JP2003197674A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置及び実装基板が熱膨張率の相違に
よって異なる伸びをもっても、その伸びを吸収すること
ができる、半導体装置及びその製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 金属配線１４の外部端子の近辺では、残
存するレジスト１６に対応する形の凹陥部２８が形成さ
れる。凹陥部２８において、金属配線１４の外部端子５
０は、凹陥部２８の側面から突出している。このように
外部端子５０を構成することにより、ランド５４に接続
される半田ボール３０がＸＹＺのいずれの方向に変位し
ようとも、ランド５４は拘束されることなく、半田ボー
ル３０の変位に追従して変位できる。
よって異なる伸びをもっても、その伸びを吸収すること
ができる、半導体装置及びその製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 金属配線１４の外部端子の近辺では、残
存するレジスト１６に対応する形の凹陥部２８が形成さ
れる。凹陥部２８において、金属配線１４の外部端子５
０は、凹陥部２８の側面から突出している。このように
外部端子５０を構成することにより、ランド５４に接続
される半田ボール３０がＸＹＺのいずれの方向に変位し
ようとも、ランド５４は拘束されることなく、半田ボー
ル３０の変位に追従して変位できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法に関する。より詳細には、本発明は、実装基
板に対して半田ボールで電気的に接続する半導体装置に
おいて、半導体装置と実装基板との間の熱膨張率の相違
によって半田ボールに作用する力を配線金属の変位によ
って吸収することができる半導体装置及びその製造方法
に関する。
の製造方法に関する。より詳細には、本発明は、実装基
板に対して半田ボールで電気的に接続する半導体装置に
おいて、半導体装置と実装基板との間の熱膨張率の相違
によって半田ボールに作用する力を配線金属の変位によ
って吸収することができる半導体装置及びその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９には、従来の半導体装置の製造方法
が示されている。図９（ａ）及び図９（ｂ）に示される
ように、ベース金属６１０上に金属配線を形成する際、
配線パターンと逆パターンでレジスト６１２が塗布され
る。その後、図９（ｃ）に示されるように、レジストに
よって形成された溝に、配線金属６１４のめっきが施さ
れる。めっきの後、図９（ｄ）に示されるように、レジ
スト６１２が溶剤により除去される。この状態におい
て、ベース金属上には配線が残存する。その後、金属バ
ンブ６２０を介して半導体素子６２２の電極パッドと配
線６１４とを電気的に導通するようにして、ベース金属
の表面と半導体素子の裏面との間に絶縁用樹脂６２４が
注入される。絶縁用樹脂６２４が固化した後、ベース金
属６１０の表面側で半導体装置が覆われるように、半導
体装置が樹脂封止される。その後、化学エッチング等で
ベース金属６１０が除去される。その後、実装基板との
外部端子を残して、ソルダーレジストを印刷することに
より、そのソルダーレジストによって配線が覆われる。
上記方法で製造された半導体装置は、裏面において、配
線の外部端子が露出している。外部端子と実装基板との
間は半田ボール６２６によって電気的に接続される。
が示されている。図９（ａ）及び図９（ｂ）に示される
ように、ベース金属６１０上に金属配線を形成する際、
配線パターンと逆パターンでレジスト６１２が塗布され
る。その後、図９（ｃ）に示されるように、レジストに
よって形成された溝に、配線金属６１４のめっきが施さ
れる。めっきの後、図９（ｄ）に示されるように、レジ
スト６１２が溶剤により除去される。この状態におい
て、ベース金属上には配線が残存する。その後、金属バ
ンブ６２０を介して半導体素子６２２の電極パッドと配
線６１４とを電気的に導通するようにして、ベース金属
の表面と半導体素子の裏面との間に絶縁用樹脂６２４が
注入される。絶縁用樹脂６２４が固化した後、ベース金
属６１０の表面側で半導体装置が覆われるように、半導
体装置が樹脂封止される。その後、化学エッチング等で
ベース金属６１０が除去される。その後、実装基板との
外部端子を残して、ソルダーレジストを印刷することに
より、そのソルダーレジストによって配線が覆われる。
上記方法で製造された半導体装置は、裏面において、配
線の外部端子が露出している。外部端子と実装基板との
間は半田ボール６２６によって電気的に接続される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、半導体装置
と実装基板は、それぞれ材質が異なる。したがって、そ
れぞれの材質の物性のうち、熱膨張率も異なる。半導体
装置が実装基板に装着された状態において、半導体装置
及び実装基板が熱に曝されると、半導体装置及び実装基
板の伸びも異なる。半導体装置と実装基板が電気的に接
続されているのは半田ボール６２６である。半導体装置
及び実装基板は固定された位置にあり、したがって、配
線６１４も半導体装置に拘束されている。同様に実装基
板の配線も拘束されている。そのため、伸びの相違は半
田ボール６２６と半導体装置及び実装基板との接続位置
に剪断力やモーメント等を生じさせる。この剪断力等が
原因になって、半田ボール６２６と半導体装置の間や、
半田ボールと実装基板との間の接続がクラックや剥離に
よって破壊されやすくなる。接続が破壊されると、半導
体装置と実装基板との間で導通不良が生じる。以上のよ
うに、従来の半導体装置の製造方法及び構造では、製品
の信頼性を失うことがあった。
と実装基板は、それぞれ材質が異なる。したがって、そ
れぞれの材質の物性のうち、熱膨張率も異なる。半導体
装置が実装基板に装着された状態において、半導体装置
及び実装基板が熱に曝されると、半導体装置及び実装基
板の伸びも異なる。半導体装置と実装基板が電気的に接
続されているのは半田ボール６２６である。半導体装置
及び実装基板は固定された位置にあり、したがって、配
線６１４も半導体装置に拘束されている。同様に実装基
板の配線も拘束されている。そのため、伸びの相違は半
田ボール６２６と半導体装置及び実装基板との接続位置
に剪断力やモーメント等を生じさせる。この剪断力等が
原因になって、半田ボール６２６と半導体装置の間や、
半田ボールと実装基板との間の接続がクラックや剥離に
よって破壊されやすくなる。接続が破壊されると、半導
体装置と実装基板との間で導通不良が生じる。以上のよ
うに、従来の半導体装置の製造方法及び構造では、製品
の信頼性を失うことがあった。
【０００４】本発明の目的は、半導体装置及び実装基板
が熱膨張率の相違によって異なる伸びをもっても、その
伸びを吸収することができる、半導体装置及びその製造
方法を提供することである。
が熱膨張率の相違によって異なる伸びをもっても、その
伸びを吸収することができる、半導体装置及びその製造
方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は、半導
体素子と、該半導体素子の裏面の電極に金属バンプを介
して配設された金属配線と、前記半導体素子と前記金属
配線との間の絶縁用樹脂とを備えた半導体装置におい
て、前記絶縁用樹脂の裏面に凹陥部を設け、前記金属配
線の外部端子の自由端を前記凹陥部の内面から突出させ
た半導体装置により前記課題を解決した。
体素子と、該半導体素子の裏面の電極に金属バンプを介
して配設された金属配線と、前記半導体素子と前記金属
配線との間の絶縁用樹脂とを備えた半導体装置におい
て、前記絶縁用樹脂の裏面に凹陥部を設け、前記金属配
線の外部端子の自由端を前記凹陥部の内面から突出させ
た半導体装置により前記課題を解決した。
【０００６】上記半導体装置は、その後、半田ボールを
介して実装基板に電気的に接続される。この状態におい
て、半導体装置及び実装基板が熱に曝されると、半導体
装置及び実装基板は全体が膨張し、それぞれが水平方向
及び垂直方向に伸びる。なお、垂直方向の伸びは、半導
体装置と実装基板との間の相対位置に変化を生じるさせ
ることは殆どない。水平方向の伸びは、半導体装置と実
装基板を電気的に接続する半田ボールに剪断力等を生じ
させる。本発明の金属配線の外部端子は、その自由端が
絶縁用樹脂の凹陥部に突出している。外部端子の自由端
は、絶縁用樹脂に拘束されることがなく凹陥部内での自
由度が大きい。従来の半導体装置と比較すると、外部端
子の自由端は撓みやすい。したがって、半田ボールが実
装基板に拘束された状態で半導体装置に対して相対的に
変位しても、その変位は外部端子の自由端が変形するこ
とにより吸収することができる。熱膨張率の相違によっ
て、半導体装置と実装基板との間で相対的な変位が生じ
