JP2003197936A

JP2003197936A - 太陽電池

Info

Publication number: JP2003197936A
Application number: JP2001390067A
Authority: JP
Inventors: Katsuhiko Kondo; 勝彦近藤; Tatsuyuki Nishinomiya; 立亨西宮; Kengo Yamaguchi; 賢剛山口
Original assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Current assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date: 2001-12-21
Filing date: 2001-12-21
Publication date: 2003-07-11

Abstract

(57)【要約】【課題】高い変換効率を示す太陽電池を得ることを課題
とする。【解決手段】ガラス基板（支持体）１１上に透明導電層
１２を介してアモルファスＳｉ又は結晶質Ｓｉよりなる
ｐｉｎ型又はｎｉｐ型構造の複数のセル１３，１４を1
つ又は多段に積層し、更に前記セル１３，１４上に酸化
物層１５を介して反射用金属膜１６を形成した太陽電池
において、白色光に対する透明導電層１２及び酸化物層
１５の少なくとも一方の層の光線透過率が８４％以上
で、電気抵抗率が５×１０^−３Ωｃｍ以下であることを
特徴とする太陽電池。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ｐｉｎ型又はｎｉ
ｐ型構造の複数のセルを1つ又は多段に積層した太陽電
池に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、薄膜型シリコン太陽電池として
は、例えば図２に示すものが知られている。図中の付番
１は、厚みが約１ｍｍのガラス基板を示す。この基板１
上には、膜厚０．６〜１．０μｍの透明導電層２を介し
て第１のセル３、第２のセル４、膜厚０．０１〜１．０
μｍの酸化物層５及び膜厚０．３〜０．６μｍの反射用
金属膜６が順次形成されている。ここで、第１のセル３
は、ｐ型のアモルファスＳｉ（ａ−Ｓｉ）発電膜３ａ
と、ｉ型のａ−Ｓｉ発電膜３ｂと、ｎ型のａ−Ｓｉ発電
膜３ｃとから構成されている。また、第２のセル４は、
ｐ型の非晶質Ｓｉ発電膜４ａと、ｉ型の非晶質Ｓｉ発電
膜４ｂと、ｎ型の非晶質Ｓｉ発電膜４ｃとから構成され
ている。ここで、前記各発電膜の膜厚は０．００５〜
０．５μｍである。なお、発電膜として微結晶シリコン
を用いた場合の膜厚は、０．００５〜５．０μｍであ
る。

【０００３】こうした構成の太陽電池において、太陽光
はガラス基板１側から入射して透明導電層２を透過して
各発電膜に入射する。太陽光は、発電膜３ａに吸収され
て、透明導電層２と非晶質Ｓｉ発電膜４ａとの間に起電
力が発生し、電力を外部に取り出すことができる。とこ
ろで、こうした太陽電池において、電池の発電効率を向
上させるために、例えば前記発電膜３ａ〜３ｃをａ−Ｓ
ｉ、前記発電膜４ａ〜４ｃを結晶質Ｓｉで構成するよう
に、前記発電膜３ａ〜３ｃ、４ａ〜４ｃを夫々光吸収帯
域の異なる材質とすることで入射光を有効に利用するこ
とが広く行われており、タンデム型太陽電池と呼ばれて
いる。しかし、従来のタンデム型太陽電池では、高い変
換効率が得られないという課題があった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情を考
慮してなされたもので、白色光に対する透明導電層及び
酸化物層の少なくとも一方の層の光線透過率を８４％以
上で、電気抵抗率を５×１０^−３Ωｃｍ以下とすること
により、高い変換効率が得られる太陽電池を提供するこ
とを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、支持体上に透
明導電層を介してアモルファスＳｉ又は結晶質Ｓｉより
なるｐｉｎ型又はｎｉｐ型構造の複数のセルを1つ又は
多段に積層し、更に前記セル上に酸化物層を介して反射
用金属膜を形成した太陽電池において、白色光に対する
透明導電層及び酸化物層の少なくとも一方の層の光線透
過率が８４％以上で、電気抵抗率が５×１０^−３Ωｃｍ
以下であることを特徴とする太陽電池である。

