JP2000311881A - ウェットエッチング処理装置 - Google Patents
ウェットエッチング処理装置Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/08—Apparatus, e.g. for photomechanical printing surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
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- H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のウェットエッチング処理装置において
は、処理槽内においてエッチング液の局所的滞溜が起こ
りやすく、均一なエッチング処理が出来ない場合があっ
た。 【解決手段】 板状をした処理対象物４をエッチング液
６を満たした処理槽１１内に浸漬せしめてエッチング処
理するウェットエッチング処理装置において、処理槽１
１内のエッチング液６を水平方向に向かって流動させる
ようにした。
は、処理槽内においてエッチング液の局所的滞溜が起こ
りやすく、均一なエッチング処理が出来ない場合があっ
た。 【解決手段】 板状をした処理対象物４をエッチング液
６を満たした処理槽１１内に浸漬せしめてエッチング処
理するウェットエッチング処理装置において、処理槽１
１内のエッチング液６を水平方向に向かって流動させる
ようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はウェットエッチン
グ処理装置、詳しくは液晶基板、半導体ウエハ−用基板
あるいは電子回路基板などの製造過程において、各種基
板にエッチング処理を施す為の装置に関するものであ
る。
グ処理装置、詳しくは液晶基板、半導体ウエハ−用基板
あるいは電子回路基板などの製造過程において、各種基
板にエッチング処理を施す為の装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図１は従来のウェットエッチング処理装
置の代表例を示したものであり、上方が開放された有底
箱形をした処理槽１の底部にはエッチング液供給ノズル
２が取付けられており、一方、上縁周囲にはオ−バ−フ
ロ−樋３が設けられ、処理対象物４は処理対象物設置機
構５に載置された状態で、エッチング液６が満たされて
いる処理槽１内に浸漬される様になっている。又、前記
オ−バ−フロ−樋３は循環ポンプ７及びフィルタ−８を
介してエッチング液供給ノズル２と接続されており、処
理槽１からあふれ出たエッチング液６はオ−バ−フロ−
樋３で補集された後、エッチング液供給ノズル２から再
度処理槽１内に吐出して、再循環する様になっている。
置の代表例を示したものであり、上方が開放された有底
箱形をした処理槽１の底部にはエッチング液供給ノズル
２が取付けられており、一方、上縁周囲にはオ−バ−フ
ロ−樋３が設けられ、処理対象物４は処理対象物設置機
構５に載置された状態で、エッチング液６が満たされて
いる処理槽１内に浸漬される様になっている。又、前記
オ−バ−フロ−樋３は循環ポンプ７及びフィルタ−８を
介してエッチング液供給ノズル２と接続されており、処
理槽１からあふれ出たエッチング液６はオ−バ−フロ−
樋３で補集された後、エッチング液供給ノズル２から再
度処理槽１内に吐出して、再循環する様になっている。
【０００３】又、９は槽外に設けられた上下揺動装置で
あり、処理槽１内の処理対象物設置機構５はハンガ−１
０によってこの上下揺動機構９に接続され、処理槽１内
において上下揺動運動を行う様になっている。又、処理
槽１の底面にはヒ−タ−２８が取付けられていた。
あり、処理槽１内の処理対象物設置機構５はハンガ−１
０によってこの上下揺動機構９に接続され、処理槽１内
において上下揺動運動を行う様になっている。又、処理
槽１の底面にはヒ−タ−２８が取付けられていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来のウェットエ
ッチング処理装置においては、処理槽１内にエッチング
液６を満たし、その底部のエッチング液供給ノズル２か
らエッチング液６を吐出させ、処理槽１からあふれ出た
