JP2003207793A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 透明電極とＴＦＴとの接続の信頼性を向上さ
せ、また、光反射膜のエッチング時に発生する泡による
光反射膜のパターン形状の不良を防止し、さらに、透過
窓の角部と平面的に重なる領域における液晶配向不良の
発生を防ぐ。 【解決手段】 下基板の内面側には、ＴＦＴと、反射電
極９と透明電極８とからなる画素電極８９と、ＴＦＴと
透明電極８とを電気的に接続するコンタクトホール１５
とが備えられ、反射電極９が形成されていない光反射膜
非形成領域９０に設けられた透過窓１４が透過領域を構
成し、光反射膜非形成領域９０が各画素に一つずつ設け
られ、各光反射膜非形成領域９０内に透過窓１４とコン
タクトホール１５とが形成されている電気光学装置とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置およ
び電子機器に関し、特に、特性不良を防止するととも
に、歩留まりを向上させることができる優れた電気光学
装置および上記の電気光学装置を備えた電子機器に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】電気光学装置（例えば、液晶表示装置、
ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）発光表示装置等）
は、携帯電話機やモバイルコンピュータ等の各種機器の
直視型の表示装置として広く用いられている。このよう
な電気光学装置のうち、例えば、アクティブマトリクス
型で、半透過・半反射型の液晶表示装置においては、対
向配置された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ基板と
対向基板とがシール材で貼り合わされているとともに、
基板間のシール材で区画された領域内に電気光学物質と
しての液晶が封入、保持されている。

【０００３】また、このような液晶表示装置を構成する
ＴＦＴアレイ基板の表面（内面側）には、アルミニウム
などからなり、対向基板の側から入射してきた外光を対
向基板の方向に反射する光反射膜が形成されている。光
反射膜には、光が透過する平面視矩形の透過窓が設けら
れ、光反射膜の上側には、透過窓を覆うように、ＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜からなる透明
電極が形成され、透明電極の上側には、透明電極を覆う
ように配向膜が設けられている。また、透明電極は、画
素スイッチング用のＴＦＴとコンタクトホールを介して
電気的に接続されている。

【０００４】このような液晶表示装置では、反射モード
時には、対向基板側から入射した光をＴＦＴアレイ基板
の光反射膜で反射させて対向基板側から出射させ、対向
基板側から出射された光によって画像を表示する。ま
た、透過モード時には、バックライトからの光のうち透
過窓を透過した光によって画像を表示する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな液晶表示装置では、ＴＦＴと透明電極とを電気的に
接続するためのコンタクトホールを形成する際に、ＴＦ
Ｔと透明電極との間の膜厚に起因する段差によって透明
電極の段切れが生じ、ＴＦＴとの電気的な接続に支障を
来す場合があった。とくに、散乱反射光を得るために、
凹凸層や凹凸形成層を光反射膜の下側に設けた場合に
は、ＴＦＴと透明電極との間の膜厚が厚くなるので、コ
ンタクトホールの上部から底部までの深さが深くなり、
コンタクトホールの側壁に透明電極が成膜されにくくな
るため、透明電極の段切れが生じやすく、問題となって
いた。

【０００６】また、このような液晶表示装置では、通
常、アルミニウムからなる光反射膜をエッチングするこ
とにより、コンタクトホールや透過窓を形成している
が、エッチングされる部分の面積が小さいため、アルミ
ニウムのエッチング時に発生する泡が、エッチングされ
る光反射膜に付着したまま離れず、アルミニウムのエッ
チングに支障を来すという不都合が生じる場合があり、
エッチング終了後に得られる光反射膜のパターン形状に
不良が生じやすいことが問題となっていた。

【０００７】また、このような液晶表示装置を構成する
各画素には、一般に、ＴＦＴと透明電極とを電気的に接
続するためのコンタクトホールを形成する領域と、透過
窓を構成する領域とからなる少なくとも２つの光反射膜
が形成されていない領域が存在する。光反射膜が形成さ
れていない領域の角部と平面的に重なる領域は、光反射
膜の膜厚によって形成される段差に起因する液晶配向不
良（ディスクリネーション）が生じやすい領域である。

【０００８】例えば、矩形の光反射膜が形成されていな
い領域が各画素に２つずつ存在する場合には、光反射膜
が形成されていない領域の角部と平面的に重なる領域は
８箇所となり、各画素には、８箇所も液晶配向不良が生
じやすい領域が存在していることになる。このように多
数の光反射膜形成されていない領域の角部と平面的に重
なる領域が存在すると、液晶配向不良による表示不良が
生じやすくなるため、問題となっていた。

【０００９】本発明は、上述の問題に鑑みてなされたも
のであって、透明電極とＴＦＴとの接続の信頼性を向上
させることができ、また、アルミニウムからなる光反射
膜のエッチング時に発生する泡による光反射膜のパター
ン形状の不良を防止することができ、さらに、光反射膜
に設けられた透過窓の角部と平面的に重なる領域におけ
る液晶配向不良の発生を少なくすることができる優れた
電気光学装置を提供することを目的とする。また、上記
の電気光学装置を備えた電子機器を提供することを目的
とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の電気光学装置は、互いに対向する上基板
と下基板との間に電気光学物質が挟持され、各画素毎に
反射領域と透過領域とが設けられ、反射モードと透過モ
ードによる表示が可能な電気光学装置であって、前記下
基板の内面側には、画素スイッチング用のトランジスタ
と、光反射膜と透明導電膜とからなる画素電極と、前記
トランジスタと前記画素電極の透明導電膜とを電気的に
接続するコンタクトホールとが備えられ、前記光反射膜
が設けられている領域の少なくとも一部が前記反射領域
を構成し、前記透明導電膜によって覆われ、前記光反射
膜が形成されていない光反射膜非形成領域に設けられた
透過窓が前記透過領域を構成し、前記光反射膜非形成領
域が各画素に設けられ、同一の前記各光反射膜非形成領
域内に前記透過窓と前記コンタクトホールとが形成され
ていることを特徴とする。

