JP2003168656A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェハの裏面を粘着シートに貼り付け
た状態で個々の半導体チップに切断し、その粘着シート
を剥離した後、容易に各々の半導体チップの外観の良否
判定を行うことのできる技術を提供する。 【解決手段】 角度固定治具にて半導体ウェハ２の裏面
を押圧しつつ、角度固定治具およびチャックを一体に半
導体ウェハ２の裏面に沿って、半導体ウェハ２の裏面に
貼付されたウェハシートを剥がす方向に移動させ、半導
体ウェハ２からウェハシートを剥離する。次いで、半導
体ウェハ２の表面を吸着したウェハ固定板７を下降さ
せ、チップ固定台６によって半導体ウェハ２の裏面を吸
着し、ウェハ固定板７による半導体ウェハ２の吸着を解
除した後、ウェハ固定板７を所定の位置へ移動する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術に関し、特に、半導体ウェハを切断して複数の半導
体チップとし、個々の半導体チップをピックアップする
工程に適用して有効な技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、特開平６−２９５９３０号公
報においては、半導体ウェハを粘着シートに貼り付けた
状態で、個々の半導体チップに切断した後、剥離すべき
半導体チップを接着している粘着シートの裏面を摺動ピ
ンで擦ることで半導体チップとの粘着力を弱め、その摺
動ピンの周囲に設けられた突き上げピンを摺動ピンと一
緒に上昇させ、半導体チップを均等に持ち上げることに
よって粘着力の弱まった半導体チップを粘着シートから
剥離する技術について開示されている。

【０００３】また、たとえば特開平６−９７２１４号公
報においては、複数のペレットが粘着された粘着シート
が粘着された粘着シートをペレットを下側にして保持
し、ニードルユニットの下端の球状形状で粘着シートの
押さえ面を形成し、ニードルユニットから先端が尖った
ニードルを突き下げることによって、ペレットを粘着シ
ートから剥離し、下方に位置するコレットによってその
ペレットを真空吸着してピックアップする技術について
開示されている。

【０００４】また、特開２０００−２７７４６１号公報
および特開２０００−３１５６９７号公報においては、
半導体ウェハの裏面を粘着シートに貼り付けた状態で、
個々の半導体チップに切断した後、半導体チップの素子
形成面を吸着した状態で粘着シートを半導体チップの裏
面から剥離し、半導体チップの裏面を吸着してピックア
ップする技術について開示されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】近年、ＩＣカードなど
の製品に実装する半導体チップは、製品の厚さを薄くし
たり実装効率を向上する等の必要性から、その厚さを薄
くすることが求められている。ところが、上記のピンま
たはニードルを突き上げる（または突き下げる）ことに
よって半導体チップを粘着シートから剥離する技術を薄
型化した半導体チップに適用する場合には以下のような
課題が存在することを本発明者らは見出した。

【０００６】すなわち、ピンまたはニードルを突き上げ
る（または突き下げる）ことによって半導体チップを粘
着シートから剥離することから、半導体チップに負荷が
かかり、厚さの薄い半導体チップでは割れが発生してし
まう問題がある。

【０００７】また、半導体ウェハの裏面を粘着シートに
貼り付けた状態で、個々の半導体チップに切断した後、
半導体チップの素子形成面を吸着した状態で粘着シート
を半導体チップの裏面から剥離し、半導体チップの裏面
を吸着してピックアップする技術においては以下のよう
な課題が存在することを本発明者らは見出した。

【０００８】すなわち、半導体チップの素子形成面を吸
着した状態で粘着シートを半導体チップの裏面から剥離
することから、粘着シート剥離後の各々の半導体チップ
の素子形成面の良否判定を行うことが難しくなる問題が
ある。また、鏡面状態の半導体チップ裏面を吸着してピ
ックアップすることから、個々の半導体チップを正確に
ピックアップすることが困難になる問題がある。

【０００９】本発明の目的は、厚さの薄くなった半導体
チップを割れることなく粘着シートから剥離する技術を
提供することにある。

【００１０】また、本発明の他の目的は、半導体ウェハ
の裏面を粘着シートに貼り付けた状態で個々の半導体チ
ップに切断し、その粘着シートを剥離した後、容易に各
々の半導体チップの外観の良否判定を行うことのできる
技術を提供することにある。

