JP2003209443A - 温度補償装置およびその装置を備えた電子機器 - Google Patents
温度補償装置およびその装置を備えた電子機器Info
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- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 22
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 241000349731 Afzelia bipindensis Species 0.000 description 1
- 101100116283 Arabidopsis thaliana DD11 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/02—Details
- H03B5/04—Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. power supply, load, temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/022—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature
- H03L1/023—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature by using voltage variable capacitance diodes
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】電子機器に使用されるトランジスタの真性容量
の変化を補償する補償装置を備えた電子機器を提供す
る。 【解決手段】電子機器は、補償装置６０２が可変容量と
して作用する手段の組合せを備えていることを特徴と
し、それが影響を補償するように可変容量は温度の関数
として変化し、また可変容量は真性容量に接続されてお
り、電圧制御発振器の周波数ドリフトを補償するのに有
利である。
の変化を補償する補償装置を備えた電子機器を提供す
る。 【解決手段】電子機器は、補償装置６０２が可変容量と
して作用する手段の組合せを備えていることを特徴と
し、それが影響を補償するように可変容量は温度の関数
として変化し、また可変容量は真性容量に接続されてお
り、電圧制御発振器の周波数ドリフトを補償するのに有
利である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、制御端子を有する
少なくとも１つのトランジスタおよび温度の関数として
可変値を伴う真性容量ジャンクション（intrinsic capa
citance junction）を備え、前記トランジスタは、前記
真性容量ジャンクションの変化の影響を補償するための
補償装置を伴う。
少なくとも１つのトランジスタおよび温度の関数として
可変値を伴う真性容量ジャンクション（intrinsic capa
citance junction）を備え、前記トランジスタは、前記
真性容量ジャンクションの変化の影響を補償するための
補償装置を伴う。
【０００２】本発明は、共振回路を備えた電子装置に多
数の用途があることに注意されたい。
数の用途があることに注意されたい。
【０００３】
【従来の技術】従来からトランジスタは、温度の関数と
して可変値を伴ういくつかの真性容量ジャンクションを
有することが知られている。特に、真性容量（intrinsi
c capacitances）の１つは、トランジスタの入力端子
（バイポーラトランジスタにおけるベース、電界効果ト
ランジスタにおけるゲートと呼ばれている）と出力端子
（バイポーラトランジスタにおけるコレクタ、電界効果
トランジスタにおけるドレインと呼ばれている）との間
に接続されている。ミラー効果（Miller effect）のた
めに、この真性容量はトランジスタのゲインによって増
幅された値を有し、従って、他の真性容量に対して有利
である。この真性容量は温度によって上昇する。
して可変値を伴ういくつかの真性容量ジャンクションを
有することが知られている。特に、真性容量（intrinsi
c capacitances）の１つは、トランジスタの入力端子
（バイポーラトランジスタにおけるベース、電界効果ト
ランジスタにおけるゲートと呼ばれている）と出力端子
（バイポーラトランジスタにおけるコレクタ、電界効果
トランジスタにおけるドレインと呼ばれている）との間
に接続されている。ミラー効果（Miller effect）のた
めに、この真性容量はトランジスタのゲインによって増
幅された値を有し、従って、他の真性容量に対して有利
である。この真性容量は温度によって上昇する。
【０００４】それが低い値を有していても、この真性容
量は、温度が上昇したときに、特に、電子装置が共振回
路を含む場合に、電子機器の動作の安定性に不利とな
る。実際に、共振回路が一般に並列に構成されたインダ
クタンスおよび容量（非真性容量（extrinsic capacita
nce）と呼ばれる）を含み、並びに、共振回路がトラン
ジスタを伴う場合には、その真性容量の容量性の影響
は、非真性容量へのカップリングによって累積する。こ
れにより、温度が変化したときに、共振回路によって生
成される信号の周波数の変化が生じ、共振回路の周波数
変動（frequency drift）がそれに伴って生じ、電子機
器の動作を不安定にする。
量は、温度が上昇したときに、特に、電子装置が共振回
路を含む場合に、電子機器の動作の安定性に不利とな
る。実際に、共振回路が一般に並列に構成されたインダ
クタンスおよび容量（非真性容量（extrinsic capacita
nce）と呼ばれる）を含み、並びに、共振回路がトラン
ジスタを伴う場合には、その真性容量の容量性の影響
は、非真性容量へのカップリングによって累積する。こ
れにより、温度が変化したときに、共振回路によって生
成される信号の周波数の変化が生じ、共振回路の周波数
変動（frequency drift）がそれに伴って生じ、電子機
器の動作を不安定にする。
【０００５】米国特許６，０４３，７２０には、真性容
量ジャンクションが温度の関数として変化する増幅トラ
