JP2003188418A - Ｌｅｄランプ - Google Patents
ＬｅｄランプInfo
- Publication number
- JP2003188418A JP2003188418A JP2001383257A JP2001383257A JP2003188418A JP 2003188418 A JP2003188418 A JP 2003188418A JP 2001383257 A JP2001383257 A JP 2001383257A JP 2001383257 A JP2001383257 A JP 2001383257A JP 2003188418 A JP2003188418 A JP 2003188418A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- led lamp
- led
- mold
- heat conducting
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】
【課題】 効果的に放熱を行うことにより信頼性を向上
させたＬＥＤランプを提供する。 【解決手段】 ＬＥＤランプに、熱伝導率が大きい熱伝
導性材にて形成された熱伝導部２を備え、熱伝導部２の
一部は、モールド４の外へ突出している。ＬＥＤ１は熱
伝導部２に接合され、電極３，３の各一端は、ワイヤに
てＬＥＤ１の両端に接続されている。電極３，３間に外
部から電力が供給されてＬＥＤランプは発光し、発光に
伴ってＬＥＤ１に発生する熱は、熱伝導部２を伝導して
モールド４の外へ放出される。熱伝導部２により効果的
にＬＥＤランプの放熱が行われ、ＬＥＤランプの信頼性
が向上する。
させたＬＥＤランプを提供する。 【解決手段】 ＬＥＤランプに、熱伝導率が大きい熱伝
導性材にて形成された熱伝導部２を備え、熱伝導部２の
一部は、モールド４の外へ突出している。ＬＥＤ１は熱
伝導部２に接合され、電極３，３の各一端は、ワイヤに
てＬＥＤ１の両端に接続されている。電極３，３間に外
部から電力が供給されてＬＥＤランプは発光し、発光に
伴ってＬＥＤ１に発生する熱は、熱伝導部２を伝導して
モールド４の外へ放出される。熱伝導部２により効果的
にＬＥＤランプの放熱が行われ、ＬＥＤランプの信頼性
が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＥＤ（発光ダイ
オード）が透光性樹脂製のモールドにて覆われたＬＥＤ
ランプに関する。
オード）が透光性樹脂製のモールドにて覆われたＬＥＤ
ランプに関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来のＬＥＤランプの構造の例
を示す正面図である。図中１はＬＥＤであり、ＬＥＤ１
は、導電材にて形成された電極３，３の一方に銀ペース
ト等の導電性接合材にて接合されており、金線等を用い
たワイヤボンディングにて電極３，３の他方に接続され
ている。ＬＥＤ１、及びＬＥＤ１と電極３，３との接続
部分は、エポキシ樹脂などの透光性樹脂にて形成された
モールド４にて覆われている。モールド４は、発光に所
望の指向性が得られるような形状に形成されている。電
極３，３の一部は、モールド４の外へ突出しており、突
出している部分は、略平行に設けられ、夫々が略０．５
ｍｍ角の棒状に形成されている。電極３，３は、例えば
基板に半田付けされて、外部に接続される。電極３，３
間に外部から電力が供給され、ＬＥＤ１に電流が流れて
ＬＥＤランプは発光する。
を示す正面図である。図中１はＬＥＤであり、ＬＥＤ１
は、導電材にて形成された電極３，３の一方に銀ペース
ト等の導電性接合材にて接合されており、金線等を用い
たワイヤボンディングにて電極３，３の他方に接続され
ている。ＬＥＤ１、及びＬＥＤ１と電極３，３との接続
部分は、エポキシ樹脂などの透光性樹脂にて形成された
モールド４にて覆われている。モールド４は、発光に所
望の指向性が得られるような形状に形成されている。電
極３，３の一部は、モールド４の外へ突出しており、突
出している部分は、略平行に設けられ、夫々が略０．５
ｍｍ角の棒状に形成されている。電極３，３は、例えば
基板に半田付けされて、外部に接続される。電極３，３
間に外部から電力が供給され、ＬＥＤ１に電流が流れて
ＬＥＤランプは発光する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般に、ＬＥＤランプ
を点灯させるためにＬＥＤ１に供給される電力のうち、
７割以上が熱に変換される。熱の発生は、半導体におい
て結晶中の欠陥量を増加させ、輝度劣化または逆電流増
加などの信頼性低下の要因となる。従来のＬＥＤランプ
では、放熱は電極３，３を通じて、又はモールド４の表
面から行われている。電極３，３はＬＥＤランプの大き
さに対して細いため、また、モールド４を形成する透光
性樹脂は熱伝導性が低いため、電極３，３又はモールド