【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。

【００１３】すなわち、本発明は、裏面に粘着シートが
貼付された半導体基板を用意する工程と、前記半導体基
板を個片化し半導体チップを形成した後、半導体ウェハ
の外形で前記半導体チップの素子形成面を第１保持板に
吸着させて保持し、前記粘着シートを前記半導体チップ
から剥離する工程と、前記粘着シートを剥離後、前記半
導体チップの裏面と第１固定台とが接触または微量の隙
間を介するようにして前記半導体チップを半導体ウェハ
の外形で前記第１保持板から前記第１固定台へ受け渡す
工程と、前記第１固定台へ受け渡された個々の前記半導
体チップを前記素子形成面を吸着することでピックアッ
プする工程とを含むものである。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一の機能を有する部材には同
一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

【００１５】（実施の形態１）図１（ｂ）は、図１
（ａ）中のＡ−Ａ線に沿った断面図である。

【００１６】まず、図１に示すように、裏面にウェハシ
ート（粘着シート）１が貼付された半導体ウェハ（半導
体基板）２を用意する。半導体ウェハ２は、その主面
（素子形成面）上に半導体素子、配線層および表面保護
膜が形成され、ダイシング（分割）工程により複数の半
導体チップに個片化されたものであり、その裏面にウェ
ハシート１が貼付されたことによって、ダイシング工程
前の半導体ウェハ２の外形と同様の外形で保持されてい
る。ウェハシート１は、たとえばＰＶＣ（ポリ塩化ビニ
ル）またはＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）など
の伸縮性を有する樹脂から形成され、半導体ウェハ２の
径よりも大きな径を有している。半導体ウェハ２にウェ
ハシート１を貼付している粘着材は、たとえば紫外線の
照射により硬化し粘着力が低下するポリイミド系の材料
を用いることができ、ダイシング工程後に紫外線を照射
することにより、ウェハシート１を半導体ウェハ２から
剥離しやすくすることができる。

【００１７】上記したようなウェハシート１の外周部に
は、ウェハシート１が貼付された半導体ウェハ２を搬送
するためのリング状のキャリア治具３が装着されてい
る。このキャリア治具３は、たとえばステンレス鋼など
から形成されたものを用いることができる。なお、図１
（ａ）中において、キャリア治具３はハッチングを施し
た領域で示してある。

【００１８】続いて、上記のような半導体ウェハ２を主
面を上向きにして下部筐体４および上部筐体５からなる
システム内へ搬送し、上記キャリア治具３を下部筐体４
と上部筐体５との間で保持する。なお、下部筐体４内に
は、後の工程で用いるチップ固定台（第１固定台）６が
設けられている。このチップ固定台６は、真空吸着によ
り半導体ウェハ２を吸着することができる。

【００１９】次に、図２に示すように、たとえばウェハ
シート剥離用のウェハ固定板（第１保持板）７を上部よ
り半導体ウェハ２に真空吸着させて半導体ウェハ２を固
定する。続いて、カッター８をキャリア治具３の内周に
沿って回転させることによって、ウェハシート１とキャ
リア治具３とを切り離す。

【００２０】次に、図３に示すように、半導体ウェハ２
を吸着したウェハ固定板７を上昇させる。続いて、半導
体ウェハ２の下部より、ウェハシート１の表面に角度固
定治具９を接触させる。また、ウェハシート１の端部を
チャック１０によって掴む。なお、図３（ａ）中におい
て、角度固定治具９およびチャック１０はハッチングを
付して示してある。角度固定治具９は、その先端部がテ
ーパー状に形成されており、その先端部の角度は１０°
〜２０°程度以下とすることを例示できる。

【００２１】続いて、図４に示すように、上記角度固定
治具９にて半導体ウェハ２の裏面を押圧しつつ、角度固
定治具９およびチャック１０を一体に半導体ウェハ２の
裏面に沿って上記ウェハシート１を剥がす方向に移動さ
せ、半導体ウェハ２からウェハシート１を剥離する。こ
の時、半導体ウェハ２とウェハシート１とを接着してい
る粘着材は、紫外線照射によって粘着力が低下している
ことから、半導体ウェハ２からウェハシート１を剥離す
る際に、ウェハシート１が引っ張られることで発生し各
々の半導体チップ（半導体ウェハ２）に作用する力を低
減することができる。これにより、半導体ウェハ２から
ウェハシート１を剥離する際に、各々の半導体チップ
（半導体ウェハ２）に割れが発生することを防ぐことが
できる。

