JP3844956B2 - 光送信機 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は高密度波長分割多重光伝送システムにおいて使用する光送信機に関し、特に、光源として電界吸収型光変調器集積半導体レーザを組み込んだ光送信機の変調光信号出力の制御に適用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
光通信システムにおいては、通信情報の飛躍的な増大に対応すべく、例えば、高密度波長分割多重光伝送(Dense Wavelength Division Multiplexing:DWDM)システムが開発されている。
【0003】
光通信システムにおける送信光源の一つとして半導体レーザ(Laser Diode :LD)が多用されている。DWDMシステムにおいては、例えば、電界吸収型(Electro Absorption)の光変調器を有する半導体レーザが使用されている。この電界吸収型光変調器集積半導体レーザ(以下、EA−LDと呼称)は、変調光信号出力が高く、かつ変調光信号の波長広がり(以下、光チャープ量とも呼称)が小さいため、高速かつ長距離の光伝送システムの送信光源として需要が拡大している。
【0004】
電界吸収型光変調器集積半導体レーザを組み込んだ光送信機については、例えば、2000年電子情報通信学会 総合大会講演論文集「10Gbit/s D−FF内蔵分布型EA変調器駆動ICを用いた通信2 B−10-160」、2000年3月発行、P535に記載されている。
【0005】
また、電界吸収型光変調器集積半導体レーザについては、例えば、三菱電機技報「10Gbps波長多重通信用変調器集積型レーザ」vol.74,No6,2000年6月25日発行、P11〜P14に詳細に記載されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
電界吸収型光変調器集積半導体レーザから出力される変調光信号は電界吸収部(EA部)へ印加する変調電気信号の振幅やオフセット電圧によって大きく変動する。また、変調光信号出力を調整するためにレーザダイオード(LD)の駆動電流を変化させると、LD部からEA部へ送出される光出力(光パワー)が変化することでEA部の動作条件が変動し、変調光信号の波形や光チャープ量も変動する。
【0007】
さらに変調光信号出力はそのデューティー比によっても変化するが、EA部は非線形な消光特性を有するため、EA部に印加する変動電気信号の振幅,オフセット電圧及びデューティー比に応じて変調光信号のデューティー比も変化する。その上、LD部は設定温度やLD駆動電流に応じて発光波長が変化するので、高密度波長分割多重光伝送の送信光源にEA−LDを用いる場合は、設定温度や駆動電流を管理して発光波長を一定に保持することが必須となる。
【0008】
従って、EA−LDを長距離DWDM伝送の送信光源として利用するためには、変調電気信号の振幅,オフセット電圧,デューティー比及び設定温度とLD駆動電流を適切に調整し、かつ外乱の影響もしくは自己の経時変化分を補償することが必須となる。
【0009】
従来は、EA−LDのLD駆動電流,設定温度,EA変調信号の振幅,オフセット電圧及びデューティー比を調整可能な個別のアナログもしくはデジタルの制御回路を用意し、個々のEA−LDの特性に応じて各々を手動で調整している。即ち、LDとEAを個別に制御調整している。
【0010】
しかし、上記の調整は各々が密接に相関を持っているため、ある項目を調整することによって他の項目も変化する。従って全ての項目が最適となるような調整のためには大変時間が掛かり、量産時のボトルネックとなっていた。
【0011】
また、一旦最適なLD駆動電流値で調整した後、変調光信号出力を変更するためにLD駆動電流を変化させると同時に変調光波形及び光チャープ量も変化してしまうので、全ての項目を再設定することが必要であった。そのため変調光信号出力を容易に変化させる場合には、EA−LDの外部に可変光アッテネータ(Att:Attenuator )を用いる必要があり、装置が大型化するとともにコストアップとなっていた。装置の大型化は光通信システムにおける光送信機の設置スペースの増大に繋がる。
【0012】
本発明の目的は、変調光信号出力及び変調光信号波形の高精度制御が可能で低光チャープ量化が達成できる光送信機を提供することにある。
本発明の他の目的は、小型で製造コストを低減できる光送信機を提供することにある。
本発明の上記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【0014】
(1)光送信機は、
マイクロプロセッサと、
前方及び後方にレーザ光を放射し、上記マイクロプロセッサに制御されるレーザダイオード駆動電流供給回路によって駆動するレーザダイオードと、
上記レーザダイオードから放射される上記前方光を変調し、上記マイクロプロセッサに制御される変調器駆動回路によって駆動する変調器と、
上記変調器を通過した上記前方光を減衰制御し、上記マイクロプロセッサに制御される可変光アッテネータと、
上記レーザダイオードから放射される後方光の光強度及び波長を検出し、上記マイクロプロセッサに測定情報を送る波長モニタ光学素子と、
上記レーザダイオード及び上記変調器部分を加熱冷却し、上記マイクロプロセッサに制御されるペルチェ素子駆動回路によって駆動するペルチェ素子と、
上記レーザダイオード,上記変調器を含む部分の温度を測定して上記マイクロプロセッサに測定情報を送るサーミスタと、
上記各部全体が置かれた環境温度を測定し、上記マイクロプロセッサに測定情報を送るサーミスタとを有し、
上記マイクロプロセッサによる制御のもと、上記レーザダイオード,上記変調器,上記ペルチェ素子及び可変光アッテネータを駆動させるとともに、上記波長モニタ光学素子及び上記両サーミスタによる光学的特性,電気的特性,温度特性を測定し、この測定情報と予め上記マイクロプロセッサに内蔵された内蔵メモリによる情報によって変調光信号出力を制御しながら光通信を行うように構成されている。
【0015】
また、上記マイクロプロセッサはマイコン監視ICによって監視制御される。上記レーザダイオード,上記変調器及び上記可変光アッテネータは単一の半導体基板にモノリシックに形成されている。
