JP2003173978A - 半導体薄膜製造装置のクリーニング方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 反応室およびグローブボックスを大気開放す
ることなく、またクリーナーの排気ガスにより反応室お
よびグローブボックス内に堆積物を舞い上げることな
く、さらには排気ガスを反応室およびグローブボックス
外に排出することによる大量の雰囲気ガスの消費を伴わ
ずに、半導体製膜装置の反応室に付着した堆積物をクリ
ーニングする方法及び装置を提供する。 【解決手段】 半導体薄膜製造装置の反応室内に生成し
た堆積物２を除去する際に、堆積物２を反応室内の雰囲
気ガス３と共に吸引ノズル４で吸引し、吸引ノズル４で
吸引した堆積物２を含んだ雰囲気ガス３から、堆積物２
と、雰囲気ガス３と、堆積物２を含んだ雰囲気ガス３か
ら発生するガスと、をそれぞれ濾別し、濾別した雰囲気
ガス３を反応室内に戻して循環する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体薄膜製造装
置の反応室のクリーニング方法およびクリーニング装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体薄膜製造装置は、真空に保持され
た、または圧力制御された不活性ガスで充填される反応
室において、薄膜の構成元素を含んだ原料ガス、あるい
は、ガス化された原料元素を薄膜の下地となる基板に供
給して薄膜を成長させる装置である。この装置を稼働す
る際、基板以外の部分である反応室の壁面あるいは反応
室内部の部品にも原料が付着して成長し、原料からなる
堆積物が形成される。この堆積物によって反応室壁面が
覆われると、熱の反射率が変化し薄膜の成長における重
要な要因である基板温度が変化して薄膜の特性が安定し
ない。また、反応室内部にある駆動部に堆積物が堆積す
ると動作に支障をきたすようになる。

【０００３】このため半導体薄膜製造工程においては、
定期的に、反応室内に堆積した堆積物を除去しなくては
ならない。その除去方法として、従来から下記の方法が
行われてきた。 （１）構成部品を反応室から取り出してクリーニングす
る方法。 （２）クリーナーで堆積物を吸引除去する方法。 さらに、上記（２）のクリーナーで堆積物を吸引除去す
る方法で使用するクリーナーには次の２種類がある。 フィルターと吸引ポンプを備えた排気開放型の小型ク
リーナー。 フィルターと吸引ポンプを反応室外部に設けたセント
ラルクリーナー。

【０００４】通常、半導体薄膜製造装置は、反応室の周
りをグローブボックスで囲い、グローブボックスの内部
を窒素などの不活性ガス雰囲気にして、原料ガスが直接
外気に漏れ出さないようにしている。グローブボックス
内への大気の混入を最小限にするため、基板や部品の投
入および取り出しは、グローブボックスに取り付けたパ
スボックスを介して行う。パスボックスはガス置換を行
うため、頻繁に出し入れする基板や基板を支持するホル
ダー等の小型部品が入る必要最低限の大きさに設計され
ている。そのため、上記（１）の構成部品を反応室から
取り出してクリーニングする方法では、反応室本体など
の大型構成部品を取り出すためには、グローブボックス
を大気開放しなければならない。また、大型構成部品を
クリーニングして装置に取り付けた後、グローブボック
ス内を不活性ガスで置換しなければならないが、不活性
ガスの置換に長時間を要し、生産性をあげることができ
ないことに加え、複数の作業員が必要となる。さらに、
センサーを取り外すと、センサーの再校正のために校正
用の製膜実験が必要となり生産性をあげることができな
い。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このような理由のた
め、上記（１）の構成部品を反応室から取り出してクリ
ーニングする方法はやむを得ない場合以外は行われず、
上記（２）のクリーナーで堆積物を吸引除去する方法が
通常用いられる。上記ののフィルターと吸引ポンプを
備えた排気開放型の小型クリーナーは、小型で取り扱い
が容易であるが、堆積物を吸引し、堆積物を濾過した後
のクリーナーの排気ガスが反応室およびグローブボック
ス内の微小な堆積物を舞い上げてしまう。舞い上がった
微小な堆積物は、静電気を帯び、クリーニング後も長時
間浮遊するため半導体薄膜の下地となる基板をセットす
るときに基板表面に付着する。付着した微小な堆積物は
異常成長の核となり、成長後の半導体薄膜の特性を劣化
させ、半導体薄膜上に構成する半導体素子の歩留まりを
低下させる。このためクリーニング中の堆積物の舞い上
がりを抑制する必要があった。