【００２２】また、半導体ウェハ２からウェハシート１
を剥離する際には、引っ張るウェハシート１と半導体ウ
ェハ１との間の角度が小さいほど各々の半導体チップ
（半導体ウェハ２）に作用する力を低減することができ
る。本実施の形態１において、ウェハシート１は、テー
パー状に形成された角度固定治具９の先端部の角度に沿
って剥離されていくことから、各々の半導体チップ（半
導体ウェハ２）に割れが発生することを防ぐことができ
る。

【００２３】さらに、ウェハシート１は、角度固定治具
９の先端に沿って剥離していくことから、剥離していく
境界線が歪んで半導体チップ（半導体ウェハ２）に作用
する力が局所的に集中してしまうことを防ぐことができ
る。すなわち、各々の半導体チップ（半導体ウェハ２）
の厚さが薄くなった場合でも、各々の半導体チップ（半
導体ウェハ２）に割れが発生することを防ぐことができ
る。

【００２４】本発明者らが行った実験によれば、上記し
たようなウェハシート１の剥離方法を適用した場合、１
００μｍ程度以下の厚さの半導体チップ（半導体ウェハ
２）でも割れは発生せず、特に３０μｍ〜５０μｍ程度
の厚さの半導体チップ（半導体ウェハ２）に対して適用
した場合に特に有効であることがわかった。

【００２５】次に、剥離したウェハシート１を廃棄した
後、図５に示すように、ウェハ固定板７を下降し、半導
体ウェハ２の裏面をチップ固定台６に接触させる。続い
て、チップ固定台６によって半導体ウェハ２の裏面を、
たとえば真空吸着し、ウェハ固定板７による半導体ウェ
ハ２の吸着を解除することにより、ウェハ固定板７から
チップ固定台６への半導体ウェハ２の受け渡し工程を行
う。この後、ウェハ固定板７を上昇させ、さらに水平移
動により所定の位置へ移動することによって、半導体ウ
ェハ２の主面を観察することが可能となる。すなわち、
各々の半導体チップの主面を観察することが可能となる
ので、半導体ウェハ２をチップ固定台８に吸着させた状
態で、各半導体チップ毎にその主面に割れなどの外観不
良の有無を判定することができる。外観不良の発見され
た半導体チップに対しては、たとえばインクなどによっ
てマークを付与することによって、視覚的に良品の半導
体チップと区別することが可能となる。それにより、後
の工程において良品の半導体チップのみをピックアップ
することが可能となる。また、インクなどによるマーク
を付与する代わりに、コンピュータを用いて半導体チッ
プの配列に対応したマップを形成し、そのマップ中にお
いて外観不良の発見された半導体チップを区別してもよ
い。それにより、外観不良の発見された半導体チップの
位置も確認することが可能となる。

【００２６】次に、図６に示すように、チップ固定台６
による半導体ウェハ２の吸着を解除した後、コレット１
１を用いて外観不良の存在しない良品の半導体チップの
みを真空吸着することによりピックアップする。この
時、上記したようにインクなどによるマークの付与また
はコンピュータによるマップ形成によって不良箇所の存
在する半導体チップを区別できることから、良品の半導
体チップのみをピックアップすることができる。これに
より、チップ固定台６上には、不良箇所の存在する半導
体チップのみが残る。

【００２７】次に、図７に示すように、バキュームによ
る吸引機１２を用いて、チップ固定台６上に残った不良
箇所の存在する半導体チップ１３を吸引除去する。この
時、吸引機１２のチップ固定台６と対向する部分の平面
外形は、チップ固定台６平面外形よりも大きいものであ
り、チップ固定台６上に残った複数の半導体チップ１３
を一括して除去することが可能である。

【００２８】続いて、図８に示すように、下部筐体４と
上部筐体５との間で保持されているキャリア治具３を下
部筐体４および上部筐体５からなるシステム外へ搬送
し、本実施の形態１の半導体装置を製造する。

