JP2003185369A - 冷却装置、電子機器装置及び冷却装置の製造方法 - Google Patents
冷却装置、電子機器装置及び冷却装置の製造方法Info
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型薄型で、かつ、冷却性能が高い冷却装
置、電子機器装置及び冷却装置の製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】冷却装置１は、一対の熱拡散性の低い材料
として例えばガラスからなる矩形状の第１のガラス基板
２及び第２のガラス基板３がシリコン部材４を介して接
合されている。これらの基板２、３の接合面には、溝５
及び溝６が形成されている。この溝５、６は、これらの
基板２、３が接合した際にループ状のヒートパイプとし
て機能するように形成されている。
置、電子機器装置及び冷却装置の製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】冷却装置１は、一対の熱拡散性の低い材料
として例えばガラスからなる矩形状の第１のガラス基板
２及び第２のガラス基板３がシリコン部材４を介して接
合されている。これらの基板２、３の接合面には、溝５
及び溝６が形成されている。この溝５、６は、これらの
基板２、３が接合した際にループ状のヒートパイプとし
て機能するように形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばパソコンや
ディジタルカメラ等に用いられるカード型の記憶媒体の
ドライバから発っせられる熱を冷却するために用いられ
る冷却装置及びその製造方法に関する。また、本発明
は、このような冷却装置を搭載するパソコンやディジタ
ルカメラ等の電子機器装置に関するものである。
ディジタルカメラ等に用いられるカード型の記憶媒体の
ドライバから発っせられる熱を冷却するために用いられ
る冷却装置及びその製造方法に関する。また、本発明
は、このような冷却装置を搭載するパソコンやディジタ
ルカメラ等の電子機器装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】メモリスティック（登録商標）、スマー
トメディア（登録商標）、コンパクトフラッシュ（登録
商標）等の記憶媒体は、フロッピィ−ディスク等の従来
のもと比べて小型かつ薄型であり、しかも記憶容量も非
常に大きくすることが可能であることから、パソコンや
ディジタルカメラ等の電子機器装置に汎用されるように
なってきている。
トメディア（登録商標）、コンパクトフラッシュ（登録
商標）等の記憶媒体は、フロッピィ−ディスク等の従来
のもと比べて小型かつ薄型であり、しかも記憶容量も非
常に大きくすることが可能であることから、パソコンや
ディジタルカメラ等の電子機器装置に汎用されるように
なってきている。
【０００３】これらの記憶媒体はフラッシュメモリとド
ライバとを一体的に有するものや、ドライバが装置本体
や別のカード等に搭載されたものがあるが、いずれにし
ても最近では相当大容量化してきている。
ライバとを一体的に有するものや、ドライバが装置本体
や別のカード等に搭載されたものがあるが、いずれにし
ても最近では相当大容量化してきている。
【０００４】ところで、このように記憶媒体の記憶容量
が大容量化してくると、上記のドライバから多大な熱が
発生し、動作不良等の問題を生じる。
が大容量化してくると、上記のドライバから多大な熱が
発生し、動作不良等の問題を生じる。
【０００５】そこで、例えば電子機器装置側に冷却装置
を設けることが考えられ、そのような冷却方法としてヒ
ートパイプを用いた技術が挙げられる。
を設けることが考えられ、そのような冷却方法としてヒ
ートパイプを用いた技術が挙げられる。
【０００６】ヒートパイプとは、管の内壁に毛細管構造
を持たせた金属製パイプであり、内部は真空で、少量の
水もしくは代替フロンなどが封入されている。ヒートパ
イプの一端を熱源に接触させて加熱すると、内部の液体
が蒸発して気化し、このとき潜熱（気化熱）として、熱
が取り込まれる。そして、低温部へ高速に（ほぼ音速
で）移動し、そこで、冷やされてまた液体に戻り、熱を
放出する（凝縮潜熱による熱放出）。液体は毛細管構造
を通って（もしくは重力によって）元の場所へ戻るの
で、連続的に効率よく熱を移動させることができる。
を持たせた金属製パイプであり、内部は真空で、少量の
水もしくは代替フロンなどが封入されている。ヒートパ
イプの一端を熱源に接触させて加熱すると、内部の液体
が蒸発して気化し、このとき潜熱（気化熱）として、熱
が取り込まれる。そして、低温部へ高速に（ほぼ音速
で）移動し、そこで、冷やされてまた液体に戻り、熱を
放出する（凝縮潜熱による熱放出）。液体は毛細管構造
を通って（もしくは重力によって）元の場所へ戻るの
で、連続的に効率よく熱を移動させることができる。
【０００７】しかしながら、従来のヒートパイプは管状
であり空間的に大掛かりな装置となるので、小型薄型化
が求められるパソコンやディジタルカメラ等の電子機器
装置の冷却装置には不向きである。
であり空間的に大掛かりな装置となるので、小型薄型化
が求められるパソコンやディジタルカメラ等の電子機器
装置の冷却装置には不向きである。
【０００８】そこで、ヒートパイプを小型化するため
に、シリコン基板とガラス基板との各接合面上に溝を形
成し、これらの基板を接合することによってヒートパイ
プを構成する流路を基板間に形成した冷却装置が提案さ
れている。なお、上記の接合の際には、少量の水もしく
は代替フロンなどが封入され、それらが、ヒートパイプ
内で状態変化を起こすことによって、ヒートパイプとし
ての役割を果たすものである。
に、シリコン基板とガラス基板との各接合面上に溝を形
成し、これらの基板を接合することによってヒートパイ
プを構成する流路を基板間に形成した冷却装置が提案さ
れている。なお、上記の接合の際には、少量の水もしく
は代替フロンなどが封入され、それらが、ヒートパイプ
内で状態変化を起こすことによって、ヒートパイプとし
ての役割を果たすものである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようにシリコン基板を用いてヒートパイプを構成する
と、シリコン自体の熱伝導性がよいため、冷却すべき対
