CN116543970A - 一种紧凑型金属屏蔽结构中压电缆 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种紧凑型金属屏蔽结构中压电缆，包括绝缘线芯及绕包于所述绝缘线芯外部的金属屏蔽层；所述金属屏蔽层具有横截面为扁平状的金属扁丝和半导电隔离条；所述金属扁丝疏绕于所述绝缘线芯的外部；所述半导电隔离条疏绕于所述绝缘线芯的外部、且处在所述金属扁丝的疏绕间隙内；所述金属扁丝与所述半导电隔离条在所述绝缘线芯的外部，形成相间排布方式的密绕结构。本发明可靠提高了金属扁丝在绝缘线芯外部的绕包结构的稳定性，对内、外相对结构层均形成大面积、整体化接触，有利于提高所成型电缆的服役寿命。
Description
技术领域
本发明涉及电力电缆，具体是一种具有紧凑型金属屏蔽结构的中压电缆。
背景技术
中压电缆是指额定电压3.6/6kV～26/35kV的交联聚乙烯绝缘电力电缆。根据技术标准GB/T12706.2—2008和GB/T12706.3—2008中对中压电缆之规定，中压电缆的绝缘线芯上应有金属屏蔽结构。因此，金属屏蔽层是中压电缆组成结构中的不可或缺结构，对确保中压电缆的质量乃至整个运行系统的安全具有至关重要的作用。
中压电缆的金属屏蔽结构，成型方式主要有铜带搭盖绕包结构和铜丝疏绕结构两种。铜丝疏绕屏蔽结构相较于铜带搭盖绕包屏蔽结构而言，不会有铜带搭盖间的氧化层，具有弯曲变形小、热膨胀变形亦小、触电阻不至于成倍增加、质量稳定、服役寿命长等技术特点，这也是当前大部分中压电缆、特别是国外大部分中压电缆采用铜丝疏绕屏蔽结构的原因所在。
传统的铜丝疏绕屏蔽结构，是将横截面为圆形的软铜线直接缠绕在绝缘线芯的外部，环周相邻铜丝之间形成疏绕间隙，且疏绕间隙不应大于4mm，在其表面再采用反向绕包的铜丝或铜带扎紧。此结构的金属屏蔽层，存在如下主要技术问题：
1. 为了提高铜丝在绝缘线芯表层附着的稳定性，以及控制所成型电缆的外径，需要将铜丝在绝缘线芯的表层缠绕的较紧；由于圆形截面的铜丝在绝缘线芯表层的接触面积较小，加之电缆在通电运行时，绝缘结构会发热而有所膨胀，容易使缠绕较紧的铜丝勒进绝缘线芯的表层内，长此以往，金属屏蔽层的铜丝会经表层损伤到绝缘线芯的绝缘结构，影响中压电缆的服役寿命；
2. 在疏绕及后续挤包成型过程中，绝缘线芯外部的圆形截面铜丝缺乏行之有效的定位控制，以及圆柱体易窜位、不稳的特性，圆形截面铜丝的疏绕间隙不易均匀化排布控制，即便是在疏绕时均匀化排布控制之后，在后续挤包及弯曲过程中亦不可避免的被挤压的不均匀，不仅会影响屏蔽效果，更甚的是，会导致电缆出现放电击穿现象，这又从另一角度影响中压电缆的服役寿命；
3. 铜丝横截面为圆形结构，在绝缘线芯外部径向凸起的尺寸较大，不利于所成型电缆外径的紧凑化控制，且圆形截面会导致层间缝隙较大，不利于阻水性能提高。
上述中压电缆的铜丝疏绕屏蔽结构所存在的技术问题，引起了业内的共鸣和重视，尝试着采用横截面为扁平结构的铜丝加以解决，例如中国专利文献公开的名称为“一种扁平铜丝嵌入护套式屏蔽中高压电缆”（公开号CN205645387U，公开日2016年10月12日）的技术。该技术将组成金属屏蔽层的铜丝，以横截面为扁平结构成型，疏绕于绝缘线芯的外部，在外部挤包护套层时，使护套料流入环周相邻铜丝的疏绕间隙内，从而使扁铜丝嵌入护套层内。
公开号CN205645387U的技术相较于传统铜丝疏绕屏蔽结构而言，通过将铜丝的横截面以扁平结构成型，一方面增大了铜丝与绝缘线芯表层的接触面积，有效解决了金属屏蔽层的铜丝易勒入绝缘线芯表层的技术问题；二方面改善了铜丝在绝缘线芯表层的附着稳定性，疏绕的铜丝不易滑动、松散；三方面减小了铜丝在绝缘线芯表层的外凸尺寸，有利于所成型电缆外径的紧凑化控制。然而，该技术由于铜丝在绝缘线芯外部以疏绕间隙的绕包结构，以及铜丝在护套层内的嵌入结构，在护套层的挤包成型过程中，环周相邻铜丝之间缺乏行之有效的定位控制，护套料在流入环周相邻铜丝的疏绕间隙内时，容易挤压铜丝在绝缘线芯外部发生影响疏绕间隙均匀化的位移，影响所成型金属屏蔽层的屏蔽效果。另外，在电缆成型结构中，护套料为体积电阻率偏高的绝缘材料，其嵌入疏绕结构的相邻铜丝之间，势必会降低铜丝之间的导电性能，不利于电流可靠通过及电磁场稳定形成，从另一角度影响所成型金属屏蔽层的屏蔽效果。
发明内容
本发明的技术目的在于：针对上述中压电缆的金属屏蔽结构特殊性，以及现有技术的不足，提供一种屏蔽疏绕间隙稳定均匀排布、导电性能可靠的紧凑型金属屏蔽结构中压电缆。
本发明的技术目的通过下述技术方案实现：一种紧凑型金属屏蔽结构中压电缆，包括绝缘线芯及绕包于所述绝缘线芯外部的金属屏蔽层；
所述金属屏蔽层具有横截面为扁平状的金属扁丝和半导电隔离条；
所述金属扁丝疏绕于所述绝缘线芯的外部；
所述半导电隔离条疏绕于所述绝缘线芯的外部、且处在所述金属扁丝的疏绕间隙内；
所述金属扁丝与所述半导电隔离条在所述绝缘线芯的外部，形成相间排布方式的密绕结构。
上述技术措施针对于上述中压电缆的金属屏蔽结构特殊性，将起屏蔽效用的金属（软铜或软铝）丝以横截面为扁平状结构成型-即金属扁丝，金属扁丝在绝缘线芯的外部以疏绕间隙形成疏绕排布结构，不存在金属扁丝之间的搭盖配合。同时，在疏绕金属扁丝的疏绕间隙内，排布横截面为扁平状结构的半导电隔离条，从而使半导电隔离条与金属扁丝在绝缘线芯的外部形成相间排布结构，半导电隔离条结合金属扁丝在绝缘线芯外部形成密绕配合结构，排布在金属扁丝疏绕间隙内的半导电隔离条，对原本疏绕排布的金属扁丝形成稳定、可靠地楔紧定位，不受外力挤压影响。也就是说，在电缆的屏蔽效用中，金属扁丝保持疏绕屏蔽效果；在电缆的成型结构中，半导电隔离条辅助金属扁丝形成密绕结构的金属屏蔽层。
作为优选方案之一，所述金属屏蔽层的金属扁丝和半导电隔离条，在所述绝缘线芯的外部以相间排布方式进行密绕时，所述金属扁丝和所述半导电隔离条的对接缝以互嵌扣合结构或止口搭接结构成型。该技术措施针对于上述金属扁丝与半导电隔离条，在绝缘线芯外部以相间排布方式的密绕结构，将顺序相间的金属扁丝与半导电隔离条以互嵌扣合结构或止口搭接结构形成稳定性更高的整体化结构，在保持金属扁丝疏绕屏蔽效果的同时，金属扁丝在绝缘线芯外部的绕包结构更为稳定，不受外力挤压，亦基本不受所成型电缆的弯曲影响。同时，顺序相间的金属扁丝与半导电隔离条之间的整体化结构组合，大幅增大了金属屏蔽层与内部绝缘线芯表层以及外部后续所挤包结构层-例如护套层之间的接触面积，近似形成了金属屏蔽层的整体化成型，金属屏蔽层对内、对外均形成大面积、整体化接触，基本不会对相对结构层造成接触面小的勒损影响，有利于提高所成型电缆的服役寿命。
进一步的，所述金属扁丝的横截面，具有从宽度方向两侧外延、在厚度方向上内外错位的金属内侧搭盖部和金属外侧搭盖部；
与之对应的，所述半导电隔离条的横截面，具有从宽度方向两侧外延、在厚度方向上内外错位的半导电内侧搭盖部和半导电外侧搭盖部；
所述金属扁丝和所述半导电隔离条，在所述绝缘线芯的外部相间排布密绕时，所述金属扁丝的金属外侧搭盖部，顺序搭盖在所述半导电隔离条的对应半导电内侧搭盖部上；所述半导电隔离条的半导电外侧搭盖部，顺序搭盖在所述金属扁丝的金属内侧搭盖部上；
所述金属扁丝和所述半导电隔离条，在所述绝缘线芯的外部形成对接缝以止口搭接结构成型的金属屏蔽层；
顺序对接的金属外侧搭盖部外壁和半导电外侧搭盖部外壁，以齐平结构配合；
顺序对接的半导电内侧搭盖部内壁和金属内侧搭盖部内壁，以齐平结构配合。
再进一步的，所述金属扁丝的横截面与所述半导电隔离条的横截面相同；
所述金属扁丝横截面的弯折长度与厚度之比为3～5:1。
上述技术措施的金属扁丝和半导电隔离条，分别形成近似Z形结构的横截面，二者在绝缘线芯的外部可连续的规范搭盖形成整体化组合，各对接缝基本保持均匀化，稳定性及屏蔽效果更优，亦易于成型、绕包。金属扁丝与半导电隔离条的横截面尺寸，针对横截面近似Z形结构的特殊性，适应所成型电缆在使用过程中的弯曲变形。
或者，进一步的，所述金属扁丝的横截面，具有从宽度方向两侧外延、在厚度方向上内外错位的金属内侧搭盖部和金属外侧搭盖部；
所述金属内侧搭盖部上具有外折凸起成型的金属外折扣舌，所述金属外折扣舌在所述金属内侧搭盖部的外壁形成内凹结构的金属外扣槽；
所述金属外侧搭盖部上具有内折凸起成型的金属内折扣舌，所述金属内折扣舌在所述金属外侧搭盖部的内壁形成内凹结构的金属内扣槽；
与之对应的，所述半导电隔离条的横截面，具有从宽度方向两侧外延、在厚度方向上内外错位的半导电内侧搭盖部和半导电外侧搭盖部；
所述半导电内侧搭盖部上具有外折凸起成型的半导电外折扣舌，所述半导电外折扣舌在所述半导电内侧搭盖部的外壁形成内凹结构的半导电外扣槽；
所述半导电外侧搭盖部上具有内折凸起成型的半导电内折扣舌，所述半导电内折扣舌在所述半导电外侧搭盖部的内壁形成内凹结构的半导电内扣槽；
所述金属扁丝和所述半导电隔离条，在所述绝缘线芯的外部相间排布密绕时，所述金属扁丝的金属外侧搭盖部，顺序搭盖在所述半导电隔离条的半导电内侧搭盖部上，且所述金属外侧搭盖部上的金属内折扣舌，嵌入所述半导电内侧搭盖部上的对应半导电外扣槽内；所述半导电隔离条的半导电外侧搭盖部，顺序搭盖在所述金属扁丝的金属内侧搭盖部上，且所述半导电外侧搭盖部上的半导电内折扣舌，嵌入所述金属内侧搭盖部上的对应金属外扣槽内；
所述金属扁丝和所述半导电隔离条，在所述绝缘线芯的外部形成对接缝以互嵌扣合结构成型的金属屏蔽层；
顺序对接的金属外侧搭盖部外壁和半导电外侧搭盖部外壁，以齐平结构配合；
顺序对接的半导电内侧搭盖部内壁和金属内侧搭盖部内壁，以齐平结构配合。
再进一步的，所述金属扁丝的横截面与所述半导电隔离条的横截面相同；
所述金属扁丝横截面的弯折长度与厚度之比为8～10:1。
