JP2003158039A - 導体膜キャリアおよびそれを用いた積層セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 積層セラミック電子部品の内部導体膜を形成
するための導体膜を基材上に保持した導体膜キャリアで
あって、導体膜の基材からの剥離性が良好なものを提供
する。 【解決手段】 基材２２を、可撓性を有する金属薄板２
４と、その上に形成され、厚みが１０ｎｍ以上かつ５０
０ｎｍ未満でありかつ表面粗さＲａが３０ｎｍ未満であ
る、たとえばＩＴＯからなる導電性酸化物膜２５とから
構成する。このような基材２２における導電性酸化物膜
２５上に、導体膜２３を形成することによって、導体膜
キャリア２１を実現する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、導体膜が基材上
に保持された状態にある導体膜キャリアおよびそれを用
いた積層セラミック電子部品の製造方法に関するもの
で、特に、導体膜が、基材から剥離されて、積層セラミ
ック電子部品の内部導体として使用される、導体膜キャ
リアに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】たとえば積層セラミックコンデンサのよ
うな積層セラミック電子部品は、内部電極のような導体
膜を備えている。導体膜は、種々の方法によって形成さ
れることができる。典型的には、導電性ペーストを印刷
し焼き付けるといった厚膜形成技術を用いて導体膜を形
成する方法、あるいは、真空蒸着またはスパッタリング
などの真空系薄膜形成法や無電解めっき法または電気め
っき法のような湿式めっき法といった薄膜形成技術を用
いて導体膜を形成する方法がある。

【０００３】この発明にとって特に興味あるのは、後者
の薄膜形成技術によって形成された導体膜である。

【０００４】上述した導体膜は、通常、これを基材上に
保持した状態にある導体膜キャリアの形態として用意さ
れる。このような導体膜キャリアとして、たとえば特開
平５−４７７０１号公報に記載されたものが知られてい
る。図６には、この公報において記載された導体膜キャ
リア１の断面構造が示されている。

【０００５】図６を参照して、導体膜キャリア１は、研
磨されたステンレス鋼からなる基材２上に、電気めっき
によって導体膜３を形成した断面構造を有している。導
体膜３を、たとえば積層セラミック電子部品の内部導体
膜等として使用する場合には、基材２から導体膜３を剥
離することが行なわれる。

【０００６】他方、特開平４−３１４８７６号公報に
は、導体膜の剥離性を重視した導体膜キャリアが記載さ
れている。図７には、この公報に記載された導体膜キャ
リア１１の断面構造が示されている。

【０００７】図７を参照して、導体膜キャリア１１は、
シリコーンコート１２が付与された有機樹脂フィルム１
３をもって構成される基材１４を備えている。基材１４
上には、蒸着によって、剥離性に優れた第１の金属膜１
５が形成され、この第１の金属膜１５上には、第１の金
属膜１５に通電しながら電気めっきを実施することによ
って、第２の金属膜１６が形成され、これら第１および
第２の金属膜１５および１６によって導体膜１７が与え
られる。

【０００８】そして、シリコーンコート１２と第１の金
属膜１５との間の界面において剥離することにより、導
体膜１７が、たとえば積層セラミック電子部品の内部導
体膜等として使用される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６に
示した導体膜キャリア１および図７に示した導体膜キャ
リア１１には、それぞれ、次のような問題がある。

【００１０】まず、図６に示した導体膜キャリア１にあ
っては、ステンレス鋼からなる基材２を用いているた
め、導体膜３の剥離性が悪く、導体膜３をたとえばセラ
ミックグリーンシート上に転写する際、導体膜３の一部
が基材２上に残ることがあり、そのため、セラミックグ
リーンシート上に転写された導体膜３に欠陥が生じるこ
とがある。

【００１１】上述の問題は、導体膜３の厚みが薄くなれ
ばなるほど、導体膜３中に生じる内部応力が減少し、そ
れによって、導体膜３の基材２に対する密着性が向上
し、また、導体膜３自体の強度も低下するため、より顕
著になる。

【００１２】このような問題をできるだけ低減するため
には、比較的長い時間をかけて、導体膜３の転写を行な
うことが有効であるが、この場合には、導体膜３を用い
て製造される積層セラミック電子部品のような製品の生
産性が悪いという問題に遭遇する。

【００１３】また、ステンレス鋼からなる基材２を、所
望の表面粗さになるように研磨することは困難であり、
研磨後においても、基材２の表面に傷が付きやすいた
め、基材２上に形成された導体膜３にも欠陥が生じた
り、導体膜３の剥離性を低下させたりするという問題が
もたらされる。

【００１４】さらに、ステンレス鋼からなる基材２を再
利用するにあたっては、上述のように、傷が付きやすい
ため、再び、研磨したり、電解エッチングを施したりす
ることが必要である。また、クロメート処理などの離型
処理を基材２上に施す必要がある場合には、これらの処
理についても、再利用するにあたって、再度施す必要が
ある。このようなことから、基材２の再利用のためのコ
ストが高くつくという問題がある。

【００１５】他方、図７に示した導体膜キャリア１１に
おいては、導体膜１７に関して良好な剥離性を得ること
ができるものの、導体膜１７の形成にあたって、第１の
金属膜１５を形成するための蒸着工程が存在するため、
導体膜キャリア１１を製造するための工程が煩雑とな
り、高い生産性を得ることが困難であるばかりでなく、
導体膜１７の製造コストも高くなってしまう。

【００１６】また、第１の金属膜１５には、剥離性の良
好な材料を用いる必要があるため、導体膜１７として適
した金属を必ずしも用いることができない。したがっ
て、導体膜１７として適した金属を用いて電気めっきに
より第２の金属膜１６を形成しても、所望の金属以外の
金属が、導体膜１７中の第１の金属膜１５に含まれてし
まうことになる。その結果、導電率や融点や耐酸化性な
ど、導体膜１７に求められる性能を発揮することが困難
になるという問題がある。この問題は、導体膜１７の厚
みが薄くなればなるほど、第２の金属膜１６が薄くな
り、第１の金属膜１５の割合が増加するため、より顕著
となる。

