JP2003147134A

JP2003147134A - 半導電水密組成物

Info

Publication number: JP2003147134A
Application number: JP2001338520A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Suzuki; 淳鈴木; Tomomitsu Senso; 智充千艘; Tsutomu Tashiro; 田代　　勉; Tomohiko Ikeda; 友彦池田; Tatsuya Ogawa; 達也小川; Kunio Hanabusa; 久仁夫英; Hirokazu Kiyomi; 広和清見
Original assignee: Fujikura Ltd
Current assignee: Fujikura Ltd
Priority date: 2001-08-27
Filing date: 2001-11-02
Publication date: 2003-05-21

Abstract

(57)【要約】【課題】撚り合わせ導体に対して、押出被覆法などによ
り導体素線間に水密性組成物を充填でき、この充填と同
時に半導電層あるいは内部半導電層を形成できるような
半導電水密組成物を得ることにある。また、この半導電
水密組成物が導体素線間に充填され、かつ導体上に被覆
された絶縁電線を得ることにある。【解決手段】撚り合わせ導体１の上に半導電水密組成物
を押出被覆し、導体１素線間の空隙に充填して水密層２
を形成すると同時に導体１外周面にも被覆し半導電層２
を形成する。半導電水密組成物に、ＥＶＡまたはＥＥＡ
を含むベースポリマー１００重量部と、接着性ポリマー
１０〜３０重量部と、カーボンブラックとしてのアセチ
レンブラックまたはファーネスブラック４０〜８０重量
部もしくはカーボンブラックとしてのケッチェンブラッ
ク５〜５０重量部を必須成分として含む樹脂組成物を用
いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導電性と水密
性を有する半導電水密組成物およびこれを用いた絶縁電
線に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、導体素線間の空隙に水密性組
成物を充填して、導体素線間に水が侵入し、水が導体内
を移動することを防止するようにした水密絶縁電線が知
られている。また、ある種の絶縁電線においては、導体
と絶縁体との間に半導電性組成物からなる半導電層を設
け、電界傾度を緩和するようにしたものがある。

【０００３】上記水密絶縁電線において、水密性組成物
を導体素線間に充填するには、素線の撚り合わせの際に
水密性組成物からなるテープ、紐を同時に撚り合わせる
ことで行われており、作業が面倒である欠点がある。こ
のため、撚り合わせ後の導体に対してその素線間に水密
性組成物を押出被覆法などにより充填できれば、作業性
が大きく改善されることになる。

【０００４】また、導体に対して押出被覆法などにより
水密性組成物を充填できれば、この水密性組成物に半導
電性を付与してやれば、同時に半導電層あるいは内部半
導電層も形成できることになり、絶縁電線製造の作業性
はさらに改善されることになる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】よって、本発明におけ
る課題は、撚り合わせ後の導体に対して、押出被覆法な
どにより導体素線間に水密性組成物を充填でき、この充
填と同時に半導電層あるいは内部半導電層を形成できる
ような半導電水密組成物を得ることにある。また、この
半導電水密組成物が導体素線間に充填され、かつ導体上
に被覆された絶縁電線を得ることにある。

【０００６】かかる課題を解決するため、請求項１にか
かる発明は、エチレン−酢酸ビニル共重合体またはエチ
レン−エチルアクリレート共重合体を含むベースポリマ
ー１００重量部と、接着性ポリマー１０〜３０重量部
と、アセチレンブラックまたはファーネスブラック４０
〜８０重量部を含む半導電水密組成物である。請求項２
にかかる発明は、エチレン−酢酸ビニル共重合体または
エチレン−エチルアクリレート共重合体を含むベースポ
リマー１００重量部と、接着性ポリマー１０〜３０重量
部と、ケッチェンブラック５〜５０重量部を含む半導電
水密組成物である。

