JP2003163397A - 平面導波路素子型光増幅器及びその製作方法 - Google Patents

平面導波路素子型光増幅器及びその製作方法

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JP2003163397A JP2002277524A JP2002277524A JP2003163397A JP 2003163397 A JP2003163397 A JP 2003163397A JP 2002277524 A JP2002277524 A JP 2002277524A JP 2002277524 A JP2002277524 A JP 2002277524A JP 2003163397 A JP2003163397 A JP 2003163397A
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optical amplifier
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Young-Kwon Yoon
泳權 尹
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】高い増幅比及び高集積化を実現できる平面導波
路素子型光増幅器を提供する。 【解決手段】半導体基板と、半導体基板上に積層された
下部クラッド層と、下部クラッド層上に積層され、光信
号の進行経路になるコア層１６０と、コア層に隣接さ
れ、下部クラッド層上に積層されて環状光経路を形成
し、環状光経路に沿ってコア層からその内部にカップリ
ングされた光信号を増幅する増幅層１４０と、増幅層上
に積層され、下部クラッド層と共にコア層及び増幅層を
囲むクラッド層と、からなることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光増幅器に関するも
ので、特に、平面導波路素子(Planar LightwaveCircui
t)型光増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信システムでエルビウム添加光ファ
イバ増幅器(Erbium doped optical amplifier)を利用し
た光信号の増幅は、光通信システムの構成費用を革新的
に節減して光通信の効用性を高めるのに寄与している。
そして、このようなエルビウム添加光ファイバ増幅器を
平面導波路素子に適用したエルビウム添加導波路増幅器
は、今後の光増幅技術の進化方向ということができ、複
雑化及び集積化が可能な構造であるので、その実用化の
ための研究が活発に進められている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、エルビウムの
ような希土類金属イオン、または遷移金属イオンが添加
された平面導波路素子型光増幅器は、単位長さ当たりの
増幅比が低いので、所望する増幅比と高集積化を同時に
実現するのが難しいといった問題点がある。
【０００４】本発明は上述した従来の問題点を解決する
ために案出したもので、本発明の目的は、高い増幅比及
び高集積化を実現することができる平面導波路素子型光
増幅器を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、本発明による平面導波路素子型光増幅器は、半
導体基板と、半導体基板上に積層された下部クラッド層
と、下部クラッド層上に積層され、光信号の進行経路に
なるコア層と、コア層に隣接され、下部クラッド層上に
積層されて環状光経路を形成し、環状光経路に沿ってコ
ア層からその内部にカップリングされた光信号を増幅す
る増幅層と、増幅層上に積層され、下部クラッド層と共
にコア層及び増幅層を囲む上部クラッド層と、を含むこ
とを特徴とする。
【０００６】この平面導波路素子型光増幅器を構成する
増幅層は、光増幅性材質で構成されているとよく、コア
層との間にカップリング領域Ｃを形成するように予め設
定された間隔で離隔されていると好ましい。また、増幅
層はエルビウム添加されたシリカ材質で構成され、予め
設定された半径を有する環状形態であるとさらによい。
【０００７】カップリング領域Ｃを通過する光信号のカ
ップリング係数ｔは、コア層と増幅層間の間隔Ｗと、コ
ア層、増幅層及び下部クラッド層によって決定されるカ