【００１７】そこで、この発明の目的は、上述したよう
な問題を解決し得る、すなわち、導体膜の剥離性が良好
で、導体膜キャリアの基材の取り扱いが容易で、基材上
に形成される導体膜に欠陥が生じにくく、また、導体膜
の製造のための工程数が少なく、そのためコストを抑え
ることができ、また、導体膜において所望の金属以外の
金属を含まないようにすることが可能であり、さらに、
基材を容易に再利用することができる、そのような導体
膜キャリアを提供しようとすることである。

【００１８】この発明の他の目的は、上述したような導
体膜キャリアを用いて実施される積層セラミック電子部
品の製造方法を提供しようとすることである。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上述の技術的課題を解決
するため、本件発明者は、酸化物と金属との間での密着
性の低さに注目し、種々研究を重ねた結果、表面粗さＲ
ａが３０ｎｍ未満というように、平滑な表面を有する導
電性酸化物膜、特にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ）膜上に、湿式めっきによって成膜した導体膜
が、導電性酸化物膜との界面において軽い力で容易に剥
離されることが可能であることを見出した。

【００２０】言い換えると、導体膜キャリアの基材とし
て、その表面に導電性酸化物膜が形成されたものを用
い、この基材上に、たとえば湿式めっきによって導体膜
を形成すれば、導体膜を、導電性酸化物膜との界面から
軽い力で容易に剥離することができ、この剥離された導
体膜を、たとえば積層セラミック電子部品の内部導体膜
等として有利に用いることができる。

【００２１】この発明は、このような知見の下になされ
たものである。

【００２２】すなわち、この発明に係る導体膜キャリア
は、前述したような技術的課題を解決するため、厚みが
１０ｎｍ以上かつ５００ｎｍ未満でありかつ表面粗さＲ
ａが３０ｎｍ未満である導電性酸化物膜が少なくともそ
の一方主面上に形成された、可撓性を有する基材と、導
電性酸化物膜上に形成された導体膜とを備えることを特
徴としている。

【００２３】上述のように、基材が可撓性を有している
のは、導体膜を剥離する際、基材を湾曲させる必要があ
るためである。

【００２４】この発明において、上述した導電性酸化物
膜の表面粗さＲａは、１０ｎｍ未満であることが好まし
い。

【００２５】また、導電性酸化物膜の厚みは、２００ｎ
ｍ未満であることが好ましい。

【００２６】導電性酸化物膜は、好ましくは、ＩＴＯか
ら構成される。

【００２７】他方、導体膜は、ニッケル、銅、パラジウ
ムおよび銀からなる群から選ばれた少なくとも１種を主
成分とすることが好ましい。

【００２８】上述した導体膜は、湿式めっきにより形成
されたり、より好ましくは、電気めっきにより形成され
たりすることができる。

【００２９】この発明に係る導体膜キャリアに備える基
材には、その材質および断面構造に関して、次のような
２つの典型的な実施態様がある。

【００３０】第１の実施態様では、基材は、可撓性を有
する金属薄板を備え、この金属薄板上に前述した導電性
酸化物膜が形成されている。

【００３１】金属薄板は、ステンレス鋼、銅、アルミニ
ウム、錫、銀、亜鉛、ニッケルおよびチタンからなる群
から選ばれた少なくとも１種を主成分とすることが好ま
しい。

【００３２】第２の実施態様では、基材は、可撓性を有
する有機樹脂フィルムと、この有機樹脂フィルム上に形
成されかつ厚みが０．０４μｍ以上かつ１μｍ未満であ
る金属膜とを備え、この金属膜上に前述した導電性酸化
物膜が形成されている。

【００３３】上述の金属膜は、銅、ニッケル、銀、金お
よびアルミニウムからなる群から選ばれた少なくとも１
種を主成分とする層を含むことが好ましい。

【００３４】また、金属膜は、ニッケルおよびクロムの
少なくとも一方を主成分とする、有機樹脂フィルムに接
する層を含むことが好ましい。

【００３５】この発明において、基材から分離された導
体膜、すなわち、導電性酸化物膜と導体膜との界面にお
いて基材から剥離された導体膜は、積層セラミック電子
部品の内部導体膜として有利に使用される。特に、導体
膜は、好ましくは、積層セラミックコンデンサに備える
静電容量形成のための内部電極として用いられる。

【００３６】この発明は、また、上述したような導体膜
キャリアを用いて実施される積層セラミック電子部品の
製造方法にも向けられる。この製造方法には、次のよう
な３つの典型的な実施態様がある。

【００３７】第１の実施態様では、上述のような導体膜
キャリア上であって、導体膜を覆うように、セラミック
グリーンシートを成形することによって、導体膜とセラ
ミックグリーンシートとからなる複数個の複合体を作製
する工程と、複数個の複合体を積層することによって、
生の積層体を作製する工程と、各複合体から基材を剥離
する工程と、生の積層体を焼成する工程とが実施され
る。

【００３８】この第１の実施態様において、セラミック
グリーンシートを成形する前に、導体膜をパターニング
する工程が実施されてもよい。

【００３９】積層セラミック電子部品の製造方法の第２
の実施態様では、セラミックグリーンシートを用意する
工程と、前述したような導体膜キャリアに備える導体膜
を、基材からセラミックグリーンシートへ転写すること
によって、導体膜とセラミックグリーンシートとからな
る複数個の複合体を作製する工程と、複数個の複合体を
積層することによって、生の積層体を作製する工程と、
生の積層体を焼成する工程とが実施される。

【００４０】積層セラミック電子部品の製造方法の第３
の実施態様では、複数枚のセラミックグリーンシートを
用意する工程と、前述したような複数個の導体膜キャリ
アを用意する工程と、セラミックグリーンシートを積層
するとともに、積層後の各セラミックグリーンシート上
に、導体膜キャリアに備える導体膜を、基材からセラミ
ックグリーンシートへ転写することによって、積層され
た複数枚のセラミックグリーンシートおよびセラミック
グリーンシート間に延びる導体膜を備える、生の積層体
を作製する工程と、生の積層体を焼成する工程とが実施
される。

【００４１】上述した第２および第３の実施態様におい
て、導体膜をセラミックグリーンシートへ転写する前
に、導体膜をパターニングする工程を実施してもよい。

【００４２】これに代えて、導体膜をセラミックグリー
ンシートへ転写するとき、導体膜の一部のみを転写し、
それによって、転写された導体膜に所望のパターンを与
えるようにしてもよい。