【００１１】本発明の電気光学装置においては、透明導
電膜とトランジスタとを電気的に接続するコンタクトホ
ールと、光が透過する透過窓とが、同一の光反射膜非形
成領域内に形成されているので、１つの光反射膜非形成
領域の面積は、コンタクトホールと透過窓とがそれぞれ
個別の光反射膜非形成領域内に形成されている場合にお
ける各光反射膜非形成領域の面積と比較して、広いもの
となる。

【００１２】また、光反射膜非形成領域は、通常、アル
ミニウムなどからなる光反射膜をエッチングすることに
より形成されるが、光反射膜非形成領域の面積を広くす
ると、エッチングする際に、エッチングされる光反射膜
に付着したまま離れない泡の量を減少させることがで
き、エッチング終了後に得られる光反射膜のパターン形
状が不良となるのを防止することができる。本発明の電
気光学装置によれば、上述したように、光反射膜非形成
領域の面積が広いものとなるので、アルミニウムからな
る光反射膜をエッチングすることにより光反射膜非形成
領域を形成したとしても、アルミニウムのエッチング時
に発生する泡による光反射膜のパターン形状の不良が生
じにくいものとなる。

【００１３】また、本発明の電気光学装置においては、
透明導電膜とトランジスタとを電気的に接続するコンタ
クトホールと光が透過する透過窓とが、同一の光反射膜
非形成領域内に形成されているので、コンタクトホール
と透過窓とがそれぞれ個別の光反射膜非形成領域内に形
成されている場合と比較して、光反射膜非形成領域の数
が少ないものとなる。光反射膜非形成領域の数が少ない
と、光反射膜非形成領域の角部の数も少なくなり、液晶
配向不良が生じやすい領域である光反射膜非形成領域の
角部と平面的に重なる領域の数も少なくなるので、液晶
配向不良を防止することができ、液晶配向不良による表
示不良を防ぐことができる。

【００１４】また、上記の電気光学装置においては、前
記光反射膜上に前記透明導電膜が設けられていることが
望ましい。このような電気光学装置とすることで、光反
射膜を、例えば、電触の発生しやすいアルミニウムから
なるものとした場合に、光反射膜の電触によって発生す
る不良を防止することができる。

【００１５】また、このような電気光学装置において
も、上述したように、コンタクトホールと透過窓とがそ
れぞれ個別の光反射膜非形成領域内に形成されているも
のと比較して、光反射膜非形成領域の面積が広いものと
なるので、光反射膜非形成領域の周囲長を長くすること
ができる。このため、トランジスタと透明導電膜とを電
気的に接続するためのコンタクトホールを光反射膜非形
成領域内に形成する際に、光反射膜の膜厚に起因する段
差によって光反射膜非形成領域の周縁部上に設けられた
透明導電膜の一部が途切れたとしても、途切れることな
く形成された部分において、透明導電膜とトランジスタ
との電気的な接続を確保することができる。よって、前
記光反射膜上に前記透明導電膜が設けられているもので
あっても、透明導電膜とトランジスタとの電気的な接続
における信頼性が向上し、歩留まりの向上が実現でき
る。

【００１６】また、上記の電気光学装置においては、前
記コンタクトホールよりも上側に、前記コンタクトホー
ルを覆い、前記光反射膜非形成領域を横断する遮光層が
備えられたものであることが望ましい。

【００１７】このような電気光学装置とすることで、上
基板側からコンタクトホールに入射する光を遮光するこ
とができるので、上基板側からコンタクトホールに入射
する光に起因する液晶配向不良などの不都合が防止でき
る。また、本発明の電気光学装置において、コンタクト
ホールを覆う遮光層は、コンタクトホールよりも上側に
備えられていれば、上基板に設けられていてもよいし下
基板に設けられていてもよいが、前記遮光層が光反射膜
非形成領域を横断する領域と平面的に重なる領域に設け
られていない場合には、以下に示すような、不都合が生
じる場合がある。

【００１８】すなわち、例えば、遮光層が上基板に設け
られ、遮光層が前記光反射膜非形成領域を横断する領域
と平面的に重なる領域に設けられていない場合、電気光
学装置を製造する工程における上基板と下基板との貼り
合わせずれによって、光反射膜非形成領域と遮光層との
重なる位置が所定の位置からずれて、遮光層と光反射膜
非形成領域とが重なる領域の面積が変化してしまう。ま
た、例えば、遮光層が下基板に設けられ、遮光層が前記
光反射膜非形成領域を横断する領域と平面的に重なる領
域に設けられていない場合、電気光学装置を製造する工
程における遮光層の形成位置のずれによって、光反射膜
非形成領域と遮光層との重なる位置が所定の位置からず
れて、上述した遮光層が上基板に設けられている場合と
同様に、遮光層と光反射膜非形成領域とが重なる領域の
面積が変化してしまう。

【００１９】このように、遮光層と光反射膜非形成領域
とが重なる領域の面積が変化すると、光反射膜非形成領
域内に形成された透過窓の面積も変化してしまうので、
透過モード時の表示に支障を来し、所定の表示品質が得
られない恐れがある。

【００２０】これに対し、上記の電気光学装置において
は、基板側から前記トランジスタに入射する光を遮光す
る遮光層が、光反射膜非形成領域を横断する領域と平面
的に重なる領域に設けられているので、透過窓は、光反
射膜非形成領域内において、遮光層と平面的に重なる領
域を挟んで対向する２つの領域に位置することになり、
光反射膜非形成領域と遮光層との重なる位置が所定の位
置からずれたとしても、遮光層と光反射膜非形成領域と
が重なる領域の面積が変化することはなく、透過窓を構
成する２つの領域の面積比が変化するだけとなる。した
がって、光反射膜非形成領域内に形成された透過窓の面
積が変化して、透過モード時の表示に支障を来すことは
なく、一定の表示品質が得られるため、歩留まりを向上
させることができる。

【００２１】また、本発明の電気光学装置においては、
透明導電膜とトランジスタとを電気的に接続するコンタ
クトホールと透過窓とが、同一の光反射膜非形成領域内
に形成されているので、コンタクトホールと透過窓とが
それぞれ個別の光反射膜非形成領域内に形成されている
場合と比較して、上基板側からコンタクトホールに入射
する光を遮光する遮光層の形成面積を狭くすることがで
きる。