【０００６】上記ののフィルターと吸引ポンプを反応
室外部に設けたセントラルクリーナーによれば、排気ガ
スが反応室およびグローブボックス内に排出されないた
め、微小な堆積物が舞い上がったり浮遊することがな
く、クリーニング後に成長した半導体薄膜の表面には堆
積物の付着による異常成長は見られない。しかしなが
ら、このクリーナーは排気ガスを装置外に排出するた
め、排出によって失われた分に相当する大量の雰囲気ガ
ス（不活性ガス）を補充する必要があり、メンテナンス
コストの増加を招いてしまう。また、排出されるガスに
は堆積物中に含まれた未反応の残留ガスや、反応で生じ
た副生成ガスが存在するため、そのままでは大気に放出
できない。そのため、セントラルクリーナーの排気ライ
ンには、排気流量、ガス濃度及びガス種に応じた除害塔
を設置することが必要であった。

【０００７】上記課題に鑑み本発明は、反応室およびグ
ローブボックスを大気開放することなく、またクリーナ
ーの排気ガスにより反応室およびグローブボックス内に
堆積物を舞い上げることなく、さらには排気ガスを反応
室およびグローブボックス外に排出することによる大量
の雰囲気ガスの消費を伴わずに、半導体製膜装置の反応
室に付着した堆積物をクリーニングする方法と、その装
置を提供することを目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の半導体薄膜製造装置のクリーニング方法
は、半導体薄膜製造装置の反応室内に生成した堆積物を
除去する際に、堆積物を雰囲気ガスと共に吸引ノズルで
吸引し、吸引ノズルで吸引した堆積物を含んだ雰囲気ガ
スから、堆積物と、雰囲気ガスと、堆積物を含んだ雰囲
気ガスから発生するガスと、を濾別し、濾別した雰囲気
ガスを反応室内に戻して循環することを特徴とする。こ
のような構成にあって、濾過した雰囲気ガスを反応室内
に戻す際、吸引ノズルの直近に設けた排出ノズルから濾
過した雰囲気ガスを排出して戻すようにすれば好まし
い。また、吸引ノズルで吸引した雰囲気ガスを濾過する
際、好ましくは、フィルターで堆積物を濾過し、堆積物
を含んだ雰囲気ガスから発生する有毒かつ危険なガスを
ガス除去装置で濾過する。

【０００９】この構成によれば、吸引ノズルの先端で反
応室の壁面あるいは反応室内部の部品に摩擦力または衝
撃力を加えることにより堆積物が剥がれると共に吸引ノ
ズルによって雰囲気ガスと共に吸引され、かつ、同時に
吸引ノズルの近くに設けた排出ノズルから吸引した雰囲
気ガスと同量の雰囲気ガスが供給されるから、反応室内
の雰囲気ガスを動乱させることがなく、従って、反応室
およびグローブボックス内の微小な堆積物を舞い上げて
しまうことがない。さらに、吸引した雰囲気ガスを外部
から補給する必要がないから製造コストが低廉となる。
また、吸引した雰囲気ガスは、フィルターで堆積物を濾
過し、堆積物を含んだ雰囲気ガスから発生するガスをガ
ス除去装置で濾過するので、作業が安全になると共に、
吸引ポンプ等の装置構成部品を傷めることがない。

【００１０】さらに、本発明の半導体薄膜製造装置のク
リーニング装置は、吸引ノズルと、吸引ノズルに接続し
たフレキシブルな吸引ホースと、吸引ホースに接続した
フィルターと、フィルターに接続したガス除去装置と、
ガス除去装置に接続した吸引ポンプと、吸引ポンプの排
出口に接続したフレキシブルな排出ホースと、排出ホー
スに接続した排出ノズルとからなることを特徴とする。
上記構成において、吸引ノズルと排出ノズルは、好まし
くは、近接して、かつ、吸引及び排出方向を揃えて配設
する。