４表面からの放熱は効果的ではない。
を点灯させるためにＬＥＤ１に供給される電力のうち、
７割以上が熱に変換される。熱の発生は、半導体におい
て結晶中の欠陥量を増加させ、輝度劣化または逆電流増
加などの信頼性低下の要因となる。従来のＬＥＤランプ
では、放熱は電極３，３を通じて、又はモールド４の表
面から行われている。電極３，３はＬＥＤランプの大き
さに対して細いため、また、モールド４を形成する透光
性樹脂は熱伝導性が低いため、電極３，３又はモールド
４表面からの放熱は効果的ではない。
【０００４】本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたも
のであって、その目的とするところは、ＬＥＤの熱をモ
ールドの外まで伝導して放熱する熱伝導部を備えること
により、信頼性を向上させたＬＥＤランプを提供するこ
とにある。
のであって、その目的とするところは、ＬＥＤの熱をモ
ールドの外まで伝導して放熱する熱伝導部を備えること
により、信頼性を向上させたＬＥＤランプを提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１発明に係るＬＥＤラ
ンプは、ＬＥＤと、該ＬＥＤを覆う透光性樹脂製のモー
ルドと、前記ＬＥＤに接続され、一部が前記モールドの
外へ突出している電極とを備えるＬＥＤランプにおい
て、モールドよりも熱伝導性が高い材料にて形成され、
直接に又は熱伝導性接合材を介してＬＥＤが接合された
熱伝導部を備え、該熱伝導部の一部がモールドの外へ突
出してあることを特徴とする。
ンプは、ＬＥＤと、該ＬＥＤを覆う透光性樹脂製のモー
ルドと、前記ＬＥＤに接続され、一部が前記モールドの
外へ突出している電極とを備えるＬＥＤランプにおい
て、モールドよりも熱伝導性が高い材料にて形成され、
直接に又は熱伝導性接合材を介してＬＥＤが接合された
熱伝導部を備え、該熱伝導部の一部がモールドの外へ突
出してあることを特徴とする。
【０００６】第２発明に係るＬＥＤランプは、モールド
の外へ突出している前記熱伝導部の先端は、電極のタイ
バーカット位置よりもモールドに近い側に位置している
ことを特徴とする。
の外へ突出している前記熱伝導部の先端は、電極のタイ
バーカット位置よりもモールドに近い側に位置している
ことを特徴とする。
【０００７】第３発明に係るＬＥＤランプは、前記熱伝
導部は、電極のタイバーカット位置よりも更に外側へ突
出してあることを特徴とする。
導部は、電極のタイバーカット位置よりも更に外側へ突
出してあることを特徴とする。
【０００８】第１、第２及び第３発明においては、熱伝
導性が高い材料で形成され、ＬＥＤが接合された熱伝導
部をＬＥＤランプに備え、熱伝導部の一部がモールドの
外へ突出してあるため、ＬＥＤに発生する熱が熱伝導部
を介して効果的に外部へ放出され、ＬＥＤランプの信頼
性が向上して寿命が長くなる。又は、従来より大きい電
流をＬＥＤへ供給することが可能となり、ＬＥＤランプ
はより大きい輝度で発光することが可能となる。
導性が高い材料で形成され、ＬＥＤが接合された熱伝導
部をＬＥＤランプに備え、熱伝導部の一部がモールドの
外へ突出してあるため、ＬＥＤに発生する熱が熱伝導部
を介して効果的に外部へ放出され、ＬＥＤランプの信頼
性が向上して寿命が長くなる。又は、従来より大きい電
流をＬＥＤへ供給することが可能となり、ＬＥＤランプ
はより大きい輝度で発光することが可能となる。
【０００９】第４発明に係るＬＥＤランプは、モールド
の外へ突出している前記熱伝導部の先端は、接続端子の
形状に形成してあることを特徴とする。
の外へ突出している前記熱伝導部の先端は、接続端子の
形状に形成してあることを特徴とする。
【００１０】第４発明においては、熱伝導部の先端を接
続端子の形状に形成したため、熱伝導部の先端に接続さ
れた基板などを通じてより効果的に放熱を行うことがで
きる。
続端子の形状に形成したため、熱伝導部の先端に接続さ
れた基板などを通じてより効果的に放熱を行うことがで
きる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施の形態を
示す図面に基づき具体的に説明する。 （実施の形態１）図１は、実施の形態１に係る本発明の
ＬＥＤランプの構造を示す正面図である。図中１はＬＥ
Ｄであり、ＬＥＤ１は、ＬＥＤ１を搭載する台となる熱
伝導部２に熱伝導性結合材にて結合されている。熱伝導
部２は、銅または鉄などの熱伝導率が大きい熱伝導性材
にて形成され、ＬＥＤ１に発生する熱を伝導しやすいよ
うに幅広に形成されている。また、ＬＥＤ１の左右に、
棒状の電極３，３が互いに略平行に備えられており、電
極３，３を介してＬＥＤ１に電流が流れるように、電極
３，３の夫々の一端は、金線等のワイヤを用いたワイヤ
ボンディングにてＬＥＤ１の両端に接続されている。Ｌ
ＥＤ１、ＬＥＤ１と熱伝導部２との結合部分、及びワイ