【００２２】例えば、コンタクトホールと透過窓とがそ
れぞれ個別の光反射膜非形成領域内に形成されている場
合、コンタクトホールが設けられている光反射膜非形成
領域の面積が狭くなり、コンタクトホールが設けられて
いる光反射膜非形成領域内の平坦な部分の面積が少なく
なるので、コンタクトホールが形成されている部分だけ
でなく、コンタクトホールが設けられている光反射膜非
形成領域全体が液晶配向不良が生じやすい領域となる。
このため、コンタクトホールが設けられている光反射膜
非形成領域すべてを遮光することができるだけの面積を
有する遮光層を形成しなければならない。したがって、
遮光領域、すなわち、表示に寄与しない領域の割合が大
きくなってしまう。

【００２３】これに対し、本発明の電気光学装置におい
ては、コンタクトホールと透過窓とが、同一の光反射膜
非形成領域内に形成されているので、上述したように、
光反射膜非形成領域の面積が広くなり、コンタクトホー
ルの周囲にも平坦な部分が形成されるので、光反射膜非
形成領域すべてを遮光する必要はない。したがって、表
示に寄与する領域の割合を向上させることができる。

【００２４】また、上記の電気光学装置においては、前
記光反射膜非形成領域は、前記光反射膜が窓状に開口さ
れてなる窓部から、前記光反射膜の外周部に向かって開
口していることが望ましい。

【００２５】このような電気光学装置とすることで、透
明導電膜とトランジスタとの電気的な接続のために利用
し得る光反射膜の膜厚に起因する段差の延在する長さ
が、光反射膜非形成領域の周囲長だけでなく、光反射膜
の外周の周囲長分も含まれる長さとなるので、トランジ
スタと透明導電膜とを電気的に接続するためのコンタク
トホールを形成する際に、光反射膜の膜厚に起因する段
差によって光反射膜非形成領域の周縁部上に設けられた
透明導電膜の一部または全部が途切れたとしても、光反
射膜の外周部上に設けられた透明導電膜のうちの途切れ
ることなく形成された部分において、透明導電膜とトラ
ンジスタとの電気的な接続を確保することができる。よ
って、透明導電膜とトランジスタとの電気的な接続にお
ける信頼性をより一層向上させることができる。

【００２６】また、上記の電気光学装置においては、前
記光反射膜が、アルミニウムもしくはその合金、又は銀
もしくはその合金、又はこれらにチタン、窒化チタン、
モリブデン、タンタル等を含む積層膜から構成されたこ
とが望ましい。このような電気光学装置とすることで、
光反射効率が高い光反射膜となり、反射モード時に明る
い表示が得られるものとなる。

【００２７】また、上記の電気光学装置においては、前
記画素電極が、アルミニウムもしくはその合金、又は銀
もしくはその合金とＩＴＯ膜（インジウムすず酸化膜）
との積層膜から構成されたことが望ましい。このような
電気光学装置とすることで、透過モード時にコントラス
トの高い表示が得られるものとなる。

【００２８】また、上記の目的を達成するために、本発
明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えたことを特
徴とする。このような電子機器とすることで、歩留まり
を向上させることができる。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。 「第１実施形態」 （電気光学装置の基本的な構成）図１は、本発明の電気
光学装置の一実施形態である液晶表示装置を、各構成要
素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図２
は、図１のＨ−Ｈ’線における断面図である。図３は、
電気光学装置（液晶表示装置）の画像表示領域において
マトリクス状に形成された複数の画素における各種素
子、配線等の等価回路図である。なお、本形態の説明に
用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可
能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を
異ならしめてある。

【００３０】図１及び図２において、本実施の形態の電
気光学装置（液晶表示装置）１００は、ＴＦＴアレイ基
板１０（下基板）と対向基板２０（上基板）とがシール
材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によっ
て区画された領域内には、電気光学物質としての液晶５
０が封入、保持されている。また、シール材５２が形成
された領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺
見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領
域には、データ線駆動回路２０１、及び実装端子２０２
がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されてお
り、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２
０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一
辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回
路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設け
られており、さらに、周辺見切り５３の下側等を利用し
て、プリチャージ回路や検査回路が設けられることもあ
る。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇
所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０と
の間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配
設されている。

【００３１】なお、電気光学装置１００おいては、使用
する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネ
マティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等
々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリ
ブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フ
ィルム、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここで
は図示を省略している。

【００３２】また、電気光学装置１００をカラー表示用
として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域
に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフ
ィルタをその保護膜とともに形成する。

【００３３】このような構造を有する電気光学装置１０
０の画像表示領域においては、図３に示すように、複数
の画素１００ａがマトリクス状に構成されているととも
に、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチン
グ用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ
２、・・・Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０の
ソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き
込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、この順に線順
次で（線番号の順番で）供給してもよく、相隣接する複
数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給する
ようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査
線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミング
で、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・
・Ｇｍをこの順に線順次で（線番号の順番で）印加する
ように構成されている。反射電極９（光反射膜）及び透
明電極８（透明導電膜）は、ＴＦＴ３０のドレインに電
気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ
３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ
線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎ
を各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにし
て反射電極９及び透明電極８を介して液晶に書き込まれ
た所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、図
２に示す対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間
保持される。

【００３４】（ＴＦＴアレイ基板の構成）図４は、本実
施の形態に用いたＴＦＴアレイ基板の相互に隣接する複
数の画素群の平面図であり、図５は、図４のＡ−Ａ’線
における画素の断面図である。また、図６は、一つの画
素を構成する画素電極における光反射膜非形成領域と透
過窓およびコンタクトホールの配置を説明するための図
である。

【００３５】図４および図５に示すように、ＴＦＴアレ
イ基板１０上には、反射電極９と反射電極９上に設けら
れた透明電極８とからなり、光が透過する透過窓１４を
有する画素電極８９がマトリクス状に形成されており
（図４においては一画素を示す）、これら各画素電極８
９に対して、画素スイッチング用のＴＦＴ３０（図３参
照）がそれぞれ透明電極８を介して電気的に接続してい
る。