【００１１】この構成によれば、反応室およびグローブ
ボックスを大気開放することなく、またクリーナーの排
出する雰囲気ガスにより反応室およびグローブボックス
内に堆積物を舞い上げることなく、さらには雰囲気ガス
を反応室およびグローブボックス外に排出することによ
る大量の雰囲気ガスの消費を伴わずに、半導体製膜装置
の反応室に付着した堆積物をクリーニングする装置を提
供することができる。

【００１２】好ましくは、吸引ノズルと排出ノズルが近
接して、かつ、吸引及び排出方向を揃えて配設され得る
ので、反応室内の雰囲気ガスを動乱させることが少な
い。

【００１３】また、吸引及び排出ホースを一体のフレキ
シブルホースで形成し、フレキシブルホースの先端に吸
引ノズルの吸引孔と排出ノズルの排出孔を一体として形
成した吸引・排出ノズルを設けてもよい。

【００１４】この構成によれば、フレキシブルホースが
一本であるから、反応室の壁面あるいは反応室内部の部
品に摩擦力、または衝撃力を加えて堆積物を剥がす作業
が容易になる。また、吸引・排出ノズルは吸引孔と排出
孔が一体であるので、吸引・排出ノズルを反応室の壁面
に密着しても吸引及び排気が可能であり、吸引・排出ノ
ズルを反応室の壁面に密着して使用すれば、排出された
雰囲気ガスがほとんど反応室内に漏れなくなり、従っ
て、反応室内の堆積物を舞い上げることが極めて少なく
なる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態を詳細に説明する。本発明の半導体薄膜製造装
置のクリーニング方法および装置は、ＭＯＣＶＤ（有機
金属化学気相成長）装置、ＶＰＥ（気相エピタキシャル
成長）、Ｐ−ＣＶＤプラズマ化学気相成長）装置、ＭＢ
Ｅ（分子線エピタキシー）装置、及びスパッタリング装
置等の半導体薄膜製造装置などに適用することができ
る。上記半導体薄膜製造装置で作製し得る薄膜は、Ｇａ
Ａｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、ＺｎＳ、Ｚ
ｎＯ、ＣｄＴｅ等の化合物半導体、Ｓｉ、Ｇｅなどの真
性半導体、ＢＳＴ、ＰＺＴなどの強誘電体が挙げられ
る。

【００１６】図１は、本発明の半導体薄膜製造装置のク
リーニング装置の構成と、循環する雰囲気ガスのフロー
を示す図である。また、図２は、本装置のノズル近傍の
構成、ホース断面形状及び本発明のクリーニング方法の
メカニズムを示す図であり、図２（ａ）はノズル近傍の
構成とクリーニング方法のメカニズムを、また、図２
（ｂ）はホース断面を示す。

【００１７】本発明の半導体薄膜製造装置のクリーニン
グ装置１は、図１及び図２を参照して、堆積物２と雰囲
気ガス３とを吸引する吸引・排出ノズル４と、吸引・排
出ノズル４に接続され堆積物２を含んだ雰囲気ガス３を
搬送するフレキシブルな吸引ホース５と、吸引ホース５
に接続され堆積物３を濾過するプレフィルター６と、プ
レフィルター６に接続されさらに微小な堆積物３を濾過
するフィルター７と、フィルター７に接続され堆積物２
から発生する有毒かつ危険なガスを除去するガス除去装
置としての冷却トラップ８と、この冷却トラップ８に接
続され堆積物２から発生する有毒かつ危険なガスを濾過
した雰囲気ガス３を吸引する吸引ポンプ９と、吸引ポン
プ９の排出口に接続され雰囲気ガス３を搬送するフレキ
シブルな排出ホース１０と、排出ホース１０に接続され
濾過した雰囲気ガス３を排出する吸引・排出ノズル４と
からなる。

