JP2003215758A

JP2003215758A - 光記録媒体およびその記録・再生方法

Info

Publication number: JP2003215758A
Application number: JP2002017139A
Authority: JP
Inventors: So Noguchi; 宗野口; Tsutomu Sato; 勉佐藤; Tatsuya Tomura; 辰也戸村; Yasunobu Ueno; 泰伸植野
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2002-01-25
Filing date: 2002-01-25
Publication date: 2003-07-30
Anticipated expiration: 2022-01-25
Also published as: JP4146130B2

Abstract

(57)【要約】【課題】短波長光、特に青色レーザ光による回折限界
を超えた記録密度で記録・再生を可能とし、かつ高転送
速度を有する光記録媒体を提供するとともに、それを用
いた記録方法を提供する。【解決手段】基板上に記録層を設けた光記録媒体の該
記録層の記録・再生光が入射する側に、例えば臭素で置
換されたピロール環を有する銅コロール誘導体を含有す
る超解像マスクを設ける。前記光記録媒体に発信波長４
００ｎｍ〜５５０ｎｍのレーザ光を照射して回折限界を
超えた高記録密度で記録・再生を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光学的に情報の記
録・再生が行われる大容量光情報記録媒体に関し、特に
超解像技術を利用した光記録媒体（例えば、大容量追記
型コンパクトディスク、ＤＶＤ−Ｒ等のデータ用大容量
追記光ディスク）に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在、基板上に反射層を有する光記録媒
体として、ＣＤ規格、ＤＶＤ規格に対応した記録が可能
な光記録媒体（ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ）が商品化されて
いる。このような大容量光記録媒体においては、今後さ
らに記録容量向上と小型化、記録密度の向上が求められ
ており、情報記録・再生への要求機能は一段と高度化し
ている。現行システムでの記録容量向上の要素技術は、
記録ピットの微小化技術とＭＰＥＧ２に代表される画像
圧縮技術がある。記録ピットの微小化技術には、記録・
再生光の短波長化や光学系の開口数ＮＡの増大化が検討
されているが、これらの技術だけでは光の回折限界を超
える記録・再生は不可能である。このため最近、回折限
界を超える記録・再生が可能な超解像を利用した記録媒
体が有力な手段として注目されている。超解像とは、物
点に照射光の回折限界よりも小さな開口を設けることに
より、照射光のスポット径を回折限界よりも小さくして
解像力を向上させる技術である。

【０００３】上記超解像技術を利用した光記録媒体とし
て、（１）フォトクロミック材料（特開平５−２６６４
７８号公報、特開平９−３２０１１４号公報）、（２）
サーモクロミック材料（特開平６−１６２５６４号公
報、特開平７−１８２６９３号公報、特開平８−３０６
０７４号公報、特開平１０−３２０１１４号公報、特開
平１１−１８００４３号公報）、（３）過飽和吸収色素
（特開平７−４４８９１号公報、特開平７−２９６４１
９号公報、特開平７−２９６４２０号公報、特開平７−
３０４２５８号公報、特開平７−３２０３００号公報、
特開平８−８７７７６号公報、特開平８−２６３８７５
号公報）、（４）光反応材料（特開平７−１６９０５７
号公報）等の材料を超解像マスク材料に応用した例が先
に開示されている。

【０００４】上記（１）フォトクロミック材料、（２）
サーモクロミック材料の各材料は、それぞれ光および熱
によって、その光吸収特性が変化することを超解像に利
用するものであるが、記録および再生時の繰り返し安定
性に問題がある。また、（２）サーモクロミック材料や
（４）光反応材料の各材料では、その応答速度は数十Ｍ
ｂｐｓが限界とされ、今後必要とされる１００Ｍｂｐｓ
以上の転送速度に対応できない可能性がある。

【０００５】また、（３）の過飽和吸収色素は、光の透
過率が照射光強度に対して非線形に変化する材料であ
り、その非線形に透過率が変化する現象を記録・再生光
のスポット（レーザースポット）の光強度分布に対して
利用することにより超解像マスク用の材料として応用す
ることができる。この材料の特徴としては、応答速度が
速いこと（フェムト秒で応答する）と高耐久性にある。
しかしながら、従来超解像マスク用の過飽和吸収色素と
して考案されてきた材料は、フタロシアニン誘導体、ナ
フタロシアニン誘導体、シアニン色素、キノン色素等で
あり、これらはいずれも光吸収特性が５５０ｎｍ以上の
長波長レーザに対応するものであるため、次世代光記録
媒体の主流となると考えられる短波長の青色レーザには
対応できない材料であった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な問題点に鑑みなされたもので、その目的は従来の光デ
ィスクでは実現不可能なピックアップレンズの回折限界
を超えた記録密度で記録・再生を可能とし、かつ高転送
速度を有する光記録媒体を提供することにある。さらに
詳しくは、青色レーザ波長域に高速応答な過飽和吸収特
性を示す超解像マスク層を設けた光記録媒体と、それを
用いた記録方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明者らが検討を重ねた結果、基板上に設けた記録
層の記録・再生光が入射する側に、特定の構造を有する
コロール誘導体を含有する超解像マスクを設け、発信波
長４００ｎｍ〜５５０ｎｍの短波長光（半導体レーザ／
青色レーザ）を用い、その回折限界を超えるスポット径
を実現させることによって、回折限界を超えた高記録密
度で記録・再生を可能とし、さらに高転送速度を実現す
ることが可能であることを見い出し、本発明に至った。
以下、本発明について具体的に説明する。

【０００８】請求項１の発明は、基板上に記録層を設け
てなる光記録媒体において、前記記録層の記録・再生光
が入射する側に、コロール誘導体を含有する超解像マス
ク層を設けたことを特徴とする光記録媒体である。

【０００９】請求項１のコロール誘導体の最大吸収波長
は４００〜５５０ｎｍにあり、青色レーザの発信波長に
対応するため、この波長領域でコロール誘導体が過飽和
吸収によって照射光のスポット径よりも小さな光学開口
径を形成する。このため、超解像マスク層用材料として
用いることにより、回折限界を超えた記録密度で記録・
再生を可能とし、かつ高転送速度を実現させた光記録媒
体が提供される。

【００１０】請求項２の発明は、前記コロール誘導体が
下記一般式（I）で示される構造を有する化合物である
ことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体である。

