JP2003203981A - 集積回路装置 - Google Patents

集積回路装置

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JP2003203981A
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capacitors
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    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/18Networks for phase shifting
    • H03H7/21Networks for phase shifting providing two or more phase shifted output signals, e.g. n-phase output
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K2005/00286Phase shifter, i.e. the delay between the output and input pulse is dependent on the frequency, and such that a phase difference is obtained independent of the frequency

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高周波数においても2つの出力信号間の位相
差を精度良く90度とする90度移相器を集積化した集
積回路装置を提供する。 【解決手段】 互いに静電容量が等しい4つの入力側キ
ャパシタと、互いに静電容量が等しい4つの出力側キャ
パシタとを備える90度移相器を集積した集積回路装置
において、前記入力側キャパシタと前記出力側キャパシ
タとを1の環に沿って一列に平面配置されており、か
つ、これらの入力側キャパシタと出力側キャパシタとが
当該列上に1つずつ交互に配列されている前記入力側キ
ャパシタと前記出力側キャパシタとを1つずつ交互に環
状に平面配置する。更に、90度移相器を構成する8つ
の抵抗素子を前記キャパシタがなす環の内側に配設す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、90度移相器を集
積した集積回路装置の回路配置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、インターネット等の情報通信の利
用が広まるに従って、無線通信についても広帯域化の要
望が高まりをみせており、これに呼応して高周波数に対
応した90度移相器が求められている。また、携帯電話
機に代表されるように、無線通信装置の小型化のニーズ
が高く、90度移相器についても集積回路装置に組み込
まれる必要がある。
【0003】この90度移相器の集積化に際し、例え
ば、図1のような回路構成の90度移相器を集積回路装
置に集積した例として、図7のような回路配置が知られ
ている。図1は、発振器からの差動信号を入力端子対I
Nにより受け付け、その位相が互いに90度の位相差を
持つ2つの差動信号を生成して、出力端子対OUT1と
出力端子対OUT2とにそれぞれ出力する90度移相器
の回路構成を示している。また、図7は、90度移相器
を集積化した集積回路装置について、90度移相器部分
の回路配置を示している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上に引
用した従来技術に係る集積回路装置においては、入力端
子対INへの入力信号が数GHz以上の高周波であるよ
うな場合、出力端子対OUT1からの出力信号と出力端
子対OUT2からの出力信号との間の位相差が90度か
ら大きく外れてしまい、90度移相器として十分な性能
を得られないという問題がある。
【0005】また、この問題を解決するにあたって、上
記のような無線通信装置の小型化のニーズに考慮すれ
ば、90度移相器を集積した集積回路装置自体の大型化
を伴うようなことがあってはならない。本発明は、以上
のような問題に鑑みてなされたものであって、集積回路
装置を大型化しないという制約条件を満たしつつ、高周
波数域においても2つの出力信号間の位相差を精度良く
90度とすることができる90度移相器を集積化した集
積回路装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る集積回路装置は、互いに静電容量が等
しい4つの入力側キャパシタと、互いに静電容量が等し
い4つの出力側キャパシタとを備える90度移相器を集
積した集積回路装置であって、前記入力側キャパシタと
前記出力側キャパシタとは1の環に沿って一列に平面配
置されており、かつ、前記入力側キャパシタと前記出力
側キャパシタとが当該列上に1つずつ交互に配列されて
いることを特徴とする。
【0007】このような構成によれば、90度移相器を
構成する素子間の配線長を揃えると共に、より短縮する
ことができる。また、配線間および配線と集積回路基板
との寄生的な電磁的結合を抑制することができる。ま
た、前記入力側キャパシタと前記出力側キャパシタとで
あって、他の回路素子を介さずに電気的に直列に接続さ
れる一対のキャパシタは前記環上で隣り合うように配列
されていることを特徴とする。このようにすれば、キャ
パシタ間の配線長を短縮して90度移相器の精度を向上
させることができる。
【0008】また、前記90度移相器は4つの入力側抵
抗素子と4つの出力側抵抗素子を備え、前記入力側抵抗
素子と前記出力側抵抗素子はいずれも、前記入力側キャ
パシタと前記出力側キャパシタがなす環状領域の内側に