上述技术措施的金属扁丝和半导电隔离条，分别形成近似S形结构的横截面，二者在绝缘线芯的外部可连续的规范搭盖形成整体化组合，各对接缝基本保持均匀化，稳定性及屏蔽效果更优，亦易于成型、绕包。金属扁丝与半导电隔离条的横截面尺寸，针对横截面近似S形结构的特殊性，适应所成型电缆在使用过程中的弯曲变形。
作为优选方案之一，所述金属屏蔽层的金属扁丝和半导电隔离条之间的对接缝处，填充有导电填充层。该技术措施针对于上述金属扁丝与半导电隔离条的相间排布结构，特别是金属扁丝与半导电隔离条之间的整体化组合结构，以导电填充层填充金属扁丝与半导电隔离条之间的对接缝，在基本不影响金属扁丝之间导电性能的前提下，使所成型的金属屏蔽层基本形成光滑无缝隙的整体结构，与内、对相对结构层形成大面积、整体化接触，不会对相对结构层造成接触面小的勒损影响，同时能够在对接缝处起到密封阻水效果。
进一步的，所述导电填充层为阻水型半导电化合物的成型结构；
所述阻水型半导电化合物主要由下列重量配比的原料组成：
乙烯-醋酸乙烯共聚物 80份、
偶氮类引发剂 0.3～0.7份、
石墨 1～3份、
顺丁烯二酸酐 1～2份、
导电炭黑 12～18份、
铜抑制剂 0.5～1.5份。
上述技术措施所成型的导电填充层，以阻水性能好的乙烯-醋酸乙烯共聚物为基料，辅以偶氮类引发剂、石墨、顺丁烯二酸酐、导电炭黑、铜抑制剂。乙烯-醋酸乙烯共聚物与顺丁烯二酸酐，在均混后的研磨接枝反应中能够形成链状化合物。加入的偶氮类引发剂与线型的链状化合物发生自由基反应，产生大量自由基，为后期产品由线型转化为网状交联结构提供基础，以提高密封阻水性能。加入的石墨、导电炭黑有利于降低体积电阻率，提高导电性能。上述技术措施的导电填充层，在金属扁丝与半导电隔离条之间形成紧实、无缝隙填充，能有效防止水分沿金属屏蔽层的径向及纵向传递。经过试验检测发现，水分在上述导电填充层处的纵向渗入深度小于2mm；同时浸泡于水中1周之后，验证径向阻水性能，剥除金属屏蔽层之后，绝缘线芯表层无水痕迹。
作为优选方案之一，所述金属扁丝的横截面棱角为平滑过渡的倒圆结构；
所述半导电隔离条的横截面棱角为平滑过渡的倒圆结构。
上述技术措施的金属扁丝和半导电隔离条对内、外相对结构层友善，在内、外相对结构层的膨胀变形过程中，不会对相对结构层造成划伤。
作为优选方案之一，所述金属屏蔽层的内壁与所述绝缘线芯的绝缘屏蔽层邻接配合；
所述金属屏蔽层的外壁与护套层和/或填充层邻接配合。
本发明的有益技术效果是：上述技术措施针对于上述中压电缆的金属屏蔽结构特殊性，将起屏蔽效用的金属（软铜或软铝）丝以横截面为扁平状结构成型-即金属扁丝，金属扁丝在绝缘线芯的外部以疏绕间隙形成疏绕排布结构，不存在金属扁丝之间的搭盖配合。同时，在疏绕金属扁丝的疏绕间隙内，排布横截面为扁平状结构的半导电隔离条，从而使半导电隔离条与金属扁丝在绝缘线芯的外部形成相间排布结构。也就是说，在电缆的屏蔽效用中，金属扁丝保持疏绕屏蔽效果；在电缆的成型结构中，半导电隔离条辅助金属扁丝形成密绕结构的金属屏蔽层。特别是顺序相间的金属扁丝与半导电隔离条在整体化组合结构中，可靠提高了金属扁丝在绝缘线芯外部的绕包结构的稳定性，对内、外相对结构层均形成大面积、整体化接触，有利于提高所成型电缆的服役寿命。
上述技术措施相较于传统圆形截面铜丝的疏绕屏蔽结构而言，横截面扁平结构的金属扁丝在绝缘线芯表层附着稳定，不易滑移、松散；金属扁丝在绝缘线芯表层形成大面积接触，不易勒进绝缘线芯的表层内；金属扁丝在绝缘线芯表层的外凸尺寸小，有利于所成型电缆外径的紧凑化控制。
上述技术措施相较于公开号CN205645387U技术而言，金属扁丝配合半导电隔离条在绝缘线芯外部形成密绕排布结构，但金属扁丝在绝缘线芯的外部依然起到疏绕屏蔽效果。在疏绕过程及后续挤包过程中，半导电隔离条对金属扁丝形成稳定、可靠地楔紧定位效果，金属扁丝的疏绕间隙可靠地均匀化排布控制，挤包料不会对金属扁丝形成轴向挤压，金属扁丝的疏绕结构亦不受挤包料轴向挤压的影响，所成型电缆的弯曲过程亦不会使金属扁丝发生滑移、松散，稳定性好，屏蔽效果可靠，有利于保障中压电缆的服役寿命。半导电隔离条的体积电阻率较低，在对疏绕金属扁丝形成可靠定位的同时，不会阻绝金属扁丝之间的导电性能，有利于电流可靠通过及电磁场稳定形成，这又从另一角度提高了金属屏蔽层的屏蔽效果。
附图说明
图1为本发明的一种结构示意图。
图2为图1中的一种金属屏蔽层的结构示意图。
图3为图2中的金属扁丝的结构示意图。
图4为图2中的半导电隔离条的结构示意图。
图5为图1中的另一种金属屏蔽层的结构示意图。
图6为图5中的金属扁丝的结构示意图。
图7为图5中的半导电隔离条的结构示意图。
图8为图1中的一种导体总成结构示意图。
图9为图1中的另一种导体总成结构示意图。
图10为本发明的另一种结构示意图。
图中代号含义：1—导体总成；11—中心导体；12—环向导体；13—导电填充层一；2—导体屏蔽层；3—绝缘层；4—绝缘屏蔽层；5—金属屏蔽层；51—金属扁丝；511—金属内侧搭盖部；512—金属外折扣舌；513—金属外侧搭盖部；514—金属内折扣舌；515—金属外扣槽；516—金属内扣槽；52—半导电隔离条；521—半导电内侧搭盖部；522—半导电外折扣舌；523—半导电外侧搭盖部；524—半导电内折扣舌；525—半导电外扣槽；526—半导电内扣槽；53—导电填充层二；6—填充层；7—护套层。
具体实施方式
本发明涉及电力电缆，具体是一种具有紧凑型金属屏蔽结构的中压电缆，下面以多个实施例对本发明的主体技术内容进行详细说明。其中，实施例1结合说明书附图-即图1、图2、图3、图4和图8对本发明的技术方案内容进行清楚、详细的阐释；实施例2结合说明书附图-即图1、图5、图6、图7和图8对本发明的技术方案内容进行清楚、详细的阐释；实施例3结合说明书附图-即图1、图2、图3、图4和图9对本发明的技术方案内容进行清楚、详细的阐释；实施例4结合说明书附图-即图1、图5、图6、图7和图9对本发明的技术方案内容进行清楚、详细的阐释；实施例5结合说明书附图-即图10、图2、图3、图4和图8对本发明的技术方案内容进行清楚、详细的阐释；实施例6结合说明书附图-即图10、图5、图6、图7和图8对本发明的技术方案内容进行清楚、详细的阐释；实施例7结合说明书附图-即图10、图2、图3、图4和图9对本发明的技术方案内容进行清楚、详细的阐释；实施例8结合说明书附图-即图10、图5、图6、图7和图9对本发明的技术方案内容进行清楚、详细的阐释。
在此需要特别说明的是，本发明的附图是示意性的，其为了清楚本发明的技术目的已经简化了不必要的细节，以避免模糊了本发明贡献于现有技术的技术方案。
实施例1
参见图1、图2、图3、图4和图8所示，本发明的中压电缆缆芯具有绞合而成的三根绝缘屏蔽线芯，以及填充在相邻绝缘屏蔽线芯之间的填充层6，缆芯的外部成型有护套层7。
具体的，每一根绝缘屏蔽线芯，主要由内部的绝缘线芯和包覆绝缘线芯的金属屏蔽层5组成。
绝缘线芯具有绞合而成的导体总成1，以及以三层共挤结构成型于导体总成1外部的导体屏蔽层2、绝缘层3和绝缘屏蔽层4。导体屏蔽层2挤包在导体总成1的外部，绝缘屏蔽层4邻接金属屏蔽层5。
更为具体的，导体总成1主要由一根横截面为圆形结构的铝质中心导体11，以及若干根横截面为T型结构（棱角以圆角过渡，且阴角处的相邻弯折边基本以约92～98°的钝角过渡）的铝质环向导体12组成。若干根环向导体12以中心导体11为绞合中心，按同心圆结构分层绞合于中心导体11的外围，每一层的相邻环向导体12之间以正、反向交错的搭盖扣合方式互嵌组合，内层的环向导体数量相较于邻接外层的环向导体数量一般多5根或6根；在导体总成1的设计结构中，应控制导体间的缝隙截面总面积≤导体截面总面积的3%。在导体总成1的绞合缝隙内填充有导电填充层一13，导电填充层一13将相邻导体之间的缝隙紧实、无缝隙填充；导电填充层一13采用与下述导电填充层二53相同的阻水型半导电化合物成型。
金属屏蔽层5具有横截面为扁平状的铜质（软铜）金属扁丝51，以及半导电化合物材料挤塑成型的半导电隔离条52。
金属扁丝51的横截面为非规整的矩形结构，而是近似于S形弯折（基本呈直角弯折）成型的异形结构。金属扁丝51的横截面棱角，特别是用作接触相对层的内侧棱角和外侧棱角，分别为平滑过渡的倒圆结构，无尖锐棱角。金属扁丝51的横截面在宽度方向上的弯折长度（即S形回绕长度）与厚度（即材料厚度）之比约为9:1。
更为具体的，金属扁丝51的横截面具有从宽度方向两侧外延、在厚度方向上内外错位的金属内侧搭盖部511和金属外侧搭盖部513。金属内侧搭盖部511的宽度方向外缘处，具有外折凸起成型的金属外折扣舌512，该金属外折扣舌512在金属内侧搭盖部511的外壁根部处，因弯折形成内凹结构的金属外扣槽515。金属外侧搭盖部513的宽度方向外缘处，具有内折凸起成型的金属内折扣舌514，该金属内折扣舌514在金属外侧搭盖部513的内壁根部处，因弯折形成内凹结构的金属内扣槽516。
与之对应的，半导电隔离条52的横截面结构与上述金属扁丝51的横截面结构相同，成型尺寸方面根据金属屏蔽层的疏绕设计间隙而定，通常情况下，与金属扁丝51的横截面尺寸相同。也就是说，半导电隔离条52的横截面不论是成型结构还是成型尺寸，均与上述金属扁丝51的横截面成型结构和成型尺寸相同。当然，如果有差异，那么根据疏绕设计间隙，差异在成型尺寸的横截面宽度上，不应在成型结构形状上有差异，亦不应在成型尺寸的横截面厚度上有差异，否则会影响金属扁丝51与半导电隔离条52之间的顺序搭盖组合及组合后的平整度。
半导电隔离条52的横截面为非规整的矩形结构，而是近似于S形弯折（基本呈直角弯折）成型的异形结构。半导电隔离条52的横截面棱角，特别是用作接触相对层的内侧棱角和外侧棱角，分别为平滑过渡的倒圆结构，无尖锐棱角。半导电隔离条52的横截面在宽度方向上的弯折长度（即S形回绕长度）与厚度（即材料厚度）之比约为9:1。