【００１１】

【化６】

【００１２】一般式（I）において、Ｒ_１〜Ｒ_８、Ｘ_１
〜Ｘ_３はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニト
ロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシル基、置換もしく
は未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール
基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換もしくは
未置換のアミノ基、置換もしくは未置換のアシル基を表
す。なお、置換もしくは未置換のアリール基は、酸素原
子または硫黄原子を介して結合していてもよい。また、
Ｒ_１〜Ｒ_８の少なくとも１つは水素原子以外の前記いず
れかの基であるものとする。Ｍ_１はそれぞれ独立に３個
の水素原子、または酸素原子、ハロゲン原子あるいは水
酸基を有していてもよい２価、３価もしくは４価の金属
原子、または(ＯＹ₁)ｐ、(ＯＳｉＹ₂Ｙ₃Ｙ₄)ｑ、(ＯＰ
ＯＹ₅Ｙ₆)ｒ、(ＯＣＯＹ₇)ｓを有していてもよい金属原
子を表す（ただし、式中Ｙ₁〜Ｙ₇はそれぞれ独立に水素
原子、置換もしくは未置換の脂肪族あるいは芳香族の炭
化水素基を表し、ｐ,ｑ,ｒ,ｓはそれぞれ独立に０〜２
の整数を表す。）。

【００１３】請求項３の発明は、前記コロール誘導体が
下記一般式（II）で示される構造を有する化合物である
ことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体である。

【００１４】

【化７】

【００１５】一般式（II）において、Ｒ_９〜Ｒ_１６、Ｘ
_４〜Ｘ_６はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニ
トロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシル基、置換もし
くは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリー
ル基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換もしく
は未置換のアミノ基、置換もしくは未置換のアシル基を
表す。なお、置換もしくは未置換のアリール基は、酸素
原子または硫黄原子を介して結合していてもよい。ま
た、Ｒ_９〜Ｒ_１６の少なくとも１つは水素原子以外の前
記いずれかの基であるものとする。Ｍ_２はそれぞれ独立
に３個の水素原子、または酸素原子、ハロゲン原子ある
いは水酸基を有していてもよい２価、３価もしくは４価
の金属原子、または(ＯＹ₁)ｐ、(ＯＳｉＹ₂Ｙ₃Ｙ₄)ｑ、
(ＯＰＯＹ₅Ｙ₆)ｒ、(ＯＣＯＹ₇)ｓを有していてもよい
金属原子を表す（ただし、式中Ｙ₁〜Ｙ₇はそれぞれ独立
に水素原子、置換もしくは未置換の脂肪族あるいは芳香
族の炭化水素基を表し、ｐ,ｑ,ｒ,ｓはそれぞれ独立に
０〜２の整数を表す。）。

【００１６】請求項４の発明は、前記コロール誘導体が
下記一般式（III）で示される構造を有する化合物であ
ることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体である。

【００１７】

【化８】

【００１８】一般式（III）において、Ｒ_１７〜
Ｒ_２４、Ｘ_７〜Ｘ_９はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲ
ン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシル
基、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未
置換のアリール基、置換もしくは未置換のアルコキシ
基、置換もしくは未置換のアミノ基、置換もしくは未置
換のアシル基を表す。なお、置換もしくは未置換のアリ
ール基は、酸素原子または硫黄原子を介して結合してい
てもよい。また、Ｒ_１７〜Ｒ_２４の少なくとも１つは水
素原子以外の前記いずれかの基であるものとする。Ｍ_３
はそれぞれ独立に３個の水素原子、または酸素原子、ハ
ロゲン原子あるいは水酸基を有していてもよい２価、３
価もしくは４価の金属原子、または(ＯＹ₁)ｐ、(ＯＳｉ
Ｙ₂Ｙ₃Ｙ₄)ｑ、(ＯＰＯＹ₅Ｙ₆)ｒ、(ＯＣＯＹ₇)ｓを有
していてもよい金属原子を表す（ただし、式中Ｙ₁〜Ｙ₇
はそれぞれ独立に水素原子、置換もしくは未置換の脂肪
族あるいは芳香族の炭化水素基を表し、ｐ,ｑ,ｒ,ｓは
それぞれ独立に０〜２の整数を表す。）。

【００１９】請求項５の発明は、前記コロール誘導体が
下記一般式（IV）で示される構造を有する化合物である
ことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。

【００２０】

【化９】

【００２１】一般式（IV）において、Ｒ_２５〜Ｒ_３２、
Ｘ_１０〜Ｘ_１２はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原
子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシル基、置
換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換の
アリール基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換
もしくは未置換のアミノ基、置換もしくは未置換のアシ
ル基を表す。なお、置換もしくは未置換のアリール基
は、酸素原子または硫黄原子を介して結合していてもよ
い。また、Ｒ_２５〜Ｒ_３２の少なくとも１つは水素原子
以外の前記いずれかの基であるものとする。Ｍ_４はそれ
ぞれ独立に３個の水素原子、または酸素原子、ハロゲン
原子あるいは水酸基を有していてもよい２価、３価もし
くは４価の金属原子、または(ＯＹ₁)ｐ、(ＯＳｉＹ₂Ｙ₃
Ｙ₄)ｑ、(ＯＰＯＹ₅Ｙ₆)ｒ、(ＯＣＯＹ₇)ｓを有してい
てもよい金属原子を表す（ただし、式中Ｙ₁〜Ｙ₇はそれ
ぞれ独立に水素原子、置換もしくは未置換の脂肪族ある
いは芳香族の炭化水素基を表し、ｐ,ｑ,ｒ,ｓはそれぞ
れ独立に０〜２の整数を表す。）。

【００２２】請求項６の発明は、前記コロール誘導体が
下記一般式（V）で示される構造を有する化合物である
ことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体である。

【００２３】

【化１０】

【００２４】一般式（V）において、Ｒ_３３〜Ｒ_４０、
Ｘ_１３〜Ｘ_１５はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原
子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシル基、置
換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換の
アリール基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換
もしくは未置換のアミノ基、置換もしくは未置換のアシ
ル基を表す。なお、置換もしくは未置換のアリール基
は、酸素原子または硫黄原子を介して結合していてもよ
い。また、Ｒ_３３〜Ｒ_４０の少なくとも１つは水素原子
以外の前記いずれかの基であるものとする。Ｍ_５はそれ
ぞれ独立に３個の水素原子、または酸素原子、ハロゲン
原子あるいは水酸基を有していてもよい２価、３価もし
くは４価の金属原子、または(ＯＹ₁)ｐ、(ＯＳｉＹ₂Ｙ₃
Ｙ₄)ｑ、(ＯＰＯＹ₅Ｙ₆)ｒ、(ＯＣＯＹ₇)ｓを有してい
てもよい金属原子を表す（ただし、式中Ｙ₁〜Ｙ₇はそれ
ぞれ独立に水素原子、置換もしくは未置換の脂肪族ある
いは芳香族の炭化水素基を表し、ｐ,ｑ,ｒ,ｓはそれぞ
れ独立に０〜２の整数を表す。）。