配置されていることを特徴とする。このようにすれば、
キャパシタと抵抗素子の間や抵抗素子間の配線長を短縮
して90度移相器の精度を向上させることができる。
【0009】また、前記入力側抵抗素子と前記出力側抵
抗素子とであって、他の回路素子を介さずに電気的に直
列に接続される一対の抵抗素子が空間的に近接配置され
ており、前記一対の抵抗素子のうち入力側抵抗素子が入
力側キャパシタに空間的に近接配置されていることを特
徴とする。このようにすれば、互いに関連するキャパシ
タと抵抗素子の間や抵抗素子間の配線長を短縮して90
度位相器の精度を向上させることができる。
【0010】また、逆に、前記入力側抵抗素子と前記出
力側抵抗素子とであって、他の回路素子を介さずに電気
的に直列に接続される一対の抵抗素子が空間的に近接配
置されており、前記一対の抵抗素子のうち出力側抵抗素
子が出力側キャパシタに空間的に近接配置されている。
このようにしても、上と同様に、互いに関連するキャパ
シタと抵抗素子の間や抵抗素子間の配線長を短縮して9
0度位相器の精度を向上させることができる。
【0011】また、前記4つの入力側抵抗素子は互いに
等しい抵抗値を有し、前記4つの出力側抵抗素子は互い
に等しい抵抗値を有していることを特徴とする。このよ
うにすれば、8つのキャパシタがなす環状領域内での抵
抗素子の配置を整えて、回路素子間の配線長を揃え易く
なるので、90度移相器の精度を向上させることができ
る。
【0012】また、具体的な回路構成として、第1の入
力側抵抗素子、第1の入力側キャパシタ、第2の入力側
抵抗素子、第2の入力側キャパシタ、第3の入力側抵抗
素子、第3の入力側キャパシタ、第4の入力側抵抗素
子、第4の入力側キャパシタという順に、入力側キャパ
シタと入力側抵抗素子とが電気的に直列かつループ状に
接続された入力側ループ回路と、第1の出力側抵抗素
子、第1の出力側キャパシタ、第2の出力側抵抗素子、
第2の出力側キャパシタ、第3の出力側抵抗素子、第3
の出力側キャパシタ、第4の出力側抵抗素子、第4の出
力側キャパシタという順に、出力側キャパシタと出力側
抵抗素子とが電気的に直列かつループ状に接続された出
力側ループ回路とを備え、第4の入力側キャパシタと第
1の入力側抵抗素子との接続点と第1の出力側抵抗素子
と第1の出力側キャパシタとの接続点とが電気的に接続
され、第1の入力側キャパシタと第2の入力側抵抗素子
との接続点と第2の出力側抵抗素子と第2の出力側キャ
パシタとの接続点とが電気的に接続され、第2の入力側
キャパシタと第3の入力側抵抗素子との接続点と第3の
出力側抵抗素子と第3の出力側キャパシタとの接続点と
が電気的に接続され、第3の入力側キャパシタと第4の
入力側抵抗素子との接続点と第4の出力側抵抗素子と第
4の出力側キャパシタとの接続点とが電気的に接続さ
れ、第2の入力側抵抗素子と第2の入力側キャパシタと
の接続点と第4の入力側抵抗素子と第4の入力側キャパ
シタとの接続点とが電気的に接続されていることを特徴
とする。
【0013】また、90度移相器の集積のされ方に着目
すれば、本発明に係る集積回路装置は、基層上に、積層
方向に電極を対向させてなる複数のキャパシタが形成さ
れ、基層に沿った方向に抵抗膜を挟んで電極を対向させ
てなる複数の抵抗素子が形成され、これらキャパシタと
抵抗素子とを組み合わせて入力側移相器と出力側移相器
との2段構成からなる90度移相器となした集積回路装
置であって、入力側移相器の各キャパシタと出力側移相
器の各キャパシタとが、基層上に平面視において交互に
並ぶ状態で環状に配列され、入力側移相器の各抵抗素子
と出力側移相器の各抵抗素子とは前記キャパシタ列で囲
まれる領域に、対称的な位置関係で配置されていること
を特徴とする。
【0014】このように集積回路装置に90度移相器を
集積すれば、回路素子間の90度位相器の精度をより高
めることができる。また、入力側移相器のキャパシタと
出力側移相器のキャパシタであって、基層上で隣り合う
2個ずつは、一方のキャパシタの下側電極と他方のキャ
パシタの上側電極とが引き出し電極とスルーホールとで
直列に接続されていることを特徴とする。このように集
積すれば、環を構成するキャパシタ間の距離を短縮して
集積度を向上させることができる。
【0015】また、環状のキャパシタ列は、平面視にお
いて1辺に3個のキャパシタが並ぶ正方形状をしている
ことを特徴とする。このように集積すれば、1辺に並ん
だ3個のキャパシタのうち、中央のキャパシタを入力側
移相器のキャパシタとして入力側移相器の抵抗素子を近
接配置することができる。また、該中央のキャパシタを
出力側移相器のキャパシタとして出力側移相器の抵抗素
子を近接配置することもできるので、全体として配線長
を短縮して90度移相器の精度を向上させることができ
る。
【0016】また、キャパシタ列で囲まれる領域の中央
部には角型の導電ランドが配され、該導電ランドの各辺
と、その外方に存するキャパシタとの間の小領域に、入
力側移相器の1の抵抗素子と出力側移相器の1の抵抗素
子とが直列接続されて配置されていることを特徴とす
る。このように抵抗素子を配置することによって、抵抗
素子間や、抵抗素子とキャパシタ間の配線長を短縮して
90度移相器の精度を向上させることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る集積回路装置
の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。 (実施の形態)本実施の形態に係る集積回路装置は、9
0度移相器を集積化した集積回路装置である。本集積回
路装置について、先ず、電気的な回路構成を述べ、次い
で空間的な回路配置について説明する。
【0018】(回路構成)当該集積回路装置に集積化さ