【００３６】また、画素電極８９を形成する領域の縦横
の境界に沿って、データ線６ａ、走査線３ａ及び容量線
３ｂが形成され、ＴＦＴ３０は、データ線６ａ及び走査
線３ａに対して接続している。すなわち、データ線６ａ
は、コンタクトホールを介してＴＦＴ３０の高濃度ソー
ス領域１ａに電気的に接続し、画素電極８９を構成する
透明電極８は、コンタクトホール１５及びソース線６ｂ
を介してＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｄに電気的
に接続している。

【００３７】また、ＴＦＴ３０のチャネル形成用領域１
ａ’に対向するように走査線３ａが延びている。なお、
蓄積容量６０は、画素スイッチング用のＴＦＴ３０（図
３参照）を形成するための半導体膜１の延設部分１ｆを
導電化したものを下電極とし、この下電極１ｆに、走査
線３ａと同層の容量線３ｂが上電極として重なった構造
になっている。

【００３８】また、図４および図６に示すように、各画
素１００ａには、一つずつ反射電極９が形成されていな
い光反射膜非形成領域９０が設けられ、光反射膜非形成
領域９０内には、コンタクトホール１５が形成されてい
る。図４に示すように、コンタクトホール１５は、チタ
ン、窒化チタン、アルミニウム、タンタル、モリブテン
などからなり、画素電極８９を形成する領域の周縁部に
沿って配置されているＴＦＴ３０から画素電極８９を形
成する領域の中心部まで延設されたソース線６ｂと、画
素電極８９を構成する透明電極８とを、各画素１００ａ
の中央部で電気的に接続するものである。

【００３９】また、光反射膜非形成領域９０のうち、ソ
ース線６ｂと重なり合わない領域が、光が透過する透過
窓１４となっている。透過窓１４に対応する領域は、透
明電極８によって覆われ、透過モードで画像表示を行う
透過領域である。また、反射電極９によって覆われ、後
述する凹凸形成層（図示せず）および凹凸層（図示せ
ず）を備えた領域は、反射領域であり、ここでは反射モ
ードで画像表示を行う。

【００４０】また、図５に示すように、この反射領域の
Ａ−Ａ’線で切断したときの断面は、ＴＦＴアレイ基板
１０の基体としての透明なＴＦＴアレイ基板用のガラス
基板１０’の表面に、厚さが１００ｎｍ〜５００ｎｍの
シリコン酸化膜（絶縁膜）からなる下地保護膜１１が形
成され、この下地保護膜１１の表面には、厚さが３０ｎ
ｍ〜１００ｎｍの島状の半導体膜１が形成されている。
半導体膜１の表面には、厚さが約５０〜１５０ｎｍのシ
リコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２が形成され、この
ゲート絶縁膜２の表面に、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎ
ｍの走査線３ａがゲート電極として通っている。半導体
膜１のうち、走査線３ａに対してゲート絶縁膜２を介し
て対向する領域がチャネル形成用領域１ａ’になってい
る。このチャネル形成用領域１ａ’に対して一方側に
は、低濃度領域１ｂ及び高濃度ソース領域１ａを備える
ソース領域が形成され、他方側には低濃度領域１ｂ及び
高濃度ドレイン領域１ｄを備えるドレイン領域が形成さ
れ、その中間には、ソース、ドレインのどちらの領域に
も属さない高濃度領域１ｃが形成されている。

【００４１】画素スイッチング用のＴＦＴ３０の表面側
には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜
からなる第１層間絶縁膜４、及び厚さが１００ｎｍ〜８
００ｎｍのシリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜５が
形成されている。第１層間絶縁膜４の表面には、厚さが
３００ｎｍ〜８００ｎｍのデータ線６ａが形成され、こ
のデータ線６ａは、第１層間絶縁膜４に形成されたコン
タクトホールを介して高濃度ソース領域１ａに電気的に
接続している。

【００４２】第２層間絶縁膜５の上層には、有機系樹脂
等の感光性樹脂からなる凹凸形成層１３及び凹凸層７が
この順に形成され、凹凸層７の表面には、アルミニウム
からなる反射電極９と、反射電極９の上層に形成された
ＩＴＯ膜等からなる透明電極８とからなる画素電極８９
が形成されている。画素電極８９を構成する透明電極８
は、コンタクトホール１５を介してソース線６ｂと電気
的に接続している。また、画素電極８９の表面には、背
面光源からの光を透過するための透過窓１４が形成され
ているとともに、凹凸層７の表面凹凸形状に対応した凹
凸パターン９ｇが形成されている。さらに、画素電極８
９の表面側には、ポリイミド膜からなる配向膜１２が形
成され、配向膜１２の表面側には、ラビング処理が施さ
れている。

【００４３】また、高濃度ドレイン領域１ｄからの延設
部分１ｆに対しては、ゲート絶縁膜２と同時形成された
絶縁膜を介して、走査線３ａと同層の容量線３ｂが上電
極として対向することにより、蓄積容量６０（図３参
照）が構成されている。

【００４４】なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のよ
うにＬＤＤ構造（ライトリー・ドープト・ドレイン構
造）をもつが、低濃度領域１ｂに相当する領域に不純物
イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を有してい
てもよい。また、ＴＦＴ３０は、ゲート電極（走査線３
ａの一部）をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち
込み、自己整合的に高濃度のソース及びドレイン領域を
形成したセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。

【００４５】また、本実施の形態では、ＴＦＴ３０のゲ
ート電極（走査線３ａ）をソース−ドレイン領域の間に
２個配置したデュアルゲート（ダブルゲート）構造とし
たが、１個配置したシングルゲート構造であってもよ
く、また、これらの間に３個以上のゲート電極を配置し
たトリプルゲート以上の構造であってもよい。複数個配
置した場合、各々のゲート電極には同一の信号が印加さ
れるようにする。このようにデュアルゲート、又はトリ
プルゲート以上でＴＦＴ３０を構成すれば、チャネルと
ソース−ドレイン領域の接合部でのリーク電流を防止で
き、オフ時の電流を低減することができる。これらのゲ
ート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造又はオフセット
構造にすれば、さらに、オフ電流を低減でき、安定した
スイッチング素子を得ることができる。

【００４６】また、図４および図５において、ＴＦＴア
レイ基板１０では、各画素１００ａを構成する画素電極
８９の表面のうち、ＴＦＴ３０の形成領域及びコンタク
トホール１５から外れた領域（凹凸層形成領域）には、
前述のように凹凸パターン９ｇが形成されている。