エッチング液６をオ−バ−フロ−樋３で補集して、再循
環させる様にして、この処理槽１内に処理対象物４を浸
漬させて、エッチング処理を行う。
ッチング処理装置においては、処理槽１内にエッチング
液６を満たし、その底部のエッチング液供給ノズル２か
らエッチング液６を吐出させ、処理槽１からあふれ出た
エッチング液６をオ−バ−フロ−樋３で補集して、再循
環させる様にして、この処理槽１内に処理対象物４を浸
漬させて、エッチング処理を行う。
【０００５】つまり、エッチング液６は処理槽１の底部
から上部へと流動する様になっているのであるが、この
エッチング液６の流動はなかなか均一には行い得なかっ
た。つまり、槽壁から離れた液面中央部ではエッチング
液６の流れは滞留しやすく、エッチング液６の置換が十
分に行われず、この様な状態ではエッチングの均一性が
得られなかった。
から上部へと流動する様になっているのであるが、この
エッチング液６の流動はなかなか均一には行い得なかっ
た。つまり、槽壁から離れた液面中央部ではエッチング
液６の流れは滞留しやすく、エッチング液６の置換が十
分に行われず、この様な状態ではエッチングの均一性が
得られなかった。
【０００６】この為、上下揺動機構９を用いて処理対象
物４をエッチング液６中で上下に揺動し、均一性の向上
とエッチングの促進を図っていた。しかし、上下揺動機
構５は処理作業中、処理対象物４の上方で作動すること
になる為、この部分からの発塵は避けられず、エッチン
グ液に混入することによりエッチング液６の劣化の原因
にもなっていた。又、上下揺動機構９は可動部分が多
く、構造が複雑で装置が大きくなりやすく、可動部分が
多い為、故障もおこりやすかった。
物４をエッチング液６中で上下に揺動し、均一性の向上
とエッチングの促進を図っていた。しかし、上下揺動機
構５は処理作業中、処理対象物４の上方で作動すること
になる為、この部分からの発塵は避けられず、エッチン
グ液に混入することによりエッチング液６の劣化の原因
にもなっていた。又、上下揺動機構９は可動部分が多
く、構造が複雑で装置が大きくなりやすく、可動部分が
多い為、故障もおこりやすかった。
【０００７】一方、エッチング加工すべき各種基板のサ
イズは電子機器の高性能化に伴い、ますます拡大する傾
向にあり、これに伴いエッチング処理槽も大型化が要請
されているが、この処理槽の大型化に伴い、槽内におい
てエッチング液が滞る領域も広がることは避けられず、
エッチング処理の不均一もますます顕著になって来てい
る。
イズは電子機器の高性能化に伴い、ますます拡大する傾
向にあり、これに伴いエッチング処理槽も大型化が要請
されているが、この処理槽の大型化に伴い、槽内におい
てエッチング液が滞る領域も広がることは避けられず、
エッチング処理の不均一もますます顕著になって来てい
る。
【０００８】又、上下揺動機構９も基板のサイズ拡大に
伴い当然大型化せざろう得ず、それに伴い重量も増大
し、これを駆動する為の電力消費量も増大していた。
又、上下揺動機構９自体は処理槽１の上方に位置してお
り、処理槽１中には設けることができないので、処理槽
１の上面は開放しておく必要があるが、特にエッチング
液６をヒ−タ−２８によって加熱して使用する場合に
は、エッチング液６の蒸気がこの開放部からこの処理槽
１の周囲に拡散し、環境や作業者に健康上の悪影響を与
えることがあった。
伴い当然大型化せざろう得ず、それに伴い重量も増大
し、これを駆動する為の電力消費量も増大していた。
又、上下揺動機構９自体は処理槽１の上方に位置してお
り、処理槽１中には設けることができないので、処理槽
１の上面は開放しておく必要があるが、特にエッチング
液６をヒ−タ−２８によって加熱して使用する場合に
は、エッチング液６の蒸気がこの開放部からこの処理槽
１の周囲に拡散し、環境や作業者に健康上の悪影響を与
えることがあった。
【０００９】この発明は、ウェットエッチング処理装置
に関する上記問題点を解決することを目的とし、処理槽
内におけるエッチング液の流れを均一化し、滞る部分を
なくして均一なエッチング処理を可能とすると共に、併
せて環境への悪影響となくすと共に、装置全体をコンパ
クト化しながら益々大型化する傾向にある基板にも十分
対応できる様にしたウェットエッチング処理装置を提供
せんとするものである。
に関する上記問題点を解決することを目的とし、処理槽
内におけるエッチング液の流れを均一化し、滞る部分を
なくして均一なエッチング処理を可能とすると共に、併
せて環境への悪影響となくすと共に、装置全体をコンパ
クト化しながら益々大型化する傾向にある基板にも十分
対応できる様にしたウェットエッチング処理装置を提供
せんとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明は板状をした処
理対象物４をエッチング液６を満たした処理槽１１内に
浸漬せしめてエッチング処理するウェットエッチング処
理装置において、処理槽１１内のエッチング液６を水平
方向に向かって流動させる様にしてウェットエッチング
処理装置を構成したものである。又、処理槽１１内に載
置された板状の処理対象物４に対し、平行にエッチング
液６を流動させる様にし、処理槽１１内には処理対象物
設置機構１２を、処理槽１１の上方開口部には蓋２９
を、処理槽１１にはエッチング液加熱用のヒ−タ−２８
をそれぞれ設けた。更に、エッチング液６を強制的に循
環させる配管系３２を設け、処理槽１１の対向した一対
の側壁１３、１４のうち、一方の側壁１３には多数のエ
ッチング液吐出孔１５を、他方の側壁１４には多数のエ
ッチング液排出孔２０を設け、更に、処理槽１１の側壁
１３側には、多数の整流孔２５を明けた整流板２４を、
処理槽１１の側壁１４側には、多数の整流孔２８を明け
た整流板２４を位置せしめてウェットエッチング処理装
置を構成した。又、処理槽１１の側壁１３及び１４にル
−バ−２３と整流板２４とを組合せた整流手段３０及び
３１を設け、ル−バ−２３を、四角形をした枠体２６に
縦横に格子板２７を組込んで構成し、格子板２７をエッ
チング液６の流動方向と平行に設けてウェットエッチン
グ処理装置を構成した。
理対象物４をエッチング液６を満たした処理槽１１内に
浸漬せしめてエッチング処理するウェットエッチング処
理装置において、処理槽１１内のエッチング液６を水平
方向に向かって流動させる様にしてウェットエッチング
処理装置を構成したものである。又、処理槽１１内に載
置された板状の処理対象物４に対し、平行にエッチング
液６を流動させる様にし、処理槽１１内には処理対象物
設置機構１２を、処理槽１１の上方開口部には蓋２９
を、処理槽１１にはエッチング液加熱用のヒ−タ−２８
をそれぞれ設けた。更に、エッチング液６を強制的に循
環させる配管系３２を設け、処理槽１１の対向した一対
の側壁１３、１４のうち、一方の側壁１３には多数のエ
ッチング液吐出孔１５を、他方の側壁１４には多数のエ
ッチング液排出孔２０を設け、更に、処理槽１１の側壁
１３側には、多数の整流孔２５を明けた整流板２４を、
処理槽１１の側壁１４側には、多数の整流孔２８を明け
た整流板２４を位置せしめてウェットエッチング処理装
置を構成した。又、処理槽１１の側壁１３及び１４にル
−バ−２３と整流板２４とを組合せた整流手段３０及び
３１を設け、ル−バ−２３を、四角形をした枠体２６に
縦横に格子板２７を組込んで構成し、格子板２７をエッ
チング液６の流動方向と平行に設けてウェットエッチン
グ処理装置を構成した。
【００１１】
【発明の実施の形態】図２はこの発明に係るウェットエ
ッチング処理装置の一実施形態の縦断面図、図３はその
斜視図、図４は図３とは逆の方向から見た斜視図であ
る。
ッチング処理装置の一実施形態の縦断面図、図３はその
斜視図、図４は図３とは逆の方向から見た斜視図であ
る。
【００１２】図中１１は有底箱形をしたエッチング処理
槽であり、その内部にはエッチング液６が満たされる様
になっている。このエッチング処理槽１１の底面には、
処理対象物設置機構１２が設けられており、この処理対
象物設置機構１２には複数枚の処理対象物４が縦方向に
載置される様になっている。なお、処理対象物４とはエ
ッチング処理すべき各種基板のことであり、板状を呈し
ている。
槽であり、その内部にはエッチング液６が満たされる様
になっている。このエッチング処理槽１１の底面には、
処理対象物設置機構１２が設けられており、この処理対
象物設置機構１２には複数枚の処理対象物４が縦方向に
載置される様になっている。なお、処理対象物４とはエ
ッチング処理すべき各種基板のことであり、板状を呈し
ている。
【００１３】更に、この処理槽１１の載置されるべき処
理対象物４の左右端面側の対向した一対の側壁１３、１