【００１８】ここで、図１に示した例は、ガス除去装置
として冷却トラップ８を使用する場合を示しているが、
もちろん、発生するガスの種類に応じて、多孔質吸着剤
による吸着除去装置、金属ゲッターによる吸着除去装
置、または湿式除外塔による除去装置等を使用すること
ができる。なお、図２に示した例は、吸引ノズルと排出
ノズルが共通の吸引・排出ノズル４である場合を示して
おり、また、第１のホースと第２のホースが一体に形成
されている場合を示しているが、もちろん、吸引ノズル
と排出ノズルが別々に構成されていても良く、また、第
１のホースと第２のホースは別々に構成されていても良
い。

【００１９】本装置は以下のように動作する。吸引・排
出ノズル４に発生した吸引力と、吸引・排出ノズル４と
反応室内の壁１１との間に摩擦力を加えてまたは吸引・
排出ノズル４を壁１１に衝突させて剥離した堆積物２
は、内部を吸引ホース５と排出ホース１０に仕切られた
ホース１２の吸引ホース５を通り、フィルター６及びフ
ィルター７で濾過、除去される。フィルター６及びフィ
ルター７の有効捕集径は、１〜１０μｍ程度が良く、１
μｍ以下ではフィルターの目がつまりやすく、１０μｍ
以上では堆積物３がフィルター６及びフィルター７を通
過し易くなり、作業時間が長くなる。また、フィルター
６の有効捕集径を大きくフィルター７の有効捕集径を小
さくしても良い。

【００２０】ところで、クリーニング中に吸引された堆
積物２からは、未反応のガスまたは吸引通路内で発生し
た２次ガスが生じる。これらの２次ガスは、吸引通路を
流れる雰囲気ガス３と共に冷却トラップ８に搬送され、
冷却トラップ８の熱交換機で冷却され、冷却トラップ８
に吸着されて除去される。冷却トラップ８の雰囲気ガス
３と接する面の表面温度は、２０℃以下が好ましい。２
０℃以上では室温と変わらず効果が現れ難い。冷却トラ
ップ８による吸着法は吸気抵抗が少なく、吸引ポンプ９
で上昇した雰囲気ガス３の温度を下げる効果も兼ねられ
るので、装置を簡素化することができる。冷却機構とし
ては、熱交換器中に雰囲気ガスを通過させる方法、ある
いは循環流路に放熱板を設けて放熱させる方法があげら
れるが、前者の方法は冷却トラップ８によるガスの吸着
を兼ねることができ、装置を簡素化できるため、もっと
も好ましい方法である。

【００２１】吸引ポンプ９を通過した雰囲気ガス３は装
置外に排気されず、吸引ポンプ９の排出口に接続された
排出ホース１０を搬送されて、吸引・排出ノズル４に戻
される。

【００２２】この構成によれば、排出された雰囲気ガス
３は吸引ホース１０にすぐ吸引され、吸引・排出ノズル
４の外の反応室内に放出されない。このため吸引・排出
ノズル４の周辺の堆積物が作業中に舞い上がることを防
止できる。また、反応室およびグローブボックスから外
に雰囲気ガス３を放出しないため、補充用の大量の雰囲
気ガスを必要としない。

【００２３】本発明の方法及び装置によれば、上記に説
明したように、クリーニングによって微小な堆積物が作
業中に舞い上がることを防止できる。堆積物が舞い上が
ることがないため、クリーニング後に浮遊する微小な堆
積物が非常に少なく、クリーニング後に行う薄膜成長に
おいて、微小な堆積物による異常成長の少ない良好な特
性をもった半導体薄膜が歩留り良く得られる。

【００２４】次に、本発明の方法及び装置によるクリー
ニングの効果を実施例に基づいて説明する。以下で説明
する本発明の実施例及び従来の方法による比較例では、
反応室における堆積物の付着具合が同等の状態で実施さ
れた。また、本実施例および比較例は、ＭＯＣＶＤ装置
により化合物半導体であるＩｎＰ薄膜を成長する過程で
発生する堆積物を対象とした。本実施例に用いたクリー
ニング装置は、図１及び図２に示した構成のものを使用
した。吸引ポンプの吸い込み仕事率は約５００Ｗであ
り、冷却トラップの前段に有効捕集径が１μｍのフィル
ターを設置し、さらにその前段に有効捕集径が５μｍの
プレフィルターを設置した。ノズル、ホースおよび継ぎ
手は気流との摩擦によって発生した静電気によって、堆
積物が帯電しないようにＳＵＳ（ステンレス鋼）または
導電性の樹脂材を使用した。

