JP2003179093A - 半導体モジュールの製造方法および半導体モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】製造工程上必要なスペースをより小さくし、よ
り小型の半導体モジュールを製造することのできる半導
体モジュールの製造方法を提供する。 【解決手段】絶縁用樹脂をモールドし電極１２あるいは
回路基板と一体化することにより基体１１を形成する。
この基体１１に半導体素子１４を搭載し、ワイヤボンデ
ィングツールを使用して、半導体素子１４と基体１１上
の電極１２とをワイヤボンディングし、これらを金線１
５により接続する。ワイヤボンディングが終了したら、
半導体素子１４およびボンディングワイヤ１５を封止す
る際にゲル状の封止材が漏れるのを防止するために、封
止領域を囲むように封止材漏れ防止壁１６を基体１１上
に形成する。封止材漏れ防止壁１６を形成したら、封止
材漏れ防止壁１６により囲まれ半導体素子１４およびボ
ンディングワイヤ１５を含む空間にゲル状の樹脂を充填
し、これを硬化させることにより封止を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば車載用のパ
ワー半導体装置に適用して好適な、より小型な半導体モ
ジュールを製造可能な半導体モジュールの製造方法、お
よび、より小型な半導体モジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電気自動車等に用いられる電力変
換回路には、半導体素子を利用して電力変換を行ういわ
ゆるパワー半導体装置が用いられている。このような半
導体装置としては、半導体素子の電極面を電極板上に面
接合し、半導体素子が設けられた複数の電極板を絶縁用
樹脂によりモールドして一体化した半導体モジュールが
広く用いられている。この樹脂モールドは、半導体モジ
ュールのケースも兼ねており、樹脂モールドケースには
半導体素子等を囲むように側壁が形成され、この側壁で
囲まれた素子収容空間に半導体素子やボンディングワイ
ヤを保護するための絶縁封止材が封入され封止が行われ
る。また、この樹脂モールドケースには、半導体モジュ
ールを冷却装置に固定するためのネジ穴が設けられてい
る。そして、絶縁封止する際に、絶縁封止材がこのネジ
穴に浸入したりネジ穴から漏れたりするのを防ぐため
に、ネジ穴と絶縁封止材を封入する領域とを隔てるよう
に、樹脂モールドケースと一体成形された樹脂製の円筒
状の壁がネジ穴の周囲に設けられている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成の半導体モジュールにおいては、ネジ穴に近接
した位置に半導体素子をワイヤボンディングにより実装
しようとした場合、ボンディングワイヤ接続部とネジ穴
周囲の壁が近接しているため、ワイヤボンディングツー
ルと円筒状の壁が干渉してしまい、適切にワイヤボンデ
ィングができないという不利益がある。逆に、このよう
な事態を回避しワイヤボンディングが適切に行えるよう
にしようとすると、ネジ穴周囲の壁がボンディングツー
ルと干渉しないようにボンディングワイヤ接続部と円筒
状の壁との間にワイヤボンディングツールを挿入可能な
スペースを設ける必要がある。その結果、このツール挿
入スペースがデッドスペースとなって、半導体モジュー
ルの寸法を小さくできないという不利益があった。

【０００４】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであって、本発明の目的は、製造工程上必要なス
ペースをより小さくし、より小型の半導体モジュールを
製造することのできる半導体モジュールの製造方法を提
供することにある。また、本発明の他の目的は、製造工
程上の作業スペースをより少なくした小型の半導体モジ
ュールを提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の第１の観点によれば、本発明の半導体モジ
ュールの製造方法は、基体上に半導体素子を搭載し、前
記搭載された半導体素子または前記半導体素子を搭載し
た基体に対して所定の処理を施し、前記基体上の半導体
素子の周囲に選択的に封止材の漏れを防止する封止材漏
れ防止壁を形成し、前記搭載された半導体素子の周囲に
封止材を注入し、前記注入した封止部材を硬化させ前記
半導体素子を封止する（請求項１）。