象物からの熱がシリコン基板表面で拡散してしまい、内
部の液体の気化が不十分であったり、或いは全く気化せ
ず、ヒートパイプとしての機能が十分に発揮しないとい
う問題がある。
ようにシリコン基板を用いてヒートパイプを構成する
と、シリコン自体の熱伝導性がよいため、冷却すべき対
象物からの熱がシリコン基板表面で拡散してしまい、内
部の液体の気化が不十分であったり、或いは全く気化せ
ず、ヒートパイプとしての機能が十分に発揮しないとい
う問題がある。
【００１０】そこで、本発明は、上記事情に鑑みてなさ
れたものであり、小型薄型で、かつ、冷却性能が高い冷
却装置、電子機器装置及び冷却装置の製造方法を提供す
ることを目的としている。
れたものであり、小型薄型で、かつ、冷却性能が高い冷
却装置、電子機器装置及び冷却装置の製造方法を提供す
ることを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】かかる課題を達成するた
め、本発明の第１の観点に係る冷却装置は、シリコンよ
りも熱伝導性が低い材料からなり、相互に対向して配置
され、各対向面にヒートパイプを構成するための溝が形
成された一対の第１及び第２の基板と、前記第１の基板
と前記第２の基板との間に介在され、前記第１の基板と
前記第２の基板とを接着するための接着部材とを具備す
ることを特徴とする。
め、本発明の第１の観点に係る冷却装置は、シリコンよ
りも熱伝導性が低い材料からなり、相互に対向して配置
され、各対向面にヒートパイプを構成するための溝が形
成された一対の第１及び第２の基板と、前記第１の基板
と前記第２の基板との間に介在され、前記第１の基板と
前記第２の基板とを接着するための接着部材とを具備す
ることを特徴とする。
【００１２】本発明では、２枚の基板が接合し、その対
向する面上の溝がヒートパイプの流路を構成するので、
小型薄型化が可能となる。加えて、ヒートパイプを構成
する材料が、シリコンよりも熱伝導性の低いので、熱拡
散を防ぐことができる。これによって、冷却性能が良く
なり、ヒートパイプとしての機能を十分に果たすことが
できる。さらに、２枚の基板の接合は、接着部材を介し
て行っているので、確実に密着することが可能となる。
すなわち、基板の材料として、シリコンよりも熱伝導性
の低いガラスやプラスチック等を用いると、加工性にお
いても実用化が可能であるが、これらの基板間は接着性
が悪くなる。そこで、本発明では、これを補完するため
に基板間に接着部材を介在させている。なお、その場合
の組み合わせとしては、２枚の基板ともガラス基板同
士、プラスチック基板同士、或いは一方がガラス基板で
他方がプラスチック基板であってもよい。また、接着部
材としては加工性や経済性等の観点からシリコンや銅等
を用いることがより好ましい。
向する面上の溝がヒートパイプの流路を構成するので、
小型薄型化が可能となる。加えて、ヒートパイプを構成
する材料が、シリコンよりも熱伝導性の低いので、熱拡
散を防ぐことができる。これによって、冷却性能が良く
なり、ヒートパイプとしての機能を十分に果たすことが
できる。さらに、２枚の基板の接合は、接着部材を介し
て行っているので、確実に密着することが可能となる。
すなわち、基板の材料として、シリコンよりも熱伝導性
の低いガラスやプラスチック等を用いると、加工性にお
いても実用化が可能であるが、これらの基板間は接着性
が悪くなる。そこで、本発明では、これを補完するため
に基板間に接着部材を介在させている。なお、その場合
の組み合わせとしては、２枚の基板ともガラス基板同
士、プラスチック基板同士、或いは一方がガラス基板で
他方がプラスチック基板であってもよい。また、接着部
材としては加工性や経済性等の観点からシリコンや銅等
を用いることがより好ましい。
【００１３】本発明の第２の観点に係る電子機器装置
は、フラッシュメモリを有するカード型の記憶媒体が着
脱可能なスロットを有し、前記記憶媒体側、当該装置側
又は当該装置とは分離された部位にドライバを有する電
子機器装置であって、前記ドライバから発せられる熱を
冷却するために、上記構成の冷却装置を具備することを
特徴とするものである。
は、フラッシュメモリを有するカード型の記憶媒体が着
脱可能なスロットを有し、前記記憶媒体側、当該装置側
又は当該装置とは分離された部位にドライバを有する電
子機器装置であって、前記ドライバから発せられる熱を
冷却するために、上記構成の冷却装置を具備することを
特徴とするものである。
【００１４】本発明では、上記構成の、すなわち小型薄
型化しかつ冷却性能の良い冷却装置を搭載することにな
るので、電子機器装置自体が小型薄型化して動作不良等
が生じることもない。
型化しかつ冷却性能の良い冷却装置を搭載することにな
るので、電子機器装置自体が小型薄型化して動作不良等
が生じることもない。
【００１５】本発明の第３の観点に係る冷却装置の製造
方法は、シリコンよりも熱伝導性が低い材料からなる第
１及び第２の基板の各表面にヒートパイプを構成するた
めの溝を形成する工程と、前記第１の基板又は前記第２
の基板の表面に、前記第１の基板と前記第２の基板とを
接着するための接着部材を形成する工程と、前記接着部
材を介して前記第１の基板の表面と前記第２の基板の表
面とを接合する工程とを具備することを特徴とする。
方法は、シリコンよりも熱伝導性が低い材料からなる第
１及び第２の基板の各表面にヒートパイプを構成するた
めの溝を形成する工程と、前記第１の基板又は前記第２
の基板の表面に、前記第１の基板と前記第２の基板とを
接着するための接着部材を形成する工程と、前記接着部
材を介して前記第１の基板の表面と前記第２の基板の表
面とを接合する工程とを具備することを特徴とする。
【００１６】本発明は、上記構成の冷却装置を効率よく
確実に製造することが可能となる。
確実に製造することが可能となる。
【００１７】本発明の一の形態によれば、上述に記載の
冷却装置の製造方法において、前記接合工程は、陽極接
合、超音波接合又は熱融着接合であることを特徴とす
る。このような構成によれば、効率的に、かつ、確実に
接合することが可能である。
冷却装置の製造方法において、前記接合工程は、陽極接
合、超音波接合又は熱融着接合であることを特徴とす
る。このような構成によれば、効率的に、かつ、確実に
接合することが可能である。
【００１８】本発明の一の形態によれば、上述に記載の
冷却装置の製造方法において、前記接着部材形成工程
は、スパッタリングにより接着部材を形成することを特
徴とする。このような構成によれば、材質の制約なしに
均一で薄膜を形成することができる。これによって、基
板を接着してヒートパイプを形成する際に、接着部材の
凹凸がないので確実に密着することが可能である。
冷却装置の製造方法において、前記接着部材形成工程
は、スパッタリングにより接着部材を形成することを特
徴とする。このような構成によれば、材質の制約なしに
均一で薄膜を形成することができる。これによって、基
板を接着してヒートパイプを形成する際に、接着部材の
凹凸がないので確実に密着することが可能である。
【００１９】本発明の一の形態によれば、上述のうちい
ずれかに記載の冷却装置の製造方法において、前記溝形
成工程は、ケミカルエッチング又はパウダービームエッ
チングにより溝を形成することを特徴とする。このよう
な構成によれば、ケミカルエッチングもパウダービーム
エッチングなどは、例えば微細な粒子によるので、溝を
形成する際に細部まで行き渡ることが可能である。これ
によって、溝が確実に形成されるので、ヒートパイプと
しての機能を確実に果たすことができる。
ずれかに記載の冷却装置の製造方法において、前記溝形
成工程は、ケミカルエッチング又はパウダービームエッ
チングにより溝を形成することを特徴とする。このよう
な構成によれば、ケミカルエッチングもパウダービーム
エッチングなどは、例えば微細な粒子によるので、溝を
形成する際に細部まで行き渡ることが可能である。これ
によって、溝が確実に形成されるので、ヒートパイプと
しての機能を確実に果たすことができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。 （冷却装置）図１は本発明の冷却装置を分解した斜視図
であり、図２は冷却装置の組み立てた状態の断面図であ
る。
に基づき説明する。 （冷却装置）図１は本発明の冷却装置を分解した斜視図
であり、図２は冷却装置の組み立てた状態の断面図であ
る。
【００２１】図１及び図２に示すように、冷却装置１
は、一対の例えばパイレックス（登録商標）ガラス又は
コーニング７７４０ガラスからなる矩形状の第１のガラ
ス基板２と第２のガラス基板３とがシリコン部材４を介
して接合されている。これら基板２、３の接合面には、
溝５及び溝６が形成されている。その溝５、６は、これ
ら基板２、３が接合した際にループ状のヒートパイプと
して機能するように形成されている。
は、一対の例えばパイレックス（登録商標）ガラス又は
コーニング７７４０ガラスからなる矩形状の第１のガラ
ス基板２と第２のガラス基板３とがシリコン部材４を介
して接合されている。これら基板２、３の接合面には、
溝５及び溝６が形成されている。その溝５、６は、これ
ら基板２、３が接合した際にループ状のヒートパイプと
して機能するように形成されている。
【００２２】これら各基板２、３はガラスからなるた
め、熱拡散性が低くヒートパイプとしては有用である
が、ガラス基板２、３同士の接合は接着性が低いため、
シリコン部材４を介することにより確実に接合を行うこ
とができる。
め、熱拡散性が低くヒートパイプとしては有用である
が、ガラス基板２、３同士の接合は接着性が低いため、
シリコン部材４を介することにより確実に接合を行うこ
とができる。
【００２３】以下、図３及び図４を用いて各基板２、３
に形成された溝の構成について説明する。
に形成された溝の構成について説明する。
【００２４】図３に示すように、第１のガラス基板２の
表面２ａには、溝５が形成されている。この溝５は、液
体及び気体が流れる流路と、液を供給する貯蔵タンクと
から主要部が構成されている。より具体的には、溝５と
して水などの液体が流れる流路７があり、液体はその流
路７から後述のウィック８へ導入される。導入された液
体はウィック８により気体になり、気体受部９へ導入さ
れる。その気体は、流路１０からラジエータ１１へ導入
され凝縮され液体に変化し、低温部１２へ移動する。さ
らに、また流路７へ戻る。そのようにして液体と気体の
循環が行われる。
表面２ａには、溝５が形成されている。この溝５は、液
体及び気体が流れる流路と、液を供給する貯蔵タンクと
から主要部が構成されている。より具体的には、溝５と
して水などの液体が流れる流路７があり、液体はその流
路７から後述のウィック８へ導入される。導入された液
体はウィック８により気体になり、気体受部９へ導入さ
れる。その気体は、流路１０からラジエータ１１へ導入
され凝縮され液体に変化し、低温部１２へ移動する。さ
らに、また流路７へ戻る。そのようにして液体と気体の
循環が行われる。
【００２５】リザーバ１３と貯蔵部１４には、液体が貯
蔵される。リザーバ１３内の液体は、気体受部９内の液
量がある一定以下になったときに流入するようになって
いる。また、貯蔵部１４内の液体は低温部１２内の液量
がある一定以下になったときに流入するようになってい
る。つまり、リザーバ１３と貯蔵部１４は、ヒートパイ
プ内がドライアウトしないようにするために液体を貯蔵
してあり、必要に応じて液体がこれらのリザーバ１３と
貯蔵部１４内に流入するようになっている。
蔵される。リザーバ１３内の液体は、気体受部９内の液
量がある一定以下になったときに流入するようになって
いる。また、貯蔵部１４内の液体は低温部１２内の液量
がある一定以下になったときに流入するようになってい
る。つまり、リザーバ１３と貯蔵部１４は、ヒートパイ
プ内がドライアウトしないようにするために液体を貯蔵
してあり、必要に応じて液体がこれらのリザーバ１３と
貯蔵部１４内に流入するようになっている。
【００２６】また、ガラス基板２、３の中央であり流路
７、１０に近接する位置には断熱ホール１５が設けられ
ている。これによって、熱拡散が防止されるようになっ
ている。
７、１０に近接する位置には断熱ホール１５が設けられ
ている。これによって、熱拡散が防止されるようになっ
ている。
【００２７】図４に示すように、第２の基板３の表面３
ｂには、溝６が形成されている。その溝６は、ウィック
８とラジエータ１１と断熱ホール１６とからなる。
ｂには、溝６が形成されている。その溝６は、ウィック
８とラジエータ１１と断熱ホール１６とからなる。
【００２８】ウィック８は、冷却部として機能するもの
