JP2003209045A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パターン露光工程においてレジスト膜から発
生するアウトガスの量を低減して、良好な断面形状を持
つレジストパターンが得られるようにする。 【解決手段】 レジスト膜１１に対して、第１の加熱１
２を行なってプリベークを行なった後、第２の加熱１３
を行なってレジスト膜１１に含まれる溶媒を揮発させ
る。次に、溶媒が揮発したレジスト膜１１に対して真空
中において極紫外線１４を選択的に照射してパターン露
光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を
現像してレジストパターン１６を形成する。
生するアウトガスの量を低減して、良好な断面形状を持
つレジストパターンが得られるようにする。 【解決手段】 レジスト膜１１に対して、第１の加熱１
２を行なってプリベークを行なった後、第２の加熱１３
を行なってレジスト膜１１に含まれる溶媒を揮発させ
る。次に、溶媒が揮発したレジスト膜１１に対して真空
中において極紫外線１４を選択的に照射してパターン露
光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を
現像してレジストパターン１６を形成する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
スにおいて用いられるパターン形成方法に関するもので
ある。
スにおいて用いられるパターン形成方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の大集積化及び半導体素
子のダウンサイジング化に伴って、リソグラフィ技術の
開発の加速が望まれている。
子のダウンサイジング化に伴って、リソグラフィ技術の
開発の加速が望まれている。
【０００３】現在のところ、水銀ランプ、ＫｒＦエキシ
マレーザ又はＡｒＦエキシマレーザ等を露光光とする光
リソグラフィによりパターン形成が行われているが、
０．１μｍ以下、特に５０ｎｍ以下の微細なパターンを
形成するためには、露光光としては、真空中における露
光である極紫外線（波長が１ｎｍ帯〜３０ｎｍ帯の光）
又は電子線等の適用が検討されている。また、これらの
露光光に適したレジスト材料としては、解像度及び感度
に優れる化学増幅型レジスト材料が挙げられる。
マレーザ又はＡｒＦエキシマレーザ等を露光光とする光
リソグラフィによりパターン形成が行われているが、
０．１μｍ以下、特に５０ｎｍ以下の微細なパターンを
形成するためには、露光光としては、真空中における露
光である極紫外線（波長が１ｎｍ帯〜３０ｎｍ帯の光）
又は電子線等の適用が検討されている。また、これらの
露光光に適したレジスト材料としては、解像度及び感度
に優れる化学増幅型レジスト材料が挙げられる。
【０００４】以下、化学増幅型レジスト材料よりなるレ
ジスト膜に真空中で極紫外線を照射してパターン露光を
行なうパターン形成方法の従来例について、図４(a) 〜
(d)を参照しながら説明する。
ジスト膜に真空中で極紫外線を照射してパターン露光を
行なうパターン形成方法の従来例について、図４(a) 〜
(d)を参照しながら説明する。
【０００５】まず、以下の組成を持つ化学増幅型レジス
ト材料を準備する。
ト材料を準備する。
【０００６】
ポリ（(２−メチル−２−アダマンチルアクリレート)−(メチルメタクリレー
ト)−（メタクリル酸)）（但し、２−メチル−２−アダマンチルアクリレート：
メチルメタクリレート：メタクリル酸＝７０mol%：20mol%：10mol%）（ベースポ
リマー）………………………………………………………………………………２ｇ
トリフェニルスルフォニウムトリフレート（酸発生剤）………………０．４ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）…………２０ｇ
【０００７】次に、図４(a) に示すように、半導体基板
１の上に前記の化学増幅型レジスト材料をスピンコート
して、０．２μｍの厚さを持つレジスト膜２を形成した
後、該レジスト膜２に対して、ホットプレートを用いて
９０℃の温度下で６０秒間の加熱３を行なって、プリベ
ークを行なう。
１の上に前記の化学増幅型レジスト材料をスピンコート
して、０．２μｍの厚さを持つレジスト膜２を形成した
後、該レジスト膜２に対して、ホットプレートを用いて
９０℃の温度下で６０秒間の加熱３を行なって、プリベ
ークを行なう。
【０００８】次に、図４(b) に示すように、プリベーク
されたレジスト膜２に対して、真空中において１３．５
ｎｍの波長を持つ極紫外線４を図示しない反射型マスク
を介して照射して、パターン露光を行なう。
されたレジスト膜２に対して、真空中において１３．５
ｎｍの波長を持つ極紫外線４を図示しない反射型マスク
を介して照射して、パターン露光を行なう。
【０００９】次に、図４(c) に示すように、レジスト膜
２に対して、ホットプレートを用いて１１０℃の温度下
で６０秒間の加熱５を行なう。このようにすると、レジ
スト膜２における露光部２ａは、酸発生剤から発生する
酸の作用によりアルカリ性現像液に対して可溶性に変化
する一方、レジスト膜２における未露光部２ｂは、酸発
生剤から酸が発生しないのでアルカリ性現像液に対して
難溶性のままである。
２に対して、ホットプレートを用いて１１０℃の温度下
で６０秒間の加熱５を行なう。このようにすると、レジ
スト膜２における露光部２ａは、酸発生剤から発生する
酸の作用によりアルカリ性現像液に対して可溶性に変化
する一方、レジスト膜２における未露光部２ｂは、酸発
生剤から酸が発生しないのでアルカリ性現像液に対して
難溶性のままである。
【００１０】次に、図４(d) に示すように、レジスト膜
２に対して、２．３８ｗｔ％のテトラメチルアンモニウ
ムハイドロキサイド現像液（アルカリ性現像液）により
現像を行なって、０．０７μｍの線幅を持つレジストパ
ターン６を形成する。
２に対して、２．３８ｗｔ％のテトラメチルアンモニウ
ムハイドロキサイド現像液（アルカリ性現像液）により
現像を行なって、０．０７μｍの線幅を持つレジストパ
ターン６を形成する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図４（ｄ）
に示すように、得られたレジストパターン６の断面形状
は劣化してしまう。
に示すように、得られたレジストパターン６の断面形状
は劣化してしまう。
【００１２】レジストパターン６の形状が劣化する理由
は次のように考えられる。