【0016】
上記(1)の手段によれば、(a)従来個別のアナログ回路もしくはデジタル回路で実現していた変調光信号の振幅,オフセット電圧,デューティー比の制御回路、設定温度安定化回路、LD駆動電流制御回路、発光波長安定化回路等をプログラムによって一括制御できる。従って、周囲温度の変化や電源電圧変動などの外部環境変化に対しても安定な動作が維持できる。また、安定動作を長期間に渡って維持できる。
【0017】
(b)EA−LDモジュールを最適な駆動条件で使用するための条件設定をプログラムと、外部評価装置による自動調整となるので、調整時間の削減、人件費用の削減となり、光送信機の製造コストの削減が達成できる。
【0018】
(c)光送信機の波長制御のための全ての設定値をプログラムにより管理しているので、複数のユーザの異なる仕様に対しても回路定数の変更等の物理的な変更なしで容易に仕様を達成することが可能になる。
【0019】
(d)ユーザからの電気的な要求信号に従って光パワーや変調光波形などを調整可能なので、実際に光送信機の設置場所まで出向かなくともよくなり、遠距離から光パワーや変調光波形などを調整することができる。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【0021】
(実施形態1)
図1乃至図12は本発明の一実施形態(実施形態1)である光送信機に係わる図である。図1は光送信機の構成を示すブロック図、図2及び図3は光送信機に係わる図である。
【0022】
本実施形態1では、電界吸収型光変調器集積半導体レーザ(EA−LDモジュール)を組み込んだ高密度波長分割多重光伝送システム用の光送信機に本発明を適用した例について説明する。
【0023】
光送信機(光送信システム)10は、図1に示すようにEA−LDモジュール11を有している。このEA−LDモジュール11内には、レーザ光を出射(放射)するレーザダイオード部(LD部)12と、このLD部12で発光されるレーザ光を変調する変調器(電界吸収型光変調器部:EA部)13とを有する電界吸収型光変調器集積半導体レーザ(EA−LD)素子14が設けられている。上記LD部12が光信号を送出する光源となる。上記光信号は変調器により情報符号に基づいて変調するようになっている。
【0024】
このEA−LD素子14はペルチェ素子15に固定され、このペルチェ素子15によって温度管理がなされている。EA部13を通過したレーザ光は可変光アッテネータ(Att )16によって減衰制御される。この可変光アッテネータ16はEA−LD素子14にモノリシックに形成するものでもよい。本実施形態1では、後述するように可変光アッテネータ16はEA−LD素子14にモノリシックに形成されるものを使用する(図6参照)。
【0025】
可変光アッテネータ16を通過したレーザ光は変調光出力(変調光信号出力)17となり、図2に示すEA−LDモジュール11に接続される光ファイバ18のコア内に導かれ、光ファイバ18によって所定箇所に伝送される。この変調光信号出力17はEA−LD素子14から出射される前方光である。また後方光は、図5及び図7に示すように、EA−LDモジュール11内に配置された二つの受光素子PD1,PD2と光フィルタ(ファブリーペローエタロン26:図7参照)で構成される波長モニタ光学素子19によって波長測定されるように構成されている。この波長測定によって前方光の光強度のモニタができる。
EA−LD素子14の光導波路61に沿う長さLは760μm程度となり、幅Wは400μm程度、高さHは100μm程度になる。
【0026】
図7はEA−LDモジュール11内の光学系を示す模式図である。EA−LD素子14の前方光20は球状の第1レンズ21,光アイソレータ22,球状の第2レンズ23を通して光ファイバ18の先端に収束される。また、後方光24は球状の後方光用レンズ25を通り、誘電体多層膜フィルタにより構成されるファブリーペローエタロン26で波長別に分岐されて、それぞれ受光素子PD1,PD2に到達する。ファブリーペローエタロン25は、例えば、円柱状ガラス体の両端面に高反射膜を蒸着したフィルタ構成である。
また、図1に示すように、EA−LDモジュール11内には、上記LD部12の温度をモニタするためにサーミスタ27が最適な位置に配置されている。
【0027】
光送信機10内には、LD部12に電流を供給するLD駆動電流供給回路28、EA部13を駆動する変調器駆動回路(EA駆動IC)29、ペルチェ素子15を駆動するペルチェ素子駆動回路30、上記LD駆動電流供給回路28,EA駆動IC29等を制御する制御回路、即ちマイクロプロセッサ(マイコン)31、上記マイコン31を監視するマイコン監視IC32、光送信機10内の温度をモニタするサーミスタ33を有している。
【0028】
これら各部品は、図2及び図3に示す光送信機本体34内に組み込まれた配線基板35上にそれぞれ搭載されている。図2及び図3は光送信機本体34を覆う蓋を取り外した図である。なお、EA駆動IC29は変調信号入力端子36に電気的に接続されている。
【0029】
マイコン31は外部入力信号40を受け、外部出力信号41を送りだす外部通信ポート42を有するとともに、内蔵メモリ43,インタフェース部A44,インタフェース部B45を有している。マイコン31はマイコン監視IC32による監視信号によって監視される。
【0030】
インタフェース部A44はLD駆動電流供給回路28にLD駆動電流制御信号を供給し、可変光アッテネータ16に可変光アッテネータ制御信号を供給し、ペルチェ素子駆動回路30にペルチェ素子制御信号を供給する。インタフェース部A44には、LD駆動電流供給回路28からLD駆動電流モニタ信号(情報)が送られ、波長モニタ光学素子19から波長モニタ信号(情報)が送られ、サーミスタ27から温度モニタ信号(情報)が送られる。LD駆動電流供給回路28は上記LD駆動電流制御信号に基づいてLD部12にLD駆動電流を供給し、LD部12を駆動させる。
【0031】