れた90度移相器の回路構成は図1に示す通りであり、
8つの抵抗素子R1〜R8と8つのキャパシタC1〜C
8を備えている。以下、4つのキャパシタC1〜C4を
入力側キャパシタと呼び、4つのキャパシタC5〜C8
を出力側キャパシタと呼ぶこととする。同様に、4つの
抵抗素子R1〜R4は入力側抵抗素子であり、4つの抵
抗素子R5〜R8は出力側抵抗素子である。
【0019】図1において、90度移相器1の抵抗素子
R2とキャパシタC1はRC回路を構成している。同様
に抵抗素子R3とキャパシタC2、抵抗素子R4とキャ
パシタC3、および抵抗素子R1とキャパシタC4もそ
れぞれRC回路を構成しており、これら4つのRC回路
は直列かつループ状に接続されて、入力側回路(いわゆ
る、入力側移相器である。)を構成している。
【0020】なお、この入力側回路においては、抵抗素
子R2とキャパシタC2との接続点が抵抗素子R4とキ
ャパシタC4との接続点に接続されている。また、抵抗
素子R1とキャパシタC1との接続点と、抵抗素子R3
とキャパシタC3との接続点とのそれぞれには差動入力
端子INが接続されている。また、抵抗素子R6とキャ
パシタC5、抵抗素子R7とキャパシタC6、抵抗素子
R8とキャパシタC7、および抵抗素子R1とキャパシ
タC8もそれぞれRC回路を構成しており、これら4つ
のRC回路が直列かつループ状に接続されて、出力側回
路(いわゆる、出力側移相器である。)を構成してい
る。このように、本実施の形態に係る90度移相器は前
記入力側回路と前記出力側回路との2段構成となってい
る。
【0021】なお、この出力側回路においては、RC回
路同士の各接続点に出力端子が接続されている。詳しく
述べると、キャパシタC8と抵抗素子R5との接続点
と、キャパシタC6と抵抗素子R7との接続点はそれぞ
れ差動出力端子OUT1に接続されており、また、キャ
パシタC5と抵抗素子R6との接続点と、キャパシタC
7と抵抗素子R8との接続点はそれぞれ差動出力端子O
UT2に接続されている。
【0022】更に、入力側回路と出力側回路は4点で接
続されている。すなわち、抵抗素子R1とキャパシタC
4との接続点が抵抗素子R5とキャパシタC5との接続
点に接続され、抵抗素子R2とキャパシタC1との接続
点は抵抗素子R6とキャパシタC6との接続点に接続さ
れている。また、抵抗素子R3とキャパシタC2との接
続点は抵抗素子R7とキャパシタC7との接続点に接続
され、抵抗素子R4とキャパシタC3との接続点は抵抗
素子R8とキャパシタC8との接続点に接続されてい
る。
【0023】入力側回路においては、抵抗素子R1〜R
4は互いに等しい抵抗値を有するものとしている。ま
た、キャパシタC1〜C4は互いに等しい静電容量を有
するものとする。同様に、出力側回路においても、抵抗
素子R5〜R8は互いに等しい抵抗値を有しているもの
とし、キャパシタC5〜C8も互いに等しい静電容量を
有しているものとする。
【0024】(回路配置)次に、本実施の形態に係る集
積回路装置の90度移相器を構成する回路素子C1〜C
8並びにR1〜R8の空間的な回路配置について説明す
る。図2は、本実施の形態に係る集積回路装置の90度
移相器部分について、回路素子の平面配置を示した図で
ある。図2において、90度移相器部分は全体としてほ
ぼ正方形の領域を占めている。また、90度移相器部分
は3層構造をとっており、これら3つの層は必要に応じ
てスルーホールT1〜T19により層間接続されてい
る。以下、基層に近い層から順にそれぞれ第1層、第2
層、第3層と呼ぶこととする。
【0025】キャパシタC1〜C8は正方形領域の辺縁
部分に環状に平面配置されており、当該正方形の各辺に
はそれぞれキャパシタが3つずつ並べられている。ま
た、当該環上に入力側キャパシタC1〜4と出力側キャ
パシタC5〜C8が交互に配列されている。この際、入
力側キャパシタと出力側キャパシタであって、図1の回
路図において、他の回路素子を介することなく直列に接
続されている一対のキャパシタは、当該環上で隣り合う
ように配列されている。
【0026】例えば、入力側キャパシタC1と出力側キ
ャパシタC6は他の回路素子を介することなく直列に接
続されており、図2においても互いに隣り合うように配
置されている。他のキャパシタ、すなわち、入力側キャ
パシタC2と出力側キャパシタC7の組、入力側キャパ
シタC3と出力側キャパシタC8の組および入力側キャ
パシタC4と出力側キャパシタC5の組についても同様
にそれぞれ前記環上で隣り合うように配列されている。
【0027】また、当該環上で入力側回路のみに注目す
ると、入力側キャパシタはC1、C2、C3、C4の順
に配列されている。この配列は図1の回路図に示したル
ープ状の入力側回路における入力側キャパシタの配列と
一致している。出力側回路についても、出力側キャパシ
タはC5、C6、C7、C8の順に配列されており、こ
の配列は図1の回路図に示したループ状の出力側回路に
おける出力側キャパシタの配列と一致している。
【0028】以上のように入力側キャパシタC1〜C4
と出力側キャパシタC5〜C8とを回路配置することに
より、図1の電子回路について、これらキャパシタC1
〜C8が互いに対称な位置に配設されることとなるの
で、対応するキャパシタ間の配線長を揃えて、配線間で
の位相のズレを抑えることができる。また、これと同時
に配線長を抑えて、コンパクトな集積回路装置を実現す
ることができる。
【0029】次に、抵抗素子の回路配置について説明す
る。抵抗素子R1〜R8はキャパシタC1〜C8が配置
された環状領域の内側に配置されている。詳述すると、
図2においては、前記正方領域の各頂角にあたる箇所に
出力側キャパシタC5〜C8が配置され、それらのキャ
パシタC5〜C8の間に入力側キャパシタC1〜C4が
配置されている。この入力側キャパシタC1とC3とを