【００４７】このような凹凸パターン９ｇを構成するに
あたって、本実施形態のＴＦＴアレイ基板１０では、前
述の凹凸層形成領域には、図５に示すように、アクリル
樹脂等の有機系の透光性の感光性樹脂からなる凹凸形成
層１３が第２層間絶縁膜５の表面に１〜３μｍの厚さで
例えば、スピンコートによって形成され、この凹凸形成
層１３の上層には、アクリル樹脂等の有機系の透光性の
感光性樹脂等のような流動性材料から形成された絶縁膜
からなる凹凸層７が１〜２μｍの厚さで例えば、スピン
コートによって積層されている。

【００４８】また、凹凸形成層１３には、多数の凹凸が
形成されている。このため、図５に示すように、画素電
極８９の表面には、凹凸層７の表面凹凸形状に対応する
凹凸パターン９ｇが形成され、この凹凸パターン９ｇで
は、凹凸層７によって、凹凸形成層１３のエッジ等が現
れないようになっている。なお、凹凸層７を形成せず
に、凹凸形成層１３を形成した後、ベーク工程を行うこ
とにより、凹凸形成層１３の凹凸の縁を滑らかにしても
よい。

【００４９】（対向基板の構成）図５において、対向基
板２０では、対向基板側のガラス基板２０’上の、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０に形成されている反射電極９の縦横の
境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、又はブ
ラックストライプ等と称せられる遮光膜２３が形成さ
れ、その上層側には、ＩＴＯ膜からなる対向電極２１が
形成されている。また、対向電極２１の上層側には、ポ
リイミド膜からなる配向膜２２が形成されている。な
お、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、
液晶５０が、保持、封入されている。

【００５０】このように構成した電気光学装置１００に
おいては、各画素１００ａに一つずつ光反射膜非形成領
域９０が設けられ、同一の光反射膜非形成領域９０内に
コンタクトホール１５と透過窓１４とが形成されている
ので、１つの光反射膜非形成領域９０の面積は、コンタ
クトホール１５と透過窓１４とがそれぞれ個別の光反射
膜非形成領域内に形成されている場合における各光反射
膜非形成領域の面積と比較して、広いものとなる。

【００５１】各光反射膜非形成領域９０の面積が広い
と、各光反射膜非形成領域９０の周囲長が長くなるの
で、コンタクトホール１５を光反射膜非形成領域９０内
に形成する際に、反射電極９の膜厚に起因する段差によ
って光反射膜非形成領域９０の周縁部上に設けられた透
明電極８の一部が途切れたとしても、途切れることなく
形成された部分において、ＴＦＴ３０に電気的に接続し
ているソース線６ｂと透明電極８との電気的な接続を確
保することができる。よって、透明電極８とＴＦＴ３０
との電気的な接続における信頼性が向上し、歩留まりの
向上が実現できる。

【００５２】また、光反射膜非形成領域９０の面積が広
いので、アルミニウムからなる反射電極９をエッチング
することにより光反射膜非形成領域９０を形成する際
に、アルミニウムのエッチング時に発生する泡による反
射電極９のパターン形状の不良が生じにくいものとな
る。

【００５３】また、本実施形態の電気光学装置１００に
おいては、上述したように、コンタクトホール１５と透
過窓１４とが、各画素１００ａに一つずつ設けられた光
反射膜非形成領域９０内に形成されているので、コンタ
クトホール１５と透過窓１４とがそれぞれ個別の光反射
膜非形成領域内に形成されている場合と比較して、光反
射膜非形成領域の数が少ないものとなる。

【００５４】図１２は、液晶表示装置の一つの画素を構
成する画素電極における光反射膜が形成されていない領
域と、透過窓およびコンタクトホールの配置を説明する
ための図であり、コンタクトホールと透過窓とがそれぞ
れ個別の光反射膜非形成領域内に形成されている場合の
例である。図１２において、符号９は、反射電極を示
し、符号１９０は、反射電極９が形成されていない光反
射膜非形成領域を示している。このように矩形の光反射
膜非形成領域１９０が各画素に２つずつ存在する場合に
は、光反射膜非形成領域１９０の角部１９０ａと平面的
に重なる領域は８箇所となり、各画素には、８箇所も液
晶配向不良が生じやすい領域が存在していることにな
る。

【００５５】本実施形態の電気光学装置１００において
は、上述したように、コンタクトホール１５と透過窓１
４とが、各画素１００ａに一つずつ設けられた光反射膜
非形成領域９０内に形成されているので、図４において
符号９０ａで示した光反射膜非形成領域９０の角部の数
は４箇所となり、液晶配向不良が生じやすい領域である
光反射膜非形成領域９０の角部９０ａと平面的に重なる
領域も４箇所となり、図１２に示すコンタクトホール１
５と透過窓１４とがそれぞれ個別の光反射膜非形成領域
内に形成されている場合の８箇所と比較して少なくなる
ので、液晶配向不良を防止することができ、液晶配向不
良による表示不良を防ぐことができる。

【００５６】また、本実施形態の電気光学装置１００で
は、対向基板２０側から入射した光を、反射電極９によ
ってＴＦＴアレイ基板１０側で反射して、対向基板２０
側から出射することができ、この間に液晶５０によって
各画素１００ａ毎で光変調を行えば、外光を利用して所
望の画像を表示することができる（反射モード）。

【００５７】また、本実施形態の電気光学装置１００
は、透過窓１４を覆うように透明電極８が形成されてい
るものであるため、透過型の液晶表示装置としても機能
する。すなわち、ＴＦＴアレイ基板１０の側に配置され
たバックライト装置（図示せず）から出射された光は、
ＴＦＴアレイ基板１０に入射し、各画素１００ａにおい
て透過窓１４を経由して対向基板２０側に透過する。こ
のため、液晶５０によって各画素１００ａ毎に光変調を
行えば、バックライト装置から出射された光を利用して
所望の画像を表示することができる（透過モード）。