【０００６】本発明はこれに限定されるものではない
が、例えば前記所定の処理は前記搭載された半導体素子
と前記基体上の電極とのワイヤボンディングであり、前
記封止材漏れ防止壁は、前記ワイヤボンディングを行っ
た箇所の近傍に形成する（請求項２）。また、これに限
定されるものではないが、前記基体は、例えば当該基体
を固定するための部材を通過させる開口部を有し、前記
封止材漏れ防止壁は、前記開口部より封止材が漏れない
ように当該開口部と前記搭載された半導体素子との間に
設けられる（請求項３）。

【０００７】このような半導体モジュールの製造方法に
おいては、まず、例えば電極板や回路パタン、場合によ
っては回路基板を含み、例えば絶縁用樹脂をモールドす
ることにより形成された基体に、まず、半導体素子を搭
載する。次に、例えばワイヤボンディングを行って基体
上の電極と半導体素子とを接続する（請求項２）等、搭
載されている半導体素子あるいは半導体素子を搭載した
基体に対して、半導体モジュールの製造に関わる種々の
処理を施す。それらの処理の中で、少なくとも基体表面
に装置が近接して行われる処理が終了したら、換言すれ
ば、基体表面に障害物が存在している場合には処理が施
せないような処理が終了したら、基体上に、封止材の漏
れを防止し封止材の形成位置を規定する封止材漏れ防止
壁を形成する。基体を形成する際に、半導体モジュール
のケースとして側壁までもが一体的に形成されている場
合にはその方向に封止材漏れ防止壁を形成する必要はな
いが、側壁が形成されておらず開放されている場合や、
あるいは、例えば基体に基体を冷却装置に固定するネジ
を通過させるためのネジ穴のような開口部が形成されて
いる場合等には、その方向あるいはそのネジ穴より封止
材が漏れないように、その側面方向あるいはその開口部
の周囲に封止材漏れ防止壁を形成する。そして、封止材
漏れ防止壁が形成したら、その封止材漏れ防止壁および
基体と一体的に樹脂モールドされた側面等の他の部材で
囲まれる半導体装置およびボンディングワイヤが存在す
る領域に、封止材を注入する。そして、この封止材を硬
化することにより、所望の領域が適切に樹脂封止された
半導体モジュールが形成される。

【０００８】これに限定されるものではないが、例えば
前記封止材漏れ防止壁は、当該壁部材を前記基体に接着
することにより（請求項４）、あるいは、基体に設けら
れた溝に嵌合させることにより（請求項５）、前記基体
上に形成する。また、例えば形成されているネジ穴に十
分大きな頭部を有するネジを挿入し、ネジの頭部により
封止材漏れ防止壁を押圧することにより（請求項７）、
封止材漏れ防止壁に基体方向に力を印加して封止材漏れ
防止壁と基体とを圧着し、その状態で封止材を注入する
（請求項６）。

【０００９】また、これに限定されるものではないが、
例えば前述した開口部からの封止材の漏れを防ぐためで
あれば、次のような方法も好適である。まず、断面が前
記開口部を塞ぐ形状の筒状頭部と前記開口部に挿入可能
な足部を有するピン型部材の頭部に、フィルム状の封止
材漏れ防止部材を巻き付ける。次に、このピンの足部を
開口部に挿入して頭部を基体に密着させることにより、
フィルムが前記開口部を囲むようにして前記封止材漏れ
防止壁を形成する。この状態で半導体素子の周囲に封止
材を注入し、注入した封止部材を硬化させ、封止材が硬
化したらフィルム状の封止材漏れ防止部材を残してピン
型部材を除去する。その結果、開口部をフィルム（封止
材漏れ防止壁）で囲んだ状態で樹脂封止が完了する。樹
脂封止が完了したら、その開口部を利用してネジにより
その半導体モジュールを冷却装置等に固定する（請求項
８）。