ップリング領域Ｃの屈折率分布と、カップリング領域Ｃ
の長さとにより決定されるとよい。また、カップリング
係数ｔが１に近似する場合、増幅層の有効増幅率Ｇef f
は下記数式４で表現され、非カップリング係数ｒ（＝１
−ｔ）は有効増幅率Ｇe ffが利得率Ｇより大きくなるよ
うに設定されると好ましい。
【数４】
【０００８】下部クラッド層と半導体基板はシリカ材質
で構成されているとよい。この場合、下部クラッド層は
化学蒸着法（ＣＶＤ）により半導体基板上に積層される
と好ましい。
【０００９】また、本発明による平面導波路素子型光増
幅器は、半導体基板と、半導体基板上に形成され、光信
号の進行経路になるコア層と、半導体基板上に形成され
て環状光経路を形成し、この環状光経路に沿ってコア層
からその内部にカップリングされた光信号を増幅する増
幅層と、光信号の経路がコア層と増幅層に限定されるよ
うにコア層と半導体基板間に形成され、コア層と増幅層
を囲むクラッド層と、からなることを特徴とする。
【００１０】この平面導波路素子型光増幅器を構成する
増幅層は、光増幅性材質で構成されるとよく、その間に
カップリング領域Ｃを形成するように、コア層の一側面
から既設定された間隔で離隔されたまま、半導体基板上
に形成されると好ましい。また、増幅層は、エルビウム
添加されたシリカ材質で構成され、予め設定された半径
を有する環状形態であるとさらに好ましい。
【００１１】コア層のカップリング領域Ｃを通過する光
信号のカップリング係数ｔは、コア層と増幅層間の間隔
Ｗと、コア層、増幅層及びクラッド層の下部によって決
定されるカッブリング領域Ｃの屈折率分布と、カップリ
ング領域Ｃの長さと、により決定されるとよい。また、
カップリング係数ｔが１に近似する場合、増幅層の有効
増幅率Ｇeffは下記数式５で表現され、非カップリング
係数ｒ（＝１−ｔ）は有効増幅率Ｇeffが利得率Ｇより
大きくなるように設定されていると好ましい。
【数５】
【００１２】さらに、本発明では平面導波路素子型光増
幅器の制作方法も提供する。この制作方法は、(a)半導
体基板を準備する過程と、(b)半導体基板上に下部クラ
ッド層を積層する過程と、(c)光信号の進行経路になる
コア層を下部クラッド層上に積層する過程と、(d)環状
光経路を形成し、環状光経路に沿ってコア層からその内
部にカップリングされた光信号を増幅する増幅層をコア
層に隣接させて下部クラッド層上に積層する過程と、
(e)下部クラッド層と共にコア層及び増幅層を囲むよう
に増幅層上に上部クラッド層を積層する過程と、からな
ることを特徴とする。
【００１３】(d)過程で積層された増幅層は、エルビウ
ム添加されたシリカ材質で構成され、予め設定された半
径を有する環状形態であるとよく、(c)過程で積層され
たコア層と隣接し、このコア層との間にカップリング領
域Ｃを形成するよう予め設定された間隔で離隔されると
好ましい。
【００１４】コア層のカップリング領域Ｃを通過する光
信号のカップリング係数ｔは、コア層と増幅層間の間隔
Ｗと、コア層、増幅層及びクラッド層の下部により決定
されるカップリング領域Ｃの屈折率分布と、カップリン
グ領域Ｃの長さと、により決定されるとよい。また、カ
ップリング係数ｔが１に近似する場合、増幅層の有効増
幅率Ｇeffは下記数式６で表現され、非カップリング係
数ｒ（＝１−ｔ）は有効増幅率Ｇeffが利得率Ｇより大
きくなるように設定されると好ましい。
【数６】
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の望ましい実施形態
を添付図を参照しつつ詳細に説明する。下記の説明にお
いて、本発明の要旨のみを明瞭にする目的で、関連した
公知機能又は構成に関する具体的な説明は省略する。
【００１６】図１は本発明の望ましい実施形態による平
面導波路素子型光増幅器の構成を概略的に示した正面図
であり、図２は図１に示された平面導波路素子型光増幅
器をＢ−Ｂ'に沿って示した側断面図である。図１及び
図２を参照すると、平面導波路素子型光増幅器１００は
半導体基板１１０、半導体基板１１０上に順に積層され
た下部クラッド層(clad layer)１２０、コア層(core la
yer)１６０、増幅層１４０及び上部クラッド層１７０
と、からなる。以下、図１及び図２を参照して平面導波
路素子型光増幅器１００の構成を説明する。