【００４３】以上のような積層セラミック電子部品の製
造方法は、積層セラミックコンデンサの製造に有利に適
用される。この場合、生の積層体において、複数個の導
体膜が、積層セラミックコンデンサにおける静電容量形
成のための内部電極を与えるように配置される。

【００４４】

【発明の実施の形態】図１は、この発明の第１の実施形
態による導体膜キャリア２１の断面構造を示す図であ
る。

【００４５】導体膜キャリア２１は、可撓性を有する基
材２２と、その上に保持された導体膜２３とを備えてい
る。基材２２は、可撓性を有する金属薄板２４と、その
上に形成された導電性酸化物膜２５とから構成される。
したがって、基材２２の一方主面は、導電性酸化物膜２
５によって与えられ、前述した導体膜２３は、この導電
性酸化物膜２５上に形成される。

【００４６】図１の導体膜キャリア２１は、その一方主
面のみが導電性酸化物膜２５により与えられているが、
面積生産性を上げる目的で、その両主面が導電性酸化物
膜により与えられてもよい。

【００４７】導電性酸化物膜２５は、その上に形成され
た金属からなる導体膜２３の剥離を容易にするためのも
ので、金属薄板２４上に、スパッタリングなどの薄膜形
成法によって形成されることができる。

【００４８】導電性酸化物膜２５は、厚みが１０ｎｍ以
上かつ５００ｎｍ未満とされる。

【００４９】導電性酸化物膜２５の厚みが１０ｎｍ以上
とされるのは、これによって、欠陥のない一様な連続膜
とすることが容易であるためである。この厚みが１０ｎ
ｍ未満では、導電性酸化物膜２５において部分的に不連
続な部分が生じることがあり、その結果、導体膜２３の
剥離性が低下してしまうことがある。

【００５０】他方、導電性酸化物膜２５の厚みが５００
ｎｍ未満とされるのは、この厚みが５００ｎｍ以上で
は、導体膜２３を剥離する場合のように、基材２２の取
り扱い時に湾曲が生じた際、導電性酸化物膜２５にクラ
ックや剥落などが生じてしまうことがあり、このような
クラックや剥落などを生じないようにしながらの取り扱
いが困難となるためである。

【００５１】このような導電性酸化物膜２５の厚みに関
して、好ましくは、２００ｎｍ未満とされる。この厚み
が２００ｎｍ未満であっても、導電性酸化物膜２５の作
用が十分に発揮され、厚みを２００ｎｍ以上としても、
導電性酸化物膜２５の作用が飽和してしまうためであ
る。したがって、導電性酸化物膜２５の厚みを２００ｎ
ｍ以上とすると、導体膜キャリア２１の生産性が悪くな
り、それに応じて、コストも高くなってしまう。

【００５２】導電性酸化物膜２５の表面粗さＲａは３０
ｎｍ未満となるようにされる。

【００５３】導電性酸化物膜２５の表面粗さＲａが３０
ｎｍ未満とされるのは、これが３０ｎｍ以上では、導体
膜２３の剥離性が低下し、剥離に際して、導体膜２３の
一部が基材２２上に残ってしまったり、導体膜２３に亀
裂や部分欠落などの欠陥などを生じてしまうことがある
ためである。また、導体膜２３にも、導電性酸化物膜２
５の表面状態が転写されるため、導体膜２３そのものの
平滑性も損なわれてしまう。

【００５４】さらに言うならば、導電性酸化物膜の表面
粗さＲａは１０ｎｍ未満であることが好ましい。基材２
２上に形成される導体膜２３の厚みが薄くなるほど、こ
の導体膜２３の剥離性が低下し、欠陥なく剥離すること
が困難になる。この傾向は、特に、導体膜２３の厚みが
０．５μｍ以下において顕著であり、この問題をより確
実に解決するためには、導電性酸化物膜２５の表面粗さ
Ｒａを１０ｎｍ未満とすることが有効である。

【００５５】導電性酸化物膜２５を構成する材料として
は、特に限定されるものではないが、たとえば、ＩＴ
Ｏ、ＳｎＯ₂ 、ＲｅＯ₃ 、ＲｕＯ₂ 、ＩｒＯ₂ 、ＣａＲ
ｕＯ₃、ＳｒＲｕＯ₃ 、Ｌａ_1-x Ｓｒ_x ＣｏＯ₃ 、また
はＭ_x ＷＯ₃ で表わされるタングステンブロンズなどを
用いることができる。

【００５６】これらのうち、特に、ＩＴＯを有利に用い
ることができる。なぜなら、ＩＴＯは、スパッタリング
等を用いて、低温において容易に平滑な膜を成膜するこ
とができ、導電性酸化物膜２５において必要とする条件
を満たすように形成するのが容易であるためである。

【００５７】金属薄板２４は、前述した可撓性に加え
て、導電性を有していて、圧延などの方法によって得る
ことができる。金属薄板２４として、たとえば、厚み５
μｍ以上かつ１００μｍ未満の一般的な厚みの金属箔を
用いることができる。

【００５８】金属薄板２４の材質は、特に限定されるも
のではないが、たとえば、ステンレス鋼、銅、アルミニ
ウム、錫、銀、亜鉛、ニッケルおよびチタンからなる群
から選ばれた少なくとも１種を主成分とするものを用い
ることができる。

【００５９】導体膜２３は、薄膜形成法によって、導電
性酸化物膜２５上に形成され得るが、高い生産性とより
良い剥離性を発揮するためには、湿式めっきが有効に用
いられる。より具体的には、基材２２が、めっき浴に浸
漬され、無電解めっきが施されるか、あるいは、給電し
ながら電気めっきが施され、それによって、導体膜２３
が導電性酸化物膜２５上に形成される。電気めっきによ
れば、浴コストの低減と、膜厚および膜質の容易な制御
が可能となる。

【００６０】導体膜２３の材料は、これが用いられる電
子部品に求められる性能を発揮できる材料であれば、ど
のような材料でもよいが、このような材料として、たと
えば、ニッケル、銅、パラジウムおよび銀からなる群か
ら選ばれた少なくとも１種を主成分とするものが有利に
用いられる。

