JP2003209097A - ウエハ処理マシン - Google Patents
ウエハ処理マシンInfo
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- processing chamber
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32834—Exhausting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
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- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】単一の上側電極を用いてプラズマ処理システム
（１００）内で複数のウエハを処理するためのシステム
及び方法を提供する。 【解決手段】複数のウエハホルダーを、単一のプラズマ
処理チャンバ（１０５）内に配置することによって、こ
のプラズマチャンバの設置面積は、夫々独立したチャン
バの全設置面積よりも小さくされ得る。また、排気は、
複数のポンプを、ウエハホルダーの下、好ましくはウエ
ハホルダーによって阻止されない所定位置に配置するこ
とによって増加される。
（１００）内で複数のウエハを処理するためのシステム
及び方法を提供する。 【解決手段】複数のウエハホルダーを、単一のプラズマ
処理チャンバ（１０５）内に配置することによって、こ
のプラズマチャンバの設置面積は、夫々独立したチャン
バの全設置面積よりも小さくされ得る。また、排気は、
複数のポンプを、ウエハホルダーの下、好ましくはウエ
ハホルダーによって阻止されない所定位置に配置するこ
とによって増加される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ処理マシン
のデザイン及び実施と、これを利用した方法とに関す
る。
のデザイン及び実施と、これを利用した方法とに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路（ＩＣ）の製造は、これ
らの製品を改良するための激しい競争圧力と、従って、
これらの製品を加工するのに用いられる処理を改良する
ための圧力とに直面している。そして、この圧力はま
た、ＩＣ製造で使用される設備の製造を、これらの設備
の価格を改良し、特にこれら設備の使用者に対する作業
コストを減じるように、駆り立てている。
らの製品を改良するための激しい競争圧力と、従って、
これらの製品を加工するのに用いられる処理を改良する
ための圧力とに直面している。そして、この圧力はま
た、ＩＣ製造で使用される設備の製造を、これらの設備
の価格を改良し、特にこれら設備の使用者に対する作業
コストを減じるように、駆り立てている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようなコストの１
つは、クリーンルームのコストである。設備が大きくな
るほど、クリーンルームと、これに関連したコストとが
大きくなる。従って、製造者は、製造される設備のサイ
ズを、クリーンルーム内での回路の製造にかかるコスト
の全諸経費もまた減じられるように減らすことを目指し
ている。本発明の目的は、対応したウエハホルダー上の
複数のウエハを覆う単一の上側電極を利用したプラズマ
処理システムを提供することである。本発明の他の目的
は、ポンプシステムへのアクセスを制御するゲートバル
ブがウエハホルダーに対してオフセットされている、様
々のウエハプラズマ処理チャンバを提供することであ
る。
つは、クリーンルームのコストである。設備が大きくな
るほど、クリーンルームと、これに関連したコストとが
大きくなる。従って、製造者は、製造される設備のサイ
ズを、クリーンルーム内での回路の製造にかかるコスト
の全諸経費もまた減じられるように減らすことを目指し
ている。本発明の目的は、対応したウエハホルダー上の
複数のウエハを覆う単一の上側電極を利用したプラズマ
処理システムを提供することである。本発明の他の目的
は、ポンプシステムへのアクセスを制御するゲートバル
ブがウエハホルダーに対してオフセットされている、様
々のウエハプラズマ処理チャンバを提供することであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】１つのこのような実施形
