JP2003185415A - リード線検査装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＴＡＢテープ等のリード線の外観を安価で高
速に検査できるようにすること。 【解決手段】 光源１から放出されるレーザ光を光整形
レンズ２により、スポット形状に整形し、このスポット
状のレーザ光をスキャンニングミラー３ａによりスキャ
ンしてｆθレンズ４を介してフィルムテープ１３のリー
ド群１５上に照射する。リード群を通過した光を集光レ
ンズ５を介して受光器６で受光し、受光器６の出力を制
御部１０の判定部１０ａに入力する。判定部１０ａは、
リード群を介して受光部６で受光された受光量の変化か
らリードの中心間の距離（ピッチ）、リードの幅（リー
ド幅）、リード間の距離（スペース幅）等を検出、リー
ドの良否を判定する。
速に検査できるようにすること。 【解決手段】 光源１から放出されるレーザ光を光整形
レンズ２により、スポット形状に整形し、このスポット
状のレーザ光をスキャンニングミラー３ａによりスキャ
ンしてｆθレンズ４を介してフィルムテープ１３のリー
ド群１５上に照射する。リード群を通過した光を集光レ
ンズ５を介して受光器６で受光し、受光器６の出力を制
御部１０の判定部１０ａに入力する。判定部１０ａは、
リード群を介して受光部６で受光された受光量の変化か
らリードの中心間の距離（ピッチ）、リードの幅（リー
ド幅）、リード間の距離（スペース幅）等を検出、リー
ドの良否を判定する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、テープキャリア方
式（ＴＡＢ：Tape Automated Bonding) の、集積回路
（以下、ＩＣという) の入出力用端子（以下、リードと
いう) の外観検査を行なうリード線検査装置に関し、特
に、高速に外観検査を行うことができるリード線検査装
置に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】半導体デバイスは、高集積化と高密度実
装の要求に対応して、リードの多ピン化と微小化が進ん
でいる。この多ピン化や微小化に有利なことから、半導
体チップをフィルムテープに設けた多数のリード線と接
続するＴＡＢが、広く用いられている。図８に、ＴＡＢ
の構造を示す。半導体チップ１１は、その周囲に、外部
との接続を行う電極１２ａ，１２ｂ，…からなる電極群
１２を有する。フィルムテープ１３は、その内部に半導
体チップ１１の外径よりも大きな開口部（デバイスホー
ル）１４を有している。フイルムテープ１３には、半導
体チップ１１を外部回路等と電気的に接続するための導
電体が挟み込まれており、その一端は、デバイスホール
１４の側辺から、その内側に向けて、複数のリード１５
ａ，１５ｂ，…として露出し、リード群１５を形成して
いる。リード群１５は、半導体チップ１１を所定位置に
セットすると、接続するべき電極群と重なるように設け
られており、多数の電極１２ａ，１２ｂ，…と多数のリ
ード１５ａ，１５ｂ，…は、一括してボンディングする
ことができる。図９に、ＴＡＢ方式でボンディングした
リードの拡大斜視図を示す。電極１２ａ，１２ｂ，…上
に形成されたバンプ（例えばはんだ）１６ａ，１６ｂ，
…上に、リード１５ａ，１５ｂ，…を配置して、ボンデ
ィングツールにより、加圧、加振、加熱等を行うことに
より、バンプ６ａ，６ｂ，…が媒体となって、ボンデイ
ングが行われる。 【０００３】通常のＴＡＢ製造工程においては、フィル
ムテープ１３（以下では、ＴＡＢテープともいう）と半
導体チップ１１とは、それぞれ異なるメーカで製造さ
れ、アッセンブリメーカにおいて両者が接合される。し
たがって、ＴＡＢテープは、ＴＡＢテープメーカから、
リード群１５がデバイスホールに中空に浮いている状態
で、完成品として出荷される。リード１５ａ，１５ｂ，
…は、例えば２０μｍ角で長さ６００μｍであり、何か
に触れると、簡単に曲がったり折れたりしてしまう。リ
ード曲がったり折れたりすると、半導体チップ１１の電
極１２ａ，１２ｂ，…と位置が一致しなくなるので、半
導体チップが取り付けられなくなる。したがって、ＴＡ
Ｂテープメーカでは、製造工程の中間時点や出荷前の時
点で、リードの曲がりや折れなどがないかどうか、外観
検査が行われている。図１０にリードの主な検査項目
（７種類）を示す。特に、出荷前の最終検査では、主と
して図１０のＮｏ．１の「曲がり」とＮｏ．２の「ピッ
チ」の外観検査が行われている。 【０００４】図１１に、従来のリード線検査装置の構成
例を示す。同図において、２３，２４は半導体チップ１
１の周囲を照明する照明手段であり、照明制御ユニット
２８により制御される。２５はＣＣＤカメラなどの撮像
手段であり、撮像手段２５と照明手段２３，２４とを組
みつけて光学ヘッド２６を構成する。ＸＹＺステージ２
２は、ステージ制御ユニット２９により制御され、光学
ヘッド２６をＸＹＺ方向（Ｘは例えば同図紙面左右方
向、Ｙは紙面前後方向、Ｚは紙面上下方向）に駆動し
て、半導体チップ１１に対して位置決めをする。また、
全体制御ユニット３０によりリード線検査装置各部の制
御が行われる。撮像手段２５より取り込まれた画像デー
タは、画像処理ユニット２７に送られる。画像処理ユニ
ット２７は、上記画像データを解析し、リードの曲が
り、ピッチ不良等を検査する。従来は、上記のように、
画像データを解析することにより、前記した各種の項目
を検査していた。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】従来のリード線検査装
置は、以下のような問題を有していた。撮像手段２５
（例えばＣＣＤカメラ) と画像処理ユニット２７を組み
合わせる必要があり、高価になる。また、画像処理ユニ
ット２７は、撮像された画像データを多数の画素に分割
して、記憶および演算処理を行うが、撮像手段２５に
は、リード周辺の本来は不必要な情報まで入力されるの
で、そのデータ量は膨大になり解析に時間がかかる。し
かも、半導体チップ１１の４辺について検査を行うの
で、1 個の製品に対して２〜３分の検査時間がかかる。
本発明は上記事情に鑑みなされたものであって、本発明
の目的は、安価で高速なリード線検査装置を実現するこ
とである。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明においては、上記
課題を次のようにして解決する。光源から放出されるス
ポット状のレーザ光をスキャンニングミラーによりスキ
ャンしてテープのリード群上に照射する。そして、リー
ド群を通過した光を受光器で受光し、受光器の出力を判