【００６１】なお、図示しないが、導体膜２３上に接着
層をさらに形成し、基材２２から導体膜２３を確実に剥
離して転写できるようにしてもよい。

【００６２】図２は、この発明の第２の実施形態による
導体膜キャリア３１の断面構造を示す図である。

【００６３】導体膜キャリア３１は、上述の第１の実施
形態の場合と同様、可撓性を有する基材３２と、基材３
２上に保持された導体膜３３とを備えている。基材３２
は、有機樹脂フィルム３４と、有機樹脂フィルム３４上
に形成された金属膜３５と、金属膜３５上に形成された
導電性酸化物膜３６とから構成される。したがって、基
材３２の一方主面は、導電性酸化物膜３６によって与え
られ、前述した導体膜３３は、この導電性酸化物膜３６
上に形成される。この場合の導体膜キャリアも、第１の
実施形態の場合と同様に、有機樹脂フィルムの両主面上
に金属膜と導電性酸化物膜とを形成した構造とすること
が可能である。

【００６４】有機樹脂フィルム３４は、前述した可撓性
のほか、取り扱い時に必要とされる強度を有し、また、
転写時などに熱を使用する場合には、それに見合った耐
熱性を有していることが好ましい。有機樹脂フィルム３
４の材料としては、たとえば、ポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）、ポリプロピレンまたはポリイミドなど
を用いることができる。

【００６５】上述した有機樹脂フィルム３４上の金属膜
３５は、蒸着もしくはスパッタリングなどの真空系薄膜
形成法または無電解めっきなどの湿式の薄膜形成法など
によって形成されることができる。

【００６６】金属膜３５の厚みは、０．０４μｍ以上か
つ１μｍ未満とされる。

【００６７】上述のように、金属膜３５の厚みが０．０
４μｍ以上とされるのは、この厚みが０．０４μｍ未満
では、十分な導電性が得られず、導体膜３３を電気めっ
きにより形成するにあたって、これを均一な膜厚で形成
することが困難になるためである。

【００６８】他方、金属膜３５の厚みが１μｍ未満とさ
れるのは、この厚みが１μｍ以上では、有機樹脂フィル
ム３４との密着性が低下し、また、導体膜キャリア３１
を湾曲させたとき、有機樹脂フィルム３４と金属膜３５
とのヤング率の差から生じる応力により、有機樹脂フィ
ルム３４と金属膜３５との間で剥離が生じたり、また、
厚くなることによって柔軟性を失った金属膜３５に引張
り応力が生じたときに亀裂が生じたりするという問題が
生じることがあるためである。

【００６９】金属膜３５は、銅、ニッケル、銀、金およ
びアルミニウムからなる群から選ばれた少なくとも１種
を主成分とする層を含むことが、成膜性、耐食性、導電
性などの点から好ましいが、金属膜３５に含まれる金属
は、これらの金属に限定されるものではない。

【００７０】また、金属膜３５は、有機樹脂フィルム３
４との間での密着力を高める目的で、有機樹脂フィルム
３４に接するように、ニッケルおよびクロムの少なくと
も一方を主成分とする層を含むようにすることも有効で
ある。

【００７１】金属膜３５上に導電性酸化物膜３６が形成
されるが、このような導電性酸化物膜３６に求められる
条件および導電性酸化物膜３６の形成方法等について
は、前述した第１の実施形態における導電性酸化物膜２
５の場合と実質的に同様であるので、説明を省略する。

【００７２】また、導電性酸化物膜３６上に導体膜３３
が形成されるが、この導体膜３３の材料および形成方法
等についても、前述した第１の実施形態における導体膜
２３の場合と実質的に同様であるので、説明を省略す
る。

【００７３】図２に示した第２の実施形態による導体膜
キャリア３１は、有機樹脂フィルム３４そのものが、研
磨等の処理を施すことなく、平滑な表面を与えることが
できるため、金属膜３５および導電性酸化物膜３６の表
面粗さを小さくすることが容易であるという特徴を有し
ている。また、導体膜キャリア３１は、柔軟性や軽量性
の点においても、第１の実施形態による導体膜キャリア
２１に比べて有利である。

【００７４】以上のような図１および図２にそれぞれ示
した導体膜キャリア２１および３１は、いずれも、以下
に説明するように、たとえば積層セラミックコンデンサ
の静電容量形成のための内部電極のような積層セラミッ
ク電子部品の内部導体膜を形成するために有利に用いら
れる。

【００７５】なお、積層セラミック電子部品の内部導体
膜を形成するため、導体膜キャリア２１および３１は、
上述したように、そのいずれをも用いることができる。
したがって、積層セラミック電子部品の製造方法を説明
するにあたっては、導体膜キャリア２１および３１の間
で区別する必要がないため、導体膜キャリア２１および
３１については、「４１」の参照符号を用い、基材２２
および３２については、「４２」の参照符号を用い、導
体膜２３および３３については、「４３」の参照符号を
用いることにする。

【００７６】図３は、この発明に係る積層セラミック電
子部品の製造方法の第１の実施形態を説明するためのも
のである。

【００７７】図３（１）には、導体膜４３が基材４２上
に保持された導体膜キャリア４１が図示されている。

【００７８】図３（１）に示した導体膜４３は、積層セ
ラミックコンデンサの内部電極のような積層セラミック
電子部品の内部導体膜として必要な形状を有するように
パターニングされている。このように、導体膜４３をパ
ターニングする方法としては、基材４２の一方主面の全
面にわたって形成された導体膜４３を、レジストを用い
て不要部のみをエッチングする方法や、予めレジストを
塗布しておき、アディティブ法により所望のパターンを
有する導体膜４３を形成する方法などを用いることがで
きる。また、積層セラミックコンデンサの内部電極のよ
うに、導体膜４３に求められる形状が単純な場合には、
後述する積層後にエッチングを施す方法や、周縁部との
ギャップ部に封止材を充填する方法なども適用可能であ
る。

【００７９】次に、図３（２）に示すように、導体膜キ
ャリア４１上であって、導体膜４３を覆うように、セラ
ミックグリーンシート４４が、シート成形機などを用い
て成形される。これによって、導体膜４３とセラミック
グリーンシート４４とからなる複合体４５が得られる。
また、セラミックグリーンシート４４は、他のキャリア
フィルム上に形成されたものを導体膜キャリア４１上に
導体膜４３を覆うように転写されてもよい。このような
複合体４５は、複数個作製される。

【００８０】次に、図３（３）に示すように、複数個の
複合体４５を積層することによって、生の積層体４６が
作製される。なお、図３（３）では、複数個の複合体４
５の積層の途中の状態が示されているため、生の積層体
４６については、その一部のみが図示されている。

