）２と第２基板（または前
面基板、以下、便宜上前面基板と称する）４とを内部空
間部が形成されるように所定の間隔をおいて実質的に平
行に配置して装置の外観である真空容器を形成してい
る。
【００２５】前記で背面基板２上には電界放出を行うこ
とができる構成が、前面基板４上には電界放出によって
放出された電子により所定のイメージを表示できる構成
が形成されるが、これをより具体的に説明すれば、次の
通りである。
とができる構成が、前面基板４上には電界放出によって
放出された電子により所定のイメージを表示できる構成
が形成されるが、これをより具体的に説明すれば、次の
通りである。
【００２６】まず、背面基板２上には所定のパターン、
たとえば、ストライプ形状の複数の細長いゲート電極６
が任意の間隔をおいて背面基板２の一方向（Ｘ）に沿っ
て長く形成される。また、ゲート電極６上にはこのゲー
ト電極６を覆いながら背面基板２上に全面を覆うように
配置される絶縁層８が形成されるが、この絶縁層８はガ
ラス質、ＳｉＯ２、ポリイミド、ナイトライド、または
これらの組み合わせ、またはこれらの積層構造からなる
のが好ましい。
たとえば、ストライプ形状の複数の細長いゲート電極６
が任意の間隔をおいて背面基板２の一方向（Ｘ）に沿っ
て長く形成される。また、ゲート電極６上にはこのゲー
ト電極６を覆いながら背面基板２上に全面を覆うように
配置される絶縁層８が形成されるが、この絶縁層８はガ
ラス質、ＳｉＯ２、ポリイミド、ナイトライド、または
これらの組み合わせ、またはこれらの積層構造からなる
のが好ましい。
【００２７】また、絶縁層８上には複数の細長いカソー
ド電極１０が所定のパターン、たとえば、ストライプ形
状をし任意の間隔をおいてゲート電極６と直交する方向
（Ｙ）に沿って長く形成される。
ド電極１０が所定のパターン、たとえば、ストライプ形
状をし任意の間隔をおいてゲート電極６と直交する方向
（Ｙ）に沿って長く形成される。
【００２８】さらに、背面基板２上に設定される画素領
域部位には電界放出によって実質的に電子を放出するよ
うに、カソード電極１０に沿って細長いエミッタ１２が
形成配列される。本実施例にあっては、エミッタ１２は
カソード電極１０の長さ方向に沿って、このカソード電
極１０の端部及び絶縁層８を覆うように形成されてい
る。もちろん、ここでエミッタ１２の配置形状は一つの
例にすぎ、たとえば、カソード電極１０の上にこのカソ
ード電極１０の長さ方向に沿って中心部だけ、またはカ
ソード電極１０の一側端部だけ、またはカソード電極１
０の両端部だけなど、多様な形態をすることが可能であ
る。
域部位には電界放出によって実質的に電子を放出するよ
うに、カソード電極１０に沿って細長いエミッタ１２が
形成配列される。本実施例にあっては、エミッタ１２は
カソード電極１０の長さ方向に沿って、このカソード電
極１０の端部及び絶縁層８を覆うように形成されてい
る。もちろん、ここでエミッタ１２の配置形状は一つの
例にすぎ、たとえば、カソード電極１０の上にこのカソ
ード電極１０の長さ方向に沿って中心部だけ、またはカ
ソード電極１０の一側端部だけ、またはカソード電極１
０の両端部だけなど、多様な形態をすることが可能であ
る。
【００２９】このようなエミッタ１２は本発明におい
て、炭素系物質、例えば、炭素ナノチューブ、Ｃ
６０（Fllerene、フラーレン）、ダイアモンド、ＤＬ
Ｃ、グラファイトまたはこれらの組み合わせなどを主材
料として構成され、その形成法としてはスクリーンプリ
ンティング法、化学気相蒸着法（CVD）またはスパッタ
リング法などを用いることができ、本実施例では材質と
しては炭素ナノチューブを、形成法としてスクリーンプ
リンティング法を使用している。
て、炭素系物質、例えば、炭素ナノチューブ、Ｃ
６０（Fllerene、フラーレン）、ダイアモンド、ＤＬ
Ｃ、グラファイトまたはこれらの組み合わせなどを主材
料として構成され、その形成法としてはスクリーンプリ
ンティング法、化学気相蒸着法（CVD）またはスパッタ
リング法などを用いることができ、本実施例では材質と
しては炭素ナノチューブを、形成法としてスクリーンプ
リンティング法を使用している。
【００３０】また、本発明においては、各ゲート電極６
に印加される駆動電圧が少なくても各エミッタ１２から
絶縁層８より上方に、良好に電子を放出できるようにす
るためのカウンタ電極１４が複数個形成されている。
に印加される駆動電圧が少なくても各エミッタ１２から
絶縁層８より上方に、良好に電子を放出できるようにす
るためのカウンタ電極１４が複数個形成されている。
【００３１】カウンタ電極１４は、電界放出表示装置の
動作時、ゲート電極６に所定の駆動電圧が印加されてエ
ミッタ１２との間に電子放出のための電界を形成する
時、自身もエミッタ１２に向かって電子放出のための電
界を追加的に形成するようになる部材であって、これは
背面基板２上に設定される画素領域部位にそれぞれ配置
される。
動作時、ゲート電極６に所定の駆動電圧が印加されてエ
ミッタ１２との間に電子放出のための電界を形成する
時、自身もエミッタ１２に向かって電子放出のための電
界を追加的に形成するようになる部材であって、これは
背面基板２上に設定される画素領域部位にそれぞれ配置
される。
【００３２】本実施例でカウンタ電極１４は、大略四角
形状であり、各カソード電極１０の間に設定される画素
領域に配置される。ここで、カウンタ電極１４の形状は
前記四角形状以外に他のパターンでも形成可能である。
形状であり、各カソード電極１０の間に設定される画素