【０００７】請求項３にかかる発明は、請求項１または
２に記載の半導電水密組成物が導体素線間に充填され、
かつ導体上に被覆されてなる絶縁電線である。請求項４
にかかる発明は、請求項１または２に記載の半導電水密
組成物を導体上に押出被覆して導体素線間に充填し、か
つ導体上に被覆する絶縁電線の製法である。請求項５に
かかる発明は、ポリエチレン絶縁電線である請求項３記
載の絶縁電線である。請求項６にかかる発明は、架橋ポ
リエチレン絶縁電線である請求項３記載の絶縁電線であ
る。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、実施の形態に基づいて、本
発明を詳しく説明する。図１は、本発明の絶縁電線の一
例を示すもので、図中符号１は、導体を示す。この導体
１は、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金な
どからなる素線を複数本撚り合わせたものである。な
お、図面では、理解のために導体１の素線間の空隙を実
際のものに比べて拡大して描いてある。この導体１の各
素線間の空隙には、本発明の半導電水密組成物が充填さ
れて水密層２が形成され、かつ導体１の表面にも同じ半
導電水密組成物が被覆されて厚さ０．０１〜２ｍｍ程度
の半導電層３が形成されている。

【０００９】水密層２および半導電層３をなす半導電水
密組成物は、ベースポリマー１００重量部と、接着性ポ
リマー１０〜３０重量部と、カーボンブラックとしての
アセチレンブラックまたはファーネスブラック４０〜８
０重量部もしくはカーボンブラックとしてのケッチェン
ブラック５〜５０重量部を必須成分として含む樹脂組成
物である。

【００１０】ここでのベースポリマーには、エチレン−
酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン−エチルアク
リレート共重合体（ＥＥＡ），エチレン−メチルアクリ
レート共重合体（ＥＭＡ），エチレン−メチルメタクリ
レート共重合体（ＥＭＭＡ）などの極性基を有するエチ
レン系共重合体が１種または２種以上が用いられ、ＥＶ
ＡまたはＥＥＡを必須成分として含むものが用いられ
る。

【００１１】ＥＶＡとしては、酢酸ビニル含有量が４７
ｗｔ％以下、好ましくは１０〜３３ｗｔ％、さらに好ま
しくは１９〜３３ｗｔ％のもので、かつそのメルトフロ
ーレイト（ＭＦＲ、ＪＩＳＫ６７６０で測定）が１〜
３００、好ましくは１〜１５０、さらに好ましくは３〜
１００のものが用いられる。

【００１２】酢酸ビニル含有量が４７ｗｔ％を超えるＥ
ＶＡは、ペレット形状の製造が困難で市販されておら
ず、ＭＦＲが１未満では導体１の素線間の空隙にこの組
成物を充填することができず、３００を超えると機械的
強度が低く、絶縁電線の延線時の外力で水密層２、半導
電層３が破壊する恐れがある。これらの酢酸ビニル含有
量とＭＦＲとを得るためには、２種以上のＥＶＡをブレ
ンドしてもよい。

【００１３】また、ＥＥＡとしては、エチルアクリレー
ト含有量が３５ｗｔ％以下、好ましくは１３〜３５ｗｔ
％のもので、かつそのメルトフローレイト（ＭＦＲ、Ｊ
ＩＳＫ６７６０で測定）が１〜３００、好ましくは１〜
１５０、さらに好ましくは３〜１００のものが用いられ
る。

【００１４】エチルアクリレート含有量が３５ｗｔ％を
超えるＥＥＡは、安全性の面から製造が困難で市販され
ておらず、ＭＦＲが１未満では導体１の素線間の空隙に
この組成物を充填することができず、３００を超えると
機械的強度が低く、絶縁電線の延線時の外力で水密層
２、半導電層３が破壊する恐れがある。

【００１５】これらのエチルアクリレート含有量とＭＦ
Ｒとを得るためには、２種以上のＥＥＡをブレンドして
もよい。このようなベースポリマーは、したがって溶融
粘度が非常に低く、溶融時の流れがよく、押出被覆の際
の１０〜３０ＭＰａの圧力で、半導電水密組成物が素線
間の空隙に充填されることになる。