態では、２つのウエハのためのシステムは、ゲートバル
ブがウエハホルダーの下で単位円に対して９０及び２７
０度で位置されているのに対して、単位円に対してゼロ
及び１８０度の角度で位置された２つのウエハホルダー
を有する。本発明は、添付図面を参照した、好ましい実
施形態の以下の詳細な説明を読むことによってよりよく
理解されるだろう。この説明では、同じ参照符号が、全
文を通して、同じ部材を示している。
態では、２つのウエハのためのシステムは、ゲートバル
ブがウエハホルダーの下で単位円に対して９０及び２７
０度で位置されているのに対して、単位円に対してゼロ
及び１８０度の角度で位置された２つのウエハホルダー
を有する。本発明は、添付図面を参照した、好ましい実
施形態の以下の詳細な説明を読むことによってよりよく
理解されるだろう。この説明では、同じ参照符号が、全
文を通して、同じ部材を示している。
【０００５】
【発明の実施の形態】図面に示された本発明の好ましい
実施形態では、明らかにするために、特定の用語が用い
られている。しかし、本発明は、このように選択された
特定の用語に限定するように意図されておらず、各特定
の部材は、同様の目的で同じように動作する技術的に同
等のものを全て含むと理解してよい。図１は、本発明に
係わるプラズマ処理システムの１実施形形態の平面図で
ある。この実施形態において、プラズマ処理システム１
００は、一般に、（１）プラズマ処理チャンバ１０５
と、（２）このチャンバ１０５から及びこれの中へウエ
ハを搬送するためのロボット１３０と、（３）チャンバ
１０５内のウエハの処理を制御するための電子機器１５
０とを有する。このチャンバ１０５は、一般に、（Ａ）
システム１００の底部に位置付けられ、これに接続して
いる一連のゲートバルブ１１０Ａ、１１０Ｂと、（Ｂ）
ウエハホルダー１２０Ａ、１２０Ｂ（“チャック”とし
ても公知である）とを有する（“ウエハホルダー”とい
う用語は、例示を目的として全文に渡って使用されてい
るが、ホルダーは、処理される任意のタイプのワークピ
ース、例えばＬＣＤパネルを実質的に保持し得る。）。
ロボット１３０のロボットアーム部１３５が、ウエハを
カセット（１４０Ａもしくは１４０Ｂ）から取り出し、
ウエハホルダーの利用可能な一方（１２０Ａもしくは１
２０Ｂのどちらか）の上に、１つずつ位置させる。続い
て、これらウエハは、チャンバ１０５内で同時に処理さ
れ、ロボットアーム部１３５を用いて、対応したカセッ
ト（１４０Ａもしくは１４０Ｂ）に１つずつ返される。
実施形態では、明らかにするために、特定の用語が用い
られている。しかし、本発明は、このように選択された
特定の用語に限定するように意図されておらず、各特定
の部材は、同様の目的で同じように動作する技術的に同
等のものを全て含むと理解してよい。図１は、本発明に
係わるプラズマ処理システムの１実施形形態の平面図で
ある。この実施形態において、プラズマ処理システム１
００は、一般に、（１）プラズマ処理チャンバ１０５
と、（２）このチャンバ１０５から及びこれの中へウエ
ハを搬送するためのロボット１３０と、（３）チャンバ
１０５内のウエハの処理を制御するための電子機器１５
０とを有する。このチャンバ１０５は、一般に、（Ａ）
システム１００の底部に位置付けられ、これに接続して
いる一連のゲートバルブ１１０Ａ、１１０Ｂと、（Ｂ）
ウエハホルダー１２０Ａ、１２０Ｂ（“チャック”とし
ても公知である）とを有する（“ウエハホルダー”とい
う用語は、例示を目的として全文に渡って使用されてい
るが、ホルダーは、処理される任意のタイプのワークピ
ース、例えばＬＣＤパネルを実質的に保持し得る。）。
ロボット１３０のロボットアーム部１３５が、ウエハを
カセット（１４０Ａもしくは１４０Ｂ）から取り出し、
ウエハホルダーの利用可能な一方（１２０Ａもしくは１
２０Ｂのどちらか）の上に、１つずつ位置させる。続い
て、これらウエハは、チャンバ１０５内で同時に処理さ
れ、ロボットアーム部１３５を用いて、対応したカセッ
ト（１４０Ａもしくは１４０Ｂ）に１つずつ返される。
【０００６】適当な処理環境（圧力含む）を維持するた
めに、チャンバ１０５は、スロットバルブ１６０Ａを介
して、ロボット１３０と、これの関連したチャンバ（一
般に基板移送用チャンバと呼ばれている）とからシール