領域に配置される。ここで、カウンタ電極１４の形状は
前記四角形状以外に他のパターンでも形成可能である。
【００３３】一方、カウンタ電極１４はゲート電極６と
電気的に連結され、ゲート電極６の駆動によって連動さ
れる。このために本実施例では、絶縁層８上に形成され
た貫通ホール８ａを通じてゲート電極６とカウンタ電極
１４を電気的に連結させており、この時、貫通ホール８
ａ内には実質的な２個の電極６、１４の電気的連結のた
めに、カウンタ電極１４を形成する物質自体、または別
途の導電性のある物質などが配置される。また、貫通ホ
ール８ａはカウンタ電極１４に対応する形状を有し、実
質的にこれは絶縁層８の製造方法‐印刷法、フォトリソ
グラフィ法など‐によって形成される。
電気的に連結され、ゲート電極６の駆動によって連動さ
れる。このために本実施例では、絶縁層８上に形成され
た貫通ホール８ａを通じてゲート電極６とカウンタ電極
１４を電気的に連結させており、この時、貫通ホール８
ａ内には実質的な２個の電極６、１４の電気的連結のた
めに、カウンタ電極１４を形成する物質自体、または別
途の導電性のある物質などが配置される。また、貫通ホ
ール８ａはカウンタ電極１４に対応する形状を有し、実
質的にこれは絶縁層８の製造方法‐印刷法、フォトリソ
グラフィ法など‐によって形成される。
【００３４】このように構成される背面基板２上の構成
に比べて、前面基板４上には、ＩＴＯからなるアノード
電極１６とともに、図１のゲート電極６の長手方向
（X）に沿ってストライプパターンのＲ、Ｇ、Ｂ蛍光層
１８が任意の間隔をおいて形成される。
に比べて、前面基板４上には、ＩＴＯからなるアノード
電極１６とともに、図１のゲート電極６の長手方向
（X）に沿ってストライプパターンのＲ、Ｇ、Ｂ蛍光層
１８が任意の間隔をおいて形成される。
【００３５】背面基板２と基板４とは、エミッタ１２と
蛍光層１８が直交状態に対向するように任意の間隔をお
いて配置され、その周囲に塗布されるシーリング物質２
０によって付着されることにより一体をなす。この時、
２枚の基板２、４の間の非画素領域には前記両基板の間
の間隔を維持するためのスペーサ２２が多数配置され
る。
蛍光層１８が直交状態に対向するように任意の間隔をお
いて配置され、その周囲に塗布されるシーリング物質２
０によって付着されることにより一体をなす。この時、
２枚の基板２、４の間の非画素領域には前記両基板の間
の間隔を維持するためのスペーサ２２が多数配置され
る。
【００３６】以上のように構成される電界発光表示装置
は、その外部からアノード電極１６、カソード電極１０
及びゲート電極６に所定の電圧を印加すれば、ゲート電
極６とエミッタ１２端部との間に電界を形成しながら、
エミッタ１２から電子を放出し、この放出された電子を
前記蛍光層１８に誘導してこの蛍光層１８を打撃するよ
うにし、この時、発生する光で所定のイメージを実現す
る。
は、その外部からアノード電極１６、カソード電極１０
及びゲート電極６に所定の電圧を印加すれば、ゲート電
極６とエミッタ１２端部との間に電界を形成しながら、
エミッタ１２から電子を放出し、この放出された電子を
前記蛍光層１８に誘導してこの蛍光層１８を打撃するよ
うにし、この時、発生する光で所定のイメージを実現す
る。
【００３７】このような動作の時、ゲート電極６に印加
される電圧は、貫通ホール８ａを通じてカウンタ電極１
４にも印加され、これによってエミッタ１２とカウンタ
電極１４との間にも所定の強さを有する電界が形成され
る。この追加的な電界はエミッタ１２とゲート電極６と
の間に形成される電界に加えられて、エミッタ１２によ
り強い電界を形成することができるので、これにエミッ
タ１２からは更に多量の電子を放出することができるよ
うになる。図２の参照番号２４はエミッタ１２とカウン
タ電極１４との間に形成される追加的な電界を示してい
る。
される電圧は、貫通ホール８ａを通じてカウンタ電極１
４にも印加され、これによってエミッタ１２とカウンタ
電極１４との間にも所定の強さを有する電界が形成され
る。この追加的な電界はエミッタ１２とゲート電極６と
の間に形成される電界に加えられて、エミッタ１２によ
り強い電界を形成することができるので、これにエミッ
タ１２からは更に多量の電子を放出することができるよ
うになる。図２の参照番号２４はエミッタ１２とカウン
タ電極１４との間に形成される追加的な電界を示してい
る。
【００３８】つまり、電界放出表示装置においては、ゲ
ート電極６に従来のような仕様を有する電界放出表示装
置で該当ゲート電極に印加される電圧と同様な大きさの
電圧が印加されても、カウンタ電極１４によって、更に
多量の電子をエミッタ１２から放出させることができる
ようになり、これは言い換えると、ゲート電極６に印加
される電圧を従来値と比較して低くしても、ある基準値
ほどの電界放出を行うことができることを示す。
ート電極６に従来のような仕様を有する電界放出表示装
置で該当ゲート電極に印加される電圧と同様な大きさの
電圧が印加されても、カウンタ電極１４によって、更に
多量の電子をエミッタ１２から放出させることができる
ようになり、これは言い換えると、ゲート電極６に印加
される電圧を従来値と比較して低くしても、ある基準値
ほどの電界放出を行うことができることを示す。
【００３９】一方、カウンタ電極１４が絶縁層８上に配
置される時、図２に示すように、カソード電極１０との
関係、つまり、その間の間隔（d）を適正に維持して配
置されるのが好ましい。
置される時、図２に示すように、カソード電極１０との
関係、つまり、その間の間隔（d）を適正に維持して配