ても、配線の外部端子は変位への追従性が高いので、金
属配線と半田ボールとの間の接続が破壊されることも少
なくなる。したがって、半導体装置及び実装基板に熱が
繰り返して作用しても、接続の破壊による導通不良も少
なくなり、半導体装置の信頼性が向上する。
介して実装基板に電気的に接続される。この状態におい
て、半導体装置及び実装基板が熱に曝されると、半導体
装置及び実装基板は全体が膨張し、それぞれが水平方向
及び垂直方向に伸びる。なお、垂直方向の伸びは、半導
体装置と実装基板との間の相対位置に変化を生じるさせ
ることは殆どない。水平方向の伸びは、半導体装置と実
装基板を電気的に接続する半田ボールに剪断力等を生じ
させる。本発明の金属配線の外部端子は、その自由端が
絶縁用樹脂の凹陥部に突出している。外部端子の自由端
は、絶縁用樹脂に拘束されることがなく凹陥部内での自
由度が大きい。従来の半導体装置と比較すると、外部端
子の自由端は撓みやすい。したがって、半田ボールが実
装基板に拘束された状態で半導体装置に対して相対的に
変位しても、その変位は外部端子の自由端が変形するこ
とにより吸収することができる。熱膨張率の相違によっ
て、半導体装置と実装基板との間で相対的な変位が生じ
ても、配線の外部端子は変位への追従性が高いので、金
属配線と半田ボールとの間の接続が破壊されることも少
なくなる。したがって、半導体装置及び実装基板に熱が
繰り返して作用しても、接続の破壊による導通不良も少
なくなり、半導体装置の信頼性が向上する。
【０００７】上記半導体装置では、外部端子が凹陥部内
に突出していることが好ましい。金属配線は、専らめっ
きで形成されるために強度は決して高くない。製品とし
ての半導体装置において、外部端子が凹陥部の外に出て
いると、その半導体装置を取り扱う際に外部端子を損傷
する恐れがある。外部端子が半導体装置の外郭から飛び
出すことなく凹陥部内に突出するように半導体装置を構
成することにより、外部端子は接触等によって損傷した
り変形したりすることがない。したがって、外部端子は
適正な姿勢や形状を保証される。これにより、半田ボー
ルを用いて半導体装置を実装基板に電気的に接続する工
程において、信頼性が高い接続を行うことができる。
に突出していることが好ましい。金属配線は、専らめっ
きで形成されるために強度は決して高くない。製品とし
ての半導体装置において、外部端子が凹陥部の外に出て
いると、その半導体装置を取り扱う際に外部端子を損傷
する恐れがある。外部端子が半導体装置の外郭から飛び
出すことなく凹陥部内に突出するように半導体装置を構
成することにより、外部端子は接触等によって損傷した
り変形したりすることがない。したがって、外部端子は
適正な姿勢や形状を保証される。これにより、半田ボー
ルを用いて半導体装置を実装基板に電気的に接続する工
程において、信頼性が高い接続を行うことができる。
【０００８】上記半導体装置では、外部端子が半田ボー
ル接続用ランドを備えており、外部端子が、凹陥部の内
面から突出する基端部と、基端部に引き続きこの基端部
と異方向でランドに延びる湾曲部より構成されているこ
とが好ましい。前述のように、半導体装置及び実装基板
が熱に曝されると、半導体装置及び実装基板は全体が膨
張し、それぞれが水平方向及び垂直方向に伸びる。これ
により、半導体装置と実装基板との間の相対位置に変化
が生じる。凹陥部の内面に隣接する基端部と半田ボール
接続用ランドは、湾曲部で接続されている。したがっ
て、基端部は半導体装置とともに伸び、ランドは半田ボ
ールを介して実装基板とともに伸びる。半田ボールを介
して半導体装置が実装基板に接続された状態で熱膨張率
の相違により相対的な変位が生じると、ランドが実装基
板に随伴される。基端部とランドとの相対的な変位は湾
曲部が変形することにより吸収される。これにより、半
導体装置と半田ボールとの間の接続位置や、実装基板と
半田ボールとの間の接続位置に剪断力等の好ましくない
力が作用することを避けることができる。したがって、
半導体装置及び実装基板に熱が繰り返して作用しても、
接続の破壊による導通不良も少なくなり、半導体装置の
信頼性が向上する。
ル接続用ランドを備えており、外部端子が、凹陥部の内
面から突出する基端部と、基端部に引き続きこの基端部
と異方向でランドに延びる湾曲部より構成されているこ
とが好ましい。前述のように、半導体装置及び実装基板
が熱に曝されると、半導体装置及び実装基板は全体が膨
張し、それぞれが水平方向及び垂直方向に伸びる。これ
により、半導体装置と実装基板との間の相対位置に変化
が生じる。凹陥部の内面に隣接する基端部と半田ボール
接続用ランドは、湾曲部で接続されている。したがっ
て、基端部は半導体装置とともに伸び、ランドは半田ボ
ールを介して実装基板とともに伸びる。半田ボールを介
して半導体装置が実装基板に接続された状態で熱膨張率
の相違により相対的な変位が生じると、ランドが実装基
板に随伴される。基端部とランドとの相対的な変位は湾
曲部が変形することにより吸収される。これにより、半
導体装置と半田ボールとの間の接続位置や、実装基板と
半田ボールとの間の接続位置に剪断力等の好ましくない
力が作用することを避けることができる。したがって、
半導体装置及び実装基板に熱が繰り返して作用しても、
接続の破壊による導通不良も少なくなり、半導体装置の
信頼性が向上する。
【０００９】外部端子の湾曲部は、その機能が、半導体
装置の実装基板との間の相対的な変位を吸収することに
ある。この機能を満足させるためには、湾曲部を平面的
に湾曲させたり、立体的に湾曲させたりすることができ
る。湾曲部が半導体装置の平面方向で湾曲するように、
外部端子を構成することにより、半導体装置と実装基板
との間で相対的な変位が生じた場合、外部端子が凹陥部
から延びる方向と異なる方向への変位を吸収しやすい。
もっとも、平面方向の湾曲する湾曲部であっても、湾曲
部の形状によっては、外部端子が凹陥部の内面から延び
る方向への変位を吸収することができる。一方、湾曲部
が半導体装置の立体方向で湾曲するように、外部端子を
構成することにより、半導体装置と実装基板との間で相
対的な変位が生じた場合、外部端子が凹陥部の内面から
延びる方向への変位を吸収しやすい。
装置の実装基板との間の相対的な変位を吸収することに
ある。この機能を満足させるためには、湾曲部を平面的
に湾曲させたり、立体的に湾曲させたりすることができ
る。湾曲部が半導体装置の平面方向で湾曲するように、
外部端子を構成することにより、半導体装置と実装基板
との間で相対的な変位が生じた場合、外部端子が凹陥部
から延びる方向と異なる方向への変位を吸収しやすい。
もっとも、平面方向の湾曲する湾曲部であっても、湾曲
部の形状によっては、外部端子が凹陥部の内面から延び
る方向への変位を吸収することができる。一方、湾曲部
が半導体装置の立体方向で湾曲するように、外部端子を
構成することにより、半導体装置と実装基板との間で相
対的な変位が生じた場合、外部端子が凹陥部の内面から
延びる方向への変位を吸収しやすい。
【００１０】半導体装置では、凹陥部を残して半導体装
置の裏面に、金属配線を保護するソルダーレジストが形
成されていることが好ましい。絶縁用樹脂に金属配線が
露出していると、その金属配線が損傷する恐れがある。
ソルダーレジストは露出する金属配線を保護するが、こ
れに加えて、金属配線が絶縁用樹脂から剥離することを
防止する。凹陥部を残して半導体装置の裏面にソルダー
レジストが形成されることで、外部端子の自由度を維持
しながら、金属配線を保護し、剥離を防止することがで
きる。また、絶縁用樹脂の裏面すれすれに金属配線が形
成されている場合、半導体装置の裏面にソルダーレジス
トが形成されると、金属配線の外部端子がソルダーレジ
ストの露出面から没入することになる。これにより、外
部端子は接触等により損傷したり変形したりすることが
なく、外部端子は適正な姿勢や形状を保証される。
置の裏面に、金属配線を保護するソルダーレジストが形
成されていることが好ましい。絶縁用樹脂に金属配線が
露出していると、その金属配線が損傷する恐れがある。
ソルダーレジストは露出する金属配線を保護するが、こ
れに加えて、金属配線が絶縁用樹脂から剥離することを
防止する。凹陥部を残して半導体装置の裏面にソルダー
レジストが形成されることで、外部端子の自由度を維持
しながら、金属配線を保護し、剥離を防止することがで
きる。また、絶縁用樹脂の裏面すれすれに金属配線が形
成されている場合、半導体装置の裏面にソルダーレジス
トが形成されると、金属配線の外部端子がソルダーレジ
ストの露出面から没入することになる。これにより、外
部端子は接触等により損傷したり変形したりすることが
なく、外部端子は適正な姿勢や形状を保証される。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明によ
る半導体装置及びその製造方法の実施形態を詳細に説明
する。図１は、本発明による半導体装置を製造するため
方法の第１実施形態を示す工程図である。図２は、本発
