JP2003179425A - パッチアンテナ - Google Patents

パッチアンテナ

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JP2003179425A
JP2003179425A JP2001375258A JP2001375258A JP2003179425A JP 2003179425 A JP2003179425 A JP 2003179425A JP 2001375258 A JP2001375258 A JP 2001375258A JP 2001375258 A JP2001375258 A JP 2001375258A JP 2003179425 A JP2003179425 A JP 2003179425A
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Japan
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radiation electrode
ceramic substrate
patch antenna
convex portion
firing
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JP2001375258A
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English (en)
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Takeshi Furuno
剛 古野
Shigeaki Kozato
重亮 木里
Kenji Kanegae
研司 鐘ヶ江
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Kyocera Corp
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Kyocera Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】焼成後無機粉末がセラミック基板の接触面に残
留するためバレル研磨等の無機粉末を除去する工程が必
要であるため、処理時間や処理位置によりセラミック基
板の表面粗さにばらつきが発生し、セラミック基板と放
射電極や接地導体の密着強度にばらつきが大きくなると
いう課題があった。 【解決手段】セラミック基板の放射電極面側に、端部か
ら2mm以下の位置に高さ0.03〜0.3mmの凸部
を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、通信分野におい
て、特に衛星を利用した移動体通信に用いられるパッチ
アンテナに関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、移動体通信の発達に伴い、グロー
バルポジショニングシステム(GlobalPositioning Syst
em)を利用した様々なシステムが提唱されている。中で
も位置情報機能を搭載した通信情報端末が広く使われる
ようになり、その受信用パッチアンテナの需要数量も莫
大な増加が見込まれている。
【0003】以下に受信用パッチアンテナについて説明
する。図5(a)、(b)に示すように、パッチアンテ
ナ17は誘電体セラミック材料で形成されたセラミック
基板4の片面に放射電極12を形成し、また他面に接地
導体13を形成して構成されている。14は給電ピン、
15は半田である。給電ピン14は貫通孔16に挿入さ
れ、一端が半田15で放射電極12と電気的に接続さ
れ、他端が接地導体13側に導出されている。
【0004】セラミック基板4は粉末原料を粉末プレス
成形して生成形体とし、その後所定の温度で焼成するこ
とにより得られる。ここで、セラミック基板4の放射電
極12または接地導体13を形成する面を焼成用セッタ
ー3に接触して焼成すると、焼成用セッター3表面に凹
凸があった場合その凹凸が接触しているセラミック基板
4の表面に転写し、放射電極12または接地導体13が
形成できない場合が発生する。このため、図6(a)に
示すように放射電極12または接地導体13を形成する
面が焼成用セッター3と接触しないように生成形体10
を立てて焼成する。一般に、セラミックは生成形体を焼
成すると体積が小さくなり、外辺寸法も小さくなるため
図6(a)に示すように生成形体10どうしを接触させ
て焼成しても、焼成後には図6(b)に示すようにセラ
ミック基板4間には隙間が発生する。しかしながら、セ
ラミック基板4の材料はパッチアンテナの特性を満足す
