JP2003179024A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 薬液の温度変動を抑制して、確実に処理の再
現性を得ることができる基板処理装置および基板処理方
法を提供する。 【解決手段】 本発明の基板処理装置１は、陽極化成処
理等が行われる処理槽１２と、処理槽１２に供給する陽
極化成液を貯留するタンク４２とを備えている。処理槽
１２とタンク４２とは、供給管４７および排出管５７を
介して接続されている。ガラス基板Ｇに陽極化成処理を
施す以前或いは陽極化成処理中に処理槽１２を介して陽
極化成液を循環させることにより、陽極化成液の温度上
昇を抑制することができ、確実に陽極化成処理の再現性
を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する利用分野】本発明は、ガラス基板等の基
板に処理を施す基板処理装置および基板処理方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、フラットパネルディスプレイの開
発が進んでいる。フラットパネルディスプレイの中に
は、ＢＳＤ（Ｂａｌｌｉｓｔｉｃ Ｓｕｒｆａｃｅ‐Ｅ
ｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ）のような電子を放出
する電子源を備えているものもある。ＢＳＤに使用され
る電子源は、ポリシリコンを多孔質化して作製されるも
のである。

【０００３】このようなポリシリコンを多孔質化する装
置としては、電気化学反応を利用した陽極化成装置が知
られている。この陽極化成装置では、タンクから陽極化
成処理槽に陽極化成液を供給し、かつポリシリコンを陽
極化成液に接触させた状態で電極間に電圧を印可して、
多孔質化している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記したよ
うな陽極化成装置は、反応速度を抑制して、陽極化成処
理の再現性を向上させるために、陽極化成液をタンクで
一定温度に温度調節し、温度調節した陽極化成液を陽極
化成処理槽に供給している。

【０００５】しかしながら、タンクで陽極化成液を温度
調節しても、陽極化成液が陽極化成処理槽或いはタンク
から陽極化成処理槽までの間の配管等で温められ、陽極
化成液の温度が上昇してしまうことがある。

【０００６】また、ポリシリコンがｎ型ポリシリコンの
場合には、陽極化成処理の際に光を照射する必要がある
が、光を照射すると、光により陽極化成液が温められ、
陽極化成液の温度が上昇してしまうことがある。

【０００７】上記したような陽極化成液の温度変動があ
ると、処理の度に陽極化成液の温度が異なってしまうの
で、処理の度に反応速度が異なり、再現性を有効に向上
することができないという問題がある。

【０００８】本発明は上記従来の問題を解決するために
なされたものである。即ち、薬液の温度変動を抑制し
て、確実に処理の再現性を得ることができる基板処理装
置および基板処理方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決しようとする手段】本発明の基板処理装置
は、基板を保持する保持台と、保持台に保持された基板
との接続により、薬液を貯留する処理槽が形成される枠
体と、基板に接触する第１の電極と、第１の電極との間
に電圧が印加される第２の電極と、基板に光を照射する
光源と、処理槽を介して薬液を循環させる、薬液の温度
を調節する温度調節手段を備えた薬液循環系と、を具備
することを特徴としている。

【００１０】上述した発明及び以下に示す各発明におい
て、特に限定しない限り用語の定義及び技術的意義は次
による。

【００１１】薬液は、正孔を有する基板に処理を施すこ
とができれば、どのようなものであってもよい。このよ
うな薬液としては、例えば、陽極化成液が挙げられる。

【００１２】基板は、薬液を使用して処理される基板で
あれば、どのようなものであってもよい。このような基
板としては、例えば、ポリシリコンが形成されたガラス
基板或いはシリコン系基板が挙げられる。

【００１３】光源は、基板に正孔を作ることができれ
ば、どのようなものであってもよい。このような光源と
しては、例えば、ハロゲンランプが挙げられる。

【００１４】温度調節手段は、薬液を加温する加温手段
および薬液を冷却する冷却手段のいずれであってもよ
い。冷却手段としては、熱交換器、ペルチェ素子等を使
用することができる。

【００１５】本発明の基板処理装置は、処理槽を介して
薬液を循環させる、薬液の温度を調節する温度調節手段
を備えた薬液循環系を備えているので、薬液の温度変動
を抑制して、確実に処理の再現性を得ることができる。
また、薬液を循環させることができるので、コストの低
減を図ることができる。

【００１６】上記基板処理装置の薬液循環系は、薬液を
貯留する薬液槽と、薬液槽から処理槽に薬液を供給する
薬液供給管と、処理槽から薬液を排出し、薬液槽に薬液
を戻す薬液排出管と、を備えていることが好ましい。薬
液槽を備えることにより、薬液の交換頻度を低下させる
ことができる。また、薬液供給管と薬液排出管とを備え
ることにより、薬液槽から処理槽に薬液を供給或いは処
理槽から薬液槽に薬液を戻すことができる。

【００１７】上記基板処理装置の薬液循環系は、一端が
薬液供給管に接続され、かつ他端が薬液排出管に接続さ
れた、薬液槽に薬液を戻す薬液戻し管をさらに備えてい
ることが好ましい。薬液戻し管を備えることにより、薬
液供給管内および薬液排出管内に滞留する薬液を薬液槽
に戻すことができる。また、基板の搬出入を行っている
間或いは基板に他の処理を施している間に、薬液の温度
を調節しながら循環させることもできる。

【００１８】上記基板処理装置の薬液循環系は、一端が
薬液供給管に接続され、かつ他端が薬液槽に接続され
た、薬液槽内の薬液を攪拌する薬液攪拌配管をさらに備
えていることが好ましい。薬液攪拌配管を備えることに
より、薬液槽内の薬液の温度を均一にすることができ
る。

【００１９】上記基板処理装置の薬液循環系は、薬液供
給管の、薬液攪拌配管の接続位置より上流側の位置に介
在した薬液供給・攪拌ポンプをさらに備えていることが
好ましい。薬液供給・攪拌ポンプを備えることにより、
一つのポンプで、薬液の供給と攪拌とを行うことができ
る。

【００２０】上記基板処理装置の薬液循環系は、薬液戻
し管に薬液を流す薬液戻しバルブをさらに備えているこ
とが好ましい。薬液戻しバルブを備えることにより、所
望のタイミングで薬液を薬液戻し管に流入させることが
できる。

【００２１】本発明の他の基板処理装置は、基板を保持
する保持台と、保持台に保持された基板に接続して、上
部が開放された処理槽を形成する枠体と、薬液を貯留す
る薬液槽と、薬液の温度を調節する温度調節手段と、薬
液槽から処理槽に薬液を供給する薬液供給管と、処理槽
から薬液を排出する薬液排出管と、薬液供給管の途中か
ら分岐した、薬液供給管内の薬液を薬液槽に戻す薬液戻
し管と、を具備することを特徴としている。ここで、本
発明の薬液は、基板が正孔を有しているか否か問わず、
基板に処理を施せるものである。

【００２２】本発明の基板処理装置は、薬液供給管の途
中から分岐した、薬液供給管内の薬液を薬液槽に戻す薬
液戻し管を備えているので、薬液の温度変動を抑制し
て、確実に処理の再現性を得ることができる。

【００２３】上記基板処理装置の薬液供給管は、処理槽
に供給される薬液が流れる内管と、内管を覆った覆設部
と、一端が覆設部に接続され、かつ他端が薬液槽に接続
された、覆設部の内面と前記内管の外面との間に薬液を
供給する供給部とを有する外管と、を備えていることが
好ましい。薬液供給管が内管と外管とを備えることによ
り、内管から処理槽に供給される薬液の温度変動を抑制
することができる。

【００２４】上記基板処理装置の保持台および枠体の少
なくとも一方は、薬液の温度を調節する温度調節手段を
備えていることが好ましい。温度調節手段を備えること
により、確実に薬液或いは基板の温度変動を抑制するこ
とができる。

【００２５】上記基板処理装置に使用される薬液は、陽
極化成液であってもよい。陽極化成液は、基板に陽極化
成処理を施すことができれば、どのようなものであって
もよい。このような陽極化成液としては、例えば、フッ
化水素酸、或いはフッ化水素酸とアルコールとの混合液
が挙げられる。混合液に使用されるアルコールとして
は、例えば、エタノールが挙げられる。

【００２６】陽極化成液を使用することにより、基板に
陽極化成処理を施すことができる。ここで、本発明の
「陽極化成処理」とは、基板の少なくとも一部を多孔質
化する処理をいう。

【００２７】薬液に陽極化成液を使用し、基板にポリシ
リコンが形成されたガラス基板或いはシリコン系基板を
使用した場合には、例えば、下式（１）〜（３）のよう
な反応式でポリシリコンが多孔質化されると考えられ
る。 Ｓｉ＋２ＨＦ＋（２−ｎ）ｅ^＋ → ＳｉＦ_２＋２Ｈ^＋＋ｎｅ⁻ ……式 （１） ＳｉＦ_２＋２ＨＦ → ＳｉＦ_４＋Ｈ_２ ……式 （２） ＳｉＦ_４＋２ＨＦ → Ｈ_２ＳｉＦ_６ ……式 （３） ここで、ｅ^＋は正孔であり、ｅ⁻は電子である。

【００２８】上記基板処理装置の陽極化成液は、フッ化
水素酸を含んでいることが好ましい。陽極化成液がフッ
化水素酸を含むことにより、確実に基板に陽極化成処理
を施すことができる。

【００２９】上記基板処理装置は、前記処理槽に陽極酸
化液を供給する陽極酸化液供給系と、前記処理槽に洗浄
液を供給する洗浄液供給系とをさらに備えていることが
好ましい。

【００３０】陽極酸化液は、基板に陽極酸化処理を施す
ことができれば、どのようなものであってもよい。ここ
で、本発明の「陽極酸化処理」とは、基板の陽極化成処
理により多孔質化された部分に酸化膜を形成する処理を
いう。陽極酸化液としては、例えば、硫酸、或いは硫酸
とアルコールとの混合液が挙げられる。混合液に使用さ
れるアルコールとしては、例えば、エタノールが挙げら
れる。

【００３１】洗浄液は、基板を洗浄できるものであれ
ば、どのようなものであってもよい。このような洗浄液
としては、アルコール、或いは純水が挙げられる。な
お、アルコールとしては、例えば、エタノールが使用で
きる。

【００３２】陽極酸化液供給系と洗浄液供給系とを備え
ることにより、基板に陽極酸化処理および洗浄処理を施
すことができる。

【００３３】本発明の基板処理方法は、処理槽内の薬液
に基板を接触させた状態で、基板に接触した第１の電極
と第２の電極との間に電圧を印加し、かつ基板に光を照
射して、基板に処理を施す処理工程と、薬液の温度を調
節しながら、処理槽を介して薬液を循環させる処理槽介
在循環工程と、を具備することを特徴としている。

【００３４】処理槽介在循環工程は、処理工程以前およ
び処理工程中の少なくともいずれか一方で行うことが可
能である。

【００３５】本発明の基板処理方法は、薬液の温度を調
節しながら、処理槽を介して薬液を循環させる処理槽介
在循環工程を備えているので、薬液の温度変動を抑制し
て、確実に処理の再現性を得ることができる。また、コ
ストの低減を図ることができる。

【００３６】上記基板処理方法の処理槽介在循環工程
は、処理工程以前に行われることが好ましい。処理槽介
在循環工程を処理工程以前に行うことにより、基板、処
理槽および薬液供給管等を温度調節することができ、基
板、処理槽および薬液供給管等を処理温度に近づけるこ
とができる。

【００３７】上記基板処理方法の処理槽介在循環工程
は、処理工程中に行われることが好ましい。処理槽介在
循環工程を処理工程中に行うことにより、確実に処理工
程中における薬液の温度変動を抑制することができる。

【００３８】上記基板処理方法は、処理工程後に、処理
槽を介さずに薬液の温度を調節しながら循環させる処理
槽非介在循環工程をさらに備えていることが好ましい。
処理槽非介在循環工程を行うことにより、次の基板に処
理を施す際に、速やかに処理を施すことができる。

【００３９】本発明の他の基板処理方法は、薬液の温度
を調節する温度調節工程と、薬液を貯留した薬液槽から
保持台に保持された基板と基板に接続した枠体とで形成
された処理槽に、薬液供給管を介して薬液を供給する供
給工程と、薬液に浸された基板に処理を施す処理工程
と、処理槽から薬液排出管を介して薬液を排出する排出
工程と、薬液槽と、薬液供給管と、薬液供給管の途中か
ら分岐した、薬液供給管内の薬液を薬液槽に戻す戻し管
とで薬液を循環させる循環工程と、を具備することを特
徴としている。

【００４０】本発明の基板処理方法では、薬液槽と、薬
液供給管と、薬液供給管の途中から分岐した、薬液供給
管内の薬液を薬液槽に戻す戻し管とで薬液を循環させる
循環工程を備えているので、薬液の温度変動を抑制し
て、確実に処理の再現性を得ることができる。

【００４１】上記基板処理方法の処理工程は、薬液槽
と、薬液供給管と、薬液排出管とで薬液を循環させなが
ら行われることが好ましい。薬液を循環させながら処理
工程を行うことにより、薬液の温度変動を抑制して、確
実に処理の再現性を得ることができる。

【００４２】上記基板処理方法に使用される薬液は、陽
極化成液であってもよい。陽極化成液を使用することに
より、基板に陽極化成処理を施すことができる。

【００４３】上記基板処理方法は、処理工程後に、処理
槽に陽極酸化液を供給して、基板に陽極酸化処理を施す
陽極酸化処理工程と、陽極化成処理工程後に、処理槽に
洗浄液を供給して、基板に洗浄処理を施す洗浄処理工程
と、をさらに備えていることが好ましい。

【００４４】洗浄処理工程は、複数回行うことも可能で
ある。例えば、陽極化成処理工程後、かつ陽極酸化処理
工程前に第１の洗浄処理工程を行い、さらに陽極酸化処
理工程後に第２の洗浄処理工程を行うことも可能であ
る。この場合、第１の洗浄処理工程に使用される洗浄液
としては、例えば、アルコールが挙げられる。また、第
２の洗浄処理工程に使用される洗浄液としては、例え
ば、純水が挙げられる。

