JP2003193278A - Apparatus for producing and supplying gaseous fluorine - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体処理システ
ムのガス供給系に配設される、フッ素ガス生成及び供給
装置に関する。なお、ここで、半導体処理とは、半導体
ウエハやＬＣＤ基板等の被処理基板上に半導体層、絶縁
層、導電層等を所定のパターンで形成することにより、
該被処理基板上に半導体デバイスや、半導体デバイスに
接続される配線、電極等を含む構造物を製造するために
実施される種々の処理を意味する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a fluorine gas generating and supplying device arranged in a gas supply system of a semiconductor processing system. Here, the semiconductor processing means that a semiconductor layer, an insulating layer, a conductive layer or the like is formed in a predetermined pattern on a substrate to be processed such as a semiconductor wafer or an LCD substrate,
It means various treatments carried out to manufacture a structure including a semiconductor device, wirings connected to the semiconductor device, electrodes and the like on the substrate to be treated.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、被処
理基板、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板に、成膜、エ
ッチング、拡散等の各種の半導体処理が施される。この
ような処理を行う半導体処理システムでは、例えば、シ
リコン膜やシリコン酸化膜をエッチングする場合や、処
理室内をクリーニングする場合等、半導体処理に限ら
ず、種々の用途の処理ガスとしてフッ素系のガスが利用
される。2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices, a substrate to be processed, such as a semiconductor wafer or an LCD substrate, is subjected to various semiconductor processes such as film formation, etching and diffusion. In a semiconductor processing system that performs such a process, for example, when etching a silicon film or a silicon oxide film, or when cleaning a processing chamber, not only semiconductor processing but also a fluorine-based gas as a processing gas for various purposes. Is used.
【０００３】フッ素系の処理ガスは、既にフッ素化合物
として製造され、ボンベに充填された状態で半導体処理
システムのガス供給系に配備されるのが一般的であり、
現場でフッ素等の必要な原料を使用して生成されること
は一般的でない。その理由は、ガス組成の信頼性の問題
だけでなく、フッ素のような酸化力の高い物質を高圧
（通常５ｋｇ／ｃｍ2 以上）に充填したボンベを半導体
処理システムのガス供給系に配備することが非常に危険
だからである。The fluorine-based processing gas is generally produced as a fluorine compound, and is generally provided in a gas supply system of a semiconductor processing system in a state of being filled in a cylinder,
It is not common to be produced in situ using the necessary raw materials such as fluorine. The reason for this is not only the reliability of the gas composition, but also the fact that a cylinder filled with a highly oxidizing substance such as fluorine at high pressure (usually 5 kg / cm 2 or more) is installed in the gas supply system of the semiconductor processing system. Is very dangerous.
【０００４】一方、米国特許第５，６８８，３８４等の
公報には、フッ素ガスの発生のオンとオフとを使用量に
応じて自動的に制御する装置が開示される。この装置で
は、フッ素ガスの発生部として、フッ化水素を電解する
ことによりフッ素ガスを生成する電解槽が使用される。
このような電解タイプの装置によれば、大気圧に近い圧
力でフッ素ガスを必要に応じて生成することができるた
め、フッ素ボンベを配備する際の安全性の問題を回避す
ることができる。On the other hand, US Pat. No. 5,688,384 and the like disclose a device for automatically controlling the on / off of the generation of fluorine gas according to the amount used. In this apparatus, an electrolytic cell that generates fluorine gas by electrolyzing hydrogen fluoride is used as a fluorine gas generation unit.
According to such an electrolysis type device, fluorine gas can be generated at a pressure close to the atmospheric pressure as needed, so that the safety problem at the time of deploying the fluorine cylinder can be avoided.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上述のような、フッ素
ガス生成及び供給装置を半導体処理システムのガス供給
系に配設する場合、この装置に異常が生じた場合にも主
処理装置側の運転に支障を来さないように、バックアッ
プ手段を用意する必要がある。典型的には、２台のフッ
素ガス生成及び供給装置をガス供給系に配設し、これ等
を交代で稼動部及びバックアップ手段として使用する。
しかし、このようなバックアップ方法は、ガス供給系の
イニシャルコスト及び運転コストを高くする原因とな
る。また、フッ素ボンベをバックアップ手段として使用
することもできるが、高圧のフッ素ボンベを半導体処理
システムのガス供給系に配備しておくことは、安全性の
点で問題がある。When the fluorine gas generating and supplying apparatus as described above is arranged in the gas supply system of the semiconductor processing system, the operation of the main processing apparatus side is performed even when an abnormality occurs in this apparatus. It is necessary to prepare a backup means so as not to hinder the operation. Typically, two fluorine gas generating and supplying devices are arranged in the gas supply system, and these are alternately used as the operating unit and the backup means.
However, such a backup method causes an increase in initial cost and operation cost of the gas supply system. Further, although a fluorine cylinder can be used as a backup means, providing a high pressure fluorine cylinder in the gas supply system of the semiconductor processing system poses a problem in terms of safety.
【０００６】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
てなされたものであり、半導体処理システムのガス供給
系に配設され、安価で且つ安全な構成で装置の異常をバ
ックアップすることが可能な、フッ素ガス生成及び供給
装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems of the prior art, and is provided in a gas supply system of a semiconductor processing system, and is capable of backing up an abnormality of an apparatus with an inexpensive and safe structure. Another object of the present invention is to provide a fluorine gas generation and supply device.
【０００７】特に、本発明は、オンサイトで且つオンデ
マンドでフッ素ガスを生成及び供給する装置を提供する
ことを目的とする。ここで、オンサイトとは、フッ素ガ
スを生成及び供給する機構が、所定の主処理装置、例え
ば、半導体処理システムの主処理装置と組合わされるこ
とを意味する。また、オンデマンドとは、主処理装置側
からの要求に応じたタイミングで且つ必要とされる成分
調整を伴ってガスが供給可能となることを意味する。In particular, the present invention aims at providing an apparatus for producing and supplying fluorine gas on-site and on-demand. Here, on-site means that the mechanism for generating and supplying fluorine gas is combined with a predetermined main processing unit, for example, the main processing unit of the semiconductor processing system. On-demand means that the gas can be supplied at the timing according to the request from the main processing apparatus side and with necessary component adjustment.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の第１の視点は、
半導体処理システムのガス供給系に配設され、フッ素ガ
スを発生及び供給する装置であって、フッ化水素を含む
溶融塩からなる電解浴中でフッ化水素を電解することに
よりフッ素ガスを生成する電解槽と、フッ化窒素、フッ
化イオウ、フッ化塩素からなる群から選択された代替ガ
スを貯蔵するボンベと、前記電解槽及び前記ボンベに接
続され、前記電解槽からの前記フッ素ガスと、前記ボン
ベからの前記代替ガスとを、ガス使用部に選択的に供給
するガス切替え部と、前記電解槽の状態を検出する電解
槽検出器と、前記電解槽検出器により前記電解槽の異常
状態が検出された時、前記ボンベからの前記代替ガスを
前記ガス使用部に供給するように、前記ガス切替え部を
制御するコントローラと、を具備することを特徴とす
る。The first aspect of the present invention is as follows.
