JP2003158678A5 - - Google Patents
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- 第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタ、第4のトランジスタ、第5のトランジスタ、容量素子及び光電変換素子を有し、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第3のトランジスタのソースとドレインの一方に接続され、
前記第1のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記第3のトランジスタのゲートと、前記第4のトランジスタのソースとドレインの一方とは、第1の配線に接続され、
前記第1のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記光電変換素子の少なくとも一方の端子と、前記第4のトランジスタのゲートとに接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、第2の配線に接続され、
前記第2のトランジスタのソースとドレインの他方は、第3の配線に接続され、
前記第3のトランジスタのソースとドレインの他方は、第4の配線に接続され、
前記第4のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第5のトランジスタのソースとドレインの一方に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、第5の配線に接続され、
前記第5のトランジスタのソースとドレインの他方は、第6の配線に接続され、
前記容量素子は、前記第1のトランジスタのゲートと前記第1のトランジスタのソースとドレインの他方の間に設けられることを特徴とする半導体装置。 - 第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタ、第4のトランジスタ、第5のトランジスタ、容量素子及び光電変換素子を有し、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第3のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記容量素子の第1の端子とに接続され、
前記第1のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記第3のトランジスタのゲートと、前記第4のトランジスタのソースとドレインの一方とは、第1の配線に接続され、
前記第1のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記光電変換素子の少なくとも一方の端子と、前記第4のトランジスタのゲートと、前記容量素子の第2の端子とに接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、第2の配線に接続され、
前記第2のトランジスタのソースとドレインの他方は、第3の配線に接続され、
前記第3のトランジスタのソースとドレインの他方は、第4の配線に接続され、
前記第4のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第5のトランジスタのソースとドレインの一方に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、第5の配線に接続され、
前記第5のトランジスタのソースとドレインの他方は、第6の配線に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタ、第4のトランジスタ、第5のトランジスタ、容量素子及び光電変換素子を有し、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第3のトランジスタのソースとドレインの一方に接続され、
前記第1のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記第3のトランジスタのゲートと、前記第4のトランジスタのソースとドレインの一方とは、第1の配線に接続され、
前記第1のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記光電変換素子の少なくとも一方の端子と、前記第4のトランジスタのゲートとに接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、第2の配線に接続され、
前記第2のトランジスタのソースとドレインの他方は、第3の配線に接続され、
前記第3のトランジスタのソースとドレインの他方は、第4の配線に接続され、
前記第4のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第5のトランジスタのソースとドレインの一方に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、第5の配線に接続され、
前記第5のトランジスタのソースとドレインの他方は、第6の配線に接続され、
前記容量素子は、前記第1のトランジスタのゲートと前記第1のトランジスタのソースとドレインの他方の間に設けられ、
前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタ、前記第3のトランジスタ、前記第4のトランジスタ及び前記第5のトランジスタの各々は、同じ導電型であることを特徴とする半導体装置。 - 第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタ、第4のトランジスタ、第5のトランジスタ、容量素子及び光電変換素子を有し、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第3のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記容量素子の第1の端子とに接続され、
前記第1のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記第3のトランジスタのゲートと、前記第4のトランジスタのソースとドレインの一方とは、第1の配線に接続され、
前記第1のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記光電変換素子の少なくとも一方の端子と、前記第4のトランジスタのゲートと、前記容量素子の第2の端子とに接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、第2の配線に接続され、
前記第2のトランジスタのソースとドレインの他方は、第3の配線に接続され、
前記第3のトランジスタのソースとドレインの他方は、第4の配線に接続され、
前記第4のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第5のトランジスタのソースとドレインの一方に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、第5の配線に接続され、
前記第5のトランジスタのソースとドレインの他方は、第6の配線に接続され、
前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタ、前記第3のトランジスタ、前記第4のトランジスタ及び前記第5のトランジスタの各々は、同じ導電型であることを特徴とする半導体装置。 - 第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタ、第4のトランジスタ、第5のトランジスタ、容量素子、光電変換素子及び発光素子を有し、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第3のトランジスタのソースとドレインの一方に接続され、
前記第1のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記第3のトランジスタのゲートと、前記第4のトランジスタのソースとドレインの一方とは、第1の配線に接続され、