【０００６】また、本発明は、支持体上に金属電極層、
酸化物層を介してアモルファスＳｉ又は結晶質Ｓｉより
なるｐｉｎ型又はｎｉｐ型構造の複数のセルを1つ又は
多段に積層し、更に前記セル上に透明導電層を介して集
電電極を形成した太陽電池において、白色光に対する前
記透明導電層及び酸化物層の少なくとも一方の層の光線
透過率が８４％以上で、電気抵抗率が５×１０^−３Ωｃ
ｍ以下であることを特徴とする太陽電池である。

【０００７】本発明において、白色光は、一般にＡＭ
１．５相当の白色光を示す。ここで、「ＡＭ１．５相当
の白色光」とは、地上太陽光を模擬したスペクトルを有
する白色光である。

【０００８】本発明において、白色光に対する透明電極
層及び酸化物層の光線透過率が８４％以上とするのは、
８４％未満では、発電膜へ入射する光量が少ないため充
分な光発生電流が得られず、発電効率が低下するためで
ある。

【０００９】本発明において、電気抵抗率を５×１０
^−３Ωｃｍ以下とするのは、５×１０ ^−３Ωｃｍを超え
ると、透明電極層及び酸化物層での直列抵抗損失分が増
大するため、発電効率が低下するからである。

【００１０】本発明において、前記透明導電層及び酸化
物層の少なくとも一方が、Ｇａ、Ｇｄ、Ｌａの少なくと
もどれか一つを１０^１６個／ｃｍ^３以上の濃度で含むＺ
ｎＯで形成されることが好ましい。これは、濃度が１０
^１６個／ｃｍ^３以下では、透明導電層及び酸化物層での
キャリア濃度が少ないため、電気抵抗率が大きくなり、
直列抵抗損失分が増大するからである。

【００１１】本発明において、前記反射用金属膜の膜厚
は０．２〜２μｍであることが好ましい。この理由は、
膜厚が０．２μｍ未満の場合、支持体側から入射した光
が反射用金属膜側から通り抜けるおそれがあり、膜厚が
２μｍを超えるとコスト高となるからである。更に、前
記反射用金属膜の材質としては、例えばＡｇ、Ｃｕ等の
金属が挙げられる。これらの金属は真空蒸着法、スパッ
タ法等により形成することができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の各実施例に係る
タンデム型太陽電池について説明する。なお、各実施例
で述べる太陽電池を構成する該構成要素の材質や膜厚は
一例を示すもので、本発明はこれらに限定されない。（実施例１〜６）図１を参照する。図中の付番１１は、
厚みが約１ｍｍのガラス基板（支持体）を示す。この基
板１１上には、不純物としてのＧａをドープした厚さ
０．２〜２μｍのＺｎＯ層（透明導電層）１２が形成さ
れている。ここで、ＡＭ１．５相当の白色光に対する透
明導電層１２の光線透過率は８２〜８６％で、電気抵抗
率は５×１０^−３Ω・ｃｍ以下である。また、透明導電
層１２のＧａ原子濃度は、１×１０^１６ｃｍ^−３以上で
ある。前記透明導電層１２上には、第１のセル１３が形
成されている。ここで、第１のセル１３は、ｐ型のａ−
Ｓｉ発電膜１３ａと、ｉ型のａ−Ｓｉ発電膜１３ｂと、
ｎ型のａ−Ｓｉ発電膜１３ｃとから構成されている。こ
こで、前記各発電膜の膜厚は０．００５〜０．５μｍで
ある。