される。これによって、ロボット１３０と、これが関連
したチャンバとが、ウエハが処理チャンバ１０５中へ配
置されるかこれから取り出されるように試みる前に、処
理チャンバの圧力へとポンプで減圧される。同様に、ロ
ボット１３０は、スロットバルブ１６０Ｂを介して、カ
セット（１４０Ａもしくは１４０Ｂ）中へウエハを配置
するもしくはこれから取り出すように試みる前に、大気
圧に戻される。このようなポンプの駆動は、システム１
００内に収容された真空部品１７５（図２）によって実
行され得る。基板の搬送を可能にする複数のチャンバ間
の圧力を均等にするための種々の方法が、当業者には公
知である。
めに、チャンバ１０５は、スロットバルブ１６０Ａを介
して、ロボット１３０と、これの関連したチャンバ（一
般に基板移送用チャンバと呼ばれている）とからシール
される。これによって、ロボット１３０と、これが関連
したチャンバとが、ウエハが処理チャンバ１０５中へ配
置されるかこれから取り出されるように試みる前に、処
理チャンバの圧力へとポンプで減圧される。同様に、ロ
ボット１３０は、スロットバルブ１６０Ｂを介して、カ
セット（１４０Ａもしくは１４０Ｂ）中へウエハを配置
するもしくはこれから取り出すように試みる前に、大気
圧に戻される。このようなポンプの駆動は、システム１
００内に収容された真空部品１７５（図２）によって実
行され得る。基板の搬送を可能にする複数のチャンバ間
の圧力を均等にするための種々の方法が、当業者には公
知である。
【０００７】図２に示されるように、ゲートバルブ１１
０Ａ、１１０Ｂは、処理中にチャンバ１０５の外にガス
を引き出すために、対応した真空ポンプ（１７０Ａ、１
７０Ｂ）へのアクセスを提供している。これら真空ポン
プ１７０Ａ、１７０Ｂは、好ましくは、毎秒５０００リ
ッターまでもしくはこれより早いポンプの排気速度で作
動可能なターボ分子真空ポンプ（ＴＭＰ）である。ドラ
イプラズマエッチングに用いられる従来のプラズマ処理
装置においては、毎秒１０００乃至３０００リッターの
ＴＭＰが使用されている。ＴＭＰは、典型的には５０ｍ
Ｔｏｒｒ未満の低圧処理のために利用されている。比較
的高圧の場合は、ＴＭＰポンプの排気速度は、急激に低
下する。高圧処理のために（例えば１００ｍＴｏｒｒよ
り大きい処理）は、機械的なブースタのポンプ及びドラ
イ粗引きポンプ（dry roughing pump）が、好ましい。
例示的なＴＭＰは、Ｍｉｔｓｕｂｉｓｈｉによる３３０
０リッター／秒の真空ポンプ（Ｍｏｄｅｌ＃ＦＴ３３０
０Ｗ）である。２つのポンプを示された位置に設けるこ
とによって、２つの別々のプラズマ処理チャンバよりも
小さい設置面積でありながら、ガスのフローの増加が果
たされる。当業者によって理解されるように、ゲートバ
ルブの正確なサイズ及び位置は、図１、２に示されてい
るものとは異ならせ得る。通常は、ウエハホルダー１２
０の配置によって空けて残されたスペースの少なくとも
一部分が、ゲートバルブとして使用され得る（ただ１つ
のゲートバルブが幾つかの実施形態で使用できるが、チ
ャンバ１０５は、好ましくは、均等な処理を確実にする
ために、処理されるウエハの上方全体に渡って均等なフ
ローを維持する）。更に、処理チャンバ１０５は、これ
が取って代わる２つのチャンバのいずれよりも大きい
が、ポンプのコンダクタンスは、側装着ポンプと比べて
流路が比較的阻止されないという点から、良く、かくし
て、処理領域とポンプの入口との間のフローコンダクタ
ンスが比較的良い。
０Ａ、１１０Ｂは、処理中にチャンバ１０５の外にガス
を引き出すために、対応した真空ポンプ（１７０Ａ、１
７０Ｂ）へのアクセスを提供している。これら真空ポン
プ１７０Ａ、１７０Ｂは、好ましくは、毎秒５０００リ
ッターまでもしくはこれより早いポンプの排気速度で作
動可能なターボ分子真空ポンプ（ＴＭＰ）である。ドラ
イプラズマエッチングに用いられる従来のプラズマ処理
装置においては、毎秒１０００乃至３０００リッターの
ＴＭＰが使用されている。ＴＭＰは、典型的には５０ｍ
Ｔｏｒｒ未満の低圧処理のために利用されている。比較
的高圧の場合は、ＴＭＰポンプの排気速度は、急激に低
下する。高圧処理のために（例えば１００ｍＴｏｒｒよ
り大きい処理）は、機械的なブースタのポンプ及びドラ
イ粗引きポンプ（dry roughing pump）が、好ましい。
例示的なＴＭＰは、Ｍｉｔｓｕｂｉｓｈｉによる３３０