置されるのが好ましい。
【００４０】下表１は、本発明の発明者がカソード電極
１０とカウンタ電極１４との間の前記間隔（d）を変化
させながら、カソード電極１０上に形成される電界の強
さ（E）を計算した値であって、ゲート電極６に駆動電
圧が印加される場合（On）と、駆動電圧が印加されない
場合（Off）とに分けて計算した。
１０とカウンタ電極１４との間の前記間隔（d）を変化
させながら、カソード電極１０上に形成される電界の強
さ（E）を計算した値であって、ゲート電極６に駆動電
圧が印加される場合（On）と、駆動電圧が印加されない
場合（Off）とに分けて計算した。
【００４１】
【表１】
【００４２】表１の計算値は、アノード電極１６に印加
される電圧を１，０００Ｖ、カソード電極１０に印加さ
れる電圧を０Ｖ、ゲート電極６がオンである場合に印加
される電圧を１００Ｖ、ゲート電極６がオフである場合
に印加される電圧をOＶとして計算したものである。
される電圧を１，０００Ｖ、カソード電極１０に印加さ
れる電圧を０Ｖ、ゲート電極６がオンである場合に印加
される電圧を１００Ｖ、ゲート電極６がオフである場合
に印加される電圧をOＶとして計算したものである。
【００４３】また、図３は表１を基準にして、オンであ
る場合カソード電極１０上に形成される電界の強さと、
オフである場合カソード電極１０上に形成される電界の
強さとの比（On field to Off field ratio）と前記ｄ
との間の関係を示すグラフである。
る場合カソード電極１０上に形成される電界の強さと、
オフである場合カソード電極１０上に形成される電界の
強さとの比（On field to Off field ratio）と前記ｄ
との間の関係を示すグラフである。
【００４４】図３を見ると、前記ｄが減るほど、前記電
界の強さの比が順次に大きくなることが分かる。これ
は、即ち前記dが適正の位置を維持するようになると、
ゲート電極６に印加する電圧を下げてもエミッタ１２か
ら電子放出を行うことができる十分な電界を形成するこ
とができることを意味する。本発明において、前記ｄは
５０μmから１５０μmの間に維持されるのが好ましい。
界の強さの比が順次に大きくなることが分かる。これ
は、即ち前記dが適正の位置を維持するようになると、
ゲート電極６に印加する電圧を下げてもエミッタ１２か
ら電子放出を行うことができる十分な電界を形成するこ
とができることを意味する。本発明において、前記ｄは
５０μmから１５０μmの間に維持されるのが好ましい。
【００４５】一方、第１実施例でカウンタ電極１４の高
さは、カソード電極１０の高さと大略同一であるが、本
発明における前記カウンタ電極１４の高さが、必ず前記
の場合に限定されるわけではない。
さは、カソード電極１０の高さと大略同一であるが、本
発明における前記カウンタ電極１４の高さが、必ず前記
の場合に限定されるわけではない。
【００４６】次に第２実施例について述べる。図４は、
本発明の第２実施例による電界放出表示装置を示した部
分斜視図であって、この第２実施例ではカウンタ電極に
ついて主に説明する。
本発明の第２実施例による電界放出表示装置を示した部
分斜視図であって、この第２実施例ではカウンタ電極に
ついて主に説明する。
【００４７】この第２実施例による電界放出表示装置
は、先に述べた第１実施例の電界放出表示装置と基本的
に大部分同じ構造であるが、カウンタ電極だけは別にし
て構成している。便宜上この例の説明において、カウン
タ電極を除いた構成については第１実施例で使用した引
用符号をそのまま使用する。
は、先に述べた第１実施例の電界放出表示装置と基本的
に大部分同じ構造であるが、カウンタ電極だけは別にし
て構成している。便宜上この例の説明において、カウン
タ電極を除いた構成については第１実施例で使用した引
用符号をそのまま使用する。
【００４８】図示されているように、この第２実施例で
も前記カウンタ電極３０は、カソード電極１０の間に配
置されながら絶縁層８の貫通ホール８ａを通じてゲート
電極６と電気的に連結され、エミッタ１２との間に電子
放出のための電界を形成する。
も前記カウンタ電極３０は、カソード電極１０の間に配
置されながら絶縁層８の貫通ホール８ａを通じてゲート
電極６と電気的に連結され、エミッタ１２との間に電子
放出のための電界を形成する。
【００４９】この時、カウンタ電極３０は貫通ホール８
ａと大略類似した断面積を有し貫通ホール８ａ内外に配
置されながら、ゲート電極６と電気的に連結されること
はもちろん、絶縁層８上にカソード電極１０よりその上
端が高い所に位置できる高さを有して形成される。この
ようなカウンタ電極３０の形成方法としてはメッキ法が
好ましい。
ａと大略類似した断面積を有し貫通ホール８ａ内外に配
置されながら、ゲート電極６と電気的に連結されること
はもちろん、絶縁層８上にカソード電極１０よりその上
端が高い所に位置できる高さを有して形成される。この
ようなカウンタ電極３０の形成方法としてはメッキ法が
好ましい。
【００５０】このように、カウンタ電極３０がカソード
電極１０より高く形成されれば、電界放出表示装置にお
いては、カウンタ電極３０が、カソード電極１０はもち
ろん、このカソード電極１０上に形成されたエミッタ１
２より相対的に高い位置で電界を形成するようになるの
で、これにエミッタ１２から放出される電子の初期走査
方向及び速度などに影響を与えて上述した基本的な作用
以外に電子ビームに対する集束機能もやはり向上させる
ことができる。
電極１０より高く形成されれば、電界放出表示装置にお