【００１３】前記第１のセル１３上には、第２のセル１
４、膜厚０．０１〜１．０μｍのＩＴＯからなる酸化物
層１５及び膜厚０．０２〜２μｍのＡｇからなる反射用
金属膜１６が順次形成されている。ここで、第２のセル
１４は、ｐ型の結晶質Ｓｉ発電膜１４ａと、ｉ型の結晶
質Ｓｉ発電膜１４ｂと、ｎ型の結晶質Ｓｉ発電膜１４ｃ
とから構成されている。前記各発電膜の膜厚は０．００
５〜０．５μｍである。

【００１４】下記表１は、実施例１〜６及び比較例１
（ＳｎＯ_２からなる透明導電層を用いた事を特徴とす
る、実施例１と基本的には同じ構成のタンデム型太陽電
池）、比較例２（ＡｌドープしたＺｎＯからなる透明導
電層を用いた事を特徴とする、実施例１と基本的には同
じ構成のタンデム型太陽電池）における、透明導電層の
光線透過率、透明導電層の電気抵抗率、透明導電層のＧ
ａ原子濃度、透明導電層の膜厚を夫々記載したものであ
る。

【００１５】

【表１】

【００１６】上記実施例１〜６に係るタンデム型太陽電
池は、ガラス基板１１上にＧａをドープした厚さ０．２
〜２μｍのＺｎＯ層（透明導電層）１２を介してアモル
ファスＳｉよりなるｐｉｎ型構造の第１のセル１３、結
晶質Ｓｉよりなるｐｉｎ型構造の第２のセル１４を多段
に積層し、更に前記セル１４上に酸化物層１５を介して
反射用金属膜１６を形成し、かつＡＭ１．５相当の白色
光に対する透明導電層１２の光線透過率は８２〜８６％
で、電気抵抗率は５×１０^−３Ω・ｃｍ以下であり、か
つ透明導電層１２のＧａ原子濃度は、１×１０^１６ｃｍ
^−３以上である。従って、上記実施例１〜６によれば、
不純物Ｇａによって透明導電層１２を低抵抗化すること
により、比較例１，２と比べ、変換効率が高い太陽電池
を得ることができる。

【００１７】上述のように、実施例１〜６では透明導電
層１２に光透過性に優れたＺｎＯを使用し、ＺｎＯ中に
不純物としてのＧａを適量ドープして低抵抗化すること
により、変換効率が向上する。低抵抗化されるメカニズ
ムは定かではないが、これらの元素は原子半径が大きく
ドーパントとしての活性化エネルギーが低いため、キャ
リア濃度を高くすることができるためと考えられる（Ｇ
ａ以外のＧｄ、Ｌａ等も同様）。

【００１８】事実、透明導電層１２の膜厚が０．６μｍ
である場合（実施例２，３，４及び比較例１，２）の、
Ｇａ原子濃度と規格化変換効率との関係を調べたとこ
ろ、図３に示す結果が得られた。図３より、本発明が比
較例１，２と比べ高い変換効率を示すことが明らかであ
る。

【００１９】また、Ｇａ原子濃度が１×１０^１７ｃｍ
^−３の場合（実施例１，３，５，６）、透明導電層の膜
厚と規格変換効率との関係を調べたところ、図４に示す
結果が得られた。図３より、本発明が比較例１，２と比
べ高い変換効率を示すことが明らかである。

【００２０】（実施例７〜１２）本実施例７〜１２に係
るタンデム型太陽電池は、実施例１〜６と比べ、Ｇａの
代わりに不純物としてのＧｄをドープした厚さ０．２〜
２μｍのＺｎＯ層（透明導電層）１２を用いる点が大き
く異なり、透明導電層１２の光線透過率、透明導電層１
２の電気抵抗率、Ｇｄ原子濃度、透明導電層１２の膜厚
は下記表２のとおりである。なお、表２には、比較例
１，２における透明導電層の光線透過率、電気抵抗率、
透明導電層の膜厚も示した。