明による半導体装置を製造するため方法の第２実施形態
を示す工程図である。図３は、本発明による半導体装置
を製造するため方法の第３実施形態を示す工程図であ
る。
る半導体装置及びその製造方法の実施形態を詳細に説明
する。図１は、本発明による半導体装置を製造するため
方法の第１実施形態を示す工程図である。図２は、本発
明による半導体装置を製造するため方法の第２実施形態
を示す工程図である。図３は、本発明による半導体装置
を製造するため方法の第３実施形態を示す工程図であ
る。
【００１２】図１（ａ）に示されるように、ベース金属
１０が準備される。ベース金属１０は例えば銅板であ
る。次いで、図１（ｂ）に示されるように、金属配線の
パターンとは逆になるようにパターン形成用レジスト１
２が塗布される。次いで、図１（ｃ）に示されるよう
に、パターン形成用レジスト１２によって形成された溝
に金属によるめっきが施される。この金属は、ベース金
属１０の材質である銅よりもエッチング速度が遅い金
属、すなわち、エッチング比が大きい金属が用いられ
る。このような金属として、ニッケル（Ｎｉ）が一般的
であるが、金のような金属であってもよい。その後、パ
ターン形成用レジスト１２が除去されると、図１（ｄ）
示されるように、ベース金属１０上に、例えば、ニッケ
ルからなる金属配線１４のパターンが形成される。
１０が準備される。ベース金属１０は例えば銅板であ
る。次いで、図１（ｂ）に示されるように、金属配線の
パターンとは逆になるようにパターン形成用レジスト１
２が塗布される。次いで、図１（ｃ）に示されるよう
に、パターン形成用レジスト１２によって形成された溝
に金属によるめっきが施される。この金属は、ベース金
属１０の材質である銅よりもエッチング速度が遅い金
属、すなわち、エッチング比が大きい金属が用いられ
る。このような金属として、ニッケル（Ｎｉ）が一般的
であるが、金のような金属であってもよい。その後、パ
ターン形成用レジスト１２が除去されると、図１（ｄ）
示されるように、ベース金属１０上に、例えば、ニッケ
ルからなる金属配線１４のパターンが形成される。
【００１３】次いで、図１（ｅ）に示されるように、ベ
ース金属１０の表面、及び、金属配線１４の表面を覆う
レジスト１６が形成される。レジスト１６は、金属配線
１４を完全に覆う厚みで形成される。次いで、図１
（ｆ）に示されるように、フォトマスク１８を用いてレ
ジスト１６に紫外線が照射される。フォトマスク１８に
おいて、紫外線が遮光される部位はマスクされている。
紫外線が遮光される部位は、金属配線の外部端子に対応
する位置において、外部端子を囲繞する部位である。図
１（ｇ）では、紫外線が照射された部位が示されてい
る。次いで、図１（ｈ）に示されるように、レジスト１
６が現像により除去される。紫外線が照射されない部位
ではレジスト１６が残存している。レジスト１６は、ベ
ース金属１０の表面において金属配線１４の外部端子を
覆っている。
ース金属１０の表面、及び、金属配線１４の表面を覆う
レジスト１６が形成される。レジスト１６は、金属配線
１４を完全に覆う厚みで形成される。次いで、図１
（ｆ）に示されるように、フォトマスク１８を用いてレ
ジスト１６に紫外線が照射される。フォトマスク１８に
おいて、紫外線が遮光される部位はマスクされている。
紫外線が遮光される部位は、金属配線の外部端子に対応
する位置において、外部端子を囲繞する部位である。図
１（ｇ）では、紫外線が照射された部位が示されてい
る。次いで、図１（ｈ）に示されるように、レジスト１
６が現像により除去される。紫外線が照射されない部位
ではレジスト１６が残存している。レジスト１６は、ベ
ース金属１０の表面において金属配線１４の外部端子を
覆っている。
【００１４】次いで、図１（ｉ）に示されるように、金
属バンプ２０を介して半導体素子２２の電極と金属配線
１４が電気的に接続される。さらに、ベース金属１０の
表面と半導体素子２２の裏面との間に絶縁用樹脂が注入
され、金属配線１４及びレジスト１６を含んで、半導体
素子２２の裏面が絶縁用樹脂２４で封止される。絶縁用
樹脂２４は、レジスト１６より厚く形成される。したが
って、レジスト１６の表面にも絶縁用樹脂２４が形成さ
れる。次いで、図１（ｊ）に示されるように、ベース金
属１０上で半導体素子２２が封止用樹脂２６で封止さ
れ、図１（ｋ）に示されるように、ベース金属１０が溶
剤等で除去される。以上の工程後、絶縁用樹脂２４の裏
面には金属配線１４が露出している。また、金属配線１
４の外部端子を囲繞するレジスト１６が露出している。
属バンプ２０を介して半導体素子２２の電極と金属配線
１４が電気的に接続される。さらに、ベース金属１０の
表面と半導体素子２２の裏面との間に絶縁用樹脂が注入
され、金属配線１４及びレジスト１６を含んで、半導体
素子２２の裏面が絶縁用樹脂２４で封止される。絶縁用
樹脂２４は、レジスト１６より厚く形成される。したが
って、レジスト１６の表面にも絶縁用樹脂２４が形成さ
れる。次いで、図１（ｊ）に示されるように、ベース金
属１０上で半導体素子２２が封止用樹脂２６で封止さ
れ、図１（ｋ）に示されるように、ベース金属１０が溶
剤等で除去される。以上の工程後、絶縁用樹脂２４の裏
面には金属配線１４が露出している。また、金属配線１
４の外部端子を囲繞するレジスト１６が露出している。
【００１５】次いで、レジスト１６が除去されると、図
１（ｌ）に示されるように、絶縁用樹脂２４の裏面にお
いて凹陥部２８が形成され、金属配線１４の外部端子が
絶縁用樹脂２４と離間する。その後、図１（ｍ）に示さ
れるように、絶縁用樹脂２４及び封止用樹脂２６の裏面
において、凹陥部２８を除いてソルダーレジスト２９が
印刷等により形成される。次いで、図１（ｎ）に示され
るように、実装基板（図示せず）に対して、半田ボール
３０を介して金属配線１４の外部端子が電気的に接続さ
れる。
１（ｌ）に示されるように、絶縁用樹脂２４の裏面にお
いて凹陥部２８が形成され、金属配線１４の外部端子が
絶縁用樹脂２４と離間する。その後、図１（ｍ）に示さ
れるように、絶縁用樹脂２４及び封止用樹脂２６の裏面
において、凹陥部２８を除いてソルダーレジスト２９が
印刷等により形成される。次いで、図１（ｎ）に示され
るように、実装基板（図示せず）に対して、半田ボール
３０を介して金属配線１４の外部端子が電気的に接続さ
れる。
【００１６】図２及び図３は、上記方法で製造された半
導体装置の裏面を部分的に拡大した断面図及び斜視図で
ある。金属配線１４の外部端子の近辺では、残存するレ
ジスト１６に対応する形の凹陥部２８が形成される。本
実施形態では、レジスト１６を円筒状としたことによ
り、凹陥部２８も底面３２及び側面３４からなる内面を
有する円筒状である。絶縁用樹脂２４は、前記工程にお
いてレジスト１６より厚く形成されたので、凹陥部２８
の底面２８に半導体素子が露出することはない。なお、
凹陥部２８は、円筒状である必要はなく、金属配線１４
の外部端子を絶縁用樹脂２４と離反させる中空部分であ
ってよい。この凹陥部２８において、金属配線１４の外
部端子５０は、凹陥部２８の側面から突出している。外
部端子５０は、凹陥部２８の側面から突出直後の基端部
５２と、半田ボール３０と電気的に接続される円板状の
ランド５４と、基端部５２とランド５４の外縁を接続す
る湾曲部５６より構成されている。したがって、ランド
５４は、湾曲部５６を介して片持ち支持された状態にあ
る。このように外部端子５０を構成することにより、ラ
ンド５４に接続される半田ボール３０がＸＹＺのいずれ
の方向に変位しようとも、ランド５４は拘束されること
なく、半田ボール３０の変位に追従して変位できる。
導体装置の裏面を部分的に拡大した断面図及び斜視図で
ある。金属配線１４の外部端子の近辺では、残存するレ
ジスト１６に対応する形の凹陥部２８が形成される。本
実施形態では、レジスト１６を円筒状としたことによ
り、凹陥部２８も底面３２及び側面３４からなる内面を
有する円筒状である。絶縁用樹脂２４は、前記工程にお
いてレジスト１６より厚く形成されたので、凹陥部２８
の底面２８に半導体素子が露出することはない。なお、
凹陥部２８は、円筒状である必要はなく、金属配線１４
の外部端子を絶縁用樹脂２４と離反させる中空部分であ
ってよい。この凹陥部２８において、金属配線１４の外
部端子５０は、凹陥部２８の側面から突出している。外
部端子５０は、凹陥部２８の側面から突出直後の基端部
５２と、半田ボール３０と電気的に接続される円板状の
ランド５４と、基端部５２とランド５４の外縁を接続す
る湾曲部５６より構成されている。したがって、ランド
５４は、湾曲部５６を介して片持ち支持された状態にあ
る。このように外部端子５０を構成することにより、ラ
ンド５４に接続される半田ボール３０がＸＹＺのいずれ
の方向に変位しようとも、ランド５４は拘束されること
なく、半田ボール３０の変位に追従して変位できる。
【００１７】また、本実施形態では、絶縁用樹脂２４及
びソルダーレジスト２９と平行に外部端子５０が形成さ
