JP2003160602A - 橋かけ構造を有するキチン誘導体及び/又はキトサン誘導体の製造方法 - Google Patents
橋かけ構造を有するキチン誘導体及び/又はキトサン誘導体の製造方法Info
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Abstract
態や希薄水溶液(5%以下の濃度)の放射線照射では分解
が優先して起こるため、放射線橋かけによる加工は困難
であった。本発明では、キチン及びキトサン誘導体に精
製水を加え良く練り高濃度のペーストを調製し、電離性
放射線を照射することにより橋かけに成功した。 【解決手段】 原料はキチン誘導体及び/又はキトサン
誘導体であり、原料100重量部に対して精製水3~1,000重
量部からなるペースト状混合物に放射線を照射すること
により、橋かけ構造を有するキチン誘導体及び/又はキ
トサン誘導体の製造方法。
Description
/又はキトサン誘導体に精製水を加え良く練り電離性放
射線を照射して得られる橋かけ構造を有するキチン誘導
体及び/又はキトサン誘導体の製造方法であり、橋かけ
構造を有するキチン誘導体はハイドロゲルであり、橋か
け構造を有するキトサン誘導体は抗菌活性を有したハイ
ドロゲルである。
た三次元の網目構造に多量の水を保持できる。その水は
少しくらいの圧力では滲み出さないものである。このよ
うなハイドロゲルは使い捨てオムツや化粧品の保湿材と
してすでに使われている。
カルボキシメチルキトサン(CM-キトサン)は固体状及び
5%以下の濃度の低い水溶液で照射を行った場合は分解
が優先的に起きハイドロゲルは得られない。これを高濃
度のペースト状(容器を傾けても流れない)で照射を行
うと橋かけ構造が導入でき、水に漬けると吸水し、ハイ
ドロゲルとなる。CM-キトサンハイドロゲルの場合はハ
イドロゲルでありながら抗菌活性を有しているという新
しい機能をもっていることを発見した。
る技術には、ポリエチレンオキサイド、ポリビニルアル
コール、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドなど
の水溶液を電離性放射線で照射により容易に得られる。
ハイドロゲルは水を多量に吸収し保持できるため、使い
捨てオムツなどの衛生用品や保湿材として医療、化粧品
の分野で使用されている。これらにはポリアクリル酸ソ
ーダをベースとした材料が主に使われている。しかし、
使用後のこれらは焼却により処分されているため、多量
に処理した場合は焼却炉の温度が下がりダイオキシンの
発生の恐れもある。
グルタミン酸ソーダやポリアスパラギンソーダのように
土壌中で分解する環境に負荷を与えないハイドロゲルの
応用が試みられている。
化学的な橋かけには、ホルマリンやグルタルアルデヒド
が使われている。この方法ではアルデヒドが作業環境を
汚染したり、残留したアルデヒドが皮膚を刺激すること
があるため安全な橋かけ法が求められている。
ドロゲルは多量に吸水するため、使い捨てオムツなどの
衛生用品に使われているが、抗菌剤として銀などの抗菌
物質を包含したゼオライトなどを添加している。銀の蓄
積は健康状好ましいとは言えない。このため高分子自身
に抗菌活性を有したものが求められてきている。
め、マイナスに帯電している菌と結合し、菌の増殖を阻
止する抗菌活性がある。このようにキチン及びキトサン
を安全に橋かけする方法とそれ自身が抗菌活性をもった
ものが得られれば、応用範囲が拡がり捨てられているキ
チンの付加価値を一層高めることになる。しかし、キチ
ン及びキトサンには有効な溶媒がないため、固体状態で
照射を行うと著しく分解が起きる。したがって、キチン
及びキトサンはフィルムや繊維状に加工することが難し
く、放射線による橋かけも困難である。
ロキシル基やカルボキシル基で置換すると、分子間の水
素結合が弱まり水に溶解するようになる。そこで鋭意研
究を重ねた結果、カルボキシメチル化したキチン及びキ