A device for generating and supplying fluorine gas, which is arranged in a gas supply system of a semiconductor processing system, and generates fluorine gas by electrolyzing hydrogen fluoride in an electrolytic bath made of a molten salt containing hydrogen fluoride. An electrolytic cell, nitrogen fluoride, sulfur fluoride, a cylinder for storing an alternative gas selected from the group consisting of chlorine fluoride, the electrolytic cell and the cylinder connected to the cylinder, the fluorine gas from the electrolytic cell, The alternative gas from the cylinder, a gas switching unit for selectively supplying to the gas use unit, an electrolytic cell detector for detecting the state of the electrolytic cell, and an abnormal state of the electrolytic cell by the electrolytic cell detector Is detected, the controller controls the gas switching unit so as to supply the alternative gas from the cylinder to the gas using unit.
【０００９】本発明の第２の視点は、第１の視点の装置
において、前記電解槽検出器は前記電解浴の組成を代表
する状態を検出することを特徴とする。A second aspect of the present invention is characterized in that, in the apparatus of the first aspect, the electrolytic cell detector detects a state representative of the composition of the electrolytic bath.
【００１０】本発明の第３の視点は、第２の視点の装置
において、前記電解槽検出器は前記電解浴の電流特性、
液面レベル、温度からなる群から選択された状態を検出
することを特徴とする。A third aspect of the present invention is the apparatus of the second aspect, wherein the electrolytic cell detector is a current characteristic of the electrolytic bath,
It is characterized in that a state selected from the group consisting of liquid level and temperature is detected.
【００１１】本発明の第４の視点は、第１乃至第３の視
点のいずれかの装置において、前記電解槽から前記ガス
使用部に前記フッ素ガスを供給するガス供給ルートの異
常状態を検出するルート検出器を更に具備し、前記コン
トローラは、前記電解槽検出器により前記電解槽の異常
状態が検出された時だけでなく、前記ルート検出器によ
り前記ガス供給ルートの異常状態が検出された時、前記
ボンベからの前記代替ガスを前記ガス使用部に供給する
ように、前記ガス切替え部を制御することを特徴とす
る。A fourth aspect of the present invention is to detect an abnormal state of a gas supply route for supplying the fluorine gas from the electrolytic cell to the gas use part in the apparatus according to any one of the first to third aspects. When the controller further comprises a route detector, the controller not only detects an abnormal state of the electrolytic cell by the electrolytic cell detector, but also detects an abnormal state of the gas supply route by the route detector. The gas switching unit is controlled so that the alternative gas from the cylinder is supplied to the gas use unit.
【００１２】本発明の第５の視点は、半導体処理システ
ムのガス供給系に配設され、フッ素ガスを発生及び供給
する装置であって、フッ化水素を含む溶融塩からなる電
解浴中でフッ化水素を電解することによりフッ素ガスを
生成する電解槽と、フッ化窒素、フッ化イオウ、フッ化
塩素からなる群から選択された代替ガスを貯蔵するボン
ベと、前記電解槽及び前記ボンベに接続され、前記電解
槽からの前記フッ素ガスと、前記ボンベからの前記代替
ガスとを、ガス使用部に選択的に供給するガス切替え部
と、前記電解槽から前記ガス使用部に前記フッ素ガスを
供給するガス供給ルートの異常状態を検出するルート検
出器と、前記ルート検出器により前記ガス供給ルートの
異常状態が検出された時、前記ボンベからの前記代替ガ
スを前記ガス使用部に供給するように、前記ガス切替え
部を制御するコントローラと、を具備することを特徴と
する。A fifth aspect of the present invention is an apparatus, which is arranged in a gas supply system of a semiconductor processing system, for generating and supplying a fluorine gas, in a electrolytic bath made of a molten salt containing hydrogen fluoride. An electrolytic cell that produces fluorine gas by electrolyzing hydrogen fluoride, a cylinder that stores an alternative gas selected from the group consisting of nitrogen fluoride, sulfur fluoride, and chlorine fluoride, and a connection to the electrolytic cell and the cylinder And a gas switching unit for selectively supplying the fluorine gas from the electrolytic cell and the alternative gas from the cylinder to a gas use unit, and supplying the fluorine gas from the electrolytic bath to the gas use unit. And a route detector for detecting an abnormal state of the gas supply route, and when the abnormal state of the gas supply route is detected by the route detector, the substitute gas from the cylinder is used as the gas. As supplied, characterized by comprising a controller for controlling the gas switching section.
【００１３】本発明の第６の視点は、第４または第５の
視点の装置において、前記ガス供給ルートは前記電解槽
から前記ガス切替え部に供給される前記フッ素ガスの圧
力及び流量を制御するバッファ部を具備し、前記ルート
検出器は前記バッファ部の状態を検出するバッファ検出
器を具備することを特徴とする。A sixth aspect of the present invention is the apparatus according to the fourth or fifth aspect, wherein the gas supply route controls the pressure and flow rate of the fluorine gas supplied from the electrolytic cell to the gas switching section. The route detector may include a buffer unit, and the route detector may include a buffer detector that detects a state of the buffer unit.
【００１４】本発明の第７の視点は、第６の視点の装置
において、前記バッファ部は、前記電解槽からの前記フ
ッ素ガスを加圧するコンプレッサを具備し、前記バッフ
ァ検出器は、前記コンプレッサの運転状態を検出するこ
とを特徴とする。A seventh aspect of the present invention is the apparatus according to the sixth aspect, wherein the buffer section comprises a compressor for pressurizing the fluorine gas from the electrolytic cell, and the buffer detector comprises the compressor. It is characterized by detecting an operating state.
