JP2003179457A - 圧電振動子用の金属ベース - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】無電解メッキによる保護膜の形成を可能にし
て、量産性に優れた金属ベースを提供する。 【構成】外表面にＮi等の保護膜を有するベース本体の
貫通孔に、リード線が挿通したガラスを埋設して気密端
子とした圧電振動子用の金属ベースにおいて、前記保護
膜を無電解メッキとし、前記ガラスを金属を混入した低
融点ガラスにするとともに、前記低融点ガラスの融点温
度を前記保護膜のそれより低くした構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は圧電振動子用の金属
ベースを産業上の技術分野とし、特に量産性に適した金
属ベースに関する。

【０００２】

【従来の技術】（発明の背景）圧電振動子特に水晶振動
子は周波数及び時間の基準源（制御素子）として周知さ
れ、各種の発振器やフィルタに広く用いられている。近
年では、需要の拡大等に起因してさらに生産性の高い水
晶振動子が求められ、これを阻害する要因の一つとして
金属ベース１があげられる。

【０００３】（従来技術の一例）第２図及び第３図は一
従来例を説明する図で、第２図は金属ベースの断面図、
第３図は組立断面図である。金属ベース１はベース本体
２と気密端子３からなる。ベース本体２は、鉄（Ｆe）
からなる金属平板をプレス加工によって形成される。そ
して、一対の貫通孔４を中央領域に、図示しない溶接用
突起を備えたフランジ５を外周に有する。通常では、電
解メッキによって外表面にＮiとした保護膜６が形成さ
れる。

【０００４】気密端子３はベース本体２の貫通孔４に設
けられ、リード線７が貫通したガラス８が埋設される。
通常では、図示しない炭素（Ｃ）材からなる治具によっ
て、粉末ガラスを固めたかタブレット及びその中央孔を
挿通したリード線７をベース本体２の貫通孔４に保持し
て、一体的に焼成する。そして、粉末ガラスの溶融によ
って一体化し、気密端子３を形成する。

【０００５】このようなものでは、ベース本体２の外表
面に電解メッキによる保護膜６（Ｎi）を設けるので、
焼成時における炭素材とした治具からベース本体２への
炭素の拡散を防止する。すなわち、焼成時の温度は概ね
1100度あり、電解メッキによる保護膜６（Ｎi）はそれ
以上の溶融温度なので炭素を遮蔽してベース本体２への
拡散を防止する。

【０００６】なお、ベース本体２（鉄）に炭素が拡散す
ると外表面を荒らし、その後の外装メッキを施しても光
沢むらが発生し、商品価値を低下させたり、時には外装
メッキ自体を困難にしたりする。なお、ベース本体２へ
の外装メッキは基本的にさび止め防止を目的としてなさ
れ、Ｐ（燐）を触媒としたＮiの無電解メッキによって
形成される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】（従来技術の問題点）
しかしながら、上記構成の金属ベース１では、保護膜６
（Ｎi）を電界メッキによって形成するので、電界液中
に投入できるベース本体２の量も少なくて時間も費やし
（概ね８時間程度）、処理量が少ない問題があった。

【０００８】また、保護膜６は電界メッキによって、外
装メッキは無電解メッキによって形成されるので、全く
工法の異なるメッキ設備を２種類必要として生産性を低
下させる問題もあった。

【０００９】なお、例えばＢ（ホウ素）を触媒としたＮ
iの無電解メッキにすれば、Ｎiの融点温度をガラスの溶
融温度よりも高くでき、保護膜６及び外装メッキのいず
れをも同一設備で処理できる。しかし、この場合は触媒
をＢとするので、高価になる問題があった。

【００１０】これらのことから、触媒をＰ（リン）とし
た無電解メッキによってＮiの保護膜６を形成すること
が考えられた。しかし、この場合にはＮiの融点温度が
約890度になって、焼成温度1100度よりも低くなる。し
たがって、焼成時に、Ｎiが溶け出して炭素材からなる
治具からＣがベース本体２に拡散して、保護膜６の機能
を損なう問題があった。