ヤを含めたＬＥＤ１と電極３，３との接続部分は、エポ
キシ樹脂などの透光性樹脂にて形成されたモールド４に
て覆われている。モールド４は、発光に所望の指向性が
得られるような形状に形成されている。例えば、図中に
示した例では、モールド４は砲弾型に形成されており、
発光に図中の上方への指向性が得られる。
示す図面に基づき具体的に説明する。 （実施の形態１）図１は、実施の形態１に係る本発明の
ＬＥＤランプの構造を示す正面図である。図中１はＬＥ
Ｄであり、ＬＥＤ１は、ＬＥＤ１を搭載する台となる熱
伝導部２に熱伝導性結合材にて結合されている。熱伝導
部２は、銅または鉄などの熱伝導率が大きい熱伝導性材
にて形成され、ＬＥＤ１に発生する熱を伝導しやすいよ
うに幅広に形成されている。また、ＬＥＤ１の左右に、
棒状の電極３，３が互いに略平行に備えられており、電
極３，３を介してＬＥＤ１に電流が流れるように、電極
３，３の夫々の一端は、金線等のワイヤを用いたワイヤ
ボンディングにてＬＥＤ１の両端に接続されている。Ｌ
ＥＤ１、ＬＥＤ１と熱伝導部２との結合部分、及びワイ
ヤを含めたＬＥＤ１と電極３，３との接続部分は、エポ
キシ樹脂などの透光性樹脂にて形成されたモールド４に
て覆われている。モールド４は、発光に所望の指向性が
得られるような形状に形成されている。例えば、図中に
示した例では、モールド４は砲弾型に形成されており、
発光に図中の上方への指向性が得られる。
【００１２】電極３，３の他端は、モールド４の外へ突
出しており、突出している部分は、夫々が略０．５ｍｍ
角の棒状に形成され、外部に接続し易いように、例えば
ＬＥＤランプが接続される外部の基板のスルーホールの
典型的なピッチ幅２．５４ｍｍに合わせて、電極３，３
の間隔が定められている。電極３，３は、例えば基板に
半田付けされて外部に接続される。熱伝導部２は、電極
３，３の間に位置し、一部がモールド４の外へ突出して
おり、熱伝導部２の先端は電極３，３のタイバーカット
位置よりもモールド４に近い位置に形成されている。
出しており、突出している部分は、夫々が略０．５ｍｍ
角の棒状に形成され、外部に接続し易いように、例えば
ＬＥＤランプが接続される外部の基板のスルーホールの
典型的なピッチ幅２．５４ｍｍに合わせて、電極３，３
の間隔が定められている。電極３，３は、例えば基板に
半田付けされて外部に接続される。熱伝導部２は、電極
３，３の間に位置し、一部がモールド４の外へ突出して
おり、熱伝導部２の先端は電極３，３のタイバーカット
位置よりもモールド４に近い位置に形成されている。
【００１３】図２は、実施の形態１に係るＬＥＤランプ
の基板への接続態様を示す正面図である。ＬＥＤランプ
は、電極３，３がタイバーカット位置まで図中に断面を
示した基板のスルーホールに差し込まれ、基板上の配線
に半田などにて接続されている。熱伝導部２は、モール
ド４と基板との間の空間に突出している。基板上の配線
を介して電極３，３間に外部から電力が供給され、ＬＥ
Ｄ１に電流が流れてＬＥＤランプは発光する。熱伝導部
２は、モールド４よりも熱伝導性が高く、ＬＥＤ１と電
極３，３とを接続しているワイヤよりも広い面積でＬＥ
Ｄ１に接しているため、発光に伴ってＬＥＤ１に発生す
る熱は、主に熱伝導部２を伝導し、モールド４の外へ突
出した熱伝導部２の部分からモールド４と基板との間の
空間へ放出される。
の基板への接続態様を示す正面図である。ＬＥＤランプ
は、電極３，３がタイバーカット位置まで図中に断面を
示した基板のスルーホールに差し込まれ、基板上の配線
に半田などにて接続されている。熱伝導部２は、モール
ド４と基板との間の空間に突出している。基板上の配線
を介して電極３，３間に外部から電力が供給され、ＬＥ
Ｄ１に電流が流れてＬＥＤランプは発光する。熱伝導部
２は、モールド４よりも熱伝導性が高く、ＬＥＤ１と電
極３，３とを接続しているワイヤよりも広い面積でＬＥ
Ｄ１に接しているため、発光に伴ってＬＥＤ１に発生す
る熱は、主に熱伝導部２を伝導し、モールド４の外へ突
出した熱伝導部２の部分からモールド４と基板との間の
空間へ放出される。
【００１４】本実施の形態に係るＬＥＤランプは、ＬＥ
Ｄ１を搭載し、モールド４の外へ突出した熱伝導部２
を、電極３，３の他に備えたため、発光に伴ってＬＥＤ
１に発生する熱が熱伝導部２から効果的に放熱される。
電極３，３又はモールド４を介して放熱が行われる従来
のＬＥＤランプに比べて、ＬＥＤ１の放熱がより効果的
に行われ、ＬＥＤランプの信頼性が向上する。信頼性が
向上することにより、ＬＥＤランプの寿命が長くなる。
例えば信号機など、高い信頼性と長い寿命とが要求され
る用途にＬＥＤランプを用いることが可能となる。ま
た、従来と同等の信頼性および寿命でより大きい電流を
ＬＥＤ１へ供給することが可能となり、ＬＥＤランプ
は、従来より大きい輝度で発光することができる。
Ｄ１を搭載し、モールド４の外へ突出した熱伝導部２
を、電極３，３の他に備えたため、発光に伴ってＬＥＤ