ンジスタを備え、補償装置を伴う電子回路が記載されて
いる。温度の関数としてレベルが変化するバイアス信号
を生成する手段が設けられ、そのバイアス信号は、前記
トランジスタの真性容量の変化の影響を補償するために
電気回路のバイアスを変更する。正および負の温度係数
を有する追加的抵抗も設けられている。
量ジャンクションが温度の関数として変化する増幅トラ
ンジスタを備え、補償装置を伴う電子回路が記載されて
いる。温度の関数としてレベルが変化するバイアス信号
を生成する手段が設けられ、そのバイアス信号は、前記
トランジスタの真性容量の変化の影響を補償するために
電気回路のバイアスを変更する。正および負の温度係数
を有する追加的抵抗も設けられている。
【０００６】
【特許文献１】米国特許６，０４３，７２０
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】これらの補償手段には
いくつかの制限がある。
いくつかの制限がある。
【０００８】実際に、先行技術文献に用いられている手
段が発振器のバイアスパラメータの直接的変更から成る
限りにおいて、この解決策には、発振器の発振条件がも
はや予期できず、発振器の動作の不安定性を招き、さら
に、その動作が停止するという危険性がある。
段が発振器のバイアスパラメータの直接的変更から成る
限りにおいて、この解決策には、発振器の発振条件がも
はや予期できず、発振器の動作の不安定性を招き、さら
に、その動作が停止するという危険性がある。
【０００９】一方で、多数の要素が導入されるという点
で、使用される手段には補償パラメータの困難な調節が
要求される。パラメータのこの調節は、同一の要素がわ
ずかな特徴を有し得るので、与えられた発振器のみのた
めに特別に保証される。これは、バイアスパラメータの
調節が各発振器に対して実行されなければならないこと
を意味する。
で、使用される手段には補償パラメータの困難な調節が
要求される。パラメータのこの調節は、同一の要素がわ
ずかな特徴を有し得るので、与えられた発振器のみのた
めに特別に保証される。これは、バイアスパラメータの
調節が各発振器に対して実行されなければならないこと
を意味する。
【００１０】さらに、使用されている要素が多数である
ために、その解決策は、集積回路内に集積することが困
難になりかつコスト高になる。
ために、その解決策は、集積回路内に集積することが困
難になりかつコスト高になる。
【００１１】本発明の目的は、電子機器に使用されるト
ランジスタの真性容量の変化を補償する改善された補償
装置を備えた電子機器を提供することである。
ランジスタの真性容量の変化を補償する改善された補償
装置を備えた電子機器を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的のために、補
償装置は、可変容量として作用する手段の組合せを備え
ていることを特徴とし、それが前記影響を補償するよう
に、該可変容量は温度の関数として変化し、該該可変容
量は前記真性容量に接続されている。
償装置は、可変容量として作用する手段の組合せを備え
ていることを特徴とし、それが前記影響を補償するよう
に、該可変容量は温度の関数として変化し、該該可変容
量は前記真性容量に接続されている。
【００１３】可変容量は、その変化が可変容量および真
性容量に関する容量性の影響の累積による電子機器の動
作における真性容量の変化の影響を補償する。
性容量に関する容量性の影響の累積による電子機器の動
作における真性容量の変化の影響を補償する。
【００１４】このような解決策の利点は、真性容量に対
して直接に作用することであり、電子機器のバイアスパ
ラメータ（bias parameters）に作用することによっ
て、先行技術文献におけるもののように間接的ではな
い。実際に、本発明に従った補償装置は電子機器を構成
する要素のバイアスには作用しない。このことは、バイ
アスパラメータを変更することなしに補償装置が電子機
器に容易に導入され得るという点で、使用上の大きな自
由度を本発明に与える。従って、この提案された解決策
は、バイアスパラメータの変更によって生じる、前記電
子機器の動作の安定性の総ての変動を防止する。
して直接に作用することであり、電子機器のバイアスパ
ラメータ（bias parameters）に作用することによっ
て、先行技術文献におけるもののように間接的ではな
い。実際に、本発明に従った補償装置は電子機器を構成
する要素のバイアスには作用しない。このことは、バイ
アスパラメータを変更することなしに補償装置が電子機
器に容易に導入され得るという点で、使用上の大きな自
由度を本発明に与える。従って、この提案された解決策
は、バイアスパラメータの変更によって生じる、前記電
子機器の動作の安定性の総ての変動を防止する。
【００１５】本発明は、手段の組合せが、温度の関数と
してレベルが変化するバイアス信号を発生する手段と、
前記バイアス信号によって逆バイアスされるジャンクシ
ョンであって、逆バイアスされた該ジャンクションが前
記制御端子に接続されているところのジャンクションと
を備えていることによっても特徴付けられる。
してレベルが変化するバイアス信号を発生する手段と、
前記バイアス信号によって逆バイアスされるジャンクシ
ョンであって、逆バイアスされた該ジャンクションが前
記制御端子に接続されているところのジャンクションと
を備えていることによっても特徴付けられる。
【００１６】前記手段の組合せは、必要な構成要素の数
が少ないので経済的な解決をもたらす。
が少ないので経済的な解決をもたらす。
【００１７】本発明は、逆バイアスされたジャンクショ
ンの特性から、特に、所与のバイアス信号に対して所与
の容量が存在することから利点が得られる。発生手段に
ダイオードを付随させることは、温度が変化したときに
可変容量として動作させる。
ンの特性から、特に、所与のバイアス信号に対して所与
の容量が存在することから利点が得られる。発生手段に
ダイオードを付随させることは、温度が変化したときに
可変容量として動作させる。
【００１８】単一のジャンクションを使用すること自体
が、高価な部品であるバリキャップタイプ（varicap ty
pe）のダイオードを必要としないので有利である。
が、高価な部品であるバリキャップタイプ（varicap ty
pe）のダイオードを必要としないので有利である。