【００２５】次に実験条件を説明する。実施例１は、上
記のクリーニング装置を使用し、冷却トラップ８の表面
温度を５℃に保つように冷却水を流した。実施例２は、
冷却トラップ８に冷却水を流さないことを除いては実施
例１と同じである。比較例１は、排気を循環させずに、
グローブボックス内に排気させることを除いて実施例１
と同じである。比較例２は、吸引ポンプをグローブボッ
クスの外に配置し、グローブボックスの外に排気したこ
とを除いて比較例１と同じである。なお、上記実験のク
リーニング時間は１時間である。

【００２６】始めに、実施例１および実施例２に基づい
て、本発明の装置の雰囲気ガスの温度冷却効果について
示す。吸引ポンプの直後の排出ラインに設置した温度計
によってクリーニング中の雰囲気ガスの温度を測定し、
比較した。さらに冷却トラップ直後の継ぎ手に雰囲気ガ
ス取り出し口を設け、ここから採取した雰囲気ガス中の
Ｐ濃度を測定し、比較した。図３は、発明の方法及び装
置によるクリーニングの効果を示す図である。図３
（ａ）は、実施例１および実施例２における、雰囲気ガ
スの温度変化を示す図である。図から明らかなように、
クリーニング開始後１時間経過しても、実施例１では雰
囲気ガス温度が１５℃以下であるのに対して、実施例２
ではクリーニング開始直後から雰囲気ガスの温度が上昇
を続けて、開始後４５分では雰囲気ガス温度が８０℃を
超えてしまった。このまま温度上昇が続くと装置を傷め
るので実験を中止した。以上の結果から、冷却トラップ
をガス除去装置として使用することにより、循環する雰
囲気ガスの温度上昇も防止できることが分かり、これに
よってクリーニング装置の劣化を防ぐ効果があることが
分かった。

【００２７】次に、実施例１および実施例２に基づい
て、本発明の装置の有害ガス除去効果を示す。図３
（ｂ）は、実施例１および実施例２において、冷却トラ
ップ直後の雰囲気ガス取り出し口から取り出した雰囲気
ガス中のＰ濃度を測定した結果を示す図である。図から
明らかなように、クリーニング開始後１時間経過しても
実施例１ではＰ濃度が検出限界の０．０１ｐｐｍ未満で
あるのに対して、実施例２ではクリーニング開始１５分
後で０．０５ｐｐｍとなり、３０分後には０．１２ｐｐ
ｍと増加していき、４５分後には０．３ｐｐｍに達して
いることがわかる。この結果から、冷却トラップは、ク
リーニング中に発生するＰ蒸気を有効に循環雰囲気ガス
中から除去できることが分かった。

【００２８】次に、実施例１と比較例１に基づき、本発
明の装置の堆積物を舞い上げない効果を示す。実施例１
と比較例１に基づいて、グローブボックス内の浮遊パー
ティクル（測定粒径０．５μｍ以上）量をパーティクル
カウンターで測定し、クリーニング時間の経過に伴うパ
ーティクルの増加量を比較した。図３（ｃ）は、実施例
１と比較例１において、グローブボックス内の浮遊パー
ティクル量の経時変化を示す図である。図から明らかな
ように、クリーニング開始１５分後および３０分後の測
定結果において、いずれも実施例１の方が比較例１より
も２桁程度低い値を示していることがわかる。この結果
から、本発明の装置によれば、堆積物を舞上げることが
少ないことがわかる。