で、流路７またはリザーバ１３から導入された液体を気
化し、気化した気体を気体受部９へ流入させる。
で、流路７またはリザーバ１３から導入された液体を気
化し、気化した気体を気体受部９へ流入させる。
【００２９】ラジエータ１１は、流路１０から導入され
た気体を液体へ凝縮させ、低温部１２へ循環させる。
た気体を液体へ凝縮させ、低温部１２へ循環させる。
【００３０】また上述した断熱ホール１５と対向した位
置には、断熱ホール１６が設けられている。これら断熱
ホール１５、１６は、熱拡散性を防止するために、基板
２、３上に溝として設けられている。
置には、断熱ホール１６が設けられている。これら断熱
ホール１５、１６は、熱拡散性を防止するために、基板
２、３上に溝として設けられている。
【００３１】図５は、第１のガラス基板２と第２のガラ
ス基板３とをシリコン部材４を介して接合した状態を示
している。
ス基板３とをシリコン部材４を介して接合した状態を示
している。
【００３２】これら第１のガラス基板２と第２のガラス
基板３との接合により構成されるヒートパイプの内部に
は液体が封入されている。そして、封入された液体はヒ
ートパイプ内で液体から気体または気体から液体へと状
態変化させながら循環をすることによって熱移動を行わ
せ、これにより冷却装置１として機能する。
基板３との接合により構成されるヒートパイプの内部に
は液体が封入されている。そして、封入された液体はヒ
ートパイプ内で液体から気体または気体から液体へと状
態変化させながら循環をすることによって熱移動を行わ
せ、これにより冷却装置１として機能する。
【００３３】以下、その液体／気体の循環の様子を便宜
的に流路７を始点として説明する。
的に流路７を始点として説明する。
【００３４】まず、液体が流路７からウィック８へ流入
する。その際にウィック８に流入する液体の量が所定以
下であるときにはドライアウトを回避するために、リザ
ーバ１３から不足分の液体が供給されるようになってい
る。
する。その際にウィック８に流入する液体の量が所定以
下であるときにはドライアウトを回避するために、リザ
ーバ１３から不足分の液体が供給されるようになってい
る。
【００３５】ウィック８に流入した液体は、加熱され沸
騰する。沸騰することによって気化した気体は、気体受
部９に流入される。この気体は流路１０を介してラジエ
ータ１１へ流入し、液体に凝縮される。このとき凝縮さ
れた液体はラジエータ１１の下部に配置される低温部１
２へ流入する。この液体は、低温部１２から流路７へ再
度循環される。また、低温部１２からこの流路７へ流入
する液体の量が所定以下の場合には液体貯蔵部１４に貯
蔵された液体が低温部１２へ流入するようになってい
る。
騰する。沸騰することによって気化した気体は、気体受
部９に流入される。この気体は流路１０を介してラジエ
ータ１１へ流入し、液体に凝縮される。このとき凝縮さ
れた液体はラジエータ１１の下部に配置される低温部１
２へ流入する。この液体は、低温部１２から流路７へ再
度循環される。また、低温部１２からこの流路７へ流入
する液体の量が所定以下の場合には液体貯蔵部１４に貯
蔵された液体が低温部１２へ流入するようになってい
る。
【００３６】なお、本実施形態では、基板の材料として
ガラスを用いたが、他に材料、例えばプラスチックを用
いても良いし、ガラス基板とプラスチック基板との組み
合わせであっても良い。さらに、本発明では、シリコン
よりも熱伝導性の低い材料であれば、それを基板の材料
として用いることが可能である。
ガラスを用いたが、他に材料、例えばプラスチックを用
いても良いし、ガラス基板とプラスチック基板との組み
合わせであっても良い。さらに、本発明では、シリコン
よりも熱伝導性の低い材料であれば、それを基板の材料
として用いることが可能である。
【００３７】図６は基板上をある一定時間で熱が拡散し
た領域を模式的に図に示したもので、図６（ａ）は基板
の材料としてシリコンを用いた場合を示し、図６（ｂ）
は基板の材料としてガラスを用いた場合を示している。
た領域を模式的に図に示したもので、図６（ａ）は基板
の材料としてシリコンを用いた場合を示し、図６（ｂ）
は基板の材料としてガラスを用いた場合を示している。
【００３８】図６（ａ）に示すように、シリコン基板の
熱源Ａ−１（ウィック）の熱は矢印に示すように熱が広
域にわたり拡散する（Ａ−2）。これに対して図６
（ｂ）に示すようにガラス基板２、３の熱源Ｂ−１（ウ
ィック）の熱は矢印に示すように熱がそれほど広い領域
まで拡散しない（Ｂ−２）。
熱源Ａ−１（ウィック）の熱は矢印に示すように熱が広
域にわたり拡散する（Ａ−2）。これに対して図６
（ｂ）に示すようにガラス基板２、３の熱源Ｂ−１（ウ
ィック）の熱は矢印に示すように熱がそれほど広い領域
まで拡散しない（Ｂ−２）。
【００３９】ヒートパイプとして機能するためには、ウ
ィックに一定以上の熱が集中しなければならないが、図
６（ａ）に示したように基板の材料がシリコンからなる
場合には熱の拡散が大きくその機能を十分に果たさな
い。これに対して、本発明では、図６（ｂ）に示したよ
うに基板の材料がガラスやプラスチックからなる場合に
は熱の拡散が規制され、つまり熱がウィックに集中し、
ヒートパイプとしての機能を十分に果たすことになる。 （冷却装置の製造方法）図７は冷却装置の製造工程を示
したものである。
ィックに一定以上の熱が集中しなければならないが、図
６（ａ）に示したように基板の材料がシリコンからなる
場合には熱の拡散が大きくその機能を十分に果たさな
い。これに対して、本発明では、図６（ｂ）に示したよ
うに基板の材料がガラスやプラスチックからなる場合に
は熱の拡散が規制され、つまり熱がウィックに集中し、
ヒートパイプとしての機能を十分に果たすことになる。 （冷却装置の製造方法）図７は冷却装置の製造工程を示
したものである。
【００４０】まず、基板２、３上にヒートパイプを構成
する溝を形成する（ステップ７０１）。下側に配置され
る第１のガラス基板２の表面２ａには、流路と液を貯蔵
する貯蔵タンクと断熱ホール１５用の溝を形成する。ま
た、上側に配置される第２のガラス基板３の表面３ｂ上
には、液体から気体へ状態変化させる機能を有するウィ
ック８と気体から液体へ状態変化させる機能を有するラ
ジエータ１１と断熱ホール用の溝を形成する。
する溝を形成する（ステップ７０１）。下側に配置され