【００１９】この解決策は、補償装置とトランジスタ
（該トランジスタの真性容量は変更されなければならな
い）との接続には、該トランジスタの逆バイアスジャン
クションの単一接続しか含まれないために簡単であると
いう理由によっても有利である。
（該トランジスタの真性容量は変更されなければならな
い）との接続には、該トランジスタの逆バイアスジャン
クションの単一接続しか含まれないために簡単であると
いう理由によっても有利である。
【００２０】本発明は、発生手段が、温度の関数として
変化し得る電流を発生するために直列に構成された一組
のジャンクションと、前記バイアス信号を発生させる前
記可変電流のカレントミラー回路とを備えていることを
も特徴とする。
変化し得る電流を発生するために直列に構成された一組
のジャンクションと、前記バイアス信号を発生させる前
記可変電流のカレントミラー回路とを備えていることを
も特徴とする。
【００２１】このような発生手段は、温度が変化した場
合に、単調に振幅が変化するバイアス信号を発生するこ
とができる。これらの発生手段は、電子産業において現
に使用されている要素であり、よって、経済的な解決に
繋がる。
合に、単調に振幅が変化するバイアス信号を発生するこ
とができる。これらの発生手段は、電子産業において現
に使用されている要素であり、よって、経済的な解決に
繋がる。
【００２２】本発明は上述の特徴を有する補償装置にも
関する。
関する。
【００２３】本発明は、上述の特徴を有する少なくとも
１つの補償装置を備えた集積回路にも関する。
１つの補償装置を備えた集積回路にも関する。
【００２４】特に、本発明は、ＲＦ信号を受信するため
のチューナタイプ（tuner type）の電子機器に関し、該
チューナは、上述の特徴を有する少なくとも１つの補償
装置を備えている。
のチューナタイプ（tuner type）の電子機器に関し、該
チューナは、上述の特徴を有する少なくとも１つの補償
装置を備えている。
【００２５】一般に、チューナは、入力されたＲＦ信号
のうちの所与のチャネルを選択するために用いられるい
くつかの選択フィルタおよび、前記チャネルの周波数変
動に影響する混合器への信号を発生する少なくとも１つ
の発振器を備えている。そのフィルタとは対照的に、一
般に、発振器は、発振を維持する目的で、負のコンダク
タンスを生じるトランジスタタイプの能動素子を備えて
いる。選択フィルタの周波数および発振器の周波数は、
発振器により発生した信号の周波数を安定させる位相ロ
ックループ（以下、ＰＬＬと示される）から発生した固
有の可変制御電圧を用いて調節される。
のうちの所与のチャネルを選択するために用いられるい
くつかの選択フィルタおよび、前記チャネルの周波数変
動に影響する混合器への信号を発生する少なくとも１つ
の発振器を備えている。そのフィルタとは対照的に、一
般に、発振器は、発振を維持する目的で、負のコンダク
タンスを生じるトランジスタタイプの能動素子を備えて
いる。選択フィルタの周波数および発振器の周波数は、
発振器により発生した信号の周波数を安定させる位相ロ
ックループ（以下、ＰＬＬと示される）から発生した固
有の可変制御電圧を用いて調節される。
【００２６】トランジスタタイプの前記能動素子は、温
度によって変化する真性容量を有する。この真性容量の
変化が発振器から発生した信号の周波数の変化を引き起
こすことを防止するように、ＰＬＬから発生した制御電
圧は変更される。
度によって変化する真性容量を有する。この真性容量の
変化が発振器から発生した信号の周波数の変化を引き起
こすことを防止するように、ＰＬＬから発生した制御電
圧は変更される。
【００２７】この制御電圧が固有である限りにおいて、
変更された制御電圧は、異なるフィルタにも適用され、
結果的に、チャネルの通常のフィルタリング周波数を変
動させる。この変動は、フィルタの選択性を損ねるとい
う理由だけでなく、フィルタリングされた信号のチャネ
ルの幅が不均一な周期で減衰するということも理由でも
不利になる。
変更された制御電圧は、異なるフィルタにも適用され、
結果的に、チャネルの通常のフィルタリング周波数を変
動させる。この変動は、フィルタの選択性を損ねるとい
う理由だけでなく、フィルタリングされた信号のチャネ
ルの幅が不均一な周期で減衰するということも理由でも
不利になる。
【００２８】チューナにおいて本発明に従った補償装置
を使用することは、制御信号を変更することなく、前記
トランジスタの真性容量の変化の補償を可能にするの
で、特に有利である。このように発振器が内部的に補償
されるので、それはフィルタの変動を回避し、温度が変
化したときにチューナの動作のより良い直線性（a bett
er linearity of operation）を導く。
を使用することは、制御信号を変更することなく、前記
トランジスタの真性容量の変化の補償を可能にするの
で、特に有利である。このように発振器が内部的に補償
されるので、それはフィルタの変動を回避し、温度が変
化したときにチューナの動作のより良い直線性（a bett
er linearity of operation）を導く。
【００２９】本発明は、上述の特徴を有する少なくとも
１つの補償装置を設けたチューナを備えたテレビ信号受
信器にも関する。
１つの補償装置を設けたチューナを備えたテレビ信号受
信器にも関する。
【００３０】
【発明の実施の形態】本発明のこれらのおよび他の特徴
は、以下に非限定的に記述された実施の形態に関して説
明され、それらにより明らかにされる。
は、以下に非限定的に記述された実施の形態に関して説
明され、それらにより明らかにされる。
【００３１】図１は、本発明に従った補償装置１０１の
動作原理を図示している。
動作原理を図示している。
【００３２】本発明に従った補償装置１０１は、バイア
ス信号Ｖｔｅｍｐを発生する手段１０２および、該バイ
アス信号によって逆バイアスされるジャンクション１０
３を備えている。バイアス信号Ｖｔｅｍｐは、温度Ｔが
変化したときに、レベルが変化する特性を有する。手段
１０２および１０３の結合は、温度の関数として可変な
値を有する容量Ｃｖａｒと等価である。
ス信号Ｖｔｅｍｐを発生する手段１０２および、該バイ
アス信号によって逆バイアスされるジャンクション１０
３を備えている。バイアス信号Ｖｔｅｍｐは、温度Ｔが