インタフェース部B45は、EA駆動IC29に対して振幅制御信号,オフセット電圧制御信号,デューティー比制御信号を送り、EA駆動IC29から振幅モニタ信号(情報),オフセット電圧モニタ信号(情報),デューティー比モニタ信号(情報)を受ける。EA駆動IC29は上記振幅制御信号,オフセット電圧制御信号,デューティー比制御信号に基づいてEA部13を制御する。また、サーミスタ33による光送信機10内の温度情報がインタフェース部B45に送られる。
【0032】
これら各回路等とマイクロプロセッサとの接続において、インタフェース部A・B(内蔵のA/Dコンバータ,D/Aコンバータの入出力も含む)の駆動能力を超える場合には、マイクロプロセッサと前記各回路や素子等の間にドライブ回路を接続してもよい。
【0033】
マイクロプロセッサ31には、特に表示してないが、外部メモリもまた配備されている。内蔵メモリや外部メモリには、光送信のために必要なプログラムが書き込まれている。マイクロプロセッサ31によって、前記メモリに書き込まれたプログラムやEA−LDモジュール11の固有の特性データを元に、LD駆動電流,設定温度,EA駆動ICの振幅値,オフセット電圧値,デューティー比が設定される。
【0034】
なお、上記メモリに、光源,変調器,変調器駆動回路の電気的特性,光学的特性,温度特性,経時変化特性の全てまたは1乃至複数の特性を予め測定し、各特性間、若しくは個々の特性と外部環境変化との間の関係を数式化したり、数表化し、上記1乃至複数の数式や数表を光送信機内の記憶装置に記録するようにしてもよい。そして、上記記録された数式や数表と光送信機の外部環境の変化を観測する手段によって得た外部環境変化とを電気的に演算処理することによって上記光源,上記変調器,上記変調器駆動回路の制御条件を導き出して変調光信号出力を制御する。
【0035】
図4は光送信機に組み込まれるEA−LDモジュールの外観を示す斜視図、図5はEA−LDモジュールの内部結線状態を示す模式図、図6はEA−LD素子を示す模式的斜視図である。
【0036】
EA−LDモジュール11は、図4に示すように箱型パッケージ構造となるとともに、箱型パッケージ55の底から張り出す支持部56を有している。この支持部56には箱型パッケージ55を固定する際使用される取付孔57や取付溝58が設けられている。また、箱型パッケージ55の一端には光ファイバガイド59が突出状態で設けられている。この光ファイバガイド59は光ファイバ18(光ファイバケーブル)を案内している。
【0037】
箱型パッケージ55の両側には複数の外部端子(ピン)が突出している。図5のEA−LDモジュールの内部結線状態をも参照しながら各端子の機能について説明する。ピン1はサーミスタ用端子、2はアッテネータ用端子、3はLDアノード端子、4はPD1用端子、5はPD2用端子、6はペルチェ素子(+)電極用端子、7はペルチェ素子(−)用端子、8は変調信号入力端子である。図5の抵抗Rは50Ωである。
【0038】
図6はEA−LD素子14を示す模式的斜視図である。このEA−LD素子14は、LD部12,EA部13及び電界吸収型の可変光アッテネータ16を半導体基板60上にモノリシックに形成した構造になっている。本実施形態1では、例えばEA−LD素子14は発振波長が1550nm帯の多重量子井戸型DFB半導体レーザを有する。EA−LD素子14は、図6に示すように、光導波路61に沿ってLD部12,EA部13,可変光アッテネータ16が位置している。
【0039】
EA−LD素子14は、例えばn型InP基板からなる半導体基板60上に選択成長法を利用して多重量子井戸(MQW)構造の光導波路をメサ状に形成した構造になっている。選択成長法では、半導体基板の表面を覆うマスク(絶縁膜)の幅(マスク幅)や、マスクとマスクの間の目開き幅を違えることによって量子井戸の各層の厚さを異なるものとすることができる。また、LD部12及びEA部13の部分に亘って回折格子62が設けられている。回折格子62のピッチは、たとえば、240nmである。
【0040】
上記メサ部は半導体基板60上にMOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition:有機金属気相成長)法で順次各層を形成し、中央線の両側をエッチング除去することによって形成される。例えば、符号を付して説明はしないが、半導体基板60上に、InGaAsP下ガイド層,MQW層,InGaAsP上ガイド層,InPクラッド層,InGaAsキヤップ層を順次重ねて形成し、その後に表面にストライプ状に絶縁膜を形成した後、この絶縁膜をエッチングマスクとしてメサエッチングを行いメサ部を形成する。
【0041】
前記MQW層は、ウエル層が複数層となるInGaAs/InGaAsPからなっている。例えば、約6nmの厚さのウエル層と8nmの厚さのバリア層で構成されている。また、回折格子62はInGaAsP上ガイド層に形成されている。
また、上記メサ部の両側の窪んだ部分には、鉄(Fe)を含んだInP層からなるブロック層(Fe−InP)63が設けられている。
【0042】
EA−LD素子(EA−LDチップ)14の下面はカソード電極64が形成されている。また、EA−LD素子14の上面は選択的に絶縁膜65が設けられるとともに、この絶縁膜65から露出する所定の半導体層上に亘ってそれぞれ電極層が設けられている。上記電極層は、LD部12ではLD用アノード電極66を構成し、EA部13ではEA用アノード電極67を構成し、可変光アッテネータ16ではアッテネータ用アノード電極68を構成している。
【0043】
また、LD部12,EA部13及び可変光アッテネータ16の間にはそれぞれ分離溝69,70が設けられ、LD用アノード電極66,EA用アノード電極67及びアッテネータ用アノード電極68間で相互の電流の干渉を防止している。また、図示しないが、EA−LD素子14の両端には所定の屈折率を有する反射膜が設けられ、所望の前方光20及び後方光(図示せず)を出射するようになっている。
【0044】
LD用アノード電極66とカソード電極64間に所定の電圧を印加することによってLD部12で所定のレーザ光を発生させる。このレーザ光はEA部13におけるカソード電極64とEA用アノード電極67との間に印加される変調信号によって変調制御される。またこの変調信号は可変光アッテネータ16におけるカソード電極64とアッテネータ用アノード電極68との間に印加される可変光アッテネータ制御信号によって減衰制御され、前方光20及び後方光24としてEA−LD素子14の外部に放出される。
このような光送信機10では、EA−LDモジュールの初期設定(トレーニング)を行った後、実動作を行う。即ち、光通信を行う。
【0045】
図8はEA−LDモジュールのトレーニングの手順(ステップ:S)を示すフローチャートである。作業開始(Start )後、S101では環境温度Taの設定を行う。このS101では、例えば、環境温度Ta(=恒温槽温度)を25℃に設定する。なお、光送信機10から放出される変調光信号出力17を受信する光受信器の光受信器感度(@BER=10-12)は−17dBmである。
【0046】
S102では、初期状態を設定する。即ち、LD電流(ILD)を60mAに設定し、EA印加電圧の高レベル(Vhigh)を、例えば、−0.5Vに設定し、EA印加電圧の低レベル(Vlow )を、例えば、−2.5Vに設定する。
つぎに、波長が設定値になるようにLDの温度を設定温度(TLD)に調整する。
【0047】
波長検出(モニタ)は、図7に示すように、二つの受光素子PD1,PD2で構成される波長モニタ光学素子19によって行う。EA−LD素子14の後方光24はファブリーペローエタロン26の傾き角θによって二つに分岐され、一方は受光素子PD1に到達し、他方は受光素子PD2に到達する。
【0048】
受光素子PD1,PD2の出力電流がピークとなる波長は、ファブリーペローエタロン26の傾きθと、ファブリーペローエタロン26と受光素子PD1,PD2との相対位置関係で決まる。
【0049】
図9は受光素子PD1,PD2の出力電流と波長との相関を示す特性図である。受光素子PD1,PD2の出力電流は波長変化に対して繰り返してそのピークが現れる。また、PD1とPD2では、受光するレーザ光成分の波長が相互に異なることから、出力電流のピークの位置が相互にずれる。そこで、PD1とPD2のピーク位置の中間点を設定目標波長(λ0)とし、この設定目標波長(λ0)で出力電流が一致するように、後方光用レンズ25,ファブリーペローエタロン26及びPD1,PD2の位置やファブリーペローエタロン26の傾きを調整する。
【0050】
なお、PD1の出力電流のピークとピークの波長間隔aはファブリーペローエタロン26の厚さと屈折率で決定されることから、ファブリーペローエタロン26の厚さと屈折率を適当に選択して波長間隔aを所定値、例えば、100GHzとなるようにする。この波長間隔aの値をDWDM光伝送における波長間隔と一致させておくことで、LDの動作温度TLDを変更するだけで複数の送信波長に対応させることが可能となる。このことは一つの光送信器が故障した場合のバックアップ等に有利となる。
【0051】
PD1とPD2の出力電流が等しくなるように、ペルチェ素子15によってLD部12の温度を変化させることによって変調光信号出力17の波長を設定目標波長(λ0)にすることができる。
【0052】
また、LD部12の光出力が変化すると、PD1,PD2の出力電流は変化する。そこで、PD1とPD2の電流の合計が一定となるように、LDの駆動電流を制御する。PD1とPD2の電流の合計が一定となるようにLDの駆動電流を制御することによって、LDの光出力が常に一定になる効果が得られる。
【0053】
つぎに、EA部13のON時とOFF時の光透過量の比(消光比:ER)の測定を行う(S104)。このS104による測定値から消光比(ER)の良否の判定を行う(S105)。即ち、消光比(ER)が、例えば、11dBよりも低い場合にはVlow を下げ、12dBよりも高い場合にはVlow を上げる。この作業を繰り返し、消光比(ER)を、11dB≦ER≦12dBに設定する。
【0054】
つぎに、光波形のクロスポイント(XP)を測定(S106)するとともに、光波形(変調光波形)のクロスポイント(XP)を50%に設定する(SetXP)。
【0055】
図10は、クロスポイントが80%となるEA駆動電気波形を示す特性図と、その場合の光透過率及び変調光波形を示す特性図である。この場合、変調光波形のクロスポイント(XP)は50%である。EA駆動電気波形のクロスポイントを80%とすることによって、変調光波形のクロスポイント(XP)を50%にすることができ、伝送特性を高めることができる。
【0056】
図11は、クロスポイントが50%となるEA駆動電気波形を示す特性図と、その場合の光透過率及び変調光波形(クロスポイントXPは約0%)を示す特性図である。EA駆動電気波形のクロスポイントを50%としても、変調光波形のクロスポイント(XP)は約0%であり、伝送特性は非常に悪い。
【0057】
このようにEA駆動電気波形のクロスポイントの多少の変化で変調光波形のクロスポイントが大きく変化し、伝送特性の劣化に結びつくので、EA駆動電気波形を適切な値に調整することが重要となる。
【0058】
つぎに、前記受光素子PD1,PD2によって光パワー(Pf)を測定する(S108)。この測定によるPfと、設定パワー値Pとを判定する(S109)。そして、例えば、設定パワー値Pが−2dBmと同じかまたは大きい場合は不的確(N−no)としてVhighを上げてS104に戻り、再びS108に至る工程を実施する。
【0059】
S109での判定が的確(Y:yes)の場合、光ファイバ長さを80kmとした場合における−14dBmでのビットエラーレート(BER)を測定する(S110)。ビットエラーレートが、例えば、10-12よりも小さい場合は的確(Y)とし、ビットエラーレートが、10-12以上の場合は不的確(N)と判定する(S111)。
【0060】
不的確(N)の場合、図8の右下部分に記載したフローチャートによるAからBに至るステップの処理がなされる。即ち、最初にEAの印加電圧Vhighを設定通りに下げる(S001)。つぎに、S104及びS105と同様に消光比の設定を行い(SetER:S002)、S106及びS107と同様に光波形のクロスポイントの設定を行い(SetXP:S003)、S108と同様に光パワーPfの測定を行う(S004)。光パワーPfが所定の光パワー、例えば−2dBm以上である場合は不的確(N)と判定(S005)して再度レーザダイオード(LD)の駆動電流(ILD)を増加させてS002〜S004を繰り返す。光パワーPfが−2dBmよりも小さくなった場合は的確(Y)と判定する(S005)。
【0061】
そして、的確(Y)と判定した後は、S112に進み、光受信感度Prを測定する。即ち、この場合の測定は光ファイバを接続しない状態の光受信感度Pr(Pr@BTB:Back to Back)と、80kmの長さの光ファイバを接続した状態の光受信感度Pr(Pr@80km)を測定する。この測定は10-12のビットエラーレート時の光出力である。
【0062】
つぎに、前記Pr@BTBと、Pr@80kmの差を計算してPp(伝送ペナルティ)を求める(S113)。
伝送ペナルティ(Pp)が2dB以下の場合は的確(Y)とし、2dBを越える場合は不的確(N)と判定する(S114)。
【0063】
不的確(N)の場合、前記同様に図8の右下部分に記載したフローチャートによるAからBに至るステップの処理がなされる。そして、的確(Y)と判定した後は、S115に進み、波長が設定値になるようにTLDの調整が行われる。LD設定温度(TLD)の調整は、図7に示す二つの受光素子PD1,PD2を利用して、PD1,PD2の出力電流が一致する、即ち、LDの波長が設定目的波長λ0となるようにTLDを調整する。
【0064】
つぎに、マイコン内のメモリに、Ta(サーミスタ33で測定する環境温度),TLD(LD設定温度),ILD(LD電流),Vhigh(EA印加電圧のhighレベル),Vlow (EA印加電圧のlow レベル),XP(光波形のクロスポイント)等設定電圧を記録する(S116)。
【0065】
つぎに、環境温度Taを動作保証最低温度(=0℃)に設定した(S117)後、前記各値の最適値を検索する(S118)。即ち、先程のS102からS116の手順を繰り返し実行し、動作保証最低温度における最適なTa,TLD,ILD,Vhigh,Vlow ,XP設定電圧等を記録する。
【0066】
つぎに、環境温度Taを動作保証最高温度(=70℃)に設定した(S119)後、前記各値の最適値を検索する(S120)。即ち、同様にS102からS116の手順を繰り返し実行し、動作保証最高温度における最適なTa,TLD,ILD,Vhigh,Vlow ,XP設定電圧等を記録する。
このようなフローチャートによる各ステップで得た数値はそれぞれメモリに記憶される。これにより、初期調整が完了する。
【0067】
光送信機を実際にマイコン制御で動作させる場合、図12に示すフローチャートの各ステップにより行う。スタート後、現在の環境温度Taをサーミスタ33によって測定する(S201)。
つぎに、マイコンメモリ内の0℃,25℃,70℃での最適設定値より、環境温度Taにおける最適値を補間して計算する(S202)。
つぎに、TLD(LD設定温度),ILD(LD電流),Vhigh(EA印加電圧のhighレベル),Vlow (EA印加電圧のlow レベル),XP(光波形のクロスポイント)設定電圧を計算により求めた値に設定する(S203)。
【0068】
つぎに、可変光アッテネータ16による光Att電流により光パワーPfを推定する(S204)。この推定は、以下の方法により行う。実施形態1においては、光AttとしてLD及び変調用EAと集積化したEA素子を用いている。この光Att用EA素子から出力される光パワーは、光Att用EA素子に印加される電圧と、そこに流れる電流とで一意に決定される。従って、前もって光Att用EA素子への印加電圧及び電流と出力される光パワーの関係をマイコンのメモリに記録しておくことで、印加電圧及び電流より光パワーが推定できる。
【0069】
つぎに、光パワーPfが−2dBm以上の場合は不的確(N)とし、−2dBmよりも小さい場合は的確(Y)と判定する(S205)。不的確(N)の場合、可変光アッテネータ16のアッテネーションを下げて、再びS204を行いS205を繰り返させる。
S205で的確(Y)と判定した後は、S206に進み、波長モニタで現在の波長を測定する(S206)。この波長測定は、前述のように受光素子PD1,PD2により行う。
【0070】
S206で測定した波長が設定波長(例えば、1553.32nm)であれば、的確(Y)と判定され(S207)、S201に戻り、この一連の制御システムのもとに光送信を行う。不的確(N)と判定された場合は、波長外れアラームが出力されて作業者に異常が知らされ(S208)、光送信が停止される。
【0071】
本実施形態1によれば以下の効果を有する。
(1)従来個別のアナログ回路もしくはデジタル回路で実現していた変調光信号の振幅,オフセット電圧,デューティー比の制御回路、設定温度安定化回路、LD駆動電流制御回路、発光波長安定化回路等をプログラムによって一括制御できる。従って、周囲温度の変化や電源電圧変動などの外部環境変化に対して安定な動作が維持できる。またこの安定な動作を長時間に渡って維持できる。
【0072】
(2)EA−LDモジュールを最適な駆動条件で使用するための条件設定をプログラムと、外部評価装置による自動調整となるので、調整時間の削減、人件費用の削減となり、光送信機の製造コストの削減が達成できる。
【0073】
(3)光送信機の波長制御のための全ての設定値をプログラムにより管理しているので、複数のユーザの異なる仕様に対しても回路定数の変更等の物理的な変更なしで容易に仕様を達成することが可能になる。
【0074】
(4)ユーザからの電気的な要求信号に従って光パワーや変調光波形などを調整可能なので、実際に光送信機の設置場所まで出向かなくともよくなり、遠距離から光パワーや変調光波形などを調整することができる。
【0075】
(実施形態2)
図13乃至図15は本発明の他の実施形態(実施形態2)である光送信機に係わる図である。図13は光送信機の構成を示すブロック図、図14は光送信機における複数波長対応光送信機動作手順を示すフローチャート、図15は光送信機に組み込まれるEA−LDを示す模式的斜視図である。
【0076】