０リッター／秒の真空ポンプ（Ｍｏｄｅｌ＃ＦＴ３３０
０Ｗ）である。２つのポンプを示された位置に設けるこ
とによって、２つの別々のプラズマ処理チャンバよりも
小さい設置面積でありながら、ガスのフローの増加が果
たされる。当業者によって理解されるように、ゲートバ
ルブの正確なサイズ及び位置は、図１、２に示されてい
るものとは異ならせ得る。通常は、ウエハホルダー１２
０の配置によって空けて残されたスペースの少なくとも
一部分が、ゲートバルブとして使用され得る（ただ１つ
のゲートバルブが幾つかの実施形態で使用できるが、チ
ャンバ１０５は、好ましくは、均等な処理を確実にする
ために、処理されるウエハの上方全体に渡って均等なフ
ローを維持する）。更に、処理チャンバ１０５は、これ
が取って代わる２つのチャンバのいずれよりも大きい
が、ポンプのコンダクタンスは、側装着ポンプと比べて
流路が比較的阻止されないという点から、良く、かくし
て、処理領域とポンプの入口との間のフローコンダクタ
ンスが比較的良い。
【０００８】図２に示されるように、単一の上側電極ア
ッセンブリー１９０が、用いられ得る（夫々独立したチ
ャンバを用いる場合の２つの別々のアッセンブリーと比
較して）。この電極アッセンブリー１９０は、両方のウ
エハホルダー１２０Ａ、１２０Ｂを覆う１つの上側電極
１９５を有する。この上側電極１９５は、図３の（Ａ）
に示されるように円形であるか、両方のウエハホルダー
１２０Ａ、１２０Ｂをきちんと覆うが、上側電極１９５
のサイズ並びに／もしくはコストを減じるような形状を
有する。この一側は、長円形であるが、“８の字”形の
ような構造もまた可能である。異なる実施形態では、複
数の電極１９５（１９５Ａ、１９５Ｂ、図４の（Ａ）を
参照）が、各ウエハホルダー（１２０Ａ、１２０Ｂ）に
対して１つずつ、これら各ウエハホルダー（１２０Ａ、
１２０Ｂ）と直接向かい合うように用いられている。各
電極１９５の対応した直径は、ウエハホルダー（１２０
Ａ、１２０Ｂ）の直径と同じであるか、これよりも大き
い。また、異なる実施形態では、無線周波数（ＲＦ）電
力が、ウエハホルダー１２０Ａ、１２０Ｂ上の基板の材
料の処理を助けるプラズマを形成するように、ＲＦ発生
器によって、電極１９５とインピーダンス整合ネットワ
ークとに適用される。ＲＦ電力は、１乃至５ｋＷの範囲
の電力レベルで、１０ＭＨｚ乃至２００ＭＨｚの範囲の
周波数で、供給されることができる。前記インピーダン
ス整合ネットワークは、プラズマへの電力移送を最大に
するように機能する。上述のデザイン及び実施は、当業
者に良く知られている。
ッセンブリー１９０が、用いられ得る（夫々独立したチ
ャンバを用いる場合の２つの別々のアッセンブリーと比
較して）。この電極アッセンブリー１９０は、両方のウ
エハホルダー１２０Ａ、１２０Ｂを覆う１つの上側電極
１９５を有する。この上側電極１９５は、図３の（Ａ）
に示されるように円形であるか、両方のウエハホルダー
１２０Ａ、１２０Ｂをきちんと覆うが、上側電極１９５
のサイズ並びに／もしくはコストを減じるような形状を
有する。この一側は、長円形であるが、“８の字”形の
ような構造もまた可能である。異なる実施形態では、複
数の電極１９５（１９５Ａ、１９５Ｂ、図４の（Ａ）を
参照）が、各ウエハホルダー（１２０Ａ、１２０Ｂ）に
対して１つずつ、これら各ウエハホルダー（１２０Ａ、
１２０Ｂ）と直接向かい合うように用いられている。各
電極１９５の対応した直径は、ウエハホルダー（１２０
Ａ、１２０Ｂ）の直径と同じであるか、これよりも大き
い。また、異なる実施形態では、無線周波数（ＲＦ）電
力が、ウエハホルダー１２０Ａ、１２０Ｂ上の基板の材
料の処理を助けるプラズマを形成するように、ＲＦ発生
器によって、電極１９５とインピーダンス整合ネットワ
ークとに適用される。ＲＦ電力は、１乃至５ｋＷの範囲
の電力レベルで、１０ＭＨｚ乃至２００ＭＨｚの範囲の
周波数で、供給されることができる。前記インピーダン
ス整合ネットワークは、プラズマへの電力移送を最大に
するように機能する。上述のデザイン及び実施は、当業
者に良く知られている。
【０００９】異なる実施形態では、電極１９５は、接地
されている。異なる実施形態では、電極１９５は接地さ
れ、ＲＦ電力が誘電結合によってプラズマを形成するよ
うに結合された、誘導コイル２９５（図４の（Ｂ）を参