【００２１】

【表２】

【００２２】実施例７〜１２によれば、不純物Ｇｄによ
り透明導電層１２を低抵抗化することにより、高い変換
効率を有したタンデム型太陽電池を得ることができる。
事実、透明導電層１２の膜厚が０．６μｍである場合
（実施例８，９，１０及び比較例１，２）の、Ｇａ原子
濃度と規格化変換効率との関係を調べたところ、図５に
示す結果が得られた。図５より、本発明が比較例１，２
と比べ高い変換効率を示すことが明らかである。

【００２３】また、Ｇｄ原子濃度が１×１０^１７ｃｍ
^−３の場合（実施例７，９，１１，１２）の、透明導電
層１２の膜厚と規格変換効率との関係を調べたところ、
図６に示す結果が得られた。図６より、本発明が比較例
１，２と比べ高い変換効率を示すことが明らかである。

【００２４】（実施例１３〜１８）本実施例１３〜１８
に係るタンデム型太陽電池は、実施例１〜６と比べ、Ｇ
ａの代わりに不純物としてのＬａをドープした厚さ０．
２〜２μｍのＺｎＯ層（透明導電層）を用いる点が大き
く異なり、透明導電層１２の光線透過率、透明導電層１
２の電気抵抗率、透明導電層１２のＬａ原子濃度、透明
導電層１２の膜厚は下記表３のとおりである。なお、表
３には、比較例１，２における透明導電層の光線透過
率、電気抵抗率、透明導電層の膜厚も示した。

【００２５】

【表３】

【００２６】実施例１３〜１８によれば、不純物Ｌａに
より透明導電層１２を低抵抗化することにより、高い変
換効率を有したタンデム型太陽電池を得ることができ
る。事実、透明導電層１２の膜厚が０．６μｍである場
合（実施例１４，１５，１６及び比較例１，２）の、Ｌ
ａ原子濃度と規格化変換効率との関係を調べたところ、
図７に示す結果が得られた。図７より、本発明が比較例
１，２と比べ高い変換効率を示すことが明らかである。

【００２７】また、Ｌａ原子濃度が１×１０^１７ｃｍ
^−３の場合（実施例１３，１５，１７，１８）の、透明
導電層の膜厚と規格変換効率との関係を調べたところ、
図８に示す結果が得られた。図８より、本発明が比較例
１，２と比べ高い変換効率を示すことが明らかである。

【００２８】（実施例１９〜２４）本実施例１９〜２４
に係るタンデム型太陽電池は、実施例１〜６と比べ、透
明導電層ではなく、酸化物層１５にＩＴＯの代わりにＧ
ａをドープしたＺｎＯを用いる点、Ｇａ原子濃度１×１
０^１６ｃｍ^−３以上とする点、酸化物層１５の厚さ０．
０２〜２．０μｍとする点を除いて同じであり、酸化物
層１５の光線透過率、酸化物層１５の電気抵抗率、酸化
物層１５のＧａ原子濃度及び酸化物層１５の膜厚は下記
表４のとおりである。なお、表４には、比較例１，２に
おける酸化物層の光線透過率、電気抵抗率、透明導電層
の膜厚も示した。

【００２９】

【表４】

【００３０】実施例１９〜２４によれば、不純物Ｇａに
より酸化物層１５を低抵抗化することにより、高い変換
効率を有したタンデム型太陽電池を得ることができる。
図９は、酸化物層１５の膜厚が０．１μｍである場合
（実施例２０，２１，２２及び比較例３，４）の、Ｇａ
原子濃度と規格化変換効率との関係を調べた特性図を示
す。但し、比較例３は、ＩＴＯからなる酸化物層を用い
た事を特徴とする、基本的には実施例１と同じ構成のタ
ンデム型太陽電池を示す。比較例４は、Ａｌドープした
ＺｎＯからなる酸化物層を用いた事を特徴とする、基本
的には実施例１と同じ構成のタンデム型太陽電池を示
す。比較例３，４における光線透過率、電気抵抗率、酸
化物層膜厚は上記表４に示すとおりである。図９より、
本発明が比較例３，４と比べ高い変換効率を示すことが
明らかである。