【００４５】陽極酸化処理工程および洗浄処理工程を行
うことにより、基板に酸化膜を形成することができ、か
つ基板を洗浄することができる。

【００４６】

【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）以下、本発
明の第１の実施の形態に係る基板処理装置について説明
する。図１は本実施の形態に係る基板処理装置の構成を
模式的に示した構成図であり、図２は本実施の形態に係
る基板処理装置のプロセス部の一部を模式的に示した垂
直断面図である。図３は本実施の形態に係る基板処理装
置の各供給系の接続関係を模式的に示した構成図であ
り、図４は本実施の形態に係る基板処理装置の供給管を
模式的に示した垂直断面図である。

【００４７】図１〜図４に示すように、基板処理装置１
は、主に、陽極化成処理等の処理を行うプロセス部２
と、プロセス部２に陽極化成液（薬液）等の処理液を供
給する処理液供給部３とから構成されている。

【００４８】プロセス部２内には、合成樹脂等の耐処理
液性材料で形成されたハウジング１１が配設されてい
る。ハウジング１１の内部には、主に、陽極化成液等の
処理液を貯留する分離可能な処理槽１２と、ガラス基板
Ｇに光を照射するランプユニット１３と、が配設されて
いる。

【００４９】処理槽１２は、ガラス基板Ｇを載置する保
持台１４と枠体１５とから構成されており、枠体１５が
保持台１４に対して下降して接触することにより、上部
が開放された処理槽１２が形成される。なお、ハウジン
グ１１上側から下側にかけてランプユニット１３、枠体
１５、および保持台１４の順で、配設されている。

【００５０】保持台１４の付近のハウジング１１にはガ
ラス基板Ｇを基板処理装置１内に搬出入するゲートバル
ブ１６が設けられている。

【００５１】保持台１４は、主に、ガラス基板Ｇを載置
する略四角形の載置部１４ａと、載置部１４ａを支持す
る４本の支持部１４ｂとから構成されている。なお、ガ
ラス基板Ｇは、被処理面を上側に向けるフェイスアップ
方式で載置部１４ａに載置される。

【００５２】載置部１４ａには、吸引孔１７が設けられ
ており、吸引孔１７には真空ポンプ１８が接続されてい
る。真空ポンプ１８を作動させることにより、吸引孔１
７内の空気が吸引され、ガラス基板Ｇが載置部１４ａに
吸着される。また、載置部１４ａには、エアシリンダ等
から構成されたガラス基板昇降機構１９が内蔵されてお
り、ガラス基板昇降機構１９が作動することによりガラ
ス基板Ｇが保持台１４に載置或いは保持台１４から離間
される。

【００５３】載置部１４ａには、冷却媒体を流すための
開口２０が形成されている。開口２０には、後述するタ
ンク４５が図示しない配管を介して接続されており、タ
ンク４５から冷却媒体を開口２０に供給することによ
り、載置部１４ａが後述する陽極化成処理温度に冷却さ
れる。

【００５４】各支持部１４ｂには、エアシリンダ２１が
内蔵されており、エアシリンダ２１が作動することによ
り、枠体１５が保持台１４に対して昇降する。枠体１５
は、待機させるための待機位置（Ａ_１）と陽極化成処理
等の処理を行うための処理位置（Ａ_２）との間で昇降す
る。

【００５５】枠体１５は、略四角形に形成されている。
枠体１５の内壁面は上部から下部にかけて開口が狭くな
るように傾斜している。枠体１５の内壁面を傾斜させる
ことにより、後述するハロゲンランプ３２から光を照射
した場合に、影が形成されることがなくなり、ガラス基
板Ｇの被処理面全体に光が照射される。

【００５６】枠体１５の底部には、ガラス基板Ｇと枠体
１５との間からの処理液の漏洩を防ぐシールリング２２
が配設されている。シールリング２２は、例えばフッ素
系樹脂から形成され、エアシリンダ２１の作動で枠体１
５が待機位置（Ａ_１）から処理位置（Ａ_２）に位置する
ことにより、押圧され、弾性変形する。

【００５７】シールリング２２より外側の枠体１５底部
には、ガラス基板Ｇの縁部に接触するアノード電極２３
（第１の電極）が配設されている。アノード電極２３を
ガラス基板Ｇに接触させて、後述するカソード電極３４
との間に電圧を印加することにより、ガラス基板Ｇに陽
極化成処理および陽極酸化処理を施すことができる。な
お、アノード電極２３は、対向する２箇所に配設されて
いる。

【００５８】ここで、本実施の形態で使用されるガラス
基板Ｇについて説明する。ガラス基板Ｇ上には、スパッ
タリング等によりアルミニウムが所定の間隔をおいて一
定方向に形成されており、アノード電極２３がアルミニ
ウムに接触することによりアルミニウムと後述するカソ
ード電極３４との間に電圧が印加される。また、アルミ
ニウム上には、ｎ型ポリシリコンが形成されており、ｎ
型ポリシリコン上にはレジストのようなマスクが形成さ
れている。マスクには、窓が形成されており、窓に対応
するｎ型ポリシリコンの部分が陽極化成処理される。

【００５９】枠体１５の例えば５箇所には、内壁面から
外壁面にかけて貫通する開口２４〜２８が形成されてい
る。開口２４は処理液を処理槽１２内に供給するもので
あり、開口２５〜２８は処理液を処理槽１２内から排出
するものである。

【００６０】開口２４は、枠体１５を処理位置（Ａ_２）
に位置させた場合に、ガラス基板Ｇの被処理面に近接す
る位置に形成されている。開口２４をガラス基板Ｇの被
処理面に近接する位置に形成することにより、処理液供
給の際、処理液の飛散を防止することができる。

【００６１】開口２５〜２７は枠体１５の内壁面から外
壁面にかけて下るような傾斜を有している。このような
傾斜を有することにより、開口２５〜２７に流入した処
理液が重力により後述するバッファタンク５８に流れ込
む。

【００６２】開口２８は、枠体１５を処理位置（Ａ_２）
に位置させた場合に、ガラス基板Ｇの被処理面に近接す
る位置に形成されている。開口２８をガラス基板Ｇの被
処理面に近接する位置に形成することにより、後述する
エジェクタ６４を作動させたとき、ガラス基板Ｇの被処
理面付近に存在する処理液を吸引除去することができ
る。

【００６３】枠体１５には、熱伝対２９が配設されてお
り、ガラス基板Ｇ付近の処理液の温度を測定できるよう
になっている。枠体１５の上部には、液面センサ３０が
配設されており、枠体１５からの処理液のオーバーフロ
ーを防止することができる。

【００６４】枠体１５には、冷却媒体を流すための開口
３１が形成されている。開口３１には、後述するタンク
４５が図示しない配管を介して接続されており、タンク
４５から冷却媒体を開口３１に供給することにより枠体
１５が後述する陽極化成処理温度に冷却される。

