JP2003167004A - 接触式プローブ及びその製造法 - Google Patents

接触式プローブ及びその製造法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体チップ、表示素子或いは回路基板等に対
する電気検査を行う為に好適な接触式プロ−ブ及びその
製造法を提供する。 【解決手段】メッキ手段で形成した金属柱４に電着法で
絶縁樹脂層６を形成し、この絶縁樹脂層６の表面を所定
量除去して金属柱４の先端部を突出させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ、表
示素子或いは回路基板等に対する電気検査を行なうため
の接触式プローブ及びその製造法に関する。
【０００２】
【従来技術とその問題点】半導体チップ、表示素子、回
路基板等の接続端子は、ピッチが狭く、また端子数も増
加している。従来のプローブは支持体となる板に、先端
が針状のピンを所定の位置に圧入または接着により固定
するものであった。ピンの直径より狭いピッチに対応す
る場合、複数列に配列する事が必要であり、また高精度
な位置決めが必要となる。さらに、１ピンづつ配置する
ため、ピン数の増加に伴い製造時間とコストの増加を招
くという問題がある。
【０００３】そこで、本発明は、狭ピッチ端子に対応す
る高精細のピンを位置精度良く形成することが出来、ピ
ン数にかかわらず一括して形成することが可能な接触式
プローブ及びその製造法を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、アディティブ
法にて接触端子となる高精細の金属柱を位置精度良く形
成し、形成した金属柱に電着法にて絶縁樹脂を形成し、ド
ライエッチング法またはウエットエッチング法にて絶縁
樹脂の一部を除去して前記金属柱の先端部のみを突出さ
せることで、狭ピッチ・多ピンに対応した接触式プロー
ブを形成するものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施例による接
触式プローブの製造工程図である。 先ず、同図（１）の如く、例えば絶縁ベース基材１に所
要の引き出し配線２をサブトラクティブ法またはアディ
ティブ法にて形成する。
【０００６】次に、同図（２）の如く、引き出し配線２
の先端に接触端子となる金属柱を形成するためのメッキ
マスク３を形成し、次いで、同図（３）の如く、引き出
し線２の他方から通電することにより銅またはニッケル
などの金属をメッキし金属柱４を形成する。 この後、メッキマスク３を残したまま電着法により樹脂
層５を金属柱４の表面に形成することで、この後に形成
する絶縁樹脂層の形成に方向性を持たせることが出来
る。そこで、同図（４）の如く、メッキマスク３を除去
した後、引き出し配線２、金属柱４に電着法により絶縁
樹脂層６を形成する。
【０００７】その後、同図（５）の如く、酸素プラズマ
等のドライエッチング法または強アルカリ等薬液を用い
たウエットエッチング法により樹脂層５と共に絶縁樹脂
層６の表面を所定量除去し、金属柱４の先端部を突出さ
せる。
【０００８】
【発明の効果】本発明によれば、狭ピッチに対応した、
多ピンの接触式プローブを低コスト且つ精度良く形成す
ることが出来るので、高密度端子へのプロービングに好
適に利用できる。
【０００９】また、プローブとなる金属柱の周囲は絶縁
樹脂層により補強されて剛性を高めた構造となるので、
金属柱を微細且つ密集して形成した場合でも、接触時の
プローブの破損を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す接触式プローブの製造
工程図。
【符号の説明】
１ 絶縁ベース基材 ２ 引き出し配線 ３ メッキマスク ４ 金属柱 ５ 樹脂層 ６ 絶縁樹脂層

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】接触部となる金属柱の先端部のみを絶縁樹
    脂層から突出させるように構成した接触式プローブ。
  2. 【請求項２】メッキ手段で形成した金属柱に電着法によ
    り絶縁樹脂層を形成した後、酸素プラズマ等のドライエ
    ッチング法または強アルカリ等薬液を用いたウエットエ
    ッチング法で前記絶縁樹脂層の表面を所定量除去するこ
    とにより前記金属柱の先端部を突出させる接触式プロー
    ブの製造法。
  3. 【請求項３】前記絶縁樹脂層が前記金属柱と一体になり
    該金属柱の剛性を高めるように形成した請求項２の接触
    式プローブの製造法。
  4. 【請求項４】前記金属柱の表面に樹脂層を形成した後、
    電着法で前記絶縁樹脂層を形成することにより、前記絶
    縁樹脂層の形成に方向性を持たせる請求項２または３の
    接触式プローブの製造法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP1626284A1 (en) * 2004-08-09 2006-02-15 Delphi Technologies, Inc. Contact probe, mask and fabrication method thereof
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