【００８１】また、図３（３）に示すように、複合体４
５は、前に積層された複合体４５上に積層されるまでの
段階では、基材４２によって裏打ちされた状態となって
いる。したがって、各複合体４５を積層する毎に、基材
４２側から矢印４７で示すように、圧力を及ぼすことに
よって、複数個の複合体４５が互いに圧着され、その
後、基材４２を、矢印４８で示すように剥離することが
繰り返される。

【００８２】上述したように、基材４２を剥離したと
き、導体膜４３は、セラミックグリーンシート４４側に
残される。

【００８３】なお、基材４２を剥離する工程は、各複合
体４５を積層する工程の前に実施されてもよい。

【００８４】生の積層体４６が、積層セラミックコンデ
ンサを得るためのものである場合には、積層工程におい
て、セラミックグリーンシート４４を介して対向する導
体膜４３によって静電容量形成のための内部電極が与え
られるように、導体膜４３相互間の位置合わせが行なわ
れる。

【００８５】生の積層体４６は、必要に応じて、個々の
積層セラミック電子部品のための積層体チップを得るよ
うにカットされ、その後、脱脂工程を実施し、次いで、
焼成工程に付される。

【００８６】そして、焼成後の積層体４６の外表面上
に、端子電極等が形成されることによって、目的とする
積層セラミックコンデンサのような積層セラミック電子
部品が完成される。

【００８７】図４は、この発明に係る積層セラミック電
子部品の製造方法の第２の実施形態を説明するためのも
のである。

【００８８】図４（１）には、図３（１）に示したもの
と同様、パターニングされた導体膜４３を基材４２によ
って保持した導体膜キャリア４１が示されている。

【００８９】導体膜４３をパターニングする方法として
は、前述した第１の実施形態において説明した方法を適
用することができる。

【００９０】また、同じく図４（１）には、キャリアフ
ィルム５１上で成形されたセラミックグリーンシート５
２が示されている。

【００９１】このように、導体膜キャリア４１およびセ
ラミックグリーンシート５２がそれぞれ用意された後、
以下のような工程が順次実施される。

【００９２】まず、図４（２）に示すように、導体膜キ
ャリア４１が、キャリアフィルム５１によって裏打ちさ
れたセラミックグリーンシート５２上に重ねられ、その
状態で、これら導体膜キャリア４１とセラミックグリー
ンシート５２とを重なり方向にプレスし、その後、基材
４２を矢印５３で示すように剥離することによって、導
体膜４３が、基材４２からセラミックグリーンシート５
２へと転写される。このようにして、導体膜４３とセラ
ミックグリーンシート５２とからなる複数個の複合体５
４が作製される。

【００９３】次に、図４（３）に示すように、複数個の
複合体５４を積層することによって、生の積層体５５を
作製する工程が実施される。なお、図４（３）では、図
３（３）の場合と同様、生の積層体５５の一部のみが図
示されている。

【００９４】複合体５４は、前に積層された複合体５４
上に積層されるまでの段階では、キャリアフィルム５１
によって裏打ちされた状態となっている。したがって、
複合体５４を積層した後、キャリアフィルム５１側から
矢印５６で示すように圧力を及ぼし、複合体５４を互い
に圧着し、その後において、矢印５７で示すように、キ
ャリアフィルム５１を剥離することを繰り返して、生の
積層体５５が作製される。

【００９５】なお、キャリアフィルム５１を剥離する工
程は、各複合体５４を積層する工程の前に実施されても
よい。

【００９６】このようにして得られた生の積層体５５
は、前述した第１の実施形態の場合と同様、必要に応じ
てカットされ、脱脂および焼成工程に付された後、端子
電極等を形成することによって、目的とする積層セラミ
ックコンデンサのような積層セラミック電子部品が得ら
れる。

【００９７】図５は、この発明に係る積層セラミック電
子部品の製造方法の第３の実施形態を説明するためのも
のである。

【００９８】図５（１）には、図３（１）の場合と同
様、パターニングされた導体膜４３を基材４２上に保持
した導体膜キャリア４１およびキャリアフィルム５１上
で成形されたセラミックグリーンシート５２が示されて
いる。

【００９９】なお、図５（１）では、キャリアフィルム
５１とセラミックグリーンシート５２との位置関係が、
以下の説明の便宜のために、図４（１）の場合とは上下
逆になっている。

【０１００】図５（１）に示したように、導体膜キャリ
ア４１およびセラミックグリーンシート５２がそれぞれ
用意された後、以下のような工程が実施される。

【０１０１】セラミックグリーンシート５２を積層する
とともに、積層後の各セラミックグリーンシート５２上
に、導体膜キャリア４１に備える導体膜４３を、基材４
２からセラミックグリーンシート５２へ転写することに
よって、図５（２）および（３）の各々にその一部を示
すように、積層された複数枚のセラミックグリーンシー
ト５２およびセラミックグリーンシート５２間に延びる
導体膜４３を備える、生の積層体６１が作製される。

【０１０２】より具体的には、図５（２）に示すよう
に、すでに積層されたセラミックグリーンシート５２上
に、導体膜キャリア４１を重ね、その状態で、導体膜キ
ャリア４１とセラミックグリーンシート５２とを重なり
方向にプレスし、その後、基材４２を矢印６２で示すよ
うに剥離することによって、導体膜４３が、基材４２か
らセラミックグリーンシート５２へと転写される。

【０１０３】次に、図５（３）に示すように、導体膜４
３が転写されたセラミックグリーンシート５２上に、キ
ャリアフィルム５１によって裏打ちされたセラミックグ
リーンシート５２が重ねられ、その状態で、プレスを付
与し、その後、キャリアフィルム５１を矢印６３で示す
ように剥離することが行なわれる。

【０１０４】このように、図５（２）に示した工程と図
５（３）に示した工程とが所望の回数だけ繰り返され、
それによって、目的とする生の積層体６１が得られる。

【０１０５】なお、図５（３）に示した工程を実施する
とき、積層されるべきセラミックグリーンシート５２
は、すでにキャリアフィルム５１を剥離した後の段階の
ものであってもよい。

【０１０６】このようにして得られた生の積層体６１
は、前述した第１および第２の実施形態の場合と同様、
必要に応じてカットされ、脱脂および焼成工程に付され
た後、端子電極等を形成することによって、目的とする
積層セラミックコンデンサのような積層セラミック電子
部品が得られる。