【００１７】コア層１６０はエルビウム(erbium)が添加
されたシリカ(silica)材質で構成され、平面導波路素子
型光増幅器１００の一端を通じて入力された光信号の進
行経路になる。
【００１８】増幅層１４０もエルビウム(erbium)が添加
されたシリカ材質で構成され、光信号が増幅層１４０と
コア層１６０との間でカップリング(coupling)されるよ
うに、コア層１６０に隣接して配置されている。増幅層
１４０は、環状構造及び単位長さ当たりの利得係数ｇを
有し、カップリング領域Ｃ（図３参照）で、その内部の
ほうにカップリングされた光信号を増幅する。増幅層１
４０は環状構造を有するので、増幅された光信号はカッ
プリング領域を再び通過するようになり、この中の一部
はコア層１６０にカップリングされる。
【００１９】下部及び上部クラッド層１２０及び１７０
はシリカ材質で構成され、コア層１６０及び増幅層１４
０を囲み込み光信号を閉じこめることで、その光信号の
損失を低減する。このような光信号隔離機能により、光
信号はコア層１６０及び増幅層１４０間のカップリング
領域のみでカップリングされることになる。
【００２０】図３は図１に示した平面導波路素子型光増
幅器１００のＡ部分を拡大して示した正面図である。以
下、図３を参照して平面導波路素子型光増幅器１００の
機能を説明する。
【００２１】平面導波路素子型光増幅器１００の一端を
通じて入力された光信号３１０は、コア層１６０内を進
行するようになり、カップリング領域Ｃを通じてその一
部が増幅層１４０にカップリングされる。この時、光信
号３１０に対するカップリング係数ｔは、コア層１６０
と増幅層１４０間の間隔(Ｗ)と、カップリング領域Ｃ
(コア層１６０、増幅層１４０及び下部クラッド層１２
０の該当領域)の屈折率分布と、カップリング領域Ｃの
長さなどにより決定される。
【００２２】カップリングされた光信号３１０は環状構
造の増幅層１４０を一周しながら増幅された後、再びカ
ップリング領域Ｃに入力される。光信号３１０の一部
は、再びコア層１６０でカップリングされ、その残りは
さらに増幅層１４０を一周するようになる。この時、増
幅層１４０内で光信号３１０が一周する距離、即ち増幅
層１４０の長さＬは(２π×Ｒ)にで定義される。
【００２３】このような反復的な増幅過程を経たコア層
１６０から出力される光信号３１０の強さ(intensity)
Ｉは下記数式７によって示すことができる。
【数７】
【００２４】数式７において、tはコア層１６０と増幅
層１４０間のカップリング係数、Ｉ ０はコア層１６０に
入力される光信号３１０の強さ、Ｇ(＝ｅｘｐ(ｇＬ)＝
ｅｘｐ(２π×ｇ×Ｒ))は増幅層１４０を一周した光信
号３１０に対する利得率を示す。
【００２５】また、コア層１６０と増幅層１４０間のカ
ップリング係数ｔを１に近似するように設定すると、平
面導波路素子型光増幅器１００の有効増幅率Ｇeffは下
記数式８のように示すことができる。
【数８】
【００２６】数式８において、ｒ(＝１−ｔ)は非カップ
リング係数を示す。数式８から分かるように、与えられ
た利得率Ｇに対してｒ値を適切に調節することにより、
Ｇより大きな有効増幅率Ｇeffを得ることができる。
【００２７】図４乃至図１２は図２に示された平面導波
路素子型光増幅器１００の製造過程を説明するための図
である。以下、図２と図４乃至図１２を参照して平面導
波路素子型光増幅器１００の製造過程を説明する。
【００２８】図４を参照すると、半導体基板１１０上に
下部クラッド層１２０及びフォトレジスト層(photoresi
st layer)１３０が順に積層されており、下部クラッド
層１２０は火炎堆積法(Flame Hydrolysis Deposition、
ＦＨＤ)及び焼結(sintering)工程を通じて形成されるこ
とができる。この時、半導体基板１１０及び下部クラッ
ド層１２０はすべてシリカ材質である。半導体基板１１
０上に下部クラッド層１２０を形成する工程には、プラ
ズマ強化化学蒸着法(Plasma Enhanced Chemical Vapor
Deposition、ＰＥＣＶＤ)、低圧力化学蒸着法(Low Pres
sure ChemicalVapor Deposition、ＬＰＣＶＤ)などのよ
うな化学蒸着法(Chemical Vapor Deposition、ＣＶＤ)
と、火炎堆積法(ＦＨＤ)などがある。このような各種工
程中で火炎堆積法が通常的に使用される。
【００２９】また、下部クラッド層１２０上に液体状態
のフォトレジストを落とした後、半導体基板１１０を高
速に回転させ、下部クラッド層１２０上に一定厚さのフ
ォトレジスト層１３０を形成することができる。
【００３０】図５は図４に示された振幅マスク(amplitu
de mask)２１０を概略的に示した斜視図である。
【００３１】図４及び図５では、環状形態の第１スリッ
ト(slit)２１６及び直線導波路形態の第２スリット２１
８を有する振幅マスク(amplitude mask)２１０をフォト
レジスト層１３０上に位置させ、振幅マスク２１０に紫
外線を照射している。この時、第２スリット２１８に入
射する紫外線は第１スクリーン(screen)２２０により遮
断される。振幅マスク２１０は、第１スリット２１６に
入射される紫外線をそのまま通過させ、第１スリット２
１６以外の部分２１４に入射される紫外線は遮断する。
第１スリット２１６を通過した紫外線がフォトレジスト
層１３０を照射した後、エッチング(etching)過程を経
ると、図６に示したようなフォトレジスト層１３０を得
ることができる。
【００３２】図６を参照すると、フォトレジスト層１３
０に図５に示した第１スリット２１６と類似形態の溝が
形成されている。この溝により下部クラッド層１２０の
上面が外部大気に一部露出する。
【００３３】図７では、フォトレジスト層１３０を利用
して、下部クラッド層１２０を所定深さまでエッチング
し溝を形成している。また、火炎堆積法及び焼結工程を
通じて、溝にエルビウムが添加されたシリカ材質の増幅
層１４０を形成している。この時、下部クラッド層１２
０をエッチングする方法に反応性イオンエッチング(Rea
ctive Ion Etching、ＲＩＥ)工程を利用することができ
る。
【００３４】図８を参照すると、フォトレジスト除去液
を利用してフォトレジスト層１３０をエッチングする過
程で、このフォトレジスト層１３０の上面に積層させた
増幅層１４０も共に除去される。
【００３５】図９を参照すると、増幅層１４０及び下部
クラッド層１２０の露出上面にフォトレジスト層１５０
を積層し、このフォトレジスト層１５０上に図５に示し
たマスク２１０を位置させる。この時、第１スリット２
１６に入射される紫外線は第２スクリーン２３０により
遮断される。
【００３６】振幅マスク２１０は、第２スリット２１８
に入射される紫外線をそのまま通過させ、第２スリット
２１８以外の部分２１４に入射される紫外線は遮断す
る。第２スリット２１８を通過した紫外線がフォトレジ
スト層１５０を照射した後、エッチング過程を経ると、
図１０に示したようなフォトレジスト層１５０を得るこ
とができる。
【００３７】図１０を参照すると、フォトレジスト層１
５０に図５に示した第２スリット２１８と類似形態の溝
が形成されている。また、この溝により下部クラッド層
１２０の上面が外部大気に一部露出する。
【００３８】図１１を参照すると、フォトレジスト層１
５０を利用し下部クラッド層１２０を増幅層１４０の深
さだけエッチングして溝を形成し、火炎堆積法による工
程及び焼結工程を通じて溝にシリカ材質のコア層１６０
を形成する。この時、下部クラッド層１２０をエッチン
グする方法に反応性イオンエッチング工程を利用するこ
とができる。
【００３９】図１２を参照すると、フォトレジスト除去
液を利用してフォトレジスト層１５０をエッチングする
過程で、フォトレジスト層１５０の上面に積層させたコ
ア層１６０も共に除去される。
【００４０】以後、増幅層１４０、コア層１６０及び下
部クラッド層１２０の露出上面に下部クラッド層１２０
と同一材質の上部クラッド層１７０を積層する。このよ
うにして、図２に示したような平面導波路素子型光増幅
器１００を得ることができる。
【００４１】
【発明の効果】上述したように、本発明による平面導波
路素子型光増幅器は環状構造の増幅層を利用してコア層
からカップリングされた光信号を増幅し、これをコア層
に再度カップリングさせる過程を反復することにより、
高い増幅比及び高集積化を実現することができる利点が
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の望ましい実施形態による平面導波路
素子型光増幅器の構成を概略的に示した正面図。
