JP2003195787A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2003195787A5
JP2003195787A5 JP2002279547A JP2002279547A JP2003195787A5 JP 2003195787 A5 JP2003195787 A5 JP 2003195787A5 JP 2002279547 A JP2002279547 A JP 2002279547A JP 2002279547 A JP2002279547 A JP 2002279547A JP 2003195787 A5 JP2003195787 A5 JP 2003195787A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
light
oxide
emitting device
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002279547A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003195787A (ja
JP4567282B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2002279547A priority Critical patent/JP4567282B2/ja
Priority claimed from JP2002279547A external-priority patent/JP4567282B2/ja
Publication of JP2003195787A publication Critical patent/JP2003195787A/ja
Publication of JP2003195787A5 publication Critical patent/JP2003195787A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4567282B2 publication Critical patent/JP4567282B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Claims (13)

  1. 基板上に窒化物層を形成
    記窒化物層上に接して酸化物層を形成
    前記酸化物層上に絶縁層を形成
    前記絶縁層上に発光素子を形成
    前記発光素子を覆う層間絶縁膜を形成
    前記層間絶縁膜に支持体を接着した後、物理的手段により前記酸化物層の層内または前記窒化物層と前記酸化物層との界面において前記基板を剥離
    前記酸化物層に転写体を接着することを特徴とする発光装置の作製方法。
  2. 基板上に窒化物層を形成し、
    前記窒化物層上に接して酸化物層を形成し、
    前記酸化物層上に絶縁層を形成し、
    前記絶縁層上に発光素子を形成し、
    前記発光素子を覆う層間絶縁膜を形成し、
    物理的手段により前記酸化物層の層内または前記窒化物層と前記酸化物層との界面において前記基板を剥離し、
    前記酸化物層に転写体を接着した後、前記層間絶縁膜に支持体を接着することを特徴とする発光装置の作製方法。
  3. 請求項1または2において、前記窒化物層に代えて金属層または窒化金属層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  4. 請求項1乃至3のいずれか一において、前記酸化物層として、酸化シリコン材料もしくは酸化金属材料からなる単層、またはこれらの積層を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
  5. 請求項1乃至4のいずれか一において、前記支持体は、可撓性を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
  6. 請求項1乃至4のいずれか一において、前記支持体として、封止膜が設けられたプラスチック基板を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
  7. 請求項1乃至6のいずれか一において、前記転写体は、可撓性を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
  8. 請求項1乃至6のいずれか一において、前記転写体として、封止膜が設けられたプラスチック基板を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
  9. 請求項6または8において、前記封止膜として、第1のバリア膜と、前記第1のバリア膜上に形成された応力緩和膜と、前記応力緩和膜上に形成された第2のバリア膜とを積層した膜を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
  10. 請求項9において、前記第1のバリア膜として、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、または窒化酸化珪化アルミニウム膜を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
  11. 請求項9または10において、前記第2のバリア膜として、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、または窒化酸化珪化アル ミニウム膜を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
  12. 請求項9乃至11のいずれか一において、前記応力緩和膜として、透光性を有する樹脂を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
  13. 請求項1乃至12のいずれか一において、前記発光素子は、薄膜トランジスタに接続された電極を陰極または陽極としていることを特徴とする発光装置の作製方法。
JP2002279547A 2001-07-16 2002-09-25 発光装置の作製方法 Expired - Fee Related JP4567282B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002279547A JP4567282B2 (ja) 2001-07-16 2002-09-25 発光装置の作製方法

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001216018 2001-07-16
JP2001-216018 2001-07-16
JP2001-299620 2001-09-28
JP2001299620 2001-09-28
JP2002279547A JP4567282B2 (ja) 2001-07-16 2002-09-25 発光装置の作製方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002207536A Division JP4027740B2 (ja) 2001-07-16 2002-07-16 半導体装置の作製方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009281615A Division JP5072946B2 (ja) 2001-07-16 2009-12-11 液晶表示装置の作製方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2003195787A JP2003195787A (ja) 2003-07-09
JP2003195787A5 true JP2003195787A5 (ja) 2005-09-29
JP4567282B2 JP4567282B2 (ja) 2010-10-20