結んだ直線上および入力側キャパシタC2とC4とを結
んだ直線上に抵抗素子R1〜R8がそれぞれ回路配置さ
れている。
【0030】すなわち、入力側キャパシタC1の環状領
域内側に近接した位置であって、前記の直線上には抵抗
素子R6、R2が互いに近接して配置されている。ま
た、入力側キャパシタC2の環状領域内側に近接した位
置であって、前記の直線上には抵抗素子R7、R3が近
接配置されている。同様に入力側キャパシタC3の環状
領域内側には抵抗素子R8、R4が近接配置され、入力
側キャパシタC4の環状領域内側には抵抗素子R5、R
1が近接配置されている。なお、このとき入力側キャパ
シタC1〜C4により近い位置に入力側抵抗素子R1〜
R4が配設されている。
【0031】このように、入力側回路の各抵抗素子R1
〜R4と出力側回路の各抵抗素子R5〜R8とは前記キ
ャパシタC1〜C8にて囲繞される領域に、対称的な位
置関係で配置されている。また、図1に示した回路図上
で、他の回路素子を介することなく直列に接続されてい
る一対の抵抗素子は空間的に近接して配置されている。
【0032】例えば、一対の抵抗素子R1、R5は図1
の回路図上で他の回路素子を介することなく直列に接続
されており、図2の回路配置においても近接して配置さ
れている。この事情は、一対の抵抗素子R2、R6につ
いても同様であり、抵抗素子R3とR7、或いは抵抗素
子R4とR8についても同じように回路配置されてい
る。
【0033】なお、前記正方形領域の中央部には角型の
導電ランド(ここでは第1層。)が配されており、前記
各一対の抵抗素子はそれぞれ当該導電ランドの各辺と、
その外側に配置された各キャパシタとの間の小領域に位
置している。従って、各抵抗素子に要求される抵抗値の
大きさに合わせて当該導電ランドの大きさを調整すれ
ば、回路面積を変更することなく各抵抗素子の抵抗値を
変更することができる。
【0034】以上のほか、図2においては、差動入力端
子INの一方の端子がキャパシタC1と抵抗素子R1の
中間部分から延伸されると共に、差動入力端子INのも
う一方の端子がキャパシタC3と抵抗素子R3の中間部
分から延伸されることにより、差動入力端子INの2つ
の配線長がほぼ等しくなっている。これにより入力信号
を受け付ける際の信号波形の歪みを軽減している。
【0035】差動出力端子については、差動入力端子O
UT1の2つの端子がそれぞれキャパシタC6、C8か
ら延伸されることによって、差動入力端子OUT1の2
つの端子の配線長がほぼ同一とされている。また、差動
入力端子OUT2については、2つの端子がそれぞれキ
ャパシタC5、C7から延伸されることによって、配線
長がほぼ等しくなっている。これにより差動出力端子O
UT1、OUT2から出力する信号の歪みをそれぞれ軽
減することができる。
【0036】次に、図3は、第1層の回路パターンを示
した図である。図3に示すように、第1層の斜線を施し
た部分は抵抗値の小さい導電性部分であり、網目を施し
た部分は抵抗値の大きい導電性部分である。前記抵抗素
子R1〜R8は、いずれも第1層内に配設されており、
それぞれ斜線部分に属する2つの電極にて抵抗膜(網目
部分)を挟んだ構成、言い換えると基層に沿った方向に
抵抗膜を挟んで電極を対抗させた構成となっている。
【0037】図4は、第2層の回路パターンを示した図
である。図4において、第2層はその辺縁部に8つの略
方形部分を含んでおり、それら略方形部分から配線パタ
ーンを延伸した構成となっている。なお、これらの略方
形部分はキャパシタC1〜C8の一方の電極となってい
る。図5は、第3層の回路パターンを示した図である。
図5において、第3層はその辺縁部に8つの略方形部分
を含んでおり、それら略方形部分の周辺に配線パターン
を配した構成となっている。これら略方形部分は第2層
の略方形部分と積層方向に重なり合う位置にあり、それ
ぞれ積層方向に対となってキャパシタC1〜C8を構成
している。
【0038】すなわち、キャパシタC1〜C8は、いず
れも第2層の略方形部分と第3層の略方形部分を2つの
電極として、これらを積層方向に対向させた構成をとな
っており、それぞれ第2層の略方形部分(電極)の面積
に応じた容量を有している。本実施の形態に係る集積回
路装置の90度移相器部分は、基層上に上記の第1層か
ら第3層の順に各層を形成することによって製造され
る。なお、図3〜5に示したパターンはいずれも導電部
分を表しており、導電部分以外の部分は絶縁材料を用い
て絶縁されている。また、各層間も絶縁材料にて絶縁さ
れており、電気的に接続する必要がある部分のみスルー
ホールT1〜T19によって接続されている。
【0039】以上のような回路配置を採用することによ
って、抵抗素子R1からキャパシタC1までの配線長、
抵抗素子R2からキャパシタC2までの配線長、抵抗素
子R3からキャパシタC3までの配線長、および抵抗素
子R4からキャパシタC4までの配線長が互いにほぼ等
しくなる。また、以上のような回路配置によれば、抵抗
素子R5からキャパシタC5までの配線長、抵抗素子R
6からキャパシタC6までの配線長、抵抗素子R7から
キャパシタC7までの配線長、および抵抗素子R8から
キャパシタC8までの4つの配線長が互いにほぼ等しく
なる。
【0040】この他、上記の回路配置によって、90度
移相器内の互いに対応する配線長どうしを互いにほぼ等
しくすることができるので、対応する素子間の配線長の
ばらつきに起因する位相のずれを回避して、90度移相
器の精度を向上させることができる。また、上記の回路
配置を採用すれば、回路素子間の配線長をより短くする
ことができると共に、互いに異なる層にある配線が交差
するのを回避し易くなるので、寄生的な配線間および配
線と回路基板との電磁的結合を抑制して、90度移相器