【０１０７】なお、図４に示した第２の実施形態および
図５に示した第３の実施形態において、導体膜キャリア
４１に備える導体膜４３は、予めパターニングされてい
るのではなく、導体膜４３をセラミックグリーンシート
５２へ転写するとき、導体膜４３の一部のみを転写する
ようにし、それによって所望のパターンを与えるように
してもよい。

【０１０８】この後者の方法による場合には、基材４２
を介して、導体膜４３の所望のパターンを与える部分の
みに圧力を及ぼすことによって転写する方法や、所望の
パターンに対応するパターンをもって接着層を形成し、
接着層が形成された領域のみにおいて、接着層による接
着に基づいて導体膜４３を転写する方法などを採用する
ことができる。

【０１０９】以上、図３ないし図５を参照して説明した
積層セラミック電子部品の製造方法を実施した後に残さ
れた基材４２は、必要に応じて、洗浄した後、再び使用
することができる。たとえば、従来の図６に示したステ
ンレス鋼からなる基材２の場合には、これを再利用する
ためには、研磨処理および／または電解エッチング処理
およびクロメート処理などの離型処理が必要であった
が、この発明に係る導体膜キャリア４１の基材４２にあ
っては、一般的に金属より硬い導電性酸化物膜によって
一方主面が与えられているため、この主面に傷が付きに
くく、洗浄さえ行なえば、十分に再利用することができ
る。

【０１１０】なお、上述した製造方法は、積層セラミッ
クコンデンサ以外の、たとえば、多層セラミック基板、
積層セラミックインダクタ、積層フィルタといった積層
セラミック電子部品の製造にも適用することができる。

【０１１１】次に、この発明に係る導体膜キャリアを評
価するために実施した実験例について説明する。

【０１１２】この実験例では、表１に示すように、試料
１〜１３の各々に係る導体膜キャリアを作製した。な
お、試料番号に＊を付したものは、この発明の範囲外ま
たはこの発明の好ましい範囲外の試料である。

【０１１３】表１に示した試料１〜１３のうち、試料１
〜１１については、次のように作製した。

【０１１４】基材の一部となる可撓性を有する有機樹脂
フィルムとして、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタ
レートフィルムを用意し、この上に、金属膜を形成する
ため、表１に示すような種々の厚みをもって、銅を蒸着
した。

【０１１５】次に、導電性酸化物膜を形成するため、表
１に示すような種々の厚みをもって、ＩＴＯをスパッタ
リングによって成膜した。このとき、ＩＴＯの成膜条件
を種々に変えることによって、ＩＴＯからなる導電性酸
化物膜の表面粗さＲａを種々に変えた。この導電性酸化
物膜の表面粗さＲａについては、ＡＦＭ（原子間力顕微
鏡）によって、２５μｍ×２５μｍのエリア測定し、２
５６×２５６個に分割された各測定点の高さ情報Ｘ_i を
元に、Ｒ_a ＝Σ｜Ｘ_i −Ｘ_ave ｜／ｎの式に従って算出
した。その測定結果を表１に示す。

【０１１６】次に、上述のようにして得られた基材を、
ニッケルめっき浴中に浸漬し、基材に給電しながら電気
めっきを実施することによって、ＩＴＯからなる導電性
酸化物膜上に、導体膜としてのニッケルめっき膜を形成
した。このとき、ニッケルめっき膜として、表１の「転
写率」の欄に示すように、厚み０．４μｍのものと厚み
０．２μｍのものとを形成した。

【０１１７】他方、表１に示した試料１２については、
次のように作製した。すなわち、試料１２は、図６に示
した導体膜キャリア１に相当するもので、基材として、
鏡面研磨されたステンレス鋼からなる金属薄板を用意
し、この上に、電気めっきによってニッケルからなる導
体膜を、０．４μｍおよび０．２μｍの２種類の厚みを
もって形成した。

【０１１８】表１に示した試料１３については、次のよ
うに作製した。すなわち、試料１３は、図７に示した導
体膜キャリア１１に相当するもので、基材として、シリ
コーン系離型層が形成されたポリエチレンテレフタレー
トフィルムを用意し、この上に、導体膜として、銅を、
８０ｎｍの厚みをもって蒸着することによって第１の金
属膜を形成し、その後、ニッケルめっき浴中に浸漬し、
第１の金属膜に給電しながら電気めっきを施し、ニッケ
ルからなる第２の金属膜を形成した。このとき、第１お
よび第２の金属膜の厚みの合計が、表１に示すように、
０．４μｍとなるものと０．２μｍとなるものとの２種
類の導体膜を作製した。

【０１１９】次に、これら試料１〜１３の各々に係る導
体膜キャリアについて、導体膜を形成する前の状態にお
いて曲げ試験を実施し、この曲げ試験後の観察によっ
て、基材の可撓性を評価した。表１には、この可撓性の
評価結果が示されている。

【０１２０】また、試料１〜１３について、導体膜を形
成するための電気めっきを実施したときのめっき性を、
めっき時の制御の容易さおよびめっき膜の厚みのばらつ
きの点で評価した。表１には、このめっき性の評価結果
が示されている。

【０１２１】なお、めっき性の評価は、前述した可撓性
の評価の後に実施した。そのため、試料７および９のよ
うに、可撓性の評価が「×」のものについては、めっき
性の評価を行なわなかった。

【０１２２】次に、可撓性の評価が「○」であって、さ
らにめっき性の評価が「○」である、試料１〜６および
１０〜１３について、導体膜の剥離性を評価した。この
剥離性の評価にあたっては、導体膜キャリアにおける基
材を残して、導体膜を格子状に切断し、セラミックグリ
ーンシートへの転写率を評価することを行なった。表１
には、導体膜の厚みが０．４μｍの場合と０．２μｍの
場合との各々について、転写率が示されている。

【０１２３】次に、導体膜の厚みが０．４μｍの場合の
転写率が１００％である、試料１〜６ならびに基材とし
てステンレス鋼からなる金属薄板を用いた試料１２につ
いて、基材の再利用性について評価した。より具体的に
は、同じ基材を用いながら、自動連続めっき装置による
厚み０．４μｍの導体膜の形成および導体膜のセラミッ
クグリーンシートへの転写および剥離と、その後の基材
の洗浄とを９回繰り返し、１０回目に形成した厚み０．
４μｍの導体膜について、傷などの欠陥の有無を調べる
とともに、前述した方法と同様の方法によって、セラミ
ックグリーンシートへの転写率を評価した。これらの結
果が表１に示されている。