トサン(キチン及びキトサン誘導体)を用い、高濃度の
ペースト状で照射を行ったところ橋かけが起きることを
見出し、本発明を達成した。さらに、CM-キトサンに
は、抗菌活性を有するという特異な機能があるハイドロ
ゲルであることが明らかとなった。
サン誘導体は固体状態や希薄水溶液(5%以下の濃度)の
放射線照射では分解が優先して起こるため、放射線橋か
けによる加工は困難であった。本発明では、キチン及び
キトサン誘導体に精製水を加え良く練り高濃度のペース
トを調製し、電離性放射線を照射することにより橋かけ
に成功した。また、橋かけによって得られるCM-キトサ
ンのハイドロゲルについては、抗菌活性を有する。
導体のハイドロゲルは次のようにして合成される。置換
度の異なるキチン及びキトサン誘導体を精製水と良く練
り容器を傾けても流れない高濃度のペーストを得る。こ
れをポリ塩化ビニリデン製の袋に入れ、真空脱気の後熱
シールを行い電子線により照射した。照射前は柔らかい
ペーストであるが、照射によりゴム状を呈し弾力のある
ゲルが得られる。放射線橋かけを行うためには、ペース
トの濃度は10%以上を要し、好ましい濃度は30%から50%
である。固体状態及び10%以下の濃度では分解が優先的
に起き橋かけによるゲルの生成は認められない。水との
溶解性は置換度により異なり、置換度が高いほど高濃度
のペーストを短時間で調製できる。
あり,橋かけの線量は0.5 〜 1,000 kGyである。好まし
い橋かけの線量は5 ~ 300 kGy である。本発明で用い
るキチン及びキトサン誘導体は水に溶解するものであれ
ばいずれでも良い。置換度が高いほど水との親和性が増
し、高濃度のペーストが得られるため好ましい。最も好
ましい置換度は0.3 ~ 0.9である。キチンはエビや蟹の
殻から脱タンパク質を行うことにより抽出され、キトサ
ンはそれを脱アセチル化して得られる。これらの材料が
比較的安価であるため、誘導体合成に好ましい。
ルボキシエチルキチン、メチルキチン、エチルキチン、
ヒドロキシエチルキチン、ヒドロキシプロピルキチン、
酸化キチン、アセチルキチン、アミノアルキルキチン、
アリルキチンなどである。また、キトサン誘導体は、CM
-キトサン、カルボキシエチルキトサン、メチルキトサ
ン、エチルキトサン、ヒドロキシエチルキトサン、ヒド
ロキシプロピルキトサン、酸化キトサン、アセチルキト
サン、アミノアルキルキトサン、アリルキトサンなどで
ある。
ルト-60からのγ線と加速器による電子線が好ましい。
電子加速器は厚物の照射ができる加速電圧1MeV以上の
中エネルギーから高エネルギー電子加速器が最も好まし
い。照射前の試料に圧力をかけフィルム状に加工すれば
1MeV以下の低エネルギー電子加速器でも電子線が透過
するため放射線橋かけによりゲルを得ることができる。
照射中の酸素による橋かけへの影響はほとんどないが、
照射中の水分の蒸発防止及び橋かけ密度の低下を抑制す
るため、ポリエステルなどのプラスチックフィルムなど
により上面をカバーして照射するのが望ましい。
た。照射後得られたゲルを凍結乾燥し、50℃真空乾燥器
中で恒量になるまで乾燥する。乾燥した試料を200メッ
シュのステンレス網に入れ、多量の水に48時間浸漬す
る。橋かけしてない溶解成分は水側に移るため、ゲル成
分のみが金網中に残る。ゲル分を包含したステンレス網
をメタノール中に1時間浸漬し、その後50℃で24時間乾
燥する。ゲル分率は次式により算出する。
重量/初期乾燥重量)× 100 膨潤率は、ペースト状照射を行った試料を多量の水に48
時間漬け、得られたゲルを凍結乾燥し、それを精製水に
漬け1グラムのドライゲルが吸水した精製水のグラム数
で表した。
求めた。ペースト状照射により得たゲルは橋かけしてい
ないゾルを除くため48時間精製水に漬ける。このゲルの
みを所定の大きさに切り、大腸菌の一種であるE. coli
を含む寒天培地の入ったシャーレに入れる。時間ととも