本実施形態2の光送信機10は、実施形態1のEA−LD素子14の代わりに、図15に示すようなヒータ付4多重LD−EA素子14aを組み込んだ構成になっている。このヒータ付4多重LD−EA素子14aは、LD部12には4個のレーザダイオードLD1〜LD4が並列に配置されているとともに、各LD1〜LD4の前方光及び後方光は、図15で示される各4本の光導波路75,76によって1本の光導波路に導かれる。即ち、前方光合波部77の4本の光導波路75によって各LD1〜LD4の前方光はEA部13の1本の光導波路に導かれる。また、後方光合波部78の4本の光導波路76によって各LD1〜LD4の後方光は1本の光導波路に導かれて半導体レーザチップの出射面から出射される。このLD1〜LD4の動作の切替えは、図13に示すように、インタフェース部A44によって制御される切替スイッチ(切替SW)80によって制御されるように構成されている。
【0077】
また、ヒータ付4多重LD−EA素子14aには、EA部13及び可変光アッテネータ16の部分を加熱するためのヒータ(薄膜ヒータ)81が設けられている。そして、この薄膜ヒータ81には薄膜ヒータ電極A82,薄膜ヒータ電極B83が設けられている。前記ヒータ81は、図13に示すようにインタフェース部B45から送り込まれるEA用ヒータ駆動信号によって制御される。
【0078】
また、EA−LDモジュール11における可変光アッテネータ16aは可変光アッテネータまたは可変光増幅器で構成する。この場合、可変光アッテネータ16aはインタフェース部A44による可変光アッテネータ(可変光Att )制御信号または可変光増幅器制御信号によって制御する。
【0079】
前記LD1〜LD4はその波長が同じに形成してもよく、また、波長多重のために少しずつ波長を変えておいてもよい。そして、ヒータ81の加熱によって使用するレーザダイオードの波長の調整を行う。切替SW80によるスイッチ操作によって駆動させるレーザダイオードが選択される。
【0080】
また可変光アッテネータ16の代わりに可変光増幅器を用いることは、光出力パワーを増大でき、かつ光出力の可変幅も広くすることが可能となる。これによって伝送距離のシステムに適用できるという効果が得られる。
【0081】
図14は複数波長対応光送信機動作手順を示すフローチャートである。この手順において、S301では、希望波長のLDを駆動するよう切替SW80を制御する。つぎのS302では、希望波長でEAを変調できるように、EA用ヒータ81を制御してEAの温度を変更する。つぎのS303では、最適な変調光波形となるようにEA駆動信号を調整する。つぎのS304では、設定波長に安定化するためにペルチェ素子15でLD温度を制御する。つぎのS305では、設定光パワーとなるよう可変光アッテネータ(可変光Att )または可変光増幅器を制御する。
【0082】
このような複数波長対応光送信機動作手順は、前記実施形態1の場合のトレーニングにおいて、S103の代わりとして行われ、光送信機の実際のマイコン制御で動作させる場合には、S205とS206との間で行われる。
【0083】
本実施形態2の光送信機は、前記実施形態1の光送信機と同様の効果を有するとともに、複数の半導体レーザを切替え使用できることから、高密度波長分割多重光伝送システムに使用して有効なものとなる。
【0084】
また、本実施形態2の光送信機は、ある波長の光送信器が故障した場合の予備器としても適用可能という効果を有する。さらには1台で複数の波長の光送信器に対応できることから、予備器として前もって用意しておく光送信器の保有台数を削減できるという効果を有する。
【0085】
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0086】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である長距離DWDM伝送システムにおける光送信機に適用した技術について説明したが、それに限定されるものではなく、たとえば、EA−LDモジュールを光源として利用する光伝送装置,光測定機,光計測器などにも同様に適用でき、同様な効果が得られる。本発明は少なくとも光を送信する技術には適用できる。
【0087】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
(1)変調光信号出力及び変調光信号波形の高精度制御が可能で低光チャープ量化が達成できる光送信機を提供することができる。
(2)小型で製造コストを低減できる光送信機を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態(実施形態1)である光送信機の構成を示すブロック図ある。
【図2】本実施形態1の光送信機の蓋を外した状態の模式的平面図である。
【図3】本実施形態1の光送信機の側面図である。
【図4】本実施形態1の光送信機に組み込まれるEA−LDモジュールの外観を示す斜視図である。
【図5】上記EA−LDモジュールの内部結線状態を示す模式図である。
【図6】上記EA−LDモジュールに組み込まれるEA−LDを示す模式的斜視図である。
【図7】本実施形態1の光送信機のEA−LDモジュール内の光学系を示す模式図である。
【図8】本実施形態1の光送信機におけるEA−LDの初期調整の処理手順を示すフローチャートである。
【図9】本実施形態1の光送信機におけるPD1及びPD2の出力電流と波長との相関を示す特性図である。
【図10】クロスポイントが80%となるEA駆動電気波形を示す特性図と、その場合の光透過率及び変調光波形を示す特性図である。
【図11】クロスポイントが50%となるEA駆動電気波形を示す特性図と、その場合の光透過率及び変調光波形を示す特性図である。
【図12】本実施形態1の光送信機のマイコン制御による実動作時の処理手順を示すフローチャートである。
【図13】本発明の他の実施形態(実施形態2)である光送信機の構成を示すブロック図ある。
【図14】本実施形態2の光送信機における複数波長対応光送信機動作手順を示すフローチャートである。
【図15】本実施形態2の光送信機に組み込まれるEA−LDを示す模式的斜視図である。
【符号の説明】