１に発生する熱が熱伝導部２から効果的に放熱される。
電極３，３又はモールド４を介して放熱が行われる従来
のＬＥＤランプに比べて、ＬＥＤ１の放熱がより効果的
に行われ、ＬＥＤランプの信頼性が向上する。信頼性が
向上することにより、ＬＥＤランプの寿命が長くなる。
例えば信号機など、高い信頼性と長い寿命とが要求され
る用途にＬＥＤランプを用いることが可能となる。ま
た、従来と同等の信頼性および寿命でより大きい電流を
ＬＥＤ１へ供給することが可能となり、ＬＥＤランプ
は、従来より大きい輝度で発光することができる。
【００１５】（実施の形態２）図３は、実施の形態２に
係る本発明のＬＥＤランプの構造を示す正面図である。
熱伝導部２は、長尺の板状に形成され、電極３，３の間
に位置し、熱伝導部２の一端には、ＬＥＤ１が熱伝導性
結合材にて結合されている。熱伝導部２の他端は、モー
ルド４の外へ突出し、電極３，３のタイバーカット位置
よりも外側へ、電極３，３の先端に並ぶ位置まで突出し
ている。本実施の形態の他の構成は実施の形態１と同様
であり、対応する部分に同符号を付してその説明を省略
する。
係る本発明のＬＥＤランプの構造を示す正面図である。
熱伝導部２は、長尺の板状に形成され、電極３，３の間
に位置し、熱伝導部２の一端には、ＬＥＤ１が熱伝導性
結合材にて結合されている。熱伝導部２の他端は、モー
ルド４の外へ突出し、電極３，３のタイバーカット位置
よりも外側へ、電極３，３の先端に並ぶ位置まで突出し
ている。本実施の形態の他の構成は実施の形態１と同様
であり、対応する部分に同符号を付してその説明を省略
する。
【００１６】図４は、実施の形態２に係るＬＥＤランプ
の基板への接続態様を示す模式図であり、図４（ａ）に
正面図、図４（ｂ）に側面図を示す。ＬＥＤランプは、
電極３，３がタイバーカット位置まで図中に断面を示し
た基板のスルーホールに差し込まれ、基板上の配線に半
田などにて接続されている。熱伝導部２は、電極３，３
のタイバーカット位置の付近にて折り曲げられ、折り曲
げられた部分は基板に略平行に位置している。熱伝導部
２の折り曲げられた先端は、未接続状態であってもよ
く、基板上の銅箔などを利用した図示しない放熱部に半
田などで接続されていてもよい。基板上の配線を介して
電極３，３間に外部から電力が供給され、ＬＥＤ１に電
流が流れてＬＥＤランプは発光する。ＬＥＤ１に発生す
る熱は、ＬＥＤ１から熱伝導部２へ伝導して、熱伝導部
２からＬＥＤランプの外部へ放出される。熱伝導部２が
基板の放熱部に接続されている場合は、更に基板の放熱
部から放熱が行われる。
の基板への接続態様を示す模式図であり、図４（ａ）に
正面図、図４（ｂ）に側面図を示す。ＬＥＤランプは、
電極３，３がタイバーカット位置まで図中に断面を示し
た基板のスルーホールに差し込まれ、基板上の配線に半
田などにて接続されている。熱伝導部２は、電極３，３
のタイバーカット位置の付近にて折り曲げられ、折り曲
げられた部分は基板に略平行に位置している。熱伝導部
２の折り曲げられた先端は、未接続状態であってもよ
く、基板上の銅箔などを利用した図示しない放熱部に半
田などで接続されていてもよい。基板上の配線を介して
電極３，３間に外部から電力が供給され、ＬＥＤ１に電
流が流れてＬＥＤランプは発光する。ＬＥＤ１に発生す
る熱は、ＬＥＤ１から熱伝導部２へ伝導して、熱伝導部
２からＬＥＤランプの外部へ放出される。熱伝導部２が
基板の放熱部に接続されている場合は、更に基板の放熱
部から放熱が行われる。
【００１７】本実施の形態に係るＬＥＤランプは、モー
ルド４から電極３，３のタイバーカット位置よりも更に
外側へ突出した熱伝導部２を備えたため、モールド４の
外へ突出した熱伝導部２の部分の面積がより大きくな
り、より効果的にＬＥＤ１に発生する熱を放出すること
ができる。また、熱伝導部２が基板の放熱部に接続され
ている場合は、更に効果的に放熱が行われる。本実施の
形態においても、ＬＥＤランプの信頼性が向上し、ＬＥ
Ｄランプ寿命が長くなる。又は、従来と同等の信頼性お
よび寿命でより大きい電流をＬＥＤ１へ供給することが
可能となり、ＬＥＤランプは、従来より大きい輝度で発
光することができる。
ルド４から電極３，３のタイバーカット位置よりも更に
外側へ突出した熱伝導部２を備えたため、モールド４の
外へ突出した熱伝導部２の部分の面積がより大きくな
り、より効果的にＬＥＤ１に発生する熱を放出すること
ができる。また、熱伝導部２が基板の放熱部に接続され
ている場合は、更に効果的に放熱が行われる。本実施の
形態においても、ＬＥＤランプの信頼性が向上し、ＬＥ
Ｄランプ寿命が長くなる。又は、従来と同等の信頼性お
よび寿命でより大きい電流をＬＥＤ１へ供給することが
可能となり、ＬＥＤランプは、従来より大きい輝度で発
光することができる。
【００１８】（実施の形態３）図５は、実施の形態３に
係る本発明のＬＥＤランプの構造および基板への接続態