の精度を改善することができる。 (変形例)以上、本発明を実施の形態に基づいて説明し
てきたが、本発明は、上述の実施の形態に限定されないの
は勿論であり、以下のような変形例を実施することがで
きる。
【0041】(1) 上記実施の形態においては、図1
に示したような回路構成の90度移相器について述べた
が、この他に図6に示したような回路構成の90度移相
器についても本発明を適用して効果を奏させることがで
きる。図6は、本変形例に係る90度移相器の回路構成
を示した図である。図6において、90度移相器2は、
前記90度移相器1と同様に、差動入力端子IN´を備
える入力側回路と差動出力端子OUT1´とOUT2´
を備える出力側回路から成っており、入力側回路には4
つの入力側キャパシタC1´〜C4´と4つの抵抗素子
R1´〜R4´とが含まれている。また、出力側回路に
は4つの出力側キャパシタC5´〜C8´と4つの抵抗
素子R5´〜R8´とが含まれている。
【0042】90度移相器2の入力側回路は、前記90
度移相器1の入力側回路と同様に、4つのRC回路を備
えている。すなわち、抵抗素子R2´とキャパシタC1
´とからなるRC回路、抵抗素子R3´とキャパシタC
2´とからなるRC回路、抵抗素子R4´とキャパシタ
C3´とからなるRC回路および抵抗素子R1´とキャ
パシタC4´とからなるRC回路が備えられている。こ
れら4つのRC回路は直列に接続されており、全体とし
てループ回路を構成している。
【0043】なお、前記90度移相器1とは異なって、
抵抗素子R1´とキャパシタC1´との接続点と、抵抗
素子R2´とキャパシタC2´との接続点とが接続され
ており、更に当該接続点には差動入力端子INの一方が
接続されている。同様に、抵抗素子R3´とキャパシタ
C3´との接続点と、抵抗素子R4´とキャパシタC4
´との接続点とが接続されており、更に当該接続点には
差動入力端子INのもう一方が接続されている。
【0044】90度移相器2の出力側回路は、前記90
度移相器1の出力側回路と同様に、4つのRC回路を備
えている。すなわち、抵抗素子R6´とキャパシタC5
´とからなるRC回路、抵抗素子R7´とキャパシタC
6´とからなるRC回路、抵抗素子R8´とキャパシタ
C7´とからなるRC回路および抵抗素子R5´とキャ
パシタC8´とからなるRC回路である。これらのRC
回路もまた直列に接続され、全体としてループ回路をな
している。
【0045】また、RC回路同士の各接続点、すなわ
ち、キャパシタC8´と抵抗素子R5´との接続点と、
キャパシタC6´と抵抗素子R7´との接続点はそれぞ
れ差動出力端子OUT1´に接続されており、また、キ
ャパシタC5´と抵抗素子R6´との接続点と、キャパ
シタC7´と抵抗素子R8´との接続点はそれぞれ差動
出力端子OUT2´に接続されている。
【0046】90度移相器1の入力側回路と出力側回路
とは4点で接続されている。すなわち、抵抗素子R1´
とキャパシタC4´との接続点が抵抗素子R5´とキャ
パシタC5´との接続点に接続されている。抵抗素子R
2´とキャパシタC1´との接続点は抵抗素子R6´と
キャパシタC6´との接続点に接続されている。また、
抵抗素子R3´とキャパシタC2´との接続点は抵抗素
子R7´とキャパシタC7´との接続点に接続されてお
り、更に、抵抗素子R4´とキャパシタC3´との接続
点は抵抗素子R8´とキャパシタC8´との接続点に接
続されている。
【0047】このような構成を備える90度移相器2に
ついても、本発明に係る回路配置を採用して集積回路装
置に集積化することによって、より精度の良い出力信号
を得ることができる。 (2) 上記実施の形態においては、環状に平面配置さ
れたキャパシタの内側に抵抗素子を配設するとしたが、
これに代えて、環状に平面配置されたキャパシタの外側
に抵抗素子を配設するとしても良い。このような場合で
も、本発明に係るキャパシタの配置を採用すれば、従来
よりも精度の良い90度移相器を得ることが出来る。
【0048】(3) 上記実施の形態においては、図2
に示したような配線パターンによって90度移相器の回
路素子を差動入力端子INや差動出力端子OUT1、O
UT2に接続するとしたが、これに代えて、図2に示し
た配線パターンとは異なる配線パターンを採用しても良
い。図2に示した配線パターンとは異なる配線パターン
をとる場合、90度移相器の回路素子から差動入力端子
INや差動出力端子OUT1、OUT2までの配線長
が、差動入力端子どうしや差動出力端子どうしでほぼ等
しくなるように配線すれば良い。
【0049】(4) 上記実施の形態において、図2に
示したパターンはあくまで一例に過ぎず、パターンの形
状や大きさが厳密に図2に従わなくとも良く、必要に応
じて変更しても本発明の効果を得ることができる。ま
た、抵抗素子については、必ずしも抵抗膜部分を設ける
必要はなく、配線パターンそのものが有する抵抗を利用
しても良い。キャパシタについても、同様に、キャパシ
タ相当の機能を果たすことができれば良く、その配置さ
え上記のようにすれば本発明の効果を奏させることがで
きる。
【0050】(5) 上記実施の形態においては、前記
正方領域の各頂角にあたる箇所に出力側キャパシタC5
〜C8が配置した場合における各抵抗素子の配置につい
て述べたが、これに代えて次のようにしても良い。すな
わち、抵抗素子R1〜R8はキャパシタC1〜C8が配
置された環状領域の内側に配置されている点においては
上記実施の形態と同様とし、前記正方領域の各頂角にあ
たる箇所に、出力側キャパシタC5〜C8に代えて、入
力側キャパシタC1〜C4を配置され、それらキャパシ
タC1〜C4の間に出力側キャパシタC5〜C8を配置
する。この出力側キャパシタC5とC7とを結んだ直線
上および入力側キャパシタC6とC8とを結んだ直線上
に抵抗素子R1〜R8をそれぞれ配置する。