定手段に入力する。判定手段は、リード群を介して受光
した受光量の変化からリードの中心間の距離（ピッ
チ）、リードの幅（リード幅）、リード間の距離（スペ
ース幅）を検出し、リードの良否を判定する。すなわ
ち、スキャンニングミラーによりスキャンされたレーザ
光が複数本のリードが並列に配置されたリード群を通過
する際、レーザ光がリード上にあるとき受光器に入射す
る光量は少なくなり、また、リードの間を通過するとき
光量は大きくなる。したがって、上記レーザ光のリード
群上の各スキャン位置における受光量から、該スキャン
位置がリード上であるか、リード間であるかを判定する
ことができる。上記判定手段は、レーザ光のスキャンタ
イミングに対する受光量の変化を判定し、受光量の変化
周期、ピーク値等からピッチ、リード幅、スペース幅を
検出する。上記レーザ光のスキャンは、ガルバノスキャ
ナミラーやポリゴンミラー等のスキヤニングミラーを用
いることにより高速に行うことができ、また、判定手段
は、受光量の変化を判定すればよいので、画像処理不要
であり、リードの外観検査を高速に行うことができる。 【０００７】 【発明の実施の形態】図１に本発明の実施例のリード線
検査装置の構成を示す。図１はポリゴンミラーを回転さ
せてレーザ光を走査（スキャン）することにより、リー
ドの外観を検査する実施例を示している。図１におい
て、１は光源であり、光源としては例えばヘリウムネオ
ンレーザ（Ｈｅ−Ｎｅレーザ) が用いられる。光源１か
ら放射されるレーザ光は、光整形レンズ２により、所望
の大きさのスポット形状に整形される。整形された光
は、光走査部３に入射する。スポットの大きさは、リー
ドの太さ（十〜数十μｍ）や間隔（十〜数十μｍ）より
も小さいことが望ましい。なお、光源は、点光源ランプ
を用いても良い。光走査部３には、ポリゴンミラー駆動
部３ｂにより駆動されるポリゴンミラー３ａが設けら
れ、ポリゴンミラー３ａはスポット状に整形されたレー
ザ光を同図紙面の左右方向にスキャンする。なお、図１
に示したθはポリゴンミラー３ａによるレーザ光のスキ
ャン範囲を示す。ポリゴンミラー３ａに反射したレーザ
光は、ｆθレンズ４に入射する。ｆθレンズ４を出射し
たレーザ光のスキャン範囲には、検査の対象となるＴＡ
Ｂテープ１３のデバイスホール１４が配置される。な
お、図１ではＴＡＢテープ１３のデバイスホール１４に
半導体チップ１１が取り付けられている場合を示してい
るが、半導体チップ１１を取り付ける前に、ＴＡＢテー
プ１３のリードの状態を検査するようにしてもよい。Ｔ
ＡＢテープ１３は、不図示の搬送装置により、例えば同
図の紙面手前から紙面奥方向に連続搬送または間欠搬送
され、テープの搬送位置はテープ位置検出器１３ａによ
り検出される。なお、ＴＡＢテープの検査方法について
は後述する。ｆθレンズ４は、レーザ光がスキャンされ
る範囲において、焦点位置を同一平面にする。これによ
り、上記レーザ光は上記ＴＡＢテープ１３のリード群の
上に集光する。 【０００８】図２にＴＡＢテープ１３のデバイスホール
１４のリード群１５の配置とレーザ光のスキャン方向と
の関係を示す。同図に示すように、本実施例のＴＡＢテ
ープ１３のデバイスホールには、ＴＡＢテープの進行方
向に直交する２列のリード群１５が設けられており、ポ
リゴンミラー３ａを回転させることにより、レーザ光は
同図の白抜き矢印に示すように、リード群１５上をスキ
ャンする。スキャンする位置は、ＴＡＢテープ上のリー
ド群の配置および搬送の条件、即ち連続搬送であれば搬
送速度、間欠搬送であれば停止位置等に基き、あらかじ
め設定される。例えば、図２に示すように２列のリード
群１５ａ，１５ｂが配置されている場合には、ＴＡＢテ
ープに設けられたスプロケットホール、あるいは基準マ
ーク（アライメントマーク）の位置等をテープ位置検出
器１３ａにより検出し、この検出信号に基づきリード群
の位置を判定し、リード群がスキャン範囲内にきたと
き、それぞれのリード群上をスポット状のレーザ光によ
りスキャンする。図１の装置の場合には、一つのデバイ
スホールについて、図２の白抜き矢印のようにレーザ光
を２回スキャンする。なお、ＴＡＢテープ１３の搬送速
度に対して、レーザ光のスキャン速度は十分に速いの
で、ＴＡＢテープ１３が連続的に搬送される場合であっ
ても、図２に示すようにリード群１５の配列方向に略直
交する方向にレーザ光をスキャンすることができる。 【０００９】ｆθレンズ４から出射しデバイスホール１
４を通過したレーザ光は、図１に示す集光レンズ５によ
り集光され、受光器６に入力する。受光器６は、例えば
受光量に応じた電気信号を出力するアナログセンサであ
り、受光器６が出力する信号は、制御部１０の判定部１
０ａに入力される。制御部１０は、上記光源１、ＴＡＢ
テープ１３の搬送等を制御するとともに、テープ位置検
出器１３ａの出力に基づき、ポリゴンミラー駆動部３ｂ
によるポリゴンミラー３ａのスキャンを制御する。ま
た、判定部１０ａにおいて、レーザ光のスキャン位置、
または、スキャン開始からの時間と、受光器６の受光量
に応じた信号に基づき、リードの良否を判定する。判定
部１０ａには、例えば図１に示すように、受光器６の出
力信号を予め設定された所定値と比較して矩形波状の信
号にする比較器１０ｂと、比較器１０ｂが出力するオン
時間に応じた出力を発生するオン時間計数カウンタ１０
ｃと、比較器１０ｂのオフ時間に応じた出力を発生する
オフ時間計数カウンタ１０ｄと、判定器１０ｅとが設け
られ、判定器１０ｅは、後述するように上記オン時間、
オフ時間等に基づきリードの中心間の距離（ピッチ）、
リードの幅（リード幅）、リード間の距離（スペース
幅）を求めリードの良否を判定する。 【００１０】上記では１台の装置により２列のリード群
をスキャンする場合について説明したが、図１に示す装
置を２セット設け、上記２列のリード群１５ａ，１５ｂ
を、それぞれの装置から放射されるスポット状のレーザ
光によりスキャンしてもよい。また、図４に示すよう
に、ポリゴンミラーとガルバノスキャナミラーを組み合
わせた光走査部を用いて、２列のリード群をスキャンす
るように構成することもできる。なお、同図では、図１
に示したｆθレンズ４、集光レンズ５、受光器６等は省
略されている。図４において、１は前記したヘリウムネ
オンレーザ（Ｈｅ−Ｎｅレーザ) 等からなる光源、２は
光源から放射される光を所望の大きさのスポット形状に
整形する光整形レンズである。光整形レンズ２から出射
するスポット状のレーザ光はガルバノスキャナミラー７
に入射する。ガルバノスキャナミラー７は同図矢印に示
すように回動可能に取り付けられており、駆動手段７ａ
によりガルバノスキャナミラーを回動させることによ