【００２５】前記請求項２〜６の構造を有するコロール
誘導体はいずれも短波長（４００〜５５０ｎｍ）領域に
最大吸収波長を有し、超解像マスク用材料として用いる
ことにより、過飽和吸収によって照射光のスポット径よ
りも小さな光学開口径を形成する。これによって、回折
限界を超えた記録・再生が達成されるとともに、高転送
速度の光記録媒体が提供される。

【００２６】請求項７の発明は、前記コロール誘導体が
金属コロール誘導体であることを特徴とする請求項１〜
６のいずれかに記載の光記録媒体である。

【００２７】コロール誘導体に金属が配位した金属コロ
ール誘導体とすることで過飽和吸収現象が顕著になり、
超解像マスク層としての超解像作用が向上した光記録媒
体が提供される。

【００２８】請求項８の発明は、前記コロール誘導体が
原子量３０以上の重原子で置換されていることを特徴と
する請求項１〜７のいずれかに記載の光記録媒体であ
る。

【００２９】請求項９の発明は、前記コロール誘導体が
ハロゲン原子で置換されていることを特徴とする請求項
１〜７のいずれかに記載の光記録媒体である。

【００３０】請求項１０の発明は、前記ハロゲン原子が
ＢｒもしくはＩであることを特徴とする請求項９記載の
光記録媒体である。

【００３１】前記請求項８〜１０のコロール誘導体構造
とすることでスピン−軌道相互作用が大きくなって緩和
時間が長くなり、過飽和吸収現象が顕著に発現する。こ
れによって、超解像マスク層としての超解像作用が一段
と向上した光記録媒体が提供される。

【００３２】請求項１１の発明は、前記コロール誘導体
の記録・再生波長における分子吸光係数が１０００００
以上で、緩和時間τが１ｎｓ≦τ≦１００ｎｓであるこ
とを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の光記
録媒体である。

【００３３】請求項１１のコロール誘導体の分子吸光係
数と緩和時間を制御することにより、超解像現象の発現
と繰り返し再生特性の最適光学特性が保持され、これに
よって高密度記録・再生を可能とし、かつ高転送速度を
実現させた光記録媒体が提供される。

【００３４】請求項１２の発明は、前記超解像マスク層
が、コロール誘導体と紫外線硬化性樹脂とからなること
を特徴とする請求項１〜１１記載の光記録媒体である。

【００３５】請求項１３の発明は、前記超解像マスク層
が、コロール誘導体と熱硬化性樹脂とからなることを特
徴とする請求項１〜１１記載の光記録媒体である。

【００３６】前記請求項１２、１３の構成によれば、三
次元的に架橋結着した強固な超解像マスク層が形成され
るため、記録・再生時においても超解像マスク層が変化
（変形）せず、これによって安定した信号特性が得られ
る光記録媒体が提供される。

【００３７】請求項１４の発明は、前記記録層の記録・
再生光の入射側に設けられた前記超解像マスク層が超解
像再生層であることを特徴とする請求項１〜１３のいず
れかに記載の光記録媒体である。

【００３８】請求項１４の超解像マスク層を超解像再生
層として用いる構成とすることにより、高密度記録の再
生を実現した光記録媒体が提供される。

【００３９】請求項１５の発明は、前記記録層の記録・
再生光の入射が該記録層の両側である場合に、該記録層
を挟んで両側にそれぞれ設けられた超解像マスク層の一
方が超解像記録層であり、他方が超解像再生層であるこ
とを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の光記
録媒体である。

【００４０】請求項１５の記録層を挟んで両側に超解像
マスク層を設け、超解像記録層と超解像再生層として分
けて用いることにより、高密度の記録と再生をそれぞれ
実現した光記録媒体が提供される。

【００４１】請求項１６の発明は、請求項１〜１３のい
ずれかに記載の光記録媒体を、波長４００ｎｍ〜５５０
ｎｍのレーザ光を用いて超解像マスク層側から照射し、
記録・再生することを特徴とする光記録媒体の記録・再
生方法である。

【００４２】本発明の光記録媒体の超解像マスク層に用
いるコロール誘導体の最大吸収波長は、前記のように４
００〜５５０ｎｍで青色レーザに対応する。このため、
青色レーザを用いることにより、超解像現象を利用した
高密度記録・再生の可能な光記録媒体の記録方法が提供
される。

【００４３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。本発明の光記録媒体は、基板上に設けた記
録層の記録・再生光が入射する側に、コロール誘導体を
含有する超解像マスク層を設けた構成からなる。超解像
マスク層は、前記のように過飽和吸収により、照射光の
回折限界を超えた開口径を形成する、いわゆる超解像マ
スクとして作用し、これによって超解像記録層および／
または超解像再生層として機能する。本発明のコロール
誘導体は、置換基を有していてもよい４つのピロール環
が、置換基を有していてもよい炭素原子を介した結合
と、炭素原子を介しない直接結合の両方を含んで結合さ
れており、かつピロール環を結ぶ前記置換基を有してい
てもよい炭素原子の合計数が３つである構造を有する化
合物であり、前記一般式（I）〜（V）で示される。この
ような構造を有するコロール誘導体を用いることによ
り、超解像マスク層が形成され、回折限界を超えた記録
・再生が可能な光記録媒体が得られる。

【００４４】以下に、前記一般式（I）〜（V）で示され
る構造を有する化合物の構成を示す。前述のように、一
般式（I）〜（V）において、Ｒ_１〜Ｒ_４０、Ｘ_１〜_１５
Ｘはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ
基、シアノ基、水酸基、カルボキシル基、置換もしくは
未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール
基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換もしくは
未置換のアミノ基、置換もしくは未置換のアシル基を表
す。なお、前記置換もしくは未置換のアリール基は、酸
素原子または硫黄原子を介して結合していてもよい。ま
た、一般式（I）中のＲ_１〜Ｒ_８、一般式（II）中のＲ
_９〜Ｒ_１６、一般式（III）中のＲ_１７〜Ｒ _２４、一般
式（IV）中のＲ_２５〜Ｒ_３２、一般式（V）中のＲ_３３
〜Ｒ_４０においては、それぞれ少なくとも１つは水素原
子以外の前記いずれかの基であるものとする。