は次のように考えられる。
【００１３】プリベークされたレジスト膜２に対して、
真空中において極紫外線４を照射してパターン露光を行
なう際に、レジスト膜２からアウトガスが発生し、発生
したアウトガスが露光光学系のミラー又はマスクに付着
する。このため、レジスト膜２に照射される露光光の照
度が低下するので、レジスト膜２の露光部２ａにおい
て、酸発生剤から十分な量の酸が発生しないためであ
る。
真空中において極紫外線４を照射してパターン露光を行
なう際に、レジスト膜２からアウトガスが発生し、発生
したアウトガスが露光光学系のミラー又はマスクに付着
する。このため、レジスト膜２に照射される露光光の照
度が低下するので、レジスト膜２の露光部２ａにおい
て、酸発生剤から十分な量の酸が発生しないためであ
る。
【００１４】前記に鑑み、本発明は、パターン露光工程
においてレジスト膜から発生するアウトガスの量を低減
して、良好な断面形状を持つレジストパターンが得られ
るようにすることを目的とする。
においてレジスト膜から発生するアウトガスの量を低減
して、良好な断面形状を持つレジストパターンが得られ
るようにすることを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係るパターン形成方法は、レジスト膜に対
してプリベークを行なう工程と、プリベークされたレジ
スト膜に含まれる溶媒を揮発させる工程と、溶媒が揮発
したレジスト膜に対して真空中において露光光を選択的
に照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露光
されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成す
る工程とを備えている。
め、本発明に係るパターン形成方法は、レジスト膜に対
してプリベークを行なう工程と、プリベークされたレジ
スト膜に含まれる溶媒を揮発させる工程と、溶媒が揮発
したレジスト膜に対して真空中において露光光を選択的
に照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露光
されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成す
る工程とを備えている。
【００１６】本発明に係るパターン形成方法によると、
プリベークされたレジスト膜に含まれる溶媒を揮発させ
ておいてから、レジスト膜に対して真空中でパターン露
光を行なうため、パターン露光工程においてレジスト膜
から発生するアウトガスの量が大きく低減すると共に、
真空中において溶媒と共にレジスト膜から外部に出る酸
発生剤等の量が低減する。このため、露光光学系のミラ
ー又はマスクに付着するアウトガスの量が著しく低減す
るので、レジスト膜への照射量が増加して良好な断面形
状を持つレジストパターンを得ることができる。
プリベークされたレジスト膜に含まれる溶媒を揮発させ
ておいてから、レジスト膜に対して真空中でパターン露
光を行なうため、パターン露光工程においてレジスト膜
から発生するアウトガスの量が大きく低減すると共に、
真空中において溶媒と共にレジスト膜から外部に出る酸
発生剤等の量が低減する。このため、露光光学系のミラ
ー又はマスクに付着するアウトガスの量が著しく低減す
るので、レジスト膜への照射量が増加して良好な断面形
状を持つレジストパターンを得ることができる。
【００１７】本発明に係るパターン形成方法において、
溶媒を揮発させる工程は、溶媒を揮発させた後にレジス
ト膜に含まれる溶媒の量を、プリベークが行なわれる前
にレジスト膜に含まれていた溶媒の量の１０％以下にす
る工程を含むことが好ましい。
溶媒を揮発させる工程は、溶媒を揮発させた後にレジス
ト膜に含まれる溶媒の量を、プリベークが行なわれる前
にレジスト膜に含まれていた溶媒の量の１０％以下にす
る工程を含むことが好ましい。
【００１８】このようにすると、パターン露光工程にお
いてレジスト膜から発生するアウトガスの量を確実に低
減することができる。
いてレジスト膜から発生するアウトガスの量を確実に低
減することができる。
【００１９】本発明に係るパターン形成方法において、
溶媒を揮発させる工程は、プリベークされたレジスト膜
を加熱する工程を含むことが好ましい。
溶媒を揮発させる工程は、プリベークされたレジスト膜
を加熱する工程を含むことが好ましい。
【００２０】このようにすると、レジスト膜に含まれる
溶媒を簡易且つ確実に揮発させることができる。
溶媒を簡易且つ確実に揮発させることができる。
【００２１】本発明に係るパターン形成方法において、
溶媒を揮発させる工程は、プリベークされたレジスト膜
にエネルギービームを照射する工程を含むことが好まし
い。
溶媒を揮発させる工程は、プリベークされたレジスト膜
にエネルギービームを照射する工程を含むことが好まし
い。
【００２２】このようにすると、レジスト膜に含まれる
溶媒を簡易且つ確実に揮発させることができる。
溶媒を簡易且つ確実に揮発させることができる。
【００２３】この場合、エネルギービームとしては、紫
外線又は遠紫外線が好ましい。
外線又は遠紫外線が好ましい。
【００２４】このようにすると、レジスト膜がエネルギ
ービームに感応することなく、レジスト膜に含まれる溶
媒を揮発させることができる。
ービームに感応することなく、レジスト膜に含まれる溶
媒を揮発させることができる。
【００２５】本発明に係るパターン形成方法において、
レジスト膜は、化学増幅型レジスト材料よりなることが
好ましい。
レジスト膜は、化学増幅型レジスト材料よりなることが
好ましい。
【００２６】この場合、化学増幅型レジスト材料のベー
スポリマーとしては、フェノール系ポリマー、アクリル
系ポリマー、メタクリル系ポリマー又はシクロオレフィ
ン系ポリマーを用いることができる。
スポリマーとしては、フェノール系ポリマー、アクリル
系ポリマー、メタクリル系ポリマー又はシクロオレフィ
ン系ポリマーを用いることができる。
【００２７】本発明に係るパターン形成方法において、
露光光としては、１ｎｍ帯〜３０ｎｍ帯の波長を持つ極
紫外線、又は電子線を用いることができる。
露光光としては、１ｎｍ帯〜３０ｎｍ帯の波長を持つ極
紫外線、又は電子線を用いることができる。
【００２８】また、本発明に係るパターン形成方法にお
いて、露光光としては、１３．５ｎｍ帯の波長を持つ極
紫外線を用いることができる。
いて、露光光としては、１３．５ｎｍ帯の波長を持つ極
紫外線を用いることができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