り、レーザ光の反射方向が変わる。ガルバノスキャナミ
ラー７で反射した光は、ポリゴンミラー３ａに入射す
る。ポリゴンミラー３ａは駆動手段３ｂにより回転して
おり、前記したようにレーザ光は同図の上下方向にスキ
ャンされる。なお、同図のθは前記したようにポリゴン
ミラー３ａによるレーザ光のスキャン範囲を示す。レー
ザ光のスキャン範囲内には、検査の対象となるＴＡＢテ
ープ１３のデバイスホール１４が配置され、前記したよ
うにデバイスホール１４のリード群にスポット状のレー
ザ光が照射される。以上のようにしてデバイスホール１
４のリード群１５ａをスキャンし、リード群１５ａのス
キャンが終わったら、レーザ光がリード群１５ｂに照射
されるようにようにガルバノスキャナミラー７を回動さ
せ、上記と同様にレーザ光を上下方向にスキャンして、
リード群１５ｂにスポット状のレーザ光を照射する。 【００１１】以上では、図２に示すように２列のリード
群１５ａ，１５ｂが配置されたＴＡＢテープを検査する
構成を示したが、例えば図３に示すようにデバイスホー
ル１４の内周に沿って設けられた４列のリード群１５ａ
〜１５ｄを検査することもできる。図３に示す４列のリ
ード群の検査は以下のように実現することができる。 (1) 図１に示したリード線検査装置を２セット用意し、
それぞれのリード線検査装置をレーザ光のスキャン方向
が直交するように配置し、一方のリード線検査装置によ
りリード群１５ａ，１５ｂを検査し、他方のリード線検
査装置によりリード群１５ｃ，１５ｄを検査する。ま
た、図１に示すリード線検査装置を４セット設け、各リ
ード群１５ａ〜１５ｄをそれぞれの装置でスキャンし
て、各リード群１５ａ〜１５ｄを検査するようにしても
よい。 【００１２】(2) 図４に示す光走査部を備えたリード線
検査装置を用い、リード群１５ａ，１５ｂ上へのリーザ
光のスキャンは前記したようにポリゴンミラー３ａで行
い、リード群１５ａ，１５ｂ上へのレーザ光のスキャン
は、ガルバノスキャナミラー７を回動させて行う。 (3) 図５に示すように、光走査部３に、２軸ガルバノス
キャナーミラーを設け、レーザ光をデバイスホール１４
の各リード群の方向にスキャンして各リード群１５ａ〜
１５ｄを検査する。なお、同図では、ｆθレンズ４、集
光レンズ５、受光器６等は省略されている。同図に示す
ように、光源１から放射される光を光整形レンズ２によ
り所望の大きさのスポット形状に整形し、Ｘ軸ミラー８
ａ、Ｙ軸ミラー８ｂを介して、検査の対象となるＴＡＢ
テープ１３のデバイスホール１４に照射する。Ｘ軸ミラ
ー８ａ、Ｙ軸ミラー８ｂは回動可能に取り付けられてお
り、Ｘ軸スキャナー８ｃ、Ｙ軸スキャナー８ｄによりＸ
軸ミラー８ａ、Ｙ軸ミラー８ｂを回動させることによ
り、スポット状のレーザ光は同図の点線の範囲内でスキ
ャンされる。レーザ光のスキャン位置は、Ｘ軸スキャナ
ー８ｃ、Ｙ軸スキャナー８ｄに設けられた図示しないエ
ンコーダにより制御部１０にフィードバックされる。制
御部１０は、上記エンコーダの出力からレーザ光のスキ
ャン位置を求め、該スキャン位置と、受光器６の受光量
に応じた信号に基づき後述するようにリードの良否を判
定する。 【００１３】次に図１に示したリード線検査装置による
リード線の検査手順について説明する。なお、以下で
は、デバイスホール１４に設けられた一列のリード群の
検査について説明するが、図２、図３に示すようにデバ
イスホールに２列、４列のリード群が設けられている場
合も、各リード群がレーザ光によりスキャンされ、以下
に説明するのと同様に良否が判定される。また、以下で
は、図１に示すリード線検査装置による検査について説
明するが、図４、図５に示す光走査部を用いた場合に
も、レーザ光の走査手段が異なるだけで、以下に説明す
るのと同様にリード線の検査が行われる。 【００１４】（１）ＴＡＢテープ１３は、図示しない搬
送装置により、例えば図１の紙面手前から紙面奥方向に
連続搬送または間欠搬送されている。ＴＡＢテープに設
けられた図示しないスプロケットホールやその他のアラ
イメントマーク（基準マーク）の位置をテープ位置検出
器１３ａで検出し、制御部１０に送る。制御部１０は、
上記検出器１３ａの出力信号に基づいて、検査するリー
ド群が、レーザ光の走査範囲に入ったことを認識する。 （２）検査するリード群が、レーザ光の走査範囲に入る
と、制御部１０は光源１からレーザ光を出力させる。光
整形レンズ２により、レーザ光はスポット光形状に整形
され、光走査部３のポリゴンミラー３ａに入射する。ポ
リゴンミラー３ａに入射したレーザ光は、ポリゴンミラ
ー３ａにより、図２に示すようにデバイスホールのリー
ド群１５上をスキャンする。スキャンする位置は、ＴＡ
Ｂテープの種類と搬送の条件（連続搬送あるいは間欠搬
送）により定める。すなわち、連続搬送の場合には、Ｔ
ＡＢテープを所定の速度で搬送する。制御部１０はＴＡ
Ｂテープに設けられたスプロケットホールやその他のア
ライメントマーク（基準マーク）の検出信号に基づきス
キャンするタイミングを定め、リード群１５がスキャン
範囲内にきたときスキャンを開始する。また、間欠搬送
の場合には、ＴＡＢテープに設けられたスプロケットホ
ールやその他のアライメントマーク（基準マーク）の検
出信号に基づきリード群１５がスキャン範囲内にきたこ
とを検出し、ＴＡＢテープ１３の搬送を停止させ、スキ
ャンを開始する。そして、スキャンが終了するＴＡＢテ
ープ１３の搬送を開始し、次のリード群がスキャン範囲
内にくると、上記と同様にスキャンを開始する。 【００１５】（３）ＴＡＢテープ１３のデバイスホール
１４に設けられたリード群１５上をスキャンしたレーザ
光は、集光レンズ５で集光され、受光器６に受光され
る。スキャン光がリード群１５上を通過するときは、受
光器６に入射する光量は少なくなり、リード間を通過す
るときの光量は大きくなる。受光器６は、上記光量に応
じた信号を出力し、この信号は制御部１０の判定部１０
ａに入力される。上記受光器６の出力は、例えば図６
（ａ）に示すようになる。図６（ａ）において、横軸は
スキャン開始からの経過時間（あるいはスキャンしてい
る位置）、縦軸は、受光器６の出力信号の大きさであ
る。なお、ここでは、横軸が時間であるとして説明す
る。図６（ａ）に示すように、受光量のピーク−ピーク
間はリードのピッチを示し、受光量が所定値より小さく
なる期間の長さはリード幅を示し、受光量が所定値より
小さくなる期間の長さはリード幅を示している。また、
同図（ｂ）に示すように、上記受光量を矩形波に変換し
た場合には、矩形波の中心間の長さは、リードのピッチ
を示し、オフ時間はリード幅を示し、また、オン時間は
スペース幅を示す。したがって、リードが同じ太さで等