【００６５】ランプユニット１３は、ハロゲンランプ３
２（光源）とハロゲンランプ３２を保持するランプホル
ダ３３とを備えている。ハロゲンランプ３２は、ランプ
電力が５００〜１１００Ｗ程度であり、ガラス基板Ｇの
被処理面に４５０〜５００ｎｍの波長域の光を照射する
ものである。ハロゲンランプ３２からガラス基板Ｇの被
処理面に光を照射することにより、ガラス基板Ｇ上のｎ
型ポリシリコンに正孔が形成される。

【００６６】ランプホルダ３３の底部には、メッシュ状
の白金から形成されたカソード電極３４（第２の電極）
が配設されている。

【００６７】ランプホルダ３３には、ランプユニット１
３を保持台１４に対して昇降させるランプユニット昇降
機構３５が取り付けられている。ランプユニット昇降機
構３５は、例えば、ランプホルダ３３に取り付けられた
ランプユニット１３を支持する支持梁３６と、ハウジン
グ１１の内壁に取り付けられたガイドレール３７と、支
持梁３６をガイドレール３７に沿わせて昇降させるエア
シリンダ３８とから構成されている。エアシリンダ３８
を作動させることにより、支持梁３６に支持されたラン
プユニット１３がガイドレール３７に沿って昇降する。
具体的にはランプユニット１３は、待機させるための待
機位置（Ｂ_１）と陽極化成処理を行う処理位置（Ｂ_２）
との間で昇降する。

【００６８】また、ハウジング１１内には、陽極酸化処
理されたガラス基板Ｇにエアを吹き付けるためのエアガ
ン３９が配設されている。エアガン３９からガラス基板
Ｇにエアを吹き付けることにより、ガラス基板Ｇに乾燥
処理が施される。

【００６９】枠体１５の開口２４〜２８には、フッ化水
素酸とエタノールとを所定の混合比で混合した陽極化成
液を循環させる循環系４１（薬液循環系）が接続されて
いる。

【００７０】循環系４１は、陽極化成液を貯留するタン
ク４２（薬液槽）を備えている。タンク４２には、タン
ク４２内の陽極化成液を冷却する冷却手段４３（温度調
節手段）が配設されている。冷却手段４３は、熱交換器
４４を備えており、熱交換器４４には、熱交換器４４に
供給する冷却媒体を貯留するタンク４５が配管４６を介
して接続されている。熱交換器４４に冷却媒体を流すこ
とにより、タンク４２内の陽極化成液が陽極化成処理温
度（約３〜１５℃、好ましくは約７℃）に冷却される。

【００７１】タンク４２には、タンク４２から処理槽１
２内に陽極化成液を供給する供給管４７（薬液供給管）
の一端が接続されている。ここで、本実施の形態では、
処理槽１２内に陽極化成液を供給する際には、タンク４
２側を上流側とし、処理槽１２側を下流側として説明す
る。

【００７２】供給管４７は、例えばポリテトラフルオロ
エチレン（ＰＴＦＥ）のような耐陽極化成液材料で形成
されている。供給管４７は、陽極化成液の温度変動を防
止するために２重管構造になっている。具体的には、供
給管４７は、処理槽１２に供給する陽極化成液が流れる
内管４８と、内管４８を覆った外管４９とから構成され
ている。

【００７３】内管４８の一端はタンク４２に接続されて
おり、他端は枠体１５の開口２４に接続されている。外
管４９は、内管４８を覆った覆設管４９ａと、覆設管４
９ａの内面と内管４８の外面との間に陽極化成液を供給
する供給管４９ｂとを備えている。覆設管４９ａおよび
供給管４９ｂの一端は、それぞれタンク４２に接続され
ており、他端は覆設管４９ａと供給管４９ｂとを繋ぐコ
ネクタ５０にそれぞれ接続されている。

【００７４】供給管４９ｂには、タンク４２内の陽極化
成液を圧送するポンプ５１が介在している。ポンプ５１
を作動させることにより、供給管４９ｂを介して覆設管
４９ａの内面と内管４８の外面との間に陽極化成液が供
給され、その後タンク４２に戻される。

【００７５】覆設管４９ａの内面と内管４８の外面との
間に陽極化成液を流すことにより、内管４８の温度をタ
ンク４２内の陽極化成液の温度に近づけることができ
る。その結果、内管４８内を流れる陽極化成液の温度変
動を防止することができる。

【００７６】内管４８には、他端がタンク４２に接続さ
れた攪拌配管５２（薬液攪拌配管）が接続されている。
また、内管４８の攪拌配管５２が接続された位置より上
流側には、陽極化成液を圧送するポンプ５３（薬液供給
・攪拌ポンプ）が介在している。このような位置にポン
プ５３を介在させることにより、ポンプ５３一つで陽極
化成液の供給と攪拌とを行うことができる。

【００７７】内管４８の処理槽１２に近接した位置に
は、開閉自在なバルブ５４が介在している。バルブ５４
を開くことにより処理槽１２内にポンプ５３で圧送され
た陽極化成液が供給され、バルブ５４を閉じることによ
り陽極化成液の処理槽１２内への供給が停止される。

【００７８】内管４８のバルブ５４が介在している位置
より上流側には、内管４８内および後述する排出管５７
内に滞留する陽極化成液をタンク４２に戻す戻し管５５
の一端が接続されている。戻し管５５の他端は、後述す
る排出管５７に接続されている。戻し管５５には、開閉
自在なバルブ５６が介在しており、バルブ５４を閉じた
状態で、バルブ５６を開くことによりポンプ５３で圧送
された陽極化成液が戻し管５５に流れ込み、後述する排
出管５７を介してタンク４２に戻される。本実施の形態
では、ポンプ５３の圧送は繰り返し行われるので、内管
４８内および後述する排出管５７内に滞留する陽極化成
液をタンク４２に戻すだけでなく、陽極化成液の循環が
行われる。

【００７９】枠体１５の開口２５〜２７には、排出管５
７（薬液排出管）がそれぞれ接続されている。排出管５
７の他端は、タンク４２に接続されており、処理槽１２
内から排出された陽極化成液が排出管５７内を流れ、タ
ンク４２に戻される。ここで、本実施の形態では、処理
槽１２内から陽極化成液を排出する際には、処理槽１２
側を上流側とし、タンク４２側を下流側として説明す
る。

【００８０】排出管５７には、所定量の陽極化成液を貯
留することができるバッファタンク５８が介在してい
る。バッファタンク５８は、液面センサ５９、６０を備
えており、バッファタンク５８内に存在する陽極化成液
の量を把握することができるようになっている。

【００８１】排出管５７のバッファタンク５８が介在し
ている位置より下流側には、排出された陽極化成液を圧
送するポンプ６１が介在している。ポンプ６１を作動さ
せることにより、陽極化成液がタンク４２に戻される。

【００８２】液面センサ５９、６０およびポンプ６１に
は、ポンプ６１の作動を制御する制御部６２が電気的に
接続されている。制御部６２は、液面センサ５９、６０
から送信された電気信号によりポンプ６１を制御する。
具体的には制御部６２は、液面センサ５９から送信され
た電気信号によりバッファタンク５８内に存在する陽極
化成液が所定量以上であると判断すると、ポンプ６１を
作動させる。また、制御部６２が、液面センサ６０から
送信された電気信号によりバッファタンク５８内に存在
する陽極化成液が所定量に満たないと判断すると、ポン
プ６１を停止させる。このような制御を行うことによ
り、ポンプ６１の空打ちを防止することができる。