るために誘電率のなどの電気特性を重視した材料である
場合が多く、反応性が強い材料や、低融点のガラス成分
が多く含まれている材料が多いため焼成時に生成形体1
0の接触面8で反応してしまい、焼成後セラミック基板
4どうしが固着し分離できない場合がある。
【0005】そこで、焼成後のセラミック基板4どうし
の固着を防止する方法として、図7に示すように生成形
体10の接触面8に無機粉末7を介在させる方法(特開
平5−301777号公報参照)があった。
【0006】また、放射電極12、接地導体13は銀ペ
ースト等の導電性ペーストを用いてスクリーン印刷によ
り形成したあと所定の温度で焼き付けて得るが、接地導
体13は表面にキズや汚れが発生しても共振周波数等の
電気特性には影響しないが、放射電極13は表面にキズ
や汚れが発生すると共振周波数のばらつきが大きくなっ
てしまう。このため、パッチアンテナの製造工程中で放
射電極13にキズや汚れが発生しないような取り扱いを
行っていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図7の
方法でセラミック基板4を作成すると、焼成後無機粉末
7がセラミック基板4の接触面8に残留するためバレル
研磨等の無機粉末7を除去する工程が必要となる。その
ため、処理時間や処理位置によりセラミック基板4の表
面粗さにばらつきが発生し、セラミック基板4と放射電
極12や設置導体13の密着強度にばらつきが大きくな
るという第1の課題があった。
【0008】また、パッチアンテナの製造工程において
取り扱いを注意しても工程ばらつきにより放射電極12
が治工具等と接触することによりキズ不良や汚れ不良が
発生し共振周波数のばらつきが大きくなるという第2の
課題があった。
【0009】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は上記の課
題を解決するため、貫通孔を有する誘電体セラミック基
板の片面に放射電極を、他面には接地導体をそれぞれ形
成し、上記貫通孔に挿入された給電ピンの一端が放射電
極に接合されたパッチアンテナであって、上記セラミッ
ク基板の放射電極を形成した面の端部に高さ0.03m
m〜0.3mmの複数の凸部を設けたことを特徴とす
る。また、上記凸部はセラミック基板の端部から2mm
以下の位置に形成されていることを特徴とする即ち、セ
ラミック基板の放射電極を形成した表面に凸部を設ける
ことにより、焼成時に複数のセラミック基板同士の接触
面積が小さくなり無機粉末を使用しなくてもセラミック
基板どうしが固着してしまう不良発生を防止することが
できる。そのため、無機粉末を除去するバレル工程等を
おこなう必要がなく密着強度のばらつきを小さくするこ
とができ、第1の課題を解決することができる。
【0010】また、上記凸部を設けることにより、パッ
チアンテナの製造工程にて放射電極が直接治工具等と接
触しなくなりキズ不良や汚れ不良を防止することがで
き、共振周波数のばらつきを小さくすることができ、第
2の課題を解決することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図によ
って説明する。
【0012】図1(a)、図1(b)に示すように、本
発明のパッチアンテナ11は誘電体セラミック材料で形
成されたセラミック基板1の片面に放射電極12を形成
し、また他面に接地導体13を形成して構成されてい
る。14は給電ピン、15は半田である。給電ピン14
は貫通孔16に挿入され、一端が半田15で放射電極1
2と電気的に接続され、他端が接地導体13側に導出さ
れている。また、セラミック基板1は放射電極12を形
成した表面の端部に複数の凸部2を形成してある。
【0013】ここで、セラミック基板2の焼成方法を図
2に示すように、生成形体9は原料粉末を粉末プレス成
形により形成してある。また、凸部2は金型に凸部2と
対応した凹部を形成しておけば生成形体9形成時に同時
に形成することができる。焼成時は焼成用セッター3上
に生成形体9を立てて、凸部2が接触面8となるように
整列する。
【0014】このように凸部2を設けることにより面積
の小さい凸部2の凸部接触部6でしか接触しなくなり、
焼成時の固着不良を少なくすることができる。
【0015】放射電極12はセラミック基板1の凸部2
が形成された面にスクリーン印刷により銀ペースト等の
導電性ペーストを印刷した後、所定の温度で焼き付けを
行って得る。このとき、放射電極12面側に凸部2を設
けることにより、凸部2が放射電極12より高く突出す
ることになるため、放射電極12が直接治工具等と接触
することがなくなり、キズ不良や汚れ不良を防止するこ
とができる。