【００１０】また、前記目的を達成するために、本発明
の第２の観点によれば、本発明の半導体モジュールは、
基体上に半導体素子が実装された半導体モジュールであ
って、所望の導電パタンが形成され、当該半導体モジュ
ールを所定の取り付け部材により他の部材に取り付ける
ための開口部を有する基体と、前記基体上に実装され、
ワイヤボンディングにより当該基体上の前記導電パタン
と電気的に接続されている半導体素子と、前記半導体素
子および前記ワイヤボンディングされたワイヤを封止す
る封止材が前記開口部に漏れないように、前記半導体素
子に近接した前記開口部の周囲に形成された封止材漏れ
防止壁と、前記封止材漏れ防止壁により範囲が制限され
て形成された前記半導体素子および前記ワイヤボンディ
ングされたワイヤを封止する封止部材とを有する（請求
項９）。

【００１１】本発明はこれに限定されるものではない
が、好適な一例としては、本発明の半導体モジュール
は、前記開口部を貫通するネジにより冷却部材と一体化
されている（請求項１０）。

【００１２】

【発明の効果】請求項１〜８に記載の発明によれば、基
体に搭載された半導体あるいは半導体の搭載された基体
に対して、半導体モジュールの製造に関わる所定の処理
を施した後に、そのような処理を行う際に障害となる可
能性のある封止材漏れ防止壁を形成し、これにより封止
を行っている。したがって、製造工程上必要なスペース
をより小さくし、より小型の半導体モジュールを製造す
ることができる。

【００１３】そして特に請求項２に記載の発明によれ
ば、ワイヤボンディングは封止材漏れ防止壁が存在しな
い状態で広い作業空間を利用して行うことができ、ま
た、ワイヤボンディングされた半導体素子のすぐ近傍に
封止材漏れ防止壁を形成して封止を行うことができ、ワ
イヤボンディングされた半導体素子を有する半導体モジ
ュールにおいても、より小型にすることができる。ま
た、請求項３に記載の発明によれば、例えば基体に、半
導体モジュールを冷却装置等の他の部材に取りつけるた
めのネジ穴等の開口部が形成されている場合であって
も、同様に適切に封止材漏れ防止壁を形成することがで
き、これにより半導体モジュールを小型にすることがで
きる。なお、請求項４に記載の発明によれば、接着剤を
用いた通常の方法により、容易に封止材漏れ防止壁を形
成することができる。また、請求項５に記載の発明によ
れば、接着剤を用いることなく封止材漏れ防止壁を形成
することができる。

【００１４】また、請求項６に記載の発明によれば、封
止時のシール性能を向上させることができ、より高性能
な半導体モジュールを製造することができる。また、請
求項７に記載の発明によれば、基体に形成されているネ
ジ穴を利用して封止材漏れ防止壁に圧力を印加すること
ができる。したがって、新たな装置を必要とせず、容易
に封止時のシール性能を向上させることができ、ひいて
はより高性能な半導体モジュールを容易に製造すること
ができる。また、請求項８に記載の発明によれば、封止
材漏れ防止壁の厚さを薄くすることができるので、なお
一層小型の半導体モジュールを製造することができる。

【００１５】また、請求項９に記載の発明によれば、製
造工程上の作業スペースをより少なくした小型の半導体
モジュールを提供することができる。そして、特に請求
項１０に記載の発明によれば、小型で放熱効果の高い半
導体モジュールを提供することができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】第１の実施の形態 本発明の第１の実施の形態について、図１〜図４を参照
して説明する。図１および図２は、本発明の第１の実施
の形態の半導体モジュールの製造方法を説明するための
図である。また、図３は、ワイヤボンディングを行う際
のワイヤボンディングツールを示す図である。以下、図
面を参照して第１の実施の形態の半導体モジュールの製
造方法について説明する。

【００１７】まず、絶縁用樹脂をモールドし電極１２あ
るいは回路基板と一体化することにより、図１（Ａ）に
示すような基体１１を形成する。この基体１１は、半導
体素子が搭載される基板であると同時に、半導体モジュ
ールのケースの一部を構成するものである。また、この
基体１１には、基体１１を冷却装置に接合するネジを通
過させ係止するための開口部１３が設けられている。次
に、図１（Ｂ）に示すように、この基体１１に半導体素
子１４を搭載し、図３に示すようなツールを使用して、
半導体素子１４と基体１１上の電極１２とをワイヤボン
ディングし、これらを金線１５により接続する。