Family

ID=27617275

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002279547A Expired - Fee Related JP4567282B2 (ja) 2001-07-16 2002-09-25 発光装置の作製方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4567282B2 (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8415208B2 (en) * 2001-07-16 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
EP1528594B1 (en) * 2003-10-28 2019-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2005052892A1 (en) * 2003-11-28 2005-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing display device
US7601236B2 (en) 2003-11-28 2009-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing display device
JP4741200B2 (ja) * 2004-05-28 2011-08-03 共同印刷株式会社 有機elディスプレイ及びその製造方法
WO2006104019A1 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and measuring method thereof
US7541671B2 (en) * 2005-03-31 2009-06-02 General Electric Company Organic electronic devices having external barrier layer
GB0618698D0 (en) * 2006-09-22 2006-11-01 Cambridge Display Tech Ltd Molecular electronic device fabrication methods and structures
WO2008102694A1 (ja) * 2007-02-21 2008-08-28 Ulvac, Inc. 表示装置、表示装置用の製造装置、及び表示装置の製造方法
JP5399805B2 (ja) * 2009-08-04 2014-01-29 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6727762B2 (ja) * 2014-05-30 2020-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
JP2016031889A (ja) 2014-07-30 2016-03-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、及びその製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07142570A (ja) * 1993-11-12 1995-06-02 Ube Ind Ltd 複合半導体基板及びその製造方法
JP4619462B2 (ja) * 1996-08-27 2011-01-26 セイコーエプソン株式会社 薄膜素子の転写方法
JP4619461B2 (ja) * 1996-08-27 2011-01-26 セイコーエプソン株式会社 薄膜デバイスの転写方法、及びデバイスの製造方法
JP3809681B2 (ja) * 1996-08-27 2006-08-16 セイコーエプソン株式会社 剥離方法
JP3420590B2 (ja) * 1996-11-11 2003-06-23 触媒化成工業株式会社 基材の平坦化方法、被膜付基材および半導体装置の製造方法
JPH1187799A (ja) * 1997-09-12 1999-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気抵抗素子とその製造方法
JPH11135882A (ja) * 1997-10-28 1999-05-21 Sharp Corp 化合物半導体基板、及び化合物半導体基板の製造方法、並びに発光素子
JP4009923B2 (ja) * 1999-09-30 2007-11-21 セイコーエプソン株式会社 Elパネル
JP2001166301A (ja) * 1999-12-06 2001-06-22 Seiko Epson Corp バックライト内蔵型液晶表示装置及びその製造方法
JP4478268B2 (ja) * 1999-12-28 2010-06-09 セイコーエプソン株式会社 薄膜デバイスの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104377225B (zh) 有机发光显示装置和制造该装置的方法
JP5362948B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス発光装置及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置
JP2020004739A (ja) 発光装置の作製方法
US8710739B2 (en) Flexible organic light emitting device and manufacturing method thereof
EP1995787A3 (en) Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof
JP2007165861A5 (ja)
JP2005093396A5 (ja)
JP2003195787A5 (ja)
JP2012083733A5 (ja) 発光表示装置の作製方法
TW200605318A (en) Semiconductor device having adhesion increasing film and method of fabricating the same
JP2004172351A5 (ja)
SG142140A1 (en) Display device and method of manufacturing thereof
TW201241526A (en) Peeling method and method for manufacturing display device using the peeling method
WO2005064641A3 (en) Semiconductor device and method of fabricating the same
JP2007525713A5 (ja)
JP2007194040A5 (ja)
JP2011085923A5 (ja) 発光装置の作製方法
JP2008501239A5 (ja)
JP2003163337A5 (ja)
WO2008090733A1 (ja) 半導体受光素子
JP2007096276A5 (ja)
TW201429330A (zh) 顯示裝置及其製造方法
EP1739754A3 (en) Semiconductor device and method for fabricating the same
JP2005178363A5 (ja)
TW200405757A (en) Electroluminescent device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus