JP2003163639A - 光送信機 - Google Patents
光送信機Info
- Publication number
- JP2003163639A JP2003163639A JP2001360864A JP2001360864A JP2003163639A JP 2003163639 A JP2003163639 A JP 2003163639A JP 2001360864 A JP2001360864 A JP 2001360864A JP 2001360864 A JP2001360864 A JP 2001360864A JP 2003163639 A JP2003163639 A JP 2003163639A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- modulator
- optical
- signal
- microprocessor
- optical transmitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
光送信機を提供する。 【解決手段】 光信号を情報符号に基づいて変調する変
調器付き光源と、変調器を駆動する変調器駆動回路と、
光源,変調器,変調器駆動回路を制御する制御回路とを
有する光送信機であり、光源,変調器,変調器駆動回路
の電気的特性,光学的特性,温度特性を予め測定し、こ
の測定による特性を光送信機内の記憶装置に記録し、記
録された特性と光送信機の外部環境の変化を観測する手
段によって得た外部環境変化とを電気的に演算処理する
ことによって最適な光源,変調器,変調器駆動回路の制
御条件を導き出して変調光信号出力を制御する。前記制
御において変調器を駆動する信号とは位相が反対の信号
を終端抵抗にて接地した後、ローパスフィルタを通過さ
せDC電圧信号に変換し、当該信号をデューティー比モ
ニタ信号として変調器に印加される駆動信号のデューテ
ィー比が経時変化並びに外部環境の変化によって変化し
ないように制御する。
Description
光伝送システムにおいて使用する光送信機に関し、特
に、光源として電界吸収型光変調器集積半導体レーザを
組み込んだ光送信機の変調光信号出力の制御に適用して
有効な技術に関する。
飛躍的な増大に対応すべく、例えば、高密度波長分割多
重光伝送(Dense Wavelength Division Multiplexing:
DWDM)システムが開発されている。
して半導体レーザ(Laser Diode :LD)が多用されて
いる。DWDMシステムにおいては、例えば、電界吸収
型(Electro Absorption)の光変調器を有する半導体レ
ーザが使用されている。この電界吸収型光変調器集積半
導体レーザ(以下、EA−LDと呼称)は、変調光信号
出力が高く、かつ変調光信号の波長広がり(以下、光チ
ャープ量とも呼称)が小さいため、高速かつ長距離の光
伝送システムの送信光源として需要が拡大している。
み込んだ光送信機については、例えば、2000年電子情報
通信学会 総合大会講演論文集「10Gbit/s D
−FF内蔵分布型EA変調器駆動ICを用いた通信2
B−10-160」、2000年3月発行、P535に記載されてい
る。
ザについては、例えば、三菱電機技報「10Gbps波
長多重通信用変調器集積型レーザ」vol.74,No6, 2000年
6月25日発行、P11 〜P14 に詳細に記載されている。
積半導体レーザから出力される変調器光信号は電界吸収
部(EA部)へ印加する変調電気信号の振幅やオフセッ
ト電圧によって大きく変動する。また、変調光信号出力
を調整するためにレーザダイオード(LD)の駆動電流
を変化させると、LD部からEA部へ送出される光出力
(光パワー)が変化することでEA部の動作条件が変動
し、変調光信号の波形や光チャープ量も変動する。
比によっても変化するが、EA部は非線形な消光特性を
有するため、EA部に印加する変動電気信号の振幅,オ
フセット電圧及びデューティー比に応じて変調光信号の
デューティー比も変化する。その上、LD部は設定温度
やLD駆動電流に応じて発光波長が変化するので、高密
度波長分割多重光伝送の送信光源にEA−LDを用いる
場合は、設定温度や駆動電流を管理して発光波長を一定
に保持することが必須となる。
の送信光源として利用するためには、変調電気信号の振
幅,オフセット電圧,デューティー比及び設定温度とL
D駆動電流を適切に調整し、かつ外乱の影響もしくは自
己の経時変化分を補償することが必須となる。
温度,EA変調信号の振幅,オフセット電圧及びデュー
ティー比を調整可能な個別のアナログもしくはデジタル
の制御回路を用意し、個々のEA−LDの特性に応じて
各々を手動で調整している。即ち、LDとEAを個別に
制御調整している。
持っているため、ある項目を調整することによって他の
項目も変化する。従って全ての項目が最適となるような
調整のためには大変時間が掛かり、量産時のボトルネッ
クとなっていた。
た後、変調光信号出力を変更するためにLD駆動電流が
変化すると同時に変調光波形及び光チャープ量も変化し
てしまうので、全ての項目を再設定することが必要であ
った。そのため変調光信号出力を容易に変化させる場合
には、EA−LDの外部に可変光アッテネータ(Att:A
ttenuator)を用いる必要があり、装置が大型化すると
ともにコストアップとなっていた。装置の大型化は光通
信システムにおける光送信機の設置スペースの増大に繋
がる。
出力及び変調光信号波形の高精度制御が可能で低光チャ
ープ量化が達成できる光送信機を既に提案(特願2000-3
47537号、平成12年11月15日出願)している。この技術
によれば小型で製造コストを低減できる光送信機を提供
することができる。
なる向上を検討した結果、以下の事実を知見し、その知
見から本発明をなした。
ティー比は、受信機における受信感度に大きく影響する
ために常に初期調整した値に維持する必要がある。
を測定するためには伝送速度と同等かそれ以上の周波数
帯域の測定系が必要になるため、光変調器に組み込むこ
とは事実上不可能である(10Gb/s用光送信機の場
合は10GHzもしくはそれ以上の周波数帯域のホトダ
イオードや測定系が必要)。
設定電圧を初期調整した値に電気的制御回路を用いて維
持することで、変調光出力信号のデューティー比も維持
されるという仮定の元で従来は対応してきた。
比設定電圧が初期調整の値に維持されていても、光変調
器駆動回路の経時変化や周囲温度変化によって実際の光
変調器駆動信号のデューティー比が変化する可能性があ
る。
動信号のデューティー比を直接測定することなく、デュ
ーティー比の逆数と比例する光変調器駆動回路の反転出
力信号をローパスフィルタを通して得た信号を、デュー
ティー比モニタ信号として使用してデューティー比を安
定に制御することを思い立ち本発明をなした。
供することにある。
る変調光出力信号のデューティー比の安定化を図ること
にある。
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
と、前方及び後方にレーザ光を放射し、上記マイクロプ
ロセッサに制御されるレーザダイオード駆動電流供給回
路によって駆動するレーザダイオードと、上記レーザダ
イオードから放射される上記前方光を変調し、上記マイ
クロプロセッサに制御される変調器駆動回路によって駆
動する変調器と、上記変調器を通過した上記前方光を減
衰制御し、上記マイクロプロセッサに制御される可変光
アッテネータと、上記レーザダイオードから放射される
後方光の光強度及び波長を検出し、上記マイクロプロセ
ッサに測定情報を送る波長モニタ光学素子と、上記レー
ザダイオード及び上記変調器部分を加熱冷却し、上記マ
イクロプロセッサに制御されるペルチェ素子駆動回路に
よって駆動するペルチェ素子と、上記レーザダイオー
ド,上記変調器を含む部分の温度を測定して上記マイク
ロプロセッサに測定情報を送るサーミスタと、上記各部
全体が置かれた環境温度を測定し、上記マイクロプロセ
ッサに測定情報を送るサーミスタとを有し、上記マイク
ロプロセッサによる制御のもと、上記レーザダイオー
ド,上記変調器,上記ペルチェ素子及び可変光アッテネ