更为具体的，半导电隔离条52的横截面具有从宽度方向两侧外延、在厚度方向上内外错位的半导电内侧搭盖部521和半导电外侧搭盖部523。半导电内侧搭盖部521的宽度方向外缘处，具有外折凸起成型的半导电外折扣舌522，该半导电外折扣舌522在半导电内侧搭盖部521的外壁根部处，因弯折形成内凹结构的半导电外扣槽525。半导电外侧搭盖部523的宽度方向外缘处，具有内折凸起成型的半导电内折扣舌524，该半导电内折扣舌524在半导电外侧搭盖部523的内壁根部处，因弯折形成内凹结构的半导电内扣槽526。
上述结构的金属扁丝51疏绕于绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部，在金属扁丝51的疏绕过程中，上述结构的半导电隔离条52同步疏绕于绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部、处在金属扁丝51的疏绕间隙内。如此，金属扁丝51与半导电隔离条52在绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部形成相间排布方式的密绕结构。上述结构的金属扁丝51和半导电隔离条52，在绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部相间排布密绕时，形成如下组合结构：
-金属扁丝51的金属外侧搭盖部513，顺序搭盖在半导电隔离条52的半导电内侧搭盖部521上，且金属外侧搭盖部513上的金属内折扣舌514，嵌入半导电内侧搭盖部521上的对应半导电外扣槽525内；
-半导电隔离条52的半导电外侧搭盖部523，顺序搭盖在金属扁丝51的金属内侧搭盖部511上，且半导电外侧搭盖部523上的半导电内折扣舌524，嵌入金属内侧搭盖部511上的对应金属外扣槽515内；
-顺序对接的金属外侧搭盖部513外壁和半导电外侧搭盖部523外壁，基本以齐平结构配合；
-顺序对接的半导电内侧搭盖部521内壁和金属内侧搭盖部511内壁，基本以齐平结构配合。
通过上述配合结构，使得金属扁丝51和半导电隔离条52，在绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部形成对接缝以互嵌扣合结构成型的金属屏蔽层5。
为了提高金属屏蔽层5的金属扁丝51和半导电隔离条52之间的对接缝处光滑、平整度，以及提高金属扁丝51与半导电隔离条52之间的整体性，在它们的对接缝处填充有阻水型半导电化合物的导电填充层-即导电填充层二53。
上述阻水型半导电化合物，主要由下列重量配比的原料组成：乙烯-醋酸乙烯共聚物80份、偶氮类引发剂0.5份、石墨2份、顺丁烯二酸酐1.5份、导电炭黑15份、铜抑制剂1份；乙烯-醋酸乙烯共聚物中的醋酸乙烯（VA）含量约为15%。前述配方量的阻水型半导电化合物，按如下制备方法制得：
步骤1. 将配方量的乙烯-醋酸乙烯共聚物与顺丁烯二酸酐混合均匀之后，放入釜式化学反应器中，釜式化学反应器的加热温度约为45℃、压力约为13MPa；
在釜式化学反应器研磨约16分钟，进行接枝反应，形成链状化合物；
步骤2. 在研磨好的粉末中加入配方量的偶氮类引发剂，与线型的链状化合物发生自由基反应；
步骤3. 在步骤2的化合物中依次加入配方量的石墨、导电炭黑，继续研磨约16分钟；
步骤4. 在步骤3的物料中加入配方量的铜抑制剂，继续研磨约2分钟；
步骤5. 收集研磨混合的粉料；
将粉体通过螺杆挤出、造粒，获得可熔融之后在上述导体总成1或金属屏蔽层5的缝隙内灌装填充的阻水型半导电化合物。
护套层7为常规的防鼠防白蚁的化合物挤包结构，也可以为常规的金属铠装结构。护套层7包覆在上述结构的三根绝缘屏蔽线芯的绞合体和填充层6的外部，绝缘屏蔽线芯的金属屏蔽层5部分外壁与护套层7邻接，其余外壁与填充层6邻接。
上述中压电缆的制备方法包括下列工艺步骤：
步骤1. 将铝杆采用设计横截面为圆形的模具拉制出中心导体11，备用；
将铝杆采用设计横截面为T型的模具拉制出环向导体12，备用；
将软铜采用设计截面为近似S形的模具拉制出金属扁丝51，备用；
将半导电化合物材料采用设计截面为近似S形的模具挤塑成半导电隔离条52，备用；
步骤2. 以一根中心导体11为绞合中心，将若干根T型截面的环向导体12以同心圆结构分层排布于中心导体11的外围，相邻环向导体12之间以正、反向交错的搭盖扣合方式排布，绞合形成导体总成1；
在绞合过程中，将阻水型半导电化合物在熔融状态下注入导体总成1的绞合缝隙内，对导体总成1的相邻导体之间缝隙填充，形成整体化、紧实的导体总成1，过程中尽量使阻水型半导电化合物不渗出外表面；
步骤3. 在导体总成1的外部采用三层共挤工艺，同时挤包导体屏蔽层2、绝缘层3和绝缘屏蔽层4；
经干式交联工艺，使绝缘进行交联固化，制得绝缘线芯；
步骤4. 将横截面为近似S形的金属扁丝51和半导电隔离条52，以对应边缘互嵌扣合的搭盖方式组合在一起，绕布在绝缘线芯外部，绕布的邻接边缘形成互嵌扣合，使得金属扁丝51和半导电隔离条52在绝缘线芯外部形成相间排布的密绕结构；
在密绕过程中，将阻水型半导电化合物在熔融状态下注入金属扁丝51与半导电隔离条52的对接缝隙内，对它们的对接缝形成填充，形成整体化、紧实的金属屏蔽层5，过程中尽量使阻水型半导电化合物不渗出外表面；
制得带有金属屏蔽层5的绝缘线芯；
步骤5. 将三根绝缘屏蔽线芯绞合在一起，绞合间隙以阻水填充材料/非吸湿性填充材料的填充层6予以填充整圆；
制得缆芯；
步骤6. 按照设计要求，在缆芯外部铠装和/或挤包护套层7；
制得中压电缆。
实施例2
参见图1、图5、图6、图7和图8所示，本发明的中压电缆缆芯具有绞合而成的三根绝缘屏蔽线芯，以及填充在相邻绝缘屏蔽线芯之间的填充层6，缆芯的外部成型有护套层7。
具体的，每一根绝缘屏蔽线芯，主要由内部的绝缘线芯和包覆绝缘线芯的金属屏蔽层5组成。
绝缘线芯具有绞合而成的导体总成1，以及以三层共挤结构成型于导体总成1外部的导体屏蔽层2、绝缘层3和绝缘屏蔽层4。导体屏蔽层2挤包在导体总成1的外部，绝缘屏蔽层4邻接金属屏蔽层5。
更为具体的，导体总成1主要由一根横截面为圆形结构的铜质中心导体11，以及若干根横截面为T型结构（棱角以圆角过渡，且阴角处的相邻弯折边基本以约92～98°的钝角过渡）的铜质环向导体12组成。若干根环向导体12以中心导体11为绞合中心，按同心圆结构分层绞合于中心导体11的外围，每一层的相邻环向导体12之间以正、反向交错的搭盖扣合方式互嵌组合，内层的环向导体数量相较于邻接外层的环向导体数量通常多5根或6根；在导体总成1的设计结构中，应控制导体间缝隙截面总面积≤导体截面总面积的3%。在导体总成1的绞合缝隙内填充有导电填充层一13，导电填充层一13将相邻导体之间的缝隙紧实、无缝隙填充；导电填充层一13采用与下述导电填充层二53相同的阻水型半导电化合物成型。
金属屏蔽层5具有横截面为扁平状的铜质（软铜）金属扁丝51，以及半导电化合物材料挤塑成型的半导电隔离条52。
金属扁丝51的横截面为非规整的矩形结构，而是近似于Z形弯折（基本呈直角弯折）成型的异形结构。金属扁丝51的横截面棱角，特别是用作接触相对层的内侧棱角和外侧棱角，分别为平滑过渡的倒圆结构，无尖锐棱角。金属扁丝51的横截面在宽度方向上的弯折长度（即Z形回绕长度）与厚度（即材料厚度）之比约为4:1。
更为具体的，金属扁丝51的横截面具有从宽度方向两侧外延、在厚度方向上内外错位的金属内侧搭盖部511和金属外侧搭盖部513。
与之对应的，半导电隔离条52的横截面结构与上述金属扁丝51的横截面结构相同，成型尺寸方面根据金属屏蔽层的疏绕设计间隙而定，通常情况下，与金属扁丝51的横截面尺寸相同。也就是说，半导电隔离条52的横截面不论是成型结构还是成型尺寸，均与上述金属扁丝51的横截面成型结构和成型尺寸相同。当然，如果有差异，那么根据疏绕设计间隙，差异在成型尺寸的横截面宽度上，不应在成型结构形状上有差异，亦不应在成型尺寸的横截面厚度上有差异，否则会影响金属扁丝51与半导电隔离条52之间的顺序搭盖组合及组合后的平整度。
半导电隔离条52的横截面为非规整的矩形结构，而是近似于Z形弯折（基本呈直角弯折）成型的异形结构。半导电隔离条52的横截面棱角，特别是用作接触相对层的内侧棱角和外侧棱角，分别为平滑过渡的倒圆结构，无尖锐棱角。半导电隔离条52的横截面在宽度方向上的弯折长度（即Z形回绕长度）与厚度（即材料厚度）之比约为4:1。
更为具体的，半导电隔离条52的横截面具有从宽度方向两侧外延、在厚度方向上内外错位的半导电内侧搭盖部521和半导电外侧搭盖部523。
上述结构的金属扁丝51疏绕于绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部，在金属扁丝51的疏绕过程中，上述结构的半导电隔离条52同步疏绕于绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部、处在金属扁丝51的疏绕间隙内。如此，金属扁丝51与半导电隔离条52在绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部形成相间排布方式的密绕结构。上述结构的金属扁丝51和半导电隔离条52，在绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部相间排布密绕时，形成如下组合结构：
-金属扁丝51的金属外侧搭盖部513，顺序搭盖在半导电隔离条52的半导电内侧搭盖部521上，处在半导电内侧搭盖部521外壁的内凹止口内；
-半导电隔离条52的半导电外侧搭盖部523，顺序搭盖在金属扁丝51的金属内侧搭盖部511上，处在金属内侧搭盖部511外壁的内凹止口内；
-顺序对接的金属外侧搭盖部513外壁和半导电外侧搭盖部523外壁，基本以齐平结构配合；