間隔で設けられていれば、図６（ａ）（ｂ）に示す波形
は、一定周期の信号となる。しかし、ピッチの変化、曲
がりがあると波形が乱れる。制御部１０の判定部１０ａ
では、上記信号を比較器１０ｂにおいて予め設定された
設定値と比較して、図６（ｂ）に示すように矩形波状の
信号に変換し、該矩形波状の信号をオン時間計数カウン
タ１０ｃ、オフ時間計数カウンタ１０ｄに入力する。オ
ン時間計数カウンタ１０ｃは、上記矩形波の立ち上がり
でクロック信号ＣＬＫの計数を開始し、該矩形波の立ち
下がりでクロック信号ＣＬＫの計数を停止する。そし
て、計数値を判定器１０ｅに出力した後、リセットされ
る。また、オフ時間計数カウンタ１０ｄは上記矩形波の
立ち下がりでクロック信号ＣＬＫの計数を開始し、該矩
形波の立ち上がりでクロック信号ＣＬＫの計数を停止す
る。そして、計数値を判定器１０ｅに出力した後、リセ
ットされる。したがって、オン時間計数カウンタ１０ｃ
の出力は、上記矩形波のオン時間に対応した値となり、
オフ時間計数カウンタ１０ｄの出力は、上記矩形波のオ
フ時間に対応した値となる。判定器１０ｅは、上記矩形
波の中心間の時間、矩形波のオン時間、オフ時間により
リード線の良否を判定する。 【００１６】図７にリードの形状と、対応する受光器６
の受光量（出力信号) の一例を示す。同図（ａ）はリー
ド形状を示し、同図（ｂ）は受光器６の出力を示し、同
図（ｃ）は前記矩形波を示す。図７（ａ）（ｂ）に示す
ように、リードのピッチやスペース幅が変化すると、波
形のピークのピッチ、高さ、幅が変化する。リードの幅
が変化しても同様である。曲がりの場合、見かけ上、リ
ード幅やスペース幅が変化するので、同様に、ピッチ、
高さ、幅が変化する。また、これに応じて、矩形波のオ
ン時間、オフ時間が同図（ｃ）に示すように変化する。
制御部１０の判定器１０ｄは、上記矩形波の中心間の時
間、矩形波のオン時間、オフ時間からリードのピッチの
変化、リード幅の変化、また、スペース幅の変化を調べ
る。そして、ピッチ、リード幅、スペース幅があらかじ
め設定した許容範囲外になった場合、不良を検出したと
して不良信号を出力する。判定器１０ｄが不良を出力す
ると、例えば、該当のデバイスホールの近傍に不図示の
機構でマーキングをする。すなわち、パンチで穴を開け
たり、色を塗るなどして、該チップが一目で不良とわか
るようにする。なお、上記説明では、受光器１０の出力
を矩形波に変換して、オン時間、オフ時間からリードの
良否を判定しているが、図７（ｂ）に示す波形の高さ、
ピーク位置を検出し、ピッチ、リード幅、スペース幅を
求めてリードの良否を判定するようにしてもよい。ま
た、上記では、図６（ａ）の横軸が時間であるとして説
明したが、光走査部３に、図５に示した２軸ガルバノス
キャナーミラーを用いる場合には、図６（ａ）の横軸が
スキャン位置となり、矩形波の中心間の距離、矩形波が
オンとなっている距離、オフとなっている距離から、ピ
ッチ、リード幅、スペース幅等を求めてリードの良否を
判定する。 【００１７】 【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、リード群上でスポット状のレーザ光をスキャンし
て、リード群上を通過したレーザ光を受光器により受光
して、受光量の変化からリードの「ピッチ」、「リード
幅」、「スペース幅」 を求め、リードの良否を判定して
いるので、画像処理を用いることなくリードの良否を判
定することができ、高速に検査を行うことができるとと
もに、装置を安価に構成することができる。
式（ＴＡＢ：Tape Automated Bonding) の、集積回路
（以下、ＩＣという) の入出力用端子（以下、リードと
いう) の外観検査を行なうリード線検査装置に関し、特
に、高速に外観検査を行うことができるリード線検査装
置に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】半導体デバイスは、高集積化と高密度実
装の要求に対応して、リードの多ピン化と微小化が進ん
でいる。この多ピン化や微小化に有利なことから、半導
体チップをフィルムテープに設けた多数のリード線と接
続するＴＡＢが、広く用いられている。図８に、ＴＡＢ
の構造を示す。半導体チップ１１は、その周囲に、外部
との接続を行う電極１２ａ，１２ｂ，…からなる電極群
１２を有する。フィルムテープ１３は、その内部に半導
体チップ１１の外径よりも大きな開口部（デバイスホー
ル）１４を有している。フイルムテープ１３には、半導
体チップ１１を外部回路等と電気的に接続するための導
電体が挟み込まれており、その一端は、デバイスホール
１４の側辺から、その内側に向けて、複数のリード１５
ａ，１５ｂ，…として露出し、リード群１５を形成して
いる。リード群１５は、半導体チップ１１を所定位置に
セットすると、接続するべき電極群と重なるように設け
られており、多数の電極１２ａ，１２ｂ，…と多数のリ
ード１５ａ，１５ｂ，…は、一括してボンディングする
ことができる。図９に、ＴＡＢ方式でボンディングした
リードの拡大斜視図を示す。電極１２ａ，１２ｂ，…上
に形成されたバンプ（例えばはんだ）１６ａ，１６ｂ，
…上に、リード１５ａ，１５ｂ，…を配置して、ボンデ
ィングツールにより、加圧、加振、加熱等を行うことに
より、バンプ６ａ，６ｂ，…が媒体となって、ボンデイ
ングが行われる。 【０００３】通常のＴＡＢ製造工程においては、フィル
ムテープ１３（以下では、ＴＡＢテープともいう）と半
導体チップ１１とは、それぞれ異なるメーカで製造さ
れ、アッセンブリメーカにおいて両者が接合される。し
たがって、ＴＡＢテープは、ＴＡＢテープメーカから、
リード群１５がデバイスホールに中空に浮いている状態
で、完成品として出荷される。リード１５ａ，１５ｂ，
…は、例えば２０μｍ角で長さ６００μｍであり、何か
に触れると、簡単に曲がったり折れたりしてしまう。リ
ード曲がったり折れたりすると、半導体チップ１１の電
極１２ａ，１２ｂ，…と位置が一致しなくなるので、半
導体チップが取り付けられなくなる。したがって、ＴＡ
Ｂテープメーカでは、製造工程の中間時点や出荷前の時
点で、リードの曲がりや折れなどがないかどうか、外観
検査が行われている。図１０にリードの主な検査項目
（７種類）を示す。特に、出荷前の最終検査では、主と
して図１０のＮｏ．１の「曲がり」とＮｏ．２の「ピッ
チ」の外観検査が行われている。 【０００４】図１１に、従来のリード線検査装置の構成
例を示す。同図において、２３，２４は半導体チップ１
１の周囲を照明する照明手段であり、照明制御ユニット
２８により制御される。２５はＣＣＤカメラなどの撮像