ータを駆動させるとともに、上記波長モニタ光学素子及
び上記両サーミスタによる光学的特性,電気的特性,温
度特性を測定し、この測定情報と予め上記マイクロプロ
セッサに内蔵された内蔵メモリによる情報によって変調
光信号出力を制御しながら光通信を行うように構成され
るとともに、上記変調器駆動回路から上記変調器を駆動
させる変調器駆動信号及びこの変調器駆動信号とは位相
が異なる反転出力信号を取り出し、上記反転出力信号を
上記マイクロプロセッサで演算処理して上記変調光出力
信号のデューティー比が経時変化並びに外部環境の変化
によって変化しないようなデューティー比制御信号を求
め、このデューティー比制御信号を上記変調器駆動回路
にフィードバックするように構成されている。
後、ローパスフィルタを通過させDC電圧信号に変換
し、当該信号をデューティー比モニタ信号として上記変
調器に印加される変調器駆動信号のデューティー比が経
時変化並びに外部環境の変化によって変化しないように
制御する。上記マイクロプロセッサはマイコン監視IC
によって監視制御される。上記レーザダイオード及び上
記変調器は単一の半導体基板にモノリシックに形成され
ている。
出力信号のデューティー比の調整において、光変調器駆
動信号のデューティー比を直接測定することなく、デュ
ーティー比の逆数と比例する光変調器駆動回路の反転出
力信号をローパスフィルタを通して得た信号を、デュー
ティー比モニタ信号として使用することから、デューテ
ィー比を安定に制御することができる。
ジタル回路で実現していた変調光信号の振幅,オフセッ
ト電圧,デューティー比の制御回路、設定温度安定化回
路、LD駆動電流制御回路、発光波長安定化回路等をプ
ログラムによって一括制御できる。従って、周囲温度の
変化や電源電圧変動などの外部環境変化に対しても安定
な動作が維持できる。また、安定動作を長期間に渡って
維持できる。
条件で使用するための条件設定をプログラムと、外部評
価装置による自動調整となるので、調整時間の削減、人
件費用の削減となり、光送信機の製造コストの削減が達
成できる。
設定値をプログラムにより管理しているので、複数のユ
ーザの異なる仕様に対しても回路定数の変更等の物理的
な変更なしで容易に仕様を達成することが可能になる。
って光パワーや変調光波形などを調整可能なので、実際
に光送信機の設置場所まで出向かなくともよくなり、遠
距離から光パワーや変調光波形などを調整することがで
きる。
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
一実施形態(実施形態1)である光送信機に係わる図で
ある。図1は光送信機の構成を示すブロック図、図2及
び図3は光送信機に係わる図である。
積半導体レーザ(EA−LDモジュール)を組み込んだ
高密度波長分割多重光伝送システム用の光送信機に本発
明を適用した例について説明する。
に示すようにEA−LDモジュール11を有している。
このEA−LDモジュール11内には、レーザ光を出射
(放射)するレーザダイオード部(LD部)12と、こ
のLD部12で発光されるレーザ光を変調する変調器
(電界吸収型光変調器部:EA部)13とを有する電界
吸収型光変調器集積半導体レーザ(EA−LD)素子1
4が設けられている。上記LD部12が光信号を送出す
る光源となる。上記光信号は変調器により情報符号に基
づいて変調するようになっている。
5に固定され、このペルチェ素子15によって温度管理
がなされている。EA部13を通過したレーザ光は可変
光アッテネータ(Att)16によって減衰制御される。
この可変光アッテネータ16はEA−LD素子14にモ
ノリシックに形成するものでもよい。本実施形態1で
は、後述するように可変光アッテネータ16はEA−L
D素子14にモノリシックに形成されるものを使用する
(図6参照)。
光は変調光出力(変調光信号出力)17となり、図2に
示すEA−LDモジュール11に接続される光ファイバ
18のコア内に導かれ、光ファイバ18によって所定箇
所に伝送される。この変調光信号出力17はEA−LD
素子14から出射される前方光である。また後方光は、
図5及び図7に示すように、EA−LDモジュール11
内に配置された二つの受光素子PD1,PD2と光フィ
ルタ(ファブリーペローエタロン26:図7参照)で構
成される波長モニタ光学素子19によって波長測定され
るように構成されている。この波長測定によって前方光
の光強度のモニタができる。
長さLは760μm程度となり、幅Wは400μm程
度、高さHは100μm程度になる。
系を示す模式図である。EA−LD素子14の前方光2
0は球状の第1レンズ21,光アイソレータ22,球状
の第2レンズ23を通して光ファイバ18の先端に収束
される。また、後方光24は球状の後方光用レンズ25
を通り、誘電体多層膜フィルタにより構成されるファブ
リーペローエタロン26で波長別に分岐されて、それぞ
れ受光素子PD1,PD2に到達する。ファブリーペロ
ーエタロン25は、例えば、円柱状ガラス体の両端面に
高反射膜を蒸着したフィルタ構成である。
ュール11内には、上記LD部12の温度をモニタする
ためにサーミスタ27が最適な位置に配置されている。
供給するLD駆動電流供給回路28、EA部13を駆動
する変調器駆動回路(EA駆動回路)100、ペルチェ
素子15を駆動するペルチェ素子駆動回路30、上記L
D駆動電流供給回路28,EA駆動IC29等を制御す
る制御回路、即ちマイクロプロセッサ(マイコン)3
1、上記マイコン31を監視するマイコン監視IC3
2、光送信機10内の温度をモニタするサーミスタ33
を有している。
(EA駆動IC)29が内蔵され、外部から入力データ
信号101を受け、EA駆動信号102を電界吸収型光
変調器部(EA部)13に入力させるようになってい
る。入力データ信号101は、情報信号であり、要件と
してはEA駆動IC29に依存し、一般的には0.25
V PP〜1.0VPP程度の振幅で、最大伝送可能速度
以下のデータ信号である。
サとの関係を示すブロック図である。EA駆動回路10
0内のEA駆動IC29は出力端子と反転出力信号を有
し、出力端子から出力される出力端子信号がEA駆動信
号102となる。一方、EA駆動信号102とは位相が
反対の反転出力端子信号(反転出力信号)は終端抵抗
(50Ω)110によって終端された後、ローパスフィ
ルタ(積分回路)111を通過することによってAC成
分が除去されたデューティー比モニタ信号104とな
る。
ロプロセッサ31中のインタフェース部B45の中にあ
るA/Dコンバータ106によってデジタル信号に変換
される。変換された信号は演算回路108中で予め内蔵
メモリ43中に記録されている各種特性データと、現在
のEA駆動信号の振幅情報並びにオフセット電圧情報と
を用いて最適なデューティー比であるかを演算する。
合には最適なデューティー比となるようなデューティー
比制御信号のデータを演算してD/Aコンバータ107
へデータが送られる。送られたデジタル信号はD/Aコ
ンバータ107によってアナログ信号のデューティー比
制御信号105へ変換され、EA駆動IC29へ送ら
れ、最適なデューティー比に調整される。
セッサ31内のA/Dコンバータ106でアナログ信号
からデジタル信号に変換されるが、基本的にA/Dコン
バータ106の入力はDC信号である必要がある。図1
4はローパスフィルタ(積分回路)通過前後の反転出力
信号の波形を示す波形図であるが、ローパスフィルタ1
11を通す前の信号のように、−0.5Vから−2.5
Vの間を変化しているAC信号をA/Dコンバータ10
6へ入力すると、正しくデジタル信号に変換されない。
そこでローパスフィルタ111を通過させることによっ
て、デューティー比に略比例したDC信号に変換してか
らA/Dコンバータ106に入力する。
IC29の間近に配置してAC成分(高周波成分)を減
衰させることによって、EA(光変調器)の駆動には不
要なEA駆動IC29の反転出力信号の高周波成分が他
の回路やマイコンに飛び込んで誤動作を引き起こす可能
性を大きく減少させることができる。
とVhigh電圧値並びにデューティー比(25%,5
0%,75%)との関係を示す特性表である。