-顺序对接的半导电内侧搭盖部521内壁和金属内侧搭盖部511内壁，基本以齐平结构配合。
通过上述配合结构，使得金属扁丝51和半导电隔离条52，在绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部形成对接缝以止口搭接结构成型的金属屏蔽层5。
为了提高金属屏蔽层5的金属扁丝51和半导电隔离条52之间的对接缝处光滑、平整度，以及提高金属扁丝51与半导电隔离条52之间的整体性，在它们的对接缝处填充有阻水型半导电化合物的导电填充层-即导电填充层二53。
上述阻水型半导电化合物，主要由下列重量配比的原料组成：乙烯-醋酸乙烯共聚物80份、偶氮类引发剂0.4份、石墨1.8份、顺丁烯二酸酐1.8份、导电炭黑18份、铜抑制剂0.5份；乙烯-醋酸乙烯共聚物中的醋酸乙烯（VA）含量约为18%。前述配方量的阻水型半导电化合物，按如下制备方法制得：
步骤1. 将配方量的乙烯-醋酸乙烯共聚物与顺丁烯二酸酐混合均匀之后，放入釜式化学反应器中，釜式化学反应器的加热温度约为40℃、压力约为15MPa；
在釜式化学反应器研磨约15分钟，进行接枝反应，形成链状化合物；
步骤2. 在研磨好的粉末中加入配方量的偶氮类引发剂，与线型的链状化合物发生自由基反应；
步骤3. 在步骤2的化合物中依次加入配方量的石墨、导电炭黑，继续研磨约15分钟；
步骤4. 在步骤3的物料中加入配方量的铜抑制剂，继续研磨约1分钟；
步骤5. 收集研磨混合的粉料；
将粉体通过螺杆挤出、造粒，获得可熔融之后在上述导体总成1或金属屏蔽层5的缝隙内灌装填充的阻水型半导电化合物。
护套层7为常规的防鼠防白蚁的化合物挤包结构，也可以为常规的金属铠装结构。护套层7包覆在上述结构的三根绝缘屏蔽线芯的绞合体和填充层6的外部，绝缘屏蔽线芯的金属屏蔽层5部分外壁与护套层7邻接，其余外壁与填充层6邻接。
上述中压电缆的制备方法包括下列工艺步骤：
步骤1. 将铜杆采用设计横截面为圆形的模具拉制出中心导体11，备用；
将铜杆采用设计横截面为T型的模具拉制出环向导体12，备用；
将软铜采用设计截面为近似Z形的模具拉制出金属扁丝51，备用；
将半导电化合物材料采用设计截面为近似Z形的模具挤塑成半导电隔离条52，备用；
步骤2. 以一根中心导体11为绞合中心，将若干根T型截面的环向导体12以同心圆结构分层排布于中心导体11的外围，相邻环向导体12之间以正、反向交错的搭盖扣合方式排布，绞合形成导体总成1；
在绞合过程中，将阻水型半导电化合物在熔融状态下注入导体总成1的绞合缝隙内，对导体总成1的相邻导体之间缝隙填充，形成整体化、紧实的导体总成1，过程中尽量使阻水型半导电化合物不渗出外表面；
步骤3. 在导体总成1的外部采用三层共挤工艺，同时挤包导体屏蔽层2、绝缘层3和绝缘屏蔽层4；
经干式交联工艺，使绝缘进行交联固化，制得绝缘线芯；
步骤4. 将横截面为近似Z形的金属扁丝51和半导电隔离条52，以对应边缘止口搭接方式组合在一起，绕布在绝缘线芯外部，绕布的邻接边缘形成止口搭接，使得金属扁丝51和半导电隔离条52在绝缘线芯外部形成相间排布的密绕结构；
在密绕过程中，将阻水型半导电化合物在熔融状态下注入金属扁丝51与半导电隔离条52的对接缝隙内，对它们的对接缝形成填充，形成整体化、紧实的金属屏蔽层5，过程中尽量使阻水型半导电化合物不渗出外表面；
制得带有金属屏蔽层5的绝缘线芯；
步骤5. 将三根绝缘屏蔽线芯绞合在一起，绞合间隙以阻水填充材料/非吸湿性填充材料的填充层6予以填充整圆；
制得缆芯；
步骤6. 按照设计要求，在缆芯外部铠装和/或挤包护套层7；
制得中压电缆。
实施例3
参见图1、图2、图3、图4和图9所示，本发明的中压电缆缆芯具有绞合而成的三根绝缘屏蔽线芯，以及填充在相邻绝缘屏蔽线芯之间的填充层6，缆芯的外部成型有护套层7。
具体的，每一根绝缘屏蔽线芯，主要由内部的绝缘线芯和包覆绝缘线芯的金属屏蔽层5组成。
绝缘线芯具有绞合而成的导体总成1，以及以三层共挤结构成型于导体总成1外部的导体屏蔽层2、绝缘层3和绝缘屏蔽层4。导体屏蔽层2挤包在导体总成1的外部，绝缘屏蔽层4邻接金属屏蔽层5。
更为具体的，导体总成1主要由一根横截面为圆形结构的铜质中心导体11，以及若干根横截面为近似Z结构（棱角以圆角过渡，且阴角处的相邻弯折边基本以约92～98°的钝角过渡）的铜质环向导体12组成。若干根环向导体12以中心导体11为绞合中心，按同心圆结构分层绞合于中心导体11的外围，每一层的相邻环向导体12之间以环周顺序搭盖方式拼接组合，内层的环向导体数量相较于邻接外层的环向导体数量通常多5根或6根；在导体总成1的设计结构中，应控制导体间缝隙截面总面积≤导体截面总面积的3%。在导体总成1的绞合缝隙内填充有导电填充层一13，导电填充层一13将相邻导体之间的缝隙紧实、无缝隙填充；导电填充层一13采用与下述导电填充层二53相同的阻水型半导电化合物成型。
金属屏蔽层5具有横截面为扁平状的铜质（软铜）金属扁丝51，以及半导电化合物材料挤塑成型的半导电隔离条52。
金属扁丝51的横截面为非规整的矩形结构，而是近似于S形弯折（基本呈直角弯折）成型的异形结构。金属扁丝51的横截面棱角，特别是用作接触相对层的内侧棱角和外侧棱角，分别为平滑过渡的倒圆结构，无尖锐棱角。金属扁丝51的横截面在宽度方向上的弯折长度（即S形回绕长度）与厚度（即材料厚度）之比约为8.5:1。
更为具体的，金属扁丝51的横截面具有从宽度方向两侧外延、在厚度方向上内外错位的金属内侧搭盖部511和金属外侧搭盖部513。金属内侧搭盖部511的宽度方向外缘处，具有外折凸起成型的金属外折扣舌512，该金属外折扣舌512在金属内侧搭盖部511的外壁根部处，因弯折形成内凹结构的金属外扣槽515。金属外侧搭盖部513的宽度方向外缘处，具有内折凸起成型的金属内折扣舌514，该金属内折扣舌514在金属外侧搭盖部513的内壁根部处，因弯折形成内凹结构的金属内扣槽516。
与之对应的，半导电隔离条52的横截面结构与上述金属扁丝51的横截面结构相同，成型尺寸方面根据金属屏蔽层的疏绕设计间隙而定，通常情况下，与金属扁丝51的横截面尺寸相同。也就是说，半导电隔离条52的横截面不论是成型结构还是成型尺寸，均与上述金属扁丝51的横截面成型结构和成型尺寸相同。当然，如果有差异，那么根据疏绕设计间隙，差异在成型尺寸的横截面宽度上，不应在成型结构形状上有差异，亦不应在成型尺寸的横截面厚度上有差异，否则会影响金属扁丝51与半导电隔离条52之间的顺序搭盖组合及组合后的平整度。
半导电隔离条52的横截面为非规整的矩形结构，而是近似于S形弯折（基本呈直角弯折）成型的异形结构。半导电隔离条52的横截面棱角，特别是用作接触相对层的内侧棱角和外侧棱角，分别为平滑过渡的倒圆结构，无尖锐棱角。半导电隔离条52的横截面在宽度方向上的弯折长度（即S形回绕长度）与厚度（即材料厚度）之比约为8.5:1。
更为具体的，半导电隔离条52的横截面具有从宽度方向两侧外延、在厚度方向上内外错位的半导电内侧搭盖部521和半导电外侧搭盖部523。半导电内侧搭盖部521的宽度方向外缘处，具有外折凸起成型的半导电外折扣舌522，该半导电外折扣舌522在半导电内侧搭盖部521的外壁根部处，因弯折形成内凹结构的半导电外扣槽525。半导电外侧搭盖部523的宽度方向外缘处，具有内折凸起成型的半导电内折扣舌524，该半导电内折扣舌524在半导电外侧搭盖部523的内壁根部处，因弯折形成内凹结构的半导电内扣槽526。
上述结构的金属扁丝51疏绕于绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部，在金属扁丝51的疏绕过程中，上述结构的半导电隔离条52同步疏绕于绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部、处在金属扁丝51的疏绕间隙内。如此，金属扁丝51与半导电隔离条52在绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部形成相间排布方式的密绕结构。上述结构的金属扁丝51和半导电隔离条52，在绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部相间排布密绕时，形成如下组合结构：
-金属扁丝51的金属外侧搭盖部513，顺序搭盖在半导电隔离条52的半导电内侧搭盖部521上，且金属外侧搭盖部513上的金属内折扣舌514，嵌入半导电内侧搭盖部521上的对应半导电外扣槽525内；
-半导电隔离条52的半导电外侧搭盖部523，顺序搭盖在金属扁丝51的金属内侧搭盖部511上，且半导电外侧搭盖部523上的半导电内折扣舌524，嵌入金属内侧搭盖部511上的对应金属外扣槽515内；
-顺序对接的金属外侧搭盖部513外壁和半导电外侧搭盖部523外壁，基本以齐平结构配合；
-顺序对接的半导电内侧搭盖部521内壁和金属内侧搭盖部511内壁，基本以齐平结构配合。
通过上述配合结构，使得金属扁丝51和半导电隔离条52，在绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部形成对接缝以互嵌扣合结构成型的金属屏蔽层5。
为了提高金属屏蔽层5的金属扁丝51和半导电隔离条52之间的对接缝处光滑、平整度，以及提高金属扁丝51与半导电隔离条52之间的整体性，在它们的对接缝处填充有阻水型半导电化合物的导电填充层-即导电填充层二53。
上述阻水型半导电化合物，主要由下列重量配比的原料组成：乙烯-醋酸乙烯共聚物80份、偶氮类引发剂0.6份、石墨1.5份、顺丁烯二酸酐1.2份、导电炭黑12份、铜抑制剂0.8份；乙烯-醋酸乙烯共聚物中的醋酸乙烯（VA）含量约为8%。前述配方量的阻水型半导电化合物，按如下制备方法制得：
