JP2003174003A - 半導体装置製造用洗浄剤及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 レジストやポリマー残渣を確実に剥離除去可
能とし、配線へのダメージを最小限に抑える。 【解決手段】 半導体基板上の金属膜又は半導体膜をド
ライエッチングし、所定のパターンを有する配線層４を
形成した後、あるいは、配線層４が形成された半導体基
板上に絶縁層を形成し、これを所定のパターンにドライ
エッチングした後、フッ素化合物、有機溶剤及び水を含
有し、フッ素化合物の含有量が０．００１〜０．２重量
％である洗浄剤により洗浄処理する。有機溶剤の含有量
は、５０重量％以上である。有機溶剤としては、ジメチ
ルスルホキシドを使用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ドライエッチング
後に残存するフォトレジストや副生成物であるポリマー
残渣を剥離除去するための半導体装置製造用洗浄剤に関
するものであり、さらには、それを用いた半導体装置の
製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化に伴い、回
路形成のために要求される加工寸法は微細化の一途をた
どっており、かつ配線の多層化も進んでいる。配線材料
としてはメタル系材料が多く用いられており、特に半導
体装置の場合はアルミニウム配線が一般的に用いられて
いる。このアルミニウム配線の形成に際しては、リソグ
ラフィ技術によってパターニングされたレジストをマス
クとし、ドライエッチングで加工することが一般的に行
われている。

【０００３】上記リソグラフィー技術を利用する際に使
用されるレジストは、ＩＣ，ＬＳＩのような集積回路
や、液晶表示装置（ＬＣＤ），ＥＬ素子のような表示機
器、プリント基板、微小機械、ＤＮＡチップ等、幅広い
分野において使用されているが、ドライエッチング後に
は、速やかに剥離除去することが必要である。フォトレ
ジストやドライエッチング後にアルミニウム配線に付着
するポリマー残渣が残存すると、半導体装置の特性劣化
に繋がる。

【０００４】そこで、残存するレジストを除去するため
に、洗浄剤による洗浄処理を施すことが行われており、
洗浄剤としてアルカリ性剥離剤が使用されている。この
アルカリ性剥離剤は、剥離性を向上するために、ヒドロ
キシルアミンを含む形で使用されることが多い。例え
ば、特開平６−２６６１１９号公報には、アルカノール
アミン、ヒドロキシルアミンとカテコールと水からなる
溶液を洗浄剤として使用することが開示されている。ま
た、特開平７−３２５４０４号公報には、エタノールア
ミンとヒドロキシルアミン、カテコールを含む洗浄組成
物が開示されている。

【０００５】しかしながら、一般的にこれらアルカリ性
剥離剤は、室温付近では十分な洗浄性を有しておらず、
７０℃程度の高温処理が必要であり、加温設備が必要で
あるという欠点を有している。また、フォトレジスト剥
離工程で上記アルカリ性剥離剤を使用した後には、イソ
プロパノール、N−メチルピロリドンやN，N−ジメチル
アセトアミド等の有機溶剤によるリンスを行った後、さ
らに水リンスを経て乾燥するという工程を経る必要があ
るが、環境への配慮とプロセスの簡略化のためは、例え
ば有機溶剤リンスを省くことが望まれる。さらには、上
記のアルカリ性剥離剤では、水リンス時に起こる水との
混合による腐食を抑えることができないという欠点を有
している。さらにまた、ヒドロキシルアミンは不安定な
化合物で爆発の危険性を有する化合物であり、これを使
用しないレジスト剥離液が求められている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このような状況の中、
フッ素化合物と有機溶剤及び水とからなる組成物を洗浄
剤（レジスト剥離液）として使用することが提案されて
いる。例えば、ジメチルスルホキシドと約1重量％のフ
ッ化アンモニウムを含む組成物や、ジメチルホルムアミ
ドと約１重量％のフッ化アンモニウムを含む組成物等が
代表例である。これらの組成物は、市販されているため
入手が容易であり、また、使用温度は室温付近で良く、
水リンスが使用できる等の利点を有している。