様を示す正面図である。熱伝導部２は、長尺の板状に形
成され、電極３，３の間に位置し、熱伝導部２の一端に
は、ＬＥＤ１が熱伝導性結合材にて結合されている。熱
伝導部２の他端は、モールド４の外へ突出し、二股に分
岐している。熱伝導部２の二股に分岐した部分は、電極
３，３と同様に、外部への接続が可能な接続端子の形状
をなしている。二股に分岐した熱伝導部２の先端は電極
３，３の間に位置し、熱伝導部２および電極３，３の先
端は、外部に接続し易いように、例えばＬＥＤランプが
接続される図中に破線で示した基板のスルーホールのピ
ッチ幅に合わせて、夫々の間隔が定められている。本実
施の形態の他の構成は実施の形態１と同様であり、対応
する部分に同符号を付してその説明を省略する。
係る本発明のＬＥＤランプの構造および基板への接続態
様を示す正面図である。熱伝導部２は、長尺の板状に形
成され、電極３，３の間に位置し、熱伝導部２の一端に
は、ＬＥＤ１が熱伝導性結合材にて結合されている。熱
伝導部２の他端は、モールド４の外へ突出し、二股に分
岐している。熱伝導部２の二股に分岐した部分は、電極
３，３と同様に、外部への接続が可能な接続端子の形状
をなしている。二股に分岐した熱伝導部２の先端は電極
３，３の間に位置し、熱伝導部２および電極３，３の先
端は、外部に接続し易いように、例えばＬＥＤランプが
接続される図中に破線で示した基板のスルーホールのピ
ッチ幅に合わせて、夫々の間隔が定められている。本実
施の形態の他の構成は実施の形態１と同様であり、対応
する部分に同符号を付してその説明を省略する。
【００１９】ＬＥＤランプは、基板に接続されて用いら
れる場合、電極３，３が基板のスルーホールに差し込ま
れ、基板上の配線に半田などにて接続される。熱伝導部
２は、二股に分岐した先端が電極３，３と同様に基板の
スルーホールに差し込まれる。熱伝導部２は、基板とは
未接続であってもよく、基板上の銅箔などを利用した図
示しない放熱部に半田などで接続されていてもよい。基
板上の配線を介して電極３，３間に外部から電力が供給
され、ＬＥＤ１に電流が流れてＬＥＤランプは発光す
る。ＬＥＤ１に発生する熱は、ＬＥＤ１から熱伝導部２
へ伝導して、熱伝導部２からＬＥＤランプの外部へ放出
される。熱伝導部２が基板の放熱部に接続されている場
合は、更に基板の放熱部から放熱が行われる。
れる場合、電極３，３が基板のスルーホールに差し込ま
れ、基板上の配線に半田などにて接続される。熱伝導部
２は、二股に分岐した先端が電極３，３と同様に基板の
スルーホールに差し込まれる。熱伝導部２は、基板とは
未接続であってもよく、基板上の銅箔などを利用した図
示しない放熱部に半田などで接続されていてもよい。基
板上の配線を介して電極３，３間に外部から電力が供給
され、ＬＥＤ１に電流が流れてＬＥＤランプは発光す
る。ＬＥＤ１に発生する熱は、ＬＥＤ１から熱伝導部２
へ伝導して、熱伝導部２からＬＥＤランプの外部へ放出
される。熱伝導部２が基板の放熱部に接続されている場
合は、更に基板の放熱部から放熱が行われる。
【００２０】本実施の形態に係るＬＥＤランプは、先端
を接続端子の形状に形成した熱伝導部２を備えたため、
ＬＥＤランプを外部へ接続する際に熱伝導部２が邪魔に
ならず、ＬＥＤ１の放熱を効果的に行うことができる。
また、熱伝導部２が基板の放熱部に接続されている場合
は、更に効果的に放熱が行われる。本実施の形態におい
ても、ＬＥＤランプの信頼性が向上し、ＬＥＤランプ寿
命が長くなる。また、従来と同等の信頼性および寿命で
より大きい電流をＬＥＤ１へ供給することが可能とな
り、ＬＥＤランプは、従来より大きい輝度で発光するこ
とができる。
を接続端子の形状に形成した熱伝導部２を備えたため、
ＬＥＤランプを外部へ接続する際に熱伝導部２が邪魔に
ならず、ＬＥＤ１の放熱を効果的に行うことができる。
また、熱伝導部２が基板の放熱部に接続されている場合
は、更に効果的に放熱が行われる。本実施の形態におい
ても、ＬＥＤランプの信頼性が向上し、ＬＥＤランプ寿
命が長くなる。また、従来と同等の信頼性および寿命で
より大きい電流をＬＥＤ１へ供給することが可能とな
り、ＬＥＤランプは、従来より大きい輝度で発光するこ
とができる。
【００２１】
【発明の効果】第１、第２及び第３発明においては、熱
伝導性が高い材料で形成され、ＬＥＤが接合された熱伝
導部をＬＥＤランプに備え、熱伝導部の一部がモールド
の外へ突出してあるため、ＬＥＤに発生する熱が熱伝導
部を介して効果的に放出され、ＬＥＤランプの信頼性が
向上して寿命が長くなる。例えば信号機など、高い信頼
性と長い寿命とが要求される用途にＬＥＤランプを用い
ることが可能となる。また、従来と同等の信頼性および
寿命でより大きい電流をＬＥＤへ供給することが可能と
なり、ＬＥＤランプは、従来より大きい輝度で発光する
ことができる。
伝導性が高い材料で形成され、ＬＥＤが接合された熱伝
導部をＬＥＤランプに備え、熱伝導部の一部がモールド