変化したときに、レベルが変化する特性を有する。手段
１０２および１０３の結合は、温度の関数として可変な
値を有する容量Ｃｖａｒと等価である。
【００３３】この容量Ｃｖａｒが温度の関数として可変
値を有する真性容量を有するトランジスタに接続されて
いる場合には、それは前記真性容量の影響を補償する。
値を有する真性容量を有するトランジスタに接続されて
いる場合には、それは前記真性容量の影響を補償する。
【００３４】ジャンクション１０３は、特に、ダイオー
ド、例えば、ショットキータイプのダイオード、または
トランジスタのジャンクションに対応し得る。
ド、例えば、ショットキータイプのダイオード、または
トランジスタのジャンクションに対応し得る。
【００３５】図２は、温度Ｔの関数としてバイアス信号
Ｖｔｅｍｐを供給し得る回路の実施の形態を示してい
る。
Ｖｔｅｍｐを供給し得る回路の実施の形態を示してい
る。
【００３６】この回路は、温度の関数として可変な値を
有する電流Ｉを発生させるため、直列に配列されたジャ
ンクションＪ１、Ｊ２、Ｊ３、Ｊ４の一群を備えてい
る。これらのジャンクションは、この場合、ベース−コ
レクタ間ジャンクションが短絡しているトランジスタに
よって構成されている。同一値の抵抗器Ｒ１ｐｏｌおよ
びＲ２ｐｏｌは、異なる要素をバイアスする役目を有す
る。トランジスタＴ１のジャンクションと類似の特性を
有するジャンクションＪ１を伴うことで、トランジスタ
Ｔ１はカレントミラーを構成する。このときトランジス
タＴ１のエミッタ電流は電流Ｉに等しい。抵抗器Ｒ
ｏｕｔは、電流Ｉが横切るときに、その端子においてバ
イアス信号Ｖｔｅｍｐを発生し得る。
有する電流Ｉを発生させるため、直列に配列されたジャ
ンクションＪ１、Ｊ２、Ｊ３、Ｊ４の一群を備えてい
る。これらのジャンクションは、この場合、ベース−コ
レクタ間ジャンクションが短絡しているトランジスタに
よって構成されている。同一値の抵抗器Ｒ１ｐｏｌおよ
びＲ２ｐｏｌは、異なる要素をバイアスする役目を有す
る。トランジスタＴ１のジャンクションと類似の特性を
有するジャンクションＪ１を伴うことで、トランジスタ
Ｔ１はカレントミラーを構成する。このときトランジス
タＴ１のエミッタ電流は電流Ｉに等しい。抵抗器Ｒ
ｏｕｔは、電流Ｉが横切るときに、その端子においてバ
イアス信号Ｖｔｅｍｐを発生し得る。
【００３７】図３は、温度の関数としてバイアス信号Ｖ
ｔｅｍｐの変化の具体例を示しており、図２を参照して
記述されたタイプの回路によって得られる。このバイア
ス信号は、温度が上昇したときにそのレベルが単調に上
昇することを示す。
ｔｅｍｐの変化の具体例を示しており、図２を参照して
記述されたタイプの回路によって得られる。このバイア
ス信号は、温度が上昇したときにそのレベルが単調に上
昇することを示す。
【００３８】図４は、図３を参照して記述されたバイア
ス信号Ｖｔｅｍｐによってジャンクションが逆バイアス
されたときに、温度の関数として可変容量Ｃｖａｒの変
化の具体例を図示している。バイアス信号Ｖ
ｔｅｍｐは、温度が上昇したときに上昇し、可変容量Ｃ
ｖの値は、温度が上昇したときに低下する。
ス信号Ｖｔｅｍｐによってジャンクションが逆バイアス
されたときに、温度の関数として可変容量Ｃｖａｒの変
化の具体例を図示している。バイアス信号Ｖ
ｔｅｍｐは、温度が上昇したときに上昇し、可変容量Ｃ
ｖの値は、温度が上昇したときに低下する。
【００３９】図５は、本発明に従った補償装置を伴う発
振器ＯＳＣの簡単化された回路を示している。
振器ＯＳＣの簡単化された回路を示している。
【００４０】発振器ＯＳＣは、受動共振回路５０１、能
動回路５０２および、本発明に従った前述の補償装置に
よって得られる可変容量Ｃｖａｒから構成される。要素
５０１、５０２およびＣｖａｒは並列に接続されてい
る。
動回路５０２および、本発明に従った前述の補償装置に
よって得られる可変容量Ｃｖａｒから構成される。要素
５０１、５０２およびＣｖａｒは並列に接続されてい
る。
【００４１】発振器の公称上の共振周波数は、共振回路
５０１の周波数によって、特に、要素Ｃ１−Ｌ１によっ
て与えられる。共振回路５０１は、インダクタンスＬ
１、制御電圧５０３の関数として変数を有する容量Ｃ１
および要素Ｃ１−Ｌ１の損失を図式的に示す正のコンダ
クタンスＧｌｏｓｔを並列構成で備えている。制御電圧
５０３のレベルの変化は、容量Ｃ１の変化を引き起こ
し、それにより共振回路５０１の共振周波数が変化し得
る。
５０１の周波数によって、特に、要素Ｃ１−Ｌ１によっ
て与えられる。共振回路５０１は、インダクタンスＬ
１、制御電圧５０３の関数として変数を有する容量Ｃ１
および要素Ｃ１−Ｌ１の損失を図式的に示す正のコンダ
クタンスＧｌｏｓｔを並列構成で備えている。制御電圧
５０３のレベルの変化は、容量Ｃ１の変化を引き起こ
し、それにより共振回路５０１の共振周波数が変化し得
る。
【００４２】共振回路５０１の発振器が維持されるよう
に、能動回路５０２は、受動共振回路５０１と並列に接
続される。能動回路５０２は、コンダクタンスＧ
ｌｏｓｔによって生じる損失を補償する負のコンダクタ
ンスＧｎｅｇを生じさせることができる。能動回路は、
温度によって変化する真性容量を有するトランジスタタ
イプの能動素子（図示せず）を備えている。考察してき
たケースでは、前記トランジスタの組立てによる真性容
量の累積は、温度が上昇したときに上昇する値を有する
真性容量Ｃｊの負のコンダクタンスＧｎｅｇとの並列接
続と等価である。
に、能動回路５０２は、受動共振回路５０１と並列に接
続される。能動回路５０２は、コンダクタンスＧ
ｌｏｓｔによって生じる損失を補償する負のコンダクタ
ンスＧｎｅｇを生じさせることができる。能動回路は、
温度によって変化する真性容量を有するトランジスタタ
イプの能動素子（図示せず）を備えている。考察してき
たケースでは、前記トランジスタの組立てによる真性容
量の累積は、温度が上昇したときに上昇する値を有する
真性容量Ｃｊの負のコンダクタンスＧｎｅｇとの並列接
続と等価である。
【００４３】容量Ｃｊが共振回路５０１の通常の共振周
波数の変更を引き起こすことを回避するために、容量Ｃ
ｊの変化は容量Ｃｊに並列接続された前記可変容量Ｃ
ｖａｒを用いることによって補償される。容量Ｃｊの正
方向への変化は、可変容量Ｃｖ ａｒの負方向への変化に
よって補償される。逆に、容量Ｃｊの負方向への変化
