JP2000252159A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
- Publication number
- JP2000252159A JP2000252159A JP11048821A JP4882199A JP2000252159A JP 2000252159 A JP2000252159 A JP 2000252159A JP 11048821 A JP11048821 A JP 11048821A JP 4882199 A JP4882199 A JP 4882199A JP 2000252159 A JP2000252159 A JP 2000252159A
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- Japan
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- ceramic capacitor
- multilayer ceramic
- outer electrode
- internal electrode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱衝撃や熱伸縮応力、引っ張り応力等による
剥離が発生せず、静電容量の低下、および絶縁抵抗の低
下を引き起こさない積層セラミックコンデンサを提供す
ること。 【解決手段】 外部電極と接続させるための内部電極取
り出し部を、導体パターン長手方向取り出し部の他に、
長手方向に対し、直交する方向にも導体部を取り出すよ
うに内部電極パターンを形成する。
剥離が発生せず、静電容量の低下、および絶縁抵抗の低
下を引き起こさない積層セラミックコンデンサを提供す
ること。 【解決手段】 外部電極と接続させるための内部電極取
り出し部を、導体パターン長手方向取り出し部の他に、
長手方向に対し、直交する方向にも導体部を取り出すよ
うに内部電極パターンを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話、ＶＴ
Ｒ、カメラ等の民生機器に使用される積層セラミックコ
ンデンサに係り、特に内部電極パターン形状に関するも
のである。
Ｒ、カメラ等の民生機器に使用される積層セラミックコ
ンデンサに係り、特に内部電極パターン形状に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の積層セラミックコンデン
サは、図４に示すように、セラミック粉末と有機バイン
ダとを混合したセラミックスラリーをグリーンシートに
成形し、誘電体セラミック層３とし、その誘電体セラミ
ック層３上に内部電極用のペーストをスクリーン印刷し
て内部電極４を形成した積層シート９を対向させなが
ら、複数枚積み重ねて有効層２を形成し、有効層２の上
下に無効層１ａ、１ｂ、即ち、内部電極ペーストを印刷
していない誘電体セラミック層３を複数枚積み重ねて熱
圧着し、特定形状に切断したものを焼成して、図５に示
すように、積層セラミックコンデンサ素子５を形成す
る。
サは、図４に示すように、セラミック粉末と有機バイン
ダとを混合したセラミックスラリーをグリーンシートに
成形し、誘電体セラミック層３とし、その誘電体セラミ
ック層３上に内部電極用のペーストをスクリーン印刷し
て内部電極４を形成した積層シート９を対向させなが
ら、複数枚積み重ねて有効層２を形成し、有効層２の上
下に無効層１ａ、１ｂ、即ち、内部電極ペーストを印刷
していない誘電体セラミック層３を複数枚積み重ねて熱
圧着し、特定形状に切断したものを焼成して、図５に示
すように、積層セラミックコンデンサ素子５を形成す
る。
【０００３】その後、図６に示すごとく、内部電極４が
露出する取り出し面に導電性ペーストを塗布・焼付けし
て、外部電極６を形成し、半田濡れ性向上のためにＮｉ
／Ｐｂ−Ｓｎの２層めっき７を施して、積層セラミック
コンデンサ１０を作製していた。
露出する取り出し面に導電性ペーストを塗布・焼付けし
て、外部電極６を形成し、半田濡れ性向上のためにＮｉ
／Ｐｂ−Ｓｎの２層めっき７を施して、積層セラミック
コンデンサ１０を作製していた。
【０００４】また、前記特定形状に切断した際、切断面
に研磨を施して内部電極層を露出させた上で、外観及び
寸法の測定を行っていた。
に研磨を施して内部電極層を露出させた上で、外観及び
寸法の測定を行っていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した積層
セラミックコンデンサでは、回路基板上に実装する際の
半田付け等による熱衝撃あるいは熱伸縮応力、半田濡れ
性向上のために形成するめっき被膜の引っ張り応力等に
より、積層セラミックコンデンサ素子５と接する外部電
極６とめっき層７との周端部に剥離８が発生し、その剥
離８が外部電極６と内部電極４との接続部分にまで波及
して、静電容量の低下を引き起こしたり、前記剥離部か
らの水分等の進入により絶縁抵抗の低下を引き起こす問
題があった。
セラミックコンデンサでは、回路基板上に実装する際の
半田付け等による熱衝撃あるいは熱伸縮応力、半田濡れ
性向上のために形成するめっき被膜の引っ張り応力等に
より、積層セラミックコンデンサ素子５と接する外部電
極６とめっき層７との周端部に剥離８が発生し、その剥
離８が外部電極６と内部電極４との接続部分にまで波及
して、静電容量の低下を引き起こしたり、前記剥離部か
らの水分等の進入により絶縁抵抗の低下を引き起こす問
題があった。
【０００６】また、断面を研磨するという手間のかかる
作業と同時に、段取り時間に時間がかかるために、作業
効率が悪かった。
作業と同時に、段取り時間に時間がかかるために、作業
効率が悪かった。
【０００７】従って、本発明は、上記問題の回路基板上
に実装する際の熱衝撃や熱伸縮応力、引っ張り応力等に
より、外部電極の剥離を発生させず、静電容量の低下お
よび絶縁抵抗の低下等を引き起こさない積層セラミック