の外へ突出してあるため、ＬＥＤに発生する熱が熱伝導
部を介して効果的に放出され、ＬＥＤランプの信頼性が
向上して寿命が長くなる。例えば信号機など、高い信頼
性と長い寿命とが要求される用途にＬＥＤランプを用い
ることが可能となる。また、従来と同等の信頼性および
寿命でより大きい電流をＬＥＤへ供給することが可能と
なり、ＬＥＤランプは、従来より大きい輝度で発光する
ことができる。
【００２２】第４発明においては、熱伝導部の先端を接
続端子の形状に形成したため、熱伝導部の先端に接続さ
れた基板などを通じてより効果的に放熱を行うことがで
きる等、本発明は優れた効果を奏する。
続端子の形状に形成したため、熱伝導部の先端に接続さ
れた基板などを通じてより効果的に放熱を行うことがで
きる等、本発明は優れた効果を奏する。
【図１】実施の形態１に係る本発明のＬＥＤランプの構
造を示す正面図である。
造を示す正面図である。
【図２】実施の形態１に係るＬＥＤランプの基板への接
続態様を示す正面図である。
続態様を示す正面図である。
【図３】実施の形態２に係る本発明のＬＥＤランプの構
造を示す正面図である。
造を示す正面図である。
【図４】実施の形態２に係るＬＥＤランプの基板への接
続態様を示す模式図である。
続態様を示す模式図である。
【図５】実施の形態３に係る本発明のＬＥＤランプの構
造および基板への接続態様を示す正面図である。
造および基板への接続態様を示す正面図である。
【図６】従来のＬＥＤランプの構造の例を示す正面図で
ある。
ある。
１ ＬＥＤ
２ 熱伝導部
３ 電極
４ モールド
Claims (4)
- 【請求項１】 ＬＥＤと、該ＬＥＤを覆う透光性樹脂製
のモールドと、前記ＬＥＤに接続され、一部が前記モー
ルドの外へ突出している電極とを備えるＬＥＤランプに
おいて、モールドよりも熱伝導性が高い材料にて形成さ
れ、直接に又は熱伝導性接合材を介してＬＥＤが接合さ
れた熱伝導部を備え、該熱伝導部の一部がモールドの外
へ突出してあることを特徴とするＬＥＤランプ。 - 【請求項２】 モールドの外へ突出している前記熱伝導
部の先端は、電極のタイバーカット位置よりもモールド
に近い側に位置していることを特徴とする請求項１に記
載のＬＥＤランプ。 - 【請求項３】 前記熱伝導部は、電極のタイバーカット
位置よりも更に外側へ突出してあることを特徴とする請
求項１に記載のＬＥＤランプ。 - 【請求項４】 モールドの外へ突出している前記熱伝導
部の先端は、接続端子の形状に形成してあることを特徴
とする請求項２乃至３のいずれかに記載のＬＥＤラン
プ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001383257A JP2003188418A (ja) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | Ｌｅｄランプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001383257A JP2003188418A (ja) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | Ｌｅｄランプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003188418A true JP2003188418A (ja) | 2003-07-04 |
Family
ID=27593362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001383257A Pending JP2003188418A (ja) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | Ｌｅｄランプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003188418A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050050292A (ko) * | 2003-11-25 | 2005-05-31 | 삼성전기주식회사 | 열방출부를 구비한 발광소자 램프 |
| WO2005074044A1 (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Ccs Inc. | Led及びledの取付構造 |
| WO2006095949A1 (en) * | 2005-03-11 | 2006-09-14 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Led package having an array of light emitting cells coupled in series |