４のうち、一方の側壁１３の壁面には複数のエッチング
液吐出孔１５が明けられており、該エッチング液吐出孔
１５にはエッチング液注入管１６の端末が接続されてい
る。このエッチング液注入管１６は一本の幹管１７から
枝状に分岐しており、その幹管１７にはフィルタ−１８
及び循環ポンプ１９が接続されている。又、もう一方の
側壁１４には複数個のエッチング液排出孔２０が明けら
れており、該エッチング液排出孔２０にはエッチング液
排出管２１の端末が接続されており、このエッチング液
排出管２１の幹管２２は前記循環ポンプ１９の入口側に
接続されている。これらエッチング液注入管１６、幹管
１７、幹管２２及びエッチング液排出管２１で配管系３
２が構成されている。
理対象物４の左右端面側の対向した一対の側壁１３、１
４のうち、一方の側壁１３の壁面には複数のエッチング
液吐出孔１５が明けられており、該エッチング液吐出孔
１５にはエッチング液注入管１６の端末が接続されてい
る。このエッチング液注入管１６は一本の幹管１７から
枝状に分岐しており、その幹管１７にはフィルタ−１８
及び循環ポンプ１９が接続されている。又、もう一方の
側壁１４には複数個のエッチング液排出孔２０が明けら
れており、該エッチング液排出孔２０にはエッチング液
排出管２１の端末が接続されており、このエッチング液
排出管２１の幹管２２は前記循環ポンプ１９の入口側に
接続されている。これらエッチング液注入管１６、幹管
１７、幹管２２及びエッチング液排出管２１で配管系３
２が構成されている。
【００１４】更に、エッチング液注入管１６が接続され
ている側の側壁１３には整流板２４の表裏をル−バ−２
３で挟んでなる整流手段３０が固定されている。図７は
この整流手段３０の斜視図である。整流板２４は図５に
示す様に、多数の整流孔２５が明けられたパンチングボ
−ド状の板状体であり、この整流孔２５の径及び開口率
は処理槽１１の大きさ、エッチング液６の流速、性状な
どに応じて適宜決定される。又、ル−バ−２３は図６に
示す様に四角形の枠体２６に縦横に板状をした格子板２
７を水平方向を指向させて組み込んだものであり、エッ
チング液６の流体圧力に抗することができる強度を持っ
た薄板によって構成されている。整流板２４はル−バ−
２３を介して側壁１３側に設置されており、側壁１３と
の間には一定の間隔Ｇ１が設けられていることになる。
ている側の側壁１３には整流板２４の表裏をル−バ−２
３で挟んでなる整流手段３０が固定されている。図７は
この整流手段３０の斜視図である。整流板２４は図５に
示す様に、多数の整流孔２５が明けられたパンチングボ
−ド状の板状体であり、この整流孔２５の径及び開口率
は処理槽１１の大きさ、エッチング液６の流速、性状な
どに応じて適宜決定される。又、ル−バ−２３は図６に
示す様に四角形の枠体２６に縦横に板状をした格子板２
７を水平方向を指向させて組み込んだものであり、エッ
チング液６の流体圧力に抗することができる強度を持っ
た薄板によって構成されている。整流板２４はル−バ−
２３を介して側壁１３側に設置されており、側壁１３と
の間には一定の間隔Ｇ１が設けられていることになる。
【００１５】一方、エッチング液排出管２１が接続され
ている側の側壁１４にはル−バ−２３の表裏を整流板２
４で挟んでなる整流手段３１が固定されている。図８は
この整流手段の斜視図である。この側壁１４側の整流板
２４及びル−バ−２３自体は前述の側壁１３側の整流板
２４及びル−バ−２３と同じ構造のものである。整流板
２４は側壁１４に密着しておらず、側壁１４との間には
一定の間隔Ｇ２が設けられている。又、処理槽１１の底
面外側にはヒ−タ−２８が取り付けられており、その上
部開口部には蓋２９が設けられている。又、図３及び図
４において３０はオ−バ−フロ−槽であり、余剰のエッ
チング液６を捕集する為のものである。なお、この図３
及び図４は処理対象物４を省略して描いているが、処理
対象物４は側壁１３、１４とは直角の方向、即ち、エッ
チング液６の流れＡと平行な方向を向いて載置される。
ている側の側壁１４にはル−バ−２３の表裏を整流板２
４で挟んでなる整流手段３１が固定されている。図８は
この整流手段の斜視図である。この側壁１４側の整流板
２４及びル−バ−２３自体は前述の側壁１３側の整流板
２４及びル−バ−２３と同じ構造のものである。整流板