【0016】なお、凸部2はセラミック基板1の端部か
らの距離dが2mm以下の位置に高さhを0.03〜
0.3mmとして形成する。距離dを2mm以下とする
ことにより放射電極12をスクリーン印刷して形成する
際に印刷不良を発生させることなく放射電極12のキズ
不良、汚れ不良の発生を防止することができ、共振周波
数のばらつきを小さくすることができる。また、高さh
を0.03〜0.3mmとすれば放射電極12をスクリ
ーン印刷して形成する際に印刷不良を発生させることな
く密着強度のばらつきを小さくすることができる。
【0017】また、凸部2の接触部6の面積は25mm
2以下としておけばよい。接触部6の面積を25mm2
下とすることにより固着不良を防止することができる。
【0018】凸部2の位置は図1(a)に示すようにセ
ラミック基板1の4コーナー部に4カ所設ければ良い
が、図3(a)〜(c)に示すように3カ所やセラミッ
ク基板1のコーナー部以外に設けても良い。ここで、凸
部2が2カ所以下の場合、凸部2以外の部分でも接触す
る可能性があるため、凸部2は3カ所以上とすればよ
い。
【0019】また、凸部2の形状は図1(a)に示すよ
うな円錐台形状とすれば良いが、図4(a)〜(e)に
示すように円錐形状、直方体形状、4角錐形状、半球体
形状、3角錐形状としても良い。
【0020】セラミック基板1の材料としては、Ba−
Nd−Ca−Ti系誘電体セラミック(比誘電率80〜
120)、Nd−Al−Ca−Ti系誘電体セラミック
(比誘電率43〜46)、La−Al−Sr−Ti系誘
電体セラミック(比誘電率38〜41)、Ba−Ti系
誘電体セラミック(比誘電率34〜36)、Ba−Mg
−W系誘電体セラミック(比誘電率20〜22)、Mg
−Ca−Ti系誘電体セラミック(比誘電率19〜2
1)、アルミナセラミック(比誘電率9〜10)、コー
ジライトセラミック(比誘電率4〜6)などを使用す
る。
【0021】また、焼成用セッター3の材料としては生
成形体9の材料と反応しない材料(例えば、アルミナセ
ラミックやジルコニアセラミック)を選定すれば良い。
また、放射電極12、接地導体13の材料としてはA
g、Ag−Ptなどの導電性材料を使用する。
【0022】
【実施例】本発明の実施例として、図1(a)、
(b)、図2に示すセラミック基板1を作成した。
【0023】セラミック基板1はMg−Ca−Ti系材
料(比誘電率約20)で形成された25mm×25mm
×厚み4mmとし、凸部2は金型寸法を変更し接触部6
の面積一定で高さhを変更したものと、高さh一定で接
触部6の面積を変化させたものをセラミック基板1の端
部からの距離dを変化させたものを作成した。尚、生成
形体9の寸法は焼成後に83%収縮することを考慮して
金型寸法を決定した。
【0024】生成形体9は図2に示すように凸部2で接
触するようにジルコニアセラミックスで作成した焼成用
セッター3の上に並べた後大気中約1300℃で焼成し
た。なお、焼成後のセラミック基板1はバレル研磨等の
加工は行っていない。
【0025】次に接地導体13と放射電極12を形成し
た。接地導体13は凸部2の形成してある面と反対面の
ほぼ中央に24mm×24mm×厚み15μmとし、放
射電極12は凸部2の形成してある面のほぼ中央に20
mm×20mm×厚み15μmとした。接地導体13、
放射電極12はいずれも銀ペーストを用いてスクリーン
印刷を行った後、大気中にて所定の温度で乾燥、焼き付
けを行った。
【0026】次に、放射電極12及び接地導体13を形
成したセラミック基板1の貫通孔16に給電ピン14を
貫通させ、接地導体13からは絶縁し、放射電極12に
半田7で接合し、パッチアンテナ11を完成させた。給
電ピン14は材料に銅を使用し、表面には半田メッキ処
理をした。
【0027】なお、従来例として図5(a)、(b)に
示すように凸部2を備えないものも作成した。従来例は
無機粉末7を用いて焼成した後、バレル研磨を行い無機
粉末7を除去した。
【0028】このようにして得られた各々50個のサン
プルを用いて、固着不良率、密着強度ばらつき、キズ汚
れ発生率、共振周波数ばらつきを測定した。尚、固着不
良率はセラミック基板1どうしが固着しているものを不
良とし、不良数をカウントした。また、密着強度ばらつ
きは直径1.8mmの金属棒を放射電極12表面に半田
付けし、金属棒を引き剥がす時の最大応力を密着強度と
し、(密着強度)÷(金属棒の密着面積)で単位面積当
たりの密着強度を算出し、最大値と最小値の差をばらつ
きとした。また、キズ、汚れ発生率は放射電極12表面
にキズ、汚れが発生しているものを不良とし、不良数を
カウントした。また、共振周波数ばらつきはネットワー
クアナライザーで共振周波数を測定し、最大値と最小値