手段であり、撮像手段２５と照明手段２３，２４とを組
みつけて光学ヘッド２６を構成する。ＸＹＺステージ２
２は、ステージ制御ユニット２９により制御され、光学
ヘッド２６をＸＹＺ方向（Ｘは例えば同図紙面左右方
向、Ｙは紙面前後方向、Ｚは紙面上下方向）に駆動し
て、半導体チップ１１に対して位置決めをする。また、
全体制御ユニット３０によりリード線検査装置各部の制
御が行われる。撮像手段２５より取り込まれた画像デー
タは、画像処理ユニット２７に送られる。画像処理ユニ
ット２７は、上記画像データを解析し、リードの曲が
り、ピッチ不良等を検査する。従来は、上記のように、
画像データを解析することにより、前記した各種の項目
を検査していた。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】従来のリード線検査装
置は、以下のような問題を有していた。撮像手段２５
（例えばＣＣＤカメラ) と画像処理ユニット２７を組み
合わせる必要があり、高価になる。また、画像処理ユニ
ット２７は、撮像された画像データを多数の画素に分割
して、記憶および演算処理を行うが、撮像手段２５に
は、リード周辺の本来は不必要な情報まで入力されるの
で、そのデータ量は膨大になり解析に時間がかかる。し
かも、半導体チップ１１の４辺について検査を行うの
で、1 個の製品に対して２〜３分の検査時間がかかる。
本発明は上記事情に鑑みなされたものであって、本発明
の目的は、安価で高速なリード線検査装置を実現するこ
とである。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明においては、上記
課題を次のようにして解決する。光源から放出されるス
ポット状のレーザ光をスキャンニングミラーによりスキ
ャンしてテープのリード群上に照射する。そして、リー
ド群を通過した光を受光器で受光し、受光器の出力を判
定手段に入力する。判定手段は、リード群を介して受光
した受光量の変化からリードの中心間の距離（ピッ
チ）、リードの幅（リード幅）、リード間の距離（スペ
ース幅）を検出し、リードの良否を判定する。すなわ
ち、スキャンニングミラーによりスキャンされたレーザ
光が複数本のリードが並列に配置されたリード群を通過
する際、レーザ光がリード上にあるとき受光器に入射す
る光量は少なくなり、また、リードの間を通過するとき
光量は大きくなる。したがって、上記レーザ光のリード
群上の各スキャン位置における受光量から、該スキャン
位置がリード上であるか、リード間であるかを判定する
ことができる。上記判定手段は、レーザ光のスキャンタ
イミングに対する受光量の変化を判定し、受光量の変化
周期、ピーク値等からピッチ、リード幅、スペース幅を
検出する。上記レーザ光のスキャンは、ガルバノスキャ
ナミラーやポリゴンミラー等のスキヤニングミラーを用
いることにより高速に行うことができ、また、判定手段
は、受光量の変化を判定すればよいので、画像処理不要
であり、リードの外観検査を高速に行うことができる。 【０００７】 【発明の実施の形態】図１に本発明の実施例のリード線
検査装置の構成を示す。図１はポリゴンミラーを回転さ
せてレーザ光を走査（スキャン）することにより、リー
ドの外観を検査する実施例を示している。図１におい
て、１は光源であり、光源としては例えばヘリウムネオ
ンレーザ（Ｈｅ−Ｎｅレーザ) が用いられる。光源１か
ら放射されるレーザ光は、光整形レンズ２により、所望
の大きさのスポット形状に整形される。整形された光
は、光走査部３に入射する。スポットの大きさは、リー
ドの太さ（十〜数十μｍ）や間隔（十〜数十μｍ）より
も小さいことが望ましい。なお、光源は、点光源ランプ
を用いても良い。光走査部３には、ポリゴンミラー駆動
部３ｂにより駆動されるポリゴンミラー３ａが設けら
れ、ポリゴンミラー３ａはスポット状に整形されたレー
ザ光を同図紙面の左右方向にスキャンする。なお、図１
に示したθはポリゴンミラー３ａによるレーザ光のスキ
ャン範囲を示す。ポリゴンミラー３ａに反射したレーザ
光は、ｆθレンズ４に入射する。ｆθレンズ４を出射し
たレーザ光のスキャン範囲には、検査の対象となるＴＡ
Ｂテープ１３のデバイスホール１４が配置される。な
お、図１ではＴＡＢテープ１３のデバイスホール１４に
半導体チップ１１が取り付けられている場合を示してい
るが、半導体チップ１１を取り付ける前に、ＴＡＢテー
プ１３のリードの状態を検査するようにしてもよい。Ｔ
ＡＢテープ１３は、不図示の搬送装置により、例えば同
図の紙面手前から紙面奥方向に連続搬送または間欠搬送
され、テープの搬送位置はテープ位置検出器１３ａによ
り検出される。なお、ＴＡＢテープの検査方法について
は後述する。ｆθレンズ４は、レーザ光がスキャンされ
る範囲において、焦点位置を同一平面にする。これによ
り、上記レーザ光は上記ＴＡＢテープ１３のリード群の
上に集光する。 【０００８】図２にＴＡＢテープ１３のデバイスホール
１４のリード群１５の配置とレーザ光のスキャン方向と
の関係を示す。同図に示すように、本実施例のＴＡＢテ
ープ１３のデバイスホールには、ＴＡＢテープの進行方
向に直交する２列のリード群１５が設けられており、ポ
リゴンミラー３ａを回転させることにより、レーザ光は
同図の白抜き矢印に示すように、リード群１５上をスキ
ャンする。スキャンする位置は、ＴＡＢテープ上のリー
ド群の配置および搬送の条件、即ち連続搬送であれば搬
送速度、間欠搬送であれば停止位置等に基き、あらかじ
め設定される。例えば、図２に示すように２列のリード
群１５ａ，１５ｂが配置されている場合には、ＴＡＢテ
ープに設けられたスプロケットホール、あるいは基準マ
ーク（アライメントマーク）の位置等をテープ位置検出
器１３ａにより検出し、この検出信号に基づきリード群
の位置を判定し、リード群がスキャン範囲内にきたと
き、それぞれのリード群上をスポット状のレーザ光によ
りスキャンする。図１の装置の場合には、一つのデバイ
スホールについて、図２の白抜き矢印のようにレーザ光
を２回スキャンする。なお、ＴＡＢテープ１３の搬送速
度に対して、レーザ光のスキャン速度は十分に速いの
で、ＴＡＢテープ１３が連続的に搬送される場合であっ
ても、図２に示すようにリード群１５の配列方向に略直
交する方向にレーザ光をスキャンすることができる。 【０００９】ｆθレンズ４から出射しデバイスホール１
４を通過したレーザ光は、図１に示す集光レンズ５によ
り集光され、受光器６に入力する。受光器６は、例えば
受光量に応じた電気信号を出力するアナログセンサであ
り、受光器６が出力する信号は、制御部１０の判定部１
０ａに入力される。制御部１０は、上記光源１、ＴＡＢ