【００１６】また、接着性ポリマーとしては、無水マレ
イン酸、マレイン酸、アクリル酸などの不飽和カルボン
酸で変性あるいはグラフト重合された低密度ポリエチレ
ン、直鎖状低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ＥＶ
Ａ、ＥＥＡや水添脂環属石油樹脂などが１種または２種
以上用いられる。これら接着性ポリマーにおける不飽和
カルボン酸の結合量は、０．５〜５ｗｔ％程度とされ
る。

【００１７】この接着性ポリマーの配合量は、ベースポ
リマー１００重量部に対して１０〜３０重量部とされ、
１０重量部未満では接着性の向上が不十分であり、３０
重量部を超えてももはやその効果の増大が認められなく
なる。接着性ポリマーは、金属に対する接着性が高く、
導体１の素線に良く密着し、水密性を向上させる。

【００１８】また、本発明の半導電水密組成物では、上
記以外のポリマーを配合することができる。このポリマ
ーとしては、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエ
チレンなどのポリオレフィン系ポリマーが挙げられ、こ
れにより半導電水密組成物のＭＦＲ、機械的特性、熱変
形温度等の熱特性等を調整することができる。また、吸
水性ポリマー粉末をベースポリマー１００重量部に対し
て５〜２０重量部程度配合してもよく、これを配合する
ことで浸水した際に、この水を吸収して半導電水密組成
物の体積が数倍に膨張して、水のさらなる侵入を確実に
防止することができる。

【００１９】半導電性を与えるカーボンブラックには、
第１の群としてアセチレンブラック、ファーネスブラッ
クが挙げられる。アセチレンブラックとしては、粒径３
５μｍ、表面積（ＢＥＴ）６８ｍ²／ｇ、ＤＢＰ吸油量
１７５ｍｌ／１００ｇのものが用いられる。ファーネス
ブラックとしては、粒径２５〜５５μｍ、表面積（ＢＥ
Ｔ）３３〜２２５ｍ²／ｇ、ＤＢＰ吸油量１３５〜１７
０ｍｌ／１００ｇのものが用いられる。

【００２０】アセチレンブラックの具体的なものとして
は、例えば「デンカブラック」（商品名、電気化学工業
（株）製）などがある。ファーネスブラックの具体的な
ものとしては、「ＢＰ３５００」（商品名、キャボット
・スペシャルティ・ケミカルズ社製）などがある。

【００２１】カーボンブラックの第２の群として、ケッ
チェンブラックが挙げられる。このファーネスブラック
が挙げられる。このケッチェンブラックとしては、粒径
１〜５０μｍ、表面積（ＢＥＴ）７００〜１３００ｍ²
／ｇ、ＤＢＰ吸油量３５０〜５００ｍｌ／１００ｇのも
のが用いられる。ケッチェンブラックの具体的なものと
しては、「ケッチェンＥＣ」、「ケッチェンＥＣ−６０
０ＪＤ」（商品名ケッチェンブラック・インターナシ
ョナル社製）などがある。

【００２２】カーボンブラックの配合量は、アセチレン
ブラックおよびファーネスブラックでは、ベースポリマ
ー１００重量部に対して４０〜８０重量部、好ましくは
５０〜７０重量部とされ、４０重量未満では必要な導電
性が得られず、８０重量部を超えると組成物の溶融粘度
が高くなり、充填が困難になる。

【００２３】ケッチェンブラックでは、少量の添加で高
い導電性が得られるので、ベースポリマー１００重量部
に対して５〜５０重量部、好ましくは１０〜４０重量
部、さらに好ましくは１５〜３５重量部とされ、５重量
未満では必要な導電性が得られず、５０重量部を超える
と組成物の溶融粘度が高くなり、充填が困難になる。