【図２】 図１に示した平面導波路素子型光増幅器をＢ
−Ｂ'に沿って示した側断面図。
【図３】 図１に示した平面導波路素子型光増幅器のＡ
部分を拡大して示した正面図。
【図４】 示環状形態の第１スリットを用いてフォトレ
ジスト層に紫外線を照射する図。
【図５】 環状形態の第１スリット及び直線導波路形態
の第２スリットを有する振幅マスクの平面図。
【図６】 環状形態の溝をフォトレジスト層に形成した
図。
【図７】 環状形態の溝を下部クラッド層に形成すると
共に増幅層を形成した図。
【図８】 フォトレジスト層及びフォトレジスト層に堆
積させた増幅層を除去した図。
【図９】 直線導波路形態の第２スリットを用いてフォ
トレジスト層に紫外線を照射する図。
【図１０】 直線導波路形態の溝をフォトレジスト層上
に形成した図。
【図１１】 直線導波路形態の溝を下部クラッド層に形
成すると共にコア層を形成した図。
【図１２】 フォトレジスト層及びフォトレジスト層に
堆積させたコア層を除去した図。

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 平面導波路素子型光増幅器において、 半導体基板と、 前記半導体基板上に積層された下部クラッド層と、 前記下部クラッド層上に積層され、光信号の進行経路に
    なるコア層と、 前記コア層に隣接され、前記下部クラッド層上に積層さ
    れて環状光経路を形成し、前記環状光経路に沿って前記
    コア層からその内部にカップリングされた光信号を増幅
    する増幅層と、 前記増幅層上に積層され、前記下部クラッド層と共に前
    記コア層及び前記増幅層を囲む上部クラッド層と、から
    なることを特徴とする平面光導波路素子型光増幅器。
  2. 【請求項２】 前記増幅層は光増幅性材質で構成される
    請求項１記載の平面導波路素子型光増幅器。
  3. 【請求項３】 前記コア層に隣接した前記増幅層は、前
    記コア層との間にカップリング領域Ｃを形成するよう既
    設定された間隔で離隔される請求項２記載の平面導波路
    素子型光増幅器。
  4. 【請求項４】 前記増幅層はエルビウム添加されたシリ
    カ材質で構成され、既設定された半径を有する環状形態
    である請求項１記載の平面導波路素子型光増幅器。
  5. 【請求項５】 前記増幅層はエルビウム添加されたシリ
    カ材質で構成され、既設定された半径を有する環状形態
    である請求項２記載の平面導波路素子型光増幅器。
  6. 【請求項６】 前記増幅層はエルビウム添加されたシリ
    カ材質で構成され、既設定された半径を有する環状形態
    である請求項３記載の平面導波路素子型光増幅器。
  7. 【請求項７】 前記コア層のカップリング領域Ｃを通過
    する光信号のカップリング係数ｔは、前記コア層と前記
    増幅層間の間隔Ｗと、前記カップリング領域Ｃの屈折率
    分布と、前記カップリング領域Ｃの長さと、により決定
    され、 前記カップリング領域Ｃの屈折率分布は、前記コア層
    と、前記増幅層と、前記下部クラッド層と、により決定
    される請求項３記載の平面導波路素子型光増幅器。
  8. 【請求項８】 前記カップリング係数ｔが１に近似する
    場合、前記増幅層の有効増幅率Ｇeffは下記数式１で表
    現され、非カップリング係数ｒ(＝ｌ−ｔ)は有効増幅率
    Ｇeffが利得率Ｇより大きくなるように設定される請求
    項７記載の平面導波路素子型光増幅器。 【数１】
  9. 【請求項９】 前記下部クラッド層と前記半導体基板は
    シリカ材質で構成される請求項１記載の平面導波路素子
    型光増幅器。
  10. 【請求項１０】 前記下部クラッド層は化学蒸着法(Ｃ
    ＶＤ)により前記半導体基板上に積層される請求項１記
    載の平面導波路素子型光増幅器。
  11. 【請求項１１】 平面導波路素子型光増幅器において、 半導体基板と、 前記半導体基板上に形成され、光信号の進行経路になる
    コア層と、 前記半導体基板上に形成されて環状光経路を形成し、前
    記環状光経路に沿って前記コア層からその内部にカップ
    リングされた光信号を増幅する増幅層と、 前記光信号の経路が前記コア層と前記増幅層に限定され
    るように前記コア層と前記半導体基板間に形成され、前