テープ１３の搬送等を制御するとともに、テープ位置検
出器１３ａの出力に基づき、ポリゴンミラー駆動部３ｂ
によるポリゴンミラー３ａのスキャンを制御する。ま
た、判定部１０ａにおいて、レーザ光のスキャン位置、
または、スキャン開始からの時間と、受光器６の受光量
に応じた信号に基づき、リードの良否を判定する。判定
部１０ａには、例えば図１に示すように、受光器６の出
力信号を予め設定された所定値と比較して矩形波状の信
号にする比較器１０ｂと、比較器１０ｂが出力するオン
時間に応じた出力を発生するオン時間計数カウンタ１０
ｃと、比較器１０ｂのオフ時間に応じた出力を発生する
オフ時間計数カウンタ１０ｄと、判定器１０ｅとが設け
られ、判定器１０ｅは、後述するように上記オン時間、
オフ時間等に基づきリードの中心間の距離（ピッチ）、
リードの幅（リード幅）、リード間の距離（スペース
幅）を求めリードの良否を判定する。 【００１０】上記では１台の装置により２列のリード群
をスキャンする場合について説明したが、図１に示す装
置を２セット設け、上記２列のリード群１５ａ，１５ｂ
を、それぞれの装置から放射されるスポット状のレーザ
光によりスキャンしてもよい。また、図４に示すよう
に、ポリゴンミラーとガルバノスキャナミラーを組み合
わせた光走査部を用いて、２列のリード群をスキャンす
るように構成することもできる。なお、同図では、図１
に示したｆθレンズ４、集光レンズ５、受光器６等は省
略されている。図４において、１は前記したヘリウムネ
オンレーザ（Ｈｅ−Ｎｅレーザ) 等からなる光源、２は
光源から放射される光を所望の大きさのスポット形状に
整形する光整形レンズである。光整形レンズ２から出射
するスポット状のレーザ光はガルバノスキャナミラー７
に入射する。ガルバノスキャナミラー７は同図矢印に示
すように回動可能に取り付けられており、駆動手段７ａ
によりガルバノスキャナミラーを回動させることによ
り、レーザ光の反射方向が変わる。ガルバノスキャナミ
ラー７で反射した光は、ポリゴンミラー３ａに入射す
る。ポリゴンミラー３ａは駆動手段３ｂにより回転して
おり、前記したようにレーザ光は同図の上下方向にスキ
ャンされる。なお、同図のθは前記したようにポリゴン
ミラー３ａによるレーザ光のスキャン範囲を示す。レー
ザ光のスキャン範囲内には、検査の対象となるＴＡＢテ
ープ１３のデバイスホール１４が配置され、前記したよ
うにデバイスホール１４のリード群にスポット状のレー
ザ光が照射される。以上のようにしてデバイスホール１
４のリード群１５ａをスキャンし、リード群１５ａのス
キャンが終わったら、レーザ光がリード群１５ｂに照射
されるようにようにガルバノスキャナミラー７を回動さ
せ、上記と同様にレーザ光を上下方向にスキャンして、
リード群１５ｂにスポット状のレーザ光を照射する。 【００１１】以上では、図２に示すように２列のリード
群１５ａ，１５ｂが配置されたＴＡＢテープを検査する
構成を示したが、例えば図３に示すようにデバイスホー
ル１４の内周に沿って設けられた４列のリード群１５ａ
〜１５ｄを検査することもできる。図３に示す４列のリ
ード群の検査は以下のように実現することができる。 (1) 図１に示したリード線検査装置を２セット用意し、
それぞれのリード線検査装置をレーザ光のスキャン方向
が直交するように配置し、一方のリード線検査装置によ
りリード群１５ａ，１５ｂを検査し、他方のリード線検
査装置によりリード群１５ｃ，１５ｄを検査する。ま
た、図１に示すリード線検査装置を４セット設け、各リ
ード群１５ａ〜１５ｄをそれぞれの装置でスキャンし
て、各リード群１５ａ〜１５ｄを検査するようにしても
よい。 【００１２】(2) 図４に示す光走査部を備えたリード線
検査装置を用い、リード群１５ａ，１５ｂ上へのリーザ
光のスキャンは前記したようにポリゴンミラー３ａで行
い、リード群１５ａ，１５ｂ上へのレーザ光のスキャン
は、ガルバノスキャナミラー７を回動させて行う。 (3) 図５に示すように、光走査部３に、２軸ガルバノス
キャナーミラーを設け、レーザ光をデバイスホール１４
の各リード群の方向にスキャンして各リード群１５ａ〜
１５ｄを検査する。なお、同図では、ｆθレンズ４、集
光レンズ５、受光器６等は省略されている。同図に示す
ように、光源１から放射される光を光整形レンズ２によ
り所望の大きさのスポット形状に整形し、Ｘ軸ミラー８
ａ、Ｙ軸ミラー８ｂを介して、検査の対象となるＴＡＢ
テープ１３のデバイスホール１４に照射する。Ｘ軸ミラ
ー８ａ、Ｙ軸ミラー８ｂは回動可能に取り付けられてお
り、Ｘ軸スキャナー８ｃ、Ｙ軸スキャナー８ｄによりＸ
軸ミラー８ａ、Ｙ軸ミラー８ｂを回動させることによ
り、スポット状のレーザ光は同図の点線の範囲内でスキ
ャンされる。レーザ光のスキャン位置は、Ｘ軸スキャナ
ー８ｃ、Ｙ軸スキャナー８ｄに設けられた図示しないエ
ンコーダにより制御部１０にフィードバックされる。制
御部１０は、上記エンコーダの出力からレーザ光のスキ
ャン位置を求め、該スキャン位置と、受光器６の受光量
に応じた信号に基づき後述するようにリードの良否を判
定する。 【００１３】次に図１に示したリード線検査装置による
リード線の検査手順について説明する。なお、以下で
は、デバイスホール１４に設けられた一列のリード群の
検査について説明するが、図２、図３に示すようにデバ
イスホールに２列、４列のリード群が設けられている場
合も、各リード群がレーザ光によりスキャンされ、以下
に説明するのと同様に良否が判定される。また、以下で
は、図１に示すリード線検査装置による検査について説
明するが、図４、図５に示す光走査部を用いた場合に
も、レーザ光の走査手段が異なるだけで、以下に説明す
るのと同様にリード線の検査が行われる。 【００１４】（１）ＴＡＢテープ１３は、図示しない搬
送装置により、例えば図１の紙面手前から紙面奥方向に
連続搬送または間欠搬送されている。ＴＡＢテープに設
けられた図示しないスプロケットホールやその他のアラ
イメントマーク（基準マーク）の位置をテープ位置検出
器１３ａで検出し、制御部１０に送る。制御部１０は、
上記検出器１３ａの出力信号に基づいて、検査するリー
ド群が、レーザ光の走査範囲に入ったことを認識する。 （２）検査するリード群が、レーザ光の走査範囲に入る
と、制御部１０は光源１からレーザ光を出力させる。光
整形レンズ２により、レーザ光はスポット光形状に整形
され、光走査部３のポリゴンミラー３ａに入射する。ポ
リゴンミラー３ａに入射したレーザ光は、ポリゴンミラ
ー３ａにより、図２に示すようにデバイスホールのリー
ド群１５上をスキャンする。スキャンする位置は、ＴＡ
Ｂテープの種類と搬送の条件（連続搬送あるいは間欠搬
送）により定める。すなわち、連続搬送の場合には、Ｔ