【００１８】次に、半導体素子１４およびボンディング
ワイヤ１５を封止するために、図１（Ｃ）に示すよう
に、ゲル状の封止材の漏れを防止するための封止材漏れ
防止壁１６を基体１１上に形成する。この封止材漏れ防
止壁１６は、基体１１の側面方向において、その封止す
る領域を囲むように形成される。なお、基体１１のモー
ルド時に側壁が一体的に形成されているような箇所につ
いては、封止材漏れ防止壁１６を設ける必要はなく、そ
の側壁がそのまま封止領域を規定する壁として用いられ
る。また、基体１１上の封止対象領域中に開口部１３等
のような穴が形成されている場合には、この穴より封止
材が漏れないよう、図１（Ｃ）に示すように、この開口
部１３を囲むように封止材漏れ防止壁を形成する。ま
た、第１の実施の形態においてこの封止材漏れ防止壁１
６は、壁を構成する樹脂部材を接着剤により基体１１に
接着することにより形成される。

【００１９】封止材漏れ防止壁１６を形成したら、図２
（Ｄ）に示すように、基体１１の側壁および封止材漏れ
防止壁１６により囲まれ半導体素子１４およびボンディ
ングワイヤ１５を含む空間にゲル状の樹脂１７を充填す
る。そして、これを硬化させることにより封止を行い、
半導体モジュール１を形成する。そして、図１（Ｅ）に
示すように、開口部１３にネジ２１を挿入し、封止の終
了した半導体モジュール１を冷却装置に接合する。

【００２０】このように、第１の実施の形態の半導体モ
ジュールの製造方法においては、ワイヤボンディングを
行う時には図１（Ｂ）に示すように封止材漏れ防止壁１
６が未だ形成されておらず、図２に示すようなボンディ
ングツールが稼動する際に障害となるような背の高い構
成物がない。したがって、ボンディングツールは基体１
１に近接した空間を自在に動くことができ、適切にワイ
ヤボンディングを行うことができる。また、封止材漏れ
防止壁１６は、ワイヤボンディング等の基体１１に近接
した空間をツールが稼動して行う製造工程が終了した後
に設けることとなる。したがって、封止材漏れ防止壁１
６は所望の位置に設けることができる。すなわち、ワイ
ヤボンディング等の製造工程のための空間を考慮する必
要なく、単に例えば半導体モジュールを小型化したいと
いう要望に対応して封止空間を決定し、これに基づいて
封止材漏れ防止壁１６を形成すればよい。その結果、半
導体素子１４およびボンディングワイヤ１５周辺の必要
最小限の空間を封止することができ、半導体モジュール
１の小型化が促進される。

【００２１】なお、本実施の形態において、封止材漏れ
防止壁は基体に接着剤により接着するものとしたが、例
えば基体に形成した溝と嵌合するようにしてもよい。具
体的には、例えば図４（Ａ）に示すように基体１１ｂに
溝１８を形成しておき、図４（Ｂ）に示すように半導体
素子１４を搭載してワイヤボンディングにより半導体素
子１４の電極と基体１１ｂ上の電極１２とを金線１５で
接続する。そして、図４（Ｃ）に示すように、基体１１
ｂに形成した溝１８に封止材漏れ防止壁１６の部材を嵌
合させることにより封止材漏れ防止壁１６を形成する。
なお、以後の工程は、前述した工程と同じである。この
ようにして、半導体モジュール１を構成するようにして
もよい。

【００２２】第２の実施の形態 本発明の第２の実施の形態について、図５および図６を
参照して説明する。図５および図６は、本発明の第２の
実施の形態の半導体モジュールの製造方法を説明するた
めの図である。第２の実施の形態においては、形成した
封止材漏れ防止壁を基体に密着させることにより、より
シール性能よく封止が行えるようにしたものである。以
下、図面を参照して第２の実施の形態の半導体モジュー
ルの製造方法について説明する。