【００２４】この半導電水密組成物では、そのほかテト
ラキス［メチレン−３（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−
ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタンなどの酸
化防止剤、ベンゾトリアゾール、３−（Ｎ−サリチロイ
ル）アミノ−１，２，４−トリアゾールなどの銅害防止
剤、ジクミルパーオキサイド、ビニルトリメトキシシラ
ンなどの架橋剤などの添加剤を適宜添加することができ
る。

【００２５】このような配合組成の半導電水密組成物で
は、組成物としてのＭＦＲが１以上、好ましくは１０以
上であることが好ましく、ＭＦＲをこの範囲とすること
で、押出被覆により導体１の素線の空隙にこれを押し込
み、充填することができるようになる。また、この半導
電水密組成物の導電性は、体積抵抗率で、１０¹〜１０⁶
Ω・ｃｍとされる。この範囲の導電性は、カーボンブラ
ックの配合量の調整により簡単に得ることができる。

【００２６】上記半導電層３の上には、絶縁体４が被覆
されて、この例の絶縁電線となっている。この絶縁体４
は、ポリエチレンまたは架橋ポリエチレンからなるもの
で、その厚さは１〜３０ｍｍ程度となっている。

【００２７】絶縁体４が架橋ポリエチレンからなるもの
では、化学架橋、シラン架橋、電子線架橋のいずれかで
架橋されたポリエチレンが用いられる。化学架橋では、
ジクミルパーオキサイドなどの有機過酸化物を添加した
低密度ポリエチレンが用いられる。シラン架橋では、低
密度ポリエチレンにビニルシラン、有機過酸化物、有機
スズ化合物などの縮合触媒を添加した組成物やシラング
ラフトマーに縮合触媒を添加した組成物が用いられる。

【００２８】絶縁体４をなす架橋ポリエチレンの架橋度
は、ゲル分率で４０〜９０％とされ、４０％未満では耐
熱性が不十分であり、９０％を超えると長時間の押出作
業が困難になる。また、絶縁体４をなすポリエチレン、
架橋ポリエチレンのいずれにおいても、「バルカン９Ａ
−３２」（商品名、キャボット・スペシャルティ・ケミ
カルズインク製）などのカーボンブラックを０．５〜１
ｗｔ％添加することで、絶縁体４の耐候性が向上して好
ましい。

【００２９】このような絶縁電線の製造は、以下のよう
にして行われる。まず、上記配合組成の半導電水密組成
物を二軸押出機、ニーダ、バンバリーミキサなどにより
溶融混練りし、さらにこれを造粒機によりペレットとす
る。ついで、このペレットを押出機により導体１上に押
出被覆する。この押出被覆は、通常のクロスヘッドダイ
を装着した押出機で行われる。

【００３０】この時、半導電水密組成物は、溶融状態で
かつ１０〜３０ＭＰａの高圧で導体１上に押し出され、
しかも組成物の溶融粘度が上述のように低いので、導体
１の素線間のわずかな空隙に侵入し、これを埋めて水密
層２となる。これと同時に、導体１の外表面にも半導電
水密組成物が被覆され、半導電層３が形成される。

【００３１】ついで、この半導電層３の上に絶縁体４と
なるポリエチレン組成物を押出被覆する。この半導電水
密組成物とポリエチレン組成物との押出被覆は、二層同
時押出により、一挙に行うことができる。絶縁体４が架
橋ポリエチレンからなるものでは、ついで架橋を行う。

【００３２】化学架橋によるものでは、過熱水蒸気、加
熱ガスなどを用いた加熱により行われる。シラン架橋に
よるものでは、大気中の水分、蒸気、温水などの水分と
の接触により行われる。さらに、電子線架橋によるもの
では、電子線を５〜３０Ｍｒａｄ程度照射することによ
り行われる。また、絶縁電線のシュリンクバック特性を
良好とするため、押出被覆後に空気中または温水中で徐
冷してもよい。