る第１のガラス基板２の表面２ａには、流路と液を貯蔵
する貯蔵タンクと断熱ホール１５用の溝を形成する。ま
た、上側に配置される第２のガラス基板３の表面３ｂ上
には、液体から気体へ状態変化させる機能を有するウィ
ック８と気体から液体へ状態変化させる機能を有するラ
ジエータ１１と断熱ホール用の溝を形成する。
【００４１】次に、第２のガラス基板３上の表面３ｂに
例えばスパッタリングにより接着部材としてのシリコン
薄膜を形成する（ステップ７０２）。ガラス基板２、３
は、熱拡散性が低くヒートパイプとしての機能を十分に
発揮するが、ガラス基板２、３同士の接合に対しては密
着性が低く適さないという問題があるため、第２のガラ
ス基板３の表面３ｂにシリコン薄膜を形成し、密着性を
向上させている。なお、シリコン薄膜の膜厚は約２００
〜５００ｎｍが好ましい。また、スパッタリングは第1
のガラス基板２の表面に行っても勿論構わない。
例えばスパッタリングにより接着部材としてのシリコン
薄膜を形成する（ステップ７０２）。ガラス基板２、３
は、熱拡散性が低くヒートパイプとしての機能を十分に
発揮するが、ガラス基板２、３同士の接合に対しては密
着性が低く適さないという問題があるため、第２のガラ
ス基板３の表面３ｂにシリコン薄膜を形成し、密着性を
向上させている。なお、シリコン薄膜の膜厚は約２００
〜５００ｎｍが好ましい。また、スパッタリングは第1
のガラス基板２の表面に行っても勿論構わない。
【００４２】次に、溝が各々形成された第１のガラス基
板２と第２のガラス基板３とをシリコン薄膜を介して接
合する（ステップ７０３）。ガラス基板２、３同士を接
合する際には、ヒートパイプ内で状態変化する物質、例
えば水を溝内へ封入する。
板２と第２のガラス基板３とをシリコン薄膜を介して接
合する（ステップ７０３）。ガラス基板２、３同士を接
合する際には、ヒートパイプ内で状態変化する物質、例
えば水を溝内へ封入する。
【００４３】図８はステップ７０１における溝形成工程
をより具体的に説明するための図である。
をより具体的に説明するための図である。
【００４４】まず、ガラス基板２、３をリンス液等で洗
浄する（図８（ａ））。
浄する（図８（ａ））。
【００４５】洗浄後のガラス基板２、３上に例えばオー
ディル（応化製）等の有機溶剤からなるレジスト１７を
塗布する（図８（ｂ））。
ディル（応化製）等の有機溶剤からなるレジスト１７を
塗布する（図８（ｂ））。
【００４６】次に、パターニング形成を行う（図８
（ｃ））。パターニング形成は、まずフォトマスクを用
いて光露光を行い、レジスト１７にマスクパターンの潜
像を作成する。現像してレジスト膜をパターン化する。
（ｃ））。パターニング形成は、まずフォトマスクを用
いて光露光を行い、レジスト１７にマスクパターンの潜
像を作成する。現像してレジスト膜をパターン化する。
【００４７】次に、パターン化されたガラス基板２、３
上に５０〜６０μのアルミナパウダーを吹き付けて１回
目のエッチング処理であるパウダービームエッチングを
行う（図８（ｄ））。このエッチング処理によって曲面
を有する溝１７ａを形成する。
上に５０〜６０μのアルミナパウダーを吹き付けて１回
目のエッチング処理であるパウダービームエッチングを
行う（図８（ｄ））。このエッチング処理によって曲面
を有する溝１７ａを形成する。
【００４８】次に、曲面を有する溝１７ａをＤＲＩＥ
（Ｄｅｅｐ Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎ
ｇ）、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉ
ｎｇ）又はリモネンエッチングを行って、直角な溝１７
ｂを形成する（図８（ｄ））。
（Ｄｅｅｐ Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎ
ｇ）、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉ
ｎｇ）又はリモネンエッチングを行って、直角な溝１７
ｂを形成する（図８（ｄ））。
【００４９】以上がガラス基板２、３上に溝を形成する
一連の工程であるが、以下にそれぞれのエッチング方法
について詳細に説明する。
一連の工程であるが、以下にそれぞれのエッチング方法
について詳細に説明する。
【００５０】図９は上述したパウダービームエッチング
処理を行うためのパウダービームエッチング装置１８の
構成を示す図である。
処理を行うためのパウダービームエッチング装置１８の
構成を示す図である。
【００５１】パターニング形成されたガラス基板２、３
は、移動装置１８ａ上に載置される。移動装置１８ａが
左右方向に移動するに伴って、その移動装置１８ａ上に
配置されたガラス基板２、３も左右方向に移動する。そ
のガラス基板２、３の上部には多数のパウダービームノ
ズル１８ｂが移動装置１８ａによる基板の移動方向と直
交する方向に配置されている。
は、移動装置１８ａ上に載置される。移動装置１８ａが
左右方向に移動するに伴って、その移動装置１８ａ上に
配置されたガラス基板２、３も左右方向に移動する。そ
のガラス基板２、３の上部には多数のパウダービームノ
ズル１８ｂが移動装置１８ａによる基板の移動方向と直
交する方向に配置されている。
【００５２】ガラス基板２、３が左右方向に移動するの
に随伴して、ノズル１８ｂから５０〜６０μｍ程度の大
きさのアルミナパウダーがガラス基板２、３上へ吹き付
けられる。これによって、ガラス基板２、３上に満遍な
くアルミナパウダーが吹き付けられる。パターンが施さ
れていない部分にアルミナパウダーが吹き付けられて曲
面を有する溝１７ａが形成される。
に随伴して、ノズル１８ｂから５０〜６０μｍ程度の大
きさのアルミナパウダーがガラス基板２、３上へ吹き付
けられる。これによって、ガラス基板２、３上に満遍な
くアルミナパウダーが吹き付けられる。パターンが施さ
れていない部分にアルミナパウダーが吹き付けられて曲
面を有する溝１７ａが形成される。
【００５３】図１０は上述した曲面を有する溝１７ａか
ら直角を有する溝１７ｂを形成するためのＤＲＩＥ装置
の構成を示す図である。
ら直角を有する溝１７ｂを形成するためのＤＲＩＥ装置
の構成を示す図である。
【００５４】ＤＲＩＥ装置１９は、ガラス基板２、３を
収納する真空チャンバ２０を有する。この真空チャンバ