【００４５】まず、Ｒ_１〜Ｒ_４０、Ｘ_１〜_１５Ｘがアル
キル基の場合の具体例を以下に示す。アルキル基として
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル
基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等の
一級アルキル基、イソブチル基、イソアミル基、２−メ
チルブチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペン
チル基、４−メチルペンチル基、２−エチルブチル基、
２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メ
チルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２−エチルペ
ンチル基、３−エチルペンチル基、２−メチルヘプチル
基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５
−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシル基、３−エチ
ルヘキシル基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、１
−エチルプロピル基、１−メチルブチル基、１，２−ジ
メチルプロピル基、１−メチルヘプチル基、１−エチル
ブチル基、１，３−ジメチルブチル基、１，２−ジメチ
ルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、１−
メチルヘキシル基、１−エチルヘプチル基、１−プロピ
ルブチル基、１−イソプロピル−２−メチルプロピル
基、１−エチル−２−メチルブチル基、１−エチル−２
−メチルブチル基、１−プロピル−２−メチルプロピル
基、１−メチルヘプチル基、１−エチルヘキシル基、１
−プロピルペンチル基、１−イソプロピルペンチル基、
１−イソプロピル−２−メチルブチル基、１−イソプロ
ピル−３−メチルブチル基、１−メチルオクチル基、１
−エチルヘプチル基、１−プロピルヘキシル基、１−イ
ソブチル−３−メチルブチル基等の二級アルキル基を有
する基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒ
ｔ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｔｅｒｔ−オク
チル基等の三級アルキル基を有する基、シクロヘキシル
基、４−メチルシクロヘキシル基、４−エチルシクロヘ
キシル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル基、４
−（２−エチルヘキシル）シクロヘキシル基、ボルニル
基、イソボルニル基（アダマンタン基）等のシクロアル
キル基等が挙げられる。さらに、これら一級および二級
アルキル基を有する基は、水酸基、ハロゲン原子、ニト
ロ基、カルボキシ基、シアノ基、置換または未置換のア
リール基、置換または未置換の複素環残基等を以て置換
されていてもよく、また酸素、硫黄、窒素等の原子を介
して前記のアルキル基で置換されていてもよい。

【００４６】上記酸素を介して置換されているアルキル
基としては、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エ
トキシメチル基、エトキシエチル基、ブトキシエチル
基、エトキシエチル基、フェノキシエチル基、メトキシ
プロピル基、エトキシプロピル基、ピペリジノ基、モル
ホリノ基等が、硫黄を介して置換されているアルキル基
としては、メチルチオエチル基、エチルチオエチル基、
エチルチオプロピル基、フェニルチオエチル基等が、窒
素を介して置換されているアルキル基としては、ジメチ
ルアミノエチル基、ジエチルアミノエチル基、ジエチル
アミノプロピル基等が挙げられる。

【００４７】次に、置換もしくは未置換のアリール基の
具体例を以下に示す。アリール基としては、フェニル
基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズ
レニル基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、ａｓ−
インダセニル基、ｓ−インダセニル基、アセナフタレニ
ル基、フルオレニル基、フェナレニル基、フェナントラ
ニル基、アントラニル基、フルオラセニル基、アセフェ
ナントラレニル基、アセアントリレン基、トリフェニレ
ニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基等
が挙げられる。さらに、これらアリール基は、水酸基、
ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシ基、シアノ基、置
換または未置換のアリール基、置換または未置換の複素
環残基等によって置換されていてもよく、また酸素、硫
黄、窒素等の原子を介して前記のアルキル基で置換され
ていてもよい。さらに、アリール基はフェノキシ基、チ
オフェニル基のように、酸素原子、硫黄原子を介して結
合していてもよい。

【００４８】また、置換もしくは未置換のアルコキシ
基、置換もしくは未置換のアミノ基としては以下のよう
なものが挙げられる。すなわち、アルコキシ基は、酸素
原子に直接置換もしくは未置換のアルキル基が結合され
ているものであればよく、アルキル基の具体例としては
前述のアルキル基が挙げられる。アルキルアミノ基は、
窒素原子に直接置換もしくは未置換のアルキル基が結合
されているものであればよく、アルキル基の具体例とし
ては前述のアルキル基を挙げることができる。また、ア
ルキル基同士が結合しピペリジノ基、モルホリノ基、ピ
ロリジニル基、ピペラジニル基、インドリニル基、イソ
インドリニル基等の様に環を形成していてもよい。アリ
ールアミノ基は、窒素原子に直接置換または未置換のア
リール基が結合されているものであればよく、アリール
基の具体例としては前述の具体例を挙げることができ
る。

【００４９】前記一般式（I）〜（V）において、Ｍ_１〜
Ｍ_５（Ｍ）の具体例を以下に示す。Ｍとしては、それぞ
れ独立に３個の水素原子、または酸素原子、ハロゲン原
子あるいは水酸基を有していてもよい２価、３価もしく
は４価の金属原子がある。すなわち、ＭとしてはIｂ
族、IIａ族、IIｂ族、IIIｂ族、IVａ族、IVｂ族、Vａ
族、VIａ族、VIIａ族、VIII族の金属、これらの金属の
酸化物、これらの金属のハロゲン化物、またはこれらの
金属の水酸化物などがある。上記金属の例としては、Ｃ
ｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｐｔ、Ｐｄ
等が挙げられる。また、金属酸化物としては、ＴｉＯ、
ＶＯ等が、ハロゲン化物としては、ＡｌＣｌ、ＧｅＣｌ
₂、ＳｉＣｌ₂、ＦｅＣｌ、ＳｎＣｌ₂、ＩｎＣｌ等が、
水酸化物としてはＡｌ(ＯＨ)、Ｓｉ(ＯＨ)₂、Ｇｅ(Ｏ
Ｈ)₂、Ｓｎ(ＯＨ)₂等がある。また、金属が置換基を有
するものがある。このような例としては、 (ＯＹ₁)ｐ、
(ＯＳｉＹ₂Ｙ₃Ｙ₄)ｑ、(ＯＰＯＹ₅Ｙ₆)ｒ、(ＯＣＯＹ₇)
ｓで表される置換基を有する金属原子がある（ただし、
式中Ｙ₁〜Ｙ₇はそれぞれ独立に水素原子、置換もしくは
未置換の脂肪族あるいは芳香族の炭化水素基を表し、
ｐ,ｑ,ｒ,ｓはそれぞれ独立に０〜２の整数を表
す。）。このような金属が置換基を有する場合の金属の
例としては、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ等があり、
置換基としては、アリールオキシル基、アルコキシル
基、トリアルキルシロキシル基、トリアリールシロキシ
ル基、トリアルコキシシロキシル基、トリアリールオキ
シシロキシル基、トリチルオキシル基またはアシロキシ
ル基等がある。

【００５０】本発明における前記一般式（I）〜（V）で
示される構造を有する化合物としては、下記式（１）〜
（１６）で示されるコロール誘導体が例示される。な
お、本発明のコロール誘導体はこれらの例示化合物に限
定されるものではない。