【００３３】このような絶縁電線においては、上述の半
導電水密組成物の溶融粘度が低いので導体１素線間に完
全に侵入してその空隙を完璧に埋め、良好な水密層２が
形成される。また、半導電水密組成物は、金属に対する
接着性が良好であるので、水密層２は素線に対して良く
密着する。このため、この絶縁電線は高い水密性を発揮
する。また、水密層２と半導電層３との形成が同時に１
度の押出被覆作業で行われるので、作業性が高いものと
なる。

【００３４】図２は、この発明の絶縁電線の他の例を示
すもので、この例のものはいわゆるＣＶケーブルの例で
ある。図２において、図１に示したものと同一構成部分
には同一符号を付してその説明を省略する。

【００３５】この例のケーブルは、導体１の素線間の空
隙に上述の半導電水密組成物が充填されて水密層２が形
成され、この導体１上に半導電水密組成物が被覆されて
内部半導電層３が設けられている。この内部半導電層３
は、先の例の半導電層３と同一のものである。

【００３６】この内部半導電層３の上には、架橋ポリエ
チレンからなる絶縁体４が設けられ、この絶縁体４の上
には半導電性樹脂組成物からなる外部半導電層５が設け
られている。さらに、この外部半導電層５の上には銅テ
ープなどからなる遮蔽層６が設けられ、この遮蔽層６の
上にはポリ塩化ビニル、ポリエチレンなどからなるシー
ス７が設けられて、この例のＣＶケーブルとなってい
る。

【００３７】絶縁体４をなす架橋ポリエチレンは、化学
架橋、シラン架橋によって架橋された低密度ポリエチレ
ンが用いられ、具体的な架橋方法は先の例で説明した通
りである。また、外部半導電層５をなす半導電性樹脂組
成物は、ポリエチレン、ＥＶＡ、ＥＥＡなどのポリマー
にカーボンブラックを適量添加したものが用いられ、内
部半導電層３をなす半導電水密組成物を用いてもよい。

【００３８】この例のケーブルの製造は、導体１に水密
層２および内部半導電層３となる半導電水密組成物を先
の例と同様に押出被覆し、ついで絶縁体４となる未架橋
のポリエチレン組成物を押出被覆し、さらにこの上に外
部半導電層５となる半導電性樹脂組成物を押出被覆し
て、ケーブルコアとする。この３回の押出被覆作業を、
３層同時押出法で１回の押出作業で行うこともできる。

【００３９】ついで、このケーブルコアを加熱あるいは
水分と接触させて、絶縁体４等を架橋したのち、この上
に銅テープ等を巻回して遮蔽層６を形成し、さらにシー
ス７となるポリ塩化ビニル組成物、ポリエチレン組成物
等を押出被覆する方法で行われる。

【００４０】この例のＣＶケーブルでは、水密層２をな
す半導電性樹脂組成物と、内部半導電層３をなす半導電
水密組成物とを、必ずしも同一とする必要はなく、この
ばあいには、異なる半導電水密組成物を用いた２度の押
出被覆を行うことになる。勿論これを多層同時押出被覆
で行うことができる。

【００４１】このようなＣＶケーブルにおいては、上述
の半導電水密組成物の溶融粘度が低いので導体１素線間
に完全に侵入してその空隙を完璧に埋め、良好な水密層
２が形成される。また、半導電水密組成物は、金属に対
する接着性が良好であるので、水密層２は素線に対して
良く密着する。このため、このＣＶケーブルは高い水密
性を発揮する。また、水密層２と半導電層３との形成が
同時に１度の押出被覆作業で行われるので、作業性が高
いものとなる。