| US7868334B2 (en) | 2007-04-09 | 2011-01-11 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| JP2011216919A (ja) * | 2007-03-30 | 2011-10-27 | Seoul Semiconductor Co Ltd | 低い熱抵抗を有する発光ダイオードランプ |
| US8431949B2 (en) | 2008-03-11 | 2013-04-30 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
| US8552442B2 (en) | 2007-07-13 | 2013-10-08 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
-
2001
- 2001-12-17 JP JP2001383257A patent/JP2003188418A/ja active Pending
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050050292A (ko) * | 2003-11-25 | 2005-05-31 | 삼성전기주식회사 | 열방출부를 구비한 발광소자 램프 |
| US7589356B2 (en) | 2004-01-30 | 2009-09-15 | Ccs Inc. | LED and attachment structure of LED |
| WO2005074044A1 (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Ccs Inc. | Led及びledの取付構造 |
| KR101139181B1 (ko) * | 2004-01-30 | 2012-04-26 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | Ｌｅｄ 및 ｌｅｄ의 장착 구조 |
| JPWO2005074044A1 (ja) * | 2004-01-30 | 2008-01-10 | シーシーエス株式会社 | Ｌｅｄ及びｌｅｄの取付構造 |
| CN100454589C (zh) * | 2004-01-30 | 2009-01-21 | Ccs株式会社 | Led及led的安装构造 |
| JP2008533716A (ja) * | 2005-03-11 | 2008-08-21 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | 直列接続された発光セルのアレイを有する発光ダイオードパッケージ |
| US8076680B2 (en) | 2005-03-11 | 2011-12-13 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | LED package having an array of light emitting cells coupled in series |
| US8159000B2 (en) | 2005-03-11 | 2012-04-17 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | LED package having an array of light emitting cells coupled in series |
| WO2006095949A1 (en) * | 2005-03-11 | 2006-09-14 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Led package having an array of light emitting cells coupled in series |
| US8368190B2 (en) | 2005-03-11 | 2013-02-05 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | LED package having an array of light emitting cells coupled in series |
| US8445933B2 (en) | 2005-03-11 | 2013-05-21 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | LED package having an array of light emitting cells coupled in series |
| US8610138B2 (en) | 2005-03-11 | 2013-12-17 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | LED package having an array of light emitting cells coupled in series |