の第１の実施形態に係るパターン形成方法について、図
１(a) 〜(e) 及び図３を参照しながら説明する。
の第１の実施形態に係るパターン形成方法について、図
１(a) 〜(e) 及び図３を参照しながら説明する。
【００３０】まず、以下の組成を有する化学増幅型レジ
スト材料を準備する。
スト材料を準備する。
【００３１】
ポリ（(２−メチル−２−アダマンチルアクリレート)−(メチルメタクリレー
ト)−（メタクリル酸)）（但し、２−メチル−２−アダマンチルアクリレート：
メチルメタクリレート：メタクリル酸＝７０mol%：20mol%：10mol%）（ベースポ
リマー）………………………………………………………………………………２ｇ
トリフェニルスルフォニウムトリフレート（酸発生剤）………………０．４ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）…………２０ｇ
【００３２】次に、図１(a) に示すように、半導体基板
１０の上に前記の化学増幅型レジスト材料をスピンコー
トして、０．２μｍの厚さを持つレジスト膜１１を形成
した後、該レジスト膜１１に対して、ホットプレートを
用いて９０℃の温度下で６０秒間の第１の加熱１２を行
なって、プリベークを行なう。
１０の上に前記の化学増幅型レジスト材料をスピンコー
トして、０．２μｍの厚さを持つレジスト膜１１を形成
した後、該レジスト膜１１に対して、ホットプレートを
用いて９０℃の温度下で６０秒間の第１の加熱１２を行
なって、プリベークを行なう。
【００３３】次に、図１(b) に示すように、プリベーク
が行なわれたレジスト膜１１に対して、ホットプレート
を用いて１１０℃の温度下で６０秒間の第２の加熱１３
を行なって、レジスト膜１１に含まれる溶媒を揮発させ
る。このようにすると、溶媒揮発工程後のレジスト膜１
１に含まれる溶媒の量は、プリベーク前のレジスト膜１
１に含まれる溶媒の量の１０％以下になる。
が行なわれたレジスト膜１１に対して、ホットプレート
を用いて１１０℃の温度下で６０秒間の第２の加熱１３
を行なって、レジスト膜１１に含まれる溶媒を揮発させ
る。このようにすると、溶媒揮発工程後のレジスト膜１
１に含まれる溶媒の量は、プリベーク前のレジスト膜１
１に含まれる溶媒の量の１０％以下になる。
【００３４】ところで、プリベーク工程と、溶媒を揮発
させる工程とを別々に行なう理由は次の通りである。
させる工程とを別々に行なう理由は次の通りである。
【００３５】プリベークのみでレジスト膜１１に含まれ
る溶媒を十分に揮発させようとすると、加熱時間の増大
及び加熱温度の上昇が必要になるため、レジスト膜１１
に含まれる感光成分（例えば、酸発生剤）がダメージを
受けたり、又はレジスト膜１１に含まれるベースポリマ
ーが収縮してレジスト膜１１が収縮したりするので、レ
ジスト膜１１の解像特性が劣化してしまう。
る溶媒を十分に揮発させようとすると、加熱時間の増大
及び加熱温度の上昇が必要になるため、レジスト膜１１
に含まれる感光成分（例えば、酸発生剤）がダメージを
受けたり、又はレジスト膜１１に含まれるベースポリマ
ーが収縮してレジスト膜１１が収縮したりするので、レ
ジスト膜１１の解像特性が劣化してしまう。
【００３６】これに対して、プリベークされたレジスト
膜１１に対して、レジスト膜１１に含まれる溶媒を揮発
させる工程を備えていると、レジスト膜１１の解像特性
が劣化しない。その理由は、レジスト膜１１に対する熱
履歴を一旦中断することにより、加熱時間の増大及び加
熱温度の上昇の程度を抑制しつつ、レジスト膜１１に含
まれる溶媒を揮発させることができる。
膜１１に対して、レジスト膜１１に含まれる溶媒を揮発
させる工程を備えていると、レジスト膜１１の解像特性
が劣化しない。その理由は、レジスト膜１１に対する熱
履歴を一旦中断することにより、加熱時間の増大及び加
熱温度の上昇の程度を抑制しつつ、レジスト膜１１に含
まれる溶媒を揮発させることができる。
【００３７】次に、図１(c) に示すように、加熱により
溶媒が揮発したレジスト膜１１に対して、真空中におい
て１３．５ｎｍの波長を持つ極紫外線１４を図示しない
反射型マスクを介して選択的に照射して、パターン露光
を行なう。このようにすると、レジスト膜１１から揮発
する溶媒の量が大きく低減するため、露光光学系のミラ
ー又はマスクに付着するアウトガスの量は著しく低減す
る。
溶媒が揮発したレジスト膜１１に対して、真空中におい
て１３．５ｎｍの波長を持つ極紫外線１４を図示しない
反射型マスクを介して選択的に照射して、パターン露光
を行なう。このようにすると、レジスト膜１１から揮発
する溶媒の量が大きく低減するため、露光光学系のミラ
ー又はマスクに付着するアウトガスの量は著しく低減す
る。
【００３８】次に、図１(d) に示すように、レジスト膜
１１に対して、ホットプレートを用いて１１０℃の温度
下で６０秒間の第３の加熱１５を行なう。このようにす
ると、レジスト膜１１における露光部１１ａは、酸発生
剤から発生する酸の作用によりアルカリ性現像液に対し
て可溶性に変化する一方、レジスト膜１１における未露
光部１１ｂは、酸発生剤から酸が発生しないのでアルカ
リ性現像液に対して難溶性のままである。
１１に対して、ホットプレートを用いて１１０℃の温度
下で６０秒間の第３の加熱１５を行なう。このようにす
ると、レジスト膜１１における露光部１１ａは、酸発生
剤から発生する酸の作用によりアルカリ性現像液に対し
て可溶性に変化する一方、レジスト膜１１における未露
光部１１ｂは、酸発生剤から酸が発生しないのでアルカ
リ性現像液に対して難溶性のままである。
【００３９】次に、図１(e) に示すように、パターン露
光されたレジスト膜１１に対して、２．３８ｗｔ％のテ
トラメチルアンモニウムハイドロキサイド現像液（アル
カリ性現像液）により現像を行なって、０．７μｍの線
幅を持つレジストパターン１６を形成する。
光されたレジスト膜１１に対して、２．３８ｗｔ％のテ
トラメチルアンモニウムハイドロキサイド現像液（アル
カリ性現像液）により現像を行なって、０．７μｍの線
幅を持つレジストパターン１６を形成する。
【００４０】第１の実施形態によると、レジスト膜１１
に含まれる溶媒を揮発させておいてから、レジスト膜１
１に対して真空中でパターン露光を行なうため、パター
ン露光工程においてレジスト膜１１から発生するアウト
ガスの量が大きく低減する。このため、ミラー又はマス
クに付着するアウトガスの量が著しく低減するので、良
好な断面形状を持つレジストパターン１６を得ることが
できる。
に含まれる溶媒を揮発させておいてから、レジスト膜１