【０１２４】

【表１】

【０１２５】表１からわかるように、この発明の範囲内
にある試料１〜６によれば、良好な可撓性およびめっき
性が得られ、また、基材の再利用性に関して、良好な結
果が得られている。

【０１２６】なお、試料６では、導体膜としてのニッケ
ル膜の厚みが０．２μｍと薄い場合には、１００％の転
写率を得ることができなかったが、これは、導電性酸化
物膜としてのＩＴＯの表面粗さＲａが１０ｎｍと比較的
大きかったためである。このこととＩＴＯの表面粗さＲ
ａが１０ｎｍ未満である試料１〜５との比較から、導電
性酸化物膜の表面粗さＲａは１０ｎｍ未満であることが
好ましいことがわかる。

【０１２７】これらに対して、試料７では、基材に備え
る金属膜としての銅の蒸着厚みが１μｍであるので、ポ
リエチレンテレフタレートフィルムとの密着性が低く、
曲げ試験後においてポリエチレンテレフタレートフィル
ムと銅の蒸着膜との間で銅の蒸着膜に亀裂が生じ、良好
な可撓性が得られなかった。

【０１２８】また、試料９では、導電性酸化物膜として
のＩＴＯの成膜厚みが５００ｎｍであったため、曲げ試
験後において、ＩＴＯ膜にクラックや剥落などが生じ、
上述した試料７の場合と同様、良好な可撓性が得られな
かった。

【０１２９】試料８では、基材に備える金属膜としての
銅の蒸着厚みが０．０４μｍ未満の３０ｎｍであったた
め、ここにおいて十分な導電性が得られず、そのため、
電気めっき膜の厚みにばらつきが生じ、良好なめっき性
が得られなかった。

【０１３０】試料１０では、導電性酸化物膜としてのＩ
ＴＯの成膜厚みが１０ｎｍ未満の８ｎｍであったため、
ＩＴＯ膜を欠陥のない一様な連続膜として形成すること
ができず、そのため、転写率において良好な結果が得ら
れなかった。

【０１３１】試料１１では、導電性酸化物膜としてのＩ
ＴＯの表面粗さＲａが３０ｎｍと大きかったため、転写
率において良好な結果が得られなかった。

【０１３２】試料１２では、導体膜の剥離性について特
別な配慮をしていないため、転写率について、極めて低
い値を示し、また、基材の再利用性については、導体膜
に欠陥が生じ、また、極めて低い転写率を示した。

【０１３３】これに対して、試料１３では、導体膜の剥
離性についての特別な配慮が払われているので、１００
％の転写率を示した。なお、この試料１３は、前述した
図７に示した導体膜キャリア１１に相当するもので、前
述したような問題を含んでいる。

【０１３４】

【発明の効果】以上のように、この発明に係る導体膜キ
ャリアによれば、基材の表面が平滑で、かつ基材の一方
主面を形成する導電性酸化物膜と導体膜との密着力が弱
いため、導体膜を基材から容易に剥離することができ
る。したがって、導体膜キャリアを用いて、導体膜を基
材から他の部材へ転写するとき、導体膜の転写不良によ
る欠陥を生じにくくすることができ、また、転写に要す
る時間も短くできるので、このような導体膜キャリアを
用いた積層セラミック電子部品の製造において、良好な
歩留まりを得ることができるとともに、製造に有する時
間の短縮を図ることができる。

【０１３５】また、この発明による導体膜キャリアに備
える基材は、十分な可撓性を有していて、その表面を与
える導電性酸化物膜は、通常の金属に比べて、表面に傷
が付きにくいため、このような基材の取り扱いが容易と
なる。したがって、基材上での導体膜の形成および転写
等における基材の取り扱いをそれほど慎重に行なう必要
がなくなり、これらの作業能率を高めることができる。

【０１３６】また、この発明に係る導体膜キャリアによ
れば、基材の表面が平滑であるため、導体膜についても
欠陥がなく平滑なものとすることができる。

【０１３７】また、この発明に係る導体膜キャリアによ
れば、導体膜は、基材に備える導電性酸化物膜との界面
で剥離されるため、導体膜において、所望の金属以外の
金属を含まないようにすることができる。したがって、
電子部品に適用されるとき、電子部品において導体膜に
対して求められる性能を十分に発揮させることができ
る。

【０１３８】また、この発明に係る導体膜キャリアに備
える基材は、可撓性を有し、表面に傷が付きにくく、繰
り返し使用しても、導電性が失われず、導体膜に対して
良好な剥離性が維持される。このようなことから、基材
を問題なく容易に再利用することができ、従来の導体膜
キャリアによれば、導体膜を作製する毎に必要であった
蒸着工程、または研磨および離型処理工程が不要となる
ため、導体膜の製造コストを低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施形態による導体膜キャリ
ア２１の断面構造を示す図である。

【図２】この発明の第２の実施形態による導体膜キャリ
ア３１の断面構造を示す図である。

【図３】この発明に係る積層セラミック電子部品の製造
方法の第１の実施形態を説明するためのもので、この製
造方法に備える典型的な工程を断面図で示している。

【図４】この発明に係る積層セラミック電子部品の製造
方法の第２の実施形態を説明するためのもので、この製
造方法に備える典型的な工程を断面図で示している。

【図５】この発明に係る積層セラミック電子部品の製造
方法の第３の実施形態を説明するためのもので、この製
造方法に備える典型的な工程を断面図で示している。

【図６】この発明にとって興味ある従来の導体膜キャリ
ア１の断面構造を示す図である。

【図７】この発明にとって興味ある他の従来の導体膜キ
ャリア１１の断面構造を示す図である。

【符号の説明】

２１，３１，４１ 導体膜キャリア ２２，３２，４２ 基材 ２３，３３，４３ 導体膜 ２４ 金属薄板 ２５，３６ 導電性酸化物膜 ３４ 有機樹脂フィルム ３５ 金属膜 ４４，５２ セラミックグリーンシート ４５，５４ 複合体 ４６，５５，６１ 積層体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K024 AA02 AA03 AA09 AA10 AA12 AB02 AB03 AB04 AB15 BA04 BA06 BA08 BA09 BB09 BC10 GA16 4K044 AA03 AA06 AA16 BA06 BA08 BA12 BB03 BB04 BC14 CA04 CA13 CA15 CA18 5E082 AB03 BC40 EE05 EE23 EE26 EE39 FG06 FG26 FG54 LL01 LL02 MM24 PP04 PP09