| US8937326B2 (en) | 2005-03-11 | 2015-01-20 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | LED package having an array of light emitting cells coupled in series |
| JP2011216919A (ja) * | 2007-03-30 | 2011-10-27 | Seoul Semiconductor Co Ltd | 低い熱抵抗を有する発光ダイオードランプ |
| US7868334B2 (en) | 2007-04-09 | 2011-01-11 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| US8076677B2 (en) | 2007-04-09 | 2011-12-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| US8552442B2 (en) | 2007-07-13 | 2013-10-08 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| US8431949B2 (en) | 2008-03-11 | 2013-04-30 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7642704B2 (en) | Light-emitting diode with a base | |
| JP4241658B2 (ja) | 発光ダイオード光源ユニット及びそれを用いて形成した発光ダイオード光源 | |
| JP4711715B2 (ja) | 半導体発光装置及び半導体発光ユニット | |
| JP2002232009A (ja) | 発光ダイオードアレイ及び光源装置 | |
| JP2004265986A (ja) | 高輝度発光素子及びそれを用いた発光装置及び高輝度発光素子の製造方法 | |
| US20070235739A1 (en) | Structure of heat dissipation of implant type light emitting diode package and method for manufacturing the same | |
| JP4808550B2 (ja) | 発光ダイオード光源装置、照明装置、表示装置及び交通信号機 | |
| JP2009054990A (ja) | 放熱の向上を伴う側面発光ｌｅｄパッケージ | |
| KR20090115878A (ko) | Ｌｅｄ 및 ｌｅｄ램프 | |
| JP2004356506A (ja) | ガラス封止型発光ダイオード | |
| JP2007158242A (ja) | Ｌｅｄ光源装置 | |
| JPH11284233A (ja) | 平面実装型ｌｅｄ素子 | |
| JP2008258264A (ja) | 光源ユニット用発光ダイオードモジュールの構造 | |
| US20110084303A1 (en) | Radiant heat structure for pin type power led | |
| JP2002368285A (ja) | 発光器、発光モジュール及びその製造方法 | |
| JP2003188418A (ja) | Ｌｅｄランプ | |
| JP2003115615A (ja) | 発光ダイオード装置 | |
| JP2009231397A (ja) | 照明装置 | |
| JP2010123768A (ja) | Ｌｅｄランプ | |
| JP2010272736A (ja) | 発光装置 | |
| JPH0517680U (ja) | 発光ダイオード表示器 | |
| JP7444744B2 (ja) | 灯具ユニットおよび車両用灯具 | |
| KR100615404B1 (ko) | 발광다이오드 모듈 | |
| JP2006286837A (ja) | Ｌｅｄ装置 | |
| JP2011159825A (ja) | Ｌｅｄ照明用モジュール装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040528 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061016 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061024 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070306 |