信機本体34内に組み込まれた配線基板35上にそれぞ
れ搭載されている。図2及び図3は光送信機本体34を
覆う蓋を取り外した図である。なお、EA駆動IC29
は変調信号入力端子36に電気的に接続されている。
外部出力信号41を送りだす外部通信ポート42を有す
るとともに、内蔵メモリ43,インタフェース部A4
4,インタフェース部B45を有している。マイコン3
1はマイコン監視IC32による監視信号によって監視
される。
給回路28にLD駆動電流制御信号を供給し、可変光ア
ッテネータ16に可変光アッテネータ制御信号を供給
し、ペルチェ素子駆動回路30にペルチェ素子制御信号
を供給する。インタフェース部A44には、LD駆動電
流供給回路28からLD駆動電流モニタ信号(情報)が
送られ、波長モニタ光学素子19から波長モニタ信号
(情報)が送られ、サーミスタ27から温度モニタ信号
(情報)が送られる。LD駆動電流供給回路28は上記
LD駆動電流制御信号に基づいてLD部12にLD駆動
電流を供給し、LD部12を駆動させる。
29に対して振幅制御信号,オフセット電圧制御信号,
デューティー比制御信号を送り、EA駆動IC29から
振幅モニタ信号(情報),オフセット電圧モニタ信号
(情報),デューティー比モニタ信号(情報)を受け
る。EA駆動IC29は上記振幅制御信号,オフセット
電圧制御信号,デューティー比制御信号に基づいてEA
部13を制御する。また、サーミスタ33による光送信
機10内の温度情報がインタフェース部B45に送られ
る。
接続において、インタフェース部A・B(内蔵のA/D
コンバータ,D/Aコンバータの入出力も含む)の駆動
能力を超える場合には、マイクロプロセッサと上記各回
路や素子等の間にドライブ回路を接続してもよい。
てないが、外部メモリもまた配備されている。内蔵メモ
リや外部メモリには、光送信のために必要なプログラム
が書き込まれている。マイクロプロセッサ31によっ
て、上記メモリに書き込まれたプログラムやEA−LD
モジュール11の固有の特性データを元に、LD駆動電
流,設定温度,EA駆動ICの振幅値,オフセット電圧
値,デューティー比が設定される。
器駆動回路の電気的特性,光学的特性,温度特性,経時
変化特性の全てまたは1乃至複数の特性を予め測定し、
各特性間、若しくは個々の特性と外部環境変化との間の
関係を数式化したり、数表化し、上記1乃至複数の数式
や数表を光送信機内の記憶装置に記録するようにしても
よい。そして、上記記録された数式や数表と光送信機の
外部環境の変化を観測する手段によって得た外部環境変
化とを電気的に演算処理することによって上記光源,上
記変調器,上記変調器駆動回路の制御条件を導き出して
変調光信号出力を制御する。
モジュールの外観を示す斜視図、図5はEA−LDモジ
ュールの内部結線状態を示す模式図、図6はEA−LD
素子を示す模式的斜視図である。
ように箱型パッケージ構造となるとともに、箱型パッケ
ージ55の底から張り出す支持部56を有している。こ
の支持部56には箱型パッケージ55を固定する際使用
される取付孔57や取付溝58が設けられている。ま
た、箱型パッケージ55の一端には光ファイバガイド5
9が突出状態で設けられている。この光ファイバガイド
59は光ファイバ18(光ファイバケーブル)を案内し
ている。
端子(ピン)が突出している。図5のEA−LDモジュ
ールの内部結線状態をも参照しながら各端子の機能につ
いて説明する。ピン1はサーミスタ用端子、2はアッテ
ネータ用端子、3はLDアノード端子、4はPD1用端
子、5はPD2用端子、6はペルチェ素子用(+)電極
用端子、7はペルチェ素子(−)用端子、8は変調信号
入力端子である。図5の抵抗Rは50Ωである。
視図である。このEA−LD素子14は、LD部12,
EA部13及び電界吸収型の可変光アッテネータ16を
半導体基板60上にモノリシックに形成した構造になっ
ている。本実施形態1では、例えばEA−LD素子14
は発振波長が1550nm帯の多重量子井戸型DFB半
導体レーザを有する。EA−LD素子14は、図6に示
すように、光導波路61に沿ってLD部12,EA部1
3,可変光アッテネータ16が位置している。
基板からなる半導体基板60上に選択成長法を利用して
多重量子井戸(MQW)構造の光導波路をメサ状に形成
した構造になっている。選択成長法では、半導体基板の
表面を覆うマスク(絶縁膜)の幅(マスク幅)や、マス
クとマスクの間の目開き幅を違えることによって量子井
戸の各層の厚さを異なるものとすることができる。ま
た、LD部12及びEA部13の部分に亘って回折格子
62が設けられている。回折格子62のピッチは、たと
えば、240nmである。
D(Metalorganic Chemical VaporDeposition:有機金
属気相成長)法で順次各層を形成し、中央線の両側をエ
ッチング除去することによって形成される。例えば、符
号を付して説明はしないが、半導体基板60上に、In
GaAsP下ガイド層,MQW層,InGaAsP上ガ
イド層,InPクラッド層,InGaAsキヤップ層を
順次重ねて形成し、その後に表面にストライプ状に絶縁
膜を形成した後、この絶縁膜をエッチングマスクとして
メサエッチングを行いメサ部を形成する。
InGaAs/InGaAsPからなっている。例え
ば、約6nmの厚さのウエル層と8nmの厚さのバリア
層で構成されている。また、回折格子62はInGaA
sP上ガイド層に形成されている。
は、鉄(Fe)を含んだInP層からなるブロック層
(Fe−InP)63が設けられている。
の下面はカソード電極64が形成されている。また、E
A−LD素子14の上面は選択的に絶縁膜65が設けら
れとともに、この絶縁膜65から露出する所定の半導体
層上に亘ってそれぞれ電極層が設けられている。上記電
極層は、LD部12ではLD用アノード電極66を構成
し、EA部13ではEA用アノード電極67を構成し、
可変光アッテネータ16ではアッテネータ用アノード電
極68を構成している。
アッテネータ16の間にはそれぞれ分離溝69,70が
設けられ、LD用アノード電極66,EA用アノード電
極67及びアッテネータ用アノード電極68間で相互の
電流の干渉を防止している。また、図示しないが、EA
−LD素子14の両端には所定の屈折率を有する反射膜
が設けられ、所望の前方光20及び後方光(図示せず)
を出射するようになっている。
4間に所定の電圧を印加することによってLD部12で
所定のレーザ光を発生させる。このレーザ光はEA部1
3におけるカソード電極64とEA用アノード電極67
との間に印加される変調信号によって変調制御される。
またこの変調信号は可変光アッテネータ16におけるカ
ソード電極64とアッテネータ用アノード電極68との
間に印加される可変光アッテネータ制御信号によって減
衰制御され、前方光20及び後方光24としてEA−L
D素子14の外部に放出される。
モジュールの初期設定(トレーニング)を行った後、実
動作を行う。即ち、光通信を行う。
グの手順(ステップ:S)を示すフローチャートであ
る。作業開始(Start)後、S101では環境温度Ta
の設定を行う。このS101では、例えば、環境温度T
a(=恒温槽温度)を25℃に設定する。なお、光送信
機10から放出される変調光信号出力17を受信する光
受信器の光受信器感度(@BER=10−12)は−1
7dBmである。
ち、LD電流(ILD)を60mAに設定し、EA印加
電圧の高レベル(Vhigh)を、例えば、−0.5Vに設
定し、EA印加電圧の低レベル(Vlow)を、例えば、
−2.5Vに設定する。
温度を設定温度(TLD)に調整する。
に、二つの受光素子PD1,PD2で構成される波長モ
ニタ光学素子19によって行う。EA−LD素子14の
後方光24はファブリーペローエタロン26の傾き角θ
によって二つに分岐され、一方は受光素子PD1に到達
し、他方は受光素子PD2に到達する。
クとなる波長は、ファブリーペローエタロン26の傾き
θと、ファブリーペローエタロン26と受光素子PD
1,PD2との相対位置関係で決まる。
と波長との相関を示す特性図である。受光素子PD1,
PD2の出力電流は波長変化に対して繰り返してそのピ
ークが現れる。また、PD1とPD2では、受光するレ
