JP2003212676A - 接合に先立って非酸化物セラミック基板の接着性を改善する方法 - Google Patents
接合に先立って非酸化物セラミック基板の接着性を改善する方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上のいかなる電源部品も汚染することな
く、接合部の強度を高め、経時的信頼性を高めることを
確実にするための、接合に先立って非酸化物セラミック
基板の接着性を改善する方法であって、実施が簡単で経
済的な方法を提案する。 【解決手段】 接合に先立って非酸化物セラミック基板
１の接着性を改善する方法は、エキシマレーザーを用い
て、接合すべきセラミック基板１の表面を照射するステ
ップと、照射済みの表面にカップリング剤を塗布するス
テップとを含むことを特徴とする。
く、接合部の強度を高め、経時的信頼性を高めることを
確実にするための、接合に先立って非酸化物セラミック
基板の接着性を改善する方法であって、実施が簡単で経
済的な方法を提案する。 【解決手段】 接合に先立って非酸化物セラミック基板
１の接着性を改善する方法は、エキシマレーザーを用い
て、接合すべきセラミック基板１の表面を照射するステ
ップと、照射済みの表面にカップリング剤を塗布するス
テップとを含むことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、接合に先立って非
酸化物セラミック基板の接着性を改善する方法に関す
る。本発明による方法は、特に電源半導体部品を担持す
るセラミック基板であって、鉄道業界分野のインバータ
に使用される冷却マニホールドに接合されるべきセラミ
ック基板の調製に適用される。
酸化物セラミック基板の接着性を改善する方法に関す
る。本発明による方法は、特に電源半導体部品を担持す
るセラミック基板であって、鉄道業界分野のインバータ
に使用される冷却マニホールドに接合されるべきセラミ
ック基板の調製に適用される。
【０００２】
【従来の技術】電源部品を担持する窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）基板を冷却マニホールドに接合することは、
インバータの業界で知られており、通常、化学的、機械
的、または熱的方法を用いて表面を洗浄することによ
り、接合すべき表面を調製するステップを含む。最新の
組立方法では、アルゴンと酸素の混合物からなるコール
ドプラズマを用いた方法により表面を洗浄する。この方
法は、クリーンルーム環境において用いられることが可
能であるが、依然として、真空容器が必要であり、この
ため時間を要し、且つ複雑であるという欠点がある。
（ＡｌＮ）基板を冷却マニホールドに接合することは、
インバータの業界で知られており、通常、化学的、機械
的、または熱的方法を用いて表面を洗浄することによ
り、接合すべき表面を調製するステップを含む。最新の
組立方法では、アルゴンと酸素の混合物からなるコール
ドプラズマを用いた方法により表面を洗浄する。この方
法は、クリーンルーム環境において用いられることが可
能であるが、依然として、真空容器が必要であり、この
ため時間を要し、且つ複雑であるという欠点がある。
【０００３】また、従来用いられている洗浄方法は概し
て、セラミック基板に設置された電源部品を汚染し、得
られた接合されたセラミック／ポリマー結合は、化学的
観点からは非常に弱く、特に化学的または機械的に洗浄
された、処置の前には本質的に疎水性であった表面が、
処置後には親水性となるので、水分が界面に容易に入り
込む。この結果、鉄道業界分野のインバータと同様、得
られた接合された界面は高熱且つ高湿な環境において、
信頼性がない。
て、セラミック基板に設置された電源部品を汚染し、得
られた接合されたセラミック／ポリマー結合は、化学的
観点からは非常に弱く、特に化学的または機械的に洗浄
された、処置の前には本質的に疎水性であった表面が、
処置後には親水性となるので、水分が界面に容易に入り
込む。この結果、鉄道業界分野のインバータと同様、得
られた接合された界面は高熱且つ高湿な環境において、
信頼性がない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】また、本発明の目的
は、基板上のいかなる電源部品も汚染することなく、接
合部の強度を高め、経時的信頼性を高めることを確実に
するための、接合に先立って非酸化物セラミック基板の
接着性を改善する方法であって、実施が簡単で経済的な
方法を提案することである。
は、基板上のいかなる電源部品も汚染することなく、接
合部の強度を高め、経時的信頼性を高めることを確実に
するための、接合に先立って非酸化物セラミック基板の
接着性を改善する方法であって、実施が簡単で経済的な
方法を提案することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、接合に先立って非酸化物セラミック基板
の接着性を改善する方法であって、エキシマレーザーを
用いて、接合すべきセラミック基板の表面を照射するス
テップと、照射済みの表面にカップリング剤を塗布する
ステップとを含むことを特徴とする方法を提供する。
に、本発明は、接合に先立って非酸化物セラミック基板
の接着性を改善する方法であって、エキシマレーザーを
用いて、接合すべきセラミック基板の表面を照射するス
テップと、照射済みの表面にカップリング剤を塗布する
ステップとを含むことを特徴とする方法を提供する。