【００８３】バッファタンク５８には、使用済みの陽極
酸化液、エタノール、および純水を貯留する図示しない
廃液タンクが配管６３を介して接続されている。

【００８４】開口２８には、処理液を吸引するエジェク
タ６４が配管６５を介して接続されている。エジェクタ
６４を作動させることにより、開口２８以下に溜まる処
理液を吸引除去することができる。ここで、エジェクタ
６４は、調節により開口２８以下に溜まっている処理液
の全てを除去或いはガラス基板Ｇ上に膜程度の処理液を
残すように処理液を除去することができる。

【００８５】なお、供給管４７、攪拌配管５２、および
排出管５７の所定箇所には、開閉自在なバルブ６６〜７
０および流量計７１〜７３が介在している。

【００８６】処理液供給部３は、希硫酸とエタノールと
を所定の混合比で混合した陽極酸化液を供給する陽極酸
化液供給系８１、エタノールを供給するエタノール供給
系１０１と（洗浄液供給系）、純水を供給する純水供給
系１２１（洗浄液供給系）とを備えている。

【００８７】陽極酸化液供給系８１、エタノール供給系
１０１、および純水供給系１２１は、それぞれ、陽極酸
化液、エタノール、および純水を貯留するタンク８２、
１０２、１２２と、一端がタンク８２、１０２、１２２
に、かつ他端が供給管４７のバルブ５４が介在している
位置より下流側の位置に接続された、陽極酸化液、エタ
ノール、および純水を供給する供給管８３、１０３、１
２３とを備えている。

【００８８】タンク８２、１０２、１２２には、陽極酸
化液、エタノール、純水を冷却する熱交換器８４、１０
４、１２４がそれぞれ配設されており、熱交換器８４、
１０４、１２４は、配管８５、１０５、１２５を介して
タンク４５に接続されている。熱交換器８４、１０４、
１２４に冷却媒体を流すことにより、タンク８２、１０
２、１２２内の陽極酸化液、エタノール、および純水が
陽極化成処理温度に冷却される。タンク８２、１０２、
１２２内の陽極酸化液、エタノール、および純水の温度
を陽極化成処理温度に冷却することにより、次のガラス
基板Ｇに陽極処理を施す際に、陽極化成処理前の陽極化
成液の循環時間を短縮することができる。

【００８９】供給管８３、１０３、１２３には、供給管
４７と同様に、他端がタンク８２、１０２、１２２に接
続された攪拌配管８６、１０６、１２６が接続されてい
る。また、供給管８３、１０３、１２３の攪拌配管８
６、１０６、１２６が接続された位置より上流側には、
陽極酸化液、エタノール、および純水を圧送するポンプ
８７、１０７、１２７が介在している。このような位置
にポンプ８７、１０７、１２７を介在させることによ
り、ポンプ８７、１０７、１２７一つで陽極化成液、エ
タノール、純水の供給と攪拌とを行うことができる。

【００９０】なお、供給管８３、１０３、１２３および
攪拌配管８６、１０６、１２６の所定箇所には、開閉自
在なバルブ８８、８９、１０８、１０９、１２９、１３
０および流量計９０〜９２、１１０〜１１２、１３０〜
１３２が介在している。

【００９１】以下、基板処理装置１で行われる処理のフ
ローについて図５〜図１２に沿って説明する。図５は本
実施の形態に係る基板処理装置１で行われる処理のフロ
ーを示したフローチャートであり、図６〜図１２は本実
施の形態に係る処理工程を模式的に示した模式図であ
る。

【００９２】まず、枠体１５が待機位置（Ａ_１）に位置
した状態で、ゲートバルブ１６を開き、図示しない搬送
アームによりガラス基板Ｇをガラス基板昇降機構１９上
に載置する。次いで、ガラス基板昇降１９が下降して、
ガラス基板Ｇを保持台１４に載置した後、真空ポンプ１
８の作動により、図６（ａ）に示すように、ガラス基板
Ｇが保持台１４の載置部１４ａに吸着され、保持される
（ステップ１ａ）。

【００９３】ガラス基板Ｇが保持台１４の載置部１４ａ
に保持された後、エアシリンダ２１の作動により、枠体
１５が待機位置（Ａ_１）から処理位置（Ａ_２）下降し、
枠体１５が保持台１４に接触して、処理槽１２が形成さ
れる。また、エアシリンダ３８の作動により、図６
（ｂ）に示すように、ランプユニット１３が待機位置
（Ｂ _１）から処理位置（Ｂ_２）に下降する（ステップ２
ａ）。なお、枠体１５が保持台１４に接触している状態
では、シールリング２２は弾性変形しており、枠体１５
と保持台１４との間からの処理液の漏洩が防止される。

【００９４】その後、バルブ５６を閉じた状態で、バル
ブ５４を開き、図７（ａ）に示すように、処理槽１２を
介して陽極化成液を循環させる（ステップ３ａ）。な
お、タンク４２内の陽極化成液は、熱交換器４４により
陽極化成処理温度に冷却されている。また、陽極化成液
をポンプ５３により圧送すると、陽極化成液は、供給管
４７のみならず、攪拌配管５２にも流れ込む。攪拌配管
５２の一端はタンク４２に接続されているので、攪拌配
管５２に流れ込んだ陽極化成液はタンク４２に戻され
る。従って、ポンプ５３の圧送を繰り返すことにより、
タンク４２内の陽極化成液が攪拌される。

【００９５】陽極化成液を循環させて、処理槽１２、供
給管４７、およびガラス基板Ｇ等の温度が陽極化成処理
温度に安定した後、処理槽１２を介して陽極化成液を循
環させている状態で、図７（ｂ）に示すように、アノー
ド電極２３とカソード電極３４との間に電圧を印可する
とともに、ハロゲンランプ３２から光をガラス基板Ｇに
照射して、約３〜５秒間、ガラス基板Ｇに陽極化成処理
を施す（ステップ４ａ）。この陽極化成処理により、上
記した式（１）〜式（３）のような反応が起こり、ガラ
ス基板Ｇのｎ型ポリシリコンが多孔質化される。

【００９６】本実施の形態では、陽極化成処理前および
陽極化成処理中に、処理槽１２を介して陽極化成液を循
環させているので、陽極化成液の温度変動を抑制でき、
確実に陽極化成処理の再現性を得ることができる。

【００９７】すなわち、陽極化成処理前に陽極化成液を
循環させることにより、処理槽１２、供給管４７等を冷
却することができ、処理槽１２、供給管４７等の温度を
陽極化成処理温度に近づけることができる。従って、陽
極化成処理の際にタンク４２から供給される陽極化成液
が処理槽１２、供給管４７等で温められることが殆どな
くなり、陽極化成液の温度変動を抑制することができ
る。よって、陽極化成処理の際に陽極化成処理温度の陽
極化成液を処理槽１２に供給することができる。

【００９８】また、陽極化成処理中に陽極化成液を循環
させることにより、処理槽１２内の陽極化成液が順次入
れ替わる。従って、ハロゲンランプ３２から照射される
光による処理槽１２内の陽極化成液の温度変動を抑制す
ることができ、処理槽１２内の陽極化成処理液の温度を
陽極化成処理液温度に安定させることができる。