【０００７】しかしながら、特に半導体集積回路の高集
積化に伴い配線が微細化した際に、配線への腐食、例え
ばアルミニウム若しくはアルミニウム合金配線が上記薬
剤により腐食され、あるいはエッチングされ、これに伴
い配線抵抗が上昇するという現象が観察されている。具
体的には、微細なアルミニウム合金配線、例えばライン
／スペースが０．２２μｍ／０．２４μｍといった密な
配線について配線抵抗歩留まりを測定すると、上記組成
物を使用した場合、配線抵抗の上昇を抑えることが難し
く、結局、配線抵抗歩留りを確保できないことがわかっ
た。

【０００８】この配線ルール（ライン／スペースが０．
２２μｍ／０．２４μｍ）よりも緩やかな条件で配線を
形成する場合には、従来技術でも配線抵抗の上昇幅が問
題にならず、良好な歩留まりを確保できている状況にあ
るが、配線が微細化すればするほど上記問題が顕著にな
り、その改善が待たれるところである。

【０００９】本発明は、このような従来技術の有する欠
点を解消することを目的に提案されたものである。すな
わち、本発明は、レジストやポリマー残渣を確実に剥離
除去することができ、しかも配線へのダメージ（腐食や
エッチング）を最小限に抑えることが可能な半導体装置
製造用洗浄剤を提供することを目的とする。また、本発
明は、ヒドロキシルアミンのような爆発の危険性の高い
ものを含まず、室温付近で使用可能な半導体装置製造用
洗浄剤を提供することを目的とする。さらに、本発明
は、レジストやポリマー残渣の残存による特性の劣化を
解消し、配線抵抗の上昇を抑制することが可能な半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述の目
的を達成するべく、種々の検討を重ねてきた。その結
果、フッ素化合物の割合を減らすことで配線へのダメー
ジ（腐食やエッチング）を抑えることができ、レジスト
やポリマーに対して溶解除去能力を有する有機溶剤を併
用することで十分なレジスト除去能力が実現されるとの
知見を得るに至った。

【００１１】本発明は、かかる知見に基づいて完成され
たものである。すなわち、本発明の半導体装置製造用洗
浄剤は、フッ素化合物、有機溶剤及び水を含有してな
り、フッ素化合物の含有量が０．００１〜０．２重量％
であることを特徴とするものである。また、本発明の半
導体装置の製造方法は、半導体基板上の金属膜又は半導
体膜をドライエッチングし、所定のパターンを有する配
線層を形成した後、あるいは、配線層が形成された半導
体基板上に絶縁層を形成し、当該絶縁層を所定のパター
ンにドライエッチングした後、フッ素化合物、有機溶剤
及び水を含有し、フッ素化合物の含有量が０．００１〜
０．２重量％である洗浄剤により洗浄処理することを特
徴とするものである。

【００１２】例えば、レジスト剥離薬剤によるアルミ配
線の線幅減少を抑えるためには、薬剤によるアルミニウ
ム若しくはアルミニウム合金配線へのアタック（腐食や
エッチング作用）を限りなくゼロにすることが得策であ
り、これを実現するためには、アルミニウム若しくはア
ルミニウム合金の表面に形成されるアルミナを含む層を
エッチングしなければ良いことになる。

【００１３】上記アルミナを含む層に対するエッチング
は、主にフッ素化合物によるものであり、したがって洗
浄剤におけるフッ素化合物の含有量を上記範囲内に抑え
れば、アルミナを含む層に対するエッチングはほとんど
進行しない。具体的には、フッ素化合物の含有量を上記
範囲内とすることにより、使用温度（室温）でのアルミ
ナのエッチングレートは１．４ｎｍ／分以下になる。し
たがって、配線抵抗の上昇が解消される。