步骤1. 将配方量的乙烯-醋酸乙烯共聚物与顺丁烯二酸酐混合均匀之后，放入釜式化学反应器中，釜式化学反应器的加热温度约为42℃、压力约为12MPa；
在釜式化学反应器研磨约18分钟，进行接枝反应，形成链状化合物；
步骤2. 在研磨好的粉末中加入配方量的偶氮类引发剂，与线型的链状化合物发生自由基反应；
步骤3. 在步骤2的化合物中依次加入配方量的石墨、导电炭黑，继续研磨约15分钟；
步骤4. 在步骤3的物料中加入配方量的铜抑制剂，继续研磨约1分钟；
步骤5. 收集研磨混合的粉料；
将粉体通过螺杆挤出、造粒，获得可熔融之后在上述导体总成1或金属屏蔽层5的缝隙内灌装填充的阻水型半导电化合物。
护套层7为常规的防鼠防白蚁的化合物挤包结构，也可以为常规的金属铠装结构。护套层7包覆在上述结构的三根绝缘屏蔽线芯的绞合体和填充层6的外部，绝缘屏蔽线芯的金属屏蔽层5部分外壁与护套层7邻接，其余外壁与填充层6邻接。
上述中压电缆的制备方法包括下列工艺步骤：
步骤1. 将铜杆采用设计横截面为圆形的模具拉制出中心导体11，备用；
将铜杆采用设计横截面为近似Z形的模具拉制出环向导体12，备用；
将软铜采用设计截面为近似S形的模具拉制出金属扁丝51，备用；
将半导电化合物材料采用设计截面为近似S形的模具挤塑成半导电隔离条52，备用；
步骤2. 以一根中心导体11为绞合中心，将若干根近似Z形截面的环向导体12以同心圆结构分层排布于中心导体11的外围，相邻环向导体12之间以环周顺序搭盖方式拼接排布，绞合形成导体总成1；
在绞合过程中，将阻水型半导电化合物在熔融状态下注入导体总成1的绞合缝隙内，对导体总成1的相邻导体之间缝隙填充，形成整体化、紧实的导体总成1，过程中尽量使阻水型半导电化合物不渗出外表面；
步骤3. 在导体总成1的外部采用三层共挤工艺，同时挤包导体屏蔽层2、绝缘层3和绝缘屏蔽层4；
经干式交联工艺，使绝缘进行交联固化，制得绝缘线芯；
步骤4. 将横截面为近似S形的金属扁丝51和半导电隔离条52，以对应边缘互嵌扣合的搭盖方式组合在一起，绕布在绝缘线芯外部，绕布的邻接边缘形成互嵌扣合，使得金属扁丝51和半导电隔离条52在绝缘线芯外部形成相间排布的密绕结构；
在密绕过程中，将阻水型半导电化合物在熔融状态下注入金属扁丝51与半导电隔离条52的对接缝隙内，对它们的对接缝形成填充，形成整体化、紧实的金属屏蔽层5，过程中尽量使阻水型半导电化合物不渗出外表面；
制得带有金属屏蔽层5的绝缘线芯；
步骤5. 将三根绝缘屏蔽线芯绞合在一起，绞合间隙以阻水填充材料/非吸湿性填充材料的填充层6予以填充整圆；
制得缆芯；
步骤6. 按照设计要求，在缆芯外部铠装和/或挤包护套层7；
制得中压电缆。
实施例4
参见图1、图5、图6、图7和图9所示，本发明的中压电缆缆芯具有绞合而成的三根绝缘屏蔽线芯，以及填充在相邻绝缘屏蔽线芯之间的填充层6，缆芯的外部成型有护套层7。
具体的，每一根绝缘屏蔽线芯，主要由内部的绝缘线芯和包覆绝缘线芯的金属屏蔽层5组成。
绝缘线芯具有绞合而成的导体总成1，以及以三层共挤结构成型于导体总成1外部的导体屏蔽层2、绝缘层3和绝缘屏蔽层4。导体屏蔽层2挤包在导体总成1的外部，绝缘屏蔽层4邻接金属屏蔽层5。
更为具体的，导体总成1主要由一根横截面为圆形结构的铝质中心导体11，以及若干根横截面为近似Z结构（棱角以圆角过渡，且阴角处的相邻弯折边基本以约92～98°的钝角过渡）的铝质环向导体12组成。若干根环向导体12以中心导体11为绞合中心，按同心圆结构分层绞合于中心导体11的外围，每一层的相邻环向导体12之间以环周顺序搭盖方式拼接组合，内层的环向导体数量相较于邻接外层的环向导体数量通常多5根或6根；在导体总成1的设计结构中，应控制导体间缝隙截面总面积≤导体截面总面积的3%。在导体总成1的绞合缝隙内填充有导电填充层一13，导电填充层一13将相邻导体之间的缝隙紧实、无缝隙填充；导电填充层一13采用与下述导电填充层二53相同的阻水型半导电化合物成型。
金属屏蔽层5具有横截面为扁平状的铜质（软铜）金属扁丝51，以及半导电化合物材料挤塑成型的半导电隔离条52。
金属扁丝51的横截面为非规整的矩形结构，而是近似于Z形弯折（基本呈直角弯折）成型的异形结构。金属扁丝51的横截面棱角，特别是用作接触相对层的内侧棱角和外侧棱角，分别为平滑过渡的倒圆结构，无尖锐棱角。金属扁丝51的横截面在宽度方向上的弯折长度（即Z形回绕长度）与厚度（即材料厚度）之比约为4.5:1。
更为具体的，金属扁丝51的横截面具有从宽度方向两侧外延、在厚度方向上内外错位的金属内侧搭盖部511和金属外侧搭盖部513。
与之对应的，半导电隔离条52的横截面结构与上述金属扁丝51的横截面结构相同，成型尺寸方面根据金属屏蔽层的疏绕设计间隙而定，通常情况下，与金属扁丝51的横截面尺寸相同。也就是说，半导电隔离条52的横截面不论是成型结构还是成型尺寸，均与上述金属扁丝51的横截面成型结构和成型尺寸相同。当然，如果有差异，那么根据疏绕设计间隙，差异在成型尺寸的横截面宽度上，不应在成型结构形状上有差异，亦不应在成型尺寸的横截面厚度上有差异，否则会影响金属扁丝51与半导电隔离条52之间的顺序搭盖组合及组合后的平整度。
半导电隔离条52的横截面为非规整的矩形结构，而是近似于Z形弯折（基本呈直角弯折）成型的异形结构。半导电隔离条52的横截面棱角，特别是用作接触相对层的内侧棱角和外侧棱角，分别为平滑过渡的倒圆结构，无尖锐棱角。半导电隔离条52的横截面在宽度方向上的弯折长度（即Z形回绕长度）与厚度（即材料厚度）之比约为4.5:1。
更为具体的，半导电隔离条52的横截面具有从宽度方向两侧外延、在厚度方向上内外错位的半导电内侧搭盖部521和半导电外侧搭盖部523。
上述结构的金属扁丝51疏绕于绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部，在金属扁丝51的疏绕过程中，上述结构的半导电隔离条52同步疏绕于绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部、处在金属扁丝51的疏绕间隙内。如此，金属扁丝51与半导电隔离条52在绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部形成相间排布方式的密绕结构。上述结构的金属扁丝51和半导电隔离条52，在绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部相间排布密绕时，形成如下组合结构：
-金属扁丝51的金属外侧搭盖部513，顺序搭盖在半导电隔离条52的半导电内侧搭盖部521上，处在半导电内侧搭盖部521外壁的内凹止口内；
-半导电隔离条52的半导电外侧搭盖部523，顺序搭盖在金属扁丝51的金属内侧搭盖部511上，处在金属内侧搭盖部511外壁的内凹止口内；
-顺序对接的金属外侧搭盖部513外壁和半导电外侧搭盖部523外壁，基本以齐平结构配合；
-顺序对接的半导电内侧搭盖部521内壁和金属内侧搭盖部511内壁，基本以齐平结构配合。
通过上述配合结构，使得金属扁丝51和半导电隔离条52，在绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部形成对接缝以止口搭接结构成型的金属屏蔽层5。
为了提高金属屏蔽层5的金属扁丝51和半导电隔离条52之间的对接缝处光滑、平整度，以及提高金属扁丝51与半导电隔离条52之间的整体性，在它们的对接缝处填充有阻水型半导电化合物的导电填充层-即导电填充层二53。
上述阻水型半导电化合物，主要由下列重量配比的原料组成：乙烯-醋酸乙烯共聚物80份、偶氮类引发剂0.7份、石墨2.5份、顺丁烯二酸酐2份、导电炭黑17份、铜抑制剂1.5份；乙烯-醋酸乙烯共聚物中的醋酸乙烯（VA）含量约为20%。前述配方量的阻水型半导电化合物，按如下制备方法制得：
步骤1. 将配方量的乙烯-醋酸乙烯共聚物与顺丁烯二酸酐混合均匀之后，放入釜式化学反应器中，釜式化学反应器的加热温度约为50℃、压力约为10MPa；
在釜式化学反应器研磨约17分钟，进行接枝反应，形成链状化合物；
步骤2. 在研磨好的粉末中加入配方量的偶氮类引发剂，与线型的链状化合物发生自由基反应；
步骤3. 在步骤2的化合物中依次加入配方量的石墨、导电炭黑，继续研磨约17分钟；
步骤4. 在步骤3的物料中加入配方量的铜抑制剂，继续研磨约2分钟；
步骤5. 收集研磨混合的粉料；
将粉体通过螺杆挤出、造粒，获得可熔融之后在上述导体总成1或金属屏蔽层5的缝隙内灌装填充的阻水型半导电化合物。
护套层7为常规的防鼠防白蚁的化合物挤包结构，也可以为常规的金属铠装结构。护套层7包覆在上述结构的三根绝缘屏蔽线芯的绞合体和填充层6的外部，绝缘屏蔽线芯的金属屏蔽层5部分外壁与护套层7邻接，其余外壁与填充层6邻接。
上述中压电缆的制备方法包括下列工艺步骤：
步骤1. 将铝杆采用设计横截面为圆形的模具拉制出中心导体11，备用；
将铝杆采用设计横截面为近似Z形的模具拉制出环向导体12，备用；
将软铜采用设计截面为近似Z形的模具拉制出金属扁丝51，备用；
将半导电化合物材料采用设计截面为近似Z形的模具挤塑成半导电隔离条52，备用；
步骤2. 以一根中心导体11为绞合中心，将若干根近似Z形截面的环向导体12以同心圆结构分层排布于中心导体11的外围，相邻环向导体12之间环周顺序搭盖方式拼接排布，绞合形成导体总成1；
在绞合过程中，将阻水型半导电化合物在熔融状态下注入导体总成1的绞合缝隙内，对导体总成1的相邻导体之间缝隙填充，形成整体化、紧实的导体总成1，过程中尽量使阻水型半导电化合物不渗出外表面；
步骤3. 在导体总成1的外部采用三层共挤工艺，同时挤包导体屏蔽层2、绝缘层3和绝缘屏蔽层4；
经干式交联工艺，使绝缘进行交联固化，制得绝缘线芯；