ＡＢテープを所定の速度で搬送する。制御部１０はＴＡ
Ｂテープに設けられたスプロケットホールやその他のア
ライメントマーク（基準マーク）の検出信号に基づきス
キャンするタイミングを定め、リード群１５がスキャン
範囲内にきたときスキャンを開始する。また、間欠搬送
の場合には、ＴＡＢテープに設けられたスプロケットホ
ールやその他のアライメントマーク（基準マーク）の検
出信号に基づきリード群１５がスキャン範囲内にきたこ
とを検出し、ＴＡＢテープ１３の搬送を停止させ、スキ
ャンを開始する。そして、スキャンが終了するＴＡＢテ
ープ１３の搬送を開始し、次のリード群がスキャン範囲
内にくると、上記と同様にスキャンを開始する。 【００１５】（３）ＴＡＢテープ１３のデバイスホール
１４に設けられたリード群１５上をスキャンしたレーザ
光は、集光レンズ５で集光され、受光器６に受光され
る。スキャン光がリード群１５上を通過するときは、受
光器６に入射する光量は少なくなり、リード間を通過す
るときの光量は大きくなる。受光器６は、上記光量に応
じた信号を出力し、この信号は制御部１０の判定部１０
ａに入力される。上記受光器６の出力は、例えば図６
（ａ）に示すようになる。図６（ａ）において、横軸は
スキャン開始からの経過時間（あるいはスキャンしてい
る位置）、縦軸は、受光器６の出力信号の大きさであ
る。なお、ここでは、横軸が時間であるとして説明す
る。図６（ａ）に示すように、受光量のピーク−ピーク
間はリードのピッチを示し、受光量が所定値より小さく
なる期間の長さはリード幅を示し、受光量が所定値より
小さくなる期間の長さはリード幅を示している。また、
同図（ｂ）に示すように、上記受光量を矩形波に変換し
た場合には、矩形波の中心間の長さは、リードのピッチ
を示し、オフ時間はリード幅を示し、また、オン時間は
スペース幅を示す。したがって、リードが同じ太さで等
間隔で設けられていれば、図６（ａ）（ｂ）に示す波形
は、一定周期の信号となる。しかし、ピッチの変化、曲
がりがあると波形が乱れる。制御部１０の判定部１０ａ
では、上記信号を比較器１０ｂにおいて予め設定された
設定値と比較して、図６（ｂ）に示すように矩形波状の
信号に変換し、該矩形波状の信号をオン時間計数カウン
タ１０ｃ、オフ時間計数カウンタ１０ｄに入力する。オ
ン時間計数カウンタ１０ｃは、上記矩形波の立ち上がり
でクロック信号ＣＬＫの計数を開始し、該矩形波の立ち
下がりでクロック信号ＣＬＫの計数を停止する。そし
て、計数値を判定器１０ｅに出力した後、リセットされ
る。また、オフ時間計数カウンタ１０ｄは上記矩形波の
立ち下がりでクロック信号ＣＬＫの計数を開始し、該矩
形波の立ち上がりでクロック信号ＣＬＫの計数を停止す
る。そして、計数値を判定器１０ｅに出力した後、リセ
ットされる。したがって、オン時間計数カウンタ１０ｃ
の出力は、上記矩形波のオン時間に対応した値となり、
オフ時間計数カウンタ１０ｄの出力は、上記矩形波のオ
フ時間に対応した値となる。判定器１０ｅは、上記矩形
波の中心間の時間、矩形波のオン時間、オフ時間により
リード線の良否を判定する。 【００１６】図７にリードの形状と、対応する受光器６
の受光量（出力信号) の一例を示す。同図（ａ）はリー
ド形状を示し、同図（ｂ）は受光器６の出力を示し、同
図（ｃ）は前記矩形波を示す。図７（ａ）（ｂ）に示す
ように、リードのピッチやスペース幅が変化すると、波
形のピークのピッチ、高さ、幅が変化する。リードの幅
が変化しても同様である。曲がりの場合、見かけ上、リ
ード幅やスペース幅が変化するので、同様に、ピッチ、
高さ、幅が変化する。また、これに応じて、矩形波のオ
ン時間、オフ時間が同図（ｃ）に示すように変化する。
制御部１０の判定器１０ｄは、上記矩形波の中心間の時
間、矩形波のオン時間、オフ時間からリードのピッチの
変化、リード幅の変化、また、スペース幅の変化を調べ
る。そして、ピッチ、リード幅、スペース幅があらかじ
め設定した許容範囲外になった場合、不良を検出したと
して不良信号を出力する。判定器１０ｄが不良を出力す
ると、例えば、該当のデバイスホールの近傍に不図示の
機構でマーキングをする。すなわち、パンチで穴を開け
たり、色を塗るなどして、該チップが一目で不良とわか
るようにする。なお、上記説明では、受光器１０の出力
を矩形波に変換して、オン時間、オフ時間からリードの
良否を判定しているが、図７（ｂ）に示す波形の高さ、
ピーク位置を検出し、ピッチ、リード幅、スペース幅を
求めてリードの良否を判定するようにしてもよい。ま
た、上記では、図６（ａ）の横軸が時間であるとして説
明したが、光走査部３に、図５に示した２軸ガルバノス
キャナーミラーを用いる場合には、図６（ａ）の横軸が
スキャン位置となり、矩形波の中心間の距離、矩形波が
オンとなっている距離、オフとなっている距離から、ピ
ッチ、リード幅、スペース幅等を求めてリードの良否を
判定する。 【００１７】 【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、リード群上でスポット状のレーザ光をスキャンし
て、リード群上を通過したレーザ光を受光器により受光
して、受光量の変化からリードの「ピッチ」、「リード
幅」、「スペース幅」 を求め、リードの良否を判定して
いるので、画像処理を用いることなくリードの良否を判
定することができ、高速に検査を行うことができるとと
もに、装置を安価に構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例のリード線検査装置の構成を示
す図である。 【図２】デバイスホールにおけるリード群の配置とレー
ザ光のスキャン方向との関係を示す図である。 【図３】デバイスホールの内周に沿って４列のリード群
が設けられた場合を示す図である。 【図４】ポリゴンミラーとガルバノスキャナミラーを組
み合わせた光走査部の構成例を示す図である。 【図５】２軸ガルバノスキャナーミラーを用いた光走査
部の構成例を示す図である。 【図６】受光器の出力信号波形とピッチ、リード幅、ス
ペース幅の関係を示す図である。 【図７】リードの形状と対応する受光器の受光量の一例
を示す図である。 【図８】ＴＡＢの構造の一例を示す図である。 【図９】ＴＡＢ方式でボンディングしたリードの拡大斜
視図である。 【図１０】リードの主な検査項目を示す図である。 【図１１】従来のリード線検査装置の構成を示す図であ
る。 【符号の説明】 １ 光源 ２ 光整形レンズ ３ 光走査部 ３ａ ポリゴンミラー ４ ｆθレンズ ５ 集光レンズ ６ 受光器 １０ 制御部 ７ ガルバノスキャナミラー ８ａ Ｘ軸ミラー ８ｂ Ｙ軸ミラー ８ｃ Ｘ軸スキャナー ８ｄ Ｙ軸スキャナー １３ ＴＡＢテープ １４ デバイスホール １５，１５ａ〜１５ｄ リード群