【００２３】まず、絶縁用樹脂をモールドし電極１２あ
るいは回路基板と一体化することにより、図５（Ａ）に
示すような基体１１ｃを形成する。なお、この基体１１
ｃには、ネジ穴１９が設けられている。次に、図５
（Ｂ）に示すように、この基体１１ｃに半導体素子１４
を搭載し、ワイヤボンディングを行うことにより、半導
体素子１４の電極と基体１１ｃ上の電極１２とを金線１
５により接続する。

【００２４】次に、図５（Ｃ）に示すように、ゲル状の
封止材の漏れを防止するための封止材漏れ防止壁１６を
基体１１上に形成し、ネジ２２およびワッシャ２３によ
り基体１１ｃ方向に押さえつける。ここで、ネジ２２は
ネジ穴１９に係合するネジであり、ワッシャ２３は、ネ
ジ穴１９の周囲の封止材漏れ防止壁１６を一括して押さ
える程度の外径を有しネジ２２に掛止されるワッシャで
ある。なお、封止材漏れ防止壁１６は、一次的には第１
の実施の形態と同様に、壁を構成する樹脂部材を接着剤
により基体１１に接着することにより形成される。

【００２５】封止材漏れ防止壁１６を形成したら、図６
（Ｄ）に示すように、基体１１ｃの側壁および封止材漏
れ防止壁１６により囲まれ半導体素子１４およびボンデ
ィングワイヤ１５を含む空間にゲル状の樹脂１７を充填
する。そして、これを硬化させることにより封止を行
い、封止材漏れ防止壁１６に基体１１ｃ方向の力を印加
していたネジ２２およびワッシャ２３を取り除くことに
より半導体モジュール１ｃを形成する。なお、この半導
体モジュール１ｃを、例えば冷却装置等に接合する場合
には、図６（Ｅ）に示すように、足部はネジ穴１９を通
過し、頭部およびワッシャが封止材漏れ防止壁１６で囲
まれる領域に収容されるような、ネジ２２とは若干径の
小さいネジ２１を用いる。

【００２６】このように、第２の実施の形態の半導体モ
ジュールの製造方法においても、第１の実施の形態と同
様に、ボンディングツールは基体１１に近接した空間を
自在に動くことができ、適切にワイヤボンディング等の
工程を実施することができる。また、ワイヤボンディン
グ等の製造工程のための空間を考慮する必要なく、半導
体素子１４およびボンディングワイヤ１５周辺の必要最
小限の空間で封止を行うことができ、半導体モジュール
１の小型化が促進される。そして、さらに第２の実施の
形態の半導体モジュールの製造方法においては、封止材
漏れ防止壁１６を基体１１ｃ方向に押さえつけることが
できるため、シール性能が向上する。また、円筒部の内
径および円柱部の外径の寸法公差を大きくすることも可
能となる。さらに、円筒部の下端部もしくは全体に弾性
の高い素材を用いると、ケース側の面の粗さを吸収する
ことができ、より確実なシール効果を得ることができ
る。

【００２７】第３の実施の形態 本発明の第３の実施の形態について、図７および図８を
参照して説明する。図７および図８は、本発明の第３の
実施の形態の半導体モジュールの製造方法を説明するた
めの図である。第３の実施の形態は、フィルム状の素材
で形成された円筒状の封止材漏れ防止壁を、これに内接
する封止材漏れ防止壁保持円柱により保持し、封止材が
硬化した後にこの封止材漏れ防止壁保持円柱のみを取り
去ることで、ネジ穴近傍への封止材の侵入を防ぐように
したものである。以下、図面を参照して第３の実施の形
態の半導体モジュールの製造方法について説明する。

【００２８】まず、絶縁用樹脂をモールドし電極１２あ
るいは回路基板と一体化することにより、図７（Ａ）に
示すような基体１１ｄを形成する。なお、この基体１１
ｄには、開口部１３が設けられている。次に、図７
（Ｂ）に示すように、この基体１１ｄに半導体素子１４
を搭載し、ワイヤボンディングを行うことにより、半導
体素子１４の電極と基体１１ｄ上の電極１２とを金線１
５により接続する。