【００２９】（実施の形態２）本実施の形態２は、前記
実施の形態１で示した半導体ウェハ２（図１参照）の主
面（素子形成面）側にウェハシート１（図１参照）が貼
付されている場合において本発明を適用したものであ
る。

【００３０】まず、図９に示すように、本実施の形態２
においては主面（素子形成面）にウェハシート１が貼付
された半導体ウェハ２を用意する。前記実施の形態１と
同様に、本実施の形態２においても、半導体ウェハ２
は、その主面上に半導体素子、配線層および表面保護膜
が形成され、ダイシング（分割）工程により複数の半導
体チップに個片化されたものであり、ウェハシート１が
貼付されたことによって、ダイシング工程前の半導体ウ
ェハ２の外形と同様の外形で保持されている。また、ウ
ェハシート１についても、前記実施の形態１において示
したウェハシート１と同様のものを用いることができ
る。半導体ウェハ２にウェハシート１を貼付している粘
着材についても前記実施の形態１と同様の粘着材を用い
ることができる。また、ウェハシート１の外周部には、
前記実施の形態１において示したキャリア治具３と同様
のキャリア治具３が装着されている。

【００３１】続いて、上記のような半導体ウェハ２を主
面を上向きにして下部筐体４および上部筐体５からなる
システム内へ搬送し、上記キャリア治具３を下部筐体４
と上部筐体５との間で保持する。なお、下部筐体４内に
は、後の工程で用いるチップ固定台（第１固定台）６Ａ
が設けられている。このチップ固定台６Ａは、たとえば
真空吸着により半導体ウェハ２を吸着することができ、
上下方向の動作が可能となっている。

【００３２】次に、図１０に示すように、チップ固定台
６Ａを上昇させて半導体ウェハ２と接触させる。続い
て、半導体ウェハ２をチップ固定台６Ａに吸着させて固
定した後、カッター８をキャリア治具３の内周に沿って
回転させることによって、ウェハシート１とキャリア治
具３とを切り離す。

【００３３】次に、図１１に示すように、半導体ウェハ
２を吸着したチップ固定台６Ａをさらに上昇させる。続
いて、半導体ウェハ２の上部より、ウェハシート１の表
面に角度固定治具９を接触させる。また、前記実施の形
態１において図３を用いて説明した工程と同様に、ウェ
ハシート１の端部をチャック１０によって掴む。本実施
の形態２において、角度固定治具９およびチャック１０
を前記実施の形態１と同様のものを用いることができ
る。

【００３４】続いて、上記角度固定治具９にて半導体ウ
ェハ２の主面を押圧しつつ、角度固定治具９およびチャ
ック１０を一体に半導体ウェハ２の主面に沿って上記ウ
ェハシート１を剥がす方向に移動させ、半導体ウェハ２
からウェハシート１を剥離する。本実施の形態２におい
ても、半導体ウェハ２とウェハシート１とを接着してい
る粘着材は、紫外線照射によって粘着力が低下している
ことから、半導体ウェハ２からウェハシート１を剥離す
る際に、ウェハシート１が引っ張られることで発生し各
々の半導体チップ（半導体ウェハ２）に作用する力を低
減することができる。そのため、本実施の形態２におい
ても、半導体ウェハ２からウェハシート１を剥離する際
に、各々の半導体チップに割れが発生することを防ぐこ
とができる。

【００３５】また、本実施の形態２においても、ウェハ
シート１は、テーパー状に形成された角度固定治具９の
先端部の角度に沿って剥離されていくことから、各々の
半導体チップに割れが発生することを防ぐことができ
る。

【００３６】次に、剥離したウェハシート１を廃棄した
後、図１２に示すように、チップ固定台６Ａを下降させ
る。続いて、前記実施の形態１において図６を用いて説
明した工程と同様の工程により、各半導体チップに対し
て外観不良の有無を判定する。その後、前記実施の形態
１において図６〜図８を用いて説明した工程と同様の工
程を経て本実施の形態２の半導体装置を製造する。な
お、図１２に示したようなチップ固定台６Ａを下降させ
る工程を行わなくても、各半導体チップに対して外観不
良の有無を判定する工程および良品の半導体チップをピ
ックアップする工程を行うことが可能であるならば、そ
のチップ固定台６Ａを下降させる工程は省略してもよ
い。