步骤4. 将横截面为近似Z形的金属扁丝51和半导电隔离条52，以对应边缘止口搭接方式组合在一起，绕布在绝缘线芯外部，绕布的邻接边缘形成止口搭接，使得金属扁丝51和半导电隔离条52在绝缘线芯外部形成相间排布的密绕结构；
在密绕过程中，将阻水型半导电化合物在熔融状态下注入金属扁丝51与半导电隔离条52的对接缝隙内，对它们的对接缝形成填充，形成整体化、紧实的金属屏蔽层5，过程中尽量使阻水型半导电化合物不渗出外表面；
制得带有金属屏蔽层5的绝缘线芯；
步骤5. 将三根绝缘屏蔽线芯绞合在一起，绞合间隙以阻水填充材料/非吸湿性填充材料的填充层6予以填充整圆；
制得缆芯；
步骤6. 按照设计要求，在缆芯外部铠装和/或挤包护套层7；
制得中压电缆。
实施例5
参见图10、图2、图3、图4和图8所示，本发明的中压电缆主要由由内而外依次排布的导体总成1、导体屏蔽层2、绝缘层3、绝缘屏蔽层4、金属屏蔽层5和护套层7组成。
具体的，导体总成1主要由一根横截面为圆形结构的铜质中心导体11，以及若干根横截面为T型结构（棱角以圆角过渡，且阴角处的相邻弯折边基本以约92～98°的钝角过渡）的铜质环向导体12组成。若干根环向导体12以中心导体11为绞合中心，按同心圆结构分层绞合于中心导体11的外围，每一层的相邻环向导体12之间以正、反向交错的搭盖方式互嵌组合，内层的环向导体数量相较于邻接外层的环向导体数量通常多5根或6根；在导体总成1的设计结构中，应控制导体间缝隙截面总面积≤导体截面总面积的3%。在导体总成1的绞合缝隙内填充有导电填充层一13，导电填充层一13将相邻导体之间的缝隙紧实、无缝隙填充；导电填充层一13采用与下述导电填充层二53相同的阻水型半导电化合物成型。
导体屏蔽层2、绝缘层3和绝缘屏蔽层4为三层共挤结构，导体屏蔽层2、绝缘层3和绝缘屏蔽层4以三层共挤工艺成型在上述导体总成1的外部。
金属屏蔽层5具有横截面为扁平状的铝质（软铝）金属扁丝51，以及半导电化合物材料挤塑成型的半导电隔离条52。
金属扁丝51的横截面为非规整的矩形结构，而是近似于S形弯折（基本呈直角弯折）成型的异形结构。金属扁丝51的横截面棱角，特别是用作接触相对层的内侧棱角和外侧棱角，分别为平滑过渡的倒圆结构，无尖锐棱角。金属扁丝51的横截面在宽度方向上的弯折长度（即S形回绕长度）与厚度（即材料厚度）之比约为9.5:1。
更为具体的，金属扁丝51的横截面具有从宽度方向两侧外延、在厚度方向上内外错位的金属内侧搭盖部511和金属外侧搭盖部513。金属内侧搭盖部511的宽度方向外缘处，具有外折凸起成型的金属外折扣舌512，该金属外折扣舌512在金属内侧搭盖部511的外壁根部处，因弯折形成内凹结构的金属外扣槽515。金属外侧搭盖部513的宽度方向外缘处，具有内折凸起成型的金属内折扣舌514，该金属内折扣舌514在金属外侧搭盖部513的内壁根部处，因弯折形成内凹结构的金属内扣槽516。
与之对应的，半导电隔离条52的横截面结构与上述金属扁丝51的横截面结构相同，成型尺寸方面根据金属屏蔽层的疏绕设计间隙而定，通常情况下，与金属扁丝51的横截面尺寸相同。也就是说，半导电隔离条52的横截面不论是成型结构还是成型尺寸，均与上述金属扁丝51的横截面成型结构和成型尺寸相同。当然，如果有差异，那么根据疏绕设计间隙，差异在成型尺寸的横截面宽度上，不应在成型结构形状上有差异，亦不应在成型尺寸的横截面厚度上有差异，否则会影响金属扁丝51与半导电隔离条52之间的顺序搭盖组合及组合后的平整度。
半导电隔离条52的横截面为非规整的矩形结构，而是近似于S形弯折（基本呈直角弯折）成型的异形结构。半导电隔离条52的横截面棱角，特别是用作接触相对层的内侧棱角和外侧棱角，分别为平滑过渡的倒圆结构，无尖锐棱角。半导电隔离条52的横截面在宽度方向上的弯折长度（即S形回绕长度）与厚度（即材料厚度）之比约为9.5:1。
更为具体的，半导电隔离条52的横截面具有从宽度方向两侧外延、在厚度方向上内外错位的半导电内侧搭盖部521和半导电外侧搭盖部523。半导电内侧搭盖部521的宽度方向外缘处，具有外折凸起成型的半导电外折扣舌522，该半导电外折扣舌522在半导电内侧搭盖部521的外壁根部处，因弯折形成内凹结构的半导电外扣槽525。半导电外侧搭盖部523的宽度方向外缘处，具有内折凸起成型的半导电内折扣舌524，该半导电内折扣舌524在半导电外侧搭盖部523的内壁根部处，因弯折形成内凹结构的半导电内扣槽526。
上述结构的金属扁丝51疏绕于绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部，在金属扁丝51的疏绕过程中，上述结构的半导电隔离条52同步疏绕于绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部、处在金属扁丝51的疏绕间隙内。如此，金属扁丝51与半导电隔离条52在绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部形成相间排布方式的密绕结构。上述结构的金属扁丝51和半导电隔离条52，在绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部相间排布密绕时，形成如下组合结构：
-金属扁丝51的金属外侧搭盖部513，顺序搭盖在半导电隔离条52的半导电内侧搭盖部521上，且金属外侧搭盖部513上的金属内折扣舌514，嵌入半导电内侧搭盖部521上的对应半导电外扣槽525内；
-半导电隔离条52的半导电外侧搭盖部523，顺序搭盖在金属扁丝51的金属内侧搭盖部511上，且半导电外侧搭盖部523上的半导电内折扣舌524，嵌入金属内侧搭盖部511上的对应金属外扣槽515内；
-顺序对接的金属外侧搭盖部513外壁和半导电外侧搭盖部523外壁，基本以齐平结构配合；
-顺序对接的半导电内侧搭盖部521内壁和金属内侧搭盖部511内壁，基本以齐平结构配合。
通过上述配合结构，使得金属扁丝51和半导电隔离条52，在绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部形成对接缝以互嵌扣合结构成型的金属屏蔽层5。
为了提高金属屏蔽层5的金属扁丝51和半导电隔离条52之间的对接缝处光滑、平整度，以及提高金属扁丝51与半导电隔离条52之间的整体性，在它们的对接缝处填充有阻水型半导电化合物的导电填充层-即导电填充层二53。
上述阻水型半导电化合物，主要由下列重量配比的原料组成：乙烯-醋酸乙烯共聚物80份、偶氮类引发剂0.5份、石墨1.9份、顺丁烯二酸酐1.5份、导电炭黑16份、铜抑制剂1.1份；乙烯-醋酸乙烯共聚物中的醋酸乙烯（VA）含量约为12%。前述配方量的阻水型半导电化合物，按如下制备方法制得：
步骤1. 将配方量的乙烯-醋酸乙烯共聚物与顺丁烯二酸酐混合均匀之后，放入釜式化学反应器中，釜式化学反应器的加热温度约为48℃、压力约为11MPa；
在釜式化学反应器研磨约16分钟，进行接枝反应，形成链状化合物；
步骤2. 在研磨好的粉末中加入配方量的偶氮类引发剂，与线型的链状化合物发生自由基反应；
步骤3. 在步骤2的化合物中依次加入配方量的石墨、导电炭黑，继续研磨约16分钟；
步骤4. 在步骤3的物料中加入配方量的铜抑制剂，继续研磨约2分钟；
步骤5. 收集研磨混合的粉料；
将粉体通过螺杆挤出、造粒，获得可熔融之后在上述导体总成1或金属屏蔽层5的缝隙内灌装填充的阻水型半导电化合物。
护套层7为常规的防鼠防白蚁的化合物挤包结构，也可以为常规的金属铠装结构。护套层7包覆在上述金属屏蔽层5的外部，金属屏蔽层5的外壁与护套层7内壁邻接。
上述中压电缆的制备方法包括下列工艺步骤：
步骤1. 将铜杆采用设计横截面为圆形的模具拉制出中心导体11，备用；
将铜杆采用设计横截面为T型的模具拉制出环向导体12，备用；
将软铝采用设计截面为近似S形的模具拉制出金属扁丝51，备用；
将半导电化合物材料采用设计截面为近似S形的模具挤塑成半导电隔离条52，备用；
步骤2. 以一根中心导体11为绞合中心，将若干根T型截面的环向导体12以同心圆结构分层排布于中心导体11的外围，相邻环向导体12之间以正、反向交错的搭盖扣合方式排布，绞合形成导体总成1；
在绞合过程中，将阻水型半导电化合物在熔融状态下注入导体总成1的绞合缝隙内，对导体总成1的相邻导体之间缝隙填充，形成整体化、紧实的导体总成1，过程中尽量使阻水型半导电化合物不渗出外表面；
步骤3. 在导体总成1的外部采用三层共挤工艺，同时挤包导体屏蔽层2、绝缘层3和绝缘屏蔽层4；
经干式交联工艺，使绝缘进行交联固化，制得绝缘线芯；
步骤4. 将横截面为近似S形的金属扁丝51和半导电隔离条52，以对应边缘互嵌扣合的搭盖方式组合在一起，绕布在绝缘线芯外部，绕布的邻接边缘形成互嵌扣合，使得金属扁丝51和半导电隔离条52在绝缘线芯外部形成相间排布的密绕结构；
在密绕过程中，将阻水型半导电化合物在熔融状态下注入金属扁丝51与半导电隔离条52的对接缝隙内，对它们的对接缝形成填充，形成整体化、紧实的金属屏蔽层5，过程中尽量使阻水型半导电化合物不渗出外表面；
步骤5. 按照设计要求，在金属屏蔽层5的外部铠装和/或挤包护套层7；
制得中压电缆。
实施例6
参见图10、图5、图6、图7和图8所示，本发明的中压电缆主要由由内而外依次排布的导体总成1、导体屏蔽层2、绝缘层3、绝缘屏蔽层4、金属屏蔽层5和护套层7组成。