【００５１】

【化１１】

【００５２】

【化１２】

【００５３】

【化１３】

【００５４】

【化１４】

【００５５】

【化１５】

【００５６】

【化１６】

【００５７】

【化１７】

【００５８】

【化１８】

【００５９】

【化１９】

【００６０】

【化２０】

【００６１】

【化２１】

【００６２】

【化２２】

【００６３】

【化２３】

【００６４】

【化２４】

【００６５】

【化２５】

【００６６】

【化２６】

【００６７】超解像マスク材料として好ましい光学特性
は、大きな吸収係数を持ち、励起状態の緩和時間が長い
程、過飽和吸収現象は大きくなる。但し緩和時間が長す
ぎると元に戻る時間が長くなるため繰り返し再生時に支
障をきたす。そのため、コロール誘導体の吸収係数は１
０万以上が、緩和時間（τ）は、１ｎｓ≦τ≦１００ｎ
ｓとなることが好ましい。緩和時間を長くする方法とし
て、コロール誘導体に重原子を導入し、スピン−軌道相
互作用を大きくすることが有効である。そのため、コロ
ール誘導体の構造としては、金属が中心に配位した金属
コロール誘導体や、コロール誘導体が重原子（特に原子
量が３０以上の原子が好ましい）で置換された誘導体が
有用である。置換基として充分なスピン−軌道相互作用
を大きくするには、ハロゲン原子が好ましく、さらには
Ｂｒ（臭素原子）、Ｉ（ヨウ素原子）が特に好ましい。

【００６８】前記を考慮して得たコロール誘導体を用い
た超解像マスク層は、コロール誘導体の過飽和吸収によ
り、照射光のスポット径よりも小さな光学開口を形成す
る。基底状態にある分子が励起状態に遷移し、その緩和
時間が長いため基底状態にある分子が減少し、これによ
って光の吸収量が減少して透過率が上がる。この変化は
照射光が強いほど大きいため、レーザビームを照射した
際、その強度分布（ガウス分布）に応じた透過率変化と
なる。図１に超解像マスクによる光学開口形成の概念図
を示す。すなわち、照射されたレーザビームの波長が超
解像マスク層の過飽和吸収色素の吸収波長と一致する場
合は、レーザ照射当初はほとんど光は透過しない。しか
し、超解像マスク層の過飽和吸収色素が図２に示すよう
な非線形性の光透過率を示し、レーザ照射によって過飽
和吸収状態に至ると図１に示すように、光強度の強いビ
ーム中心に光学開口が開くことになる。本発明のコロー
ル誘導体（過飽和吸収色素）は、非線形性の光透過率を
示し、過飽和吸収により超解像現象を示す。

【００６９】本発明のコロール誘導体は、前記のように
４００〜５５０ｎｍの波長域に強い吸収帯があり、青色
レーザの発振波長に合致する。そのため本発明のコロー
ル誘導体を含有する超解像マスク層は、青色レーザに適
した超解像マスクとして使用することができるため、よ
り高密度の記録・再生が可能となる。

【００７０】超解像マスク層として良好な特性を得るに
は、２つの観点がある。一つは、光記録媒体構成層とし
ての特性であり、他の一つは、超解像特性を得る材料特
性である。光記録媒体構成層としては、記録・再生時に
変化、特に変形しないことが必須である。超解像マスク
層が超解像記録層として機能する場合には、変形するこ
とによりジッタ特性等の記録信号特性が劣化する。一
方、超解像再生層として機能する場合には、変形するこ
とにより再生信号が除々に変化し安定した再生信号が得
られない。そのため本発明では、超解像マスク層をバイ
ンダーで固定し変形を低減させることが好ましい。特
に、バインダーとして紫外線硬化性樹脂または熱硬化性
樹脂は好ましい。

【００７１】＜光記録媒体の構成＞本発明に適用される
光記録媒体は、例えば図３〜図７に示したような構成を
有するものである。すなわち、基板１と超解像マスク層
２と記録層３を基本構成層として備え、記録層３の記録
・再生光が入射する側に超解像マスク層２が設けられた
構造をしている。光記録媒体の層構成は、目的に応じて
反射層等の構成層を設けた構造とすることもできる。図
５は、反射層４を設けた例を示す。図６、図７は、記録
と再生が光記録媒体の両側から別々に行われる場合の例
であり、超解像マスク層２を超解像記録（超解像記録
層）２Ａと超解像再生（超解像再生層）２Ｂのそれぞれ
に対応できるように分けて、記録層３の両側に設けた例
を示す。本発明の光記録媒体は、通常の追記型光ディス
クの構造として採用されている２枚貼合わせの、いわゆ
るエアーサンドイッチまたは密着貼合わせ構造としても
よく、あるいはＣＤ−Ｒ用メディアの構造としてもよ
い。また、ＣＤ−Ｒ構造を貼り合わせた構造でもよい。
上記光記録媒体に記録・再生光（特に青色レーザ光）を
照射することによって、超解像現象が発現し、記録・再
生が行われる。以下に本発明の光記録媒体の各構成層に
ついて説明する。

【００７２】＜基板＞基板の必要特性としては、基板側
から記録・再生を行う場合には使用レーザー光に対して
透明でなければならず、記録層側から記録・再生を行う
場合には基板は透明である必要はない。基板材料として
は、例えばポリエステル、アクリル樹脂、ポリアミド、
ポリカーボネート、ポリオレフィン、フェノール樹脂、
エポキシ樹脂、ポリイミド等のプラスチック、ガラス、
セラミックあるいは金属等を用いることができる。尚、
基板表面にトラッキング用の案内溝や案内ピット、さら
にアドレス信号等のプレフォーマットが形成されていて
もよい。

【００７３】＜超解像マスク層＞超解像マスク材料に
は、前記一般式（I）〜（V）で示されるコロール誘導体
である過飽和吸収色素の超解像マスク層を使用し、その
化学構造としてスピン−軌道相互作用を大きくする重原
子を導入した構造が好ましい。そのため構造としては、
前述のように、金属が中心に配位した金属コロール構造
や、重原子で置換されたコロール誘導体が有用である。

【００７４】超解像マスク層の膜形成法としては、湿式
塗布法によりコロール誘導体とバインダーを溶解させた
溶液を用いて塗布形成してもよく、乾式成膜法によりコ
ロール誘導体とバインダーを共蒸着により形成してもよ
い。いずれの場合にも、記録・再生時に超解像マスク層
が変化、特に変形しないことが好ましく、このためバイ
ンダーとしては三次元的に架橋し、強固な膜が形成され
る紫外線硬化性樹脂、熱硬化性樹脂が好ましい。コロー
ル誘導体とバインダーの組成は、１／９０〜９０／１０
（重量比）の範囲であり、この範囲よりもバインダーが
多すぎると超解像効果は小さく、少なすぎると超解像マ
スク層の機械的な強度が損なわれ、好ましくは、３０／
７０〜７０／３０（重量比）である。