ーザ光成分の波長が相互に異なることから、出力電流の
ピークの位置が相互にずれる。そこで、PD1とPD2
のピーク位置の中間点を設定目標波長(λ0)とし、こ
の設定目標波長(λ0)で出力電流が一致するように、
後方光用レンズ25,ファブリーペローエタロン26及
びPD1,PD2の位置やファブリーペローエタロン2
6の傾きを調整する。
の波長間隔aはファブリーペローエタロン26の厚さと
屈折率で決定されることから、ファブリーペローエタロ
ン26の厚さと屈折率を適当に選択して波長間隔aを所
定値、例えば、100GHzとなるようにする。この波
長間隔aの値をDWDM光伝送における波長間隔と一致
させておくことで、LDの動作温度TLDを変更するだ
けで複数の送信波長に対応させることが可能となる。こ
のことは一つの光送信器が故障した場合のバックアップ
等に有利となる。
うに、ペルチェ素子15によってLD部12の温度を変
化させることによって変調光信号出力17の波長を設定
目標波長(λ0)にすることができる。
PD1,PD2の出力電流は変化する。そこで、PD1
とPD2の電流の合計が一定となるように、LDの駆動
電流を制御する。PD1とPD2の電流の合計が一定と
なるようにLDの駆動電流を制御することによって、L
Dの光出力が常に一定になる効果が得られる。
光透過量の比(消光比:ER)の測定を行う(S10
4)。このS104による測定値から消光比(ER)の
良否の判定を行う(S105)。即ち、消光比(ER)
が、例えば、11dBよりも低い場合にはVlow を下
げ、12dBよりも高い場合にはVlow を上げる。この
作業を繰り返し、消光比(ER)を、11dB≦ER≦
12dBに設定する。
を測定(S106)するとともに、光波形(変調光波
形)のクロスポイント(XP)を50%に設定する(S
etXP)。
EA駆動電気波形を示す特性図と、その場合の光透過率
及び変調光波形を示す特性図である。この場合、変調光
波形のクロスポイント(XP)は50%である。EA駆
動電気波形のクロスポイントを80%とすることによっ
て、変調光波形のクロスポイント(XP)を50%にす
ることができ、伝送特性を高めることができる。
EA駆動電気波形を示す特性図と、その場合の光透過率
及び変調光波形(クロスポイントXPは約0%)を示す
特性図である。EA駆動電気波形のクロスポイントを5
0%としても、変調光波形のクロスポイント(XP)は
約0%であり、伝送特性は非常に悪い。
ントの多少の変化で変調光波形のクロスポイントが大き
く変化し、伝送特性の劣化に結びつくので、EA駆動電
気波形を適切な値に調整することが重要となる。
って光パワー(Pf)を測定する(S108)。この測
定によるPfと、設定パワー値Pとを判定する(S10
9)。そして、例えば、設定パワー値Pが−2dBmと
同じかまたは大きい場合は不的確(N−no)としてV
highを上げてS104に戻り、再びS108に至る工程
を実施する。
場合、光ファイバ長さを80kmとした場合における−
14dBmでのビットエラーレート(BER)を測定す
る(S110)。ビットエラーレートが、例えば、10
−12よりも小さい場合は的確(Y)とし、ビットエラ
ーレートが、10−12以上の場合は不的確(N)と判
定する(S111)。
載したフローチャートによるAからBに至るステップの
処理がなされる。即ち、最初にEAの印加電圧Vhighを
設定通りに下げる(S001)。つぎに、S104及び
S105と同様に消光比の設定を行い(SetER:S
002)、S106及びS107と同様に光波形のクロ
スポイントの設定を行い(SetXP:S003)、S
108と同様に光パワーPfの測定を行う(S00
4)。光パワーPfが所定の光パワー、例えば−2dB
m以上である場合は不的確(N)と判定(S005)し
て再度レーザダイオード(LD)の駆動電流(ILD)
を増加させてS002〜S004を繰り返す。光パワー
Pfが−2dBmよりも小さくなった場合は的確(Y)
と判定する(S005)。
12に進み、光受信感度Prを測定する。即ち、この場
合の測定は光ファイバを接続しない状態の光受信感度P
r(Pr@BTB:Back to Back)と、80kmの長さ
の光ファイバを接続した状態の光受信感度Pr(Pr@
80km)を測定する。この測定は10−12のビット
エラーレート時の光出力である。
kmの差を計算してPp(伝送ペナルティ)を求める
(S113)。
合は的確(Y)とし、2dBを越える場合は不的確
(N)と判定する(S114)。
下部分に記載したフローチャートによるAからBに至る
ステップの処理がなされる。そして、的確(Y)と判定
した後は、S115に進み、波長が設定値になるように
TLDの調整が行われる。LD設定温度(TLD)の調
整は、図7に示す二つの受光素子PD1,PD2を利用
して、PD1,PD2の出力電流が一致する、即ち、L
Dの波形が設定目的波形λ0となるようにTLDを調整
する。
ーミスタ33で測定する環境温度),TLD(LD設定
温度),ILD(LD電流),Vhigh(EA印加電圧の
highレベル),Vlow (EA印加電圧のlow レベル),
デューティー比制御信号電圧,デューティー比モニタ電
圧等を記録する(S116)。
(=0℃)に設定した(S117)後、上記各値の最適
値を検索する(S118)。即ち、先程のS102から
S116の手順を繰り返し実行し、動作保証最低温度に
おける最適なTa,TLD,ILD,Vhigh,Vlow ,
デューティー比制御信号電圧,デューティー比モニタ電
圧等を記録する。
(=70℃)に設定した(S119)後、上記各値の最
適値を検索する(S120)。即ち、同様にS102か
らS116の手順を繰り返し実行し、動作保証最高温度
における最適なTa,TLD,ILD,Vhigh,Vlo
w,XP設定電圧等を記録する。
プで得た数値はそれぞれメモリに記憶される。これによ
り、初期調整が完了する。
る場合、図12に示すフローチャートの各ステップによ
り行う。スタート後、現在の環境温度Taをサーミスタ
33によって測定する(S201)。
℃,70℃での最適設定値より、環境温度Taにおける
最適値を補間して計算する(S202)。
(LD電流),Vhigh(EA印加電圧のhighレベル),
Vlow (EA印加電圧のlow レベル),デューティー比
制御信号を計算により求めた値に設定する(S20
3)。
いか否かを判定し(S204)、不的確(N)の場合は
S205に進み、デューティー比制御信号でデューティ
ー比を調整して再びS204に進む。また、的確(Y)
と判定された場合、可変光アッテネータ16による光A
tt電流により光パワーPfを推定する(S206)。こ
の推定は、以下の方法により行う。実施形態1において
は、光AttとしてLD及び変調用EAと集積化したEA
素子を用いている。この光Att用EA素子から出力され
る光パワーは、光Att用EA素子に印加される電圧と、
そこに流れる電流とで一意に決定される。従って、前も
って光Att用EA素子への印加電圧及び電流と出力され
る光パワーの関係をマイコンのメモリに記録しておくこ
とで、印加電圧及び電流より光パワーが推定できる。
場合は不的確(N)とし、−2dBmよりも小さい場合
は的確(Y)と判定する(S207)。不的確(N)の
場合、可変光アッテネータ16のアッテネーションを下
げて、再びS206を行いS207を繰り返させる。
209に進み、波長モニタで現在の波長を測定する。こ
の波長測定は、前述のように受光素子PD1,PD2に
より行う。
ば、1553.32nm)であれば、的確(Y)と判定
され(S210)、S201に戻り、この一連の制御シ
ステムのもとに光送信を行う。不的確(N)と判定され
た場合は、波長外れアラームが出力されて作業者に異常
が知らされ(S211)、光送信が停止される。
る。 (1)変調光出力信号のデューティー比の調整におい
て、光変調器駆動信号のデューティー比を直接測定する
ことなく、デューティー比の逆数と比例する光変調器駆
動回路の反転出力信号をローパスフィルタを通して得た
信号を、デューティー比モニタ信号として使用すること
から、デューティー比を安定に制御することができる。
ジタル回路で実現していた変調光信号の振幅,オフセッ