２４は側壁１４に密着しておらず、側壁１４との間には
一定の間隔Ｇ２が設けられている。又、処理槽１１の底
面外側にはヒ−タ−２８が取り付けられており、その上
部開口部には蓋２９が設けられている。又、図３及び図
４において３０はオ−バ−フロ−槽であり、余剰のエッ
チング液６を捕集する為のものである。なお、この図３
及び図４は処理対象物４を省略して描いているが、処理
対象物４は側壁１３、１４とは直角の方向、即ち、エッ
チング液６の流れＡと平行な方向を向いて載置される。
【００１６】更に、上記実施の形態においては、側壁１
３側には整流手段３０として整流板２４の表裏をル−バ
−２３、２３で挟み込んだものを用いたが、処理槽１１
の大きさ、エッチング液６の量や性状、処理対象物４の
数量や形状等に応じてこれら整流板２４及びル−バ−２
３の数や組み合わせ方を変更しても良いことはもちろん
である。又、整流板２４の整流孔２５の径や開口率、ル
−バ−２３の格子板２７の大きさ、取付け角度等も適宜
調整して良いことはもちろんである。同様に、側壁１４
側に取付けた整流手段３１も自由にその組合せを選ぶこ
とができる。なお、図２、図３、図４中３３は整流手段
３０、３１を固定する為の固定枠である。
３側には整流手段３０として整流板２４の表裏をル−バ
−２３、２３で挟み込んだものを用いたが、処理槽１１
の大きさ、エッチング液６の量や性状、処理対象物４の
数量や形状等に応じてこれら整流板２４及びル−バ−２
３の数や組み合わせ方を変更しても良いことはもちろん
である。又、整流板２４の整流孔２５の径や開口率、ル
−バ−２３の格子板２７の大きさ、取付け角度等も適宜
調整して良いことはもちろんである。同様に、側壁１４
側に取付けた整流手段３１も自由にその組合せを選ぶこ
とができる。なお、図２、図３、図４中３３は整流手段
３０、３１を固定する為の固定枠である。
【００１７】このエッチング処理装置は上記のとおりの
構成を有するものであり、搬送ロボット等の搬送手段に
よって搬送されてきた処理対象物４は、上方から処理槽
１１内に投入され、処理対象物設置機構１２上に載置さ
れ、載置され次第、処理槽１１の蓋２９は閉じられる。
処理槽１１内のエッチング液６は側壁１４のエッチング
液排出孔２０から循環ポンプ及びフィルタ−８を経て、
幹管１７に送られ、エッチング液注入管１６を通り、エ
ッチング液吐出孔１５から再び処理槽１１内に環流され
る様になっており、この環流運動によって処理槽１１内
においてはエッチング液は側壁１３側から側壁１４側へ
水平方向に絶えず流動することになる。この際、エッチ
ング液吐出孔１５及びエッチング液排出孔２０は側壁１
３及び１４に多数散在しているので、エッチング液６は
処理槽１１内の特定箇所において滞ることなく均一に流
動する。
構成を有するものであり、搬送ロボット等の搬送手段に
よって搬送されてきた処理対象物４は、上方から処理槽
１１内に投入され、処理対象物設置機構１２上に載置さ
れ、載置され次第、処理槽１１の蓋２９は閉じられる。
処理槽１１内のエッチング液６は側壁１４のエッチング
液排出孔２０から循環ポンプ及びフィルタ−８を経て、
幹管１７に送られ、エッチング液注入管１６を通り、エ
ッチング液吐出孔１５から再び処理槽１１内に環流され
る様になっており、この環流運動によって処理槽１１内
においてはエッチング液は側壁１３側から側壁１４側へ
水平方向に絶えず流動することになる。この際、エッチ
ング液吐出孔１５及びエッチング液排出孔２０は側壁１
３及び１４に多数散在しているので、エッチング液６は
処理槽１１内の特定箇所において滞ることなく均一に流
動する。
【００１８】又、この側壁１３及び１４にはル−バ−２
３と整流板２４とを組み合わせた整流手段３０、３１が
設けられているので、これによってなお一層エッチング
液６の均一な流動が図られる。特に処理槽１１が大容積
の場合や、処理対象物４の容積に比して処理槽１１が相
対的に小さい場合など、この整流手段３０、３１が有効
に作用することになる。
３と整流板２４とを組み合わせた整流手段３０、３１が
設けられているので、これによってなお一層エッチング
液６の均一な流動が図られる。特に処理槽１１が大容積
の場合や、処理対象物４の容積に比して処理槽１１が相
対的に小さい場合など、この整流手段３０、３１が有効
に作用することになる。