【００１４】ただし、単にフッ素化合物の含有量を減ら
しただけでは、レジストやポリマー残渣に対する剥離除
去能力が不足する。そこで、本発明では、レジストやポ
リマーに対して溶解除去能力を有する有機溶剤を併用
し、上記フッ素化合物の含有量を減らしたことによる能
力低下を補完することとする。特に、有機溶剤の含有量
を５０重量％以上とし、また有機溶剤としてジメチルス
ルホキシドを選択することで、配線抵抗上昇の抑制と、
剥離除去能力の確保が両立される。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した半導体装
置製造用洗浄剤及び半導体装置の製造方法について、図
面を参照しながら詳細に説明する。

【００１６】本発明の半導体装置製造用洗浄剤は、フッ
素化合物、有機溶剤、及び水からなるものであり、アル
ミナのエッチングレートが１．４ｎｍ／分以下となるよ
うに調製されていることが大きな特徴点である。使用温
度でのアルミナのエッチングレートがこれ以上になる
と、配線抵抗が上昇してしまう。

【００１７】本発明の洗浄剤において使用されるフッ素
化合物としては、フッ化アンモニウム、酸性フッ化アン
モニウム、バッファードフッ酸等を挙げることができ
る。これらの中で、フッ素化合物がフッ化アンモニウム
であることが好ましい。フッ化アンモニウムはアルミニ
ウムのエッチングも小さく、その他のフッ素化合物に比
べて扱い易く使用が容易である。

【００１８】本発明で用いる有機溶剤は、上記フッ素化
合物と混和可能であれば如何なるものであっても構わな
い。例示するならば、例えばエチレングリコール、ジエ
チレングリコール、トリエチレングリコール、エチレン
グリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモ
ノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエ
ーテル、ジエチレンゴリコールモノエチルエーテル、ジ
エチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレン
グリコールモノメチルエーテル、トリエチレンゴリコー
ルモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノブ
チルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピ
レングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリ
コールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモ
ノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチル
エーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ト
リエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレン
グリコールジメチルエーテル等のグリコール系溶剤、ホ
ルムアミド、モノメチルホルムアミド、ジメチルホルム
アミド、モノエチルホルムアミド、ジエチルホルムアミ
ド、アセトアミド、モノメチルアセトアミド、ジメチル
アセトアミド、モノエチルアセトアミド、ジエチルアセ
トアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−エチルピロリド
ン等のアミド系溶剤、メチルアルコール、エチルアルコ
ール、イソプロパノール、グリセロール、プロピレング
リコール等のアルコール系溶剤、ジメチルスルホキシド
等のスルホキシド系溶剤、ジメチルスルホン、ジエチル
スルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシス
ルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホン系溶剤、
１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジ
エチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジイソプロピ
ル−２−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン系溶
剤、γ−ブチロラクトン、δ−バレロラクトン等のラク
トン系溶剤等が挙げられる。

【００１９】好ましくはジメチルスルホキシド、若しく
はジメチルスルホキシドと混和可能な有機溶剤との混合
溶剤である。ジメチルスルホキシドはアルミナのエッチ
ングレートを抑えるのに効果的であり、さらにジメチル
スルホキシドとの混合溶媒はアルミナのエッチングレー
トをコントロールし易く、且つレジスト剥離性、低誘電
率材料への対応等の面で有効な能力を得ることができ
る。

【００２０】ジメチルスルホキシドとの混合溶媒とする
場合、混合される有機溶剤は特に制限されないが、好ま
しくはN，N−ジメチルアセトアミド、N，N−ジメチルホ
ルムアミド、N−メチルピロリドン、N，N−ジメチルイ
ミダゾリジノンである。これらの溶剤はレジスト剥離性
を上げる効果が高く、さらにはアルミニウム、若しくは
アルミニウム合金のエッチングを抑える効果が高い。

【００２１】ジメチルスルホキシドと混合する場合、ジ
メチルスルホキシドの濃度はレジスト剥離性、エッチン
グレートを考慮して任意決めればよい。好ましくはジメ
チルスルホキシドが２５重量％以上であり、この濃度以
上に含有している組成がアルミナのエッチングレートを
抑え易い。