【0051】そして、入力側キャパシタC5の環状領域
内側に近接した位置であって、前記の直線上には抵抗素
子R6、R1が互いに近接して配置されている。また、
入力側キャパシタC6の環状領域内側に近接した位置で
あって、前記の直線上には抵抗素子R7、R2が近接配
置されている。同様に入力側キャパシタC7の環状領域
内側には抵抗素子R8、R3が近接配置され、入力側キ
ャパシタC8の環状領域内側には抵抗素子R5、R4が
近接配置されている。なお、このとき出力側キャパシタ
C5〜C8により近い位置に出力側抵抗素子R5〜R8
が配設されている。
【0052】このようにキャパシタC1〜C8と抵抗素
子R1〜R8とを配置することにより、図1の電子回路
について、各素子を互いに対称な位置に配設できるの
で、対応する各素子間の配線長を揃えて、配線間での位
相のズレを抑えることができる。また、これと同時に配
線長を抑えて、コンパクトな集積回路装置を実現するこ
とができる。
【0053】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る集積
回路装置は、互いに静電容量が等しい4つの入力側キャ
パシタと、互いに静電容量が等しい4つの出力側キャパ
シタとを備える90度移相器を集積した集積回路装置で
あって、前記入力側キャパシタと前記出力側キャパシタ
とは1の環に沿って一列に平面配置されており、かつ、
前記入力側キャパシタと前記出力側キャパシタとが当該
列上に1つずつ交互に配列されていることを特徴とする
ので、90度移相器の各素子を接続する配線の配線長を
揃えると同時に、配線間や配線と回路基板の間の寄生的
な電磁的結合を回避して、精度の良い出力信号を得るこ
とができる。
【0054】また、前記入力側キャパシタと前記出力側
キャパシタとであって、他の回路素子を介さずに電気的
に直列に接続される1対のキャパシタは前記環上で隣り
合うように配列する。このような空間的回路配置を採用
することによって、キャパシタどうしを接続する配線の
配線長を整えて、90度移相器の精度をより向上させ、
より精度の良い出力信号を得ることができる。
【0055】また、前記90度移相器は4つの入力側抵
抗素子と4つの出力側抵抗素子を備え、前記入力側抵抗
素子と前記出力側抵抗素子をいずれも、前記入力側キャ
パシタと前記出力側キャパシタがなす環状領域の内側に
配置する。このように素子を配置することによって、更
に各キャパシタ間の配線の配線長を揃えると共にこれを
短縮して、90度移相器の精度をより向上させ、より精
度の良い出力信号を得ることができる。
【0056】上記に加えて、前記入力側抵抗素子と前記
出力側抵抗素子とであって、他の回路素子を介さずに電
気的に直列に接続される1対の抵抗素子が空間的に近接
配置されており、前記1対の抵抗素子のうち入力側抵抗
素子が入力側キャパシタに空間的に近接配置されている
としても良い。或いは、これに代えて、前記入力側抵抗
素子と前記出力側抵抗素子とであって、他の回路素子を
介さずに電気的に直列に接続される1対の抵抗素子が空
間的に近接配置されており、前記1対の抵抗素子のうち
出力側抵抗素子が出力側キャパシタに空間的に近接配置
されているとしても良い。
【0057】このようにすれば、キャパシタと抵抗素子
との間の配線長や抵抗素子間の配線長を短縮すると共
に、各素子間の配線長を揃えることができるので、90
度移相器の精度を向上させることができる。また、これ
と同時に90度移相器をよりコンパクトにすることがで
きるので、結局90度移相器を集積した集積回路装置を
小型化することができる。
【0058】また、前記90度移相器の具体的な回路構
成としては、次のような構成とするのが好適である。す
なわち、第1の入力側抵抗素子、第1の入力側キャパシ
タ、第2の入力側抵抗素子、第2の入力側キャパシタ、
第3の入力側抵抗素子、第3の入力側キャパシタ、第4
の入力側抵抗素子、第4の入力側キャパシタという順
に、入力側キャパシタと入力側抵抗素子とが電気的に直
列かつループ状に接続された入力側ループ回路と、第1
の出力側抵抗素子、第1の出力側キャパシタ、第2の出
力側抵抗素子、第2の出力側キャパシタ、第3の出力側
抵抗素子、第3の出力側キャパシタ、第4の出力側抵抗
素子、第4の出力側キャパシタという順に、出力側キャ
パシタと出力側抵抗素子とが電気的に直列かつループ状
に接続された出力側ループ回路とを備え、第4の入力側
キャパシタと第1の入力側抵抗素子との接続点と第1の
出力側抵抗素子と第1の出力側キャパシタとの接続点と
が電気的に接続され、第1の入力側キャパシタと第2の
入力側抵抗素子との接続点と第2の出力側抵抗素子と第
2の出力側キャパシタとの接続点とが電気的に接続さ
れ、第2の入力側キャパシタと第3の入力側抵抗素子と
の接続点と第3の出力側抵抗素子と第3の出力側キャパ
シタとの接続点とが電気的に接続され、第3の入力側キ
ャパシタと第4の入力側抵抗素子との接続点と第4の出
力側抵抗素子と第4の出力側キャパシタとの接続点とが
電気的に接続され、第2の入力側抵抗素子と第2の入力
側キャパシタとの接続点と第4の入力側抵抗素子と第4
の入力側キャパシタとの接続点とが電気的に接続されて
いるような回路構成である。
【0059】このような回路構成を採用することによ
り、上記に述べたような回路配置と相俟ってより高精度
の90度移相器を実現すると共に、集積回路装置の小型
化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る集積回路装置に集積
されている90度移相器の回路構成を示した図である。
【図2】本発明の実施の形態に係る90度移相器を集積
回路装置に集積した場合の回路配置を示した図である。
【図3】本発明の実施の形態に係る90度移相器を集積
回路装置に多層集積した場合の第1層の回路パターンを