１に対して真空中でパターン露光を行なうため、パター
ン露光工程においてレジスト膜１１から発生するアウト
ガスの量が大きく低減する。このため、ミラー又はマス
クに付着するアウトガスの量が著しく低減するので、良
好な断面形状を持つレジストパターン１６を得ることが
できる。
【００４１】尚、第１の実施形態においては、プリベー
クが行なわれたレジスト膜１１に対してホットプレート
を用いて１１０℃の温度下で６０秒間の加熱１３を行な
ったが、これに代えて、ホットプレートを用いて７０℃
〜１５０℃の温度下で、３０秒間〜３００秒間の加熱を
行なってもよい。
クが行なわれたレジスト膜１１に対してホットプレート
を用いて１１０℃の温度下で６０秒間の加熱１３を行な
ったが、これに代えて、ホットプレートを用いて７０℃
〜１５０℃の温度下で、３０秒間〜３００秒間の加熱を
行なってもよい。
【００４２】図３は、レジスト膜中に残存する溶媒の割
合（プリベーク前のレジスト膜１１に含まれる溶媒の量
に対する、溶媒揮発工程後のレジスト膜１１に含まれる
溶媒の量の割合）と、レジスト膜から発生するアウトガ
スの比率（溶媒を揮発させないときにレジスト膜１１か
ら発生するアウトガスの量に対する、溶媒を揮発させた
ときにレジスト膜１１から発生するアウトガスの量の比
率）との関係を示している。
合（プリベーク前のレジスト膜１１に含まれる溶媒の量
に対する、溶媒揮発工程後のレジスト膜１１に含まれる
溶媒の量の割合）と、レジスト膜から発生するアウトガ
スの比率（溶媒を揮発させないときにレジスト膜１１か
ら発生するアウトガスの量に対する、溶媒を揮発させた
ときにレジスト膜１１から発生するアウトガスの量の比
率）との関係を示している。
【００４３】図３から分かるように、レジスト膜中に残
存する溶媒の割合が１０％以下になると、レジスト膜か
ら発生するアウトガスの比率は著しく低減する。
存する溶媒の割合が１０％以下になると、レジスト膜か
ら発生するアウトガスの比率は著しく低減する。
【００４４】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態に係るパターン形成方法について、図２(a) 〜
(e) を参照しながら説明する。
実施形態に係るパターン形成方法について、図２(a) 〜
(e) を参照しながら説明する。
【００４５】まず、以下の組成を有する化学増幅型レジ
スト材料を準備する。
スト材料を準備する。
【００４６】
ポリ（(２−メチル−２−アダマンチルアクリレート)−(メチルメタクリレー
ト)−（メタクリル酸)）（但し、２−メチル−２−アダマンチルアクリレート：
メチルメタクリレート：メタクリル酸＝７０mol%：20mol%：10mol%）（ベースポ
リマー）………………………………………………………………………………２ｇ
トリフェニルスルフォニウムトリフレート（酸発生剤）………………０．４ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）…………２０ｇ
【００４７】次に、図２(a) に示すように、半導体基板
２０の上に前記の化学増幅型レジスト材料をスピンコー
トして、０．２μｍの厚さを持つレジスト膜２１を形成
した後、該レジスト膜２１に対して、ホットプレートを
用いて９０℃の温度下で６０秒間の第１の加熱２２を行
なって、プリベークを行なう。
２０の上に前記の化学増幅型レジスト材料をスピンコー
トして、０．２μｍの厚さを持つレジスト膜２１を形成
した後、該レジスト膜２１に対して、ホットプレートを
用いて９０℃の温度下で６０秒間の第１の加熱２２を行
なって、プリベークを行なう。
【００４８】次に、図２(b) に示すように、プリベーク
が行なわれたレジスト膜２１に対して、エネルギービー
ムとしての水銀ランプから出射された紫外線２３を２０
ｍＪ／ｃｍ2 のエネルギーで照射して、レジスト膜２１
に含まれる溶媒を揮発させる。このようにすると、溶媒
揮発工程後のレジスト膜２１に含まれる溶媒の量は、プ
リベーク前のレジスト膜２１に含まれる溶媒の量の１０
％以下になる。
が行なわれたレジスト膜２１に対して、エネルギービー
ムとしての水銀ランプから出射された紫外線２３を２０
ｍＪ／ｃｍ2 のエネルギーで照射して、レジスト膜２１
に含まれる溶媒を揮発させる。このようにすると、溶媒
揮発工程後のレジスト膜２１に含まれる溶媒の量は、プ
リベーク前のレジスト膜２１に含まれる溶媒の量の１０
％以下になる。
【００４９】次に、図２(c) に示すように、加熱により
溶媒が揮発したレジスト膜２１に対して、真空中におい
て１３．５ｎｍの波長を持つ極紫外線２４を図示しない
反射型マスクを介して選択的に照射して、パターン露光
を行なう。このようにすると、レジスト膜２１から揮発
する溶媒の量が大きく低減するため、露光光学系のミラ
ー又はマスクに付着するアウトガスの量は著しく低減す
る。
溶媒が揮発したレジスト膜２１に対して、真空中におい
て１３．５ｎｍの波長を持つ極紫外線２４を図示しない
反射型マスクを介して選択的に照射して、パターン露光
を行なう。このようにすると、レジスト膜２１から揮発
する溶媒の量が大きく低減するため、露光光学系のミラ
ー又はマスクに付着するアウトガスの量は著しく低減す
る。
【００５０】次に、図２(d) に示すように、レジスト膜
２１に対して、ホットプレートを用いて１１０℃の温度
下で６０秒間の第２の加熱２５を行なう。このようにす
ると、レジスト膜２１における露光部２１ａは、酸発生
剤から発生する酸の作用によりアルカリ性現像液に対し
て可溶性に変化する一方、レジスト膜２１における未露
光部２１ｂは、酸発生剤から酸が発生しないのでアルカ
リ性現像液に対して難溶性のままである。
２１に対して、ホットプレートを用いて１１０℃の温度
下で６０秒間の第２の加熱２５を行なう。このようにす
ると、レジスト膜２１における露光部２１ａは、酸発生
剤から発生する酸の作用によりアルカリ性現像液に対し
て可溶性に変化する一方、レジスト膜２１における未露
光部２１ｂは、酸発生剤から酸が発生しないのでアルカ
リ性現像液に対して難溶性のままである。
【００５１】次に、図２(e) に示すように、パターン露
光されたレジスト膜２１に対して、２．３８ｗｔ％のテ
トラメチルアンモニウムハイドロキサイド現像液（アル
カリ性現像液）により現像を行なって、０．７μｍの線
幅を持つレジストパターン２６を形成する。
光されたレジスト膜２１に対して、２．３８ｗｔ％のテ
トラメチルアンモニウムハイドロキサイド現像液（アル
カリ性現像液）により現像を行なって、０．７μｍの線
幅を持つレジストパターン２６を形成する。
【００５２】第２の実施形態によると、レジスト膜２１