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 厚みが１０ｎｍ以上かつ５００ｎｍ未満
   でありかつ表面粗さＲａが３０ｎｍ未満である導電性酸
   化物膜が少なくともその一方主面上に形成された、可撓
   性を有する基材と、 前記導電性酸化物膜上に形成された導体膜とを備える、
   導体膜キャリア。
2. 【請求項２】 前記導電性酸化物膜の表面粗さＲａは、
   １０ｎｍ未満である、請求項１に記載の導体膜キャリ
   ア。
3. 【請求項３】 前記導電性酸化物膜の厚みは、２００ｎ
   ｍ未満である、請求項１または２に記載の導体膜キャリ
   ア。
4. 【請求項４】 前記導電性酸化物膜は、ＩＴＯ（Ｉｎｄ
   ｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）からなる、請求項１ない
   し３のいずれかに記載の導体膜キャリア。
5. 【請求項５】 前記導体膜は、ニッケル、銅、パラジウ
   ムおよび銀からなる群から選ばれた少なくとも１種を主
   成分とする、請求項１ないし４のいずれかに記載の導体
   膜キャリア。
6. 【請求項６】 前記導体膜は、湿式めっきにより形成さ
   れる、請求項１ないし５のいずれかに記載の導体膜キャ
   リア。
7. 【請求項７】 前記導体膜は、電気めっきにより形成さ
   れる、請求項１ないし５のいずれかに記載の導体膜キャ
   リア。
8. 【請求項８】 前記基材は、可撓性を有する金属薄板を
   備え、前記金属薄板上に前記導電性酸化物膜が形成され
   ている、請求項１ないし７のいずれかに記載の導体膜キ
   ャリア。
9. 【請求項９】 前記金属薄板は、ステンレス鋼、銅、ア
   ルミニウム、錫、銀、亜鉛、ニッケルおよびチタンから
   なる群から選ばれた少なくとも１種を主成分とする、請
   求項８に記載の導体膜キャリア。
10. 【請求項１０】 前記基材は、可撓性を有する有機樹脂
    フィルムと、前記有機樹脂フィルム上に形成されかつ厚
    みが０．０４μｍ以上かつ１μｍ未満である金属膜とを
    備え、前記金属膜上に前記導電性酸化物膜が形成されて
    いる、請求項１ないし７のいずれかに記載の導体膜キャ
    リア。
11. 【請求項１１】 前記金属膜は、銅、ニッケル、銀、金
    およびアルミニウムからなる群から選ばれた少なくとも
    １種を主成分とする層を含む、請求項１０に記載の導体
    膜キャリア。
12. 【請求項１２】 前記金属膜は、ニッケルおよびクロム
    の少なくとも一方を主成分とする、前記有機樹脂フィル
    ムに接する層を含む、請求項１０または１１に記載の導
    体膜キャリア。
13. 【請求項１３】 前記基材から分離された前記導体膜
    は、積層セラミック電子部品の内部導体膜として使用さ
    れる、請求項１ないし１２のいずれかに記載の導体膜キ
    ャリア。
14. 【請求項１４】 前記積層セラミック電子部品は、積層
    セラミックコンデンサであり、前記内部導体膜は、静電
    容量形成のための内部電極である、請求項１３に記載の
    導体膜キャリア。
15. 【請求項１５】 請求項１ないし１２のいずれかに記載
    の導体膜キャリア上であって、前記導体膜を覆うよう
    に、セラミックグリーンシートを成形することによっ
    て、前記導体膜と前記セラミックグリーンシートとから
    なる複数個の複合体を作製する工程と、 複数個の前記複合体を積層することによって、生の積層
    体を作製する工程と、各前記複合体から前記基材を剥離
    する工程と、 前記生の積層体を焼成する工程とを備える、積層セラミ
    ック電子部品の製造方法。
16. 【請求項１６】 前記セラミックグリーンシートを成形
    する前に、前記導体膜をパターニングする工程をさらに
    備える、請求項１５に記載の積層セラミック電子部品の
    製造方法。
17. 【請求項１７】 セラミックグリーンシートを用意する
    工程と、 請求項１ないし１２のいずれかに記載の導体膜キャリア
    に備える前記導体膜を、前記基材から前記セラミックグ
    リーンシートへ転写することによって、前記導体膜と前
    記セラミックグリーンシートとからなる複数個の複合体
    を作製する工程と、 複数個の前記複合体を積層することによって、生の積層
    体を作製する工程と、前記生の積層体を焼成する工程と
    を備える、積層セラミック電子部品の製造方法。
18. 【請求項１８】 複数枚のセラミックグリーンシートを
    用意する工程と、 請求項１ないし１２のいずれかに記載の複数個の導体膜
    キャリアを用意する工程と、 前記セラミックグリーンシートを積層するとともに、積
    層後の各前記セラミックグリーンシート上に、前記導体
    膜キャリアに備える前記導体膜を、前記基材から前記セ
    ラミックグリーンシートへ転写することによって、積層
    された複数枚の前記セラミックグリーンシートおよび前
    記セラミックグリーンシート間に延びる前記導体膜を備
    える、生の積層体を作製する工程と、 前記生の積層体を焼成する工程とを備える、積層セラミ
    ック電子部品の製造方法。
19. 【請求項１９】 前記導体膜を前記セラミックグリーン
    シートへ転写する前に、前記導体膜をパターニングする
    工程をさらに備える、請求項１７または１８に記載の積
    層セラミック電子部品の製造方法。
20. 【請求項２０】 前記導体膜を前記セラミックグリーン
    シートへ転写するとき、前記導体膜の一部のみを転写す
    る、請求項１７または１８に記載の積層セラミック電子
    部品の製造方法。
21. 【請求項２１】 前記生の積層体において、複数個の前
    記導体膜は、積層セラミックコンデンサにおける静電容
    量形成のための内部電極を与えるように配置され、積層
    セラミックコンデンサが製造される、請求項１５ないし
    ２０のいずれかに記載の積層セラミック電子部品の製造
    方法。