【００９９】これらのことから、陽極化成処理の度に、
陽極化成液の温度が異なることがなくなり、反応速度が
変化することがなくなる。よって、確実に陽極化成処理
の再現性を得ることができる。また、陽極化成液を循環
させて、再利用するので、コストの低減を図ることがで
きる。

【０１００】ガラス基板Ｇに陽極化成処理を施した後、
ポンプ５３が作動した状態で、バルブ５４を閉じるとと
もにバルブ５６を開く。バルブ５４を閉じることによ
り、陽極化成液の処理槽１２内への供給が停止する。処
理槽１２に貯留されている開口２７以上の陽極化成液
は、開口２５〜２７から流出し、排出管５７を介してバ
ッファタンク５８に貯留される。バッファタンク５８に
貯留された陽極化成液は、ポンプ６１の作動により、タ
ンク４２に戻される。また、開口２７以下の陽極化成液
は、開口２７から流出しないので、エジェクタ６４によ
り開口２７以下の陽極化成液を取り除く。ここで、多孔
質化されたｎ型ポリシリコンは空気に触れると、素子と
しての機能を果たさなくなる。このため、エジェクタ６
４は、膜程度の陽極化成液を残したところで吸引を停止
して、多孔質化されたｎ型ポリシリコンが空気に触れる
のを防ぐ。一方、ポンプ５３が作動した状態で、バルブ
５６を開くことにより、図８（ａ）に示すように、処理
槽１２を介さずに陽極化成液が循環する。すなわち、ポ
ンプ５３で圧送された陽極化成液は、供給管４７から戻
し管５５に流れ込み、排出管５７を介してタンク４２に
戻される（ステップ５ａ）。この循環は、次のガラス基
板Ｇが搬入されるまで、絶えず行われる。

【０１０１】本実施の形態では、陽極化成処理以後の処
理の間も陽極化成液を循環させるので、供給管４７およ
び排出管５７内に陽極化成液が溜まることがなく、常
に、全ての陽極化成液を陽極化成処理温度に保つことが
できる。また、常に、供給管４７の温度を陽極処理温度
に安定させることができる。従って、次のガラス基板Ｇ
に陽極化成処理を施す場合に、陽極化成処理前の循環時
間を短縮することができる。

【０１０２】その後、陽極化成液を循環させている一方
で、バルブ１０８を開き、図８（ｂ）に示すように、陽
極化成処理温度のエタノールを処理槽１２内に供給し
て、約５分間ガラス基板Ｇにエタノール洗浄処理を施す
（ステップ６ａ）。なお、エタノール洗浄処理の際に開
口２５〜２７から流出するエタノールは、バルブ７０を
開くことにより、バッファタンク５８を介して図示しな
い廃液タンクに貯留される。

【０１０３】ガラス基板Ｇにエタノール洗浄処理を施し
た後、図９（ａ）に示すように、バルブ１０８を閉じて
エタノールの供給を停止する。処理槽１２に貯留されて
いるエタノールは、開口２５〜２７から流出し、バッフ
ァタンク５８を介して図示しない廃液タンクに貯留され
る。また、開口２７以下のエタノールは、エジェクタ６
４により取り除かれる（ステップ７ａ）。ここで、エジ
ェクタ６４は、上記と同様にガラス基Ｇ板上に膜程度の
エタノールを残したところで吸引を停止する。

【０１０４】処理槽１２内からエタノールを排出した
後、バルブ８８を開き、陽極化成処理温度の陽極酸化液
を処理槽１２内に供給する。陽極酸化液を処理槽１２内
に供給した後、図９（ｂ）に示すように、アノード電極
２３とカソード電極３４との間に電圧を印加して、約５
秒〜５分間ガラス基板Ｇに陽極酸化処理を施す（ステッ
プ８ａ）。この陽極酸化処理により、多孔質化されたｎ
型ポリシリコンの表面に酸化膜を形成することができ
る。なお、陽極酸化処理の際に開口２５〜２７に流入す
る陽極酸化液は、バルブ７０を開くことにより、バッフ
ァタンク５８を介して図示しない廃液タンクに貯留され
る。

【０１０５】ガラス基板Ｇに陽極酸化処理を施した後、
図１０（ａ）に示すように、バルブ８８を閉じて陽極酸
化液の供給を停止する。処理槽１２に貯留されている陽
極酸化液は、開口２５〜２７から流出し、バッファタン
ク５８を介して図示しない廃液タンクに貯留される。ま
た、開口２７以下の全ての陽極酸化液は、エジェクタ６
４により取り除かれる（ステップ９ａ）。

【０１０６】処理槽１２内から陽極酸化液を排出した
後、バルブ１２８を開き、図１０（ｂ）に示すように、
陽極化成処理温度の純水を処理槽１２内に供給して、約
３分間ガラス基板Ｇに純水洗浄処理を施す（ステップ１
０ａ）。なお、純水洗浄処理の際に開口２５〜２７に流
入する純水は、バッファタンク５８を介して図示しない
廃液タンクに貯留される。

【０１０７】ガラス基板Ｇに純水洗浄処理を施した後、
図１１（ａ）に示すように、バルブ１２８を閉じて純水
の供給を停止する。処理槽１２に貯留されている純水
は、開口２５〜２７から流出し、バッファタンク５８を
介して図示しない廃液タンクに貯留される。また、開口
２７以下の全ての純水は、エジェクタ６４により取り除
かれる（ステップ１１ａ）。

【０１０８】処理槽１２内から純水を排出した後、エア
シリンダ３８の作動により、ランプユニット１３が処理
位置（Ｂ_２）から待機位置（Ｂ_１）に上昇する。また、
エアシリンダ２１の作動により、枠体１５が処理位置
（Ａ_２）から待機位置（Ａ_１）に上昇し、枠体１５が保
持台１４から離間して、図１１（ｂ）に示すように、処
理槽１２が分離する（ステップ１２ａ）。

【０１０９】処理槽１２を分離させた後、図１２（ａ）
に示すように、エアガン３９からエアをガラス基板Ｇに
吹き付けて、ガラス基板Ｇに乾燥処理を施す（ステップ
１３ａ）。

【０１１０】その後、真空ポンプ１８の作動を停止し
て、ガラス基板Ｇの吸着を解く。次いで、ガラス基板昇
降機構１９が上昇して、ガラス基板Ｇが保持台１４から
離間する。最後に、ゲートバルブ１６が開き、図１２
（ｂ）に示すように、図示しない搬送アームによりガラ
ス基板Ｇが搬出される（ステップ１４ａ）。以上で、基
板処理装置１で行われる処理が完了する。

【０１１１】（第２の実施の形態）以下、本発明の第２
の実施の形態について説明する。なお、以下、本実施の
形態のうち先行する実施の形態と重複する内容について
は説明を省略することもある。本実施の形態は、陽極化
成処理前には処理槽を介して陽極化成液を循環させ、か
つ陽極処理中には処理槽を介さずに陽極化成液を循環さ
せる例について説明する。