【００７５】紫外線硬化性樹脂は、紫外線照射によって
例えばラジカル重合が開始して硬化するバインダーであ
る。その組成は、一般的に（１）アクリル系オリゴマ
−、（２）アクリル系モノマ−、（３）光重合開始剤、
（４）重合禁止剤からなるもので、オリゴマ−はポリエ
ステル系、ポリウレタン系、エポキシ系アクリル酸エス
テル等で、光重合開始剤はベンゾフェノン、ベンゾイン
エ−テル等が使用できる。一方、熱硬化性樹脂は加熱に
より架橋反応して硬化するバインダーである。その具体
的な材料例としては、エポキシ樹脂、オリゴエステルア
クリレート、フェノー樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、
ポリイミド、ポリウレタン、メラミン樹脂、ユリア樹脂
等が使用できる。

【００７６】＜記録層＞記録層はレーザー光等の照射に
より何らかの光学的変化を生じさせ、その変化により情
報を記録できるものであればよい。例えば、この記録層
として色素が含有されているものが挙げられる。記録層
の形成には色素を１種または複数の組合せで用いてもよ
い。さらに、記録層の光学特性、記録感度、信号特性等
の向上の目的で他の有機色素、および金属、金属化合物
と混合または積層化してもよい。有機色素の例として
は、ポリメチン色素、ナフタロシアニン系、フタロシア
ニン系、スクアリリウム系、クロコニウム系、ピリリウ
ム系、ナフトキノン系、アントラキノン（インダンスレ
ン）系、キサンテン系、トリフェニルメタン系、アズレ
ン系、テトラヒドロコリン系、フェナンスレン系、トリ
フェノチアジン系染料、およびコロール誘導体や金属キ
レート化合物等が挙げられ、前記の色素を単独で用いて
もよいし、２種以上の組合せにしてもよい。

【００７７】また、前記色素中に金属、金属化合物、例
えばＩｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａ
ｌ、Ｂｅ、ＴｅＯ₂、ＳｎＯ、Ａｓ、Ｃｄ等を分散混合
あるは積層の形態で用いることもできる。さらに、前記
色素中に高分子材料、例えばアイオノマー樹脂、ポリア
ミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコーン、
液状ゴム等の種々の材料もしくはシランカップリング剤
等を分散混合して用いてもよい。あるいは、特性改良の
目的で安定剤（例えば遷移金属錯体）、分散剤、難燃
剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤等と一緒に
用いることができる。

【００７８】記録層の形成は蒸着、スパッタリング、Ｃ
ＶＤまたは溶液塗布等の通常の手段によって行うことが
できる。塗布法を用いる場合には前記染料等を有機溶媒
等に溶解してスプレー、ローラーコーティング、ディッ
ピング、あるいはスピンコーティング等の慣用のコーテ
ィング法によって行われる。用いられる有機溶剤として
は、一般にメタノール、エタノール、イソプロパノール
等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シ
クロヘキサノン等のケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、
ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、エチレング
リコールモノメチルエーテル等のエーテル類、酢酸メチ
ル、酢酸エチル等のエステル類、クロロホルム、塩化メ
チレン、ジクロロエタン、四塩化炭素、トリクロロエタ
ン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類、あるいはベンゼ
ン、キシレン、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン
等の芳香族類、メトキシエタノール、エトキシエタノー
ル等のセロソルブ類、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキ
サン、メチルシクロヘキサン等の炭化水素類等を用いる
ことができる。記録層の膜厚は１００Å〜１０μｍ、好
ましくは２００Å〜２０００Åが適当である。

【００７９】本発明の光記録媒体は、前記基板１、超解
像マスク層２、記録層３の基本構成や下記反射層４以外
に、目的や必要に応じて以下に示す下引き層、保護層、
基板表面ハードコート層、保護基板等を設けてもよい。

【００８０】＜反射層＞反射層には単体で高反射率の得
られる腐食されにくい金属、半金属等が用いられ、材料
例としてはＡｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｓ
ｎ、Ｃｕ等が挙げられる。中でも反射率、生産性の点か
らＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕが最も好ましく、これらの金
属、半金属は単独で使用してもよく、２種以上の合金と
して用いてもよい。反射層の膜形成法としては蒸着、ス
ッパタリング等が挙げられ、膜厚としては５０〜５００
０Å、好ましくは１００〜３０００Åである。

【００８１】＜下引き層＞下引き層は（ａ）接着性の向
上、（ｂ）水、またはガス等のバリアー、（ｃ）記録層
の保存安定性の向上、（ｄ）反射率の向上、（ｅ）溶剤
からの基板や記録層の保護、（ｆ）案内溝・案内ピット
・プレフォーマット等の形成等を目的として使用され
る。（ａ）の目的に対しては高分子材料、例えばアイオ
ノマー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然樹
脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴム等の種々の高分
子物質およびシランカップリング剤等を用いることがで
きる。（ｂ）および（ｃ）の目的に対しては、前記高分
子材料以外に、例えばＳｉＯ₂、ＭｇＦ₂、ＳｉＯ、Ｔｉ
Ｏ₂、ＺｎＯ、ＴｉＮ、ＳｉＮ等の無機化合物あるい
は、例えばＺｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ａｌ等の金属または半金属を用いることがで
きる。また、（ｄ）の目的に対しては、金属、例えばＡ
ｌ、Ａｇ等や金属光沢を有する有機薄膜、例えばメチン
染料、キサンテン系染料等を用いることができる。
（ｅ）および（ｆ）の目的に対しては、紫外線硬化性樹
脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができ
る。下引き層の膜厚は０．０１〜３０μｍ、好ましくは
０．０５〜１０μｍが適当である。

【００８２】＜保護層、基板表面ハードコート層＞保護
層または基板表面ハードコート層は、（ａ）記録層を
傷、ホコリ、汚れ等から保護すること、（ｂ）記録層の
保存安定性を向上すること、（ｃ）反射率を向上するこ
と等を目的として設けられる。これらの目的に対して
は、無機材料としてＳｉＯ、ＳｉＯ₂等も用いることが
でき、有機材料としてポリメチルアクリレート、ポリカ
ーボネート、エポキシ樹脂、ポリスチレン、ポリエステ
ル、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水素樹脂、芳
香属炭化水素樹脂、天然ゴム、スチレンブタジエン樹
脂、クロロプレンゴム、ワックス、アルキッド樹脂、乾
性油、ロジン等の熱軟化性、熱溶融性樹脂も用いること
ができる。前記材料のうち保護層、または基板表面ハー
ドコート層に最も好ましい例としては生産性に優れた紫
外線硬化性樹脂である。保護層または基板表面ハードコ
ート層の膜厚は０．０１〜３０μｍ、好ましくは０．０
５〜１０μｍが適当である。

【００８３】本発明において、前記下引き層、保護層お
よび基板表面ハードコート層には記録層の場合と同様
に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面
活性剤、可塑剤等を含有させることができる。