いては、カウンタ電極３０が、カソード電極１０はもち
ろん、このカソード電極１０上に形成されたエミッタ１
２より相対的に高い位置で電界を形成するようになるの
で、これにエミッタ１２から放出される電子の初期走査
方向及び速度などに影響を与えて上述した基本的な作用
以外に電子ビームに対する集束機能もやはり向上させる
ことができる。
【００５１】次に、電界放出表示装置において、前記エ
ミッタとカウンタ電極の関係を前記実施例と別にした他
の実施例について検討してみる。つまり、上述した実施
例でエミッタとカウンタ電極の各々はその対向する面が
平らであるが、以下に説明する第３〜第５実施例ではこ
れと異なっている。
ミッタとカウンタ電極の関係を前記実施例と別にした他
の実施例について検討してみる。つまり、上述した実施
例でエミッタとカウンタ電極の各々はその対向する面が
平らであるが、以下に説明する第３〜第５実施例ではこ
れと異なっている。
【００５２】まず、図５に示した第３実施例の電界放出
表示装置は、カウンタ電極３２のエミッタ３４に対向す
る面を上述した例と同様に平らに形成し、エミッタ３４
のカウンタ電極３２に対向する面はのこぎり模様のよう
な凹凸で形成している。
表示装置は、カウンタ電極３２のエミッタ３４に対向す
る面を上述した例と同様に平らに形成し、エミッタ３４
のカウンタ電極３２に対向する面はのこぎり模様のよう
な凹凸で形成している。
【００５３】また、図６に示した第４実施例の電界放出
表示装置は、カウンタ電極３６のエミッタ３８に対向す
る面と、エミッタ３８のカウンタ電極３６に対向する面
が、どちらものこぎり模様のような凹凸で形成してい
る。
表示装置は、カウンタ電極３６のエミッタ３８に対向す
る面と、エミッタ３８のカウンタ電極３６に対向する面
が、どちらものこぎり模様のような凹凸で形成してい
る。
【００５４】このように前記対向電極及び/またはエミ
ッタの対向面が凹凸に形成される時には、カウンタ電極
とエミッタ電極の間隔が部分的にでも狭くなるので、こ
れに前記間隔が狭くなったエミッタの部位は前記カウン
タ電極によって形成される電界の影響をさらに受けるよ
うになり、カウンタ電極による効果はさらに上昇する。
ッタの対向面が凹凸に形成される時には、カウンタ電極
とエミッタ電極の間隔が部分的にでも狭くなるので、こ
れに前記間隔が狭くなったエミッタの部位は前記カウン
タ電極によって形成される電界の影響をさらに受けるよ
うになり、カウンタ電極による効果はさらに上昇する。
【００５５】また、図７に示した第５実施例の電界放出
表示装置では、カウンタ電極４０の対向面とエミッタ４
２の対向面を、どちらも局面に、更に、例えばカウンタ
電極４０のエミッタ４２に対向する面は膨らんだ形状
に、エミッタ４２のカウンタ電極４０に対向する面は、
カウンタ電極４０のエミッタ４２に対向する面に対応し
て凹んだ形状に形成している。
表示装置では、カウンタ電極４０の対向面とエミッタ４
２の対向面を、どちらも局面に、更に、例えばカウンタ
電極４０のエミッタ４２に対向する面は膨らんだ形状
に、エミッタ４２のカウンタ電極４０に対向する面は、
カウンタ電極４０のエミッタ４２に対向する面に対応し
て凹んだ形状に形成している。
【００５６】このような形状のカウンタ電極４０とエミ
ッタ４２は、エミッタ４２の端部から放出された電子
が、図示していない一つの画素の蛍光体に集束される
時、エミッタ４２の対向面形状によって前記蛍光体の中
心部に向かって集束される確率が高いので、これによ
り、前記画素に隣接する他の画素の蛍光体を照射して発
光させる、いわゆる、スキャン方向ビーム焼きつき現象
を防止することができる。
ッタ４２は、エミッタ４２の端部から放出された電子
が、図示していない一つの画素の蛍光体に集束される
時、エミッタ４２の対向面形状によって前記蛍光体の中
心部に向かって集束される確率が高いので、これによ
り、前記画素に隣接する他の画素の蛍光体を照射して発
光させる、いわゆる、スキャン方向ビーム焼きつき現象
を防止することができる。
【００５７】以上、本発明の好ましい実施例について説
明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特
許請求の範囲と発明の詳細な説明及び添付した図面の範
囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これ
も本発明の範囲に属するのは当然のことである。
明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特
許請求の範囲と発明の詳細な説明及び添付した図面の範
囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これ
も本発明の範囲に属するのは当然のことである。
【００５８】
【発明の効果】本発明による電界放出表示装置は、ゲー
ト電極と電気的に連結されながらカソード電極の間に配
置されるカウンタ電極が前記ゲート電極によって形成さ
れる電界に加えてエミッタとの間に電界を形成するの
で、電子放出のための電界を上昇的に増加させることが
できる結果を得て、従来技術と比べると、ゲート電極に
必要な駆動電圧を低減させた状態でも所望の電界放出で
良質の画像を表示することができる効果を有する。
ト電極と電気的に連結されながらカソード電極の間に配
置されるカウンタ電極が前記ゲート電極によって形成さ
れる電界に加えてエミッタとの間に電界を形成するの
で、電子放出のための電界を上昇的に増加させることが
できる結果を得て、従来技術と比べると、ゲート電極に