【００３１】また、Ｇａ原子濃度が１×１０^１７ｃｍ
^−３の場合（実施例１９，２１，２３，２４）の、酸化
物層１５の膜厚と規格変換効率との関係を調べたとこ
ろ、図１０に示す結果が得られた。図１０より、本発明
が比較例３，４と比べ高い変換効率を示すことが明らか
である。

【００３２】（実施例２５〜３０）本実施例２５〜３０
に係るタンデム型太陽電池は、実施例１〜６と比べ、透
明導電層ではなく、酸化物層１５にＩＴＯの代わりにＧ
ｄをドープしたＺｎＯを用いる点、Ｇｄ原子濃度１×１
０^１６ｃｍ^−３以上とする点、酸化物層の厚さ０．０２
〜２．０μｍとする点を除いて同じであり、酸化物層１
５の光線透過率、酸化物層１５の電気抵抗率、酸化物層
１５のＧｄ原子濃度及び酸化物層１５の膜厚は下記表５
のとおりである。なお、表５には、比較例３，４におけ
る酸化物層の光線透過率、電気抵抗率、透明導電層の膜
厚も示した。

【００３３】

【表５】

【００３４】実施例２５〜３０によれば、不純物Ｇｄに
より酸化物層１５を低抵抗化することにより、高い変換
効率を有したタンデム型太陽電池を得ることができる。
図１１は、酸化物層の膜厚が０．１μｍである場合（実
施例２６，２７，２８及び比較例３，４）の、Ｇｄ原子
濃度と規格化変換効率との関係を調べた特性図を示す。
比較例３，４における酸化物層の光線透過率、酸化物層
の電気抵抗率、酸化物層の膜厚は上記表５に示すとおり
である。図１１より、本発明が比較例３，４と比べ高い
変換効率を示すことが明らかである。

【００３５】また、Ｇｄ原子濃度が１×１０^１７ｃｍ
^−３の場合（実施例２５，２７，２９，３０）の、酸化
物層の膜厚と規格変換効率との関係を調べたところ、図
１２に示す結果が得られた。図１２より、本発明が比較
例３，４と比べ高い変換効率を示すことが明らかであ
る。

【００３６】（実施例３１〜３６）本実施例３１〜３６
に係るタンデム型太陽電池は、実施例１〜６と比べ、透
明導電層ではなく、実施例１〜６と比べ、酸化物層１５
にＩＴＯの代わりにＬａをドープしたＺｎＯを用いる
点、Ｌａ原子濃度１×１０^１６ｃｍ^−３以上とする点、
酸化物層１２の厚さを０．０２〜２．０μｍとする点を
除いて同じであり、酸化物層１５の光線透過率、酸化物
層１５の電気抵抗率、酸化物層１５のＬａ原子濃度及び
透明導電層１２の膜厚は下記表６のとおりである。な
お、表６には、比較例３，４における酸化物層の光線透
過率、電気抵抗率、透明導電層の膜厚も示した。

【００３７】

【表６】

【００３８】実施例３１〜３６によれば、不純物Ｌａに
より酸化物層１５を低抵抗化することにより、高い変換
効率を有したタンデム型太陽電池を得ることができる。
事実、酸化物層１５の膜厚が０．１μｍである場合（実
施例３２，３３，３４及び比較例３，４）の、Ｌａ原子
濃度と規格化変換効率との関係を調べた特性図を示す。
比較例３，４における酸化物層の光線透過率、酸化物層
の電気抵抗率、酸化物層の膜厚は上記表６に示すとおり
である。図１３より、本発明が比較例３，４と比べ高い
変換効率を示すことが明らかである。