【００２９】次に、実施例１と比較例１に基づき、本発
明の装置の異常成長物の発生抑止効果を示す。クリーニ
ング後、ＩｎＰ基板上にＩｎＰ薄膜を２μｍ成長させて
半導体薄膜の表面を光学顕微鏡で観察し粒径５μｍ以上
の異常成長物の数を数えて比較した。図３（ｄ）は、実
施例１と比較例１において、ＩｎＰ薄膜上に発生した粒
径５μｍ以上の異常成長物の数を示す図である。図から
明らかなように、実施例１では、ＩｎＰ半導体薄膜上の
異常成長物は７個／ｃｍ² であるのに対して、比較例１
では、ＩｎＰ半導体薄膜上の異常成長物は３１個／ｃｍ
² であった。この結果から、本発明の装置でクリーニン
グすれば、微小な堆積物を舞い上げないため、クリーニ
ング中におけるグローブボックス内の浮遊パーティクル
の発生が少なく、そのため、クリーニング後に作製した
半導体薄膜上に発生する異常成長物も少ないことが分か
った。

【００３０】実施例１と比較例２の比較に基づき、本発
明の装置が雰囲気ガスの補充を必要としない効果を示
す。クリーニング中におけるグローブボックス内の圧力
を測定した。グローブボックス内に大気が混入しないよ
うに、０．１２ｍ³ ／ｍｉｎの流量でＮ₂ ガスを流し
て、＋２ｍｍ（Ｈ₂ Ｏ高さ）の陽圧に保った。実施例１
ではクリーニング開始から終了までの１時間に、＋２ｍ
ｍ（Ｈ₂ Ｏ高さ）を保っていたが、比較例２ではクリー
ニング開始直後から圧力が降下し５秒以内にグローブボ
ックス内が陰圧になった。そのため、Ｎ₂ ガスの供給量
を１ｍ³ ／ｍｉｎに増やしたが、圧力降下は止まらずグ
ローブが外れる恐れが出たため、クリーニング開始後１
０秒を待たずにクリーニングを中止した。この結果か
ら、本発明の装置によれば、雰囲気ガスを循環させるた
め、雰囲気ガスの補充を必要としないことが分かった。

【００３１】

【発明の効果】上記説明から理解されるように、本発明
の半導体薄膜製造装置のクリーニング方法及び装置によ
れば、吸引ノズルが堆積物を雰囲気ガスとともに吸引
し、フィルターが堆積物を除去し、ガス除去装置が堆積
物を含んだ雰囲気ガスから発生するガスを除去し、吸引
ポンプが堆積物と雰囲気ガスから発生するガスを除去し
た後の雰囲気ガスを排出ノズルを介して循環させるか
ら、吸引した雰囲気ガスがクリーナーの外に排出される
ことがない。これにより反応室を大気開放する必要がな
く、また、吸引した雰囲気ガスが堆積物を舞い上げるこ
ともない。さらには、反応室およびグローブボックスに
大量の雰囲気ガスを補充することを必要とせず、半導体
薄膜製造装置の反応室に付着した堆積物を除去すること
ができる。

【００３２】また、本発明の半導体薄膜製造装置のクリ
ーニング方法及び装置によれば、クリーニング中に発生
する堆積物をフィルターによって取り除き、堆積物を含
んだ雰囲気ガスから発生するガスをガス除去装置によっ
て取り除く。このため吸引ポンプおよび吸引、排出ホー
ス等の装置構成部品の劣化を抑制することができる。ま
た、本発明の半導体薄膜製造装置のクリーニング方法及
び装置によれば、ガス除去装置として冷却トラップを用
いた場合には、循環する雰囲気ガスの温度も下げるた
め、熱による装置構成部品の劣化を抑制することができ
る。

【００３３】さらに、本発明の半導体薄膜製造装置のク
リーニング方法及び装置によれば、クリーニング後の反
応室およびグローブボックス内に、浮遊する微小な堆積
物が少ない。そのため、クリーニング後に作製する半導
体薄膜は、堆積物の付着による異常成長が少ない。これ
により半導体薄膜上に作製する半導体素子の歩留まりを
向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体薄膜製造装置のクリーニング装
置の構成、及び循環する雰囲気ガスのフローを示す図で
ある。