の差をばらつきとした。
【0029】結果は表1、表2、表3に示す通りであ
る。
【0030】
【表1】
【0031】
【表2】
【0032】
【表3】
【0033】表1より明らかなように、凸部2の高さh
は0.03mm以上とすれば固着不良の発生を0%とす
ることができ、密着強度のばらつきを従来例に比べ約4
0%小さくすることができる。また、凸部2の高さhを
0.3mmより大きくすると放射電極12をスクリーン
印刷する時に凸部2が障害になり印刷不良が発生するこ
とから、凸部高さ5aは0.03〜0.3mmとすれば
印刷不良を発生させることなく密着強度のばらつきを小
さくすることができる。
【0034】また、表2より明らかなように、凸部2の
セラミック基板1の端部からの距離dを2mmより大き
くすると放射電極12をスクリーン印刷する時に凸部2
が障害になり印刷不良が発生することから、凸部2のセ
ラミック基板1の端部からの距離dは2mm以下とすれ
ばキズ不良、汚れ不良の発生を0%とすることができ共
振周波数のばらつきを従来例に比べ約30%小さくする
ことができる。
【0035】また、表3より明らかなように、凸部2の
接触部6の面積を25mm2以下とすれば固着不良の発
生を0%とすることができる。
【0036】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、貫通孔を
有する誘電体セラミック基板の片面に放射電極を、他面
には接地導体をそれぞれ形成し、上記貫通孔に挿入され
た給電ピンの一端が放射電極に接合されたパッチアンテ
ナであって、放射電極面側にセラミック基板端部から2
mm以下の位置に高さ0.03mm〜0.3mmとなる
凸部を設けることにより、セラミック基板どうしが固着
してしまう不良発生を防止することができる。また、無
機粉末を使用しないため無機粉末を除去するためのバレ
ル研磨等の工程をなくすことができ、表面粗さのばらつ
きによる密着強度のばらつきを小さくすることができ
る。また、放射電極面が直接治工具に接触しなくなるた
めキズや汚れが付着しにくくなり、キズや汚れによる共
振周波数のばらつきを小さくすることができる。その結
果、歩留まりが向上し安価なパッチアンテナを提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明のパッチアンテナを示す斜視
図、(b)は側面図である。
【図2】本発明のセラミック基板の生成形体の焼成形態
を示す斜視図である。
【図3】(a)〜(c)は本発明の凸部の設置位置のさ
まざまな実施形態を示す斜視図である。
【図4】(a)〜(e)は本発明の凸部のさまざまな実
施形態を示す斜視図である。
【図5】(a)は従来のパッチアンテナを示す斜視図、
(b)は側面図である。
【図6】(a)は従来のセラミック基板の生成形体の焼
成形態を示す斜視図、(b)は焼成後の形態を示す斜視
図である。
【図7】従来のセラミック基板の生成形体間に無機粉末
を介在させた場合の焼成形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
1:セラミック基板 2:凸部 3:焼成用セッター 4:セラミック基板 h:高さ d:端部からの距離 6:接触部 7:無機粉末 8:接触面 9:生成形体 10:生成形体 11:パッチアンテナ 12:放射電極 13:接地導体 14:給電ピン 15:半田 16:貫通孔 17:パッチアンテナ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5J045 AB06 DA10 EA07 LA07 MA01 NA02 5J046 AA19 AB13 PA07

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】貫通孔を有する誘電体セラミック基板の片
    面に放射電極を、他面には接地導体をそれぞれ形成し、
    上記貫通孔に挿入された給電ピンの一端が放射電極に接
    合されたパッチアンテナであって、上記セラミック基板
    の放射電極を形成した面の端部に高さ0.03mm〜
    0.3mmの複数の凸部を設けたことを特徴とするパッ
    チアンテナ。
  2. 【請求項2】上記凸部はセラミック基板の端部から2m
    m以下の位置に形成されていることを特徴とする請求項
    1記載のパッチアンテナ。
JP2001375258A 2001-12-10 2001-12-10 パッチアンテナ Withdrawn JP2003179425A (ja)

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