【０００６】本発明にしたがう、非酸化物セラミック基
板の接着性を改善する方法の具体的な実施態様は、単独
またはすべての技術的に実行可能な組み合わせにおい
て、一またはそれ以上の以下の特徴を有することができ
る。すなわち、エキシマレーザーにより供給されるエネ
ルギー密度は、１〜１００Ｈｚの周波数で０．５〜２Ｊ
／ｃｍ２である。
板の接着性を改善する方法の具体的な実施態様は、単独
またはすべての技術的に実行可能な組み合わせにおい
て、一またはそれ以上の以下の特徴を有することができ
る。すなわち、エキシマレーザーにより供給されるエネ
ルギー密度は、１〜１００Ｈｚの周波数で０．５〜２Ｊ
／ｃｍ２である。
【０００７】レーザーが２４８ｎｍで放射するＫｒＦエ
キシマレーザーである。
キシマレーザーである。
【０００８】レーザーが１９３ｎｍで放射するＡｒＦエ
キシマレーザーである。
キシマレーザーである。
【０００９】基板がＡｌＮ、ＳｉＣ、またはＳｉ３Ｎ４
からなる。
からなる。
【００１０】カップリング剤がシラン水溶液である。
【００１１】また本発明は、変性エポキシ樹脂を用い
て、非酸化物セラミック基板を冷却液マニホールドに接
着することによる組立方法であって、前述した方法によ
り、基板をマニホールドに接合するのに先立って、接合
すべき基板の表面を処理するステップを含むことを特徴
とする方法を提供する。
て、非酸化物セラミック基板を冷却液マニホールドに接
着することによる組立方法であって、前述した方法によ
り、基板をマニホールドに接合するのに先立って、接合
すべき基板の表面を処理するステップを含むことを特徴
とする方法を提供する。
【００１２】本発明にしたがう接合による組立方法の他
の特徴によると、冷却液マニホールドはポリエーテルイ
ミドからなる。
の特徴によると、冷却液マニホールドはポリエーテルイ
ミドからなる。
【００１３】本発明はさらに、非酸化物セラミック基板
の一方の面上に配置された電源半導体部品を含む電源モ
ジュールであって、前記基板の他方の面が、前記基板に
冷却液を導くプラスチック材料マニホールド上に搭載さ
れており、前述の方法を用いて、コレクタが前記基板に
接合されていることを特徴とする電源モジュールを提供
する。
の一方の面上に配置された電源半導体部品を含む電源モ
ジュールであって、前記基板の他方の面が、前記基板に
冷却液を導くプラスチック材料マニホールド上に搭載さ
れており、前述の方法を用いて、コレクタが前記基板に
接合されていることを特徴とする電源モジュールを提供
する。
【００１４】本発明の目的、態様、および利点は、以下
に詳述される本発明の具体的な一実施態様により、より
一層理解されるであろう。この実施態様を、非制限的な
例として、添付の図面を参照して説明する。
に詳述される本発明の具体的な一実施態様により、より
一層理解されるであろう。この実施態様を、非制限的な
例として、添付の図面を参照して説明する。
【００１５】図を単純化するため、本発明の理解に必要
な部品のみを図示した。いずれの図にも、同一の部品に
は同一の参照符号を付した。
な部品のみを図示した。いずれの図にも、同一の部品に
は同一の参照符号を付した。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１および図２は、冷却フィン２
を備える底面と、電源半導体部品１０を受ける平らな上
面とを有する窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板１を示
す。これらの図に示されているように、基板の底面の外
周には、図３および図４に示される、ポリエーテルイミ
ド製のウォーターマニホールド５に接合されるのに適し
た、下方に突出するリム３を有する。
を備える底面と、電源半導体部品１０を受ける平らな上
面とを有する窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板１を示
す。これらの図に示されているように、基板の底面の外
周には、図３および図４に示される、ポリエーテルイミ
ド製のウォーターマニホールド５に接合されるのに適し
た、下方に突出するリム３を有する。
【００１７】図３および図４に示されるように、ウォー
ターマニホールド５はその頂部に、基板１のリム３の形
状に相補的な形状を有する溝４を備える、リム７に縁取
られた開口６を有する。開口６の底部は、マニホールド
５の本体中で縦方向に延在し、両端から冷却水が供給さ
れる流路９に向かって開口する局部スロット８を備える
壁で閉鎖される。
ターマニホールド５はその頂部に、基板１のリム３の形
状に相補的な形状を有する溝４を備える、リム７に縁取
られた開口６を有する。開口６の底部は、マニホールド
５の本体中で縦方向に延在し、両端から冷却水が供給さ
れる流路９に向かって開口する局部スロット８を備える
壁で閉鎖される。
【００１８】次に、基板１のウォーターマニホールド５
への接合に先立って、基板１の接着性を改善する方法を
説明する。
への接合に先立って、基板１の接着性を改善する方法を
説明する。
【００１９】ＡｌＮ基板１のリム３の表面を、２４８ｎ
ｍで紫外線を放射するＫｒＦエキシマレーザーを用いて
局部的に処理する。他の実施態様においては、局部的処
理に、１９３ｎｍで放射するＡｒＦエキシマレーザーを
用いる。
ｍで紫外線を放射するＫｒＦエキシマレーザーを用いて
局部的に処理する。他の実施態様においては、局部的処
理に、１９３ｎｍで放射するＡｒＦエキシマレーザーを
用いる。