に含まれる溶媒を揮発させておいてから、レジスト膜２
１に対して真空中でパターン露光を行なうため、パター
ン露光工程においてレジスト膜２１から発生するアウト
ガスの量が大きく低減する。このため、ミラー又はマス
クに付着するアウトガスの量が著しく低減するので、良
好な断面形状を持つレジストパターン２６を得ることが
できる。
に含まれる溶媒を揮発させておいてから、レジスト膜２
１に対して真空中でパターン露光を行なうため、パター
ン露光工程においてレジスト膜２１から発生するアウト
ガスの量が大きく低減する。このため、ミラー又はマス
クに付着するアウトガスの量が著しく低減するので、良
好な断面形状を持つレジストパターン２６を得ることが
できる。
【００５３】尚、第２の実施形態においては、エネルギ
ービームとして、紫外線を照射したが、これに代えて、
遠紫外線を照射してもよい。また、レジスト膜２１を感
応させることなくレジスト膜２１に含まれる溶媒を揮発
させる波長を持つエネルギービームを適宜用いることが
できる。
ービームとして、紫外線を照射したが、これに代えて、
遠紫外線を照射してもよい。また、レジスト膜２１を感
応させることなくレジスト膜２１に含まれる溶媒を揮発
させる波長を持つエネルギービームを適宜用いることが
できる。
【００５４】また、エネルギービームのエネルギー量と
しては、２０ｍＪ／ｃｍ2 に限られず、例えば、１０ｍ
Ｊ／ｃｍ2 〜２Ｊ／ｃｍ2 であってもよい。
しては、２０ｍＪ／ｃｍ2 に限られず、例えば、１０ｍ
Ｊ／ｃｍ2 〜２Ｊ／ｃｍ2 であってもよい。
【００５５】また、第１及び第２の実施形態において
は、露光光として、１３．５ｎｍの波長帯を持つ極紫外
線を照射したが、これに代えて、１ｎｍ帯〜３０ｎｍ帯
の波長を持つ極紫外線、又は電子線を照射してもよい。
は、露光光として、１３．５ｎｍの波長帯を持つ極紫外
線を照射したが、これに代えて、１ｎｍ帯〜３０ｎｍ帯
の波長を持つ極紫外線、又は電子線を照射してもよい。
【００５６】また、第１及び第２の実施形態において
は、化学増幅型レジスト材料を用いたが、これに代え
て、非化学増幅型レジスト材料を用いてもよい。
は、化学増幅型レジスト材料を用いたが、これに代え
て、非化学増幅型レジスト材料を用いてもよい。
【００５７】また、化学増幅型レジスト材料のベースポ
リマーとしては、フェノール系ポリマー、アクリル系ポ
リマー、メタクリル系ポリマー又はシクロオレフィン系
ポリマーを用いることができるが、これらに限られるも
のではない。
リマーとしては、フェノール系ポリマー、アクリル系ポ
リマー、メタクリル系ポリマー又はシクロオレフィン系
ポリマーを用いることができるが、これらに限られるも
のではない。
【００５８】以下、化学増幅型レジスト材料のベースポ
リマーを例示する。 (1) フェノール系のポリマー ○ ポリ（(エトキシエチルオキシスチレン)−(ヒドロ
キシスチレン)）（但し、エトキシエチルオキシスチレ
ン：ヒドロキシスチレン＝35mol%：65mol%） ○ ポリ（(メトキシメチルオキシスチレン)−(ヒドロ
キシスチレン)）（但し、メトキシメチルオキシスチレ
ン：ヒドロキシスチレン＝40mol%：60mol%） ○ ポリ（(テトラヒドロピラニルオキシスチレン)−
(ヒドロキシスチレン)）（但し、テトラヒドロピラニル
オキシスチレン：ヒドロキシスチレン＝35mol%：65mol
%） ○ ポリ（(フェノキシエチルオキシスチレン)−(ヒド
ロキシスチレン)）（但し、フェノキシエチルオキシス
チレン：ヒドロキシスチレン＝32mol%：68mol%） ○ ポリ（(ｔ−ブチルオキシスチレン)−(ヒドロキシ
スチレン)）（但し、ｔ−ブチルオキシスチレン：ヒド
ロキシスチレン＝30mol%：70mol%） ○ ポリ（(ｔ−ブチルオキシカルボニルオキシスチレ
ン)−(ヒドロキシスチレン)）（但し、ｔ−ブチルオキ
シカルボニルオキシスチレン：ヒドロキシスチレン＝30
mol%：70mol%） ○ ポリ（(ｔ−ブチルオキシカルボニルメチルオキシ
スチレン)−(ヒドロキシスチレン)）（但し、ｔ−ブチ
ルオキシカルボニルメチルオキシスチレン：ヒドロキシ
スチレン＝28mol%：72mol%） (2) アクリル系のポリマー ○ ポリ（(２−メチル−２−アダマンタンアクリル酸
エステル)−(メバロニックラクトンアクリル酸エステ
ル)）（但し、２−メチル−２−アダマンタンアクリル
酸エステル：メバロニックラクトンアクリル酸エステル
＝50mol%：50mol%） ○ ポリ（(２−エチル−２−アダマンタンアクリル酸
エステル)−(γ−ブチロラクトンアクリル酸エステ
ル)）（但し、２−エチル−２−アダマンタンアクリル
酸エステル：γ−ブチロラクトンアクリル酸エステル＝
50mol%：50mol%） (3) メタクリル系のポリマー ○ ポリ（(２−メチル−２−アダマンタンメタクリル
酸エステル)−(メバロニックラクトンメタクリル酸エス
テル)）（但し、２−メチル−２−アダマンタンメタク
リル酸エステル：メバロニックラクトンメタクリル酸エ
ステル＝50mol%：50mol%） ○ ポリ（(２−エチル−２−アダマンタンメタクリル
酸エステル)−(γ−ブチロラクトンメタクリル酸エステ
ル)）（但し、２−エチル−２−アダマンタンメタクリ
ル酸エステル：γ−ブチロラクトンメタクリル酸エステ
ル＝50mol%：50mol%） ○ ポリ（(２−メチル−２−アダマンタンアクリル酸
エステル)−(メバロニックラクトンメタクリル酸エステ
ル)）（但し、２−メチル−２−アダマンタンアクリル
酸エステル：メバロニックラクトンメタクリル酸エステ
ル＝50mol%：50mol%） ○ ポリ（(２−エチル−２−アダマンタンアクリル酸
エステル)−(γ−ブチロラクトンメタクリル酸エステ
ル)）（但し、２−エチル−２−アダマンタンアクリル
酸エステル：γ−ブチロラクトンメタクリル酸エステル
＝50mol%：50mol%） (4) シクロオレフィン系のポリマー ○ ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボ
キシレート)−(ノルボルネン−５−カルボキシレー
ト)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カル
ボキシレート：ノルボルネン−５−カルボキシレート＝
40mol%：60mol%） ○ ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−メチレ
ンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)−(ノルボル