必要な駆動電圧を低減させた状態でも所望の電界放出で
良質の画像を表示することができる効果を有する。
【図１】本発明の第１実施例による電界放出表示装置を
示した部分斜視図である
示した部分斜視図である
【図２】本発明の第１実施例による電界放出表示装置を
示した結合断面図である
示した結合断面図である
【図３】本発明によるゲート電極のオン、オフ時の電界
の強さの比とカソード電極及びカウンタ電極間の距離関
係を示すグラフである
の強さの比とカソード電極及びカウンタ電極間の距離関
係を示すグラフである
【図４】本発明の第２実施例による電界放出表示装置を
示した部分斜視図である
示した部分斜視図である
【図５】本発明の第３実施例による電界放出表示装置を
示した部分平面図である
示した部分平面図である
【図６】本発明の第４実施例による電界放出表示装置を
示した部分平面図である
示した部分平面図である
【図７】本発明の第５実施例による電界放出表示装置を
示した部分平面図である
示した部分平面図である
２ 第１基板（背面基板）
４ 第２基板（前面基板）
６ ゲート電極
８ 絶縁層
８ａ 貫通ホール
１０ カソード電極
１２、３４、３８、４２ エミッタ
１４、３０、３２、３６、４０ カウンタ電極
１６ アノード電極
１８ Ｒ、Ｇ、Ｂ蛍光層
２０ シーリング物質
２２ スペーサ
２４ 電界
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 金 維 鍾
大韓民国京畿道水原市八達區梅灘３洞（無
番地） 住公２団地 新梅灘住公アパート
メント35棟401号
(72)発明者 李 相 祚
大韓民国京畿道華城郡泰安邑半月里865-
１番地 新靈通現代アパートメント110棟
204号
(72)発明者 車 在 ▲ちょる▼
大韓民国ソウル市江南區論▲ひゅん▼洞
186‐10番地307号
(72)発明者 金 鍾 ▲みん▼
大韓民国京畿道水原市八達區靈通洞（無番
地） サンナムシル信元アパートメント
641棟1802号
Ｆターム(参考） 5C036 EE04 EE19 EF01 EF06 EF08
EG12 EG48 EH04 EH26
5C135 AA08 AA15 AB06 AB07 AB09
AC03 HH01 HH06
Claims (23)
- 【請求項１】 第１基板と、 前記第１基板上に第１方向に形成されるゲート電極と、 前記ゲート電極を覆いながら前記第１基板上に形成され
る絶縁層と、 前記絶縁層上に第２方向に形成されるカソード電極と、 前記カソード電極上に形成されるエミッタと、 前記絶縁層上に前記エミッタから間隔をおいて形成さ
れ、前記ゲート電極と連結されるカウンタ電極と、 前記第１基板と任意の間隔をおいて配置され、この第１
基板と協働して真空容器を形成する第２基板と、 前記第２基板上に前記カソード電極及び前記カウンタ電
極と対面するように形成されるアノード電極と、を含む
電界放出表示装置。 - 【請求項２】 前記第１方向が前記第２方向と直角であ
る、請求項１に記載の電界放出表示装置。 - 【請求項３】 前記カウンタ電極が前記絶縁層に貫通形
成されたホールを通じて前記ゲート電極と連結される、
請求項２に記載の電界放出表示装置。 - 【請求項４】 前記エミッタが炭素系物質からなる、請
求項３に記載の電界放出表示装置。 - 【請求項５】 前記カソード電極とカウンタ電極との間
の距離が５０μm〜１５０μmからなる、請求項４に記載
の電界放出表示装置。 - 【請求項６】 前記エミッタと前記カウンタ電極とが同
程度の高さを有する、請求項４に記載の電界放出表示装
置。 - 【請求項７】 前記カウンタ電極が前記エミッタより高
い、請求項４に記載の電界放出表示装置。 - 【請求項８】 前記エミッタの前記カウンタ電極に対向
する面がのこぎり形状からなる、請求項４に記載の電界
放出表示装置。 - 【請求項９】 前記カウンタ電極の前記エミッタに対向
する面がのこぎり形状からなる、請求項８に記載の電界
放出表示装置。 - 【請求項１０】 前記エミッタの前記カウンタ電極に対
向する面が凹んで形成され、前記カウンタ電極の前記エ
ミッタに対向する面が膨らんで形成される、請求項４に
記載の電界放出表示装置。 - 【請求項１１】 前記エミッタの前記カウンタ電極に対
向する面が膨らんで形成され、前記カウンタ電極の前記
エミッタに対向する面が凹んで形成される、請求項４に
記載の電界放出表示装置。 - 【請求項１２】 前記カウンタ電極が電気メッキ法によ
って形成される、請求項４に記載の電界放出表示装置。 - 【請求項１３】 前記アノード電極がＩＴＯ、ＩＺＯな
どのような透明導電層からなる、請求項４に記載の電界
放出表示装置。 - 【請求項１４】 前記炭素系物質が炭素ナノチューブ、
Ｃ６０、ダイアモンド、ＤＬＣのうちのいずれか一つま
たはこれらの組み合わせからなる、請求項４に記載の電
界放出表示装置。 - 【請求項１５】 前記エミッタが前記カソード電極上に
ストライプパターンで形成される、請求項４に記載の電
界放出表示装置。 - 【請求項１６】 前記エミッタが前記カウンタ電極に対
応して分離された島形状で形成された、請求項４に記載
の電界放出表示装置。 - 【請求項１７】 前記エミッタがスクリーンプリンティ
ング法によって形成される、請求項４に記載の電界放出
表示装置。 - 【請求項１８】 前記エミッタが化学気相蒸着法または
スパッタリング法によって形成される、請求項４に記載
の電界放出表示装置。 - 【請求項１９】 前記ホールがフォトリソグラフィ法に
よって形成される、請求項３に記載の電界放出表示装