【００３７】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでも
ない。

【００３８】たとえば、前記実施の形態においては、真
空吸着によって半導体ウェハをウェハ固定板またはチッ
プ固定台に吸着させる場合について示したが、マグネッ
トによる吸着であってもよい。

【００３９】

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下の通りである。 （１）複数の半導体チップに分割された半導体ウェハ
（半導体基板）の主面または裏面を吸着して保持した状
態で、その半導体ウェハの他面に貼付された粘着シート
を剥離する工程において、その粘着シートは半導体ウェ
ハに力が作用しない方向および手段で剥離されるので、
半導体ウェハに割れが発生することを防ぐことができ
る。 （２）複数の半導体チップに分割された半導体ウェハ
（半導体基板）の主面または裏面に貼付された粘着シー
トを剥離した後、その半導体ウェハの裏面を吸着するこ
とによって保持するので、容易に各々の半導体チップの
外観の良否判定を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の一実
施の形態である半導体装置の製造方法を説明する要部平
面図および要部断面図である。

【図２】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ図１に続く半
導体装置の製造工程中の要部平面図および要部断面図で
ある。

【図３】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ図２に続く半
導体装置の製造工程中の要部平面図および要部断面図で
ある。

【図４】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ図３に続く半
導体装置の製造工程中の要部平面図および要部断面図で
ある。

【図５】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ図４に続く半
導体装置の製造工程中の要部平面図および要部断面図で
ある。

【図６】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ図５に続く半
導体装置の製造工程中の要部平面図および要部断面図で
ある。

【図７】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ図６に続く半
導体装置の製造工程中の要部平面図および要部断面図で
ある。

【図８】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ図７に続く半
導体装置の製造工程中の要部平面図および要部断面図で
ある。

【図９】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製
造方法を説明する要部断面図である。

【図１０】図９に続く半導体装置の製造工程中の要部断
面図である。

【図１１】図１０に続く半導体装置の製造工程中の要部
断面図である。

【図１２】図１１に続く半導体装置の製造工程中の要部
断面図である。

【符号の説明】

１ ウェハシート（粘着シート） ２ 半導体ウェハ（半導体基板） ３ キャリア治具 ４ 下部筐体 ５ 上部筐体 ６ チップ固定台（第１固定台） ６Ａ チップ固定台（第１固定台） ７ ウェハ固定板（第１保持板） ８ カッター ９ 角度固定治具 １０ チャック １１ コレット １２ 吸引機 １３ 半導体チップ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 和田 隆 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 (72)発明者 須賀 秀幸 東京都青梅市藤橋３丁目３番地２ 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 清木 和裕 東京都青梅市藤橋３丁目３番地２ 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 伊藤 博明 東京都青梅市藤橋３丁目３番地２ 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 和田 栄司 東京都青梅市藤橋３丁目３番地２ 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 Ｆターム(参考） 5F031 CA13 DA13 FA01 FA05 FA07 GA23 HA13 JA40 MA33 MA34 MA37 MA38 MA40