れている。したがって、外部端子５０は、凹陥部２８の
底面３２に接触することもなく、ソルダーレジスト２９
の露出面から外に飛び出すこともなく、凹陥部２８内に
配置される。なお、外部端子５０は、底面３２に接した
状態であってもよいが、周辺部材に拘束されていなけれ
ばよい。本実施形態では、外部端子５０が凹陥部２８内
に配置されているので、半導体装置そのもののを取り扱
う際、外部端子５０が損傷したり変形したすることが少
なくなっている。もっとも、半田ボール３０の追従性だ
けを考慮すれば、外部端子５０は凹陥部２８から外に飛
び出していてもよい。
びソルダーレジスト２９と平行に外部端子５０が形成さ
れている。したがって、外部端子５０は、凹陥部２８の
底面３２に接触することもなく、ソルダーレジスト２９
の露出面から外に飛び出すこともなく、凹陥部２８内に
配置される。なお、外部端子５０は、底面３２に接した
状態であってもよいが、周辺部材に拘束されていなけれ
ばよい。本実施形態では、外部端子５０が凹陥部２８内
に配置されているので、半導体装置そのもののを取り扱
う際、外部端子５０が損傷したり変形したすることが少
なくなっている。もっとも、半田ボール３０の追従性だ
けを考慮すれば、外部端子５０は凹陥部２８から外に飛
び出していてもよい。
【００１８】次に、図４を参照して、半導体装置の製造
方法の第２実施形態を説明する。図４（ａ）乃至図４
（ｄ）に示されるように、ベース金属１１０上に金属配
線のパターンとは逆になるようにパターン形成用レジス
ト１１２が塗布され、溝に金属によるめっきが施され
る。その後、パターン形成用レジスト１１２が除去され
ると、ベース金属１１０上に金属配線１１４のパターン
が形成される。
方法の第２実施形態を説明する。図４（ａ）乃至図４
（ｄ）に示されるように、ベース金属１１０上に金属配
線のパターンとは逆になるようにパターン形成用レジス
ト１１２が塗布され、溝に金属によるめっきが施され
る。その後、パターン形成用レジスト１１２が除去され
ると、ベース金属１１０上に金属配線１１４のパターン
が形成される。
【００１９】次いで、図４（ｅ）に示されるように、ベ
ース金属１１０の表面、及び、金属配線１１４の表面を
覆うレジスト１１６が形成される。レジスト１１６は、
金属配線１１４を完全に覆う厚みで形成される。次い
で、図４（ｆ）に示されるように、フォトマスク１１８
を用いてレジスト１１６に紫外線が照射される。フォト
マスク１１８において、紫外線が遮光される部位はマス
クされている。紫外線が照射される部位は、金属配線の
外部端子に対応する位置において、外部端子を囲繞する
部位である。図４（ｇ）では、紫外線が照射された部位
が示されている。次いで、図４（ｈ）に示されるよう
に、露光したレジスト１１６が現像により除去される。
紫外線が遮光された部位ではレジスト１１６が残存して
いる。レジスト１１６は、ベース金属１０の表面におい
て金属配線１４の外部端子を残して残存している。
ース金属１１０の表面、及び、金属配線１１４の表面を
覆うレジスト１１６が形成される。レジスト１１６は、
金属配線１１４を完全に覆う厚みで形成される。次い
で、図４（ｆ）に示されるように、フォトマスク１１８
を用いてレジスト１１６に紫外線が照射される。フォト
マスク１１８において、紫外線が遮光される部位はマス
クされている。紫外線が照射される部位は、金属配線の
外部端子に対応する位置において、外部端子を囲繞する
部位である。図４（ｇ）では、紫外線が照射された部位
が示されている。次いで、図４（ｈ）に示されるよう
に、露光したレジスト１１６が現像により除去される。
紫外線が遮光された部位ではレジスト１１６が残存して
いる。レジスト１１６は、ベース金属１０の表面におい
て金属配線１４の外部端子を残して残存している。
【００２０】次いで、図４（ｉ）に示されるように、外
部端子上に除去用樹脂１１７が充填される。除去用樹脂
１１７が充填される部位は、レジスト１１６が現像によ
り除去された部位である。除去用樹脂１１７が充填され
たところに、将来的に凹陥部が形成される。その後、図
４（ｊ）に示されるように、ベース金属１１０からレジ
スト１１６が完全に除去される。この状態において、除
去用樹脂１１７はベース金属１１０上で金属配線１１４
の外部端子を覆っている。
部端子上に除去用樹脂１１７が充填される。除去用樹脂
１１７が充填される部位は、レジスト１１６が現像によ
り除去された部位である。除去用樹脂１１７が充填され
たところに、将来的に凹陥部が形成される。その後、図
４（ｊ）に示されるように、ベース金属１１０からレジ
スト１１６が完全に除去される。この状態において、除
去用樹脂１１７はベース金属１１０上で金属配線１１４
の外部端子を覆っている。
【００２１】次いで、図４（ｋ）に示されるように、金
属バンプ１２０を介して半導体素子１２２の電極と金属
配線１１４が電気的に接続される。さらに、ベース金属
１１０の表面と半導体素子１２２の裏面との間に絶縁用
樹脂１２４が注入され、金属配線１１４及び除去用樹脂
１１７を含んで、半導体素子１２２の裏面が絶縁用樹脂
１２４で封止される。絶縁用樹脂１２４は、除去用樹脂
１１７より厚く形成される。したがって、除去用樹脂１
１７の表面にも絶縁用樹脂１２４が形成される。次い
で、図４（ｌ）に示されるように、ベース金属１１０上
で半導体素子１２２が封止用樹脂１２６で封止され、図
４（ｍ）に示されるように、ベース金属１１０が溶剤等
で除去される。以上の工程後、絶縁用樹脂１２４の裏面
には金属配線１１４が露出している。また、金属配線１
１４の外部端子を囲繞する除去用樹脂１１７が露出して
いる。
属バンプ１２０を介して半導体素子１２２の電極と金属
配線１１４が電気的に接続される。さらに、ベース金属
１１０の表面と半導体素子１２２の裏面との間に絶縁用
樹脂１２４が注入され、金属配線１１４及び除去用樹脂
１１７を含んで、半導体素子１２２の裏面が絶縁用樹脂
１２４で封止される。絶縁用樹脂１２４は、除去用樹脂
１１７より厚く形成される。したがって、除去用樹脂１
１７の表面にも絶縁用樹脂１２４が形成される。次い
で、図４（ｌ）に示されるように、ベース金属１１０上
で半導体素子１２２が封止用樹脂１２６で封止され、図
４（ｍ）に示されるように、ベース金属１１０が溶剤等
で除去される。以上の工程後、絶縁用樹脂１２４の裏面
には金属配線１１４が露出している。また、金属配線１
１４の外部端子を囲繞する除去用樹脂１１７が露出して
いる。
【００２２】次いで、除去用樹脂１１７が除去される
と、図４（ｎ）に示されるように、絶縁用樹脂１２４の
裏面において凹陥部１２８が形成され、金属配線１１４
の外部端子が絶縁用樹脂１２４と離間する。その後、図
４（ｏ）に示されるように、絶縁用樹脂１２４及び封止
用樹脂１２６の裏面において、凹陥部１２８を除いてソ
ルダーレジスト１２９が印刷等により形成される。次い
で、図４（ｐ）に示されるように、実装基板（図示せ
ず）に対して、半田ボール１３０を介して金属配線１１
４の外部端子が電気的に接続される。
と、図４（ｎ）に示されるように、絶縁用樹脂１２４の
裏面において凹陥部１２８が形成され、金属配線１１４
の外部端子が絶縁用樹脂１２４と離間する。その後、図
４（ｏ）に示されるように、絶縁用樹脂１２４及び封止
用樹脂１２６の裏面において、凹陥部１２８を除いてソ
ルダーレジスト１２９が印刷等により形成される。次い
で、図４（ｐ）に示されるように、実装基板（図示せ
ず）に対して、半田ボール１３０を介して金属配線１１
４の外部端子が電気的に接続される。
【００２３】上記第２実施形態の方法においても、金属
配線１１４の外部端子は、凹陥部１２８内に自由端を備
えている。また、外部端子の形状も、半導体装置と実装
基板の相対的な変位を吸収する形状になっている。
配線１１４の外部端子は、凹陥部１２８内に自由端を備
えている。また、外部端子の形状も、半導体装置と実装
基板の相対的な変位を吸収する形状になっている。
【００２４】次に、図５を参照して、半導体装置の製造
方法の第３実施形態を説明する。図５（ａ）に示される
ように、ベース金属２１０が準備される。ベース金属２
１０は銅板である。次いで、図５（ｂ）に示されるよう
に、金属配線のパターンとは逆になるようにパターン形
成用レジスト２１２が塗布される。次いで、図５（ｃ）
に示されるように、パターン形成用レジスト２１２によ
って形成された溝に金属によるめっきが施される。めっ
きは銅以外の金属、例えば、ニッケルにより行なわれ
る。その後、パターン形成用レジスト２１２が除去され
ると、図５（ｄ）示されるように、ベース金属２１０上
に金属配線２１４のパターンが形成される。
方法の第３実施形態を説明する。図５（ａ）に示される
ように、ベース金属２１０が準備される。ベース金属２
１０は銅板である。次いで、図５（ｂ）に示されるよう
に、金属配線のパターンとは逆になるようにパターン形
成用レジスト２１２が塗布される。次いで、図５（ｃ）