【００２２】本発明の洗浄剤において、フッ素化合物や
有機溶剤の濃度は基本的には特に規定されず、アルミナ
のエッチングレートが１．４ｎｍ／分以下であれば構わ
ないが、このエッチングレートを満足させるには、フッ
素化合物の含有量は０．００１〜０．２重量％とする必
要がある。フッ素化合物の含有量が上記範囲を越えて多
すぎると、アルミナのエッチングが多すぎ、配線抵抗の
上昇が問題になる。上記下限よりも少ない場合には、レ
ジストが除去し難くなり、剥離除去能力の低下が問題に
なる。有機溶剤の含有量は、５０重量％以上であること
が好ましい。有機溶剤が５０重量％未満であると、アル
ミニウム、若しくはアルミニウム合金のエッチングが大
きくなり、当初の目的を満足できない。また、レジスト
やポリマー残渣の溶解除去能力も不足する虞れがある。
全有機溶剤量が８０重量％以上の場合、レジスト剥離と
エッチングのバランスが良く使用し易い。

【００２３】本発明の洗浄剤における水の使用には限定
がないが、フッ素化合物の溶解度、エッチング、アッシ
ング条件等を勘案して濃度を決定すればよい。好ましく
は０〜５０重量％の範囲である。なお、本発明の洗浄剤
において、界面活性剤、防食剤、キレート剤の添加は何
ら問題はない。

【００２４】上記の組成を有する洗浄剤は、配線を形成
する半導体素子の製造方法に適用することができ、これ
により高集積回路を容易に形成することができる。以
下、本発明を適用した半導体装置の製造プロセスについ
て説明する。

【００２５】半導体素子における配線形成に際しては、
先ず、図１に示すように、下地基板１上に導電薄膜２を
形成する。下地基板１に使用される無機質基体として
は、シリコン、非晶質シリコン、ポリシリコン、シリコ
ン酸化膜、シリコン窒化膜、銅及び銅合金、アルミニウ
ム、アルミニウム合金、チタン、チタン−タングステ
ン、窒化チタン、タングステン、タンタル、タンタル化
合物、クロム、クロム酸化物、クロム合金、ＩＴＯ（イ
ンジウム−スズ酸化物）等の半導体配線材料、あるいは
ガリウム−砒素、ガリウム−リン、インジウム−リン等
の化合物半導体、さらにＬＣＤにおけるガラス基板等が
挙げられる。

【００２６】導電薄膜２には、金属膜や半導体膜等が使
用されるが、特に、導電薄膜２がアルミニウム、あるい
はアルミニウム合金（アルミニウム−銅、アルミニウム
−シリコン等）である場合に本発明を適用して好適であ
る。また、導電薄膜２は、単層膜であってもよいし、多
層膜とすることも可能である。例えば、アルミニウム合
金膜の上限に密着性改善のためのＴｉ層やＴｉＮ層等を
積層形成してもよい。

【００２７】次に、上記導電薄膜２をドライエッチング
によってパターニングし、所定のパターンを有する配線
層とするが、ドライエッチングに際しては、図２に示す
ように、レジストパターン３を形成し、これをマスクと
してドライエッチングを行い、図３に示すような配線層
４を形成する。ドライエッチング後には、上記配線層４
上にレジスト残渣５が残存し、また配線層４の側壁を覆
って副生成物であるポリマー残渣６が付着している。

【００２８】そこで、上述の組成を有する洗浄剤を用い
て洗浄処理を行い、図４に示すように、上記レジスト残
渣５やポリマー残渣６を剥離除去する。本発明の洗浄剤
を使用して洗浄処理を行う際の温度は、通常は常温〜９
０℃の範囲であるが、特に３０℃以下の低い温度でも剥
離することができることから、材料（配線層４）へのア
タックを考慮するとできるだけ低い温度で実施するのが
好ましい。