【００２０】表面処理の条件は以下の通りである。すな
わち、０．５〜２Ｊ／ｃｍ２、好ましくは０．６〜１Ｊ
／ｃｍ２のパワー、１〜１００Ｈｚ、好ましくは５〜２
０Ｈｚの発振周波数、１〜１００の発振回数である。
わち、０．５〜２Ｊ／ｃｍ２、好ましくは０．６〜１Ｊ
／ｃｍ２のパワー、１〜１００Ｈｚ、好ましくは５〜２
０Ｈｚの発振周波数、１〜１００の発振回数である。
【００２１】表面処理により、ＡｌＮの化学結合が分解
され、分解された窒化アルミニウムが局部的に得られ
る。得られた、多かれ少なかれ酸化されたアルミニウム
は、シラン水溶液等のカップリング剤と容易に化学結合
を形成する。カップリング剤は、例えば基板１のリム３
をシランのバスに浸けることによって、簡単にリム３に
塗布される。
され、分解された窒化アルミニウムが局部的に得られ
る。得られた、多かれ少なかれ酸化されたアルミニウム
は、シラン水溶液等のカップリング剤と容易に化学結合
を形成する。カップリング剤は、例えば基板１のリム３
をシランのバスに浸けることによって、簡単にリム３に
塗布される。
【００２２】湿潤環境（グリコールを含む水、水）にお
けるセラミック／ポリマー接合部のエージング耐性を改
善するのに好適なシランは、ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３
Ｓｉ（ＯＣＨ３）３の化学式を有するγ−グリシドオキ
シプロピルトリメトキシシラン（γ−ＧＰＳ）と、ＮＨ
２−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３の化学式を有す
るγ−アミノプロピルトリエトキシシランである。
けるセラミック／ポリマー接合部のエージング耐性を改
善するのに好適なシランは、ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３
Ｓｉ（ＯＣＨ３）３の化学式を有するγ−グリシドオキ
シプロピルトリメトキシシラン（γ−ＧＰＳ）と、ＮＨ
２−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３の化学式を有す
るγ−アミノプロピルトリエトキシシランである。
【００２３】次いで、ＡｌＮ基板１のリム３上のシラン
を重合させる。
を重合させる。
【００２４】次に、図５に示すように、リム３と溝４と
の間の界面に変性エポキシ樹脂１１を用いて、従来の方
法で基板１をマニホールド５に接着することができる。
の間の界面に変性エポキシ樹脂１１を用いて、従来の方
法で基板１をマニホールド５に接着することができる。
【００２５】シランを、表面の照射後できるだけ早くリ
ムに塗布することが好ましく、変性エポキシ樹脂を用い
た接着は、シランを重合してから２日以内に行われるこ
とが好ましい。また、接着性を改善する本発明にしたが
う方法により処理した部品は、制御雰囲気中に保管され
ることが好ましい。
ムに塗布することが好ましく、変性エポキシ樹脂を用い
た接着は、シランを重合してから２日以内に行われるこ
とが好ましい。また、接着性を改善する本発明にしたが
う方法により処理した部品は、制御雰囲気中に保管され
ることが好ましい。
【００２６】ＡｌＮ基板１のリム３の接着性を改善する
方法は、例えば、１Ｊ／ｃｍ２、１０Ｈｚ、および５０
回の発振のＫｒＦレーザー照射を用いた表面処理のステ
ップと、照射済みのリム３にγ−ＧＰＳの０．５％濃度
溶液を塗布するステップと、リム３上に付着されたγ−
ＧＰＳ溶液を１１０℃で１５分間重合するステップとか
らなる。
方法は、例えば、１Ｊ／ｃｍ２、１０Ｈｚ、および５０
回の発振のＫｒＦレーザー照射を用いた表面処理のステ
ップと、照射済みのリム３にγ−ＧＰＳの０．５％濃度
溶液を塗布するステップと、リム３上に付着されたγ−
ＧＰＳ溶液を１１０℃で１５分間重合するステップとか
らなる。
【００２７】窒化アルミニウム基板の上記の処置を試行
した結果、基板１とマニホールド５との間の接合部の耐
久性が、使用したエポキシ樹脂の種類により４倍から１
６倍に増加していることが分かった。
した結果、基板１とマニホールド５との間の接合部の耐
久性が、使用したエポキシ樹脂の種類により４倍から１
６倍に増加していることが分かった。
【００２８】接着性を改善するための本発明にしたがう
上記のような方法によって、強力な化学結合を有する、
耐久性および信頼性の高い接合部が得られる。シラン
は、エキシマレーザーによって酸化された無機基板とシ
ロキサン型共有結合を形成する。この結合は、ポリマー
を同基板に接触させた際に発現する結合よりも水に対す
る感受性がかなり低い。したがって、界面での水分の浸
透を遅らせることが可能であり、これにより、特に高温
且つ高湿な環境において、組立体の耐用年数を増加する
ことができる。
上記のような方法によって、強力な化学結合を有する、
耐久性および信頼性の高い接合部が得られる。シラン
は、エキシマレーザーによって酸化された無機基板とシ
ロキサン型共有結合を形成する。この結合は、ポリマー
を同基板に接触させた際に発現する結合よりも水に対す
る感受性がかなり低い。したがって、界面での水分の浸
透を遅らせることが可能であり、これにより、特に高温
且つ高湿な環境において、組立体の耐用年数を増加する
ことができる。
【００２９】また、接着性を改善するための本発明にし
たがう方法は、非汚染性のエキシマレーザー処理を、特
別な容器を必要とすることなく、クリーンルーム環境に
おいて行うことができるので、低コストであるという利