２０の上方部には、ヘリコン波アンテナ２１が配置され
ている。また、真空チャンバ２０には、当該チャンバ２
０内の空気を減圧するための真空ポンプ２２が接続さ
れ、また気体を導入するガス導入口２３が設けられてい
る。
収納する真空チャンバ２０を有する。この真空チャンバ
２０の上方部には、ヘリコン波アンテナ２１が配置され
ている。また、真空チャンバ２０には、当該チャンバ２
０内の空気を減圧するための真空ポンプ２２が接続さ
れ、また気体を導入するガス導入口２３が設けられてい
る。
【００５５】曲面を有する溝１７ａが形成されたガラス
基板２、３は、真空チャンバ２０内への載置台２４へ載
置される。ガラス基板２、３が載置された後、真空チャ
ンバ２０内を真空ポンプ２２により減圧する。その後、
ガス導入口２３より真空チャンバ２０内へ例えばＳＦ６
ガスを導入する。さらに、電源２５を入れ、真空チャン
バ２０に磁場を印加し、さらにヘリコン波アンテナ２１
にも高周波を印加する。該真空チャンバ２０内にヘリコ
ン波を生成させ、このヘリコン波からランダウ減衰の過
程を通じて電子へエネルギーを輸送することにより該電
子を加速し、この電子をガス分子に衝突させて高いイオ
ン化率を得る。そのようなヘリコン波と電子との相互作
用により生成されたプラズマによりエッチング処理を行
う。
基板２、３は、真空チャンバ２０内への載置台２４へ載
置される。ガラス基板２、３が載置された後、真空チャ
ンバ２０内を真空ポンプ２２により減圧する。その後、
ガス導入口２３より真空チャンバ２０内へ例えばＳＦ６
ガスを導入する。さらに、電源２５を入れ、真空チャン
バ２０に磁場を印加し、さらにヘリコン波アンテナ２１
にも高周波を印加する。該真空チャンバ２０内にヘリコ
ン波を生成させ、このヘリコン波からランダウ減衰の過
程を通じて電子へエネルギーを輸送することにより該電
子を加速し、この電子をガス分子に衝突させて高いイオ
ン化率を得る。そのようなヘリコン波と電子との相互作
用により生成されたプラズマによりエッチング処理を行
う。
【００５６】図１１は上述した曲面を有する溝１７ａか
ら直角を有する溝１７ｂを形成するためのＲＩＥ装置の
構成を示す図である。
ら直角を有する溝１７ｂを形成するためのＲＩＥ装置の
構成を示す図である。
【００５７】ＲＩＥ装置２６は、ガラス基板２、３を収
納する真空チャンバ２０を有する。真空チャンバ２０内
には、一対の平板型の電極２７ａ、２７ｂが平行に配置
されている。また、真空チャンバ２０には、当該チャン
バ２０内を減圧するための真空ポンプ２２が接続され、
また気体を導入するガス導入口２３が設けられている。
納する真空チャンバ２０を有する。真空チャンバ２０内
には、一対の平板型の電極２７ａ、２７ｂが平行に配置
されている。また、真空チャンバ２０には、当該チャン
バ２０内を減圧するための真空ポンプ２２が接続され、
また気体を導入するガス導入口２３が設けられている。
【００５８】曲面を有する溝１７ａが形成されたガラス
基板２、３は、真空チャンバ２０内への下方の電極２７
ｂへ載置される。ガラス基板２、３が載置された後、真
空チャンバ２０内を真空ポンプ２２により減圧する。そ
の後、ガス導入口２３より真空チャンバ２０内へ例えば
塩素系ガス等を導入する。これと共に、電源２５を入れ
ると、上方の電極２７ａが印加され、下方の電極２７ｂ
は接地電位となる。また、導入された塩素系ガスはプラ
ズマ状態となり、そこで生じたプラスイオンを加速する
ことによってガラス基板２、３に衝突させる。このプラ
スイオンによりエッチング処理を行う。
基板２、３は、真空チャンバ２０内への下方の電極２７
ｂへ載置される。ガラス基板２、３が載置された後、真
空チャンバ２０内を真空ポンプ２２により減圧する。そ
の後、ガス導入口２３より真空チャンバ２０内へ例えば
塩素系ガス等を導入する。これと共に、電源２５を入れ
ると、上方の電極２７ａが印加され、下方の電極２７ｂ
は接地電位となる。また、導入された塩素系ガスはプラ
ズマ状態となり、そこで生じたプラスイオンを加速する
ことによってガラス基板２、３に衝突させる。このプラ
スイオンによりエッチング処理を行う。
【００５９】なお、導入したガスをここでは塩素系ガス
としたが、フッ素などのハロゲンを含む化合物等のガス
で行ってもよい。
としたが、フッ素などのハロゲンを含む化合物等のガス
で行ってもよい。
【００６０】図１２は上述した工程で用いられるスパッ
タリング装置２８の構成を示す図である。
タリング装置２８の構成を示す図である。
【００６１】スパッタリング装置２８は、真空チャンバ
２９と、真空チャンバ２９内を減圧するための真空ポン
プ３０と、気体を導入する気体導入部３１とを備える。
２９と、真空チャンバ２９内を減圧するための真空ポン
プ３０と、気体を導入する気体導入部３１とを備える。
【００６２】真空チャンバ２９内の上部には、ガラス基
板２、３を固定する基板ホルダ３２が配置され、それと
対向する位置の下部にはシリコンからなるターゲット基
板３３が配置されている。また、ガラス基板２、３とタ
ーゲット基板３３間に電圧を印加する電圧印加部（図示
せず）が接続されている。
板２、３を固定する基板ホルダ３２が配置され、それと
対向する位置の下部にはシリコンからなるターゲット基
板３３が配置されている。また、ガラス基板２、３とタ
ーゲット基板３３間に電圧を印加する電圧印加部（図示
せず）が接続されている。
【００６３】真空チャンバ２９内を真空ポンプ３０によ
り減圧し、真空チャンバ２９内へ不活性ガスとして例え
ばアルゴンガスを気体導入部３１から導入する。
り減圧し、真空チャンバ２９内へ不活性ガスとして例え
ばアルゴンガスを気体導入部３１から導入する。
【００６４】真空チャンバ２９内にアルゴンガスが導入
されているので、電圧印加部によってガラス基板２、３
とターゲット基板３３間に直流高電圧が印加されると、
アルゴンガスがイオン化する。そのイオン化されたアル
ゴンガスをターゲット基板３３に衝突させて、弾き飛ば
されたターゲット物質をガラス基板２、３に成膜させ
る。これによって、ガラス基板２、３にターゲット物質
としてのシリコン部材４が成膜される。
されているので、電圧印加部によってガラス基板２、３
とターゲット基板３３間に直流高電圧が印加されると、
アルゴンガスがイオン化する。そのイオン化されたアル
ゴンガスをターゲット基板３３に衝突させて、弾き飛ば