【図２】本発明の半導体薄膜製造装置のクリーニング装
置のノズル近傍の構成、ホース断面形状、及び本発明の
クリーニング方法のメカニズムを示す図である。

【図３】発明の方法及び装置によるクリーニングの効果
を示す図であり、（ａ）は実施例１および実施例２にお
ける、雰囲気ガスの温度変化の比較を示す図、（ｂ）は
は、実施例１および実施例２において、冷却トラップ直
後の雰囲気ガス取り出し口から取り出した雰囲気ガス中
のＰ濃度の比較を示す図、（ｃ）は、実施例１と比較例
１において、グローブボックス内の浮遊パーティクル量
の経時変化の比較を示す図、（ｄ）は、実施例１と比較
例１において、ＩｎＰ薄膜上に発生した粒径５μｍ以上
の異常成長物の数の比較を示す図である。

【符号の説明】

１ 半導体薄膜製造装置のクリーニング装置 ２ 堆積物 ３ 雰囲気ガス ４ 吸引・排出ノズル ５ 吸引ホース ６ フィルター ７ フィルター ８ ガス除去装置（冷却トラップ） ９ 吸引ポンプ １０ 排出ホース １１ 反応室の壁 １２ ホース

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 淳史 東京都千代田区丸の内１丁目８番２号 同 和鉱業株式会社内 (72)発明者 岩田 雅年 東京都千代田区丸の内１丁目８番２号 同 和鉱業株式会社内 Ｆターム(参考） 3B116 AA47 AB53 BB71 CD11 CD22 4K029 BD01 DA02 DA09 4K030 CA04 CA12 DA06 EA11 5F045 EB06 5F103 AA01 AA08 BB25 RR09

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体薄膜製造装置の反応室内に生成し
   た堆積物を除去する際に、上記堆積物を上記反応室内の
   雰囲気ガスと共に吸引ノズルで吸引し、該吸引ノズルで
   吸引した堆積物を含んだ雰囲気ガスから、上記堆積物
   と、雰囲気ガスと、さらに堆積物を含んだ雰囲気ガスか
   ら発生するガスと、を濾別し、該濾別した雰囲気ガスを
   上記反応室内に戻して循環することを特徴とする、半導
   体薄膜製造装置のクリーニング方法。
2. 【請求項２】 前記濾過した雰囲気ガスを反応室内に戻
   す際、前記吸引ノズルの近くに設けた排出ノズルから上
   記濾過した雰囲気ガスを排出して戻すことを特徴とす
   る、請求項１に記載の半導体薄膜製造装置のクリーニン
   グ方法。
3. 【請求項３】 前記吸引ノズルで吸引した雰囲気ガスを
   濾過する際、フィルターで前記堆積物を濾過し、前記堆
   積物を含んだ雰囲気ガスから発生する有毒かつ危険なガ
   スをガス除去装置で濾過することを特徴とする、請求項
   １に記載の半導体薄膜製造装置のクリーニング方法。
4. 【請求項４】 堆積物と雰囲気ガスとを吸引する吸引ノ
   ズルと、 該吸引ノズルに接続され上記堆積物を含んだ雰囲気ガス
   を搬送するフレキシブルな吸引ホースと、 該吸引ホースに接続され上記堆積物を濾過するフィルタ
   ーと、 該フィルターに接続され上記堆積物に含まれる有毒かつ
   危険なガスを除去するガス除去装置と、 該ガス除去装置に接続され上記雰囲気ガスを吸引する吸
   引ポンプと、 該吸引ポンプの排出口に接続され上記雰囲気ガスを搬送
   するフレキシブルな排出ホースと、 該排出ホースに接続され上記雰囲気ガスを排出する排出
   ノズルと、からなることを特徴とする、半導体薄膜製造
   装置のクリーニング装置。
5. 【請求項５】 前記吸引ノズルと前記排出ノズルは、近
   接して、かつ、吸引及び排出方向を揃えて配設したこと
   を特徴とする、請求項４に記載の半導体薄膜製造装置の
   クリーニング装置。
6. 【請求項６】 前記吸引ホース及び前記排出ホースを一
   体のフレキシブルホースで形成し、該フレキシブルホー
   スの先端に前記吸引ノズルの吸引孔と排出ノズルの排出
   孔を一体として形成した吸引・排気ノズルを設けたこと
   を特徴とする、請求項４に記載の半導体薄膜製造装置の
   クリーニング装置。