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （ａ）素子形成面上に半導体素子が形成
   され、裏面に粘着シートが貼付された半導体基板を用意
   する工程、（ｂ）前記半導体基板を個片化し半導体チッ
   プを形成する工程、（ｃ）前記（ｂ）工程後、半導体ウ
   ェハの外形で前記半導体チップの素子形成面を第１保持
   板に吸着させて保持し、前記粘着シートを前記半導体チ
   ップから剥離する工程、（ｄ）前記（ｃ）工程後、前記
   半導体チップの裏面が第１固定台と接触するようにして
   前記半導体チップを半導体ウェハの外形で前記第１保持
   板から前記第１固定台へ受け渡す工程、（ｅ）前記
   （ｄ）工程後、個々の前記半導体チップを前記素子形成
   面を吸着することでピックアップする工程、を含むこと
   を特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 （ａ）素子形成面上に半導体素子が形成
   され、裏面に粘着シートが貼付された半導体基板を用意
   する工程と、（ｂ）前記半導体基板を個片化し半導体チ
   ップを形成する工程と、（ｃ）前記（ｂ）工程後、半導
   体ウェハの外形で前記半導体チップの素子形成面を第１
   保持板に吸着させて保持し、前記粘着シートを前記半導
   体チップから剥離する工程と、（ｄ）前記（ｃ）工程
   後、前記半導体チップの裏面が第１固定台と接触するよ
   うにして前記半導体チップを半導体ウェハの外形で前記
   第１保持板から前記第１固定台へ受け渡す工程と、
   （ｅ）前記（ｄ）工程後、個々の前記半導体チップを前
   記素子形成面を吸着することでピックアップする工程と
   を含み、前記（ｃ）工程前においては前記粘着シートは
   周囲をリング状の治具にて固定することにより支持さ
   れ、前記（ｃ）工程は、（ｃ１）前記粘着シートの所定
   の位置を切断し、前記粘着シートを前記半導体チップが
   貼付された領域と前記治具にて固定された領域とに分離
   する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方
   法。
3. 【請求項３】 （ａ）素子形成面上に半導体素子が形成
   され、裏面に粘着シートが貼付された半導体基板を用意
   する工程と、（ｂ）前記半導体基板を個片化し半導体チ
   ップを形成する工程と、（ｃ）前記（ｂ）工程後、半導
   体ウェハの外形で前記半導体チップの素子形成面を第１
   保持板に吸着させて保持し、前記粘着シートを前記半導
   体チップから剥離する工程と、（ｄ）前記（ｃ）工程
   後、前記半導体チップの裏面が第１固定台と接触するよ
   うにして前記半導体チップを半導体ウェハの外形で前記
   第１保持板から前記第１固定台へ受け渡す工程と、
   （ｅ）前記（ｄ）工程後、個々の前記半導体チップを前
   記素子形成面を吸着することでピックアップする工程と
   を含み、前記（ｄ）工程は、（ｄ１）各々の前記半導体
   チップを前記素子形成面より良否判定する工程を含み、
   前記（ｅ）工程は前記（ｄ１）工程にて良品と判定され
   た前記半導体チップのみをピックアップすることを特徴
   とする半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 （ａ）素子形成面上に半導体素子が形成
   され、裏面に粘着シートが貼付された半導体基板を用意
   する工程と、（ｂ）前記半導体基板を個片化し半導体チ
   ップを形成する工程と、（ｃ）前記（ｂ）工程後、半導
   体ウェハの外形で前記半導体チップの素子形成面を第１
   保持板に吸着させて保持し、前記粘着シートを前記半導
   体チップから剥離する工程と、（ｄ）前記（ｃ）工程
   後、前記半導体チップの裏面と第１固定台とが接触また
   は微量の隙間を介するようにして前記半導体チップを半
   導体ウェハの外形で前記第１保持板から前記第１固定台
   へ受け渡す工程と、（ｅ）前記（ｄ）工程後、個々の前
   記半導体チップを前記素子形成面を吸着することでピッ
   クアップする工程とを含み、前記（ｃ）工程前において
   は前記粘着シートは周囲をリング状の治具にて固定する
   ことにより支持され、前記（ｃ）工程は、（ｃ１）前記
   粘着シートの所定の位置を切断し、前記粘着シートを前
   記半導体チップが貼付された領域と前記治具にて固定さ
   れた領域とに分離する工程を含み、前記（ｄ）工程は、
   （ｄ１）各々の前記半導体チップを前記素子形成面より
   良否判定する工程を含み、前記（ｅ）工程は前記（ｄ
   １）工程にて良品と判定された前記半導体チップのみを
   ピックアップすることを特徴とする半導体装置の製造方
   法。
5. 【請求項５】 （ａ）素子形成面上に半導体素子が形成
   され、前記素子形成面に粘着シートが貼付された半導体
   基板を用意する工程、（ｂ）前記半導体基板を個片化し
   半導体チップを形成する工程、（ｃ）前記（ｂ）工程
   後、半導体ウェハの外形で前記半導体チップの裏面を第
   １固定台に吸着させて保持し、前記粘着シートを前記半
   導体チップから剥離する工程、（ｄ）前記（ｃ）工程
   後、個々の前記半導体チップを前記素子形成面を吸着す
   ることでピックアップする工程、を含むことを特徴とす
   る半導体装置の製造方法。