ト電圧,デューティー比の制御回路、設定温度安定化回
路、LD駆動電流制御回路、発光波長安定化回路等をプ
ログラムによって一括制御できる。従って、周囲温度の
変化や電源電圧変動などの外部環境変化に対して安定な
動作が維持できる。またこの安定な動作を長時間に渡っ
て維持できる。
条件で使用するための条件設定をプログラムと、外部評
価装置による自動調整となるので、調整時間の削減、人
件費用の削減となり、光送信機の製造コストの削減が達
成できる。
設定値をプログラムにより管理しているので、複数のユ
ーザの異なる仕様に対しても回路定数の変更等の物理的
な変更なしで容易に仕様を達成することが可能になる。
って光パワーや変調光波形などを調整可能なので、実際
に光送信機の設置場所まで出向かなくともよくなり、遠
距離から光パワーや変調光波形などを調整することがで
きる。
の他の実施形態(実施形態2)である光送信機に係わる
図である。図16は光送信機の構成を示すブロック図、
図17は光送信機における複数波長対応光送信機動作手
順を示すフローチャート、図18は光送信機に組み込ま
れるEA−LDを示す模式的斜視図である。
1のEA−LD素子14の代わりに、図18に示すよう
なヒータ付4多重LD−EA素子14aを組み込んだ構
成になっている。このヒータ付4多重LD−EA素子1
4aは、LD部12には4個のレーザダイオードLD1
〜LD4が並列に配置されているとともに、各LD1〜
LD4の前方光及び後方光は、図18で示される各4本
の光導波路75,76によって1本の光導波路に導かれ
る。即ち、前方光合波部77の4本の光導波路75によ
って各LD1〜LD4の前方光はEA部13の1本の光
導波路に導かれる。また、後方光合波部78の4本の光
導波路76によって各LD1〜LD4の後方光は1本の
光導波路に導かれて半導体レーザチップの出射面から出
射される。このLD1〜LD4の動作の切替えは、図1
6に示すように、インタフェース部A44によって制御
される切替スイッチ(切替SW)80によって制御され
るように構成されている。
aには、EA部13及び可変光アッテネータ16の部分
を加熱するためのヒータ(薄膜ヒータ)81が設けられ
ている。そして、この薄膜ヒータ81には薄膜ヒータ電
極A82,薄膜ヒータ電極B83が設けられている。前
記ヒータ81は、図16に示すようにインタフェース部
B45から送り込まれるEA用ヒータ駆動信号によって
制御される。
可変光アッテネータ16aは可変光アッテネータまたは
可変光増幅器で構成する。この場合、可変光アッテネー
タ16aはインタフェース部A44による可変光アッテ
ネータ(可変光Att)制御信号または可変光増幅器制御
信号によって制御する。
成してもよく、また、波長多重のために少しずつ波長を
変えておいてもよい。そして、ヒータ81の加熱によっ
て使用するレーザダイオードの波長の調整を行う。切替
SW80によるスイッチ操作によって駆動させるレーザ
ダイオードが選択される。
変光増幅器を用いることは、光出力パワーを増大でき、
かつ光出力の可変幅も広くすることが可能となる。これ
によって伝送距離のシステムに適用できるという効果が
得られる。
示すフローチャートである。この手順において、S30
1では、希望波長のLDを駆動するよう切替SW80を
制御する。つぎのS302では、希望波長でEAを変調
できるように、EA用ヒータ81を制御してEAの温度
を変更する。つぎのS303では、最適な変調光波形と
なるようにEA駆動信号を調整する。つぎのS304で
は、設定波長に安定化するためにペルチェ素子15でL
D温度を制御する。つぎのS305では、設定光パワー
となるよう可変光アッテネータ(可変光Att)または可
変光増幅器を制御する。
は、前記実施形態1の場合のトレーニングにおいて、S
103の代わりとして行われ、光送信機の実際のマイコ
ン制御で動作させる場合には、S207とS209との
間で行われる。
1の光送信機と同様の効果を有するとともに、複数の半
導体レーザを切替え使用できることから、高密度波長分
割多重光伝送システムに使用して有効なものとなる。
長の光送信器が故障した場合の予備器としても適用可能
という効果を有する。さらには1台で複数の波長の光送
信器に対応できることから、予備器として前もって用意
しておく光送信器の保有台数を削減できるという効果を
有する。
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
なされた発明をその背景となった利用分野である長距離
DWDM伝送システムにおける光送信機に適用した技術
について説明したが、それに限定されるものではなく、
たとえば、EA−LDモジュールを光源として利用する
光伝送装置,光測定機,光計測器などにも同様に適用で
き、同様な効果が得られる。本発明は少なくとも光を送
信する技術には適用できる。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
調整において、光変調器駆動信号のデューティー比を直
接測定することなく、デューティー比の逆数と比例する
光変調器駆動回路の反転出力信号をデューティー比モニ
タ信号として使用することから、デューティー比を安定
に制御することができる。
の高精度制御が可能で低光チャープ量化が達成できる光
送信機を提供することができる。
信機を提供することができる。
信機の構成を示すブロック図ある。
式的平面図である。
LDモジュールの外観を示す斜視図である。
す模式図である。
−LDを示す模式的斜視図である。
ル内の光学系を示す模式図である。
初期調整の処理手順を示すフローチャートである。
D2の出力電流と波長との相関を示す特性図である。
波形を示す特性図と、その場合の光透過率及び変調光波
形を示す特性図である。
波形を示す特性図と、その場合の光透過率及び変調光波
形を示す特性図である。
る実動作時の処理手順を示すフローチャートである。
イクロプロセッサとの関係を示すブロック図である。
分回路)通過前後の反転出力信号の波形を示す波形図で
ある。
信号電圧値とVhigh電圧値並びにデューティー比と
の関係を示す特性表である。
光送信機の構成を示すブロック図ある。
応光送信機動作手順を示すフローチャートである。
−LDを示す模式的斜視図である。
レーザダイオード部(LD部)、13…電界吸収型光変
調器部(EA部)、14…電界吸収型光変調器集積半導
体レーザ(EA−LD)素子、14a…ヒータ付4多重
LD−EA素子、15…ペルチェ素子、16,16a…
可変光アッテネータ、17…変調光信号出力、18…光
ファイバ、19…波長モニタ光学素子、20…前方光、
21…第1レンズ、22…光アイソレータ、23…第2
レンズ、24…後方光、25…後方光用レンズ、26…
ファブリーペローエタロン、27…サーミスタ、28…
LD駆動電流供給回路、29…変調器駆動回路(EA駆
動IC)、30…ペルチェ素子駆動回路、31…マイク
ロプロセッサ(マイコン)、32…マイコン監視IC、
33…サーミスタ、34…光送信機本体、35…配線基
板、36…変調信号入力端子、40…外部入力信号、4
1…外部出力信号、42…外部通信ポート、43…内蔵
メモリ、44…インタフェース部A、45…インタフェ
ース部B、55…箱型パッケージ、56…支持部、57
…取付孔、58…取付溝、59…光ファイバガイド、6
0…半導体基板、61…光導波路、62…回折格子、6
3…ブロック層(Fe−InP)、64…カソード電
極、65…絶縁膜、66…LD用アノード電極、67…
EA用アノード電極、68…アッテネータ用アノード電
極、69,70…分離溝、75,76…光導波路、77
…前方光合波部、78…後方光合波部、80…切替スイ
ッチ(切替SW)、81…ヒータ(薄膜ヒータ)、8
2,83…薄膜ヒータ電極、100…EA駆動回路、1
01…入力データ信号、102…EA駆動信号、103
…EA駆動IC反転出力信号、104…デューティー比
モニタ信号、105…デューティー比制御信号、106
…A/Dコンバータ、107…D/Aコンバータ、10
8…演算回路、110…終端抵抗、111…ローパスフ
ィルタ。
Claims (5)