【００４２】以下、具体例を示す。表１ないし３に示し
た試験番号１〜２２の配合組成の半導電水密組成物を用
意した。銅素線１９本を撚り合わせた外径１４．５ｍ
ｍ、断面積１２０ｍｍ²の円形の導体上に、この半導電
水密組成物を温度１９０〜２１０℃、圧力１０〜１５Ｍ
Ｐａで押出被覆して、水密層と厚さ０．１ｍｍの半導電
層を形成した。この上に、シラン架橋による架橋ポリエ
チレンからなる厚さ３．７ｍｍの絶縁体を設けて絶縁電
線を作製した。

【００４３】これらの絶縁電線について、体積抵抗率、
水密特性Ａ、水密特性Ｂ、密着度、口出し性を評価し
た。体積抵抗率は、日本ゴム協会標準規格（ＳＲＩＳ２
３０１導電性ゴム及びプラスチックの体積抵抗率試験
方法）に準じて、ホイートストンブリッジ法によって実
施した。

【００４４】水密特性Ａは、長さ２ｍの絶縁電線の一端
の切断開口部に、０．０１ＭＰａの水圧を２４時間加
え、電線の他端から水が漏れないものを合格とし、漏れ
たものを不合格とした。水密特性Ｂは、水圧を０．０５
ＭＰａとした以外は、水密特性Ａと同様にして実施、評
価した。

【００４５】密着性は、専用試験治具（カムラー）を使
用して、７００ｋｇ×１０分間保持して、絶縁体が破壊
しなければ合格とし、破壊すれば不合格とした。口出し
性は、専用試験治具で導体と絶縁体との間の半導電層が
剥ぎ取れれば良とし、剥ぎ取れなければ不良とした。こ
れらの結果を表１ないし３に示す。なお、体積抵抗率の
値において、例えば「３Ｅ＋４」は３×１０⁴を表す。

【００４６】また、同様の半導電水密組成物を用い、外
径２０ｍｍ、断面積４００ｍｍ²、撚線数６１本の円形
の導体上に押出被覆し、水密層と厚さ０．１ｍｍの内部
半導電層を形成した。このものにシラン架橋による架橋
ポリエチレンからなる厚さ３ｍｍの絶縁体を設け、この
上に厚さ０．７ｍｍの外部半導電層、銅テープの巻回に
よる遮蔽層および厚さ２ｍｍの塩化ビニル樹脂からなる
シースを順次設けてＣＶケーブルを作製した。

【００４７】このＣＶケーブルについて、水密特性Ｃ、
水密特性Ｄを測定、評価した。水密特性Ｃは、ＩＥＣ２
５４／９７に準じ、長さ３ｍのケーブルの中央部に長さ
５０ｍｍの導体露出部を形成し、この導体露出部を取り
囲む密閉容器を設け、この密閉容器内に０．０１ＭＰａ
の水圧を印加して、室温で１６時間、９０℃で８時間の
ヒートサイクルを１０日間与え、ケーブルの端末部分か
ら水が漏れないものを合格とし、漏れたものを不合格と
した。水密特性Ｄは、水密特性Ａにおける水圧を１ＭＰ
ａとした以外は同様にして実施し、評価した。この結果
も表１ないし３に併せて示した。

【００４８】表１ないし３において、「ＥＶＡ１」は、
酢酸ビニル含有量２８ｗｔ％、ＭＦＲ１５のエチレン−
酢酸ビニル共重合体を、「ＥＶＡ２」は、酢酸ビニル含
有量２８ｗｔ％、ＭＦＲ４００のエチレン−酢酸ビニル
共重合体を、「ＥＶＡ３」は、酢酸ビニル含有量２８ｗ
ｔ％、ＭＦＲ０．１のエチレン−酢酸ビニル共重合体を
示す。

【００４９】「ＥＥＡ１」は、エチルアクリレート含有
量２５ｗｔ％、ＭＦＲ２５のエチレン−エチルアクリレ
ート共重合体を、「ＥＥＡ２」は、エチルアクリレート
含有量２５ｗｔ％、ＭＦＲ２７５のエチレン−エチルア
クリレート共重合体を、「ＥＥＡ３」は、エチルアク
リレート含有量２５ｗｔ％、ＭＦＲ８００のエチレン−
エチルアクリレート共重合体を示す。