示した図である。
【図4】本発明の実施の形態に係る90度移相器を集積
回路装置に多層集積した場合の第2層の回路パターンを
示した図である。
【図5】本発明の実施の形態に係る90度移相器を集積
回路装置に多層集積した場合の第3層の回路パターンを
示した図である。
【図6】本発明の変形例に係る集積回路装置に係る90
度移相器の回路構成を示した図である。
【図7】90度移相器を集積回路装置に集積した場合の
回路配置であって、従来技術に係る回路配置を示した図
である。
【符号の説明】
C1〜C4、C1´〜C4´………………………入力側
キャパシタ C5〜C8、C5´〜C8´………………………出力側
キャパシタ IN、IN´…………………………………………差動入
力端子 OUT1、OUT2、OUT1´、OUT2´…差動出
力端子 R1〜R4、R1´〜R4´………………………入力側
抵抗素子 R5〜R8、R5´〜R8´………………………出力側
抵抗素子 T1〜T19…………………………………………スルー
ホール

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 互いに静電容量が等しい4つの入力側キ
    ャパシタと、互いに静電容量が等しい4つの出力側キャ
    パシタとを備える90度移相器を集積した集積回路装置
    であって、 前記入力側キャパシタと前記出力側キャパシタとは1の
    環に沿って一列に平面配置されており、かつ、 前記入力側キャパシタと前記出力側キャパシタとが当該
    列上に1つずつ交互に配列されていることを特徴とする
    集積回路装置。
  2. 【請求項2】 前記入力側キャパシタと前記出力側キャ
    パシタとであって、他の回路素子を介さずに電気的に直
    列に接続される1対のキャパシタは前記環上で隣り合う
    ように配列されていることを特徴とする請求項1に記載
    の集積回路装置。
  3. 【請求項3】 前記90度移相器は4つの入力側抵抗素
    子と4つの出力側抵抗素子を備え、 前記入力側抵抗素子と前記出力側抵抗素子はいずれも、
    前記入力側キャパシタと前記出力側キャパシタがなす環
    状領域の内側に配置されていることを特徴とする請求項
    1または請求項2に記載の集積回路装置。
  4. 【請求項4】 前記入力側抵抗素子と前記出力側抵抗素
    子とであって、他の回路素子を介さずに電気的に直列に
    接続される1対の抵抗素子が空間的に近接配置されてお
    り、 前記1対の抵抗素子のうち入力側抵抗素子が入力側キャ
    パシタに空間的に近接配置されていることを特徴とする
    請求項3に記載の集積回路装置。
  5. 【請求項5】 前記入力側抵抗素子と前記出力側抵抗素
    子とであって、他の回路素子を介さずに電気的に直列に
    接続される1対の抵抗素子が空間的に近接配置されてお
    り、 前記1対の抵抗素子のうち出力側抵抗素子が出力側キャ
    パシタに空間的に近接配置されていることを特徴とする
    請求項3に記載の集積回路装置。
  6. 【請求項6】 前記4つの入力側抵抗素子は互いに等し
    い抵抗値を有し、前記4つの出力側抵抗素子は互いに等
    しい抵抗値を有していることを特徴とする請求項3から
    請求項5のいずれかに記載の集積回路装置。
  7. 【請求項7】 第1の入力側抵抗素子、第1の入力側キ
    ャパシタ、第2の入力側抵抗素子、第2の入力側キャパ
    シタ、第3の入力側抵抗素子、第3の入力側キャパシ
    タ、第4の入力側抵抗素子、第4の入力側キャパシタと
    いう順に、入力側キャパシタと入力側抵抗素子とが電気
    的に直列かつループ状に接続された入力側ループ回路
    と、 第1の出力側抵抗素子、第1の出力側キャパシタ、第2
    の出力側抵抗素子、第2の出力側キャパシタ、第3の出
    力側抵抗素子、第3の出力側キャパシタ、第4の出力側
    抵抗素子、第4の出力側キャパシタという順に、出力側
    キャパシタと出力側抵抗素子とが電気的に直列かつルー
    プ状に接続された出力側ループ回路とを備え、 第4の入力側キャパシタと第1の入力側抵抗素子との接
    続点と第1の出力側抵抗素子と第1の出力側キャパシタ
    との接続点とが電気的に接続され、 第1の入力側キャパシタと第2の入力側抵抗素子との接
    続点と第2の出力側抵抗素子と第2の出力側キャパシタ
    との接続点とが電気的に接続され、 第2の入力側キャパシタと第3の入力側抵抗素子との接
    続点と第3の出力側抵抗素子と第3の出力側キャパシタ
    との接続点とが電気的に接続され、 第3の入力側キャパシタと第4の入力側抵抗素子との接
    続点と第4の出力側抵抗素子と第4の出力側キャパシタ
    との接続点とが電気的に接続され、 第2の入力側抵抗素子と第2の入力側キャパシタとの接
    続点と第4の入力側抵抗素子と第4の入力側キャパシタ
    との接続点とが電気的に接続されていることを特徴とす
    る請求項1に記載の集積回路装置。
  8. 【請求項8】 基層上に、積層方向に電極を対向させて
    なる複数のキャパシタが形成され、基層に沿った方向に
    抵抗膜を挟んで電極を対向させてなる複数の抵抗素子が
    形成され、これらキャパシタと抵抗素子とを組み合わせ
    て入力側移相器と出力側移相器との2段構成からなる9
    0度移相器となした集積回路装置であって、 入力側移相器の各キャパシタと出力側移相器の各キャパ
    シタとが、基層上に平面視において交互に並ぶ状態で環
    状に配列され、入力側移相器の各抵抗素子と出力側移相
    器の各抵抗素子とは前記キャパシタ列にて囲繞される領