照）がチャンバ１０５を囲んでいる。また、異なる実施
形態では、誘電コイル２９５（図４の（Ｂ）を参照）と
電極１９５とは、ＲＦ電力によって駆動される。
されている。異なる実施形態では、電極１９５は接地さ
れ、ＲＦ電力が誘電結合によってプラズマを形成するよ
うに結合された、誘導コイル２９５（図４の（Ｂ）を参
照）がチャンバ１０５を囲んでいる。また、異なる実施
形態では、誘電コイル２９５（図４の（Ｂ）を参照）と
電極１９５とは、ＲＦ電力によって駆動される。
【００１０】更に異なる実施形態では、電極１９５は、
ガス流入電極として更に機能する。この電極を介して、
処理ガスが、各基板に近くの処理領域中へ流入される。
１つのこのようなガス流入のデザインは、一般に、ガス
供給システムに連結された複数のガス注入オリフィスを
有し、これらの間に、共通のプレナム空間（もしくは複
数のガスプレナム空間）と、一連のバッフル板がガスの
フローを分配するために挿入される、シャワーヘッド型
ガス圧入システムと呼ばれている。
ガス流入電極として更に機能する。この電極を介して、
処理ガスが、各基板に近くの処理領域中へ流入される。
１つのこのようなガス流入のデザインは、一般に、ガス
供給システムに連結された複数のガス注入オリフィスを
有し、これらの間に、共通のプレナム空間（もしくは複
数のガスプレナム空間）と、一連のバッフル板がガスの
フローを分配するために挿入される、シャワーヘッド型
ガス圧入システムと呼ばれている。
【００１１】基板は、これが基板ホルダー（１２０Ａ、
１２０Ｂ）内に収容された基板リフトピン（図示され
ず）によって受けられ、内部に収容された装置によって
機械的に移送されるロボット工学の基板移送システム１
３０によって、スロットバルブ１６０Ａ（上述されたよ
うな）を通って、チャンバ１０５の中へ及びこれから移
送され得る。基板は、ロボット１３０（基板移送システ
ム）から受けられると、基板ホルダー（１２０Ａ、１２
０Ｂ）の上面へと下降され、静電クランプ（図示され
ず）によって、基板ホルダー（１２０Ａ、１２０Ｂ）に
固定される。また、ガスが、所定の基板と基板ホルダー
（１２０Ａ、１２０Ｂ）との間のガスギャップ熱伝導を
向上させるように基板の裏面に供給され得る。更に、Ｒ
Ｆ電力が、ＲＦ発生器及びインピーダンス整合ネットワ
ークによって、各基板ホルダー１２０Ａ、１２０Ｂに印
加され得る。既に述べたように、このようなデザイン及
び実施は、当業者に公知である。本発明の上述の実施形
態の変形及び変更は、上述の教示によって当業者には理
解されるように、可能である。従って、添付の請求項の
範囲並びにこれらと均等の内で、本発明が特定に述べら
れた上記実施形態以外の方法でも実行され得ることが理
解されるだろう。
１２０Ｂ）内に収容された基板リフトピン（図示され
ず）によって受けられ、内部に収容された装置によって
機械的に移送されるロボット工学の基板移送システム１
３０によって、スロットバルブ１６０Ａ（上述されたよ
うな）を通って、チャンバ１０５の中へ及びこれから移
送され得る。基板は、ロボット１３０（基板移送システ
ム）から受けられると、基板ホルダー（１２０Ａ、１２
０Ｂ）の上面へと下降され、静電クランプ（図示され
ず）によって、基板ホルダー（１２０Ａ、１２０Ｂ）に
固定される。また、ガスが、所定の基板と基板ホルダー
（１２０Ａ、１２０Ｂ）との間のガスギャップ熱伝導を
向上させるように基板の裏面に供給され得る。更に、Ｒ
Ｆ電力が、ＲＦ発生器及びインピーダンス整合ネットワ
ークによって、各基板ホルダー１２０Ａ、１２０Ｂに印
加され得る。既に述べたように、このようなデザイン及
び実施は、当業者に公知である。本発明の上述の実施形
態の変形及び変更は、上述の教示によって当業者には理
解されるように、可能である。従って、添付の請求項の
範囲並びにこれらと均等の内で、本発明が特定に述べら
れた上記実施形態以外の方法でも実行され得ることが理
解されるだろう。
【図１】図１は、本発明に係わるプラズマ処理システム
の一実施形態の平面図である。
の一実施形態の平面図である。
【図２】図２は、図１のプラズマ処理システムの側面図
である。
である。
【図３】図３の（Ａ）、（Ｂ）は、２つのウエハホルダ
ーを覆う２つの上側電極のデザインの上面図である。
ーを覆う２つの上側電極のデザインの上面図である。
【図４】図４の（Ａ）、（Ｂ）は、２つのウエハホルダ