点を有する。
たがう方法は、非汚染性のエキシマレーザー処理を、特
別な容器を必要とすることなく、クリーンルーム環境に
おいて行うことができるので、低コストであるという利
点を有する。
【００３０】もちろん、本発明は、例としてのみ与えら
れた、詳述され且つ図示された実施態様に限定されるも
のでなく、特に種々の部品の組み合わせ、または技術的
均等物の置き換えの観点から、本発明の保護の範囲を逸
脱することなく変更可能である。したがって、本発明の
他の実施態様において、基板は炭化珪素（ＳｉＣ）、ま
たは窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）製とすることが可能であ
る。
れた、詳述され且つ図示された実施態様に限定されるも
のでなく、特に種々の部品の組み合わせ、または技術的
均等物の置き換えの観点から、本発明の保護の範囲を逸
脱することなく変更可能である。したがって、本発明の
他の実施態様において、基板は炭化珪素（ＳｉＣ）、ま
たは窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）製とすることが可能であ
る。
【図１】本発明の方法に従ってウォーターマニホールド
に接着可能な基板の底面図である。
に接着可能な基板の底面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った切断面におけるマ
ニホールドの図である。
ニホールドの図である。
【図３】図１に示された基板に接着可能なウォーターマ
ニホールドの上面図である。
ニホールドの上面図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線に沿った切断面におけるマ
ニホールドの図である。
ニホールドの図である。
【図５】図３のマニホールドに取り付けられた図１の基
板を示す断面図である。
板を示す断面図である。
１ 非酸化物セラミック基板
２ 冷却フィン
３、７ リム
４ 溝
５ 冷却液マニホールド
６ 開口
８ 局部的スロット
９ 流路
１０ 電源半導体部品
１１ 変性エポキシ樹脂
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 23/473 Ｂ２９Ｋ 77:00
// Ｂ２９Ｋ 77:00 Ｂ２９Ｌ 24:00
Ｂ２９Ｌ 24:00 Ｈ０１Ｌ 23/46 Ｚ
(72)発明者 ジエローム・エビウ
フランス国、65000・タルブ、リユ・ド
ウ・ラドウール、２、レジダンス・ル・ポ
ン・ビウ
(72)発明者 イブ・バジアール
フランス国、65000・タルブ、リユ・ビク
トル・ユーゴー、22
Ｆターム(参考） 4D075 BB44Y BB48Y BB94Y CA12
DA06 DB14 DC19 DC21 EA06
EA07 EB33 EB43 EC45
4F211 AA40 AD04 AD32 AD33 AD34
AG03 AG06 AH33 AK03 TA03
TC02 TD11 TH02 TH03 TH22
TH24 TN27 TN46
5F036 AA01 BA05 BA24 BB05 BB41
BC05
Claims (9)
- 【請求項１】 接合に先立って非酸化物セラミック基板
（１）の接着性を改善する方法であって、 化学結合を変性するために、エキシマレーザーを用い
て、接合すべきセラミック基板（１）の表面を照射する
ステップと、 照射済みの表面にカップリング剤を塗布し、カップリン
グ剤と、セラミック基板の照射により得られた酸化表面
との間に化学結合を発生させるステップとを含むことを
特徴とする方法。 - 【請求項２】 エキシマレーザーにより供給されるエネ
ルギー密度は、１〜１００Ｈｚの周波数で０．５〜２Ｊ
／ｃｍ２であることを特徴とする、請求項１に記載の方
法。 - 【請求項３】 前記レーザーが、２４８ｎｍで放射する
ＫｒＦエキシマレーザーであることを特徴とする、請求
項１または２に記載の方法。 - 【請求項４】 前記レーザーが、１９３ｎｍで放射する
ＡｒＦエキシマレーザーであることを特徴とする、請求
項１または２に記載の方法。 - 【請求項５】 前記基板（１）が、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ま
たはＳｉ３Ｎ４からなることを特徴とする、請求項１か
ら４のいずれか一項に記載の方法。 - 【請求項６】 前記カップリング剤が、シラン水溶液で
あることを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項
に記載の方法。 - 【請求項７】 変性エポキシ樹脂（１１）を用いて、非
酸化物セラミック基板（１）を冷却液マニホールド
（５）に接合することによる組立方法であって、基板
（１）をマニホールド（５）に接合するのに先立って、
請求項１から６のいずれか一項に記載の方法に従い、接
合すべき基板の表面を処理するステップを含むことを特
徴とする方法。 - 【請求項８】 前記冷却液マニホールド（５）が、ポリ
エーテルイミドからなることを特徴とする、請求項７に
記載の方法。 - 【請求項９】 非酸化物セラミック基板（１）の一方の
面上に配置された電源半導体部品（１０）を含む電源モ
ジュールであって、前記基板（１）の他方の面が、前記
基板（１）に冷却液を導くプラスチック材料マニホール
ド（５）上に搭載されており、請求項７または８に記載
の方法を用いて、前記コレクタ（５）が前記基板（１）