    記コア層と前記増幅層を囲むクラッド層と、からなるこ
    とを特徴とする平面光導波路素子型光増幅器。
  12. 【請求項１２】 前記増幅層は光増幅性材質で構成され
    る請求項１１記載の平面導波路素子型光増幅器。
  13. 【請求項１３】 前記増幅層は、その間にカップリング
    領域Ｃを形成するように前記コア層の一側面から既設定
    された間隔で離隔されたまま、前記半導体基板上に形成
    される請求項１２記載の平面導波路素子型光増幅器。
  14. 【請求項１４】 前記増幅層はエルビウム添加されたシ
    リカ材質で構成され、既設定された半径を有する環状形
    態である請求項１１記載の平面導波路素子型光増幅器。
  15. 【請求項１５】 前記増幅層はエルビウム添加されたシ
    リカ材質で構成され、既設定された半径を有する環状形
    態である請求項１２記載の平面導波路素子型光増幅器。
  16. 【請求項１６】 前記増幅層はエルビウム添加されたシ
    リカ材質で構成され、既設定された半径を有する環状形
    態である請求項１３記載の平面導波路素子型光増幅器。
  17. 【請求項１７】 前記コア層のカップリング領域Ｃを通
    過する光信号のカップリング係数ｔは、前記コア層と前
    記増幅層間の間隔Ｗと、前記カップリング領域Ｃの屈折
    率分布と、前記カップリング領域Ｃの長さと、により決
    定され、 前記カップリング領域Ｃの屈折率分布は、前記コア層
    と、前記増幅層と、前記クラッド層の下部により決定さ
    れる請求項１３記載の平面導波路素子型光増幅器。
  18. 【請求項１８】 前記カップリング係数ｔが１に近似す
    る場合、前記増幅層の有効増幅率Ｇeffは下記数式２で
    表現され、非カップリング係数ｒ(＝ｌ−ｔ)は有効増幅
    率Ｇeffが利得率Ｇより大きくなるように設定される請
    求項１７記載の平面導波路素子型光増幅器。 【数２】
  19. 【請求項１９】 平面導波路素子型光増幅器の制作方法
    において、 (ａ) 半導体基板を準備する過程と、 (ｂ) 前記半導体基板上に下部クラッド層を積層する過
    程と、 (ｃ) 光信号の進行経路になるコア層を前記下部クラッ
    ド層上に積層する過程と、 (ｄ) 環状光経路を形成し、前記環状光経路に沿って前
    記コア層からその内部にカップリングされた光信号を増
    幅する増幅層を前記コア層に隣接させて前記下部クラッ
    ド層上に積層する過程と、 (ｅ) 前記下部クラッド層と共に前記コア層及び前記増
    幅層を囲むように前記増幅層上に上部クラッド層を積層
    する過程と、からなることを特徴とする平面光導波路素
    子型光増幅器の制作方法。
  20. 【請求項２０】 前記(ｄ)過程で積層された前記増幅層
    は、エルビウム添加されたシリカ材質で構成され、既設
    定された半径を有する環状形態である請求項１９記載の
    平面導波路素子型光増幅器の制作方法。
  21. 【請求項２１】 前記(ｄ)過程で積層された前記増幅層
    は、前記(ｃ)過程で積層されたコア層と隣接し、前記コ
    ア層との間にカップリング領域Ｃを形成するよう既設定
    された間隔で離隔される請求項２０記載の平面導波路素
    子型光増幅器の制作方法。
  22. 【請求項２２】 前記コア層のカップリング領域Ｃを通
    過する光信号のカップリング係数ｔは、前記コア層と前
    記増幅層間の間隔Ｗと、前記カップリング領域Ｃの屈折
    率分布と、前記カップリング領域Ｃの長さと、により決
    定され、 前記カップリング領域Ｃの屈折率分布は、前記コア層
    と、前記増幅層と、前記クラッド層の下部により決定さ
    れる請求項２１記載の平面導波路素子型光増幅器の制作
    方法。
  23. 【請求項２３】 前記カップリング係数ｔが１に近似す
    る場合、前記増幅層の有効増幅率Ｇeffは下記数式３で
    表現され、非カップリング係数ｒ(＝ｌ−ｔ)は有効増幅
    率Ｇeffが利得率Ｇより大きくなるように設定される請
    求項２２記載の平面導波路素子型光増幅器の制作方法。 【数３】
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