にE. coliが増殖してくるが、ハイドロゲルの回りにク
リアーゾーンが観察できればE. coli の増殖を阻止で
きたことになり、ハイドロゲルに抗菌性を有すると評価
できる。
より低分子化したものは活性が増す。しかしキトサンは
希薄な酸のみしか溶解しないため、ハイドロゲルやシー
トに加工することは困難である。本発明ではキトサンの
誘導体を放射線橋かけ技術により抗菌性を有したハイド
ロゲルの製造に成功した。このハイドロゲルは照射橋か
けによりブロック状やシート状の様々な形状のものが得
られ、次のような応用が期待できる。
トサン誘導体ハイドロゲル又は他のハイドロゲルとのブ
レンドハイドロゲルでカバーし、傷の治癒を促進する創
傷被覆材がある。最近火傷や老人の床ずれなどの傷を湿
潤環境で治療すると、治癒が早く、しかも治癒後の創面
が平滑であるため湿潤型の創傷被覆材が市販されてき
た。本発明では従来の湿潤型創傷被覆材とは異なりハイ
ドロゲルが抗菌活性を有した創傷被覆材であるため、抗
菌剤の添加を要しない新しい創傷被覆材の製造が期待で
きる。
菌活性をもった繊維が得られる。さらに、得られたハイ
ドロゲルの水を蒸発させ得たフィルムは、種々の材料の
表面に貼り合せることにより、カビなどの発生を防止す
る抗菌資材を得ることができる。このように抗菌性を有
したハイドロゲルは種々の分野での応用が期待できる。
以下、本発明を実施例及び比較例に基づいて説明する。
9, 分子量は2.82×104, 脱アセチル化度は17.7%であ
る。これを精製水と良く練り10, 20, 30, 40, 50%の濃
度の異なるペースト(グリース状)を造り電子線により
50 kGy照射した。表1で明らかなようにペースト状照射
により水に不溶なゲルが生成し橋かけが起きる。これを
多量の水に漬けると膨潤しハイドロゲルとなる。CM-キ
チンの橋かけには20~40%の濃度が好ましい。
0.83, 分子量は2.93×104, 脱アセチル化度は31.4%であ
る。これを精製水と良く練り10, 20, 30, 40, 50%の濃
度の異なるペースト(グリース状)を造り電子線により
50 kGy照射した。表2で明らかなようにペースト状照射
により水に不溶なゲルが生成し橋かけが起きる。これは
多量の水に漬けると吸水しハイドロゲルとなる。CM-キ
チンの橋かけには20~40%の濃度が好ましい。
ある。置換度0.49、分子量2.82×104、脱アセチル化度1
7.7%と置換度0.83, 分子量は2.93×104, 脱アセチル化
度31.4%である。これらを室温の固体状態と5%以下の
水溶液とで加速器からの電子線により200 kGyまで照射
を行った。分子量が低下し水に容易に溶解するようにな
るが、水に不溶なゲル成分は生成しないことから、この
ような条件では橋かけが起こらない。
0.91, 分子量は3.1×104, 脱アセチル化度は84.0%であ
る。これを精製水と良く練り20, 25, 35, 50%の濃度の
異なるペースト(グリース状)を造り電子線により100k
Gy照射した。表3で明らかなようにペースト状照射によ
り水に不溶なゲルが生成し橋かけが起きる。これは多量
の水に漬けると吸水しハイドロゲルとなる。CM-キトサ
ンの橋かけには25~35%の濃度が好ましい。
性を評価した。CM-キトサンのハイドロゲルは35%のペー
スト状で150kGy放射線照射することにより得た。この試
料を48時間精製水に漬け溶解成分のゾルを除いたゲル分
率35%のCM-キトサンハイドロゲルを調製した。
のE. coliが1×106 cell/ml含む寒天培地上に置き37℃
で培養した。図1(b)に示されるように、ハイドロゲ
ル周辺に約5mmほどがE. coliの増殖が抑制されクリヤー
ゾーンが観察されることから、CM-キトサンハイドロゲ
ルに抗菌活性があることが明かである。
ル化度84.0%、置換度(カルボキシメチル化度)0.91、
粘度平均分子量3.1×104である。CM-キトサンハイドロ