【００５８】また、本実施形態では、画素電極８９の下
層側のうち、反射電極９と平面的に重なる領域に凹凸形
成層１３を形成し、この凹凸形成層１３の凹凸を利用し
て、反射電極９の表面に光散乱用の凹凸パターン９ｇを
形成している。また、凹凸パターン９ｇでは、凹凸層７
によって、凹凸形成層１３のエッジ等が現れないように
なっている。従って、反射モードで画像を表示したと
き、散乱反射光で画像を表示するため、視野角依存性が
小さい。

【００５９】また、反射電極９を、アルミニウムからな
るものとしたので、光反射効率が高い反射電極９とな
り、反射モード時に明るい表示が得られるものとなる。

【００６０】また、透明電極８を、ＩＴＯ膜からなるも
のとしたので、透過モード時にコントラストの高い表示
が得られるものとなる。

【００６１】また、本実施形態の電気光学装置１００で
は、コンタクトホール１５が、画素電極８９を形成する
領域の中心部に設けられているので、仮に、透明電極８
を形成した後の工程において、例えばジメチルスルホキ
シドとモノエタノールアミンとからなるレジスト剥離液
などの薬液が各画素１００ａの外周部から侵入し、アク
リル樹脂等の有機系の透光性の感光性樹脂などからなる
凹凸形成層１３や凹凸層７が膨潤したとしても、凹凸形
成層１３や凹凸層７の膨潤によって凹凸形成層１３や凹
凸層７の上層に設けられている透明電極８が途切れて、
ソース線６ｂと透明電極８との電気的な接続に支障を来
すという不都合が発生しにくい。

【００６２】すなわち、各画素１００ａの外周部から侵
入した薬液に起因する凹凸形成層１３や凹凸層７の膨潤
は、画素電極８９を形成する領域の周縁部で発生しやす
い現象であり、コンタクトホール１５が設けられている
画素電極８９を形成する領域の中心部において発生する
ことはない。したがって、コンタクトホール１５が、画
素電極８９を形成する領域の周縁部に設けられている場
合には、凹凸形成層１３や凹凸層７の膨潤によってソー
ス線６ｂとの電気的な接続を担っている透明電極８が途
切れる恐れがある。これに対し、本実施形態において
は、コンタクトホール１５が、画素電極８９を形成する
領域の中心部に設けられているので、画素電極８９を形
成する領域の周縁部で、凹凸形成層１３や凹凸層７が膨
潤したとしても、ソース線６ｂとの電気的な接続を担っ
ている透明電極８が途切れることはなく、ソース線６ｂ
と透明電極８との電気的な接続を確保することができ
る。

【００６３】なお、本実施形態においては、反射電極９
を、アルミニウムからなるものとしたが、反射電極９は
アルミニウムからなるものの限定されるものではなく、
例えば、アルミニウム合金、又は銀もしくはその合金、
又はこれらにチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタ
ル等を含む積層膜から構成されていてもよい。このよう
な反射電極９を備えた場合も、光反射効率が高い反射電
極９となり、反射モード時に明るい表示が得られる液晶
表示装置を実現できる。

【００６４】「第２実施形態」 （ＴＦＴアレイ基板の構成）本実施形態において、液晶
表示装置の全体構成は、第１実施形態と同様であるた
め、詳細な説明は省略する。また、本実施形態の液晶表
示装置が、上述した第１実施形態の液晶表示装置と異な
るところは、光反射膜非形成領域内における透過窓およ
びコンタクトホールの配置と、遮光膜の形成領域のみで
ある。このため、本実施形態においては、第１実施形態
と異なるところのみ、図面を用いて詳しく説明する。

【００６５】図７は、本実施形態の液晶表示装置の一つ
の画素を構成する画素電極における光反射膜非形成領域
と、透過窓およびコンタクトホールの配置と、遮光膜の
形成領域とを説明するための図であり、第１実施形態に
おいて説明した図６に対応する図である。

【００６６】図７に示すように、本実施形態において
は、第１実施形態と異なり、コンタクトホール１５が光
反射膜非形成領域９０の中央部に形成され、対向基板２
０に備えられた遮光層２３の形成領域を拡大させてなる
遮光層２３ｂが光反射膜非形成領域９０を横断する領域
と平面的に重なる領域に設けられている。遮光層２３ｂ
は、対向基板２０側からコンタクトホール１５に入射す
る光を遮光するものである。また、光反射膜非形成領域
９０のうち、遮光層２３ｂと重なり合わない領域が、光
が透過する透過窓１４となっている。

【００６７】このように本実施形態においては、光反射
膜非形成領域９０を横断する領域と平面的に重なる領域
に遮光層２３ｂが設けられているので、対向基板２０側
からコンタクトホール１５に入射する光に起因する液晶
配向不良をより一層効果的に防止することができる。

【００６８】また、本実施形態においては、遮光層２３
ｂが、光反射膜非形成領域９０を横断する領域と平面的
に重なる領域に設けられているので、透過窓１４は、光
反射膜非形成領域９０内において、遮光層２３ｂと平面
的に重なる領域を挟んで対向する２つの領域１４ａ、１
４ｂに位置することになる。このため、仮に、本実施形
態の液晶表示装置を製造する工程におけるＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板２０との貼り合わせずれによって、
光反射膜非形成領域９０と遮光層２３ｂとの重なる位置
が所定の位置からずれたとしても、遮光層２３ｂと光反
射膜非形成領域９０とが重なる領域の面積が変化するこ
とはなく、透過窓１４を構成する２つの領域１４ａ、１
４ｂの面積比が変化するだけとなる。

【００６９】例えば、図１３（ａ）に示すように、光反
射膜非形成領域９０と遮光層２３ｂとの重なる位置が図
示上方向にずれた場合には、図７に示した透過窓を構成
する２つの領域１４ａ、１４ｂのうち、上側の領域１４
ａが狭くなるが、上側の領域１４ａが狭くなった分だけ
下側の領域１４ｂが広くなる。また、例えば、図１３
（ｂ）に示すように、光反射膜非形成領域９０と遮光層
２３ｂとの重なる位置が図示下方向にずれた場合には、
図７に示した透過窓を構成する２つの領域１４ａ、１４
ｂのうち、下側の領域１４ｂが狭くなるが、下側の領域
１４ｂが狭くなった分だけ上側の領域１４ａが広くな
る。このように、光反射膜非形成領域９０と遮光層２３
ｂとの重なる位置がずれても、透過窓１４を構成する２
つの領域１４ａ、１４ｂの面積比が変化するだけであ
り、透過窓１４を構成する２つの領域１４ａ、１４ｂの
合計面積が変化することはない。