【００１１】（発明の目的）本発明は、無電解メッキに
よる保護膜の形成を可能にして、量産性に優れた金属ベ
ースを提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、ベース本体の
外表面に形成する保護膜を無電解メッキとし、気密端子
のガラスを金属を混入した低融点ガラスとして、保護膜
の融点温度より低くしたことを基本的な解決手段とす
る。

【００１３】

【作用】本発明では、保護膜を無電解メッキによって形
成するので、外装メッキを含めてメッキ設備を１種類に
統一できる。そして、気密端子のガラスを低融点ガラス
としたので、無電解メッキの融点温度よりも低くでき
る。以下、本発明の一実施例を説明する。

【００１４】

【実施例】第１図は本発明の一実施例を説明する金属ベ
ースの図である。なお、前従来例と同一部分には同番号
を付与してその説明は簡略又は省略する。金属ベース１
は、前述したように抵抗溶接用の突起（未図示）及びフ
ランジ５を外周に備えて中央領域に貫通孔４を有するベ
ース本体２と、貫通孔４を密閉してリード線７がガラス
８を挿通（貫通）した気密端子３とからなる。

【００１５】そして、ここでは、ベース本体２（鉄）の
外表面には、無電解メッキによってのニッケルとした保
護膜６を形成する。無電解メッキによる保護膜６は、触
媒としてのＰとＮiイオンが液中に溶解した電解液槽に
ベース本体２を投入することによって、ベース本体２の
外表面にニッケルが付着して形成される。また、気密端
子３のガラス８は、金属例えば鉛（Ｐb）や銀（Ａg）等
を混入した低融点ガラス８Ａからなる。

【００１６】このようなものでは、ベース本体２の無電
解メッキによる保護膜６（Ｎi）の融点温度は、前述し
たように約890度になる。そして、低融点ガラス８は融
点温度が約600度になる。換言すると、リード線７が挿
通した粉末状のタブレット（低融点ガラス８）の焼成温
度は約600度となる。したがって、保護膜６（Ｎi）の融
点温度（890度）の方が焼成温度（600度）よりも高いの
で、焼成時のＮiの溶融を防止して保護膜６を確実に形
成できる。

【００１７】

【他の事項】上記実施例では、金属ベース１の外表面に
形成した保護膜６はＮiとしたが、例えばＣu（銅）であ
っても同様に適用できる。また、低融点ガラス８の溶融
温度は600度としたが、混入する金属材及びその量によ
って制御でき（量が多ければ融点温度は下がる）、無電
解メッキの溶融温度以下にすればよい。

【００１８】

【発明の効果】本発明は、ベース本体の外表面に形成す
る保護膜を無電解メッキとし、気密端子のガラスを金属
を混入した低融点ガラスとして、保護膜の融点温度より
低くしたので、無電解メッキによる保護膜の形成を可能
にして、量産性に優れた金属ベースを提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を説明する金属ベース（抵抗
溶接用）の断面図である。

【図２】従来例を説明する金属ベース（抵抗溶接用）の
断面図である。

【図３】従来例を説明する金属ベースの組立断面図であ
る。

【符号の説明】

１ 金属ベース、２ ベース本体、３ 気密端子、４
貫通孔、５ フランジ、６ 保護膜、７ リード線、８
ガラス、８Ａ 低融点ガラス．

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】外表面に保護膜を有するベース本体の貫通
   孔にリード線が挿通してガラスが埋設され、前記ガラス
   を溶融して前記貫通孔を密閉した気密端子を有する圧電
   振動子用の金属ベースにおいて、前記保護膜を無電解メ
   ッキによって形成するとともに前記ガラスを金属の混入
   された低融点ガラスにし、しかも前記低融点ガラスの融
   点温度は前記保護膜のそれより低くしたことを特徴とす
   る圧電振動子用の金属ベース。
2. 【請求項２】前記保護膜はＮi（ニッケル）である請求
   項１の金属ベース。
3. 【請求項３】前記ベース本体に気密端子を形成した後
   に、無電解メッキによってなされ外装メッキを有する請
   求項１の金属ベース。
4. 【請求項４】前記外装メッキはＮiである請求項３の金
   属ベース。