に示されるように、パターン形成用レジスト２１２によ
って形成された溝に金属によるめっきが施される。めっ
きは銅以外の金属、例えば、ニッケルにより行なわれ
る。その後、パターン形成用レジスト２１２が除去され
ると、図５（ｄ）示されるように、ベース金属２１０上
に金属配線２１４のパターンが形成される。
【００２５】次いで、図５（ｅ）に示されるように、ベ
ース金属２１０の表面、及び、金属配線２１４の表面を
覆うレジスト２１６が形成される。レジスト２１６は、
金属配線２１４を完全に覆う厚みで形成される。次い
で、図５（ｆ）に示されるように、フォトマスク２１８
を用いてレジスト２１６に紫外線が照射される。フォト
マスク２１８において、紫外線が遮光される部位はマス
クされている。紫外線が照射される部位は、金属配線の
外部端子に対応する位置において、外部端子を囲繞する
部位である。図５（ｇ）では、紫外線が照射された部位
が示されている。次いで、図５（ｈ）に示されるよう
に、レジスト２１６が現像により除去される。紫外線が
遮光された部位ではレジスト２１６が残存している。レ
ジスト２１６は、ベース金属２１０の表面において金属
配線２１４の外部端子を残して残存している。
ース金属２１０の表面、及び、金属配線２１４の表面を
覆うレジスト２１６が形成される。レジスト２１６は、
金属配線２１４を完全に覆う厚みで形成される。次い
で、図５（ｆ）に示されるように、フォトマスク２１８
を用いてレジスト２１６に紫外線が照射される。フォト
マスク２１８において、紫外線が遮光される部位はマス
クされている。紫外線が照射される部位は、金属配線の
外部端子に対応する位置において、外部端子を囲繞する
部位である。図５（ｇ）では、紫外線が照射された部位
が示されている。次いで、図５（ｈ）に示されるよう
に、レジスト２１６が現像により除去される。紫外線が
遮光された部位ではレジスト２１６が残存している。レ
ジスト２１６は、ベース金属２１０の表面において金属
配線２１４の外部端子を残して残存している。
【００２６】次いで、図５（ｉ）に示されるように、外
部端子上にベース金属２１０とおなじ金属である銅めっ
き２１７が施される。銅めっき２１７が充填される部位
は、レジスト２１６が現像により除去された部位であ
る。銅めっき２１７が充填されたところに、将来的に凹
陥部が形成される。その後、図５（ｊ）に示されるよう
に、ベース金属２１０からレジスト２１６が完全に除去
される。この状態において、銅めっき２１７はベース金
属２１０上で金属配線２１４の外部端子を覆っている。
部端子上にベース金属２１０とおなじ金属である銅めっ
き２１７が施される。銅めっき２１７が充填される部位
は、レジスト２１６が現像により除去された部位であ
る。銅めっき２１７が充填されたところに、将来的に凹
陥部が形成される。その後、図５（ｊ）に示されるよう
に、ベース金属２１０からレジスト２１６が完全に除去
される。この状態において、銅めっき２１７はベース金
属２１０上で金属配線２１４の外部端子を覆っている。
【００２７】次いで、図５（ｋ）に示されるように、金
属バンプ２２０を介して半導体素子２２２の電極と金属
配線２１４が電気的に接続される。さらに、ベース金属
２１０の表面と半導体素子２２２の裏面との間に絶縁用
樹脂２２４が注入され、金属配線２１４及び銅めっき２
１７を含んで、半導体素子２２２の裏面が絶縁用樹脂２
２４で封止される。絶縁用樹脂２２４は、銅めっき２１
７より厚く形成される。したがって、銅めっき２１７の
表面にも絶縁用樹脂２２４が形成される。次いで、図５
（ｌ）に示されるように、ベース金属２１０上で半導体
素子２２２が封止用樹脂２２６で封止される。その後、
硫酸第二銅液や塩化第二銅液等により、エッチングが行
なわれる。このエッチング工程によって、銅からなるベ
ース金属２１０及び銅めっき２１７が同時に除去され
る。
属バンプ２２０を介して半導体素子２２２の電極と金属
配線２１４が電気的に接続される。さらに、ベース金属
２１０の表面と半導体素子２２２の裏面との間に絶縁用
樹脂２２４が注入され、金属配線２１４及び銅めっき２
１７を含んで、半導体素子２２２の裏面が絶縁用樹脂２
２４で封止される。絶縁用樹脂２２４は、銅めっき２１
７より厚く形成される。したがって、銅めっき２１７の
表面にも絶縁用樹脂２２４が形成される。次いで、図５
（ｌ）に示されるように、ベース金属２１０上で半導体
素子２２２が封止用樹脂２２６で封止される。その後、
硫酸第二銅液や塩化第二銅液等により、エッチングが行
なわれる。このエッチング工程によって、銅からなるベ
ース金属２１０及び銅めっき２１７が同時に除去され
る。
【００２８】ベース金属２１０及び銅めっき２１７が除
去されると、図５（ｍ）に示されるように、絶縁用樹脂
２２４の裏面において凹陥部２２８が形成され、金属配
線２１４の外部端子が絶縁用樹脂２２４と離間する。そ
の後、図５（ｎ）に示されるように、絶縁用樹脂２２４
及び封止用樹脂２２６の裏面において、凹陥部２２８を
除いてソルダーレジスト２２９が印刷等により形成され
る。次いで、図５（お）に示されるように、実装基板
（図示せず）に対して、半田ボール２３０を介して金属
配線２１４の外部端子が電気的に接続される。
去されると、図５（ｍ）に示されるように、絶縁用樹脂
２２４の裏面において凹陥部２２８が形成され、金属配
線２１４の外部端子が絶縁用樹脂２２４と離間する。そ
の後、図５（ｎ）に示されるように、絶縁用樹脂２２４
及び封止用樹脂２２６の裏面において、凹陥部２２８を
除いてソルダーレジスト２２９が印刷等により形成され
る。次いで、図５（お）に示されるように、実装基板
（図示せず）に対して、半田ボール２３０を介して金属
配線２１４の外部端子が電気的に接続される。
【００２９】上記第３実施形態の方法においても、金属
配線２１４の外部端子は、凹陥部２２８内に自由端を備
えている。また、外部端子の形状も、半導体装置と実装
基板の相対的な変位を吸収する形状になっている。
配線２１４の外部端子は、凹陥部２２８内に自由端を備
えている。また、外部端子の形状も、半導体装置と実装
基板の相対的な変位を吸収する形状になっている。
【００３０】次に、図６を参照して、半導体装置の製造
方法の第４実施形態を説明する。図６（ａ）に示される
ように、ベース金属３１０が準備される。ベース金属３
１０は銅板である。次いで、図６（ｂ）に示されるよう
に、ベース金属３１０上に、製品時に外部端子の自由端
となる基端部近傍に凸部３１１を形成する。本実施形態
では、凸部３１１は、ベース金属３１０と同じ銅である
が、第２実施形態と同じように、除去用樹脂から形成し
てもよい。ただし、除去用樹脂を用いた場合には、その
樹脂を溶解する工程が増えるので、ベース金属３１０と
同じ金属で凸部３１１を形成することが好ましい。ま
た、金属ベース３１０が準備される工程で、所定部位に
予め凹凸部３１１を形成してもよい。次いで、図６
（ｃ）に示されるように、金属配線のパターンとは逆に
なるようにパターン形成用レジスト３１２が塗布され
る。次いで、図６（ｄ）に示されるように、パターン形
成用レジスト３１２によって形成された溝に金属による
めっきが施される。めっきは銅以外の金属、例えば、ニ
ッケルにより行なわれる。その後、パターン形成用レジ
スト３１２が除去されると、図６（ｅ）示されるよう
に、ベース金属３１０上に金属配線３１４のパターンが
形成される。この工程後において、金属配線３１４は、
製品時に外部端子の自由端となる基端部近傍で凸部３１
１を跨いでいる。
方法の第４実施形態を説明する。図６（ａ）に示される
ように、ベース金属３１０が準備される。ベース金属３
１０は銅板である。次いで、図６（ｂ）に示されるよう
に、ベース金属３１０上に、製品時に外部端子の自由端
となる基端部近傍に凸部３１１を形成する。本実施形態
では、凸部３１１は、ベース金属３１０と同じ銅である
が、第２実施形態と同じように、除去用樹脂から形成し
てもよい。ただし、除去用樹脂を用いた場合には、その
樹脂を溶解する工程が増えるので、ベース金属３１０と
同じ金属で凸部３１１を形成することが好ましい。ま
た、金属ベース３１０が準備される工程で、所定部位に
予め凹凸部３１１を形成してもよい。次いで、図６
（ｃ）に示されるように、金属配線のパターンとは逆に
なるようにパターン形成用レジスト３１２が塗布され
る。次いで、図６（ｄ）に示されるように、パターン形
成用レジスト３１２によって形成された溝に金属による
めっきが施される。めっきは銅以外の金属、例えば、ニ
ッケルにより行なわれる。その後、パターン形成用レジ
スト３１２が除去されると、図６（ｅ）示されるよう
に、ベース金属３１０上に金属配線３１４のパターンが
形成される。この工程後において、金属配線３１４は、
製品時に外部端子の自由端となる基端部近傍で凸部３１
１を跨いでいる。
【００３１】次いで、図６（ｆ）に示されるように、ベ
ース金属３１０の表面、及び、金属配線３１４の表面を
覆うレジスト３１６が形成される。レジスト３１６は、