【０１１２】図１３は本実施の形態に係る基板処理装置
１で行われる処理のフローを示したフローチャートであ
り、図１４は本実施の形態に係る処理工程を模式的に示
した模式図である。

【０１１３】まず、図示しない搬送アームによりガラス
基板Ｇをガラス基板昇降機構１９上に載置する。次い
で、ガラス基板昇降１９が下降して、ガラス基板Ｇが保
持台１４の載置部１４ａに吸着され、保持される（ステ
ップ１ｂ）。

【０１１４】ガラス基板Ｇが保持台１４の載置部１４ａ
に保持された後、枠体１５が待機位置（Ａ_１）から処理
位置（Ａ_２）下降し、処理槽１２が形成される。また、
ランプユニット１３が待機位置（Ｂ_１）から処理位置
（Ｂ_２）に下降する（ステップ２ｂ）。

【０１１５】その後、バルブ５６を閉じた状態で、バル
ブ５４を開き、処理槽１２を介して陽極化成液を循環さ
せる（ステップ３ｂ）。

【０１１６】陽極化成液を循環させて、処理槽１２、供
給管４７、およびガラス基板Ｇ等の温度が陽極化成処理
温度に安定した後、ポンプ５３が作動した状態で、バル
ブ５４、６７〜６９を閉じるとともにバルブ５６を開
く。バルブ５４を閉じることにより、陽極化成液の処理
槽１２内への供給が停止する。また、バルブ６７〜６９
を閉じることにより、陽極化成液が開口２５〜２７から
排出されずに処理槽１２に貯留される。さらに、ポンプ
５３が作動した状態で、バルブ５６を開くことにより、
処理槽１２を介さずに陽極化成液が循環する。この循環
は、次のガラス基板Ｇが搬入されるまで、絶えず行われ
る。処理槽１２を介さずに陽極化成液を循環させている
状態で、図１４に示すように、アノード電極２３とカソ
ード電極３４との間に電圧を印可するとともに、ハロゲ
ンランプ３２から光をガラス基板Ｇに照射して、ガラス
基板Ｇに陽極化成処理を施す（ステップ４ｂ）。

【０１１７】本実施の形態では、陽極化成処理前には処
理槽１２を介して陽極化成液を循環させ、かつ陽極処理
中には処理槽１２を介さずに陽極化成液を循環させてい
るので、第１の実施の形態とほぼ同様の効果が得られる
とともに、陽極化成処理の安定性を向上させることがで
きる。

【０１１８】すなわち、陽極化成処理前に処理槽１２を
介して陽極化成液を循環させることにより、陽極化成液
の温度変動を抑制することができ、確実に陽極化成処理
の再現性を得ることができる。また、陽極化成処理中に
処理槽１２を介さずに陽極処理液を循環させることによ
り、処理槽１２内での陽極化成液の揺れを防止できる。
従って、陽極化成処理の安定性を向上させることができ
る。

【０１１９】ガラス基板Ｇに陽極化成処理を施した後、
バルブ６７〜６９を開き、処理槽１２から陽極化成液を
排出する。排出された陽極化成液は、ポンプ６１の作動
により、タンク４２に戻される（ステップ５ｂ）。

【０１２０】その後、陽極化成液を循環させている一方
で、バルブ１０８を開き、エタノールを処理槽１２内に
供給して、ガラス基板Ｇにエタノール洗浄処理を施す
（ステップ６ｂ）。ガラス基板Ｇにエタノール洗浄処理
を施した後、処理槽１２からエタノールを排出する（ス
テップ７ｂ）。

【０１２１】処理槽１２内からエタノールを排出した
後、バルブ８８を開き、陽極化成処理温度の陽極酸化液
を処理槽１２内に供給する。陽極酸化液を処理槽１２内
に供給した後、アノード電極２３とカソード電極３４と
の間に電圧を印加して、ガラス基板Ｇに陽極酸化処理を
施す（ステップ８ｂ）。ガラス基板Ｇに陽極酸化処理を
施した後、処理槽１２から陽極酸化液を排出する（ステ
ップ９ｂ）。

【０１２２】処理槽１２内から陽極酸化液を排出した
後、バルブ１２８を開き、純水を処理槽１２内に供給し
て、ガラス基板Ｇに純水洗浄処理を施す（ステップ１０
ｂ）。ガラス基板Ｇに純水洗浄処理を施した後、処理槽
１２から純水を排出する（ステップ１１ｂ）。

【０１２３】処理槽１２内から純水を排出した後、ラン
プユニット１３が処理位置（Ｂ_２）から待機位置
（Ｂ_１）に上昇する。また、枠体１５が処理位置
（Ａ_２）から待機位置（Ａ_１）に上昇し、枠体１５が保
持台１４から離間して、処理槽１２が分離する（ステッ
プ１２ｂ）。

【０１２４】処理槽１２を分離させた後、エアガン３９
からエアをガラス基板Ｇに吹き付けて、ガラス基板Ｇに
乾燥処理を施す（ステップ１３ｂ）。

【０１２５】その後、ガラス基板Ｇの吸着を解く。次い
で、ガラス基板昇降機構１９が上昇して、ガラス基板Ｇ
が保持台１４から離間する。最後に図示しない搬送アー
ムによりガラス基板Ｇが搬出される（ステップ１４
ｂ）。以上で、基板処理装置１で行われる処理が完了す
る。

【０１２６】なお、本発明は上記実施の形態の記載内容
に限定されるものではなく、構造や材質、各部材の配置
等は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能で
ある。本実施の形態では、バッファタンク５８を備えて
いるが、バッファタンク５８を備えなくともよい。ま
た、本実施の形態では、エアガン３９でガラス基板Ｇを
乾燥させているが、他の乾燥手段を使用して乾燥させて
もよい。このような乾燥手段としては、エアシャワー、
エアナイフ、ガラス基板Ｇの高速回転等が挙げられる。

【０１２７】

【発明の効果】以上、詳説したように、本発明の基板処
理装置及び基板処理方法によれば、確実に処理の再現性
を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は第１の実施の形態に係る基板処理装置
の構成を模式的に示した構成図である。