【００１５】本発明の第８の視点は、第６の視点の装置
において、前記バッファ部は、前記電解槽からの前記フ
ッ素ガスを一時的に溜めるバッファタンクを具備し、前
記バッファ検出器は、前記バッファタンク内の圧力を検
出することを特徴とする。An eighth aspect of the present invention is the apparatus according to the sixth aspect, wherein the buffer section comprises a buffer tank for temporarily storing the fluorine gas from the electrolytic cell, and the buffer detector comprises: The pressure in the buffer tank is detected.
【００１６】本発明の第９の視点は、第６の視点の装置
において、前記バッファ部は、前記電解槽からの前記フ
ッ素ガスを所定流量で前記ガス切替え部に供給するフロ
ーコントローラを具備し、前記バッファ検出器は、前記
フローコントローラにおける前記フッ素ガスの流量を検
出することを特徴とする。A ninth aspect of the present invention is the apparatus according to the sixth aspect, wherein the buffer section includes a flow controller for supplying the fluorine gas from the electrolytic cell to the gas switching section at a predetermined flow rate. The buffer detector detects a flow rate of the fluorine gas in the flow controller.
【００１７】本発明の第１０の視点は、第１乃至第９の
視点のいずれかの装置において、前記代替ガスはフッ化
窒素からなることを特徴とする。A tenth aspect of the present invention is the apparatus according to any one of the first to ninth aspects, characterized in that the alternative gas is nitrogen fluoride.
【００１８】更に、本発明の実施の形態には種々の段階
の発明が含まれており、開示される複数の構成要件にお
ける適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得
る。例えば、実施の形態に示される全構成要件から幾つ
かの構成要件が省略されることで発明が抽出された場
合、その抽出された発明を実施する場合には省略部分が
周知慣用技術で適宜補われるものである。Furthermore, the embodiments of the present invention include inventions at various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of disclosed constituent elements. For example, when the invention is extracted by omitting some of the constituent elements shown in the embodiment, when omitting the extracted invention, the omitted part is appropriately supplemented by a well-known conventional technique. It is something that will be done.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。なお、以下の説明におい
て、略同一の機能及び構成を有する構成要素について
は、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行
う。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following description, constituent elements having substantially the same functions and configurations are designated by the same reference numerals, and redundant description will be given only when necessary.
【００２０】図１は本発明の実施の形態に係る、フッ素
ガス生成及び供給装置を組込んだ半導体処理システムを
示す概略図である。この半導体処理システムは、半導体
ウエハやＬＣＤ基板等の被処理基板に、成膜、エッチン
グ、或いは拡散等の処理を施す半導体処理装置１０を有
する。FIG. 1 is a schematic diagram showing a semiconductor processing system incorporating a fluorine gas generating and supplying device according to an embodiment of the present invention. This semiconductor processing system has a semiconductor processing apparatus 10 that performs processing such as film formation, etching, or diffusion on a substrate to be processed such as a semiconductor wafer or LCD substrate.
【００２１】半導体処理装置１０は、被処理基板を収納
すると共に半導体処理を施すための処理室１２を具備す
る。処理室１２内には、被処理基板を載置するための下
部電極兼載置台（支持部材）１４が配設される。処理室
１２内にはまた、載置台１４に対向して上部電極１６が
配設される。両電極１４、１６間にＲＦ（高周波）電源
１５からＲＦパワーが印加されることにより、処理ガス
をプラズマに転化するためのＲＦ電界が処理室１２内に
形成される。処理室１２の下部には、内部を排気すると
共に真空に設定するための排気系１８が接続される。ま
た、処理室１２の上部には、処理ガスを供給するための
ガス供給系２０が接続される。The semiconductor processing apparatus 10 has a processing chamber 12 for accommodating a substrate to be processed and for performing semiconductor processing. In the processing chamber 12, a lower electrode / mounting table (support member) 14 for mounting a substrate to be processed is provided. An upper electrode 16 is arranged in the processing chamber 12 so as to face the mounting table 14. By applying RF power from the RF (high frequency) power supply 15 between the electrodes 14 and 16, an RF electric field for converting the processing gas into plasma is formed in the processing chamber 12. An exhaust system 18 for exhausting the inside and setting a vacuum is connected to the lower portion of the processing chamber 12. A gas supply system 20 for supplying a processing gas is connected to the upper part of the processing chamber 12.
【００２２】図２は図１図示のガス供給系２０と組み合
わせて使用される半導体処理装置の変更例１０ｘを示す
概略図である。半導体処理装置１０ｘは、被処理基板を
収納すると共に半導体処理を施すための処理室１２を具
備する。処理室１２内には、被処理基板を載置するため
の載置台（支持部材）１４が配設される。処理室１２の
下部には、内部を排気すると共に真空に設定するための
排気系１８が接続される。処理室１２の上部には、プラ
ズマを生成するためのリモートプラズマ室１３が接続さ
れる。リモートプラズマ室１３の周囲には、コイルアン
テナ１７が巻回される。コイルアンテナ１７にＲＦ（高
周波）電源１５からＲＦパワーが印加されることによ
り、処理ガスをプラズマに転化するための誘導電界がリ
モートプラズマ室１３内に形成される。また、リモート
プラズマ室１３の上部には、処理ガスを供給するための
ガス供給系２０が接続される。FIG. 2 is a schematic view showing a modification 10x of the semiconductor processing apparatus used in combination with the gas supply system 20 shown in FIG. The semiconductor processing apparatus 10x includes a processing chamber 12 for accommodating a substrate to be processed and performing semiconductor processing. In the processing chamber 12, a mounting table (support member) 14 for mounting the substrate to be processed is arranged. An exhaust system 18 for exhausting the inside and setting a vacuum is connected to the lower portion of the processing chamber 12. A remote plasma chamber 13 for generating plasma is connected to the upper portion of the processing chamber 12. A coil antenna 17 is wound around the remote plasma chamber 13. By applying RF power from the RF (high frequency) power supply 15 to the coil antenna 17, an induction electric field for converting the processing gas into plasma is formed in the remote plasma chamber 13. A gas supply system 20 for supplying a processing gas is connected to the upper part of the remote plasma chamber 13.