金属配線３１４を完全に覆う厚みで形成される。次い
で、図６（ｇ）に示されるように、フォトマスク３１８
を用いてレジスト３１６に紫外線が照射される。フォト
マスク３１８において、紫外線が遮光される部位はマス
クされている。紫外線が照射される部位は、金属配線の
外部端子に対応する位置において、外部端子を囲繞する
部位である。図６（ｈ）では、紫外線が照射された部位
が示されている。次いで、図６（ｉ）に示されるよう
に、レジスト３１６が現像により除去される。紫外線が
遮光された部位ではレジスト３１６が残存している。レ
ジスト３１６は、ベース金属３１０の表面において金属
配線３１４の外部端子を残して残存している。
ース金属３１０の表面、及び、金属配線３１４の表面を
覆うレジスト３１６が形成される。レジスト３１６は、
金属配線３１４を完全に覆う厚みで形成される。次い
で、図６（ｇ）に示されるように、フォトマスク３１８
を用いてレジスト３１６に紫外線が照射される。フォト
マスク３１８において、紫外線が遮光される部位はマス
クされている。紫外線が照射される部位は、金属配線の
外部端子に対応する位置において、外部端子を囲繞する
部位である。図６（ｈ）では、紫外線が照射された部位
が示されている。次いで、図６（ｉ）に示されるよう
に、レジスト３１６が現像により除去される。紫外線が
遮光された部位ではレジスト３１６が残存している。レ
ジスト３１６は、ベース金属３１０の表面において金属
配線３１４の外部端子を残して残存している。
【００３２】次いで、図６（ｊ）に示されるように、外
部端子上にベース金属３１０及び凸部３１１と同じ金属
である銅めっき３１７が施される。銅めっき３１７が充
填される部位は、レジスト３１６が現像により除去され
た部位である。銅めっき３１７が充填されたところに、
将来的に凹陥部が形成される。その後、図６（ｋ）に示
されるように、ベース金属３１０からレジスト３１６が
完全に除去される。この状態において、銅めっき３１７
はベース金属３１０上で金属配線３１４の外部端子を覆
っている。
部端子上にベース金属３１０及び凸部３１１と同じ金属
である銅めっき３１７が施される。銅めっき３１７が充
填される部位は、レジスト３１６が現像により除去され
た部位である。銅めっき３１７が充填されたところに、
将来的に凹陥部が形成される。その後、図６（ｋ）に示
されるように、ベース金属３１０からレジスト３１６が
完全に除去される。この状態において、銅めっき３１７
はベース金属３１０上で金属配線３１４の外部端子を覆
っている。
【００３３】次いで、図６（ｌ）に示されるように、金
属バンプ３２０を介して半導体素子３２２の電極と金属
配線３１４が電気的に接続される。さらに、ベース金属
３１０の表面と半導体素子３２２の裏面との間に絶縁用
樹脂３２４が注入され、金属配線３１４及び銅めっき３
１７を含んで、半導体素子３２２の裏面が絶縁用樹脂３
２４で封止される。絶縁用樹脂３２４は、銅めっき３１
７より厚く形成される。したがって、銅めっき３１７の
表面にも絶縁用樹脂３２４が形成される。次いで、図６
（ｍ）に示されるように、ベース金属３１０上で半導体
素子３２２が封止用樹脂３２６で封止される。その後、
硫酸第二銅液や塩化第二銅液等により、エッチングが行
なわれる。このエッチング工程によって、銅からなるベ
ース金属３１０及び銅からなる凸部３１１並びに銅めっ
き３１７が同時に除去される。
属バンプ３２０を介して半導体素子３２２の電極と金属
配線３１４が電気的に接続される。さらに、ベース金属
３１０の表面と半導体素子３２２の裏面との間に絶縁用
樹脂３２４が注入され、金属配線３１４及び銅めっき３
１７を含んで、半導体素子３２２の裏面が絶縁用樹脂３
２４で封止される。絶縁用樹脂３２４は、銅めっき３１
７より厚く形成される。したがって、銅めっき３１７の
表面にも絶縁用樹脂３２４が形成される。次いで、図６
（ｍ）に示されるように、ベース金属３１０上で半導体
素子３２２が封止用樹脂３２６で封止される。その後、
硫酸第二銅液や塩化第二銅液等により、エッチングが行
なわれる。このエッチング工程によって、銅からなるベ
ース金属３１０及び銅からなる凸部３１１並びに銅めっ
き３１７が同時に除去される。
【００３４】ベース金属３１０及び凸部３１１並びに銅
めっき３１７が除去されると、図６（ｎ）に示されるよ
うに、絶縁用樹脂３２４の裏面において凹陥部３２８が
形成され、金属配線３１４の外部端子が絶縁用樹脂３２
４と離間する。本実施形態では、凸部３１１も同時に除
去される。その結果、外部端子の自由端は、立体方向で
屈曲した形状となる。その後、図６（ｏ）に示されるよ
うに、絶縁用樹脂３２４及び封止用樹脂３２６の裏面に
おいて、凹陥部３２８を除いてソルダーレジスト３２９
が印刷等により形成される。次いで、図６（ｐ）に示さ
れるように、実装基板（図示せず）に対して、半田ボー
ル３３０を介して金属配線３１４の外部端子が電気的に
接続される。
めっき３１７が除去されると、図６（ｎ）に示されるよ
うに、絶縁用樹脂３２４の裏面において凹陥部３２８が
形成され、金属配線３１４の外部端子が絶縁用樹脂３２
４と離間する。本実施形態では、凸部３１１も同時に除
去される。その結果、外部端子の自由端は、立体方向で
屈曲した形状となる。その後、図６（ｏ）に示されるよ
うに、絶縁用樹脂３２４及び封止用樹脂３２６の裏面に
おいて、凹陥部３２８を除いてソルダーレジスト３２９
が印刷等により形成される。次いで、図６（ｐ）に示さ
れるように、実装基板（図示せず）に対して、半田ボー
ル３３０を介して金属配線３１４の外部端子が電気的に
接続される。
【００３５】上記第４実施形態の方法においても、金属
配線３１４の外部端子は、凹陥部３２８内に自由端を備
えている。また、外部端子の形状も、半導体装置と実装
基板の相対的な変位を吸収する形状になっている。前述
の第１実施形態乃至第３実施形態の方法では、専ら、外
部端子の自由端が平面方向に屈曲する半導体装置の製造
方法に用いられる。本実施形態で説明した製造方法は、
平面方向に屈曲する自由端を形成することにも用いられ
るが、さらに、立体方向に屈曲する自由端を形成するこ
とに適している。
配線３１４の外部端子は、凹陥部３２８内に自由端を備
えている。また、外部端子の形状も、半導体装置と実装
基板の相対的な変位を吸収する形状になっている。前述
の第１実施形態乃至第３実施形態の方法では、専ら、外
部端子の自由端が平面方向に屈曲する半導体装置の製造
方法に用いられる。本実施形態で説明した製造方法は、
平面方向に屈曲する自由端を形成することにも用いられ
るが、さらに、立体方向に屈曲する自由端を形成するこ
とに適している。
【００３６】図７には、金属配線の外部端子のさらに他
の形態が示されている。図７に示された外部端子は、そ
れぞれ、平面方向に湾曲する湾曲部を備えている。図７
（ａ）に示された外部端子４１０は、基端部４１１から
約１８０°の円弧状の湾曲部４１２を備え、湾曲部４１
２の端部でブリッジ４１３を介してランド４１４が支持
されている。この形態の外部端子４１０は、基端部４１
１が延びる方向の変位、すなわち、ブリッジが延びる方
向と直交する方向の変位を吸収することに適している。
図７（ｂ）に示された外部端子４２０は、基端部４２１
から鋭角Ｌ形の湾曲部４２２を備え、湾曲部４２２の端
部でランド４２４が支持されている。この形態の外部端
子４２０は、基端部４２１が延びる方向の変位を吸収す
ることに適している。図７（ｃ）に示された外部端子４
３０は、基端部４３１から約９０°の一対の円弧状の湾
曲部４３２，４３２を備え、湾曲部４３２，４３２の端
部でブリッジ４３３を介してランド４３４が支持されて
いる。この形態の外部端子４３０は、基端部４３１が延
びる方向の変位、すなわち、ブリッジ４３３が延びる方
向と直交する方向の変位を吸収することに適している。
図７（ｄ）に示された外部端子４４０は、基端部４４１
から約１８０°の一対の円弧状の湾曲部４４２，４４２
を備え、一対の湾曲部４４２，４４２がサークルをなし
ている。湾曲部４４２は、基端部４４１と反対側におい
て内向するブリッジ４３３でランド４４４が支持されて
いる。この形態の外部端子４４０は、基端部４４１が延
びる方向及びブリッジ４４３が延びる方向と直交する方
向の変位を吸収することに適している。図７（ｅ）に示
された外部端子４５０は、基端部４５１から一対の鋭角
Ｌ形の湾曲部４５２，４５２を備え、一対の湾曲部４５
２，４５２のそれぞれの先端にランド４５４が支持され
ている。この形態の外部端子４５０は、基端部４５１が
延びる方向の変位を吸収することに適している。図７
（ｆ）に示された外部端子４６０は、基端部４６１から
約４５°の円弧状の湾曲部４６２を備え、湾曲部４６２
の端部から円弧の中心に向ってブリッジ４６３を備え
て、そのブリッジ４６３の先端にランド４６４が支持さ
れている。この形態の外部端子４１０は、ブリッジ４６
３が延びる方向と直交する方向の変位を吸収することに
適している。