コンデンサを提供し、また、切断した積層セラミックコ
ンデンサ素子を断面研磨することなくコンデンサ素子の
側端部を確認するだけで検査可能の積層セラミックコン
デンサを提供することにある。
に実装する際の熱衝撃や熱伸縮応力、引っ張り応力等に
より、外部電極の剥離を発生させず、静電容量の低下お
よび絶縁抵抗の低下等を引き起こさない積層セラミック
コンデンサを提供し、また、切断した積層セラミックコ
ンデンサ素子を断面研磨することなくコンデンサ素子の
側端部を確認するだけで検査可能の積層セラミックコン
デンサを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、この問
題を解決する手段として、対向する外部電極と接続して
いる内部電極取り出し部以外にも、同面内上で直交する
方向にも、取り出し部を設けることにより、静電能の向
上した積層セラミックコンデンサが得られる。
題を解決する手段として、対向する外部電極と接続して
いる内部電極取り出し部以外にも、同面内上で直交する
方向にも、取り出し部を設けることにより、静電能の向
上した積層セラミックコンデンサが得られる。
【０００９】即ち、本発明は、誘電体セラミック層と、
複数の対向内部電極層を有する積層セラミックコンデン
サにおいて、対向する外部電極に接続する内部電極層の
他に前記内部電極層と同面内上に直交する方向に少なく
とも１ヶ所、内部電極取り出し部を有する積層セラミッ
クコンデンサを提供できる。
複数の対向内部電極層を有する積層セラミックコンデン
サにおいて、対向する外部電極に接続する内部電極層の
他に前記内部電極層と同面内上に直交する方向に少なく
とも１ヶ所、内部電極取り出し部を有する積層セラミッ
クコンデンサを提供できる。
【００１０】また、内部電極が前記長手方向の他に、直
交する側端部にも取り出し部を設けているために、コン
デンサ素子を断面研磨する必要もなく、作業効率向上を
図れる。
交する側端部にも取り出し部を設けているために、コン
デンサ素子を断面研磨する必要もなく、作業効率向上を
図れる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００１２】図１は、本発明の第１の実施の形態にセラ
ミックコンデンサの斜視図である。
ミックコンデンサの斜視図である。
【００１３】セラミック粉末に鉛系ペロブスカイトセラ
ミック、内部電極にＡｇ−Ｐｄ系を用いた。図４に示す
ように、セラミックシートと図２に示す内部電極パター
ンを形成したセラミックシートを９０枚交互に積層して
有効層２を形成し、その上下にセラミックシートを１４
枚積層して無効層１を形成した後、１００〜１５０ｋｇ
／ｃｍ２の熱圧着し、３.２ｍｍ×１.６ｍｍに切断し
て、１０００〜１２００℃の温度で焼成して、図１に示
す積層セラミックコンデンサ素子５を形成する。
ミック、内部電極にＡｇ−Ｐｄ系を用いた。図４に示す
ように、セラミックシートと図２に示す内部電極パター
ンを形成したセラミックシートを９０枚交互に積層して
有効層２を形成し、その上下にセラミックシートを１４
枚積層して無効層１を形成した後、１００〜１５０ｋｇ
／ｃｍ２の熱圧着し、３.２ｍｍ×１.６ｍｍに切断し
て、１０００〜１２００℃の温度で焼成して、図１に示
す積層セラミックコンデンサ素子５を形成する。
【００１４】内部電極パターンは、図２および図３に示
すように、十字型のパターンとして、内部電極取り出し
部が、外部電極形成時に隠れる部分になるようにパター
ン形成した。
すように、十字型のパターンとして、内部電極取り出し
部が、外部電極形成時に隠れる部分になるようにパター
ン形成した。
【００１５】その積層セラミックコンデンサ素子５に、
ガラスフリット含有のＡｇペーストを塗布して６００〜
７００℃の温度で焼付けして、外部電極６を形成した。
その外部電極上に、Ｎｉ／Ｐｂ−Ｓｎの２層めっき層７
を施して、図３示すような積層セラミックコンデンサを
得た。
ガラスフリット含有のＡｇペーストを塗布して６００〜
７００℃の温度で焼付けして、外部電極６を形成した。
その外部電極上に、Ｎｉ／Ｐｂ−Ｓｎの２層めっき層７
を施して、図３示すような積層セラミックコンデンサを
得た。
【００１６】比較品として、従来の内部電極パターンに
て積層して、同形状（３.２ｍｍ×１.６ｍｍ）の積層セ
ラミックコンデンサ（図６）を試作した。
て積層して、同形状（３.２ｍｍ×１.６ｍｍ）の積層セ
ラミックコンデンサ（図６）を試作した。
【００１７】表１に、本発明および従来法による積層セ
ラミックコンデンサにおける回路基板実装後の電気特性
（ｎ＝１００）および実装状態での信頼性試験（温度８
５℃−湿度８５％の耐湿負荷、１ＷＶ、ｎ＝１００）に
ついての評価結果、切断検査における工程能力比較を示
す。
ラミックコンデンサにおける回路基板実装後の電気特性
（ｎ＝１００）および実装状態での信頼性試験（温度８
５℃−湿度８５％の耐湿負荷、１ＷＶ、ｎ＝１００）に
ついての評価結果、切断検査における工程能力比較を示
す。
【００１８】
【表１】
【００１９】以上のように、本比較試験からも明らかな
ように、本発明の積層セラミックコンデンサは、従来法
の積層セラミックコンデンサと比較して回路基板実装に
おける熱衝撃や熱伸縮応力、引っ張り応力等による剥離
８による静電容量の低下および絶縁抵抗の低下、信頼性
等に対して優れた性能であり、切断検査における作業効
率も向上していることがわかる。
ように、本発明の積層セラミックコンデンサは、従来法
の積層セラミックコンデンサと比較して回路基板実装に
おける熱衝撃や熱伸縮応力、引っ張り応力等による剥離
８による静電容量の低下および絶縁抵抗の低下、信頼性
等に対して優れた性能であり、切断検査における作業効
率も向上していることがわかる。
【００２０】
【発明の効果】以上、説明したとおり、本発明によれ
ば、回路基板上に実装する際の熱衝撃や熱伸縮応力、ま
たはめっき被膜の引っ張り応力等による外部電極の剥離
が発生せず、静電容量の低下、および絶縁抵抗の低下等