ーを覆う２つの付加的な上側電極のデザインの上面図で
ある。
ーを覆う２つの付加的な上側電極のデザインの上面図で
ある。
１００…プラズマ処理システム、１０５…プラズマ処理
チャンバ、１１０Ａ、Ｂ…ゲートバルブ、１２０Ａ、Ｂ
…ウエハホルダー、１３０…ロボット、１３５…ロボッ
トアーム部。
チャンバ、１１０Ａ、Ｂ…ゲートバルブ、１２０Ａ、Ｂ
…ウエハホルダー、１３０…ロボット、１３５…ロボッ
トアーム部。
Claims (7)
- 【請求項１】 少なくとも２つのウエハホルダーと、 これら少なくとも２つのウエハホルダーの両方を覆う単
一の上側電極と、 底部に配置された少なくとも１つのゲートバルブとを具
備するプラズマ処理チャンバ。 - 【請求項２】 前記少なくとも１つのゲートバルブに結
合された少なくとも１つのターボ分子ポンプを更に具備
する請求項１のプラズマ処理チャンバ。 - 【請求項３】 少なくとも２つのウエハホルダーと、 少なくとも２つのウエハホルダーの両方を覆う単一の上
側電極と、 底部に配置された少なくとも１つのゲートバルブとを有
するプラズマ処理チャンバと、 前記少なくとも２つのウエハホルダー上にウエハを位置
させ、及びこれからウエハを取り出すためのロボットア
ーム部とを具備するプラズマ処理システム。 - 【請求項４】 前記ロボットアーム部にウエハを提供
し、及びこれからウエハを受けるための少なくとも１つ
のカセットホルダーを更に具備する請求項３のプラズマ
処理システム。 - 【請求項５】 前記プラズマ処理チャンバを、処理中
に、ロボットアーム部から分離するためのスロットバル
ブを更に具備する請求項３もしくは４のプラズマ処理シ
ステム。 - 【請求項６】 前記ロボットアーム部とプラズマ処理チ
ャンバとの間でウエハを搬送する前に、ロボットアーム
部とプラズマ処理チャンバとの間の圧力を均等にするた
めのポンプを更に具備する請求項３乃至５のいずれか１
のプラズマ処理システム。 - 【請求項７】 少なくとも２つのウエハホルダー上に複
数のウエハを位置させる工程と、 前記少なくとも２つのウエハホルダーの両方を覆う単一
の上側電極を用いて、少なくとも２つのウエハホルダー
の両方の上方にプラズマを発生させる工程とを具備す
る、単一処理チャンバ内で複数のウエハを同時に処理す
る方法。
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|---|---|---|---|
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| US60/315340 | 2001-08-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=27662893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002251343A Pending JP2003209097A (ja) | 2001-08-29 | 2002-08-29 | ウエハ処理マシン |
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2003209097A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100663668B1 (ko) | 2005-12-07 | 2007-01-09 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 복수의 기판을 병렬 배치 처리하기 위한 플라즈마 처리장치 |
Family Cites Families (13)
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-
2002
- 2002-08-29 JP JP2002251343A patent/JP2003209097A/ja active Pending
- 2002-08-29 US US10/230,175 patent/US20030041970A1/en not_active Abandoned
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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