されたターゲット物質をガラス基板２、３に成膜させ
る。これによって、ガラス基板２、３にターゲット物質
としてのシリコン部材４が成膜される。
【００６５】このように、スパッタリング方法を用いる
ことにより、基板の材料に制約を受けることなく基板上
にシリコン部材４の薄膜を均一に形成することができ
る。
ことにより、基板の材料に制約を受けることなく基板上
にシリコン部材４の薄膜を均一に形成することができ
る。
【００６６】図１３は上述した接合工程に使われる陽極
接合装置３４の概略構成を示す図である。
接合装置３４の概略構成を示す図である。
【００６７】陽極接合装置３４は、接着部材としてのシ
リコン部材４を介して２枚のガラス基板２、３を接合す
るための装置である。
リコン部材４を介して２枚のガラス基板２、３を接合す
るための装置である。
【００６８】陽極接合装置３４は、陽極接合装置３４全
体を加熱するヒーター３５と、接合するガラス基板２、
３を挟むように配置された下電極３６ａと上電極３６ｂ
と、これら電極に電力を供給する電源３６ｂとを備え
る。
体を加熱するヒーター３５と、接合するガラス基板２、
３を挟むように配置された下電極３６ａと上電極３６ｂ
と、これら電極に電力を供給する電源３６ｂとを備え
る。
【００６９】ヒーター３５を用いて、陽極接合装置３４
を約４００〜５００℃に加熱する。さらに、電源３６ｂ
を入れることによって、下電極３６ａと上電極３６ｂと
の間に電圧を印加する。これによりシリコン部材４と各
ガラス基板２、３の界面に大きな静電引力が発生し、こ
れらを確実に接合することができる。
を約４００〜５００℃に加熱する。さらに、電源３６ｂ
を入れることによって、下電極３６ａと上電極３６ｂと
の間に電圧を印加する。これによりシリコン部材４と各
ガラス基板２、３の界面に大きな静電引力が発生し、こ
れらを確実に接合することができる。
【００７０】なお、本発明では、上述のパウダービーム
エッチングの代わりに、図１４に示すケミカルエッチン
グを行ってもよい。このケミカルエッチング処理のプロ
セスを以下に示す。
エッチングの代わりに、図１４に示すケミカルエッチン
グを行ってもよい。このケミカルエッチング処理のプロ
セスを以下に示す。
【００７１】このケミカルエッチング処理は、パターニ
ング形成されたガラス基板２、３（図１４（ａ））を、
例えば、硝酸で満たされたエッチングバス３８へ導入す
る（図１４（ｂ））。それによって、レジストによりパ
ターンが形成されていない部分へ硝酸が侵食し、エッチ
ング処理が行われる（図１４（ｃ））。
ング形成されたガラス基板２、３（図１４（ａ））を、
例えば、硝酸で満たされたエッチングバス３８へ導入す
る（図１４（ｂ））。それによって、レジストによりパ
ターンが形成されていない部分へ硝酸が侵食し、エッチ
ング処理が行われる（図１４（ｃ））。
【００７２】このエッチング処理は、上述のパウダービ
ームエッチングと同様に、微細な粒子により曲面を有す
る溝を形成するもので、その後に、上述の第２のエッチ
ング工程が必要となる。
ームエッチングと同様に、微細な粒子により曲面を有す
る溝を形成するもので、その後に、上述の第２のエッチ
ング工程が必要となる。
【００７３】図１５は基板２、３の材料がプラスチック
からなる場合の簡単な製造フローを示している。
からなる場合の簡単な製造フローを示している。
【００７４】基板２上には接着部材としての銅薄膜４ａ
が形成されている（図１５（ａ））。
が形成されている（図１５（ａ））。
【００７５】次に、基板２と基板３とを銅薄膜４ａ介在
させた状態で接合する（図１５（ｂ））。その接合方法
としては以下の超音波接合又は熱融着接合がある。
させた状態で接合する（図１５（ｂ））。その接合方法
としては以下の超音波接合又は熱融着接合がある。
【００７６】図１６は超音波接合の工程を説明するため
の図である。
の図である。
【００７７】図１６（ａ）に示すように、溝１７ｂが形
成された２枚のプラスチック基板２の表面にスパッタリ
ングにより銅の薄膜４ａを形成する（図１６（ｂ））。
成された２枚のプラスチック基板２の表面にスパッタリ
ングにより銅の薄膜４ａを形成する（図１６（ｂ））。
【００７８】次に、２枚のプラスチック基板２、３を図
に示すように重ね合わせ、圧力を加え、超音波振動を与
える。そうすると、超音波エネルギーが接合面の酸化被
膜を破壊し、その結果活性化した銅原子がプラスチック
基板と結合することになる。
に示すように重ね合わせ、圧力を加え、超音波振動を与
える。そうすると、超音波エネルギーが接合面の酸化被
膜を破壊し、その結果活性化した銅原子がプラスチック
基板と結合することになる。
【００７９】また、超音波接合の代わりに熱融着接合に
よって接合を行うこともできる。
よって接合を行うこともできる。
【００８０】例えば接着部材である銅部材を介した積層
状態の２枚のプラスチック基板に対して熱を加える。そ
の熱を加えることによって、プラスチック基板の間に挟
持された銅部材が融け、これらプラスチック基板へ融着
する。
状態の２枚のプラスチック基板に対して熱を加える。そ
の熱を加えることによって、プラスチック基板の間に挟
持された銅部材が融け、これらプラスチック基板へ融着
する。
【００８１】これらの方法によっても、プラスチック基
板が銅部材を介し確実に接着することができる。 （電子機器装置）図１７は本発明に係る冷却装置が搭載
されたパソコンの概略斜視図である。
板が銅部材を介し確実に接着することができる。 （電子機器装置）図１７は本発明に係る冷却装置が搭載
されたパソコンの概略斜視図である。
【００８２】パソコン３９は、フラッシュメモリとドラ
イバ４２を有するカード状の記憶媒体４０を着脱するた
めのスロット４１を有する。
イバ４２を有するカード状の記憶媒体４０を着脱するた
めのスロット４１を有する。
【００８３】本発明に係る冷却装置１はスロット４１を
介して装着された記憶媒体４０の例えばドライバ４２の
直下にウィックが位置するようにパソコン３９内に配置
されている。
介して装着された記憶媒体４０の例えばドライバ４２の
直下にウィックが位置するようにパソコン３９内に配置
されている。
【００８４】なお、ここでは、電子機器装置としてパソ
コンを例にとり説明したが、本発明に係る冷却装置はデ
ィジタルカメラやビデオカメラ等の他の電子機器装置に
も搭載することが可能である。