は、可変容量Ｃｖａｒの正方向への変化によって補償さ
れる。可変容量Ｃｖａｒの変化が容量Ｃｊの変化を補償
するので、一定値で前記通常の共振周波数を維持するた
めに制御電圧５０３を変更する必要がなくなる。
波数の変更を引き起こすことを回避するために、容量Ｃ
ｊの変化は容量Ｃｊに並列接続された前記可変容量Ｃ
ｖａｒを用いることによって補償される。容量Ｃｊの正
方向への変化は、可変容量Ｃｖ ａｒの負方向への変化に
よって補償される。逆に、容量Ｃｊの負方向への変化
は、可変容量Ｃｖａｒの正方向への変化によって補償さ
れる。可変容量Ｃｖａｒの変化が容量Ｃｊの変化を補償
するので、一定値で前記通常の共振周波数を維持するた
めに制御電圧５０３を変更する必要がなくなる。
【００４４】図６は、本発明に従った２つの補償装置６
０２および６０３に伴う回路６０１の詳細図である。回
路６０１は、図５を参照して記述された発振器に使用さ
れ得るという観点で、２つの端子ＡとＢとの間におい
て、負のコンダクタンスＧｎｅ ｇを発生させることを目
的とする。
０２および６０３に伴う回路６０１の詳細図である。回
路６０１は、図５を参照して記述された発振器に使用さ
れ得るという観点で、２つの端子ＡとＢとの間におい
て、負のコンダクタンスＧｎｅ ｇを発生させることを目
的とする。
【００４５】回路６０１は、差動対（differential pai
r）を成すように接続された第1および第２のトランジス
タＴ１およびＴ２を含む。これらのトランジスタは、こ
の場合、バイポーラ技術で実施され、それぞれコマン
ド、トランスファおよびリファレンス端子を成すベー
ス、コレクタおよびエミッタを有する。勿論、それらに
代えて、それぞれコントロール、トランスファおよびリ
ファレンス端子を成す電界効果型のゲート、ドレインお
よびソースとすることは認識できる。
r）を成すように接続された第1および第２のトランジス
タＴ１およびＴ２を含む。これらのトランジスタは、こ
の場合、バイポーラ技術で実施され、それぞれコマン
ド、トランスファおよびリファレンス端子を成すベー
ス、コレクタおよびエミッタを有する。勿論、それらに
代えて、それぞれコントロール、トランスファおよびリ
ファレンス端子を成す電界効果型のゲート、ドレインお
よびソースとすることは認識できる。
【００４６】前記トランジスタのトランスファ端子は、
不可抵抗器Ｒcを介して電力供給端子Ｖccへ接続され、
一方、第1および第２のトランジスタＴ１およびＴ２の
リファレンス端子は、ともに差動対をバイアスする目的
で電流源I0を介して回路のグランドへ接続されている。
この回路も、トランジスタＴ１のコントロール端子とト
ランジスタＴ２のトランスファ端子との間に設けられた
第１の容量Ｃ１および、トランジスタＴ２のコントロー
ル端子とトランジスタＴ１のトランスファ端子との間に
設けられた第２の容量Ｃ２を含む。容量Ｃ１およびＣ２
は、トランジスタのコントロール端子に負のフィードバ
ックを成し、それによって、端子ＡおよびＢの間におい
て前記負のコンダクタンスＧｎｅｇを発生させることが
できる。
不可抵抗器Ｒcを介して電力供給端子Ｖccへ接続され、
一方、第1および第２のトランジスタＴ１およびＴ２の
リファレンス端子は、ともに差動対をバイアスする目的
で電流源I0を介して回路のグランドへ接続されている。
この回路も、トランジスタＴ１のコントロール端子とト
ランジスタＴ２のトランスファ端子との間に設けられた
第１の容量Ｃ１および、トランジスタＴ２のコントロー
ル端子とトランジスタＴ１のトランスファ端子との間に
設けられた第２の容量Ｃ２を含む。容量Ｃ１およびＣ２
は、トランジスタのコントロール端子に負のフィードバ
ックを成し、それによって、端子ＡおよびＢの間におい
て前記負のコンダクタンスＧｎｅｇを発生させることが
できる。
【００４７】トランジスタＴ１およびＴ２の真性容量の
変化を補償し、この回路５０１が発振器に用いられる場
合に通常の共振周波数の総ての変動を防止するために、
第１の補償装置６０２はトランジスタＴ１に付随し、第
２の補償装置６０３はトランジスタＴ２に付随する。
変化を補償し、この回路５０１が発振器に用いられる場
合に通常の共振周波数の総ての変動を防止するために、
第１の補償装置６０２はトランジスタＴ１に付随し、第
２の補償装置６０３はトランジスタＴ２に付随する。
【００４８】補償装置６０２は、バイアス信号Ｖ
ｔｅｍｐを発生する発生器６０４を備え、それによっ
て、ジャンクションＤ１は抵抗器Ｒ１を介して逆バイア
スされ得る。例えば、発生器６０４は、図２を参照して
記述されるようなタイプのものである。温度が変化した
ときには、トランジスタＴ１の真性容量の変化は、ダイ
オードＤ１のジャンクションによって形成される可変容
量の変化によって補償される。即ち、バイアス信号Ｖ
ｔｅｍｐによって間接的に（indirectly）補償される。
ダイオードＤ１が逆バイアスされるので、この補償装置
は、回路６０１のバイアスが変更されないように、回路
６０１におけるいずれの電流も注入しない。補償装置６
０２および６０３は同一の構成を有し、要素Ｄ２、Ｒ
２、６０５は、要素Ｄ１、Ｒ１、６０４と同じ機能を有
する。温度が変化したときには、トランジスタＴ２の真
性容量の変化は、ダイオードＤ２のジャンクションによ
って形成される可変容量の変化によって補償される。即
ち、バイアス信号Ｖｔｅｍｐによって間接的に補償され
る。Ｔ１の真性容量とＴ２の真性容量との結合（図５を
参照して記述される容量Ｃｊと等価である）は、２つの
補償装置６０２および６０３によって補償される。
ｔｅｍｐを発生する発生器６０４を備え、それによっ
て、ジャンクションＤ１は抵抗器Ｒ１を介して逆バイア
スされ得る。例えば、発生器６０４は、図２を参照して
記述されるようなタイプのものである。温度が変化した
ときには、トランジスタＴ１の真性容量の変化は、ダイ
オードＤ１のジャンクションによって形成される可変容
量の変化によって補償される。即ち、バイアス信号Ｖ
ｔｅｍｐによって間接的に（indirectly）補償される。
ダイオードＤ１が逆バイアスされるので、この補償装置
は、回路６０１のバイアスが変更されないように、回路
６０１におけるいずれの電流も注入しない。補償装置６
０２および６０３は同一の構成を有し、要素Ｄ２、Ｒ
２、６０５は、要素Ｄ１、Ｒ１、６０４と同じ機能を有