置。 - 【請求項２０】 前記ホールがプリンティング法によっ
て形成される、請求項３に記載の電界放出表示装置。 - 【請求項２１】 前記カウンタ電極がメッキ法によって
形成される、請求項７に記載の電界放出表示装置。 - 【請求項２２】 ゲート電極を有する第１基板、前記ゲ
ート電極から絶縁されるカソード電極、前記カソード電
極に接触されるエミッタ、前記ゲート電極に連結される
カウンタ電極及びアノード電極を有する第２基板を有す
る電界放出表示装置の駆動方法であって、 前記ゲート電極とカソード電極との間に電界を形成する
工程と、 前記カウンタ電極に電圧を印加して前記電界を強化する
工程と、 前記エミッタの周囲に電界を形成して前記エミッタから
電子を放出する工程と、を含む電界放出表示装置の駆動
方法。 - 【請求項２３】 前記カウンタ電極に印加される電圧は
前記ゲート電極に印加される電圧である、請求項２２に
記載の電界放出表示装置の駆動方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US34433202P | 2002-01-04 | 2002-01-04 | |
| US60/344,332 | 2002-01-04 | ||
| US10/155,732 | 2002-05-28 | ||
| US10/155,732 US6621232B2 (en) | 2002-01-04 | 2002-05-28 | Field emission display device having carbon-based emitter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP3995567B2 JP3995567B2 (ja) | 2007-10-24 |
Family
ID=26852569
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002267584A Expired - Fee Related JP3995567B2 (ja) | 2002-01-04 | 2002-09-13 | カーボン系物質で形成されたエミッタを有する電界放出表示装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6621232B2 (ja) |
| EP (1) | EP1326264B1 (ja) |
| JP (1) | JP3995567B2 (ja) |
| KR (1) | KR100852699B1 (ja) |
| CN (1) | CN1288702C (ja) |
| DE (1) | DE60229207D1 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005135917A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Samsung Sdi Co Ltd | 電子放出素子およびその製造方法 |
| JP2005197263A (ja) * | 2004-01-08 | 2005-07-21 | Samsung Sdi Co Ltd | 電界放出型バックライトユニット及びその駆動方法、並びに下部パネルの製造方法 |
| JP2005243648A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Samsung Sdi Co Ltd | 電子放出素子 |
| JP2005294262A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Samsung Sdi Co Ltd | 電子放出素子及びこれを用いた電子放出表示装置 |
| JP2005340193A (ja) * | 2004-05-22 | 2005-12-08 | Samsung Sdi Co Ltd | 電界放出表示素子及びその製造方法 |
| JP2005347232A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Samsung Sdi Co Ltd | 電子放出素子 |
| JP2006066376A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 電子放出素子 |
| US7176615B2 (en) | 2003-08-27 | 2007-02-13 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Field emission device having emission-inducing and suppressing gates |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100407362C (zh) * | 2002-04-12 | 2008-07-30 | 三星Sdi株式会社 | 场发射显示器 |
| KR100459904B1 (ko) * | 2002-08-05 | 2004-12-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 분리된 상부 전극 구조를 가지는 전계방출소자 |
| KR100879292B1 (ko) * | 2002-12-20 | 2009-01-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 특성을 향상시킬 수 있는 에미터 배열 구조를갖는 전계 방출 표시 장치 |