【００２３】図１に戻り、ガス供給系２０には、処理室
１２内に任意のガス、例えば半導体処理を行うための処
理ガスや処理室１２内をクリーニングするための処理ガ
スを、選択的に切替え且つ所定の流量で供給するための
流れ管理部２２が配設される。流れ管理部２２には、種
々な活性ガスや不活性ガスを貯蔵する複数のガス源を有
するガス貯蔵部２４が接続される。流れ管理部２２には
また、フッ素ガス系の処理ガスを反応処理により生成す
るガス生成部２６が接続される。Returning to FIG. 1, the gas supply system 20 selectively receives an arbitrary gas in the processing chamber 12, for example, a processing gas for performing semiconductor processing or a processing gas for cleaning the inside of the processing chamber 12. A flow management unit 22 is provided for switching and supplying at a predetermined flow rate. The flow management unit 22 is connected to a gas storage unit 24 having a plurality of gas sources for storing various active gases and inert gases. The flow management unit 22 is also connected to a gas generation unit 26 that generates a fluorine gas-based processing gas by a reaction process.
【００２４】流れ管理部２２及びガス生成部２６には、
本発明の実施の形態に係るフッ素ガス生成及び供給装置
３０が接続される。即ち、生成及び供給装置３０は、流
れ管理部２２にフッ素ガスを直接供給するか、或いはガ
ス生成部２６にフッ素ガス原料を供給するために使用さ
れる（切替え用のバルブは図示せず）。ガス生成部２６
では、例えば、フッ素ガス原料と、Ｃｌ等の他のハロゲ
ンガスとを反応させることにより、ハロゲン間フッ素化
合物ガスが生成される。The flow management unit 22 and the gas generation unit 26 include
The fluorine gas generation and supply device 30 according to the embodiment of the present invention is connected. That is, the generation and supply device 30 is used to directly supply the fluorine gas to the flow management unit 22 or to supply the fluorine gas raw material to the gas generation unit 26 (the switching valve is not shown). Gas generator 26
Then, for example, the interhalogen fluorine compound gas is generated by reacting the fluorine gas raw material with another halogen gas such as Cl.
【００２５】生成及び供給装置３０は、フッ化水素を含
む溶融塩からなる電解浴中でフッ化水素を電解すること
によりフッ素ガス（Ｆ2 ）を生成する電解槽３４を有す
る。溶融塩は、フッ化カリウム（ＫＦ）とフッ化水素
（ＨＦ）との混合物（ＫＦ／２ＨＦ）或いはフレミー塩
（Fremy's salt）とフッ化水素との混合物からなる。電
解槽３４には、消費原料であるフッ化水素を供給するた
めのフッ化水素源３２が接続される。電解槽３４内に
は、電解浴の組成の変化を代表する状態として、電解浴
の電流特性、液面レベル、温度等を検出するための検出
器３６が配設され、検出器３６で得られた検出結果はコ
ントローラ４０に供給される。消費原料であるフッ化水
素は、コントローラ４０の制御下で、検出器３６による
検出結果に基づいて、量的なしきい値を目安として、フ
ッ化水素源３２から電解槽３４に補充される。The production and supply device 30 has an electrolytic cell 34 for producing fluorine gas (F 2 ) by electrolyzing hydrogen fluoride in an electrolytic bath made of a molten salt containing hydrogen fluoride. The molten salt consists of a mixture of potassium fluoride (KF) and hydrogen fluoride (HF) (KF / 2HF) or a mixture of Fremy's salt and hydrogen fluoride. A hydrogen fluoride source 32 for supplying hydrogen fluoride, which is a consumption raw material, is connected to the electrolytic cell 34. A detector 36 for detecting current characteristics, liquid level, temperature, etc. of the electrolytic bath is arranged in the electrolytic bath 34 as a state representative of the change in composition of the electrolytic bath. The detected result is supplied to the controller 40. Hydrogen fluoride, which is a consumption raw material, is replenished from the hydrogen fluoride source 32 to the electrolytic cell 34 under the control of the controller 40, based on the detection result of the detector 36, using a quantitative threshold value as a guide.
【００２６】電解槽３４で生成されたフッ素ガスは、供
給配管３８に配設されたフッ素ガスの圧力及び流量を制
御するためのバッファ部４２を介してガス切替え部５６
に供給される。バッファ部４２は、概ね大気圧で生成さ
れる電解槽３４からのフッ素ガスを加圧するためのコン
プレッサ４４と、フッ素ガスを一時的に溜めるバッファ
タンク４６と、フッ素ガスをバッファタンク４６からガ
ス切替え部５６に所定流量で供給するためのフローコン
トローラ４８とを有する。コンプレッサ４４には、その
運転状態を検出するための運転検出器５０が配設され
る。バッファタンク４６には、その内部の圧力を検出す
るための圧力検出器５２が配設される。フローコントロ
ーラ４８には、その内部のフッ素ガスの流量を検出する
流量検出器５４が配設される。これ等の検出器５０、５
２、５４で得られた検出結果はコントローラ４０に供給
される。The fluorine gas generated in the electrolytic cell 34 is passed through a buffer portion 42 arranged in the supply pipe 38 for controlling the pressure and flow rate of the fluorine gas, and a gas switching portion 56.
Is supplied to. The buffer unit 42 includes a compressor 44 for pressurizing the fluorine gas generated from the electrolytic cell 34 at about atmospheric pressure, a buffer tank 46 for temporarily storing the fluorine gas, and a gas switching unit for switching the fluorine gas from the buffer tank 46. 56 and a flow controller 48 for supplying a predetermined flow rate. The compressor 44 is provided with an operation detector 50 for detecting its operation state. The buffer tank 46 is provided with a pressure detector 52 for detecting the pressure inside the buffer tank 46. The flow controller 48 is provided with a flow rate detector 54 that detects the flow rate of fluorine gas therein. These detectors 50, 5
The detection results obtained at 2 and 54 are supplied to the controller 40.
【００２７】一方、フッ素ガスの発生源である電解槽３
４及び同電解槽３４からガス使用部に至る供給配管、バ
ッファ部４２等を含むフッ素ガスの供給ルートに異常が
発生した場合を想定し、バックアップ部６０が配設され
る。バックアップ部６０は、フッ素ガスを代替する代替
ガスを貯蔵するボンベ（またはボンベ群）６２を有す
る。ボンベ６２のバルブ６４を出た代替ガスは、フロー
コントローラ６６によって所定流量に制御された状態で
ガス切替え部５６に供給される。On the other hand, the electrolytic cell 3 which is a source of fluorine gas
4 and the backup section 60 is provided on the assumption that an abnormality occurs in the fluorine gas supply route including the supply pipe from the electrolyzer 34 to the gas use section and the buffer section 42. The backup unit 60 has a cylinder (or cylinder group) 62 that stores an alternative gas that replaces the fluorine gas. The alternative gas that has left the valve 64 of the cylinder 62 is supplied to the gas switching unit 56 while being controlled to a predetermined flow rate by the flow controller 66.