【００２９】次に、図７（Ｃ）に示すように、フィルム
状の素材でできた封止材漏れ防止壁２０を表面に密着さ
せたピン形状の封止材漏れ防止壁保持円柱２４の開口部
１３に嵌合して、基体１１ｄに取りつける。この封止材
漏れ防止壁保持円柱２４は、頭部が、第１の実施の形態
および第２の実施の形態で示した開口部１３またはネジ
穴１９に封止材が浸入するのを防ぐ封止材漏れ防止壁１
６により囲まれた柱形状の空間と同一の形状をし、この
頭部に、開口部１３に挿入する足部を設けたピン形状の
部材である。このような封止材漏れ防止壁保持円柱２４
を取りつけたら、図８（Ｄ）に示すように、基体１１ｃ
の半導体素子１４およびボンディングワイヤ１５を含む
空間にゲル状の樹脂１７を充填し、これを硬化させるこ
とにより封止を行う。封止樹脂の硬化が終了したら、フ
ィルム状封止材漏れ防止壁２０を残して封止材漏れ防止
壁保持円柱２４を抜くことにより、半導体モジュール１
ｄが形成される。そして、図８（Ｅ）に示すように、開
口部１３にネジ２１を挿入し、封止の終了した半導体モ
ジュール１を冷却装置に接合する。

【００３０】このように、第３の実施の形態の半導体モ
ジュールの製造方法においても、第１の実施の形態およ
び第２の実施の形態と同様に、ボンディングツールは基
体１１に近接した空間を自在に動くことができ、適切に
ワイヤボンディング等の工程を実施することができる。
また、ワイヤボンディング等の製造工程のための空間を
考慮する必要なく、半導体素子１４およびボンディング
ワイヤ１５周辺の必要最小限の空間で封止を行うことが
でき、半導体モジュール１の小型化が促進される。そし
て、さらに第３の実施の形態の半導体モジュールの製造
方法においては、封止材漏れ防止壁保持円柱２４を用い
ることにより、封止樹脂充填時および封止時に封止材漏
れ防止壁が単独で封止材の圧力に耐える必要がなくなる
ために、封止材漏れ防止壁を薄くすることができる。そ
の結果、薄いフィルム形状の封止材漏れ防止壁２０を用
いることができ、半導体モジュール１をより小型化する
ことができる。

【００３１】なお、本実施の形態においては、封止材漏
れ防止壁保持円柱２４は円柱形状としたが、柱形状であ
れば、角柱形状であってもよく、円柱に限られるもので
はない。

【００３２】なお、これらの第１〜第４の各実施の形態
は、本発明の理解を容易にするために記載されたもので
あって本発明を何ら限定するものではない。本実施の形
態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する
全ての設計変更や均等物をも含み、また、任意好適な種
々の改変が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態の半導体モ
ジュールの製造方法を説明するための図である。

【図２】図２は、図１に続いて本発明の第１の実施の形
態の半導体モジュールの製造方法を説明するための図で
ある。

【図３】図３は、ワイヤボンディングツールの一例を示
す図である。

【図４】図４は、図１に示した第１の実施の形態の変形
例の半導体モジュールの製造方法を説明するための図で
ある。

【図５】図５は、本発明の第２の実施の形態の半導体モ
ジュールの製造方法を説明するための図である。

【図６】図６は、図５に続いて本発明の第２の実施の形
態の半導体モジュールの製造方法を説明するための図で
ある。

【図７】図７は、本発明の第３の実施の形態の半導体モ
ジュールの製造方法を説明するための図である。

【図８】図８は、図７に続いて本発明の第３の実施の形
態の半導体モジュールの製造方法を説明するための図で
ある。

【符号の説明】

１…半導体モジュール １１…基体（半導体モジュールケース） １２…電極 １３…開口部 １４…半導体素子 １５…ボンディングワイヤ（金線） １６…封止材漏れ防止壁 １７…封止樹脂 １８…溝 １９…ネジ穴 ２０…フィルム状封止材漏れ防止壁 ２１，２２…ネジ ２３…ワッシャ ２４…封止材漏れ防止壁保持円柱