【００２９】なお、ドライエッチング後、所望により灰
化処理を行い、しかる後にドライエッチングにより生じ
た残査を上述した洗浄剤で除去するようにしてもよい。
ここで言う灰化処理（アッシング）とは、例えば有機高
分子よりなるレジストをプラズマ中で発生する酸素プラ
ズマにより処理し、燃焼反応でＣＯ，ＣＯ_２として除去
するものである。また、上記洗浄処理の前、または後
に、リンス薬剤による処理を併せて行うようにしてもよ
い。リンス薬液としては、第四級アンモニウム重炭酸塩
を含む薬液が好適である。

【００３０】上記洗浄処理が終了した後、図５に示すよ
うに層間絶縁膜７を形成し、配線層４を保護するととも
に、その後形成される配線層等との絶縁を図る。この層
間絶縁膜７に対しても、ドライエッチングを行い、例え
ば層間接続のためのコンタクトホール等を形成する。こ
の層間絶縁膜７のドライエッチング後にも、上述の洗浄
剤による洗浄処理が有効である。

【００３１】層間絶縁膜７へのコンタクトホールの形成
は、図６に示すように、層間絶縁膜７上にレジストパタ
ーン８を形成し、これをマスクとしてドライエッチング
を施すことにより行う。これにより、図７に示すよう
に、層間絶縁膜７にコンタクトホール９が形成される。
それと同時に、コンタクトホール９の側壁にエッチング
の副生成物であるポリマー残渣１０が付着する。このポ
リマー残渣１０がそのまま残存すると、例えば層間接続
における特性劣化の原因となる。そこで、このドライエ
ッチングの後に、上述の洗浄剤を用いた洗浄処理を行
い、ポリマー残渣１０を剥離除去する。コンタクトホー
ル９内には、配線層４が一部露呈しているが、上記洗浄
剤により腐食やエッチングされることはなく、当該洗浄
により抵抗が上昇することはない。

【００３２】上記洗浄処理の後、図８に示すようにコン
タクトホール９に金属等の導電材料を充填してメタル接
続孔１１を形成し、図９に示すように、この上に第２の
配線層１２を形成する。その結果、配線層４と第２の配
線層１２とは、メタル接続孔１１を介して電気的に接続
されることになる。

【００３３】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、実験結果に基づいて説明する。

【００３４】＜実施例１＞本実施例においては、予めト
ランジスタ等の素子が形成された下地基板上にメタル配
線を形成し、洗浄効果を確認した。本実施例における製
造プロセスは、下記の通りである（図１〜図５参照）。
メタル配線膜形成→ドライエッチング→レジストアッシ
ング処理→洗浄処理→純水リンス→乾燥

【００３５】メタル配線膜は下記の５層膜とし、その形
成はマグネトロンスパッター法により行った。 Ti 20nm (0.52Pa, 2kW, Ar35sccm, 300℃) TiN 20nm (0.78Pa, 6kW, N₂ 42sccm, Ar 21sccm, 300
℃) Al-0.5%Cu 500nm (0.52Pa, 15kW, Ar 65sccm, 300℃) Ti 5nm (0.52Pa, 2kW, Ar 35sccm, 300℃) TiN 100nm (0.78Pa, 6kW, N₂ 42sccm, Ar 21sccm, 300
℃)

【００３６】ドライエッチングは、メタル配線膜を所定
のパターンに加工するための工程であり、フォトリソグ
ラフィー技術によりレジストパターンを形成し、これを
マスクとして下記の条件にて加工した。 ドライエッチング条件： BCl₃/Cl₂ = 100/150 sccm, 1
Pa, マイクロ波400mA,RF110W、ジャスト+40%オーバーエ
ッチング

【００３７】加工後の形状は図３に示すようになり、レ
ジストパターンの残存分をアッシング処理により除去し
た。アッシング処理の条件は下記の通りである。 レジストアッシング処理：平行平板型RIE装置 O₂=3250sccm, 250℃, 150Pa, 900W, 60sec.