| KR100893685B1 (ko) * | 2003-02-14 | 2009-04-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 그리드 플레이트를 구비한 전계 방출 표시장치 |
| JP2004259577A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Hitachi Displays Ltd | 平板型画像表示装置 |
| KR100932975B1 (ko) * | 2003-03-27 | 2009-12-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 다층 구조의 그리드 플레이트를 구비한 전계 방출표시장치 |
| KR20050014430A (ko) * | 2003-07-31 | 2005-02-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시소자의 전자 방출원 형성용 조성물 및 이로부터제조되는 전자 방출원 |
| KR100556745B1 (ko) * | 2003-11-04 | 2006-03-10 | 엘지전자 주식회사 | 전계 방출 소자 |
| KR20050049842A (ko) | 2003-11-24 | 2005-05-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 표시장치 |
| KR100965543B1 (ko) * | 2003-11-29 | 2010-06-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 표시장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20050060748A (ko) * | 2003-12-17 | 2005-06-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 탄소나노튜브를 이용한 전계방출표시장치와 그 제작방법 |
| KR20050078327A (ko) * | 2004-01-29 | 2005-08-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 표시 소자와 이의 제조 방법 |
| JP2005235748A (ja) * | 2004-02-17 | 2005-09-02 | Lg Electronics Inc | 炭素ナノチューブ電界放出素子及びその駆動方法 |
| KR100982329B1 (ko) * | 2004-02-20 | 2010-09-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 표시 소자와 이의 제조 방법 |
| EP1569259A1 (en) * | 2004-02-25 | 2005-08-31 | LG Electronics Inc. | Field emission display device |
| KR100982328B1 (ko) * | 2004-02-25 | 2010-09-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 표시 소자 |
| KR20050089639A (ko) * | 2004-03-05 | 2005-09-08 | 엘지전자 주식회사 | 탄소 나노튜브 전계방출소자 |
| KR20040031756A (ko) * | 2004-03-25 | 2004-04-13 | 우형수 | 전계 방출 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20050096536A (ko) * | 2004-03-31 | 2005-10-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 그리드 전극을 갖는 전자 방출 표시장치 |
| KR20060020017A (ko) * | 2004-08-30 | 2006-03-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자와 이의 제조 방법 |
| KR20060095320A (ko) * | 2005-02-28 | 2006-08-31 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자 |
| KR20060095331A (ko) * | 2005-02-28 | 2006-08-31 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자 |
| KR20060104657A (ko) | 2005-03-31 | 2006-10-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자 |
| KR20060104652A (ko) * | 2005-03-31 | 2006-10-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자 |