【００２８】なお、代替ガスは、フッ化窒素、フッ化イ
オウ、フッ化塩素からなる群から選択される。この中
で、フッ化窒素は、室温で反応性が低く、比較的安全な
ガスであるという理由から、代替ガスとして使用するこ
とが望ましい。なお、代替ガスとしてフッ化窒素（ＮＦ
3 ）を使用する場合、フッ素ガスからフッ化窒素に切り
替わる際に、フッ化窒素の流量が自動的にフッ素の流量
の約２／３倍となるようにフローコントローラを設定す
ることが望ましい。このように設定することにより、代
替ガスを使用する側の処理能力を一定に維持することで
きる。また、半導体処理装置や処理のタイプによって
も、望ましい代替ガスは異なる。例えば、プラズマクリ
ーニングの場合はフッ化窒素（ＮＦ3 ）を代替ガスとし
て使用し、サーマルクリーニングの場合はフッ化塩素を
代替ガスとして使用することが望ましい。The substitute gas is selected from the group consisting of nitrogen fluoride, sulfur fluoride and chlorine fluoride. Among them, nitrogen fluoride is preferably used as a substitute gas because it has a low reactivity at room temperature and is a relatively safe gas. As an alternative gas, nitrogen fluoride (NF
When 3 ) is used, it is desirable to set the flow controller so that the flow rate of nitrogen fluoride automatically becomes about 2/3 times the flow rate of fluorine when switching from fluorine gas to nitrogen fluoride. By setting in this way, the processing capacity on the side using the alternative gas can be kept constant. Also, the preferred alternative gas will vary depending on the semiconductor processing equipment and the type of processing. For example, it is desirable to use nitrogen fluoride (NF 3 ) as an alternative gas in the case of plasma cleaning and chlorine fluoride as an alternative gas in the case of thermal cleaning.
【００２９】コントローラ４０は、電解槽３４及び／ま
たはバッファ部４２の異常状態が検出された時、ボンベ
６２からの代替ガスをガス使用部（主処理部側）に供給
するように、ガス切替え部５６を制御する。また、コン
トローラ４０は、ガス切替え部５６におけるガスの切替
えに伴って、バッファ部４２の作動（例えばコンプレッ
サ４４の運転）のオン／オフ及びボンベ６２のバルブ６
４の開閉も制御する。The controller 40 supplies the alternative gas from the cylinder 62 to the gas using unit (main processing unit side) when the abnormal state of the electrolytic cell 34 and / or the buffer unit 42 is detected. Control 56. Further, the controller 40 turns on / off the operation of the buffer unit 42 (for example, the operation of the compressor 44) and the valve 6 of the cylinder 62 in accordance with the gas switching in the gas switching unit 56.
It also controls the opening and closing of 4.
【００３０】電解槽３４の異常状態は、電解槽検出器３
６を介して感知される。具体的には、検出器３６は、電
解浴の組成の変化を代表する状態として、電解浴の電流
特性、液面レベル、温度等を検出し、コントローラ４０
に伝達する。コントローラ４０は、これ等の検出値と予
め設定されたしきい値とを比較し、電解槽３４が正常状
態にあるか、或いは異常状態に陥ったかを認識する。The abnormal state of the electrolytic cell 34 is detected by the electrolytic cell detector 3
Sensed via 6. Specifically, the detector 36 detects the current characteristics, liquid level, temperature, etc. of the electrolytic bath as a state representative of the change in the composition of the electrolytic bath, and the controller 40
Communicate to. The controller 40 compares these detected values with a preset threshold value and recognizes whether the electrolytic cell 34 is in a normal state or has fallen into an abnormal state.
【００３１】また、バッファ部４２の異常状態は、バッ
ファ検出器である３つの検出器、即ち、運転検出器５
０、圧力検出器５２及び流量検出器５４を介して感知さ
れる。具体的には、これ等の検出器５０、５２、５４
は、夫々、コンプレッサ４４の運転状態、バッファタン
ク４６の内部の圧力、フローコントローラ４８における
フッ素ガスの流量を検出し、コントローラ４０に伝達す
る。コントローラ４０は、これ等の検出値と予め設定さ
れたしきい値とを比較し、バッファ部４２が正常状態に
あるか、或いは異常状態に陥ったかを認識する。Further, the abnormal state of the buffer section 42 is detected by three detectors which are buffer detectors, that is, the operation detector 5
0, pressure detector 52 and flow rate detector 54. Specifically, these detectors 50, 52, 54
Respectively detect the operating state of the compressor 44, the pressure inside the buffer tank 46, and the flow rate of the fluorine gas in the flow controller 48, and transmit them to the controller 40. The controller 40 compares these detected values with a preset threshold value and recognizes whether the buffer section 42 is in a normal state or has fallen into an abnormal state.
【００３２】このように、フッ素ガスの発生及び供給側
の各主要部分には検出器３６、５０、５２、５４が配備
され、同発生及び供給側における異常状態の発生箇所、
種類等がコントローラ４０によって識別される。従っ
て、コントローラ４０は、異常状態の発生箇所、種類等
に応じて、ガス切替え部５６の制御に関連する種々の情
報処理を行うことができる。それ等は、例えば、ガス切
替えのタイミングの決定、ガス切替えに先立って各主要
部分の状態をチェックするプログラムの実行、異常状態
の発生箇所等をオペレータに知らせるためのアラーム信
号の送信または手動運転の指示等である。As described above, the detectors 36, 50, 52, 54 are provided at the respective main parts on the generation and supply side of the fluorine gas, and the locations where the generation and the abnormal state on the supply side occur.
The type and the like are identified by the controller 40. Therefore, the controller 40 can perform various types of information processing related to the control of the gas switching unit 56, depending on the location, type, etc. of the abnormal state. These include, for example, determining the timing of gas switching, executing a program that checks the status of each major part prior to gas switching, sending an alarm signal to notify the operator of the location of an abnormal condition, or performing manual operation. Instructions, etc.