の形態が示されている。図７に示された外部端子は、そ
れぞれ、平面方向に湾曲する湾曲部を備えている。図７
（ａ）に示された外部端子４１０は、基端部４１１から
約１８０°の円弧状の湾曲部４１２を備え、湾曲部４１
２の端部でブリッジ４１３を介してランド４１４が支持
されている。この形態の外部端子４１０は、基端部４１
１が延びる方向の変位、すなわち、ブリッジが延びる方
向と直交する方向の変位を吸収することに適している。
図７（ｂ）に示された外部端子４２０は、基端部４２１
から鋭角Ｌ形の湾曲部４２２を備え、湾曲部４２２の端
部でランド４２４が支持されている。この形態の外部端
子４２０は、基端部４２１が延びる方向の変位を吸収す
ることに適している。図７（ｃ）に示された外部端子４
３０は、基端部４３１から約９０°の一対の円弧状の湾
曲部４３２，４３２を備え、湾曲部４３２，４３２の端
部でブリッジ４３３を介してランド４３４が支持されて
いる。この形態の外部端子４３０は、基端部４３１が延
びる方向の変位、すなわち、ブリッジ４３３が延びる方
向と直交する方向の変位を吸収することに適している。
図７（ｄ）に示された外部端子４４０は、基端部４４１
から約１８０°の一対の円弧状の湾曲部４４２，４４２
を備え、一対の湾曲部４４２，４４２がサークルをなし
ている。湾曲部４４２は、基端部４４１と反対側におい
て内向するブリッジ４３３でランド４４４が支持されて
いる。この形態の外部端子４４０は、基端部４４１が延
びる方向及びブリッジ４４３が延びる方向と直交する方
向の変位を吸収することに適している。図７（ｅ）に示
された外部端子４５０は、基端部４５１から一対の鋭角
Ｌ形の湾曲部４５２，４５２を備え、一対の湾曲部４５
２，４５２のそれぞれの先端にランド４５４が支持され
ている。この形態の外部端子４５０は、基端部４５１が
延びる方向の変位を吸収することに適している。図７
（ｆ）に示された外部端子４６０は、基端部４６１から
約４５°の円弧状の湾曲部４６２を備え、湾曲部４６２
の端部から円弧の中心に向ってブリッジ４６３を備え
て、そのブリッジ４６３の先端にランド４６４が支持さ
れている。この形態の外部端子４１０は、ブリッジ４６
３が延びる方向と直交する方向の変位を吸収することに
適している。
【００３７】図８には、金属配線の外部端子の他の形態
が示されている。本実施形態の金属配線の外部端子５５
０は、半導体装置の立体方向、すなわち、厚み方向に湾
曲部を備えている。図８に示される半導体装置は、専
ら、図６を参照して説明した第４実施形態の方法を用い
て製造される。図示されるように、外部端子５５０は、
凹陥部５２８の側面から凹陥部５２８内に突出してい
る。外部端子５５０は、凹陥部５２８の側面から突出直
後の基端部５５２と、半田ボール５３０と電気的に接続
されるランド５５４と、基端部５５２とランド５５４を
接続する湾曲部５５６より構成されている。半導体装置
と実装基板との間で矢印方向の相対的な変位が生じる
と、立体的な湾曲部５５６が変形して、前記変位を吸収
する。したがって、ランド５５４は外部端子５５０に拘
束されることなく、半田ボール５５０の変位に追従して
変位できる。本実施形態の外部端子は、外部端子が突出
する方向及び垂直方向の変位に対して、その変位を吸収
する能力が大きい。
が示されている。本実施形態の金属配線の外部端子５５
０は、半導体装置の立体方向、すなわち、厚み方向に湾
曲部を備えている。図８に示される半導体装置は、専
ら、図６を参照して説明した第４実施形態の方法を用い
て製造される。図示されるように、外部端子５５０は、
凹陥部５２８の側面から凹陥部５２８内に突出してい
る。外部端子５５０は、凹陥部５２８の側面から突出直
後の基端部５５２と、半田ボール５３０と電気的に接続
されるランド５５４と、基端部５５２とランド５５４を
接続する湾曲部５５６より構成されている。半導体装置
と実装基板との間で矢印方向の相対的な変位が生じる
と、立体的な湾曲部５５６が変形して、前記変位を吸収
する。したがって、ランド５５４は外部端子５５０に拘
束されることなく、半田ボール５５０の変位に追従して
変位できる。本実施形態の外部端子は、外部端子が突出
する方向及び垂直方向の変位に対して、その変位を吸収
する能力が大きい。
【００３８】１つの半導体装置は複数の外部端子を備え
ている。それぞれの外部端子において、変位の方向が異
なることが予想される。好ましくは、半導体装置を中心
にして放射方向に外部端子が変位できるように、それぞ
れの外部端子の形状を選択することにより、半導体装置
と実装基板の間の相対的な変位をより効果的に吸収する
ことができる。
ている。それぞれの外部端子において、変位の方向が異
なることが予想される。好ましくは、半導体装置を中心
にして放射方向に外部端子が変位できるように、それぞ
れの外部端子の形状を選択することにより、半導体装置
と実装基板の間の相対的な変位をより効果的に吸収する
ことができる。
【００３９】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明では、絶縁
用樹脂の裏面に凹陥部を設け、その凹陥部に外部端子の
自由端を突出させている。半導体装置と実装基板との間
において熱膨張率の相違によって生じる相対的な変位が
あっても、外部端子の自由端が凹陥部内で変形すること
によって変位を吸収するので、半田ボールは実装基板に
随伴されて、半田ボールの外部端子の接続部分には剪断
力等の余分な力が作用しにくい。したがって、繰り返
し、半導体装置が熱に曝されても、半導体装置の実装基
板との間の接続部分に劣化が生じにくく、半導体装置の
寿命が延び、製品の信頼性が向上する。
用樹脂の裏面に凹陥部を設け、その凹陥部に外部端子の
自由端を突出させている。半導体装置と実装基板との間
において熱膨張率の相違によって生じる相対的な変位が
あっても、外部端子の自由端が凹陥部内で変形すること
によって変位を吸収するので、半田ボールは実装基板に
随伴されて、半田ボールの外部端子の接続部分には剪断
力等の余分な力が作用しにくい。したがって、繰り返
し、半導体装置が熱に曝されても、半導体装置の実装基
板との間の接続部分に劣化が生じにくく、半導体装置の
寿命が延び、製品の信頼性が向上する。
【図１】 本発明による半導体装置の製造方法の一実施
形態を説明する工程図である。
形態を説明する工程図である。
【図２】 本発明による半導体装置の部分拡大断面図で
ある。
ある。
【図３】 図２の半導体装置を裏面から見た斜視図であ
る。
る。
【図４】 本発明による半導体装置の製造方法の他の実
施形態を説明する工程図である。
施形態を説明する工程図である。
【図５】 本発明による半導体装置の製造方法のさらに
他の実施形態を説明する工程図である。
他の実施形態を説明する工程図である。
【図６】 本発明による半導体装置の製造方法のさらに
他の実施形態を説明する工程図である。
他の実施形態を説明する工程図である。
【図７】 本発明の半導体装置の外部端子の他の実施形
態を示す平面図である。
態を示す平面図である。
【図８】 本発明による他の半導体装置の部分拡大断面
図である。
図である。
【図９】 従来の半導体装置製造方法の工程図である。
１０ ベース金属
１２ パターン形成用レジスト
１４ 金属配線
１６ レジスト
２０ 金属バンプ
２２ 半導体素子
２４ 絶縁用樹脂
２６ 封止用樹脂
２８ 凹陥部
２９ ソルダーレジスト
３０ 半田ボール
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/92 ６０３Ｄ
６０４Ｑ
(72)発明者 前田 武彦
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株
式会社内
Ｆターム(参考） 5F044 QQ02 QQ04 QQ05 QQ06
Claims (12)
- 【請求項１】 半導体素子と、該半導体素子の裏面の電
極に金属バンプを介して配設された金属配線と、前記半
導体素子と前記金属配線との間の絶縁用樹脂とを備えた
半導体装置において、 前記絶縁用樹脂の裏面に凹陥部を設け、前記金属配線の
外部端子の自由端を前記凹陥部の内面から突出させたこ
とを特徴とする、 半導体装置。 - 【請求項２】 前記外部端子が前記凹陥部内に突出して
いる、請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記外部端子が半田ボール接続用ランド
を備えており、前記外部端子が、前記凹陥部の内面から
突出する基端部と、前記基端部に引き続き前記基端部と
異方向で前記ランドに延びる湾曲部より構成されてい
る、請求項２記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記湾曲部が半導体装置の平面方向で湾
曲している、請求項３記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記湾曲部が半導体装置の立体方向で湾