す図である。 【図２】デバイスホールにおけるリード群の配置とレー
ザ光のスキャン方向との関係を示す図である。 【図３】デバイスホールの内周に沿って４列のリード群
が設けられた場合を示す図である。 【図４】ポリゴンミラーとガルバノスキャナミラーを組
み合わせた光走査部の構成例を示す図である。 【図５】２軸ガルバノスキャナーミラーを用いた光走査
部の構成例を示す図である。 【図６】受光器の出力信号波形とピッチ、リード幅、ス
ペース幅の関係を示す図である。 【図７】リードの形状と対応する受光器の受光量の一例
を示す図である。 【図８】ＴＡＢの構造の一例を示す図である。 【図９】ＴＡＢ方式でボンディングしたリードの拡大斜
視図である。 【図１０】リードの主な検査項目を示す図である。 【図１１】従来のリード線検査装置の構成を示す図であ
る。 【符号の説明】 １ 光源 ２ 光整形レンズ ３ 光走査部 ３ａ ポリゴンミラー ４ ｆθレンズ ５ 集光レンズ ６ 受光器 １０ 制御部 ７ ガルバノスキャナミラー ８ａ Ｘ軸ミラー ８ｂ Ｙ軸ミラー ８ｃ Ｘ軸スキャナー ８ｄ Ｙ軸スキャナー １３ ＴＡＢテープ １４ デバイスホール １５，１５ａ〜１５ｄ リード群
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Ｆターム(参考） 2F065 AA22 CC27 DD06 FF02 FF67
GG05 GG12 HH04 HH15 LL13
LL15 LL62 MM16 QQ25 QQ51
2G051 AA65 AB14 BA10 BB09 BB11
BC06 DA06 EA11 EA16 EB01
5F044 MM13 MM25 MM49
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 テープの開口部分に形成されるリードを
被検査部として検査するリード線検査装置であって、 スポット光を放射する光源と、上記スポット光を上記テ
ープの被検査部に対し走査するスキャニングミラーと、 上記スキャニングミラーと上記被検査部との間に設けら
れたｆθレンズと、 被検査部に対して、上記ｆθレンズとは反対側に設けら
れ、被検査部を通過したスポット光を受光し、受光量に
応じた信号を出力する受光器と、 上記受光器からの信号を入力し、受光器の受光量の変化
により被検査部の良、不良を判定する判定手段とを備え
たことを特徴とするテープの開口部に形成されるリード
線の検査装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001382563A JP2003185415A (ja) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | リード線検査装置 |
| TW091122767A TW577973B (en) | 2001-12-17 | 2002-10-02 | Inspection apparatus for lead wire |
| KR1020020077777A KR20030051249A (ko) | 2001-12-17 | 2002-12-09 | 리드선 검사 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001382563A JP2003185415A (ja) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | リード線検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003185415A true JP2003185415A (ja) | 2003-07-03 |
Family
ID=27592863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001382563A Pending JP2003185415A (ja) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | リード線検査装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003185415A (ja) |
| KR (1) | KR20030051249A (ja) |
| TW (1) | TW577973B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010054290A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Kanto Auto Works Ltd | 照明装置、および表面検査装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100522741B1 (ko) * | 2003-11-20 | 2005-10-19 | 엘에스전선 주식회사 | 레이저빔을 이용한 리드프레임 리드의 검사장치 및리드프레임 리드의 검사방법 |
| KR101941580B1 (ko) * | 2017-09-29 | 2019-01-24 | 휴멘 주식회사 | 표면형상 측정장치 |
-
2001
- 2001-12-17 JP JP2001382563A patent/JP2003185415A/ja active Pending
-
2002
- 2002-10-02 TW TW091122767A patent/TW577973B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-12-09 KR KR1020020077777A patent/KR20030051249A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010054290A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Kanto Auto Works Ltd | 照明装置、および表面検査装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20030051249A (ko) | 2003-06-25 |
| TW577973B (en) | 2004-03-01 |
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