【００３３】図１図示の生成及び供給装置３０によれ
ば、バックアップ部として、電解槽３４からバッファ部
４２に至るフッ素ガスの発生及び供給側と同じ構成を追
加配設するのではなく、代替ガスのボンベを使用するた
め、ガス供給系のイニシャルコスト及び運転コストが安
価となる。また、フッ化窒素、フッ化イオウ、フッ化塩
素からなる群から選択された代替ガスは、ボンベに充填
して配備する上で、高圧のフッ素ボンベのような問題を
発生せず、安全性の上で好ましい。According to the generation and supply device 30 shown in FIG. 1, the backup gas is not provided with the same structure as the generation side and the supply side of the fluorine gas from the electrolytic cell 34 to the buffer section 42, but is replaced with the alternative gas. Since this cylinder is used, the initial cost and operating cost of the gas supply system are low. In addition, the alternative gas selected from the group consisting of nitrogen fluoride, sulfur fluoride, and chlorine fluoride does not cause problems such as high-pressure fluorine cylinder when filling and deploying in the cylinder, and it is safe. It is preferable above.
【００３４】図３は本発明の別の実施の形態に係る、フ
ッ素ガス生成及び供給装置を示す概略図である。この実
施の形態においては、コントローラ４０は、電解槽３４
からガス使用部にフッ素ガスを供給するガス供給ルート
の異常状態を検出する検出器、具体的には検出器５０、
５２、５４によるバッファ部４２の状態の検出結果のみ
を参照してガス切替え部５６を制御する。一方、検出器
３６による電解浴の液面レベルの検出結果は、コントロ
ーラ４０に伝達されず、代わりにコントローラ７０によ
って、フッ化水素をフッ化水素源３２から電解槽３４に
補充するために使用される。FIG. 3 is a schematic view showing a fluorine gas generating and supplying device according to another embodiment of the present invention. In this embodiment, the controller 40 uses the electrolyzer 34
A detector for detecting an abnormal state of the gas supply route for supplying the fluorine gas to the gas use part from the detector, specifically, the detector 50,
The gas switching unit 56 is controlled with reference to only the detection results of the state of the buffer unit 42 by 52 and 54. On the other hand, the detection result of the liquid level of the electrolytic bath by the detector 36 is not transmitted to the controller 40, but is instead used by the controller 70 for replenishing hydrogen fluoride from the hydrogen fluoride source 32 to the electrolytic cell 34. It
【００３５】通常、電解槽３４の異常状態は、発生した
フッ素ガスの状態にも異常をもたらす。従って、電解槽
３４からガス使用部にフッ素ガスを供給するガス供給ル
ートの異常状態、例えば、下流側のバッファ部４２にお
けるフッ素ガスの異常状態を感知できれば、ガス切替え
部５６を制御するのに必要な基本的な情報を得ることが
できる。但し、この場合、電解槽３４の異常状態は、ガ
ス切替え部５６の制御とは関係なく、別途検知できるよ
うにしておくことが望ましい。Normally, the abnormal state of the electrolytic cell 34 also causes an abnormal state of the generated fluorine gas. Therefore, if an abnormal state of the gas supply route for supplying the fluorine gas from the electrolytic cell 34 to the gas use unit, for example, an abnormal state of the fluorine gas in the buffer unit 42 on the downstream side can be detected, it is necessary to control the gas switching unit 56. You can get basic information. However, in this case, it is desirable that the abnormal state of the electrolytic cell 34 can be separately detected regardless of the control of the gas switching unit 56.
【００３６】図４は本発明の更に別の実施の形態に係
る、フッ素ガス生成及び供給装置を示す概略図である。
この実施の形態においては、バッファ部４２のコンプレ
ッサ４４、バッファタンク４６、及びフローコントロー
ラ４８には異常状態を検出するための検出器が配備され
ない。代わりに、電解槽３４からガス使用部にフッ素ガ
スを供給するガス供給ルートの異常状態を検出する検出
器として、ガス供給配管内の圧力及び流量を検出する検
出器７２が配設される。コントローラ４０は、検出器３
６による電解槽３４の状態の検出結果に加え、検出器７
２によるフッ素ガス供給配管内の圧力及び流量の検出結
果を参照してガス切替え部５６を制御する。なお、検出
器７２は、図４に一点鎖線で示すように、ガス切替え部
５６よりも下流側に配置することもできる。FIG. 4 is a schematic diagram showing a fluorine gas generating and supplying apparatus according to still another embodiment of the present invention.
In this embodiment, the compressor 44 of the buffer unit 42, the buffer tank 46, and the flow controller 48 are not provided with detectors for detecting an abnormal state. Instead, a detector 72 that detects the pressure and flow rate in the gas supply pipe is provided as a detector that detects an abnormal state of the gas supply route that supplies the fluorine gas from the electrolytic cell 34 to the gas use portion. The controller 40 uses the detector 3
In addition to the detection result of the state of the electrolytic cell 34 by the detector 6,
The gas switching unit 56 is controlled with reference to the detection results of the pressure and the flow rate in the fluorine gas supply pipe according to 2. The detector 72 can also be arranged on the downstream side of the gas switching unit 56, as shown by the alternate long and short dash line in FIG.
【００３７】通常、バッファ部４２の異常状態は、フッ
素ガス供給配管内の圧力及び流量にも異常をもたらす。
従って、バッファ部４２よりも下流でフッ素ガス供給配
管内の圧力及び流量の異常状態を感知できれば、ガス切
替え部５６を制御するのに必要な基本的な情報を得るこ
とができる。Normally, the abnormal state of the buffer section 42 also causes abnormalities in the pressure and flow rate inside the fluorine gas supply pipe.
Therefore, if the abnormal state of the pressure and the flow rate in the fluorine gas supply pipe can be detected downstream of the buffer unit 42, the basic information necessary for controlling the gas switching unit 56 can be obtained.
【００３８】なお、上記各実施の形態において、ガス切
替え部５６は電解槽３４とバッファ部４２との間に配設
することもできる。この場合、コントローラ４０は、検
出器３６による電解槽３４の状態の検出結果のみを参照
してガス切替え部５６を制御することとなる。また、上
記実施の形態において、フッ素ガスは、流れ管理部２２
或いはガス生成部２６に択一的に供給されるが、このガ
スは、他の処理ガスとは別に直接処理室１２に供給する
ようにしてもよい。また、ガス生成部２６は、ハロゲン
間フッ素化合物ガスではなく、他のフッ素系の処理ガス
を生成するように構成することもできる。更に、上記各
実施の形態において、安全上の問題に対応できるのであ
れば、上述の代替ガスのボンベに代えて、フッ素ガスの
ボンベを使用することができる。In each of the above embodiments, the gas switching section 56 may be arranged between the electrolytic cell 34 and the buffer section 42. In this case, the controller 40 controls the gas switching unit 56 only by referring to the detection result of the state of the electrolytic cell 34 by the detector 36. Further, in the above-described embodiment, the fluorine gas is used in the flow management unit 22.