【００８４】＜保護基板＞保護基板はこの保護基板側か
らレーザー光を照射する場合、使用レーザー光に対し透
明でなくてはならず、単なる保護板として用いる場合に
は、透明性は問わない。使用可能な基板材料としては前
記の基板材料と全く同様であり、ポリエステル、アクリ
ル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポリオレ
フィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミ
ドなどのプラスチック、またはガラス、セラミック、あ
るいは金属などを用いることができる。

【００８５】＜接着材＞接着剤としては、２枚の光記録
媒体を接着することができて安定性のあるものであれば
どのようなタイプのものでも構わないが生産性を考えた
場合には、紫外線硬化型もしくはホットメルト型接着剤
が好ましい。

【００８６】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。ただし、本発明はなんら実施例に限定されるも
のではない。

【００８７】実施例１〜５下記構造式（１）、（７）、（１０）（１２）、（１
５）で表されるコロール誘導体とアクリル系フォトポリ
マーの混合系（重合体／ポリマー：６０／４０ｗｔ％）
からなるクロロホルム溶液をそれぞれ調製し、各溶液を
厚さ１．０ｍｍの石英基板上にスピンナー塗布した後、
紫外線を照射して硬化させ、各評価用マスク膜を作製し
た。膜厚は、硬化膜中のコロール誘導体の最大吸収波長
での吸光度が約１となるように設定した。

【００８８】

【化２７】

【００８９】

【化２８】

【００９０】

【化２９】

【００９１】

【化３０】

【００９２】

【化３１】

【００９３】実施例６前記実施例１〜５において用いたコロール誘導体に替え
て、下記構造式（２）で表されるコロール誘導体を用い
たほかは、実施例１〜５と全く同様にして評価用マスク
膜を作製した。

【００９４】

【化３２】

【００９５】比較例１下記構造式（Ｒ−１）で示されるポルフィリン誘導体と
ポリスチレンを用いて、厚さ１．０ｍｍの石英基板上に
共蒸着させて膜を形成し評価用マスク膜を作製した。

【００９６】

【化３３】

【００９７】＜評価＞前記実施例１〜６、および比較例
１で作製した評価用マスク膜に、発振波長４０５ｎｍの
半導体レーザを照射して平衡に達したときの透過率を測
定し、そのレーザ光強度と透過率の関係を調べた。評価
結果を表１に示す。

【００９８】

【表１】

【００９９】＜評価結果＞本発明のコロール誘導体から
なる評価用マスク膜は、いずれも４０５ｎｍのレーザ光
強度に対し、その透過率に顕著な非線形性が見られ超解
像マスクとして機能することが確認できた。一方、比較
例の場合には、透過率がレーザ光強度に対して直線的に
上昇する変化を示して非線形性は認められず、超解像マ
スクとして機能することは確認できなかった。

【０１００】

【発明の効果】本発明の、基板上に設けた記録層の記録
・再生光が入射する側に、特定の構造を有するコロール
誘導体を含有する超解像マスクを設けることにより、４
００〜５５０ｎｍの短波長光の回折限界を超えた高記録
密度で記録・再生を可能とし、さらに高転送速度を実現
する光記録媒体が提供される。また、本発明の光記録媒
体の記録・再生光として青色レーザを用いることによ
り、超解像現象を利用した高密度記録・再生の可能な光
記録媒体の記録方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】超解像マスクによる光学開口形成を示す概念図
である。