【００３９】また、Ｌａ原子濃度が１×１０^１７ｃｍ
^−３の場合（実施例３１，３３，３５，３６）の、酸化
物層１５の膜厚と規格変換効率との関係を調べたとこ
ろ、図１４に示す結果が得られた。図１４より、本発明
が比較例３，４と比べ高い変換効率を示すことが明らか
である。

【００４０】なお、上記実施例では、２つのセルを多段
に積層したタンデム型太陽電池の場合について述べた
が、これに限らず、１つのセルを用いた太陽電池、ある
いは３つ以上のセルを多段に積層したタンデム型太陽電
池の場合についても上記実施例と同様な効果が期待でき
る。

【００４１】また、上記実施例では、透明導電層あるい
は酸化物層の光線透過率、電気抵抗率について規定した
場合について述べたが、これに限らず、透明導電層及び
酸化物層が夫々上記実施例のように光線透過率、電気抵
抗率の点で適宜な数値（光線透過率：８４％以上、電気
抵抗率：５×１０^−３Ωｃｍ以下）の範囲にある場合で
もよい。

【００４２】更に、上記実施例では、支持体がガラス基
板である太陽電池の場合について述べたが、これに限ら
ず、図１５に示すように支持体が不透明基板である太陽
電池についても同様に適用できる。図中の符番３０は支
持体（不透明基板）を示す。この支持体３０上には、単
層又は複数の金属膜を積層した金属電極層３１、酸化物
層３２、第１のセル３３、第２のセル３４、ＺｎＯ層
（透明導電層）３５及び集電電極３６が順次形成されて
いる。ここで、第１のセル３３は、ｐ型のａ−Ｓｉ発電
膜３３ａと、ｉ型のａ−Ｓｉ発電膜３３ｂと、ｎ型のａ
−Ｓｉ発電膜３３ｃとから構成されている。第２のセル
３４は、ｐ型の結晶質Ｓｉ発電膜３４ａと、ｉ型の結晶
質Ｓｉ発電膜３４ｂと、ｎ型の結晶質Ｓｉ発電膜３４ｃ
とから構成されている。前記各発電膜の膜厚は０．００
５〜０．５μｍである。なお、光線透過率及び電気抵抗
率の考え方は、上記実施例の場合と同様である。

【００４３】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、白
色光に対する透明導電層及び酸化物層の少なくとも一方
の層の光線透過率を８４％以上で、電気抵抗率を５×１
０^−３Ωｃｍ以下とすることにより、高い変換効率が得
られる太陽電池を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１〜６に係るタンデム型太陽電
池の断面図。

【図２】従来に係るタンデム型太陽電池の断面図。

【図３】実施例１〜６及び比較例１、２に係るタンデム
型太陽電池において、透明導電性膜の膜厚が０．６μｍ
の場合のＧａ原子濃度と規格化変換効率との関係を示す
特性図。

【図４】実施例１〜６及び比較例１、２に係るタンデム
型太陽電池において、Ｇａ原子濃度が１×１０^１７ｃｍ
^−３の場合の透明導電層膜厚と規格化変換効率との関係
を示す特性図。

【図５】実施例７〜１２及び比較例１、２に係るタンデ
ム型太陽電池において、透明導電性膜の膜厚が０．６μ
ｍの場合のＧｄ原子濃度と規格化変換効率との関係を示
す特性図。

【図６】実施例７〜１２及び比較例１、２に係るタンデ
ム型太陽電池において、Ｇｄ原子濃度が１×１０^１７ｃ
ｍ^−３の場合の透明導電層膜厚と規格化変換効率との関
係を示す特性図。

【図７】実施例１３〜１８及び比較例１、２に係るタン
デム型太陽電池において、透明導電性膜の膜厚が０．６
μｍの場合のＬａ原子濃度と規格化変換効率との関係を
示す特性図。