Alternatively, the gas is alternatively supplied to the gas generation unit 26, but this gas may be directly supplied to the processing chamber 12 separately from other processing gases. Further, the gas generation unit 26 may be configured to generate another fluorine-based processing gas instead of the interhalogen fluorine compound gas. Further, in each of the above-mentioned embodiments, a fluorine gas cylinder can be used in place of the above-mentioned alternative gas cylinder as long as it can cope with a safety problem.
【００３９】その他、本発明の思想の範疇において、当
業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るも
のであり、それら変更例及び修正例についても本発明の
範囲に属するものと了解される。In addition, within the scope of the idea of the present invention, those skilled in the art can come up with various modified examples and modified examples, and these modified examples and modified examples also belong to the scope of the present invention. Understood.
【００４０】[0040]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体処理システムのガス供給系に配設され、安価で且
つ安全な構成で装置の異常をバックアップすることが可
能な、フッ素ガス生成及び供給装置を提供することがで
きる。As described above, according to the present invention,
It is possible to provide a fluorine gas generation and supply device which is arranged in a gas supply system of a semiconductor processing system and which can back up an abnormality of the device with an inexpensive and safe configuration.
【図１】本発明の実施の形態に係るフッ素ガス生成及び
供給装置を組込んだ半導体処理システムを示す概略図。FIG. 1 is a schematic diagram showing a semiconductor processing system incorporating a fluorine gas generation and supply device according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１図示のガス供給系と組み合わせて使用され
る半導体処理装置の変更例を示す概略図。FIG. 2 is a schematic diagram showing a modified example of a semiconductor processing apparatus used in combination with the gas supply system shown in FIG.
【図３】本発明の別の実施の形態に係るフッ素ガス生成
及び供給装置を示す概略図。FIG. 3 is a schematic diagram showing a fluorine gas generation and supply device according to another embodiment of the present invention.
【図４】本発明の更に別の実施の形態に係るフッ素ガス
生成及び供給装置を示す概略図。FIG. 4 is a schematic diagram showing a fluorine gas generation and supply device according to still another embodiment of the present invention.
１０…半導体処理装置 １２…処理室 １３…リモートプラズマ室 １４…載置台 １５…ＲＦ電源 １６…上部電極 １７…コイルアンテナ １８…排気系 ２０…ガス供給系 ２２…流れ管理部 ２４…ガス貯蔵部 ２６…ガス生成部 ２８…コンプレッサ ３０…ガス生成及び供給装置 ３２…フッ化水素源 ３４…電解槽 ３６…検出器 ４０…コントローラ ４２…バッファ部 ４４…コンプレッサ ４６…バッファタンク ４８…フローコントローラ ５０、５２、５４…検出器 ５６…ガス切替え部 ６０…バックアップ部 ６２…ボンベ ６４…バルブ ６６…フローコントローラ ７０…コントローラ ７２…検出器 10 ... Semiconductor processing equipment 12 ... Processing room 13 ... Remote plasma chamber 14 ... Mounting table 15 ... RF power supply 16 ... Upper electrode 17 ... Coil antenna 18 ... Exhaust system 20 ... Gas supply system 22 ... Flow management section 24 ... Gas storage unit 26 ... Gas generator 28 ... Compressor 30 ... Gas generation and supply device 32 ... Hydrogen fluoride source 34 ... Electrolyzer 36 ... Detector 40 ... Controller 42 ... buffer section 44 ... Compressor 46 ... Buffer tank 48 ... Flow controller 50, 52, 54 ... Detector 56 ... Gas switching section 60 ... Backup unit 62 ... cylinder 64 ... Valve 66 ... Flow controller 70 ... Controller 72 ... Detector
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 595179619 75 Ｑｕａｉ ｄ’Ｏｒｓａｙ 75321 Ｐａｒｉｓ Ｃｅｄｅｘ 07 Ｆｒａｎｃ ｅ (72)発明者 コリン・ケネディー 東京都江東区東雲１−９−１、日本エア・ リキード株式会社内 (72)発明者 木村 孝子 茨城県つくば市和台28、株式会社エア・リ キード・ラボラトリーズ内 (72)発明者 猪野 実 茨城県つくば市和台28、日本エア・リキー ド株式会社内 (72)発明者 園部 淳 茨城県つくば市和台28、株式会社エア・リ キード・ラボラトリーズ内 Ｆターム(参考） 4G068 AA01 AB01 AC05 AD40 AF36 4K021 AA04 BA01 BB03 BB05 CA13 DC15 5F004 BA03 BA04 DA17 DA18 DA20 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (71) Applicant 595179619 75 Quai d'Orsay 75321 Paris Cedex 07 Franc e (72) Inventor Colin Kennedy Japan Air, 1-9-1 Shinonome, Koto-ku, Tokyo Inside Liquide Co., Ltd. (72) Inventor Takako Kimura 28 Airi, Tsukuba City, Ibaraki Prefecture Inside Keyed Laboratories (72) Inventor Minoru Ino 28, Wadai, Tsukuba, Ibaraki Japan Air Riki Do Co., Ltd. (72) Inventor Jun Sonobe 28 Airi, Tsukuba City, Ibaraki Prefecture Inside Keyed Laboratories F-term (reference) 4G068 AA01 AB01 AC05 AD40 AF36 4K021 AA04 BA01 BB03 BB05 CA13 DC15 5F004 BA03 BA04 DA17 DA18 DA20
Claims (10)
れ、フッ素ガスを発生及び供給する装置であって、 フッ化水素を含む溶融塩からなる電解浴中でフッ化水素
を電解することによりフッ素ガスを生成する電解槽と、 フッ化窒素、フッ化イオウ、フッ化塩素からなる群から
選択された代替ガスを貯蔵するボンベと、 前記電解槽及び前記ボンベに接続され、前記電解槽から
の前記フッ素ガスと、前記ボンベからの前記代替ガスと
を、ガス使用部に選択的に供給するガス切替え部と、 前記電解槽の状態を検出する電解槽検出器と、 前記電解槽検出器により前記電解槽の異常状態が検出さ
れた時、前記ボンベからの前記代替ガスを前記ガス使用
部に供給するように、前記ガス切替え部を制御するコン
トローラと、を具備することを特徴とするフッ素ガス生
成及び供給装置。1. A device for generating and supplying a fluorine gas, which is arranged in a gas supply system of a semiconductor processing system, by electrolyzing hydrogen fluoride in an electrolytic bath made of a molten salt containing hydrogen fluoride. An electrolytic cell for generating fluorine gas, a cylinder for storing an alternative gas selected from the group consisting of nitrogen fluoride, sulfur fluoride, and chlorine fluoride, the electrolytic cell and the cylinder connected to the cylinder, A gas switching unit that selectively supplies the fluorine gas and the alternative gas from the cylinder to the gas use unit, an electrolytic cell detector that detects the state of the electrolytic cell, and the electrolytic cell detector A controller that controls the gas switching unit so as to supply the alternative gas from the cylinder to the gas use unit when an abnormal state of the electrolytic cell is detected. Tsu-containing gas generation and supply device.