コンを例にとり説明したが、本発明に係る冷却装置はデ
ィジタルカメラやビデオカメラ等の他の電子機器装置に
も搭載することが可能である。
【００８５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
小型薄型化が可能で冷却性能が高い冷却装置、電子機器
装置及び冷却装置の製造方法を提供することができる。
小型薄型化が可能で冷却性能が高い冷却装置、電子機器
装置及び冷却装置の製造方法を提供することができる。
【図１】本発明の冷却装置を分解した斜視図である。
【図２】本発明の冷却装置の組み立てた状態の断面図で
ある。
ある。
【図３】本発明の冷却装置の第１のガラス基板に形成さ
れた溝の構成を示す平面図である。
れた溝の構成を示す平面図である。
【図４】本発明の冷却装置の第２のガラス基板に形成さ
れた溝の構成を示す平面図である。
れた溝の構成を示す平面図である。
【図５】本発明の冷却装置の第１のガラス基板と第２の
ガラス基板とを組み立てた状態を示した平面図である。
ガラス基板とを組み立てた状態を示した平面図である。
【図６】従来及び本発明に使われる基板の熱拡散領域を
模式的に示した比較図である。
模式的に示した比較図である。
【図７】本発明の冷却装置の製造方法を示した工程図で
ある。
ある。
【図８】本発明の冷却装置の溝形成工程を示した概略図
である。
である。
【図９】本発明の冷却装置の溝形成工程で使われるパウ
ダービームエッチング装置を示した概略図である。
ダービームエッチング装置を示した概略図である。
【図１０】本発明の冷却装置の溝形成工程で使われるＤ
ＲＩＥ装置を示した概略図である。
ＲＩＥ装置を示した概略図である。
【図１１】本発明の冷却装置の溝形成工程で使われるＲ
ＩＥ装置を示した概略図である。
ＩＥ装置を示した概略図である。
【図１２】本発明の冷却装置の薄膜形成工程に使われる
スパッタリング装置を示した概略図である。
スパッタリング装置を示した概略図である。
【図１３】本発明の冷却装置の接合工程に使われる陽極
接合装置を示した概略図である。
接合装置を示した概略図である。
【図１４】本発明の冷却装置の溝形成工程で使われるケ
ミカルエッチング処理を示した概略図である。
ミカルエッチング処理を示した概略図である。
【図１５】本発明の他の形態に係る冷却装置の製造工程
を示した図である。
を示した図である。
【図１６】本発明の他の形態に係る冷却装置の超音波接
合工程を示した概略図である。
合工程を示した概略図である。
【図１７】本発明の冷却装置を搭載したパソコンの概略
斜視図である。
斜視図である。
１ 冷却装置
２ 第１のガラス基板
５ 溝
３ 第２のガラス基板
６ 溝
４ シリコン部材
１８ パウダービームエッチング装置
１９ ＤＲＩＥ装置
２６ ＲＩＥ装置
２８ スパッタリング装置
３４ 陽極接合装置
３９ 電子機器（パソコン）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｆ２５Ｄ 9/00 Ｆ２５Ｄ 9/00 Ｄ
// Ｈ０５Ｋ 7/20 Ｈ０５Ｋ 7/20 Ｒ
(72)発明者 佐野 直樹
東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ
ー株式会社内
(72)発明者 北川 浩司
東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ
ー株式会社内
Ｆターム(参考） 3L044 AA04 BA06 CA14 DD03 EA03
KA03 KA04 KA06
5E322 DB08 EA11
Claims (8)
- 【請求項１】 シリコンよりも熱伝導性が低い材料から
なり、相互に対向して配置され、各対向面にヒートパイ
プを構成するための溝が形成された一対の第１及び第２
の基板と、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に介在され、前
記第１の基板と前記第２の基板とを接着するための接着
部材とを具備することを特徴とする冷却装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の冷却装置において、 前記第１及び第２の基板は、ガラス又はプラスチックか
らなることを特徴とする冷却装置。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の冷却装置
において、 前記接着部材は、シリコン又は銅からなることを特徴と
する冷却装置。 - 【請求項４】 フラッシュメモリを有するカード型の記
憶媒体が着脱可能なスロットを有し、前記記憶媒体側、
当該装置側又は当該装置とは分離された部位にドライバ
を有する電子機器装置であって、 前記ドライバから発せられる熱を冷却するために、請求
項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の冷却装置
を具備することを特徴とする電子機器装置。 - 【請求項５】 シリコンよりも熱伝導性が低い材料から
なる第１及び第２の基板の各表面にヒートパイプを構成
するための溝を形成する工程と、 前記第１の基板又は前記第２の基板の表面に、前記第１
の基板と前記第２の基板とを接着するための接着部材を
形成する工程と、 前記接着部材を介して前記第１の基板の表面と前記第２
の基板の表面とを接合する工程とを具備することを特徴
とする冷却装置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項５に記載の冷却装置の製造方法に
おいて、 前記接合工程は、陽極接合、超音波接合又は熱融着接合
であることを特徴とする冷却装置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項５又は請求項６に記載の冷却装置
の製造方法において、 前記接着部材形成工程は、スパッタリングにより接着部
材を形成することを特徴とする冷却装置の製造方法。 - 【請求項８】 請求項５から請求項８のうちいずれか１
項に記載の冷却装置の製造方法において、 前記溝形成工程は、ケミカルエッチング又はパウダービ
ームエッチングにより溝を形成することを特徴とする冷
却装置の製造方法。
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