【００３８】また、わずかに残存しているレジスト、さ
らにはメタル配線のドライエッチング加工によりメタル
配線に付着するポリマーを、下記洗浄処理にて除去し
た。洗浄剤：フッ素化合物０．１重量％＋ジメチルスル
ホキシドとN，N−ジメチルアセトアミドの混合有機溶剤
（ジメチルスルホキシド：N，N−ジメチルアセトアミド
＝２：１）７５．０重量％（残分は水） 洗浄処理時間：１８０秒

【００３９】上記組成を有する洗浄剤を適用すること
で、約１８０秒の薬剤処理において、Ａｌ−Ｃｕ（０．
５％）のベタ膜上でのエッチング量１．４ｎｍ以下が達
成されていることを確認している。上記処理後の形状は
良好であり、レジストパターンの残分も無く、ポリマー
残渣もきれいに剥離され、かつメタル配線の線幅減少も
ほとんど無い形状を実現することが可能であった。

【００４０】このようにして作製された半導体装置にお
いて、メタル配線の配線抵抗歩留まりの測定結果を示し
たものが図１０である。これは、ライン／スペースが
０．２２μｍ／０．２４μｍという密な配線ＴＥＧにて
測定したものであるが、図示の通り、従来技術に比べて
配線抵抗の上昇を抑えること可能となっており、結果的
に配線抵抗歩留りを良好に確保できていることがわか
る。

【００４１】＜実施例２＞本実施例においては、レジス
トアッシング処理までは先の実施例１と同様であるが、
その後のプロセスを下記の通り変更した。洗浄処理→リ
ンス薬剤処理→純水リンス→乾燥

【００４２】実施例１における洗浄処理シーケンスにお
いて、メタル配線のドライエッチング加工条件によって
は半導体基板上に残留するハロゲンの絶対量が多く、洗
浄処理だけでは良好な形状（レジスト除去、ポリマー除
去等）が達成できない場合もある。そこで、洗浄処理の
後、純水リンスの前に第四級アンモニウム重炭酸塩5.0%
（残分は水）で構成されているリンス薬剤によるリン
ス薬剤処理を組み合わせたところ、かかる問題が回避さ
れた。

【００４３】なお、このリンス薬剤処理は、洗浄処理の
前段に実施しても同等の効果が得られた。この場合のプ
ロセスは、下記の通りである。リンス薬剤処理→洗浄処
理→純水リンス→乾燥

【００４４】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明を用いることで、メタル配線加工後の配線抵抗の上昇
を抑制することが可能になり、半導体装置の歩留まりや
信頼性の低下を引き起こすことなく半導体装置の製造が
可能になる。また、本発明によれば、レジストやポリマ
ー残渣を確実に剥離除去することができ、半導体装置に
おける特性劣化を確実に回避することができる。さら
に、本発明の洗浄剤は、ヒドロキシルアミンのような爆
発の危険性の高いものを含まず、室温付近で使用可能で
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】半導体装置の配線形成プロセスの一例を工程順
に示すものであり、導電薄膜形成工程を示す概略断面図
である。

【図２】レジストパターン形成工程を示す概略断面図で
ある。

【図３】ドライエッチングによる配線層パターニング工
程を示す概略断面図である。

【図４】洗浄処理後の状態を示す概略断面図である。

【図５】層間絶縁膜形成工程を示す概略断面図である。

【図６】レジストパターン形成工程を示す概略断面図で
ある。

【図７】コンタクトホール形成工程を示す概略断面図で
ある。

【図８】メタル接続孔形成工程を示す概略断面図であ
る。

【図９】第２の配線層形成工程を示す概略断面図であ
る。

【図１０】洗浄処理の有無による配線抵抗歩留まりの相
違を示す特性図である。

【符号の説明】

１ 下地基板、２ 導電薄膜、３，８ レジストパター
ン、４ 配線層、５ レジスト残渣、６，１０ ポリマ
ー残渣、７ 層間絶縁膜、９ コンタクトホール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金村 龍一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 ▲青▼山 哲男 東京都千代田区丸の内２丁目５番２号 三 菱瓦斯化学株式会社内 (72)発明者 池本 一人 東京都千代田区丸の内２丁目５番２号 三 菱瓦斯化学株式会社内 (72)発明者 山田 健二 東京都千代田区丸の内２丁目５番２号 三 菱瓦斯化学株式会社内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 HA23 JA04 LA02 LA03 LA07 5F046 MA02