表する状態を検出することを特徴とする請求項１に記載
のフッ素ガス生成及び供給装置。2. The fluorine gas generation and supply device according to claim 1, wherein the electrolytic cell detector detects a state representative of the composition of the electrolytic bath.
性、液面レベル、温度からなる群から選択された状態を
検出することを特徴とする請求項２に記載のフッ素ガス
生成及び供給装置。3. The fluorine gas generation and supply according to claim 2, wherein the electrolytic cell detector detects a state selected from the group consisting of current characteristics, liquid level and temperature of the electrolytic bath. apparatus.
素ガスを供給するガス供給ルートの異常状態を検出する
ルート検出器を更に具備し、前記コントローラは、前記
電解槽検出器により前記電解槽の異常状態が検出された
時だけでなく、前記ルート検出器により前記ガス供給ル
ートの異常状態が検出された時、前記ボンベからの前記
代替ガスを前記ガス使用部に供給するように、前記ガス
切替え部を制御することを特徴とする請求項１乃至３の
いずれかに記載のフッ素ガス生成及び供給装置。4. A route detector for detecting an abnormal state of a gas supply route for supplying the fluorine gas from the electrolytic cell to the gas use part, wherein the controller is configured to detect the electrolytic cell by the electrolytic cell detector. Not only when an abnormal state is detected, but when the abnormal state of the gas supply route is detected by the route detector, so that the alternative gas from the cylinder is supplied to the gas using unit, The fluorine gas generation and supply device according to any one of claims 1 to 3, wherein the switching unit is controlled.
れ、フッ素ガスを発生及び供給する装置であって、 フッ化水素を含む溶融塩からなる電解浴中でフッ化水素
を電解することによりフッ素ガスを生成する電解槽と、 フッ化窒素、フッ化イオウ、フッ化塩素からなる群から
選択された代替ガスを貯蔵するボンベと、 前記電解槽及び前記ボンベに接続され、前記電解槽から
の前記フッ素ガスと、前記ボンベからの前記代替ガスと
を、ガス使用部に選択的に供給するガス切替え部と、 前記電解槽から前記ガス使用部に前記フッ素ガスを供給
するガス供給ルートの異常状態を検出するルート検出器
と、 前記ルート検出器により前記ガス供給ルートの異常状態
が検出された時、前記ボンベからの前記代替ガスを前記
ガス使用部に供給するように、前記ガス切替え部を制御
するコントローラと、を具備することを特徴とするフッ
素ガス生成及び供給装置。5. A device for generating and supplying fluorine gas, which is disposed in a gas supply system of a semiconductor processing system, by electrolyzing hydrogen fluoride in an electrolytic bath made of a molten salt containing hydrogen fluoride. An electrolytic cell for generating fluorine gas, a cylinder for storing an alternative gas selected from the group consisting of nitrogen fluoride, sulfur fluoride, and chlorine fluoride, the electrolytic cell and the cylinder connected to the cylinder, A gas switching unit for selectively supplying the fluorine gas and the alternative gas from the cylinder to the gas use unit; and an abnormal state of a gas supply route for supplying the fluorine gas from the electrolytic cell to the gas use unit. And a route detector for detecting that an abnormal state of the gas supply route is detected by the route detector so as to supply the alternative gas from the cylinder to the gas use unit. Fluorine gas generation and supply apparatus characterized by comprising a controller for controlling the gas switching section.
ガス切替え部に供給される前記フッ素ガスの圧力及び流
量を制御するバッファ部を具備し、前記ルート検出器は
前記バッファ部の状態を検出するバッファ検出器を具備
することを特徴とする請求項４または５に記載のフッ素
ガス生成及び供給装置。6. The gas supply route comprises a buffer unit for controlling the pressure and flow rate of the fluorine gas supplied from the electrolytic cell to the gas switching unit, and the route detector detects the state of the buffer unit. The fluorine gas generation and supply device according to claim 4 or 5, further comprising a buffer detector that operates.
フッ素ガスを加圧するコンプレッサを具備し、前記バッ
ファ検出器は、前記コンプレッサの運転状態を検出する
ことを特徴とする請求項６に記載のフッ素ガス生成及び
供給装置。7. The buffer unit comprises a compressor for pressurizing the fluorine gas from the electrolytic cell, and the buffer detector detects an operating state of the compressor. Fluorine gas generator and supplier.
フッ素ガスを一時的に溜めるバッファタンクを具備し、
前記バッファ検出器は、前記バッファタンク内の圧力を
検出することを特徴とする請求項６に記載のフッ素ガス
生成及び供給装置。8. The buffer section comprises a buffer tank for temporarily storing the fluorine gas from the electrolytic cell,
The fluorine gas generation and supply device according to claim 6, wherein the buffer detector detects a pressure in the buffer tank.
フッ素ガスを所定流量で前記ガス切替え部に供給するフ
ローコントローラを具備し、前記バッファ検出器は、前
記フローコントローラにおける前記フッ素ガスの流量を
検出することを特徴とする請求項６に記載のフッ素ガス
生成及び供給装置。9. The buffer section comprises a flow controller for supplying the fluorine gas from the electrolytic cell to the gas switching section at a predetermined flow rate, and the buffer detector is a flow rate of the fluorine gas in the flow controller. The fluorine gas generation and supply device according to claim 6, wherein
を特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載のフッ素
ガス生成及び供給装置。10. The fluorine gas generation and supply apparatus according to claim 1, wherein the alternative gas is nitrogen fluoride.
Priority Applications (8)
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