| KR20060124332A (ko) * | 2005-05-31 | 2006-12-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자 |
| CN100573063C (zh) * | 2005-06-15 | 2009-12-23 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 微机械碳纳米管场发射型非致冷热成像器件及制作方法 |
| KR20070001377A (ko) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자 및 이의 구동 방법 |
| CN100367443C (zh) * | 2005-10-18 | 2008-02-06 | 中原工学院 | 三极管结构反射式发光平板显示器及其制作工艺 |
| CN100365755C (zh) * | 2005-10-18 | 2008-01-30 | 中原工学院 | 下栅结构的平面发光显示器及其制作工艺 |
| KR20070103909A (ko) * | 2006-04-20 | 2007-10-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 표시 디바이스 |
| KR20070111689A (ko) * | 2006-05-18 | 2007-11-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100312694B1 (ko) * | 1999-07-16 | 2001-11-03 | 김순택 | 카본 나노튜브 필름을 전자 방출원으로 사용하는 전계 방출 표시 장치 |
| JP2001035352A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-09 | Sharp Corp | 電子源、その製造方法及びそれを用いて形成した画像形成装置 |
| JP4298156B2 (ja) * | 1999-12-08 | 2009-07-15 | キヤノン株式会社 | 電子放出装置及び画像形成装置 |
| KR100477739B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2005-03-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 소자 및 그 구동 방법 |
| GB0006762D0 (en) * | 2000-03-22 | 2000-05-10 | Smiths Industries Plc | Displays |
| KR100749460B1 (ko) * | 2001-04-25 | 2007-08-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 표시소자와 그의 제조 방법 |
-
2002
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7176615B2 (en) | 2003-08-27 | 2007-02-13 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Field emission device having emission-inducing and suppressing gates |
| JP2005135917A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Samsung Sdi Co Ltd | 電子放出素子およびその製造方法 |
| JP2005197263A (ja) * | 2004-01-08 | 2005-07-21 | Samsung Sdi Co Ltd | 電界放出型バックライトユニット及びその駆動方法、並びに下部パネルの製造方法 |
| US7905756B2 (en) | 2004-01-08 | 2011-03-15 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Method of manufacturing field emission backlight unit |
| JP2005243648A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Samsung Sdi Co Ltd | 電子放出素子 |
| JP2005294262A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Samsung Sdi Co Ltd | 電子放出素子及びこれを用いた電子放出表示装置 |
| JP2005340193A (ja) * | 2004-05-22 | 2005-12-08 | Samsung Sdi Co Ltd | 電界放出表示素子及びその製造方法 |
| JP2005347232A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Samsung Sdi Co Ltd | 電子放出素子 |
| JP2006066376A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 電子放出素子 |
Also Published As
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