- 【請求項1】光信号を送出する光源と、 上記光信号を情報符号に基づいて変調する変調器と、 上記変調器を駆動する変調器駆動回路と、 上記光源,上記変調器,上記変調器駆動回路をそれぞれ
制御する制御回路とを有し、 上記光源,上記変調器,上記変調器駆動回路の電気的特
性,光学的特性,温度特性,経時変化特性の全てまたは
1乃至複数の特性を予め測定し、この測定による特性を
上記光送信機内の記憶装置に記録し、上記記録された特
性と上記光送信機の外部環境の変化を観測する手段によ
って得た外部環境変化とを電気的に演算処理することに
よって上記光源,上記変調器,上記変調器駆動回路の制
御条件を導き出して変調光信号出力を制御する光送信機
であって、 上記変調器駆動回路から上記変調器を駆動させる変調器
駆動信号及びこの変調器駆動信号とは位相が異なる反転
出力信号を取り出し、上記反転出力信号をマイクロプロ
セッサで演算処理して上記変調光出力信号のデューティ
ー比が経時変化並びに外部環境の変化によって変化しな
いようなデューティー比制御信号を求め、このデューテ
ィー比制御信号を上記変調器駆動回路にフィードバック
するように構成されていることを特徴とする光送信機。 - 【請求項2】マイクロプロセッサと、 前方及び後方にレーザ光を放射し、上記マイクロプロセ
ッサに制御されるレーザダイオード駆動電流供給回路に
よって駆動するレーザダイオードと、 上記レーザダイオードから放射される上記前方光を変調
し、上記マイクロプロセッサに制御される変調器駆動回
路によって駆動する変調器と、 上記変調器を通過した上記前方光を減衰制御し、上記マ
イクロプロセッサに制御される可変光アッテネータと、 上記レーザダイオードから放射される後方光の光強度及
び波長を検出し、上記マイクロプロセッサに測定情報を
送る波長モニタ光学素子と、 上記レーザダイオード及び上記変調器部分を加熱冷却
し、上記マイクロプロセッサに制御されるペルチェ素子
駆動回路によって駆動するペルチェ素子と、 上記レーザダイオード,上記変調器を含む部分の温度を
測定して上記マイクロプロセッサに測定情報を送るサー
ミスタと、 上記各部全体が置かれた環境温度を測定し、上記マイク
ロプロセッサに測定情報を送るサーミスタとを有し、 上記マイクロプロセッサによる制御のもと、上記レーザ
ダイオード,上記変調器,上記ペルチェ素子及び可変光
アッテネータを駆動させるとともに、上記波長モニタ光
学素子及び上記両サーミスタによる光学的特性,電気的
特性,温度特性を測定し、この測定情報と予め上記マイ
クロプロセッサに内蔵された内蔵メモリによる情報によ
って変調光信号出力を制御しながら光通信を行うように
構成されるとともに、 上記変調器駆動回路から上記変調器を駆動させる変調器
駆動信号及びこの変調器駆動信号とは位相が異なる反転
出力信号を取り出し、上記反転出力信号を上記マイクロ
プロセッサで演算処理して上記変調光出力信号のデュー
ティー比が経時変化並びに外部環境の変化によって変化
しないようなデューティー比制御信号を求め、このデュ
ーティー比制御信号を上記変調器駆動回路にフィードバ
ックするように構成されていることを特徴とする光送信
機。 - 【請求項3】上記反転出力信号を終端抵抗にて接地した
後、ローパスフィルタを通過させDC電圧信号に変換
し、当該信号をデューティー比モニタ信号として上記変
調器に印加される変調器駆動信号のデューティー比が経
時変化並びに外部環境の変化によって変化しないように
制御することを特徴とする請求項1または請求項2に記
載の光送信機。 - 【請求項4】上記マイクロプロセッサはマイコン監視I
Cによって監視制御されることを特徴とする請求項2に
記載の光送信機。 - 【請求項5】上記レーザダイオード及び上記変調器は単
一の半導体基板にモノリシックに形成されていることを
特徴とする請求項2に記載の光送信機。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001360864A JP2003163639A (ja) | 2001-11-27 | 2001-11-27 | 光送信機 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001360864A JP2003163639A (ja) | 2001-11-27 | 2001-11-27 | 光送信機 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003163639A true JP2003163639A (ja) | 2003-06-06 |
Family
ID=19171611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001360864A Pending JP2003163639A (ja) | 2001-11-27 | 2001-11-27 | 光送信機 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003163639A (ja) |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007109765A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Opnext Japan Inc | 波長可変光送信器および光送受信器 |
JP2007288700A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Setsunan Univ | 光変調装置、それを用いた中継システムおよびネットワークシステム |
JP2007329212A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Opnext Japan Inc | 光送信器および光送信方法 |
JP2008515343A (ja) * | 2004-09-29 | 2008-05-08 | フィニサー コーポレイション | 家庭用電化製品のための光ケーブル |
JP2008228267A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-09-25 | Nec Corp | 光送信装置及びそれに用いる温度制御方法 |
WO2008126276A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-23 | Fujitsu Limited | 光送信装置およびその制御方法 |
US7706692B2 (en) | 2004-09-29 | 2010-04-27 | Finisar Corporation | Consumer electronics with optical communication interface |
JP2010097390A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | データ書換システム |
US7712976B2 (en) | 2006-04-10 | 2010-05-11 | Finisar Corporation | Active optical cable with integrated retiming |
US7729618B2 (en) | 2005-08-30 | 2010-06-01 | Finisar Corporation | Optical networks for consumer electronics |
JP2010129552A (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光素子駆動装置 |
US7778510B2 (en) | 2006-04-10 | 2010-08-17 | Finisar Corporation | Active optical cable electrical connector |
US7860398B2 (en) | 2005-09-15 | 2010-12-28 | Finisar Corporation | Laser drivers for closed path optical cables |