ネン−５−メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコ
ール)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−メ
チレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール：ノルボ
ルネン−５−メチレンヘキサフルオロイソプロピルアル
コール＝35mol%：65mol%） ○ ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボ
キシレート)−(無水マレイン酸)）（但し、５−ｔ−ブ
チルノルボルネン−５−カルボキシレート：無水マレイ
ン酸＝50mol%：50mol%） ○ ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボ
キシレート)−(ノルボルネン−５−カルボキシレート)
−(無水マレイン酸)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボル
ネン−５−カルボキシレート：ノルボルネン−５−カル
ボキシレート：無水マレイン酸＝40mol%：10mol%：50mo
l%） ○ ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−メチレ
ンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)−(無水マレ
イン酸)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−
メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール：無水
マレイン酸＝50mol%：50mol%） ○ ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−メチレ
ンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)−(ノルボル
ネン−５−メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコ
ール)−(無水マレイン酸)）（但し、５−ｔ−ブチルノ
ルボルネン−５−メチレンヘキサフルオロイソプロピル
アルコール：ノルボルネン−５−メチレンヘキサフルオ
ロイソプロピルアルコール：無水マレイン酸＝35mol%：
15mol%：50mol%） ○ ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボ
キシレート)−(無水マレイン酸)−(２−メチル−２−ア
ダマンタンメタクリレート)−(γ−ブチロラクトンメタ
クリレート)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボルネン−
５−カルボキシレート：無水マレイン酸：２−メチル−
２−アダマンタンメタクリレート：γ−ブチロラクトン
メタクリレート＝25mol%：25mol%：30mol%：20mol%） ○ ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボ
キシレート)−(無水マレイン酸)−(γ−ブチロラクトン
メタクリレート)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボルネ
ン−５−カルボキシレート：無水マレイン酸：γ−ブチ
ロラクトンメタクリレート＝40mol%：40mol%：20mol%） ○ ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボ
キシレート)−(無水マレイン酸)−(２−エチル−２−ア
ダマンタンアクリレート)−(メバロニックラクトンアク
リレート)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボルネン−５
−カルボキシレート：無水マレイン酸：２−エチル−２
−アダマンタンアクリレート：メバロニックラクトンア
クリレート＝25mol%：25mol%：35mol%：15mol%） ○ ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボ
キシレート)−(無水マレイン酸)−(メバロニックラクト
ンアクリレート)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボルネ
ン−５−カルボキシレート：無水マレイン酸：メバロニ
ックラクトンアクリレート＝40mol%：40mol%：20mol%）
リマーを例示する。 (1) フェノール系のポリマー ○ ポリ（(エトキシエチルオキシスチレン)−(ヒドロ
キシスチレン)）（但し、エトキシエチルオキシスチレ
ン：ヒドロキシスチレン＝35mol%：65mol%） ○ ポリ（(メトキシメチルオキシスチレン)−(ヒドロ
キシスチレン)）（但し、メトキシメチルオキシスチレ
ン：ヒドロキシスチレン＝40mol%：60mol%） ○ ポリ（(テトラヒドロピラニルオキシスチレン)−
(ヒドロキシスチレン)）（但し、テトラヒドロピラニル
オキシスチレン：ヒドロキシスチレン＝35mol%：65mol
%） ○ ポリ（(フェノキシエチルオキシスチレン)−(ヒド
ロキシスチレン)）（但し、フェノキシエチルオキシス
チレン：ヒドロキシスチレン＝32mol%：68mol%） ○ ポリ（(ｔ−ブチルオキシスチレン)−(ヒドロキシ
スチレン)）（但し、ｔ−ブチルオキシスチレン：ヒド
ロキシスチレン＝30mol%：70mol%） ○ ポリ（(ｔ−ブチルオキシカルボニルオキシスチレ
ン)−(ヒドロキシスチレン)）（但し、ｔ−ブチルオキ
シカルボニルオキシスチレン：ヒドロキシスチレン＝30
mol%：70mol%） ○ ポリ（(ｔ−ブチルオキシカルボニルメチルオキシ
スチレン)−(ヒドロキシスチレン)）（但し、ｔ−ブチ
ルオキシカルボニルメチルオキシスチレン：ヒドロキシ
スチレン＝28mol%：72mol%） (2) アクリル系のポリマー ○ ポリ（(２−メチル−２−アダマンタンアクリル酸
エステル)−(メバロニックラクトンアクリル酸エステ
ル)）（但し、２−メチル−２−アダマンタンアクリル
酸エステル：メバロニックラクトンアクリル酸エステル
＝50mol%：50mol%） ○ ポリ（(２−エチル−２−アダマンタンアクリル酸
エステル)−(γ−ブチロラクトンアクリル酸エステ