ゲルは、35%のペースト状で80kGy放射線照射することに
より得た。この試料を48時間精製水に漬け溶解成分のゾ
ルを除いたゲル分率25%のCM-キトサンハイドロゲルを調
製した。
に裁断し、大腸菌のE. coliが1×10 6 cell/ml含む寒天
培地上に置き37℃で培養した。図1(c)に示されるよ
うに、ハイドロゲル周辺に約5mmほどがE. coliの増殖が
抑制されクリヤーゾーンが観察された。ハイドロゲル周
辺以外の白地にはE. coliが増殖した。
91、分子量3.1×104、脱アセチル化度84.0%である。こ
れらを室温の固体状態と10%以下の水溶液とで加速器か
らの電子線により300 kGyまで照射を行った。分子量が
低下し水に容易に溶解するようになるが水に不溶なゲル
成分は生成しないことから、このような条件では橋かけ
が起こらない。
ニルアルコール(PVA)水溶液を照射して得たハイドロゲ
ルを用いた。大腸菌E. coliを1×106 cell/ml含む寒天
培地の上に径が10mmのPVAハイドロゲルを置き37℃で培
養を行った。図1(a)に示されるように、培養時間と
ともにE. coliがハイドロゲル周辺に均一に増殖した。
ハイドロゲルによるクリアーゾーンが観察されず、この
ハイドロゲルには抗菌活性がないことが明らかである。
中央部の線状の白い部分は透明なハイドロゲルのため、
撮影時のライトの反射によるものである。
はアセチル基をもっているため、放射線橋かけの後この
官能基と反応させ新しい性質をもったハイドロゲルを得
ることができると期待できる。CM-キトサンハイドロゲ
ルはそれ自身が抗菌活性を持っている特異なゲルであ
る。医療分野では傷口に貼り外からの雑菌の混入を防ぎ
治癒を促進する創傷被覆材への応用が期待できる。さら
に、水の腐敗防止、抗菌繊維の製造などへの応用も期待
できる。
用いた抗菌活性を示す図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 原料はキチン誘導体及び/又はキトサン
誘導体であり、原料100重量部に対して精製水3~1,000重
量部からなるペースト状混合物に放射線を照射すること
により、橋かけ構造を有するキチン誘導体及び/又はキ
トサン誘導体を得、橋かけ構造を有するキトサン誘導体
が抗菌活性を有するハイドロゲルであることを特徴とす
る、橋かけ構造を有するキチン誘導体及び/又はキトサ
ン誘導体の製造方法。 - 【請求項2】 原料のキチン誘導体及び/又はキトサン
誘導体がグルコース単位当たり少なくても一つのヒドロ
キシ基又はカルボキシル基を有する、カルボキシアルキ
ルキチン、カルボキシアルキルキトサン、ヒドロキシア
ルキルキチン、ヒドロキシアルキルキトサン、アルキル
キチン、アルキルキトサン、又はこれらの混合物である
ことを特徴とする請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 原料のキチン誘導体及びキトサン誘導体
のヒドロキシル基とカルボキシル基の合計の20以上がア
ルカリ金属塩、アンモニウム塩又はアミン塩であること
を特徴とする請求項1記載の方法。 - 【請求項4】 キチン誘導体及びキトサン誘導体の平均
置換度は0.01以上であることを特徴とする請求項1記載
の方法。 - 【請求項5】 照射前の粘度を1.0とすると、それ以上
の粘度増加を伴うことを特徴とする請求項1記載の方
法。 - 【請求項6】 電離性放射線の照射線量は0.5kGy以上で
あることを特徴とする請求項1記載の方法。 - 【請求項7】 上記ハイドロゲルの精製水の吸水率は自
重に対し5重量倍以上であることを特徴とする請求項1
記載の方法。 - 【請求項8】 橋かけ構造を有するキトサン誘導体のハ
イドロゲル及び乾燥フィルムは抗菌活性を有することを
特徴とする請求項1記載の方法。
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