10…光送信機、11…EA−LDモジュール、12…レーザダイオード部(LD部)、13…電界吸収型光変調器部(EA部)、14…電界吸収型光変調器集積半導体レーザ(EA−LD)素子、14a…ヒータ付4多重LD−EA素子、15…ペルチェ素子、16,16a…可変光アッテネータ、17…変調光信号出力、18…光ファイバ、19…波長モニタ光学素子、20…前方光、21…第1レンズ、22…光アイソレータ、23…第2レンズ、24…後方光、25…後方光用レンズ、26…ファブリーペローエタロン、27…サーミスタ、28…LD駆動電流供給回路、29…変調器駆動回路(EA駆動IC)、30…ペルチェ素子駆動回路、31…マイクロプロセッサ(マイコン)、32…マイコン監視IC、33…サーミスタ、34…光送信機本体、35…配線基板、36…変調信号入力端子、40…外部入力信号、41…外部出力信号、42…外部通信ポート、43…内蔵メモリ、44…インタフェース部A、45…インタフェース部B、55…箱型パッケージ、56…支持部、57…取付孔、58…取付溝、59…光ファイバガイド、60…半導体基板、61…光導波路、62…回折格子、63…ブロック層(Fe−InP)、64…カソード電極、65…絶縁膜、66…LD用アノード電極、67…EA用アノード電極、68…アッテネータ用アノード電極、69,70…分離溝、75,76…光導波路、77…前方光合波部、78…後方光合波部、80…切替スイッチ(切替SW)、81…ヒータ(薄膜ヒータ)、82,83…薄膜ヒータ電極。
Claims (12)
- マイクロプロセッサと、
前方及び後方にレーザ光を放射し、上記マイクロプロセッサに制御されるレーザダイオード駆動電流供給回路によって駆動するレーザダイオードと、
上記レーザダイオードから放射される上記前方光を変調し、上記マイクロプロセッサに制御される変調器駆動回路によって駆動する変調器と、
上記変調器を通過した上記前方光を減衰制御し、上記マイクロプロセッサに制御される可変光アッテネータと、
上記レーザダイオードから放射される後方光の光強度及び波長を検出し、上記マイクロプロセッサに測定情報を送る波長モニタ光学素子と、
上記レーザダイオード及び上記変調器部分を加熱冷却し、上記マイクロプロセッサに制御されるペルチェ素子駆動回路によって駆動するペルチェ素子と、
上記レーザダイオード,上記変調器を含む部分の温度を測定して上記マイクロプロセッサに測定情報を送るサーミスタと、
上記各部全体が置かれた環境温度を測定し、上記マイクロプロセッサに測定情報を送るサーミスタとを有し、
上記マイクロプロセッサによる制御のもと、上記レーザダイオード,上記変調器,上記ペルチェ素子及び可変光アッテネータを駆動させるとともに、上記波長モニタ光学素子及び上記両サーミスタによる光学的特性,電気的特性,温度特性を測定し、この測定情報と予め上記マイクロプロセッサに内蔵された内蔵メモリによる情報によって変調光信号出力を制御しながら光通信を行うように構成されていることを特徴とする光送信機。 - 上記マイクロプロセッサはマイコン監視ICによって監視制御されることを特徴とする請求項1に記載の光送信機。
- 上記可変光アッテネータの代わりに可変光増幅器を用いることを特徴とする請求項1に記載の光送信機。
- 上記レーザダイオード及び上記変調器は単一の半導体基板にモノリシックに形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光送信機。
- 上記レーザダイオード,上記変調器及び上記可変光アッテネータは単一の半導体基板にモノリシックに形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光送信機。
- 上記レーザダイオード,上記変調器及び上記可変光増幅器は単一の半導体基板にモノリシックに形成されていることを特徴とする請求項3に記載の光送信機。
- マイクロプロセッサと、
前方及び後方にレーザ光を放射し、上記マイクロプロセッサに制御されるレーザダイオード駆動電流供給回路によって駆動するレーザダイオードと、
上記レーザダイオードが形成される半導体基板にモノリシックに形成されるとともに、上記レーザダイオードから放射される上記前方光を変調し、上記マイクロプロセッサに制御される変調器駆動回路によって駆動する変調器と、
上記変調器を通過した上記前方光を減衰制御し、上記マイクロプロセッサに制御される可変光アッテネータと、
上記レーザダイオードから放射される後方光の光強度及び波長を検出し、上記マイクロプロセッサに測定情報を送る波長モニタ光学素子と、
上記レーザダイオード及び上記変調器部分を加熱冷却し、上記マイクロプロセッサに制御されるペルチェ素子駆動回路によって駆動するペルチェ素子と、
上記レーザダイオード,上記変調器を含む部分の温度を測定して上記マイクロプロセッサに測定情報を送るサーミスタと、
上記各部全体が置かれた環境温度を測定し、上記マイクロプロセッサに測定情報を送るサーミスタとを有し、
上記レーザダイオードは上記半導体基板に複数のレーザダイオードが並列に配置されているとともに、上記各レーザダイオードの前方光及び後方光は途中で1本の光導波路となって上記変調器または上記波長モニタ光学素子に光学的に接続される各光導波路によって案内され、
上記半導体基板には上記マイクロプロセッサによる制御によって上記レーザダイオード及び上記変調器を加熱するヒータが設けられ、
上記複数のレーザダイオードは上記LD駆動電流供給回路によって制御される切替スイッチのスイッチ動作のもとに駆動制御され、
上記マイクロプロセッサによる制御のもと、上記レーザダイオード,上記変調器,上記ペルチェ素子,上記ヒータ及び可変光アッテネータを駆動させるとともに、上記波長モニタ光学素子及び上記両サーミスタによる光学的特性,電気的特性,温度特性を測定し、この測定情報と予め上記マイクロプロセッサに内蔵された内蔵メモリによる情報によって変調光信号出力を制御しながら光通信を行うように構成されていることを特徴とする光送信機。 - 上記マイクロプロセッサはマイコン監視ICによって監視制御されることを特徴とする請求項7に記載の光送信機。
- 上記可変光アッテネータの代わりに可変光増幅器を用いることを特徴とする請求項7に記載の光送信機。
- 上記レーザダイオード,上記変調器及び上記可変光アッテネータは上記半導体基板にモノリシックに形成されていることを特徴とする請求項7に記載の光送信機。
- 上記レーザダイオード,上記変調器及び上記可変光増幅器は上記半導体基板にモノリシックに形成されていることを特徴とする請求項9に記載の光送信機。