の問題を引き起こさない高信頼性の積層セラミックコン
デンサを提供でき、さらに積層体の切断検査に断面研磨
等の時間のかかる作業を必要とせず、切断したコンデン
サチップの側端部を確認するだけで切断検査を可能とで
きる積層セラミックコンデンサが提供できる。
ば、回路基板上に実装する際の熱衝撃や熱伸縮応力、ま
たはめっき被膜の引っ張り応力等による外部電極の剥離
が発生せず、静電容量の低下、および絶縁抵抗の低下等
の問題を引き起こさない高信頼性の積層セラミックコン
デンサを提供でき、さらに積層体の切断検査に断面研磨
等の時間のかかる作業を必要とせず、切断したコンデン
サチップの側端部を確認するだけで切断検査を可能とで
きる積層セラミックコンデンサが提供できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態による積層セラミッ
クコンデンサの斜視図。
クコンデンサの斜視図。
【図２】本発明の第１の実施の形態による積層セラミッ
クコンデンサの内部電極パターンを示す図。
クコンデンサの内部電極パターンを示す図。
【図３】本発明の第１の実施の形態による積層セラミッ
クコンデンサの背面図。
クコンデンサの背面図。
【図４】積層セラミックコンデンサの積層構成図。
【図５】従来の積層セラミックコンデンサ素子の斜視
図。
図。
【図６】従来の積層セラミックコンデンサの背面図。
１ａ，１ｂ 無効層 ２ 有効層 ３ 誘電体セラミック層 ４，４ａ，４ｂ 内部電極 ５ 積層セラミックコンデンサ素子 ６ 外部電極 ７ めっき層 ８ 剥離 ９ 積層シート １０ 積層セラミックコンデンサ
Claims (1)
- 【請求項１】 誘電体セラミック層と、複数の対向内部
電極層を有する積層セラミックコンデンサにおいて、対
向する外部電極に接続する内部電極層の他に前記内部電
極層と同面内上に直交する方向に少なくとも１ヶ所、内
部電極取り出し部を有することを特徴とする積層セラミ
ックコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11048821A JP2000252159A (ja) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11048821A JP2000252159A (ja) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000252159A true JP2000252159A (ja) | 2000-09-14 |
Family
ID=12813896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11048821A Pending JP2000252159A (ja) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000252159A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002203735A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Ibiden Co Ltd | コンデンサ、多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法 |
| US20110096463A1 (en) * | 2009-10-23 | 2011-04-28 | Tdk Corporation | Multilayer capacitor |
| US20120113563A1 (en) * | 2010-11-09 | 2012-05-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component and substrate module |
-
1999
- 1999-02-25 JP JP11048821A patent/JP2000252159A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002203735A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Ibiden Co Ltd | コンデンサ、多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法 |
| US20110096463A1 (en) * | 2009-10-23 | 2011-04-28 | Tdk Corporation | Multilayer capacitor |
| US8659871B2 (en) * | 2009-10-23 | 2014-02-25 | Tdk Corporation | Multilayer capacitor having reduced equivalent series inductance |
| US20120113563A1 (en) * | 2010-11-09 | 2012-05-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component and substrate module |
| JP2012119663A (ja) * | 2010-11-09 | 2012-06-21 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及び基板モジュール |
| US8743530B2 (en) * | 2010-11-09 | 2014-06-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component and substrate module including an embedded capacitor |
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