具体的，导体总成1主要由一根横截面为圆形结构的铜质中心导体11，以及若干根横截面为T型结构（棱角以圆角过渡，且阴角处的相邻弯折边基本以约92～98°的钝角过渡）的铜质环向导体12组成。若干根环向导体12以中心导体11为绞合中心，按同心圆结构分层绞合于中心导体11的外围，每一层的相邻环向导体12之间以正、反向交错的搭盖方式互嵌组合，内层的环向导体数量相较于邻接外层的环向导体数量通常多5根或6根；在导体总成1的设计结构中，应控制导体间缝隙截面总面积≤导体截面总面积的3%。在导体总成1的绞合缝隙内填充有导电填充层一13，导电填充层一13将相邻导体之间的缝隙紧实、无缝隙填充；导电填充层一13采用与下述导电填充层二53相同的阻水型半导电化合物成型。
导体屏蔽层2、绝缘层3和绝缘屏蔽层4为三层共挤结构，导体屏蔽层2、绝缘层3和绝缘屏蔽层4以三层共挤工艺成型在上述导体总成1的外部。
金属屏蔽层5具有横截面为扁平状的铜质（软铜）金属扁丝51，以及半导电化合物材料挤塑成型的半导电隔离条52。
金属扁丝51的横截面为非规整的矩形结构，而是近似于Z形弯折（基本呈直角弯折）成型的异形结构。金属扁丝51的横截面棱角，特别是用作接触相对层的内侧棱角和外侧棱角，分别为平滑过渡的倒圆结构，无尖锐棱角。金属扁丝51的横截面在宽度方向上的弯折长度（即Z形回绕长度）与厚度（即材料厚度）之比约为3.5:1。
更为具体的，金属扁丝51的横截面具有从宽度方向两侧外延、在厚度方向上内外错位的金属内侧搭盖部511和金属外侧搭盖部513。
与之对应的，半导电隔离条52的横截面结构与上述金属扁丝51的横截面结构相同，成型尺寸方面根据金属屏蔽层的疏绕设计间隙而定，通常情况下，与金属扁丝51的横截面尺寸相同。也就是说，半导电隔离条52的横截面不论是成型结构还是成型尺寸，均与上述金属扁丝51的横截面成型结构和成型尺寸相同。当然，如果有差异，那么根据疏绕设计间隙，差异在成型尺寸的横截面宽度上，不应在成型结构形状上有差异，亦不应在成型尺寸的横截面厚度上有差异，否则会影响金属扁丝51与半导电隔离条52之间的顺序搭盖组合及组合后的平整度。
半导电隔离条52的横截面为非规整的矩形结构，而是近似于Z形弯折（基本呈直角弯折）成型的异形结构。半导电隔离条52的横截面棱角，特别是用作接触相对层的内侧棱角和外侧棱角，分别为平滑过渡的倒圆结构，无尖锐棱角。半导电隔离条52的横截面在宽度方向上的弯折长度（即Z形回绕长度）与厚度（即材料厚度）之比约为3.5:1。
更为具体的，半导电隔离条52的横截面具有从宽度方向两侧外延、在厚度方向上内外错位的半导电内侧搭盖部521和半导电外侧搭盖部523。
上述结构的金属扁丝51疏绕于绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部，在金属扁丝51的疏绕过程中，上述结构的半导电隔离条52同步疏绕于绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部、处在金属扁丝51的疏绕间隙内。如此，金属扁丝51与半导电隔离条52在绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部形成相间排布方式的密绕结构。上述结构的金属扁丝51和半导电隔离条52，在绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部相间排布密绕时，形成如下组合结构：
-金属扁丝51的金属外侧搭盖部513，顺序搭盖在半导电隔离条52的半导电内侧搭盖部521上，处在半导电内侧搭盖部521外壁的内凹止口内；
-半导电隔离条52的半导电外侧搭盖部523，顺序搭盖在金属扁丝51的金属内侧搭盖部511上，处在金属内侧搭盖部511外壁的内凹止口内；
-顺序对接的金属外侧搭盖部513外壁和半导电外侧搭盖部523外壁，基本以齐平结构配合；
-顺序对接的半导电内侧搭盖部521内壁和金属内侧搭盖部511内壁，基本以齐平结构配合。
通过上述配合结构，使得金属扁丝51和半导电隔离条52，在绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部形成对接缝以止口搭接结构成型的金属屏蔽层5。
为了提高金属屏蔽层5的金属扁丝51和半导电隔离条52之间的对接缝处光滑、平整度，以及提高金属扁丝51与半导电隔离条52之间的整体性，在它们的对接缝处填充有阻水型半导电化合物的导电填充层-即导电填充层二53。
上述阻水型半导电化合物，主要由下列重量配比的原料组成：乙烯-醋酸乙烯共聚物80份、偶氮类引发剂0.45份、石墨1.8份、顺丁烯二酸酐1.3份、导电炭黑14份、铜抑制剂1.2份；乙烯-醋酸乙烯共聚物中的醋酸乙烯（VA）含量约为13%。前述配方量的阻水型半导电化合物，按如下制备方法制得：
步骤1. 将配方量的乙烯-醋酸乙烯共聚物与顺丁烯二酸酐混合均匀之后，放入釜式化学反应器中，釜式化学反应器的加热温度约为44℃、压力约为12MPa；
在釜式化学反应器研磨约15分钟，进行接枝反应，形成链状化合物；
步骤2. 在研磨好的粉末中加入配方量的偶氮类引发剂，与线型的链状化合物发生自由基反应；
步骤3. 在步骤2的化合物中依次加入配方量的石墨、导电炭黑，继续研磨约15分钟；
步骤4. 在步骤3的物料中加入配方量的铜抑制剂，继续研磨约1分钟；
步骤5. 收集研磨混合的粉料；
将粉体通过螺杆挤出、造粒，获得可熔融之后在上述导体总成1或金属屏蔽层5的缝隙内灌装填充的阻水型半导电化合物。
护套层7为常规的防鼠防白蚁的化合物挤包结构，也可以为常规的金属铠装结构。护套层7包覆在上述结构的金属屏蔽层5外部，金属屏蔽层5的外壁与护套层7邻接。
上述中压电缆的制备方法包括下列工艺步骤：
步骤1. 将铜杆采用设计横截面为圆形的模具拉制出中心导体11，备用；
将铜杆采用设计横截面为T型的模具拉制出环向导体12，备用；
将软铜采用设计截面为近似Z形的模具拉制出金属扁丝51，备用；
将半导电化合物材料采用设计截面为近似Z形的模具挤塑成半导电隔离条52，备用；
步骤2. 以一根中心导体11为绞合中心，将若干根T型截面的环向导体12以同心圆结构分层排布于中心导体11的外围，相邻环向导体12之间以正、反向交错的搭盖扣合方式排布，绞合形成导体总成1；
在绞合过程中，将阻水型半导电化合物在熔融状态下注入导体总成1的绞合缝隙内，对导体总成1的相邻导体之间缝隙填充，形成整体化、紧实的导体总成1，过程中尽量使阻水型半导电化合物不渗出外表面；
步骤3. 在导体总成1的外部采用三层共挤工艺，同时挤包导体屏蔽层2、绝缘层3和绝缘屏蔽层4；
经干式交联工艺，使绝缘进行交联固化，制得绝缘线芯；
步骤4. 将横截面为近似Z形的金属扁丝51和半导电隔离条52，以对应边缘止口搭接方式组合在一起，绕布在绝缘线芯外部，绕布的邻接边缘形成止口搭接，使得金属扁丝51和半导电隔离条52在绝缘线芯外部形成相间排布的密绕结构；
在密绕过程中，将阻水型半导电化合物在熔融状态下注入金属扁丝51与半导电隔离条52的对接缝隙内，对它们的对接缝形成填充，形成整体化、紧实的金属屏蔽层5，过程中尽量使阻水型半导电化合物不渗出外表面；
步骤5. 按照设计要求，在金属屏蔽层5的外部铠装和/或挤包护套层7；
制得中压电缆。
实施例7
参见图10、图2、图3、图4和图9所示，本发明的中压电缆主要由由内而外依次排布的导体总成1、导体屏蔽层2、绝缘层3、绝缘屏蔽层4、金属屏蔽层5和护套层7组成。
具体的，导体总成1主要由一根横截面为圆形结构的铝质中心导体11，以及若干根横截面为近似于Z形结构（棱角以圆角过渡，且阴角处的相邻弯折边基本以约92～98°的钝角过渡）的铝质环向导体12组成。若干根环向导体12以中心导体11为绞合中心，按同心圆结构分层绞合于中心导体11的外围，每一层的相邻环向导体12之间以环周顺序搭盖方式拼接组合，内层的环向导体数量相较于邻接外层的环向导体数量通常多5根或6根；在导体总成1的设计结构中，应控制导体间缝隙截面总面积≤导体截面总面积的3%。在导体总成1的绞合缝隙内填充有导电填充层一13，导电填充层一13将相邻导体之间的缝隙紧实、无缝隙填充；导电填充层一13采用与下述导电填充层二53相同的阻水型半导电化合物成型。
导体屏蔽层2、绝缘层3和绝缘屏蔽层4为三层共挤结构，导体屏蔽层2、绝缘层3和绝缘屏蔽层4以三层共挤工艺成型在上述导体总成1的外部。
金属屏蔽层5具有横截面为扁平状的铜质（软铜）金属扁丝51，以及半导电化合物材料挤塑成型的半导电隔离条52。
金属扁丝51的横截面为非规整的矩形结构，而是近似于S形弯折（基本呈直角弯折）成型的异形结构。金属扁丝51的横截面棱角，特别是用作接触相对层的内侧棱角和外侧棱角，分别为平滑过渡的倒圆结构，无尖锐棱角。金属扁丝51的横截面在宽度方向上的弯折长度（即S形回绕长度）与厚度（即材料厚度）之比约为9:1。
更为具体的，金属扁丝51的横截面具有从宽度方向两侧外延、在厚度方向上内外错位的金属内侧搭盖部511和金属外侧搭盖部513。金属内侧搭盖部511的宽度方向外缘处，具有外折凸起成型的金属外折扣舌512，该金属外折扣舌512在金属内侧搭盖部511的外壁根部处，因弯折形成内凹结构的金属外扣槽515。金属外侧搭盖部513的宽度方向外缘处，具有内折凸起成型的金属内折扣舌514，该金属内折扣舌514在金属外侧搭盖部513的内壁根部处，因弯折形成内凹结构的金属内扣槽516。
与之对应的，半导电隔离条52的横截面结构与上述金属扁丝51的横截面结构相同，成型尺寸方面根据金属屏蔽层的疏绕设计间隙而定，通常情况下，与金属扁丝51的横截面尺寸相同。也就是说，半导电隔离条52的横截面不论是成型结构还是成型尺寸，均与上述金属扁丝51的横截面成型结构和成型尺寸相同。当然，如果有差异，那么根据疏绕设计间隙，差异在成型尺寸的横截面宽度上，不应在成型结构形状上有差异，亦不应在成型尺寸的横截面厚度上有差异，否则会影响金属扁丝51与半导电隔离条52之间的顺序搭盖组合及组合后的平整度。