US7876989B2 (en) | 2006-04-10 | 2011-01-25 | Finisar Corporation | Active optical cable with integrated power |
JP2011211652A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Nec Corp | 光送信器、光送信方法、及び光送信プログラム |
US8083417B2 (en) | 2006-04-10 | 2011-12-27 | Finisar Corporation | Active optical cable electrical adaptor |
US8244124B2 (en) | 2007-04-30 | 2012-08-14 | Finisar Corporation | Eye safety mechanism for use in optical cable with electrical interfaces |
JP2012168410A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Nec Corp | 光送信装置、光送受信装置、制御方法および制御プログラム |
JP2012215662A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Fujitsu Optical Components Ltd | 光送信機および光波形補償方法 |
JP2012231186A (ja) * | 2012-08-28 | 2012-11-22 | Japan Oclaro Inc | 波長可変光送信器および光送受信器 |
US8769171B2 (en) | 2007-04-06 | 2014-07-01 | Finisar Corporation | Electrical device with electrical interface that is compatible with integrated optical cable receptacle |
JP2014216979A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-17 | 住友電気工業株式会社 | 光通信モジュールおよび動作更新方法 |
US9203518B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-12-01 | Fujitsu Optical Components Limited | Optical transmitter and waveform compensation method |
JPWO2019216150A1 (ja) * | 2018-05-09 | 2021-01-14 | 三菱電機株式会社 | 光送信モジュールの調整検査システム、光送信モジュールの調整検査方法、および光送信モジュールの製造方法 |
-
2001
- 2001-11-27 JP JP2001360864A patent/JP2003163639A/ja active Pending
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7706692B2 (en) | 2004-09-29 | 2010-04-27 | Finisar Corporation | Consumer electronics with optical communication interface |
JP2008515343A (ja) * | 2004-09-29 | 2008-05-08 | フィニサー コーポレイション | 家庭用電化製品のための光ケーブル |
US7729618B2 (en) | 2005-08-30 | 2010-06-01 | Finisar Corporation | Optical networks for consumer electronics |
US8233805B2 (en) | 2005-09-15 | 2012-07-31 | Finisar Corporation | Laser drivers for closed path optical cables |
US7860398B2 (en) | 2005-09-15 | 2010-12-28 | Finisar Corporation | Laser drivers for closed path optical cables |
JP2007109765A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Opnext Japan Inc | 波長可変光送信器および光送受信器 |
US7876989B2 (en) | 2006-04-10 | 2011-01-25 | Finisar Corporation | Active optical cable with integrated power |
US8083417B2 (en) | 2006-04-10 | 2011-12-27 | Finisar Corporation | Active optical cable electrical adaptor |
US7712976B2 (en) | 2006-04-10 | 2010-05-11 | Finisar Corporation | Active optical cable with integrated retiming |
US7778510B2 (en) | 2006-04-10 | 2010-08-17 | Finisar Corporation | Active optical cable electrical connector |
JP2007288700A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Setsunan Univ | 光変調装置、それを用いた中継システムおよびネットワークシステム |
JP2007329212A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Opnext Japan Inc | 光送信器および光送信方法 |
JP2008228267A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-09-25 | Nec Corp | 光送信装置及びそれに用いる温度制御方法 |
WO2008126276A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-23 | Fujitsu Limited | 光送信装置およびその制御方法 |
JP5029689B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-09-19 | 富士通株式会社 | 光送信装置およびその制御方法 |
US8249465B2 (en) | 2007-03-30 | 2012-08-21 | Fujitsu Limited | Light transmitting apparatus and method for controlling the same |
US8769171B2 (en) | 2007-04-06 | 2014-07-01 | Finisar Corporation | Electrical device with electrical interface that is compatible with integrated optical cable receptacle |
US8244124B2 (en) | 2007-04-30 | 2012-08-14 | Finisar Corporation | Eye safety mechanism for use in optical cable with electrical interfaces |
JP2010097390A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | データ書換システム |