【００１９】一方、処理プロセスによってはヒ−タ−２
８に通電してエッチング液６を加熱する場合があるが、
処理槽１１の上方開口部は処理対象物４の搬入搬出時の
み開き、それ以外のときは常時蓋２９によって閉塞され
ているので、エッチング液６の蒸気が装置周囲に拡散す
ることはなく、作業者や周囲に健康上の悪影響を与える
ことを防ぐことができる。更に、処理槽１１は常時蓋２
９によって閉塞されているので、外部からの塵埃が侵入
することがなく、エッチング液６の劣化を防ぐことがで
きる。
８に通電してエッチング液６を加熱する場合があるが、
処理槽１１の上方開口部は処理対象物４の搬入搬出時の
み開き、それ以外のときは常時蓋２９によって閉塞され
ているので、エッチング液６の蒸気が装置周囲に拡散す
ることはなく、作業者や周囲に健康上の悪影響を与える
ことを防ぐことができる。更に、処理槽１１は常時蓋２
９によって閉塞されているので、外部からの塵埃が侵入
することがなく、エッチング液６の劣化を防ぐことがで
きる。
【００２０】
【発明の効果】この発明に係るエッチング処理装置は上
述の通り、均一なエッチング処理が可能なだけではな
く、周囲への健康上の悪影響を防ぎ、コンパクトな装置
で大きな処理対象物を処理することができる等、多くの
すぐれた効果を有し、実用上極めてすぐれたものであ
る。
述の通り、均一なエッチング処理が可能なだけではな
く、周囲への健康上の悪影響を防ぎ、コンパクトな装置
で大きな処理対象物を処理することができる等、多くの
すぐれた効果を有し、実用上極めてすぐれたものであ
る。
【図１】従来のウェットエッチング処理装置の代表例の
縦断面図。
縦断面図。
【図２】この発明に係るウェットエッチング処理装置の
一実施形態の縦断面図。
一実施形態の縦断面図。
【図３】その斜視図。
【図４】図３とは逆の方向から見たその斜視図。
【図５】この発明に係るウェットエッチング処理装置の
構成部分である整流板２４の一例の斜視図。
構成部分である整流板２４の一例の斜視図。
【図６】同じく構成部分であるル−バ−２３の一例の斜
視図。
視図。
【図７】この発明において用いられる整流手段の一例の
斜視図。
斜視図。
【図８】同じく整流手段の一例の斜視図。
１ 処理槽 ２ エッチング液供給ノズル ３ オ−バ−フロ−樋 ４ 処理対象物 ５ 処理対象物設置機構 ６ エッチング液 ７ 循環ポンプ ８ フィルタ− ９ 上下揺動機構 １０ ハンガ− １１ 処理槽 １２ 処理対象物設置機構 １３ 側壁 １４ 側壁 １５ エッチング液吐出孔 １６ エッチング液注入管 １７ 幹管 １８ フィルタ− １９ 循環ポンプ ２０ エッチング液排出孔 ２１ エッチング液排出管 ２２ 幹管 ２３ ル−バ− ２４ 整流板 ２５ 整流孔 ２６ 枠体 ２７ 格子板 ２８ ヒ−タ− ２９ 蓋 ３０ 整流手段 ３１ 整流手段 ３２ 配管系 ３３ 固定枠
フロントページの続き (72)発明者 杉本 勝彦 東京都調布市柴崎２丁目１番地３ 島田理 化工業株式会社内 (72)発明者 杉本 真吾 東京都調布市柴崎２丁目１番地３ 島田理 化工業株式会社内 (72)発明者 萩原 武弘 東京都調布市柴崎２丁目１番地３ 島田理 化工業株式会社内 (72)発明者 米田 尚史 東京都調布市柴崎２丁目１番地３ 島田理 化工業株式会社内 Ｆターム(参考） 4K057 WA19 WG02 WM03 WM13 WN01 5F043 EE03 EE04 EE09 EE12 EE22 EE24 EE25 EE36
Claims (14)
- 【請求項１】 板状をした処理対象物４をエッチング液
６を満たした処理槽１１内に浸漬せしめてエッチング処
理するウェットエッチング処理装置において、処理槽１
１内のエッチング液６を水平方向に向かって流動させる
様にしたことを特徴とするウェットエッチング処理装
置。 - 【請求項２】 処理槽１１内に載置された板状の処理対
象物４に対し、平行にエッチング液６を流動させる様に
したことを特徴とする請求項１記載のウェットエッチン
グ処理装置。 - 【請求項３】 処理槽１１内に処理対象物設置機構１２
を設けたことを特徴とする請求項１記載のウェットエッ
チング処理装置。 - 【請求項４】 処理槽１１の上方開口部に蓋２９を設け
たことを特徴とする請求項１記載のウェットエッチング
処理装置。 - 【請求項５】 処理槽１１にエッチング液加熱用のヒ−