前記第1のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記光電変換素子の少なくとも一方の端子と、前記第4のトランジスタのゲートとに接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、第2の配線に接続され、
前記第2のトランジスタのソースとドレインの他方は、第3の配線に接続され、
前記第3のトランジスタのソースとドレインの他方は、第4の配線に接続され、
前記第4のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第5のトランジスタのソースとドレインの一方に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、第5の配線に接続され、
前記第5のトランジスタのソースとドレインの他方は、第6の配線に接続され、
前記容量素子は、前記第1のトランジスタのゲートと前記第1のトランジスタのソースとドレインの他方の間に設けられ、
前記発光素子から発せられる光は被写体に照射され、前記被写体において反射した光は前 記光電変換素子に照射されることを特徴とする半導体装置。 - 第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタ、第4のトランジスタ、第5のトランジスタ、容量素子、光電変換素子及び発光素子を有し、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第3のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記容量素子の第1の端子とに接続され、
前記第1のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記第3のトランジスタのゲートと、前記第4のトランジスタのソースとドレインの一方とは、第1の配線に接続され、
前記第1のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記光電変換素子の少なくとも一方の端子と、前記第4のトランジスタのゲートと、前記容量素子の第2の端子とに接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、第2の配線に接続され、
前記第2のトランジスタのソースとドレインの他方は、第3の配線に接続され、
前記第3のトランジスタのソースとドレインの他方は、第4の配線に接続され、
前記第4のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第5のトランジスタのソースとドレインの一方に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、第5の配線に接続され、
前記第5のトランジスタのソースとドレインの他方は、第6の配線に接続され、
前記発光素子から発せられる光は被写体に照射され、前記被写体において反射した光は前記光電変換素子に照射されることを特徴とする半導体装置。 - 第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタ、第4のトランジスタ、第5のトランジスタ、容量素子、光電変換素子及び発光素子を有し、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第3のトランジスタのソースとドレインの一方に接続され、
前記第1のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記第3のトランジスタのゲートと、前記第4のトランジスタのソースとドレインの一方とは、第1の配線に接続され、
前記第1のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記光電変換素子の少なくとも一方の端子と、前記第4のトランジスタのゲートとに接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、第2の配線に接続され、
前記第2のトランジスタのソースとドレインの他方は、第3の配線に接続され、
前記第3のトランジスタのソースとドレインの他方は、第4の配線に接続され、
前記第4のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第5のトランジスタのソースとドレインの一方に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、第5の配線に接続され、
前記第5のトランジスタのソースとドレインの他方は、第6の配線に接続され、
前記容量素子は、前記第1のトランジスタのゲートと前記第1のトランジスタのソースとドレインの他方の間に設けられ、
前記発光素子から発せられる光は被写体に照射され、前記被写体において反射した光は前記光電変換素子に照射され、
前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタ、前記第3のトランジスタ、前記第4のトランジスタ及び前記第5のトランジスタの各々は、同じ導電型であることを特徴とする半導体装置。 - 第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタ、第4のトランジスタ、第5のトランジスタ、容量素子、光電変換素子及び発光素子を有し、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第3のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記容量素子の第1の端子とに接続され、
前記第1のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記第3のトランジスタのゲート と、前記第4のトランジスタのソースとドレインの一方とは、第1の配線に接続され、
前記第1のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記光電変換素子の少なくとも一方の端子と、前記第4のトランジスタのゲートと、前記容量素子の第2の端子とに接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、第2の配線に接続され、
前記第2のトランジスタのソースとドレインの他方は、第3の配線に接続され、
前記第3のトランジスタのソースとドレインの他方は、第4の配線に接続され、
前記第4のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第5のトランジスタのソースとドレインの一方に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、第5の配線に接続され、
前記第5のトランジスタのソースとドレインの他方は、第6の配線に接続され、
前記発光素子から発せられる光は被写体に照射され、前記被写体において反射した光は前記光電変換素子に照射され、
前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタ、前記第3のトランジスタ、前記第4のトランジスタ及び前記第5のトランジスタの各々は、同じ導電型であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の前記半導体装置を用いることを特徴とする電子機器。
- 請求項9に記載の前記電子機器は、スキャナー、タッチパネル、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、コンピュータ又は携帯情報端末であることを特徴とする電子機器。
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2002
- 2002-08-07 JP JP2002229588A patent/JP4162947B2/ja not_active Expired - Fee Related
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