【００７０】したがって、光反射膜非形成領域９０内に
形成された透過窓１４の面積が変化して、透過モード時
の表示に支障を来すことはなく、一定の表示品質が得ら
れるため、歩留まりを向上させることができる。

【００７１】なお、このように構成した本実施形態の電
気光学装置１００においても、各画素１００ａに一つず
つ光反射膜非形成領域９０が設けられ、同一の光反射膜
非形成領域９０内にコンタクトホール１５と透過窓１４
とが形成されているので、１つの光反射膜非形成領域９
０の面積が、コンタクトホール１５と透過窓１４とがそ
れぞれ個別の光反射膜非形成領域内に形成されている場
合における各光反射膜非形成領域の面積と比較して広い
ものとなり、各光反射膜非形成領域９０の周囲長が長く
なる。このため、ＴＦＴ３０に電気的に接続しているソ
ース線６ｂと透明電極８との電気的な接続を確保するこ
とができるという、第１実施形態と同様の効果が得られ
る。

【００７２】また、光反射膜非形成領域９０の面積が広
いので、アルミニウムからなる反射電極９をエッチング
することにより光反射膜非形成領域９０を形成する際
に、アルミニウムのエッチング時に発生する泡による反
射電極９のパターン形状の不良が生じにくいものとな
る。

【００７３】また、本実施形態の電気光学装置１００に
おいても、上述したように、コンタクトホール１５と透
過窓１４とが、各画素１００ａに一つずつ設けられた光
反射膜非形成領域９０内に形成されているので、コンタ
クトホール１５と透過窓１４とがそれぞれ個別の光反射
膜非形成領域内に形成されている場合と比較して、光反
射膜非形成領域の数が少なく、液晶配向不良が生じやす
い領域である光反射膜非形成領域９０の角部９０ａと平
面的に重なる領域の数が少なくなるので、液晶配向不良
を防止することができ、液晶配向不良による表示不良を
防ぐことができる。

【００７４】また、本実施形態の電気光学装置１００に
おいては、上述したように、光反射膜非形成領域９０の
面積が広くなるので、コンタクトホール１５の周囲に平
坦な部分が形成される。よって、コンタクトホール１５
と透過窓１４とがそれぞれ個別の光反射膜非形成領域内
に形成されている場合と比較して、遮光膜２３ｂによっ
て遮光する面積を少なくすることができ、表示に寄与す
る領域の割合を向上させることができる。

【００７５】「第３実施形態」 （ＴＦＴアレイ基板の構成）本実施形態において、液晶
表示装置の全体構成は、第１実施形態と同様であるた
め、詳細な説明は省略する。また、本実施形態の液晶表
示装置が、上述した第１実施形態の液晶表示装置と異な
るところは、光反射膜非形成領域の形状のみである。こ
のため、本実施形態においては、第１実施形態と異なる
ところのみ、図面を用いて詳しく説明する。

【００７６】図８は、本実施形態の液晶表示装置の一つ
の画素を構成する画素電極における光反射膜非形成領域
と透過窓およびコンタクトホールの配置を説明するため
の図であり、第１実施形態において説明した図６に対応
する図である。

【００７７】図８に示すように、本実施形態において
は、第１実施形態と異なり、光反射膜非形成領域９０
は、反射電極９が窓状に開口されてなる窓部から、反射
電極９の外周部に向かって開口している。

【００７８】このように本実施形態においては、光反射
膜非形成領域９０は、反射電極９が窓状に開口されてな
る窓部から、反射電極９の外周部に向かって開口してい
るので、透明電極８とＴＦＴ３０との電気的な接続のた
めに利用し得る反射電極９の膜厚に起因する段差の延在
する長さが、光反射膜非形成領域９０の周囲長だけでな
く、反射電極９の外周の周囲長分も含まれる長さとな
る。よって、ＴＦＴ３０と透明電極８とを電気的に接続
するためのコンタクトホール１５を形成する際に、反射
電極９の膜厚に起因する段差によって光反射膜非形成領
域９０の周縁部上に設けられた透明電極８の一部または
全部が途切れたとしても、反射電極９の外周部上に設け
られた透明電極８のうちの途切れることなく形成された
部分において、透明電極８とＴＦＴ３０との電気的な接
続を確保することができる。その結果、透明電極８とＴ
ＦＴ３０との電気的な接続における信頼性をより一層向
上させることができる。

【００７９】（電子機器）次に、上記の実施形態の液晶
表示装置を備えた電子機器の例について説明する。図９
は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図９におい
て、１０００は携帯電話本体を示し、１００１は本発明
の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。図１
０は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。
図１０において、１１００は時計本体を示し、１１０１
は本発明の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示してい
る。図１１は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処
理装置の一例を示した斜視図である。図１１において、
１２００は情報処理装置、１２０２はキーボードなどの
入力部、１２０４は情報処理本体、１２０６は本発明の
液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。図９〜
図１１に示す電子機器は、本発明の液晶表示装置を備え
たものであるので、歩留まりを向上させることができ
る。

【００８０】なお、電子機器としては、図９に示した携
帯電話機や、図１０に示した腕時計型電子機器、図１１
に示したパーソナルコンピュータのほかにも、液晶テレ
ビや、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテー
プレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子
手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、
テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等
などが挙げられる。

【００８１】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
電気光学装置では、光反射膜非形成領域が各画素に設け
られ、透明導電膜とトランジスタとを電気的に接続する
コンタクトホールと、光が透過する透過窓とが、同一の
光反射膜非形成領域内に形成されているので、１つの光
反射膜非形成領域の面積が、コンタクトホールと透過窓
とがそれぞれ個別の光反射膜非形成領域内に形成されて
いる場合における各光反射膜非形成領域の面積と比較し
て広いものとなり、光反射膜をエッチングすることによ
り光反射膜非形成領域を形成する際に、光反射膜のエッ
チング時に発生する泡による光反射膜のパターン形状の
不良が生じにくいものとなる。