JP2010129552A (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光素子駆動装置 |
JP2011211652A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Nec Corp | 光送信器、光送信方法、及び光送信プログラム |
JP2012168410A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Nec Corp | 光送信装置、光送受信装置、制御方法および制御プログラム |
JP2012215662A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Fujitsu Optical Components Ltd | 光送信機および光波形補償方法 |
US9014570B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-04-21 | Fujitsu Optical Components Limited | Optical transmitter and method for optical signal waveform compensation |
US9203518B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-12-01 | Fujitsu Optical Components Limited | Optical transmitter and waveform compensation method |
JP2012231186A (ja) * | 2012-08-28 | 2012-11-22 | Japan Oclaro Inc | 波長可変光送信器および光送受信器 |
JP2014216979A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-17 | 住友電気工業株式会社 | 光通信モジュールおよび動作更新方法 |
JPWO2019216150A1 (ja) * | 2018-05-09 | 2021-01-14 | 三菱電機株式会社 | 光送信モジュールの調整検査システム、光送信モジュールの調整検査方法、および光送信モジュールの製造方法 |
JP7118141B2 (ja) | 2018-05-09 | 2022-08-15 | 三菱電機株式会社 | 光送信モジュールの調整検査システム、光送信モジュールの調整検査方法、および光送信モジュールの製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003163639A (ja) | 光送信機 | |
US6842587B1 (en) | Use of amplified spontaneous emission from a semiconductor optical amplifier to minimize channel interference during initialization of an externally modulated DWDM transmitter | |
US10965094B2 (en) | Wavelength-tunable laser device | |
US6631146B2 (en) | Tunable laser control system | |
EP0813272B1 (en) | Wavelength-changeable light source capable of changing wavelength of output light, optical communication network using the same and wavelength control method for controlling wavelength of output light of the same | |
US8543010B2 (en) | Bias control in an optical modulator and transmitter | |
US5949562A (en) | Transmission wavelength control method permitting efficient wavelength multiplexing, optical communication method, optical transmitter, optical transmitter-receiver apparatus, and optical communication system | |
US20140140363A1 (en) | High-yield high-precision distributed feedback laser based on an array | |
US7991024B2 (en) | External cavity wavelength tunable laser device and optical output module | |
US20070258494A1 (en) | Wavelength Control of Laser Light | |
CN111929776A (zh) | 温控多频道光发射次组件及包含其的收发器模块 | |
JP3844956B2 (ja) | 光送信機 | |
JP2001085798A (ja) | 半導体レーザモジュールおよび波長分割多重光伝送システム | |
CN108011671B (zh) | 控制包括半导体光放大器的半导体光学装置的方法 | |
US10270533B2 (en) | Wavelength tunable laser module and method of controlling wavelength thereof | |
EP0495559B1 (en) | Hybrid laser for optical communications | |
US20020075549A1 (en) | Light modulation | |
US10673205B2 (en) | Wavelength tunable laser module and method of controlling wavelength thereof | |
US20240063601A1 (en) | Multiple optoelectronic devices with thermal compensation | |
WO2003043146A1 (en) | Distributed feedback laser for isolator-free operation | |
JP3192293B2 (ja) | 光伝送装置 | |
EP0189252A2 (en) | Semiconductor laser direct frequency modulation system | |
JP4712658B2 (ja) | 半導体レーザモジュール | |
EP0848466A2 (en) | Semiconductor light emitting element and optical fiber transmission system | |
US6678480B1 (en) | Optical transmitter and optical communication system |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040713 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070109 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070312 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071009 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080226 |