    域に、対称的な位置関係で配置されていることを特徴と
    する集積回路装置。
  9. 【請求項9】 前記入力側移相器のキャパシタ数、抵抗
    素子数、前記出力側移相器のキャパシタ数、抵抗素子数
    はともに4であることを特徴とする請求項8に記載の集
    積回路装置。
  10. 【請求項10】 入力側移相器のキャパシタと出力側移
    相器のキャパシタであって、基層上で隣り合う2個ずつ
    は、一方のキャパシタの下側電極と他方のキャパシタの
    上側電極とが引き出し電極とスルーホールとで直列に接
    続されていることを特徴とする請求項8また請求項9の
    いずれかに記載の集積回路装置。
  11. 【請求項11】 環状のキャパシタ列は、平面視におい
    て1辺に3個のキャパシタが並ぶ正方形状をしているこ
    とを特徴とする請求項8または請求項10に記載の集積
    回路装置。
  12. 【請求項12】 キャパシタ列で囲まれる領域の中央部
    には角型の導電ランドが配されると共に、該導電ランド
    の各辺と、その外方に存するキャパシタとの間の小領域
    に、入力側移相器の1の抵抗素子と出力側移相器の1の
    抵抗素子とが直列接続されて配置されていることを特徴
    とする請求項11に記載の集積回路装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006311305A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 受動型ポリフェーズフィルタ
JP2006319115A (ja) * 2005-05-12 2006-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 受動型ポリフェーズフィルタ
JP2010051028A (ja) * 2009-12-01 2010-03-04 Mitsubishi Electric Corp ポリフェーズフィルタ

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7280343B1 (en) 2006-10-31 2007-10-09 Avx Corporation Low profile electrolytic capacitor assembly
US8412141B2 (en) * 2009-10-19 2013-04-02 Qualcomm Incorporated LR polyphase filter

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69820376T2 (de) * 1997-04-07 2004-10-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Empfänger und filteranordnung mit polyphasenfilter
JPH11298293A (ja) 1998-04-16 1999-10-29 Asahi Chem Ind Co Ltd 位相シフト回路
US6577691B2 (en) * 1998-09-03 2003-06-10 Time Domain Corporation Precision timing generator apparatus and associated methods
US6211708B1 (en) * 1999-06-28 2001-04-03 Ericsson, Inc. Frequency doubling circuits, method, and systems including quadrature phase generators
JP3492560B2 (ja) 1999-07-26 2004-02-03 日本電信電話株式会社 振幅整合型ポリフェーズフィルタおよび位相振幅整合型ポリフェーズフィルタならびにイメージ抑圧型受信機
US6456167B1 (en) * 2000-07-13 2002-09-24 Industrial Technology Research Institute Quadrature oscillator
US6587017B1 (en) * 2001-09-20 2003-07-01 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for calibrated phase-shift networks

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006311305A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 受動型ポリフェーズフィルタ
JP4511410B2 (ja) * 2005-04-28 2010-07-28 パナソニック株式会社 受動型ポリフェーズフィルタ
JP2006319115A (ja) * 2005-05-12 2006-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 受動型ポリフェーズフィルタ
JP4689345B2 (ja) * 2005-05-12 2011-05-25 パナソニック株式会社 受動型ポリフェーズフィルタ
JP2010051028A (ja) * 2009-12-01 2010-03-04 Mitsubishi Electric Corp ポリフェーズフィルタ
JP4495247B2 (ja) * 2009-12-01 2010-06-30 三菱電機株式会社 ポリフェーズフィルタ

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