【図２】 図２は第１の実施の形態に係る基板処理装置
のプロセス部を模式的に示した垂直断面図である。

【図３】 図３は第１の実施の形態に係る基板処理装置
の各供給系の接続関係を模式的に示した構成図である。

【図４】 図４は第１の実施の形態に係る基板処理装置
の供給管を模式的に示した垂直断面図である。

【図５】 図５は第１の実施の形態に係る基板処理装置
で行われる処理のフローを示したフローチャートであ
る。

【図６】 図６（ａ）および図６（ｂ）は第１の実施の
形態に係る処理工程を模式的に示した模式図である。

【図７】 図７（ａ）および図７（ｂ）は実施の形態に
係る処理工程を模式的に示した模式図である。

【図８】 図８（ａ）および図８（ｂ）は第１の実施の
形態に係る処理工程を模式的に示した模式図である。

【図９】 図９（ａ）および図９（ｂ）は第１の実施の
形態に係る処理工程を模式的に示した模式図である。

【図１０】 図１０（ａ）および図１０（ｂ）は第１の
実施の形態に係る処理工程を模式的に示した模式図であ
る。

【図１１】 図１１（ａ）および図１１（ｂ）は第１の
実施の形態に係る処理工程を模式的に示した模式図であ
る。

【図１２】 図１２（ａ）および図１２（ｂ）は第１の
実施の形態に係る処理工程を模式的に示した模式図であ
る。

【図１３】 図１３は第２の実施の形態に係る基板処理
装置で行われる処理のフローを示したフローチャートで
ある。

【図１４】 図１４は第２の実施の形態に係る処理工程
を模式的に示した模式図である。

【符号の説明】

Ｇ…ガラス基板 １…基板処理装置 １２…処理槽 ２３…アノード電極 ３４…カソード電極 ４１…循環系 ５５…戻し管

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 牛島 満 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を保持する保持台と、 前記保持台に保持された前記基板との接続により、薬液
   を貯留する処理槽が形成される枠体と、 前記基板に接触する第１の電極と、 前記第１の電極との間に電圧が印加される第２の電極
   と、 前記基板に光を照射する光源と、 前記処理槽を介して前記薬液を循環させる、前記薬液の
   温度を調節する温度調節手段を備えた薬液循環系とを具
   備することを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の基板処理装置であって、
   前記薬液循環系は、前記薬液を貯留する薬液槽と、前記
   薬液槽から前記処理槽に前記薬液を供給する薬液供給管
   と、前記処理槽から前記薬液を排出し、前記薬液槽に前
   記薬液を戻す薬液排出管とを備えていることを特徴とす
   る基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項２記載の基板処理装置であって、
   前記薬液循環系は、一端が前記薬液供給管に接続され、
   かつ他端が前記薬液排出管に接続された、前記薬液槽に
   前記薬液を戻す薬液戻し管をさらに備えていることを特
   徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項２又は３記載の基板処理装置であ
   って、前記薬液循環系は、一端が前記薬液供給管に接続
   され、かつ他端が前記薬液槽に接続された、前記薬液槽
   内の前記薬液を攪拌する薬液攪拌配管をさらに備えてい
   ることを特徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項４記載の基板処理装置であって、
   前記薬液循環系は、前記薬液供給管の、前記薬液攪拌配
   管の接続位置より上流側の位置に介在した薬液供給・攪
   拌ポンプをさらに備えていることを特徴とする基板処理
   装置。
6. 【請求項６】 請求項３乃至５のいずれか１項に記載の
   基板処理装置であって、前記薬液循環系は、前記薬液戻
   し管に前記薬液を流す薬液戻しバルブをさらに備えてい
   ることを特徴とする基板処理装置。
7. 【請求項７】 基板を保持する保持台と、 前記保持台に保持された前記基板に接続して、上部が開
   放された処理槽を形成する枠体と、 薬液を貯留する薬液槽と、 前記薬液の温度を調節する温度調節手段と、 前記薬液槽から前記処理槽に前記薬液を供給する薬液供
   給管と、 前記処理槽から前記薬液を排出する薬液排出管と、 前記薬液供給管の途中から分岐した、前記薬液供給管内
   の前記薬液を前記薬液槽に戻す薬液戻し管とを具備する
   ことを特徴とする基板処理装置。
8. 【請求項８】 請求項２乃至７のいずれか１項に記載の
   基板処理装置であって、前記薬液供給管は、前記処理槽
   に供給される前記薬液が流れる内管と、 前記内管を覆った覆設部と、一端が前記覆設部に接続さ
   れ、かつ他端が前記薬液槽に接続された、前記覆設部の
   内面と前記内管の外面との間に前記薬液を供給する供給
   部とを有する外管とを備えていることを特徴とする基板
   処理装置。
9. 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれか１項に記載の
   基板処理装置であって、前記保持台および前記枠体の少
   なくとも一方は、前記薬液の温度を調節する温度調節手
   段を備えていることを特徴とする基板処理装置。
10. 【請求項１０】 請求項１乃至９のいずれか１項に記載
    の基板処理装置であって、前記薬液は、陽極化成液であ
    ることを特徴とする基板処理装置。
11. 【請求項１１】 請求項１０記載の基板処理装置であっ
    て、前記陽極化成液は、フッ化水素酸を含んでいること
    を特徴とする基板処理装置。
12. 【請求項１２】 請求項１０又は１１記載の基板処理装
    置であって、前記処理槽に陽極酸化液を供給する陽極酸
    化液供給系と、前記処理槽に洗浄液を供給する洗浄液供
    給系とをさらに備えていることを特徴とする基板処理装
    置。
13. 【請求項１３】 処理槽内の薬液に基板を接触させた状
    態で、前記基板に接触した第１の電極と第２の電極との
    間に電圧を印加し、かつ前記基板に光を照射して、前記
    基板に処理を施す処理工程と、 前記薬液の温度を調節しながら、前記処理槽を介して前
    記薬液を循環させる処理槽介在循環工程とを具備するこ
    とを特徴とする基板処理方法。
14. 【請求項１４】 請求項１３記載の基板処理方法であっ
    て、前記処理槽介在循環工程は、前記処理工程以前に行
    われることを特徴とする基板処理方法。
15. 【請求項１５】 請求項１３又は１４記載の基板処理方
    法であって、前記処理槽介在循環工程は、前記処理工程
    中に行われることを特徴とする基板処理方法。
16. 【請求項１６】 請求項１３乃至１５のいずれか１項に
    記載の基板処理方法であって、前記処理工程後に、前記
    処理槽を介さずに前記薬液の温度を調節しながら循環さ
    せる処理槽非介在循環工程をさらに備えていることを特
    徴とする基板処理方法。
17. 【請求項１７】 薬液の温度を調節する温度調節工程
    と、 前記薬液を貯留した薬液槽から保持台に保持された基板
    と前記基板に接続した枠体とで形成された処理槽に、薬
    液供給管を介して前記薬液を供給する供給工程と、 前記薬液に浸された前記基板に処理を施す処理工程と、 前記処理槽から薬液排出管を介して前記薬液を排出する
    排出工程と、 前記薬液槽と、前記薬液供給管と、前記薬液供給管の途
    中から分岐した、前記薬液供給管内の前記薬液を前記薬
    液槽に戻す戻し管とで前記薬液を循環させる循環工程と
    を具備することを特徴とする基板処理方法。
18. 【請求項１８】 請求項１７記載の基板処理方法であっ
    て、前記処理工程は、前記薬液槽と、前記薬液供給管
    と、前記薬液排出管とで前記薬液を循環させながら行わ
    れることを特徴とする基板処理方法。
19. 【請求項１９】 請求項１３乃至１８のいずれか１項に
    記載の基板処理方法であって、前記薬液は、陽極化成液
    であることを特徴とする基板処理方法。
20. 【請求項２０】 請求項１９記載の基板処理方法であっ
    て、前記処理工程後に、前記処理槽に陽極酸化液を供給
    して、前記基板に陽極酸化処理を施す陽極酸化処理工程
    と、 前記陽極化成処理工程後に、前記処理槽に洗浄液
    を供給して、前記基板に洗浄処理を施す洗浄処理工程
    と、をさらに備えていることを特徴とする基板処理方
    法。