する。温度が変化したときには、トランジスタＴ２の真
性容量の変化は、ダイオードＤ２のジャンクションによ
って形成される可変容量の変化によって補償される。即
ち、バイアス信号Ｖｔｅｍｐによって間接的に補償され
る。Ｔ１の真性容量とＴ２の真性容量との結合（図５を
参照して記述される容量Ｃｊと等価である）は、２つの
補償装置６０２および６０３によって補償される。
【００４９】コスト低減という観点においては、バイア
ス信号ＶｔｅｍｐがジャンクションＤ１およびＤ２へ同
じバイアス信号を供給するためにたった１つの発生器を
用いることが認識され得る。
ス信号ＶｔｅｍｐがジャンクションＤ１およびＤ２へ同
じバイアス信号を供給するためにたった１つの発生器を
用いることが認識され得る。
【００５０】図７は、図５を参照して記述されたような
発振器ＯＳＣ７１７を備え、図６を参照して記述したよ
うな本発明に従った補償装置を伴うチューナを示してい
る。チューナの機能は、ＲＦ信号７０２をＩＦ出力信号
７０６へ変換することである。
発振器ＯＳＣ７１７を備え、図６を参照して記述したよ
うな本発明に従った補償装置を伴うチューナを示してい
る。チューナの機能は、ＲＦ信号７０２をＩＦ出力信号
７０６へ変換することである。
【００５１】このチューナは、ＲＦ信号７０２を受信
し、第１のフィルタリングされた信号７０３を供給する
フィルタ手段７０１を備えている。フィルタ手段７０１
は、一方で、受信手段７０４（アンテナ、ケーブル）と
レベルおよびインピーダンスを整合し、他方で、信号７
０２の帯域内の所望のチャネルの周波数帯域周りを選択
的にフィルタリングする。フィルタリングされた信号７
０３は、ＩＦ出力信号７０６の振幅がＲＦ信号７０２の
レベルに関係なく一定のままであるように、増幅器７０
５によって増幅される。この目的のために、フィルタリ
ングされた信号７０３を増幅器７０５によって自動増幅
制御することを可能とするレギュレーション手段７０７
が設けられている。フィルタリング手段７０８は、出力
信号７１０を発生させるために所望のチャネルの選択性
を強調するように、増幅信号７０９をフィルタする。特
に、フィルタ手段７０８は、周波数帯域における画像周
波数の抑制を可能とする。このチューナは、ＲＦ入力信
号７１０をＩＦ出力信号７１２に変換する混合器７１１
をさらに備えている。混合器７１１は、制御電圧７１９
によって制御される発振器７１７が発生した出力信号７
１３を受信する。混合器７１１は、信号７１０の周波数
変動を引き起こす前記出力信号７１３を入力信号７１０
と掛け合わせる。信号７１３の周波数と７１０の周波数
との差に等しい周波数のＩＦ信号７１２は、ＲＦの残留
信号を減衰させ、フィルタリングされたＩＦ信号７１５
を発生させるために、フィルタ手段７１４によってフィ
ルタリングされる。特に、フィルタ手段７１４は、所望
のチャネルに隣接し、フィルタ手段７０１および７０８
によって完全には抑制されなかったチャネルから残留周
波数を減衰させるのと同様に、混合器７１１からの残留
周波数を減衰させる。フィルタリングされたＩＦ信号７
１５は、続いて、前記ＩＦ出力信号７０６を発生させる
ために増幅器７１６によって増幅される。位相ロックル
ープ（ＰＬＬ）タイプの制御手段７１８は、フィルタ手
段７０１および７０８の中心周波数（central frequenc
y）の制御を可能とし、レベルが可変である制御電圧７
１９を発振器７１７へ供給することによって信号７１３
の周波数の安定性を確保する。
し、第１のフィルタリングされた信号７０３を供給する
フィルタ手段７０１を備えている。フィルタ手段７０１
は、一方で、受信手段７０４（アンテナ、ケーブル）と
レベルおよびインピーダンスを整合し、他方で、信号７
０２の帯域内の所望のチャネルの周波数帯域周りを選択
的にフィルタリングする。フィルタリングされた信号７
０３は、ＩＦ出力信号７０６の振幅がＲＦ信号７０２の
レベルに関係なく一定のままであるように、増幅器７０
５によって増幅される。この目的のために、フィルタリ
ングされた信号７０３を増幅器７０５によって自動増幅
制御することを可能とするレギュレーション手段７０７
が設けられている。フィルタリング手段７０８は、出力
信号７１０を発生させるために所望のチャネルの選択性
を強調するように、増幅信号７０９をフィルタする。特
に、フィルタ手段７０８は、周波数帯域における画像周
波数の抑制を可能とする。このチューナは、ＲＦ入力信
号７１０をＩＦ出力信号７１２に変換する混合器７１１
をさらに備えている。混合器７１１は、制御電圧７１９
によって制御される発振器７１７が発生した出力信号７
１３を受信する。混合器７１１は、信号７１０の周波数
変動を引き起こす前記出力信号７１３を入力信号７１０
と掛け合わせる。信号７１３の周波数と７１０の周波数
との差に等しい周波数のＩＦ信号７１２は、ＲＦの残留
信号を減衰させ、フィルタリングされたＩＦ信号７１５
を発生させるために、フィルタ手段７１４によってフィ
ルタリングされる。特に、フィルタ手段７１４は、所望
のチャネルに隣接し、フィルタ手段７０１および７０８
によって完全には抑制されなかったチャネルから残留周
波数を減衰させるのと同様に、混合器７１１からの残留
周波数を減衰させる。フィルタリングされたＩＦ信号７
１５は、続いて、前記ＩＦ出力信号７０６を発生させる
ために増幅器７１６によって増幅される。位相ロックル
ープ（ＰＬＬ）タイプの制御手段７１８は、フィルタ手
段７０１および７０８の中心周波数（central frequenc
y）の制御を可能とし、レベルが可変である制御電圧７
１９を発振器７１７へ供給することによって信号７１３
の周波数の安定性を確保する。
【００５２】本発明に従った補償装置を用いることは、
制御電圧７１９を変更することなしに、発振器７１７の
負のコンダクタンスが生じ得るトランジスタの真性容量
の変化の補償が可能になるので、特に有利である。この
ことは、フィルタ手段７０１および７０８の遷移を防止
し、それは、温度が変化したときに、チューナの動作の
より良い直線性（a better linearity）をもたらす。
制御電圧７１９を変更することなしに、発振器７１７の
負のコンダクタンスが生じ得るトランジスタの真性容量
の変化の補償が可能になるので、特に有利である。この
ことは、フィルタ手段７０１および７０８の遷移を防止