ル)）（但し、２−エチル−２−アダマンタンアクリル
酸エステル：γ−ブチロラクトンアクリル酸エステル＝
50mol%：50mol%） (3) メタクリル系のポリマー ○ ポリ（(２−メチル−２−アダマンタンメタクリル
酸エステル)−(メバロニックラクトンメタクリル酸エス
テル)）（但し、２−メチル−２−アダマンタンメタク
リル酸エステル：メバロニックラクトンメタクリル酸エ
ステル＝50mol%：50mol%） ○ ポリ（(２−エチル−２−アダマンタンメタクリル
酸エステル)−(γ−ブチロラクトンメタクリル酸エステ
ル)）（但し、２−エチル−２−アダマンタンメタクリ
ル酸エステル：γ−ブチロラクトンメタクリル酸エステ
ル＝50mol%：50mol%） ○ ポリ（(２−メチル−２−アダマンタンアクリル酸
エステル)−(メバロニックラクトンメタクリル酸エステ
ル)）（但し、２−メチル−２−アダマンタンアクリル
酸エステル：メバロニックラクトンメタクリル酸エステ
ル＝50mol%：50mol%） ○ ポリ（(２−エチル−２−アダマンタンアクリル酸
エステル)−(γ−ブチロラクトンメタクリル酸エステ
ル)）（但し、２−エチル−２−アダマンタンアクリル
酸エステル：γ−ブチロラクトンメタクリル酸エステル
＝50mol%：50mol%） (4) シクロオレフィン系のポリマー ○ ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボ
キシレート)−(ノルボルネン−５−カルボキシレー
ト)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カル
ボキシレート：ノルボルネン−５−カルボキシレート＝
40mol%：60mol%） ○ ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−メチレ
ンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)−(ノルボル
ネン−５−メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコ
ール)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−メ
チレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール：ノルボ
ルネン−５−メチレンヘキサフルオロイソプロピルアル
コール＝35mol%：65mol%） ○ ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボ
キシレート)−(無水マレイン酸)）（但し、５−ｔ−ブ
チルノルボルネン−５−カルボキシレート：無水マレイ
ン酸＝50mol%：50mol%） ○ ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボ
キシレート)−(ノルボルネン−５−カルボキシレート)
−(無水マレイン酸)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボル
ネン−５−カルボキシレート：ノルボルネン−５−カル
ボキシレート：無水マレイン酸＝40mol%：10mol%：50mo
l%） ○ ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−メチレ
ンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)−(無水マレ
イン酸)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−
メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール：無水
マレイン酸＝50mol%：50mol%） ○ ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−メチレ
ンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)−(ノルボル
ネン−５−メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコ
ール)−(無水マレイン酸)）（但し、５−ｔ−ブチルノ
ルボルネン−５−メチレンヘキサフルオロイソプロピル
アルコール：ノルボルネン−５−メチレンヘキサフルオ
ロイソプロピルアルコール：無水マレイン酸＝35mol%：
15mol%：50mol%） ○ ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボ
キシレート)−(無水マレイン酸)−(２−メチル−２−ア
ダマンタンメタクリレート)−(γ−ブチロラクトンメタ
クリレート)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボルネン−
５−カルボキシレート：無水マレイン酸：２−メチル−
２−アダマンタンメタクリレート：γ−ブチロラクトン
メタクリレート＝25mol%：25mol%：30mol%：20mol%） ○ ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボ
キシレート)−(無水マレイン酸)−(γ−ブチロラクトン
メタクリレート)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボルネ
ン−５−カルボキシレート：無水マレイン酸：γ−ブチ
ロラクトンメタクリレート＝40mol%：40mol%：20mol%） ○ ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボ
キシレート)−(無水マレイン酸)−(２−エチル−２−ア
ダマンタンアクリレート)−(メバロニックラクトンアク
リレート)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボルネン−５
−カルボキシレート：無水マレイン酸：２−エチル−２
−アダマンタンアクリレート：メバロニックラクトンア
クリレート＝25mol%：25mol%：35mol%：15mol%） ○ ポリ（(５−ｔ−ブチルノルボルネン−５−カルボ
キシレート)−(無水マレイン酸)−(メバロニックラクト
ンアクリレート)）（但し、５−ｔ−ブチルノルボルネ
ン−５−カルボキシレート：無水マレイン酸：メバロニ
ックラクトンアクリレート＝40mol%：40mol%：20mol%）