に接合されていることを特徴とする電源モジュール。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0112185 | 2001-09-21 | ||
| FR0112185A FR2830008B1 (fr) | 2001-09-21 | 2001-09-21 | Procede pour ameliorer les proprietes d'adhesion d'un substrat ceramique de la famille des non-oxydes en vue de son collage |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003212676A true JP2003212676A (ja) | 2003-07-30 |
| JP4335509B2 JP4335509B2 (ja) | 2009-09-30 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002271050A Expired - Fee Related JP4335509B2 (ja) | 2001-09-21 | 2002-09-18 | 接合に先立って非酸化物セラミック基板の接着性を改善する方法 |
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|---|---|
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| EP (1) | EP1300378B1 (ja) |
| JP (1) | JP4335509B2 (ja) |
| CA (1) | CA2404804C (ja) |
| DE (1) | DE60222847T2 (ja) |
| ES (1) | ES2295304T3 (ja) |
| FR (1) | FR2830008B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007227902A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-09-06 | Delphi Technologies Inc | マイクロチャンネルヒートシンク |
| JP2008284782A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Hamamatsu Photonics Kk | 樹脂・ガラス溶着方法及び樹脂・ガラス溶着装置 |
| JP2013097968A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Showa Denko Packaging Co Ltd | 空気二次電池用外装材、空気二次電池用外装材の製造方法及び空気二次電池 |
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|---|---|---|---|---|
| US6992887B2 (en) * | 2003-10-15 | 2006-01-31 | Visteon Global Technologies, Inc. | Liquid cooled semiconductor device |
| US7190581B1 (en) * | 2005-01-11 | 2007-03-13 | Midwest Research Institute | Low thermal resistance power module assembly |
| DE102006006175A1 (de) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Ecpe Engineering Center For Power Electronics Gmbh | Leistungselektronikanordnung |
| US20070236883A1 (en) * | 2006-04-05 | 2007-10-11 | Javier Ruiz | Electronics assembly having heat sink substrate disposed in cooling vessel |
| JP4857017B2 (ja) * | 2006-04-27 | 2012-01-18 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
| US9252069B2 (en) * | 2010-08-31 | 2016-02-02 | Teledyne Scientific & Imaging, Llc | High power module cooling system |
| DE102015215682A1 (de) * | 2015-08-18 | 2016-09-08 | Continental Automotive Gmbh | Kühlvorrichtung, Leistungselektronikanordnung mit einer Kühlvorrichtung |
| US11022383B2 (en) | 2016-06-16 | 2021-06-01 | Teledyne Scientific & Imaging, Llc | Interface-free thermal management system for high power devices co-fabricated with electronic circuit |