し、それは、温度が変化したときに、チューナの動作の
より良い直線性（a better linearity）をもたらす。
【００５３】図８は、本発明に従った補償装置が設けら
れたチューナを備えた、テレビ信号を受信する電子機器
を示している。
れたチューナを備えた、テレビ信号を受信する電子機器
を示している。
【００５４】この電子機器は、ＲＦ信号８０３の受信、
それのＩＦ信号８０４への変換および、復調手段８０６
を介して復調された出力信号８０５を発生させるために
用いられる信号８０４の復調に専用される。ＲＦ信号８
０３がアナログ技術に従って変調されたチャネルおよび
デジタル技術に従って変調されたチャネルを構成し得る
限りにおいて、チューナ８０２はハイブリッドタイプで
ある。
それのＩＦ信号８０４への変換および、復調手段８０６
を介して復調された出力信号８０５を発生させるために
用いられる信号８０４の復調に専用される。ＲＦ信号８
０３がアナログ技術に従って変調されたチャネルおよび
デジタル技術に従って変調されたチャネルを構成し得る
限りにおいて、チューナ８０２はハイブリッドタイプで
ある。
【００５５】この装置８０１は、例えば、ケーブルネッ
トワーク８０７を介して送信されるＲＦビデオ信号８０
３の受信に専用されるセットトップボックスタイプであ
る。本発明に従ったチューナによって供給されるＩＦ信
号８０４は、ディスプレイ手段８０８によってビデオコ
ンテンツを目に見えるようにするという観点で、処理手
段８０６によって連続的に増幅かつ復調される。
トワーク８０７を介して送信されるＲＦビデオ信号８０
３の受信に専用されるセットトップボックスタイプであ
る。本発明に従ったチューナによって供給されるＩＦ信
号８０４は、ディスプレイ手段８０８によってビデオコ
ンテンツを目に見えるようにするという観点で、処理手
段８０６によって連続的に増幅かつ復調される。
【００５６】他の実施の形態では、ディスプレイ手段８
０８は、テレビ受像機を構成するための装置８０１の一
部分として一体に形成される。
０８は、テレビ受像機を構成するための装置８０１の一
部分として一体に形成される。
【００５７】本発明は、温度の上昇に伴い上昇する値を
有する真性ジャンクション容量が電子アセンブリの一部
分を成す非真性容量に付加される場合について記述して
きた。上述のように、本発明に従った可変容量Ｃｖａｒ
は、補償を実現するための減少値の変化を与え、その補
償は、上昇値を有するバイアス信号Ｖｔｅｍｐの発生に
より可能となる。
有する真性ジャンクション容量が電子アセンブリの一部
分を成す非真性容量に付加される場合について記述して
きた。上述のように、本発明に従った可変容量Ｃｖａｒ
は、補償を実現するための減少値の変化を与え、その補
償は、上昇値を有するバイアス信号Ｖｔｅｍｐの発生に
より可能となる。
【００５８】電子アセンブリにおいて真性容量が非真性
容量から差し引かれることは認識され得る。この場合、
本発明に従った可変容量Ｃｖａｒは補償の実現のために
上昇値の変化を有さなければならず、それは、バイアス
信号Ｖｔｅｍｐの減少値の発生によって可能となる。換
言すると、この場合、可変容量Ｃｖａｒの変数は、アセ
ンブリの補償を実現するために、前記真性容量としての
変化と同一の向き（same sense）を有さなければならな
い。この目的のために、本発明の範囲から逸脱すること
なく、当業者は、温度を上昇させることで低下する値を
有するバイアス信号を発生させるためのバイアス手段を
用いることができる。例えば、このようなバイアス信号
は、図２を参照して記載されたアセンブリの出力に設け
られたインバータ増幅器によって、または、トランジス
タＴ１と電力供給Ｖccとの間に設けられた電圧分割ブリ
ッジ（voltage divider bridge）の出力から得ることが
できる。
容量から差し引かれることは認識され得る。この場合、
本発明に従った可変容量Ｃｖａｒは補償の実現のために
上昇値の変化を有さなければならず、それは、バイアス
信号Ｖｔｅｍｐの減少値の発生によって可能となる。換
言すると、この場合、可変容量Ｃｖａｒの変数は、アセ
ンブリの補償を実現するために、前記真性容量としての
変化と同一の向き（same sense）を有さなければならな
い。この目的のために、本発明の範囲から逸脱すること
なく、当業者は、温度を上昇させることで低下する値を
有するバイアス信号を発生させるためのバイアス手段を
用いることができる。例えば、このようなバイアス信号
は、図２を参照して記載されたアセンブリの出力に設け
られたインバータ増幅器によって、または、トランジス
タＴ１と電力供給Ｖccとの間に設けられた電圧分割ブリ
ッジ（voltage divider bridge）の出力から得ることが
できる。
【００５９】本発明は、バイポーラ型トランジスタの真
性容量を補償する目的の範囲内で記述されてきた。しか
し、本発明の目的の範囲から逸脱することなく本発明
は、電界効果トランジスタがバイポーラトランジスタの
真性容量に類似した真性容量を有する限りにおいて、電
界効果トランジスタの真性容量の補償にも本発明の範囲
内において用いられ得る。
性容量を補償する目的の範囲内で記述されてきた。しか
し、本発明の目的の範囲から逸脱することなく本発明
は、電界効果トランジスタがバイポーラトランジスタの
真性容量に類似した真性容量を有する限りにおいて、電
界効果トランジスタの真性容量の補償にも本発明の範囲
内において用いられ得る。
【図１】本発明に従った補償装置の動作原理を示した
図。
図。
【図２】温度の関数として変化するバイアス信号を供給
することができる回路の実施の形態を示した図。
することができる回路の実施の形態を示した図。
【図３】温度の関数としてバイアス信号の変化の例を示
した図。
した図。
【図４】温度の関数として本発明に従った可変容量の変
化の具体例を示した図。
化の具体例を示した図。
【図５】本発明に従った補償装置を伴う発振器の簡単化
した図。
した図。
【図６】本発明に従った補償装置を伴う回路の詳細図。
【図７】本発明に従った補償装置を伴う発振器を備えた
チューナを示す図。
チューナを示す図。
【図８】本発明に従った補償装置を設けたチューナを備
えたテレビ信号受信器を示す図。
えたテレビ信号受信器を示す図。
フロントページの続き
(72)発明者 セバスティアン、アミオ
フランス国サン、トバン、シュール、メー