- マイコン監視ICによって監視制御されるマイクロプロセッサと、
前方及び後方にレーザ光を放射し、上記マイクロプロセッサに制御されるレーザダイオード駆動電流供給回路によって駆動するレーザダイオードと、
上記レーザダイオードから放射される上記前方光を変調し、上記マイクロプロセッサに制御される変調器駆動回路によって駆動する変調器と、
上記変調器を通過した上記前方光を減衰制御し、上記マイクロプロセッサに制御される可変光アッテネータと、
二つの受光素子PD1,PD2と光フィルタで構成され、かつ上記レーザダイオードから放射される後方光の光強度及び波長を検出し、上記マイクロプロセッサに測定情報を送る波長モニタ光学素子と、
上記レーザダイオード及び上記変調器部分を加熱冷却し、上記マイクロプロセッサに制御されるペルチェ素子駆動回路によって駆動するペルチェ素子と、
上記レーザダイオード,上記変調器を含む部分の温度を測定して上記マイクロプロセッサに測定情報を送るサーミスタと、
上記各部全体が置かれた環境温度を測定し、上記マイクロプロセッサに測定情報を送るサーミスタとを有し、
上記マイクロプロセッサによる制御のもと、上記レーザダイオード,上記変調器,上記ペルチェ素子及び可変光アッテネータを駆動させるとともに、上記波長モニタ光学素子及び上記両サーミスタによる光学的特性,電気的特性,温度特性を測定し、この測定情報と 予め上記マイクロプロセッサに内蔵された内蔵メモリによる情報によって変調光信号出力を制御しながら光通信を行うように構成される光送信機における、
上記レーザダイオードLDと上記変調器EAからなるEA−LD素子,上記可変光アッテネータ,上記ペルチェ素子,上記波長モニタ光学素子及び上記レーザダイオード,上記変調器を含む部分の温度を測定するサーミスタによって構成されるEA−LDモジュールの初期設定を、
(a)上記EA−LDモジュールの環境温度Taの設定を行うとともに、上記光送信機から放出される変調光信号出力を受信する光受信器を準備する工程、
(b)上記EA−LDモジュールの上記LDの駆動電流ILD、上記EAのEA印加電圧の高レベルV high 及び低レベルV low を設定する工程、
(c)上記EA−LDモジュールから出力されるレーザ光の波長が設定値になるように上記LDの温度を設定温度TLDに調整する工程、
(d)上記EAのON時とOFF時の消光比ERの測定を行うとともに、上記測定による測定値から上記消光比ERの良否の判定を行い、上記消光比ERが所定dBよりも低い場合には上記V low を下げ、上記所定dBよりも高い数値の所定dBよりも高い場合には上記V low を上げ、かつこの作業を繰り返し、上記消光比ERを所定数値間に設定する工程(SetER)、
(e)上記EA−LDモジュールから出力されるレーザ光の光波形のクロスポイントXPを測定するとともに、上記光波形のクロスポイントXPを50%に設定する工程(SetXP)、
(f)上記二つの受光素子PD1,PD2によって光パワーPfを測定する工程、
(g)上記工程(f)の上記測定による上記光パワーPfと、設定パワー値Pとを判定し、上記光パワー値Pfが上記設定パワー値の所定dBmより小さい場合は不的確として上記V high を上げて上記工程(d)に戻り再び上記工程(f)に至る工程を実施する工程、
(h)上記工程(g)での判定が的確の場合、光ファイバ長さを所定長さとした場合における所定dBmでのビットエラーレートBERを測定する工程、
(i)上記工程(h)で測定した上記ビットエラーレートが所定値よりも小さい場合は的確とし、ビットエラーレートが上記所定値以上の場合は不的確と判定する工程、
(j)上記工程(i)で不的確となった場合、
上記工程(b)と同様に上記EAの印加電圧V high を設定通りに下げる処理ステップ、
上記工程(d)と同様に上記消光比の設定(SetER)を行う処理ステップ、
上記工程(e)と同様に上記クロスポイントの設定(SetXP)を行う処理ステップ、
上記工程(f)と同様に上記光パワーPfの測定を行う処理ステップ、
上記光パワーPfの測定を行う処理ステップで測定された上記光パワーPfが所定のdBmより小さい場合は不的確と判定して再度上記レーザダイオードの駆動電流ILDを増加させて、上記SetERを行う処理ステップ、上記SetXPを行う処理ステップ及び上記光パワーPfの測定を行う処理ステップを繰り返し、上記光パワーPfが上記所定のdBm以上の場合は的確と判定する処理ステップを行う工程、
(k)上記工程(i)で的確となった場合、10 −12 のビットエラーレート時の光出力における、上記光ファイバを接続しない状態の光受信感度Pr@BTBと、80kmの長さの上記光ファイバを接続した状態の光受信感度Pr@80kmを測定する工程、
(l)上記工程(k)で測定した上記Pr@BTBと、上記Pr@80kmの差を計算して伝送ペナルティPpを求める工程、
(m)上記工程(l)で求めた上記伝送ペナルティPpが2dB以下の場合は的確とし、2dBを越える場合は不的確と判定する工程、
(n)上記工程(m)で不的確と判定された場合、上記工程(j)を行う工程、
(o)上記工程(m)で的確と判定された場合、上記二つの受光素子PD1,PD2を利用して、上記PD1と上記PD2の出力電流が一致するところの上記LDの波長が設定 値(設定目的波長λ 0 )となるようにTLDを調整する工程、
(p)上記マイコン監視IC内のメモリに、上記Ta,上記TLD,上記ILD,上記V high ,上記V low ,上記XPを含む設定電圧を記録する工程、
(q)上記環境温度Taを動作保証最低温度(=0℃)に設定した後、上記工程(b)から上記工程(p)の手順を繰り返し実行し、上記工程(p)の上記各値の上記動作保証最低温度における最適値を検索し記録する工程、
(r)上記環境温度Taを動作保証最高温度(=70℃)に設定した後、上記工程(b)から上記工程(p)の手順を繰り返し実行し、上記工程(p)の上記各値の上記動作保証最高温度における最適値を検索し記録する工程、
で行い、かつ上記各工程及び上記処理ステップで得た数値はそれぞれ上記所定のメモリに記憶することを特徴とする光送信機のEA−LDモジュールの初期設定方法。
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