| US11552447B2 (en) * | 2019-12-03 | 2023-01-10 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Condensation prevention for high-power laser systems |
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|---|---|---|---|---|
| JP3422495B2 (ja) * | 1991-10-01 | 2003-06-30 | イビデン株式会社 | セラミックスｄｂｃ基板の製造方法 |
| FR2692887B1 (fr) * | 1992-06-29 | 1996-11-29 | Alsthom Cge Alcatel | Procede pour realiser une liaison entre du cuivre et un substrat pour l'electronique de puissance en ceramique non oxyde. |
| SK7399A3 (en) * | 1996-07-23 | 1999-07-12 | Ciba Sc Holding Ag | Metal surface treatment for improving its adhesion properties |
| DE19723591A1 (de) * | 1997-06-05 | 1998-12-10 | Hoechst Ag | Katalysator, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung zur Herstellung von Vinylacetat |
| DE19860135C2 (de) * | 1998-12-24 | 2003-02-06 | Sunyx Surface Nanotechnologies | Ultraphobe Oberfläche auf Basis von Wolframcarbit, ein Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
-
2001
- 2001-09-21 FR FR0112185A patent/FR2830008B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-08-28 EP EP02292108A patent/EP1300378B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-28 ES ES02292108T patent/ES2295304T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-28 DE DE60222847T patent/DE60222847T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-09-05 US US10/234,255 patent/US6960278B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-09-13 CA CA2404804A patent/CA2404804C/fr not_active Expired - Fee Related
- 2002-09-18 JP JP2002271050A patent/JP4335509B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2007227902A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-09-06 | Delphi Technologies Inc | マイクロチャンネルヒートシンク |
| JP2008284782A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Hamamatsu Photonics Kk | 樹脂・ガラス溶着方法及び樹脂・ガラス溶着装置 |
| JP2013097968A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Showa Denko Packaging Co Ltd | 空気二次電池用外装材、空気二次電池用外装材の製造方法及び空気二次電池 |
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| DE60222847T2 (de) | 2008-07-17 |
| JP4335509B2 (ja) | 2009-09-30 |
| EP1300378A1 (fr) | 2003-04-09 |
| EP1300378B1 (fr) | 2007-10-10 |
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| CA2404804A1 (fr) | 2003-03-21 |
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