ル、ロティスマン、レ、ボワリエ、５ベ
(72)発明者 ベルトラン、デュロワ
フランス国ビロン‐ル‐ビュイソン、リ
ュ、ド、ラ、メリ、１
Ｆターム(参考） 5J081 AA08 CC17 CC22 DD03 DD11
EE03 EE04 FF10 GG01 HH10
KK02 KK09 KK22 LL05 MM01
MM03
5J090 AA01 AA12 AA43 CA02 CN01
FA08 FN12 HA02 HA08 HA09
HA17 HA19 HA25 HA29 HA30
HA33 KA05 KA13 KA32 KA41
KA55 TA01 TA04
Claims (9)
- 【請求項１】制御端子を有する少なくとも１つのトラン
ジスタおよび温度の関数として変数を有する真性容量ジ
ャンクションを備え、 前記トランジスタは前記真性容量ジャンクションの変化
の影響を補償する補償装置を伴い、 前記補償装置は可変容量として機能する手段の組合せを
含み、前記可変容量は前記影響を補償するように温度の
関数として変化し、前記可変容量は前記真性容量に接続
されていることを特徴とする電子機器。 - 【請求項２】前記手段の組合せは、 温度の関数としてレベルが可変であるバイアス信号を発
生する発生手段と、 前記制御端子へ接続され、前記バイアス信号によって逆
バイアスされるジャンクションとを備えていることを特
徴とする請求項１に記載の電子機器。 - 【請求項３】前記発生手段は、 温度の関数として可変である電流を発生するために直列
に構成された一組のジャンクションと、 前記バイアス信号を発生させるために前記可変電流のカ
レントミラー回路とを備えていることを特徴とする請求
項２に記載の電子機器。 - 【請求項４】温度の関数として可変である真性容量ジャ
ンクションの変化の影響を補償する補償装置であって、 前記補償装置は、可変容量として機能する手段の組合せ
を備え、前記可変容量は前記影響を補償するように温度
の関数として変化し、前記可変容量は前記真性容量に接
続されていることを特徴とする補償装置。 - 【請求項５】前記補償装置は、 温度の関数としてレベルが可変であるバイアス信号を発
生する発生手段と、 前記制御端子へ接続され、前記バイアス信号によって逆
バイアスされるジャンクションとを備えていることを特
徴とする請求項４に記載の電子機器。 - 【請求項６】前記発生手段は、 温度の関数として可変である電流を発生するために直列
に構成された一組のジャンクションと、 前記バイアス信号を発生させるために前記可変電流のカ
レントミラー回路とを備えていることを特徴とする請求
項５に記載の電子機器。 - 【請求項７】請求項４に記載の補償装置を少なくとも１
つ備えた集積回路。 - 【請求項８】電圧制御発振器を備えたＲＦ信号受信用チ
ューナであって、 前記発振器に伴い、請求項４に記載の補償装置を少なく
とも１つ備えたことを特徴とするチューナ。 - 【請求項９】請求項８に記載したチューナを備えたテレ
ビ信号受信器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0115977A FR2833432A1 (fr) | 2001-12-11 | 2001-12-11 | Dispositif de compensation en temperature et appareil electronique comprenant un tel dispositif |
| FR0115977 | 2001-12-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003209443A true JP2003209443A (ja) | 2003-07-25 |
Family
ID=8870325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002356963A Pending JP2003209443A (ja) | 2001-12-11 | 2002-12-09 | 温度補償装置およびその装置を備えた電子機器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030112080A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003209443A (ja) |
| KR (1) | KR20030047844A (ja) |
| CN (1) | CN1433141A (ja) |
| FR (1) | FR2833432A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021512542A (ja) * | 2018-01-24 | 2021-05-13 | イオセミ リミテッド | 発振回路 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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- 2002-12-06 US US10/313,798 patent/US20030112080A1/en not_active Abandoned
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- 2002-12-09 JP JP2002356963A patent/JP2003209443A/ja active Pending
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| JP7089239B2 (ja) | 2018-01-24 | 2022-06-22 | イオセミ リミテッド | 発振回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1433141A (zh) | 2003-07-30 |
| KR20030047844A (ko) | 2003-06-18 |
| US20030112080A1 (en) | 2003-06-19 |
| FR2833432A1 (fr) | 2003-06-13 |
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