JP2003178986A - 半導体製造装置のクリーニングガスおよびクリーニング方法 - Google Patents
半導体製造装置のクリーニングガスおよびクリーニング方法Info
- Publication number
- JP2003178986A JP2003178986A JP2001379401A JP2001379401A JP2003178986A JP 2003178986 A JP2003178986 A JP 2003178986A JP 2001379401 A JP2001379401 A JP 2001379401A JP 2001379401 A JP2001379401 A JP 2001379401A JP 2003178986 A JP2003178986 A JP 2003178986A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- gas
- oxygen
- cleaning gas
- fluorine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001379401A JP2003178986A (ja) | 2001-12-13 | 2001-12-13 | 半導体製造装置のクリーニングガスおよびクリーニング方法 |
| AU2002366920A AU2002366920A1 (en) | 2001-12-13 | 2002-12-12 | Cleaning gas composition for semiconductor production equipment and cleaning method using the gas |
| TW091136000A TW571366B (en) | 2001-12-13 | 2002-12-12 | Cleaning gas for semiconductor production equipment and cleaning method using the gas |
| KR10-2003-7009691A KR20040065154A (ko) | 2001-12-13 | 2002-12-12 | 반도체 제조장치용 클리닝가스 및 이 가스를 사용한클리닝방법 |
| CN02804007.4A CN1592798A (zh) | 2001-12-13 | 2002-12-12 | 用于半导体制造设备的清洁气体以及使用该气体的清洁方法 |
| PCT/JP2002/013002 WO2003054247A2 (en) | 2001-12-13 | 2002-12-12 | Cleaning gas composition for semiconductor production equipment and cleaning method using the gas |
| US10/250,924 US20040231695A1 (en) | 2001-12-13 | 2002-12-12 | Cleaning gas for semiconductor production equipment and cleaning method using the gas |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001379401A JP2003178986A (ja) | 2001-12-13 | 2001-12-13 | 半導体製造装置のクリーニングガスおよびクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003178986A true JP2003178986A (ja) | 2003-06-27 |
| JP2003178986A5 JP2003178986A5 (enExample) | 2005-07-28 |
Family
ID=19186793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001379401A Pending JP2003178986A (ja) | 2001-12-13 | 2001-12-13 | 半導体製造装置のクリーニングガスおよびクリーニング方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003178986A (enExample) |
| CN (1) | CN1592798A (enExample) |
| TW (1) | TW571366B (enExample) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006100589A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Toshiba Corp | 成膜装置のクリーニング方法および成膜装置 |
| JP2009544849A (ja) * | 2006-07-27 | 2009-12-17 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 膜形成装置のクリーニング方法および膜形成装置 |
| JP2012019194A (ja) * | 2010-06-08 | 2012-01-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置 |
| JP2013506962A (ja) * | 2009-10-01 | 2013-02-28 | プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド | イオン源構成要素を洗浄するための方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101466873B (zh) * | 2006-04-10 | 2012-09-26 | 苏威氟有限公司 | 蚀刻方法 |
| KR20120098751A (ko) * | 2009-10-26 | 2012-09-05 | 솔베이 플루오르 게엠베하 | Tft 매트릭스 제조를 위한 식각 공정 |
| JP6097192B2 (ja) * | 2013-04-19 | 2017-03-15 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| CN105537207B (zh) * | 2015-12-11 | 2018-09-25 | 上海交通大学 | 一种高温用石英管的清洗方法 |
| CN106637133A (zh) * | 2016-12-26 | 2017-05-10 | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 | 一种pecvd反应腔体的清洁方法及清洁气体 |
| JP7276343B2 (ja) * | 2018-08-30 | 2023-05-18 | 三菱ケミカル株式会社 | 洗浄液、洗浄方法及び半導体ウェハの製造方法 |
-
2001
- 2001-12-13 JP JP2001379401A patent/JP2003178986A/ja active Pending
-
2002
- 2002-12-12 CN CN02804007.4A patent/CN1592798A/zh active Pending
- 2002-12-12 TW TW091136000A patent/TW571366B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006100589A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Toshiba Corp | 成膜装置のクリーニング方法および成膜装置 |
| US7942974B2 (en) | 2004-09-29 | 2011-05-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of cleaning a film-forming apparatus |
| JP2009544849A (ja) * | 2006-07-27 | 2009-12-17 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 膜形成装置のクリーニング方法および膜形成装置 |
| JP2013506962A (ja) * | 2009-10-01 | 2013-02-28 | プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド | イオン源構成要素を洗浄するための方法 |
| US9627180B2 (en) | 2009-10-01 | 2017-04-18 | Praxair Technology, Inc. | Method for ion source component cleaning |
| JP2012019194A (ja) * | 2010-06-08 | 2012-01-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1592798A (zh) | 2005-03-09 |
| TW200301932A (en) | 2003-07-16 |
| TW571366B (en) | 2004-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8623148B2 (en) | NF3 chamber clean additive | |
| KR100221899B1 (ko) | 진공처리장치 세정방법 | |
| JP3878972B2 (ja) | 反応器の内部をクリーニングするため、ならびにケイ素含有化合物の膜をエッチングするためのガス組成物 | |
| JP5655296B2 (ja) | エッチングガス | |
| JP5691163B2 (ja) | クリーニングガス | |
| EP1437768A1 (en) | Plasma cleaning gas and plasma cleaning method | |
| CN100480170C (zh) | 用于制备含f2气体的方法和装置以及用于制品表面改性的方法和装置 | |
| CN1214444C (zh) | 用于半导体生产设备的净化气 | |
| JP2012156554A (ja) | 基材の処理方法 | |
| TW571366B (en) | Cleaning gas for semiconductor production equipment and cleaning method using the gas | |
| KR20040065154A (ko) | 반도체 제조장치용 클리닝가스 및 이 가스를 사용한클리닝방법 | |
| JP5214316B2 (ja) | プラズマ成膜装置のクリーニング方法 | |
| KR100485743B1 (ko) | 반도체 생산 설비용 세정 가스 | |
| JP2003178986A5 (enExample) | ||
| JP2002100618A (ja) | 半導体製造装置のクリーニングガス及びクリーニング方法 | |
| JP4220318B2 (ja) | プロセスチャンバー内のクリーニング方法 | |
| JP2002198357A (ja) | 半導体製造装置のクリーニングガス及びクリーニング方法 | |
| JP2003158123A (ja) | プラズマクリーニングガス及びプラズマクリーニング方法 | |
| JP2004266077A (ja) | Cvdチャンバーのクリーニング方法およびそれに用いるクリーニングガス | |
| JP4531467B2 (ja) | 半導体薄膜形成装置のチャンバー内のクリーニング方法 | |
| JP2003229365A (ja) | 混合クリーニングガス組成物 | |
| JP2008223093A (ja) | 成膜装置のクリーニング方法 | |
| JPH03127830A (ja) | 半導体基板の清浄方法 | |
| HK1051934B (en) | Cleaning gas for semiconductor production equipment | |
| JP2006049585A (ja) | チャンバーのクリーニング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041210 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041210 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070306 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070703 |