【図２】超解像マスク膜における入射光強度と透過率と
の非線形関係を示す概念図である。

【図３】本発明の光記録媒体において記録・再生光が基
板側から入射する場合の構成例を示す層構成断面図であ
る。

【図４】本発明の光記録媒体において記録・再生光が記
録層から入射する場合の構成例を示す層構成断面図であ
る。

【図５】本発明の光記録媒体において記録・再生光が基
板側から入射する場合の反射層を有する構成例を示す層
構成断面図である。

【図６】本発明の光記録媒体において記録光が記録層
側、再生光が基板側から入射する場合の構成例を示す層
構成断面図である。

【図７】本発明の光記録媒体において記録光が基板側、
再生光が記録層側から入射する場合の構成例を示す層構
成断面図である。

【符号の説明】

１基板２超解像マスク層２Ａ超解像マスク層（超解像記録層）２Ｂ超解像マスク層（超解像再生層）３記録層４反射層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者植野泰伸東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内Ｆターム(参考） 2H123 AB00 BA63 5D029 JB47 MA02 MA03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に記録層を設けてなる光記録媒体
において、前記記録層の記録・再生光が入射する側に、
コロール誘導体を含有する超解像マスク層を設けたこと
を特徴とする光記録媒体。
【請求項２】前記コロール誘導体が下記一般式（I）
で示される構造を有する化合物であることを特徴とする
請求項１記載の光記録媒体。【化１】（一般式（I）において、Ｒ_１〜Ｒ_８、Ｘ_１〜Ｘ_３はそ
れぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シア
ノ基、水酸基、カルボキシル基、置換もしくは未置換の
アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換も
しくは未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のア
ミノ基、置換もしくは未置換のアシル基を表す。なお、
置換もしくは未置換のアリール基は、酸素原子または硫
黄原子を介して結合していてもよい。また、Ｒ_１〜Ｒ_８
の少なくとも１つは水素原子以外の前記いずれかの基で
あるものとする。Ｍ_１はそれぞれ独立に３個の水素原
子、または酸素原子、ハロゲン原子あるいは水酸基を有
していてもよい２価、３価もしくは４価の金属原子、ま
たは(ＯＹ₁)ｐ、(ＯＳｉＹ₂Ｙ₃Ｙ₄)ｑ、(ＯＰＯＹ₅Ｙ ₆)
ｒ、(ＯＣＯＹ₇)ｓを有していてもよい金属原子を表す
（ただし、式中Ｙ₁〜Ｙ ₇はそれぞれ独立に水素原子、置
換もしくは未置換の脂肪族あるいは芳香族の炭化水素基
を表し、ｐ,ｑ,ｒ,ｓはそれぞれ独立に０〜２の整数を
表す。）。）
【請求項３】前記コロール誘導体が下記一般式（II）
で示される構造を有する化合物であることを特徴とする
請求項１記載の光記録媒体。【化２】（一般式（II）において、Ｒ_９〜Ｒ_１６、Ｘ_４〜Ｘ_６は
それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シ
アノ基、水酸基、カルボキシル基、置換もしくは未置換
のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換
もしくは未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換の
アミノ基、置換もしくは未置換のアシル基を表す。な
お、置換もしくは未置換のアリール基は、酸素原子また
は硫黄原子を介して結合していてもよい。また、Ｒ_９〜
Ｒ_１６の少なくとも１つは水素原子以外の前記いずれか
の基であるものとする。Ｍ_２はそれぞれ独立に３個の水
素原子、または酸素原子、ハロゲン原子あるいは水酸基
を有していてもよい２価、３価もしくは４価の金属原
子、または(ＯＹ₁)ｐ、(ＯＳｉＹ₂Ｙ₃Ｙ₄)ｑ、(ＯＰＯ
Ｙ₅Ｙ₆)ｒ、(ＯＣＯＹ₇)ｓを有していてもよい金属原子
を表す（ただし、式中Ｙ ₁〜Ｙ₇はそれぞれ独立に水素原
子、置換もしくは未置換の脂肪族あるいは芳香族の炭化
水素基を表し、ｐ,ｑ,ｒ,ｓはそれぞれ独立に０〜２の
整数を表す。）。）
【請求項４】前記コロール誘導体が下記一般式（II
I）で示される構造を有する化合物であることを特徴と
する請求項１記載の光記録媒体。【化３】（一般式（III）において、Ｒ_１７〜Ｒ_２４、Ｘ_７〜Ｘ
_９はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ
基、シアノ基、水酸基、カルボキシル基、置換もしくは
未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール
基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換もしくは
未置換のアミノ基、置換もしくは未置換のアシル基を表
す。なお、置換もしくは未置換のアリール基は、酸素原
子または硫黄原子を介して結合していてもよい。また、
Ｒ_１７〜Ｒ_２４の少なくとも１つは水素原子以外の前記
いずれかの基であるものとする。Ｍ_３はそれぞれ独立に
３個の水素原子、または酸素原子、ハロゲン原子あるい
は水酸基を有していてもよい２価、３価もしくは４価の
金属原子、または(ＯＹ₁)ｐ、(ＯＳｉＹ₂Ｙ₃Ｙ₄)ｑ、
(ＯＰＯＹ₅Ｙ₆)ｒ、(ＯＣＯＹ₇)ｓを有していてもよい
金属原子を表す（ただし、式中Ｙ₁〜Ｙ₇はそれぞれ独立
に水素原子、置換もしくは未置換の脂肪族あるいは芳香
族の炭化水素基を表し、ｐ,ｑ,ｒ,ｓはそれぞれ独立に
０〜２の整数を表す。）。）
【請求項５】前記コロール誘導体が下記一般式（IV）
で示される構造を有する化合物であることを特徴とする
請求項１記載の光記録媒体。【化４】（一般式（IV）において、Ｒ_２５〜Ｒ_３２、Ｘ_１０〜Ｘ
_１２はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ
基、シアノ基、水酸基、カルボキシル基、置換もしくは
未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール
基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換もしくは
未置換のアミノ基、置換もしくは未置換のアシル基を表
す。なお、置換もしくは未置換のアリール基は、酸素原
子または硫黄原子を介して結合していてもよい。また、
Ｒ_２５〜Ｒ_３２の少なくとも１つは水素原子以外の前記
いずれかの基であるものとする。Ｍ_４はそれぞれ独立に
３個の水素原子、または酸素原子、ハロゲン原子あるい
は水酸基を有していてもよい２価、３価もしくは４価の
金属原子、または(ＯＹ₁)ｐ、(ＯＳｉＹ₂Ｙ₃Ｙ₄)ｑ、
(ＯＰＯＹ₅Ｙ₆)ｒ、(ＯＣＯＹ₇)ｓを有していてもよい
金属原子を表す（ただし、式中Ｙ₁〜Ｙ₇はそれぞれ独立
に水素原子、置換もしくは未置換の脂肪族あるいは芳香
族の炭化水素基を表し、ｐ,ｑ,ｒ,ｓはそれぞれ独立に
０〜２の整数を表す。）。）
【請求項６】前記コロール誘導体が下記一般式（V）
で示される構造を有する化合物であることを特徴とする
請求項１記載の光記録媒体。【化５】（一般式（V）において、Ｒ_３３〜Ｒ_４０、Ｘ_１３〜Ｘ
_１５はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ
基、シアノ基、水酸基、カルボキシル基、置換もしくは
未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール
基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換もしくは
未置換のアミノ基、置換もしくは未置換のアシル基を表
す。なお、置換もしくは未置換のアリール基は、酸素原
子または硫黄原子を介して結合していてもよい。また、
Ｒ_３３〜Ｒ_４０の少なくとも１つは水素原子以外の前記
いずれかの基であるものとする。Ｍ_５はそれぞれ独立に
３個の水素原子、または酸素原子、ハロゲン原子あるい
は水酸基を有していてもよい２価、３価もしくは４価の
金属原子、または(ＯＹ₁)ｐ、(ＯＳｉＹ₂Ｙ₃Ｙ₄)ｑ、
(ＯＰＯＹ₅Ｙ₆)ｒ、(ＯＣＯＹ₇)ｓを有していてもよい
金属原子を表す（ただし、式中Ｙ₁〜Ｙ₇はそれぞれ独立
に水素原子、置換もしくは未置換の脂肪族あるいは芳香
族の炭化水素基を表し、ｐ,ｑ,ｒ,ｓはそれぞれ独立に
０〜２の整数を表す。）。）
【請求項７】前記コロール誘導体が金属コロール誘導
体であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記
載の光記録媒体。
【請求項８】前記コロール誘導体が原子量３０以上の
重原子で置換されていることを特徴とする請求項１〜７
のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項９】前記コロール誘導体がハロゲン原子で置
換されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか
に記載の光記録媒体。
【請求項１０】前記ハロゲン原子がＢｒもしくはＩで
あることを特徴とする請求項９記載の光記録媒体。
【請求項１１】前記コロール誘導体の記録・再生波長
における分子吸光係数が１０００００以上で、緩和時間
τが１ｎｓ≦τ≦１００ｎｓであることを特徴とする請
求項１〜１０のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項１２】前記超解像マスク層が、コロール誘導
体と紫外線硬化性樹脂とからなることを特徴とする請求
項１〜１１のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項１３】前記超解像マスク層が、コロール誘導
体と熱硬化性樹脂とからなることを特徴とする請求項１
〜１１のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項１４】前記記録層の記録・再生光の入射側に
設けられた前記超解像マスク層が超解像再生層であるこ
とを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の光記
録媒体。
【請求項１５】前記記録層の記録・再生光の入射が該
記録層の両側である場合に、該記録層を挟んで両側にそ
れぞれ設けられた超解像マスク層の一方が超解像記録層
であり、他方が超解像再生層であることを特徴とする請
求項１〜１３のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項１６】請求項１〜１３のいずれかに記載の光
記録媒体を、波長４００ｎｍ〜５５０ｎｍのレーザ光を
用いて超解像マスク層側から照射し、記録・再生するこ
とを特徴とする光記録媒体の記録・再生方法。