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フッ素化合物、有機溶剤及び水を含有し
   てなり、フッ素化合物の含有量が０．００１〜０．２重
   量％であることを特徴とする半導体装置製造用洗浄剤。
2. 【請求項２】 上記有機溶剤の含有量が５０重量％以上
   であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置製造
   用洗浄剤。
3. 【請求項３】 上記フッ素化合物は、フッ化アンモニウ
   ムであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置製
   造用洗浄剤。
4. 【請求項４】 上記有機溶剤としてジメチルスルホキシ
   ドを含有することを特徴とする請求項１記載の半導体装
   置製造用洗浄剤。
5. 【請求項５】 ジメチルスルホキシドの含有量が２５重
   量％以上であることを特徴とする請求項４記載の半導体
   装置製造用洗浄剤。
6. 【請求項６】 上記有機溶剤は、ジメチルスルホキシド
   と、ジメチルスルホキシドと混和可能な有機溶剤との混
   合溶剤であることを特徴とする請求項４記載の半導体装
   置製造用洗浄剤。
7. 【請求項７】 上記ジメチルスルホキシドと混和可能な
   有機溶剤がN，N−ジメチルアセトアミド、N，N−ジメチ
   ルホルムアミド、N−メチルピロリドン、N，N−ジメチ
   ルイミダゾリジノンから選ばれる少なくとも1種である
   ことを特徴とする請求項５記載の半導体装置製造用洗浄
   剤。
8. 【請求項８】 半導体基板上の金属膜又は半導体膜をド
   ライエッチングし、所定のパターンを有する配線層を形
   成した後、フッ素化合物、有機溶剤及び水を含有し、フ
   ッ素化合物の含有量が０．００１〜０．２重量％である
   洗浄剤により洗浄処理することを特徴とする半導体装置
   の製造方法。
9. 【請求項９】 上記洗浄剤に含まれる有機溶剤の含有量
   が５０重量％以上であることを特徴とする請求項８記載
   の半導体装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 上記洗浄剤に含まれるフッ素化合物
    は、フッ化アンモニウムであることを特徴とする請求項
    ８記載の半導体装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 上記洗浄剤は、有機溶剤としてジメチ
    ルスルホキシドを含有することを特徴とする請求項８記
    載の半導体装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 上記洗浄剤に含まれるジメチルスルホ
    キシドの含有量が２５重量％以上であることを特徴とす
    る請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
13. 【請求項１３】 上記有機溶剤は、ジメチルスルホキシ
    ドと、ジメチルスルホキシドと混和可能な有機溶剤との
    混合溶剤であることを特徴とする請求項１１記載の半導
    体装置の製造方法。
14. 【請求項１４】 上記ジメチルスルホキシドと混和可能
    な有機溶剤がN，N−ジメチルアセトアミド、N，N−ジメ
    チルホルムアミド、N−メチルピロリドン、N，N−ジメ
    チルイミダゾリジノンから選ばれる少なくとも1種であ
    ることを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造
    方法。
15. 【請求項１５】 上記金属膜は、アルミニウム膜又はア
    ルミニウム合金膜であることを特徴とする請求項８記載
    の半導体装置の製造方法。
16. 【請求項１６】 上記ドライエッチングの後、灰化処理
    を施し、上記洗浄処理を行うことを特徴とする請求項８
    記載の半導体装置の製造方法。
17. 【請求項１７】 上記洗浄処理の前又は後に、第四級ア
    ンモニウム重炭酸塩を含むリンス薬剤による処理を行う
    ことを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方
    法。
18. 【請求項１８】 配線層が形成された半導体基板上に絶
    縁層を形成し、当該絶縁層を所定のパターンにドライエ
    ッチングした後、フッ素化合物、有機溶剤及び水を含有
    し、フッ素化合物の含有量が０．００１〜０．２重量％
    である洗浄剤により洗浄処理することを特徴とする半導
    体装置の製造方法。