タ−２８を設けたことを特徴とする請求項１記載のウェ
ットエッチング処理装置。 - 【請求項６】 エッチング液６を強制的に循環させる配
管系３２を有することを特徴とする請求項１記載のウェ
ットエッチング処理装置。 - 【請求項７】 処理槽１１の対向した一対の側壁１３、
１４のうち、一方の側壁１３には多数のエッチング液吐
出孔１５が、他方の側壁１４には多数のエッチング液排
出孔２０がそれぞれ設けられていることを特徴とする請
求項１記載のウェットエッチング処理装置。 - 【請求項８】 処理槽１１の側壁１３側に、多数の整流
孔２５を明けた整流板２４を間隔をあけて位置せしめた
ことを特徴とする請求項１記載のウェットエッチング処
理装置。 - 【請求項９】 処理槽１１の側壁１４側に、多数の整流
孔２８を明けた整流板２４を間隔をあけて位置せしめた
ことを特徴とする請求項１記載のウェットエッチング処
理装置。 - 【請求項１０】間隔をあけて複数の整流板２４を並立せ
しめたことを特徴とする請求項８記載のウェットエッチ
ング処理装置。 - 【請求項１１】間隔をあけて複数の整流板２４を並立せ
しめたことを特徴とする請求項９記載のウェットエッチ
ング処理装置。 - 【請求項１２】処理槽１１の側壁１３及び１４に整流手
段３０及び３１を設けたことを特徴とする請求項１記載
のウェットエッチング処理装置。 - 【請求項１３】整流手段３０及び３１がル−バ−２３及
び整流板２４を組み合わせることによって構成されてい
ることを特徴とする請求項１２記載のウェットエッチン
グ処理装置。 - 【請求項１４】ル−バ−２３は、四角形をした枠体２６
に縦横に格子板２７を組込んで構成されており、格子板
２７はエッチング液６の流動方向と平行に設けられ、流
圧によって変形しない強度を有していることを特徴とす
る請求項１３記載のウェットエッチング処理装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP11807499A JP4050841B2 (ja) | 1999-04-26 | 1999-04-26 | ウェットエッチング処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11807499A JP4050841B2 (ja) | 1999-04-26 | 1999-04-26 | ウェットエッチング処理装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000311881A true JP2000311881A (ja) | 2000-11-07 |
| JP4050841B2 JP4050841B2 (ja) | 2008-02-20 |
Family
ID=14727367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11807499A Expired - Lifetime JP4050841B2 (ja) | 1999-04-26 | 1999-04-26 | ウェットエッチング処理装置 |
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|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006037154A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | アルミハニカムコアの製造方法及びその装置、アルミハニカムコアの箔厚制御方法 |
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| CN113889427A (zh) * | 2021-09-30 | 2022-01-04 | 赛德半导体有限公司 | 一种湿法刻蚀设备 |
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- 1999-04-26 JP JP11807499A patent/JP4050841B2/ja not_active Expired - Lifetime
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