【００５０】「接着性ポリマー」は、密度０．９２ｇ／
ｃｍ³、ＭＦＲ３００、マレイン酸変性量１ｗｔ％の低
密度ポリエチレンを示す。「アセチレンカーボン」は、
電気化学（株）製「デンカブラック」（商品名）を示
す。「ファーネスカーボン」は、キャボット・スペシャ
リティ・ケミカルズ社製「ＢＰ３５００」（商品名）を
示す。「ケッチェンカーボン」は、ケッチェンブラック
インターナショナル社製「ケッチェンＥＣ」（商品名）
を示す。

【００５１】「老化防止剤」は、テトラキス［メチレン
−３（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロピオネート］メタンである。「ＤＣＰ」は、ジ
クミルパーオキサイドであり、「シラン化合物」は、ビ
ニルトリメトキシシランである。

【００５２】

【表１】

【００５３】

【表２】

【００５４】

【表３】

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導電水
密組成物にあっては、その溶融粘度が低いので導体上に
押出被覆した際に、素線間の空隙に完全に侵入してその
空隙を完璧に埋め、良好な水密性を有する水密層が形成
される。また、この半導電水密組成物は、金属に対する
接着性が良好であるので、水密層は導体の素線に対して
良く密着し、これによっても高い水密性を発揮する。ま
た、水密層と半導電層との形成が同時に１度の押出被覆
作業で行われるので、作業性が高いものとなる。

【００５６】また、この発明の絶縁電線にあっては、し
たがって高度の水密特性を有するものとなり、その水密
層と半導電層との形成が１度に行え、製造作業性が高い
ものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の絶縁電線の一例を示す概略断面図であ
る。

【図２】本発明の絶縁電線の他の例を示す概略断面図で
ある。

【符号の説明】

１・・・導体、２・・・水密層、３・・・半導電層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考） (Ｃ０８Ｌ 23/08 51:00） (72)発明者田代勉東京都江東区木場一丁目５番１号株式会社フジクラ内 (72)発明者池田友彦東京都江東区木場一丁目５番１号株式会社フジクラ内 (72)発明者小川達也東京都江東区木場一丁目５番１号株式会社フジクラ内 (72)発明者英久仁夫三重県鈴鹿市岸岡町1800番地株式会社フジクラ鈴鹿事業所内 (72)発明者清見広和三重県鈴鹿市岸岡町1800番地株式会社フジクラ鈴鹿事業所内Ｆターム(参考） 4J002 BB061 BB071 BB212 BN052 BN072 BN112 BN232 DA036 FD070 FD140 GQ01 GQ02 5G313 FA01 FB01 FB02 FB03 FC05 FD03 FD04 FD13

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】エチレン−酢酸ビニル共重合体またはエチ
レン−エチルアクリレート共重合体を含むベースポリマ
ー１００重量部と、接着性ポリマー１０〜３０重量部
と、アセチレンブラックまたはファーネスブラック４０
〜８０重量部を含む半導電水密組成物。
【請求項２】エチレン−酢酸ビニル共重合体またはエチ
レン−エチルアクリレート共重合体を含むベースポリマ
ー１００重量部と、接着性ポリマー１０〜３０重量部
と、ケッチェンブラック５〜５０重量部を含む半導電水
密組成物。
【請求項３】請求項１または２に記載の半導電水密組成
物が導体素線間に充填され、かつ導体上に被覆されてな
る絶縁電線。
【請求項４】請求項１または２に記載の半導電水密組
成物を導体上に押出被覆して導体素線間に充填し、かつ
導体上に被覆する絶縁電線の製法。
【請求項５】ポリエチレン絶縁電線である請求項３記載
の絶縁電線。
【請求項６】架橋ポリエチレン絶縁電線である請求項３
記載の絶縁電線。