【００５９】
【発明の効果】本発明に係るパターン形成方法による
と、プリベークされたレジスト膜に含まれる溶媒を揮発
させておいてから、レジスト膜に対して真空中でパター
ン露光を行なうため、パターン露光工程においてレジス
ト膜から発生するアウトガスの量が大きく低減して、ミ
ラー又はマスクに付着するアウトガスの量が著しく低減
するので、良好な断面形状を持つレジストパターンを得
ることができる。
と、プリベークされたレジスト膜に含まれる溶媒を揮発
させておいてから、レジスト膜に対して真空中でパター
ン露光を行なうため、パターン露光工程においてレジス
ト膜から発生するアウトガスの量が大きく低減して、ミ
ラー又はマスクに付着するアウトガスの量が著しく低減
するので、良好な断面形状を持つレジストパターンを得
ることができる。
【図１】(a) 〜(e) は、第１の実施形態に係るパターン
形成方法の各工程を示す断面図である。
形成方法の各工程を示す断面図である。
【図２】(a) 〜(e) は、第２の実施形態に係るパターン
形成方法の各工程を示す断面図である。
形成方法の各工程を示す断面図である。
【図３】レジスト膜中に残存する溶媒の割合と、レジス
ト膜から発生するアウトガスの比率との関係を示す特性
図である。
ト膜から発生するアウトガスの比率との関係を示す特性
図である。
【図４】(a) 〜(d) は、従来のパターン形成方法の各工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
１０ 半導体基板
１１ レジスト膜
１１ａ 露光部
１１ｂ 未露光部
１２ 第１の加熱
１３ 第２の加熱
１４ 極紫外線
１５ 第３の加熱
１６ レジストパターン
２０ 半導体基板
２１ レジスト膜
２１ａ 露光部
２１ｂ 未露光部
２２ 第１の加熱
２３ エネルギービーム
２４ 極紫外線
２５ 第２の加熱
２６ レジストパターン
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H025 AB16 AC04 AC06 AD01 AD03
BE00 BG00 FA01 FA03 FA12
FA17
2H096 AA25 BA11 BA20 DA01 DA10
EA03 EA06 FA01 GA08 JA02
5F046 GA03 GB01 JA21 JA22 JA27
KA10
Claims (9)
- 【請求項１】 レジスト膜に対してプリベークを行なう
工程と、 プリベークされた前記レジスト膜に含まれる溶媒を揮発
させる工程と、 溶媒が揮発した前記レジスト膜に対して真空中において
露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程
と、 パターン露光された前記レジスト膜を現像してレジスト
パターンを形成する工程とを備えていることを特徴とす
るパターン形成方法。 - 【請求項２】 前記溶媒を揮発させる工程は、溶媒を揮
発させた後に前記レジスト膜に含まれる溶媒の量を、プ
リベークが行なわれる前に前記レジスト膜に含まれてい
た溶媒の量の１０％以下にする工程を含むことを特徴と
する請求項１に記載のパターン形成方法。 - 【請求項３】 前記溶媒を揮発させる工程は、プリベー
クされた前記レジスト膜を加熱する工程を含むことを特
徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。 - 【請求項４】 前記溶媒を揮発させる工程は、プリベー
クされた前記レジスト膜にエネルギービームを照射する
工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のパターン
形成方法。 - 【請求項５】 前記エネルギービームは、紫外線又は遠
紫外線であることを特徴とする請求項４に記載のパター
ン形成方法。 - 【請求項６】 前記レジスト膜は、化学増幅型レジスト
材料よりなることを特徴とする請求項１に記載のパター
ン形成方法。 - 【請求項７】 前記化学増幅型レジスト材料のベースポ
リマーは、フェノール系ポリマー、アクリル系ポリマ
ー、メタクリル系ポリマー又はシクロオレフィン系ポリ
マーであることを特徴とする請求項６に記載のパターン
形成方法。 - 【請求項８】 前記露光光は、１ｎｍ帯〜３０ｎｍ帯の
波長を持つ極紫外線、又は電子線であることを特徴とす
る請求項１に記載のパターン形成方法。 - 【請求項９】 前記露光光は、１３．５ｎｍ帯の波長を
持つ極紫外線であることを特徴とする請求項１に記載の
パターン形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002006959A JP3816006B2 (ja) | 2002-01-16 | 2002-01-16 | パターン形成方法 |
| US10/339,602 US6716730B2 (en) | 2002-01-16 | 2003-01-10 | Pattern formation method |
| CNB031016987A CN1300823C (zh) | 2002-01-16 | 2003-01-15 | 图案形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002006959A JP3816006B2 (ja) | 2002-01-16 | 2002-01-16 | パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003209045A true JP2003209045A (ja) | 2003-07-25 |
| JP3816006B2 JP3816006B2 (ja) | 2006-08-30 |
Family
ID=27605949
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002006959A Expired - Fee Related JP3816006B2 (ja) | 2002-01-16 | 2002-01-16 | パターン形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6716730B2 (ja) |
| JP (1) | JP3816006B2 (ja) |
| CN (1) | CN1300823C (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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