【図８】実施例１３〜１８及び比較例１、２に係るタン
デム型太陽電池において、Ｌａ原子濃度が１×１０^１７
ｃｍ^−３の場合の透明導電層膜厚と規格化変換効率との
関係を示す特性図。

【図９】実施例１９〜２４及び比較例３、４に係るタン
デム型太陽電池において、酸化物層の膜厚が０．１μｍ
の場合のＧａ原子濃度と規格化変換効率との関係を示す
特性図。

【図１０】実施例１９〜２４及び比較例３、４に係るタ
ンデム型太陽電池において、Ｇａ原子濃度が１×１０
^１７ｃｍ^−３の場合の酸化物層膜厚と規格化変換効率と
の関係を示す特性図。

【図１１】実施例２５〜３０及び比較例３、４に係るタ
ンデム型太陽電池において、酸化物層の膜厚が０．１μ
ｍの場合のＧｄ原子濃度と規格化変換効率との関係を示
す特性図。

【図１２】実施例２５〜３０及び比較例１、２に係るタ
ンデム型太陽電池において、Ｇｄ原子濃度が１×１０
^１７ｃｍ^−３の場合の酸化物層の膜厚と規格化変換効率
との関係を示す特性図。

【図１３】実施例３１〜３６及び比較例３、４に係るタ
ンデム型太陽電池において、酸化物層の膜厚が０．１μ
ｍの場合のＬａ原子濃度と規格化変換効率との関係を示
す特性図。

【図１４】実施例３１〜３６及び比較例３、４に係るタ
ンデム型太陽電池において、Ｌａ原子濃度が１×１０
^１７ｃｍ^−３の場合の酸化物層の膜厚と規格化変換効率
との関係を示す特性図。

【図１５】本発明の他の実施例に係るタンデム型太陽電
池の断面図。

【符号の説明】

１１，３０…支持体、１２、３５…透明導電層、１３，３３…第１のセル、１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，３
３ａ、３３ｂ、３３ｃ，３４ａ，３４ｂ，３４ｃ…Ｓｉ
発電膜、１４，３４…第２のセル、１５，３２…酸化物層、１６…反射用金属膜、３１…金属電極層、３６…集電電極。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山口賢剛長崎県長崎市深堀町五丁目717番１号三菱重工業株式会社長崎研究所内Ｆターム(参考） 5F051 AA01 AA05 DA04 DA17 DA20 FA02 FA08 GA03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】支持体上に透明導電層を介してアモルフ
ァスＳｉ又は結晶質Ｓｉよりなるｐｉｎ型又はｎｉｐ型
構造の複数のセルを1つ又は多段に積層し、更に前記セ
ル上に酸化物層を介して反射用金属膜を形成した太陽電
池において、白色光に対する透明導電層及び酸化物層の少なくとも一
方の層の光線透過率が８４％以上で、電気抵抗率が５×
１０^−３Ωｃｍ以下であることを特徴とする太陽電池。
【請求項２】支持体上に金属電極層、酸化物層を介し
てアモルファスＳｉ又は結晶質Ｓｉよりなるｐｉｎ型又
はｎｉｐ型構造の複数のセルを1つ又は多段に積層し、
更に前記セル上に透明導電層を介して集電電極を形成し
た太陽電池において、白色光に対する前記透明導電層及び酸化物層の少なくと
も一方の層の光線透過率が８４％以上で、電気抵抗率が
５×１０^−３Ωｃｍ以下であることを特徴とする太陽電
池。
【請求項３】前記透明導電層及び酸化物層の少なくと
も一方が、Ｇａ、Ｇｄ、Ｌａの少なくともどれか一つを
１０^１６個／ｃｍ^３以上の濃度で含むＺｎＯで形成され
ることを特徴とする請求項１もしくは請求項２いずれか
１項記載の太陽電池。
【請求項４】前記透明導電層及び酸化物層の少なくと
も一方が、０．２〜２μｍであることを特徴とする請求
項１乃至請求項３いずれか１項記載の太陽電池。