【００８２】また、コンタクトホールと透過窓とが、同
一の光反射膜非形成領域内に形成されているので、コン
タクトホールと透過窓とがそれぞれ個別の光反射膜非形
成領域内に形成されている場合と比較して、光反射膜非
形成領域の数が少なく、液晶配向不良が生じやすい領域
である光反射膜非形成領域の角部と平面的に重なる領域
の数が少なくなるので、液晶配向不良を防止することが
でき、液晶配向不良による表示不良を防ぐことができ
る。

【００８３】さらに、上記の電気光学装置において、光
反射膜上に透明導電膜が設けられているものとした場
合、光反射膜を、例えば、電触の発生しやすいアルミニ
ウムからなるものとした場合に、光反射膜の電触によっ
て発生する不良を防止することができる。

【００８４】また、このような電気光学装置において
も、上述したように、コンタクトホールと透過窓とがそ
れぞれ個別の光反射膜非形成領域内に形成されているも
のと比較して、光反射膜非形成領域の面積が広いものと
なるので、光反射膜非形成領域の周囲長を長くすること
ができる。このため、ＴＦＴと透明導電膜とを電気的に
接続するためのコンタクトホールを光反射膜非形成領域
内に形成する際に、光反射膜の膜厚に起因する段差によ
って光反射膜非形成領域の周縁部上に設けられた透明導
電膜の一部が途切れたとしても、途切れることなく形成
された部分において、透明導電膜とＴＦＴとの電気的な
接続を確保することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の電気光学装置の一実施形態である液
晶表示装置を、各構成要素とともに対向基板の側から見
た平面図である。

【図２】 図１のＨ−Ｈ’線における断面図である。

【図３】 図３は、電気光学装置（液晶表示装置）の画
像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画
素における各種素子、配線等の等価回路図である。本発
明の投射型表示装置の一例を示す図である。

【図４】 第１実施形態に用いたＴＦＴアレイ基板の相
互に隣接する複数の画素群の平面図である。

【図５】 図４のＡ−Ａ’線における画素の断面図であ
る。

【図６】 一つの画素を構成する画素電極における光反
射膜非形成領域と透過窓およびコンタクトホールの配置
を説明するための図である。

【図７】 第２実施形態の液晶表示装置の一つの画素を
構成する画素電極における光反射膜非形成領域と、透過
窓およびコンタクトホールの配置と、遮光膜の形成領域
とを説明するための図である。

【図８】 第３実施形態の液晶表示装置の一つの画素を
構成する画素電極における光反射膜非形成領域と透過窓
およびコンタクトホールの配置を説明するための図であ
る。

【図９】 上記実施形態の液晶表示装置を備えた携帯電
話の一例を示す図である。

【図１０】 上記実施形態の液晶表示装置を備えた携帯
型情報処理装置の一例を示す図である。

【図１１】 上記実施形態の液晶表示装置を備えた腕時
計型電子機器の一例を示す図である。

【図１２】 液晶表示装置の一つの画素を構成する画素
電極における光反射膜が形成されていない領域と、透過
窓およびコンタクトホールの配置を説明するための図で
あり、本発明の効果を説明するための図である。

【図１３】 液晶表示装置の一つの画素を構成する画素
電極における光反射膜が形成されていない領域と、透過
窓およびコンタクトホールの配置を説明するための図で
あり、本発明の効果を説明するための図である。

【符号の説明】

６ｂ ソース線 ８ 透明電極（透明導電膜） ９ 反射電極（光反射膜） １４ 透過窓 １５ コンタクトホール ８９ 画素電極 ９０ 光反射膜非形成領域 ３０ ＴＦＴ（トランジスタ） １００ 電気光学装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 GA12 GA13 GA17 GA29 HA03 HA04 HA05 JA24 JB04 JB05 JB06 JB07 JB16 KB12 KB13 KB14 5C094 AA32 AA42 BA03 BA43 CA19 CA20 DA09 DA13 DB01 EA04 ED11 ED15 HA02 HA03 HA08

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項1】 互いに対向する上基板と下基板との間に
   電気光学物質が挟持され、各画素毎に反射領域と透過領
   域とが設けられ、反射モードと透過モードによる表示が
   可能な電気光学装置であって、 前記下基板の内面側には、画素スイッチング用のトラン
   ジスタと、 光反射膜と透明導電膜とからなる画素電極と、 前記トランジスタと前記画素電極の透明導電膜とを電気
   的に接続するコンタクトホールとが備えられ、 前記光反射膜が設けられている領域の少なくとも一部が
   前記反射領域を構成し、前記透明導電膜によって覆わ
   れ、前記光反射膜が形成されていない光反射膜非形成領
   域に設けられた透過窓が前記透過領域を構成し、 前記光反射膜非形成領域が各画素に設けられ、同一の前
   記各光反射膜非形成領域内に前記透過窓と前記コンタク
   トホールとが形成されていることを特徴とする電気光学
   装置。
2. 【請求項２】 前記光反射膜上に前記透明導電膜が設け
   られていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学
   装置。
3. 【請求項３】 前記コンタクトホールよりも上側には、
   前記コンタクトホールを覆い、前記光反射膜非形成領域
   を横断する遮光層が備えられていることを特徴とする請
   求項１または請求項２に記載の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記光反射膜非形成領域は、前記光反射
   膜が窓状に開口された窓部から、前記光反射膜の外周部
   に向かって開口していることを特徴とする請求項１ない
   し請求項３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
5. 【請求項５】 前記光反射膜が、アルミニウムもしくは
   その合金、又は銀もしくはその合金、又はこれらにチタ
   ン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等を含む積層膜
   から構成された請求項１ないし請求項３のいずれか１項
   に記載の電気光学装置。
6. 【請求項６】 前記画素電極が、アルミニウムもしくは
   その合金、又は銀もしくはその合金とＩＴＯ膜（インジ
   ウムすず酸化膜）との積層膜から構成された請求項１な
   いし請求項５のいずれか１項に記載の電気光学装置。
7. 【請求項７】 請求項１ないし請求項６のいずれか１項
   に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機
   器。