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基体上に半導体素子を搭載し、 前記搭載された半導体素子または前記半導体素子を搭載
   した基体に対して所定の処理を施し、 前記半導体素子を封止する封止材の漏れを防止する封止
   材漏れ防止壁を、前記基体上の前記半導体素子の周囲に
   選択的に形成し、 前記搭載された半導体素子の周囲に封止材を注入し、 前記注入した封止部材を硬化させ前記半導体素子を封止
   する半導体モジュールの製造方法。
2. 【請求項２】前記所定の処理は、前記搭載された半導体
   素子と前記基体上の電極とのワイヤボンディングであ
   り、 前記封止材漏れ防止壁は、前記ワイヤボンディングを行
   った箇所の近傍に形成する請求項１に記載の半導体モジ
   ュールの製造方法。
3. 【請求項３】前記基体は、当該基体を表裏に貫通する開
   口部を有し、 前記封止材漏れ防止壁は、前記開口部より封止材が漏れ
   ないように当該開口部と前記搭載された半導体素子との
   間に設ける請求項１または２に記載の半導体モジュール
   の製造方法。
4. 【請求項４】前記封止材漏れ防止壁は、当該壁部材を前
   記基体に接着することにより、前記基体上に形成する請
   求項１〜３のいずれかに記載の半導体モジュールの製造
   方法。
5. 【請求項５】前記封止材漏れ防止壁は、当該壁部材を前
   記基体に設けられた溝に嵌合させることにより、前記基
   体上に形成する請求項１〜３のいずれかに記載の半導体
   モジュールの製造方法。
6. 【請求項６】前記形成された封止材漏れ防止壁に基板方
   向の力を印加することにより、当該封止材漏れ防止壁と
   前記基板とを圧着し、 前記封止材漏れ防止壁が圧着された状態で、前記搭載さ
   れた半導体素子の周囲に封止材を注入する請求項１〜５
   のいずれかに記載の半導体モジュールの製造方法。
7. 【請求項７】前記開口部はネジ穴であって、 当該ネジ穴に嵌合されたネジにより、前記形成された封
   止材漏れ防止壁に基板方向の力を印加し、当該封止材漏
   れ防止壁と前記基板とを圧着し、前記封止材漏れ防止壁
   が圧着された状態で、前記搭載された半導体素子の周囲
   に封止材を注入する請求項３に記載の半導体モジュール
   の製造方法。
8. 【請求項８】断面が前記開口部を塞ぐ形状の筒状頭部と
   前記開口部に挿入可能な足部を有するピン型部材であっ
   て、前記頭部にフィルム状の封止材漏れ防止部材が巻き
   付けられているピン型部材を、前記足部を前記開口部に
   挿入して前記頭部を前記基板に密着させることにより、
   前記フィルムを前記開口部を囲む前記封止材漏れ防止壁
   として形成し、 前記半導体素子の周囲に封止材を注入し、 前記注入した封止部材を硬化させ、 前記フィルム状の封止材漏れ防止部材を残して前記ピン
   型部材を除去し、 前記ピン型部材が除去された開口部を通過するネジによ
   り、前記半導体素子が封止された基体を他の部材に取り
   つける請求項３に記載の半導体モジュールの製造方法。
9. 【請求項９】半導体素子が実装された半導体モジュール
   であって、 所望の導電パタンが形成され、当該半導体モジュールを
   所定の取り付け部材により他の部材に取り付けるための
   開口部を有する基体と、 前記基体上に実装され、ワイヤボンディングにより当該
   基体上の前記導電パタンと電気的に接続されている半導
   体素子と、 前記半導体素子および前記ワイヤボンディングされたワ
   イヤを封止する封止材が前記開口部に漏れないように、
   前記半導体素子に近接した前記開口部の周囲に形成され
   た封止材漏れ防止壁と、 前記封止材漏れ防止壁により範囲が制限されて形成され
   た前記半導体素子および前記ワイヤボンディングされた
   ワイヤを封止する封止部材とを有する半導体モジュー
   ル。
10. 【請求項１０】前記開口部を貫通するネジにより冷却部
    材と一体化されている請求項９に記載の半導体モジュー
    ル。