曲している、請求項３記載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記凹陥部を残して半導体装置の裏面
に、金属配線を保護するソルダーレジストが形成されて
いる、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の半導体
装置。 - 【請求項７】 ベース金属の表面に金属配線のパターン
を形成する工程；前記ベース金属上及び前記金属配線上
にレジストを形成する工程；前記金属配線の外部端子を
残して前記レジストを除去する工程；金属バンプを介し
て半導体素子の電極と前記配線を電気的に接続する工
程；前記ベース金属の表面と前記半導体素子の裏面との
間で前記配線及び前記レジストを絶縁用樹脂で封止する
工程；前記ベース金属上で前記半導体素子を封止用樹脂
で封止する工程；前記ベース金属を除去する工程；及び
前記レジストを除去する工程；を有する、半導体装置の
製造方法。 - 【請求項８】 ベース金属の表面に金属配線のパターン
を形成する工程；前記ベース金属上及び前記金属配線上
にレジストを形成する工程；前記金属配線の外部端子上
の前記レジストを除去する工程；前記金属配線の外部端
子上に除去用樹脂を充填する工程；前記レジストを除去
する工程；金属バンプを介して半導体素子の電極と前記
配線を電気的に接続する工程；前記ベース金属の表面と
前記半導体素子の裏面との間で前記配線及び前記レジス
トを絶縁用樹脂で封止する工程；前記ベース金属上で前
記半導体素子を封止用樹脂で封止する工程；前記ベース
金属を除去する工程；及び前記除去用樹脂を除去する工
程；を有する、半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 銅からなるベース金属の表面に銅以外の
金属の金属配線のパターンを形成する工程；前記ベース
金属上及び前記金属配線上にレジストを形成する工程；
前記金属配線の外部端子上の前記レジストを除去する工
程；前記金属配線の外部端子上に銅をめっきする工程；
前記レジストを除去する工程；金属バンプを介して半導
体素子の電極と前記配線を電気的に接続する工程；前記
ベース金属の表面と前記半導体素子の裏面との間で前記
配線及び前記レジストを絶縁用樹脂で封止する工程；前
記ベース金属上で前記半導体素子を封止用樹脂で封止す
る工程；及び前記ベース金属及び銅めっきを同時に除去
する工程；を有する、半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記銅以外の金属が、銅よりエッチン
グ速度が遅い金属である、請求項９記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項１１】 金属配線のパターンを形成する工程の
前に、ベース金属の表面上で前記外部端子が位置する部
位に凹凸部を形成する工程を有し、金属配線のパターン
を形成する工程において、前記凹凸部を跨いで金属配線
のパターンを形成する、請求項７乃至１０のいずれかに
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記封止用樹脂、絶縁用樹脂及び金属
配線のそれぞれの裏面において、前記外部端子を残して
ソルダーレジストを形成する工程を含む、請求項７乃至
１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001395231A JP3512772B2 (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US10/328,260 US20030119296A1 (en) | 2001-12-26 | 2002-12-23 | Semiconductor device and manufacturing method for the same |
| CN02159895A CN1445842A (zh) | 2001-12-26 | 2002-12-24 | 半导体器件及其制造方法 |
| TW091137096A TW569391B (en) | 2001-12-26 | 2002-12-24 | Semiconductor device and manufacturing method for the same |
| KR1020020084364A KR20030055173A (ko) | 2001-12-26 | 2002-12-26 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001395231A JP3512772B2 (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003197674A true JP2003197674A (ja) | 2003-07-11 |
| JP3512772B2 JP3512772B2 (ja) | 2004-03-31 |
Family
ID=19188948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001395231A Expired - Fee Related JP3512772B2 (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (5)
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|---|---|
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| JP (1) | JP3512772B2 (ja) |
| KR (1) | KR20030055173A (ja) |
| CN (1) | CN1445842A (ja) |
| TW (1) | TW569391B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8507805B2 (en) | 2008-01-31 | 2013-08-13 | Elpida Memory, Inc. | Wiring board for semiconductor devices, semiconductor device, electronic device, and motherboard |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3833669B2 (ja) * | 2004-04-08 | 2006-10-18 | シャープ株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5821627A (en) * | 1993-03-11 | 1998-10-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic circuit device |
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2001
- 2001-12-26 JP JP2001395231A patent/JP3512772B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-12-23 US US10/328,260 patent/US20030119296A1/en not_active Abandoned
- 2002-12-24 CN CN02159895A patent/CN1445842A/zh active Pending
- 2002-12-24 TW TW091137096A patent/TW569391B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-12-26 KR KR1020020084364A patent/KR20030055173A/ko active IP Right Grant
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8507805B2 (en) | 2008-01-31 | 2013-08-13 | Elpida Memory, Inc. | Wiring board for semiconductor devices, semiconductor device, electronic device, and motherboard |
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|---|---|
| US20030119296A1 (en) | 2003-06-26 |
| TW569391B (en) | 2004-01-01 |
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