半导电隔离条52的横截面为非规整的矩形结构，而是近似于S形弯折（基本呈直角弯折）成型的异形结构。半导电隔离条52的横截面棱角，特别是用作接触相对层的内侧棱角和外侧棱角，分别为平滑过渡的倒圆结构，无尖锐棱角。半导电隔离条52的横截面在宽度方向上的弯折长度（即S形回绕长度）与厚度（即材料厚度）之比约为9:1。
更为具体的，半导电隔离条52的横截面具有从宽度方向两侧外延、在厚度方向上内外错位的半导电内侧搭盖部521和半导电外侧搭盖部523。半导电内侧搭盖部521的宽度方向外缘处，具有外折凸起成型的半导电外折扣舌522，该半导电外折扣舌522在半导电内侧搭盖部521的外壁根部处，因弯折形成内凹结构的半导电外扣槽525。半导电外侧搭盖部523的宽度方向外缘处，具有内折凸起成型的半导电内折扣舌524，该半导电内折扣舌524在半导电外侧搭盖部523的内壁根部处，因弯折形成内凹结构的半导电内扣槽526。
上述结构的金属扁丝51疏绕于绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部，在金属扁丝51的疏绕过程中，上述结构的半导电隔离条52同步疏绕于绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部、处在金属扁丝51的疏绕间隙内。如此，金属扁丝51与半导电隔离条52在绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部形成相间排布方式的密绕结构。上述结构的金属扁丝51和半导电隔离条52，在绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部相间排布密绕时，形成如下组合结构：
-金属扁丝51的金属外侧搭盖部513，顺序搭盖在半导电隔离条52的半导电内侧搭盖部521上，且金属外侧搭盖部513上的金属内折扣舌514，嵌入半导电内侧搭盖部521上的对应半导电外扣槽525内；
-半导电隔离条52的半导电外侧搭盖部523，顺序搭盖在金属扁丝51的金属内侧搭盖部511上，且半导电外侧搭盖部523上的半导电内折扣舌524，嵌入金属内侧搭盖部511上的对应金属外扣槽515内；
-顺序对接的金属外侧搭盖部513外壁和半导电外侧搭盖部523外壁，基本以齐平结构配合；
-顺序对接的半导电内侧搭盖部521内壁和金属内侧搭盖部511内壁，基本以齐平结构配合。
通过上述配合结构，使得金属扁丝51和半导电隔离条52，在绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部形成对接缝以互嵌扣合结构成型的金属屏蔽层5。
为了提高金属屏蔽层5的金属扁丝51和半导电隔离条52之间的对接缝处光滑、平整度，以及提高金属扁丝51与半导电隔离条52之间的整体性，在它们的对接缝处填充有阻水型半导电化合物的导电填充层-即导电填充层二53。
上述阻水型半导电化合物，主要由下列重量配比的原料组成：乙烯-醋酸乙烯共聚物80份、偶氮类引发剂0.5份、石墨2份、顺丁烯二酸酐1.5份、导电炭黑15份、铜抑制剂1份；乙烯-醋酸乙烯共聚物中的醋酸乙烯（VA）含量约为18%。前述配方量的阻水型半导电化合物，按如下制备方法制得：
步骤1. 将配方量的乙烯-醋酸乙烯共聚物与顺丁烯二酸酐混合均匀之后，放入釜式化学反应器中，釜式化学反应器的加热温度约为46℃、压力约为14MPa；
在釜式化学反应器研磨约15分钟，进行接枝反应，形成链状化合物；
步骤2. 在研磨好的粉末中加入配方量的偶氮类引发剂，与线型的链状化合物发生自由基反应；
步骤3. 在步骤2的化合物中依次加入配方量的石墨、导电炭黑，继续研磨约15分钟；
步骤4. 在步骤3的物料中加入配方量的铜抑制剂，继续研磨约1分钟；
步骤5. 收集研磨混合的粉料；
将粉体通过螺杆挤出、造粒，获得可熔融之后在上述导体总成1或金属屏蔽层5的缝隙内灌装填充的阻水型半导电化合物。
护套层7为常规的防鼠防白蚁的化合物挤包结构，也可以为常规的金属铠装结构。护套层7包覆在上述金属屏蔽层5的外部，金属屏蔽层5的外壁与护套层7内壁邻接。
上述中压电缆的制备方法包括下列工艺步骤：
步骤1. 将铝杆采用设计横截面为圆形的模具拉制出中心导体11，备用；
将铝杆采用设计横截面近似Z形的模具拉制出环向导体12，备用；
将软铜采用设计截面为近似S形的模具拉制出金属扁丝51，备用；
将半导电化合物材料采用设计截面为近似S形的模具挤塑成半导电隔离条52，备用；
步骤2. 以一根中心导体11为绞合中心，将若干根近似Z形截面的环向导体12以同心圆结构分层排布于中心导体11的外围，相邻环向导体12之间以环周顺序搭盖方式拼接排布，绞合形成导体总成1；
在绞合过程中，将阻水型半导电化合物在熔融状态下注入导体总成1的绞合缝隙内，对导体总成1的相邻导体之间缝隙填充，形成整体化、紧实的导体总成1，过程中尽量使阻水型半导电化合物不渗出外表面；
步骤3. 在导体总成1的外部采用三层共挤工艺，同时挤包导体屏蔽层2、绝缘层3和绝缘屏蔽层4；
经干式交联工艺，使绝缘进行交联固化，制得绝缘线芯；
步骤4. 将横截面为近似S形的金属扁丝51和半导电隔离条52，以对应边缘互嵌扣合的搭盖方式组合在一起，绕布在绝缘线芯外部，绕布的邻接边缘形成互嵌扣合，使得金属扁丝51和半导电隔离条52在绝缘线芯外部形成相间排布的密绕结构；
在密绕过程中，将阻水型半导电化合物在熔融状态下注入金属扁丝51与半导电隔离条52的对接缝隙内，对它们的对接缝形成填充，形成整体化、紧实的金属屏蔽层5，过程中尽量使阻水型半导电化合物不渗出外表面；
步骤5. 按照设计要求，在金属屏蔽层5的外部铠装和/或挤包护套层7；
制得中压电缆。
实施例8
参见图10、图5、图6、图7和图9所示，本发明的中压电缆主要由由内而外依次排布的导体总成1、导体屏蔽层2、绝缘层3、绝缘屏蔽层4、金属屏蔽层5和护套层7组成。
具体的，导体总成1主要由一根横截面为圆形结构的铜质中心导体11，以及若干根横截面为近似于Z结构（棱角以圆角过渡，且阴角处的相邻弯折边基本以约92～98°的钝角过渡）的铜质环向导体12组成。若干根环向导体12以中心导体11为绞合中心，按同心圆结构分层绞合于中心导体11的外围，每一层的相邻环向导体12之间以环周顺序搭盖方式拼接组合，内层的环向导体数量相较于邻接外层的环向导体数量通常多5根或6根；在导体总成1的设计结构中，应控制导体间缝隙截面总面积≤导体截面总面积的3%。在导体总成1的绞合缝隙内填充有导电填充层一13，导电填充层一13将相邻导体之间的缝隙紧实、无缝隙填充；导电填充层一13采用与下述导电填充层二53相同的阻水型半导电化合物成型。
导体屏蔽层2、绝缘层3和绝缘屏蔽层4为三层共挤结构，导体屏蔽层2、绝缘层3和绝缘屏蔽层4以三层共挤工艺成型在上述导体总成1的外部。
金属屏蔽层5具有横截面为扁平状的铝质（软铝）金属扁丝51，以及半导电化合物材料挤塑成型的半导电隔离条52。
金属扁丝51的横截面为非规整的矩形结构，而是近似于Z形弯折（基本呈直角弯折）成型的异形结构。金属扁丝51的横截面棱角，特别是用作接触相对层的内侧棱角和外侧棱角，分别为平滑过渡的倒圆结构，无尖锐棱角。金属扁丝51的横截面在宽度方向上的弯折长度（即Z形回绕长度）与厚度（即材料厚度）之比约为4:1。
更为具体的，金属扁丝51的横截面具有从宽度方向两侧外延、在厚度方向上内外错位的金属内侧搭盖部511和金属外侧搭盖部513。
与之对应的，半导电隔离条52的横截面结构与上述金属扁丝51的横截面结构相同，成型尺寸方面根据金属屏蔽层的疏绕设计间隙而定，通常情况下，与金属扁丝51的横截面尺寸相同。也就是说，半导电隔离条52的横截面不论是成型结构还是成型尺寸，均与上述金属扁丝51的横截面成型结构和成型尺寸相同。当然，如果有差异，那么根据疏绕设计间隙，差异在成型尺寸的横截面宽度上，不应在成型结构形状上有差异，亦不应在成型尺寸的横截面厚度上有差异，否则会影响金属扁丝51与半导电隔离条52之间的顺序搭盖组合及组合后的平整度。
半导电隔离条52的横截面为非规整的矩形结构，而是近似于Z形弯折（基本呈直角弯折）成型的异形结构。半导电隔离条52的横截面棱角，特别是用作接触相对层的内侧棱角和外侧棱角，分别为平滑过渡的倒圆结构，无尖锐棱角。半导电隔离条52的横截面在宽度方向上的弯折长度（即Z形回绕长度）与厚度（即材料厚度）之比约为4:1。
更为具体的，半导电隔离条52的横截面具有从宽度方向两侧外延、在厚度方向上内外错位的半导电内侧搭盖部521和半导电外侧搭盖部523。
上述结构的金属扁丝51疏绕于绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部，在金属扁丝51的疏绕过程中，上述结构的半导电隔离条52同步疏绕于绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部、处在金属扁丝51的疏绕间隙内。如此，金属扁丝51与半导电隔离条52在绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部形成相间排布方式的密绕结构。上述结构的金属扁丝51和半导电隔离条52，在绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部相间排布密绕时，形成如下组合结构：
-金属扁丝51的金属外侧搭盖部513，顺序搭盖在半导电隔离条52的半导电内侧搭盖部521上，处在半导电内侧搭盖部521外壁的内凹止口内；
-半导电隔离条52的半导电外侧搭盖部523，顺序搭盖在金属扁丝51的金属内侧搭盖部511上，处在金属内侧搭盖部511外壁的内凹止口内；
-顺序对接的金属外侧搭盖部513外壁和半导电外侧搭盖部523外壁，基本以齐平结构配合；
-顺序对接的半导电内侧搭盖部521内壁和金属内侧搭盖部511内壁，基本以齐平结构配合。
通过上述配合结构，使得金属扁丝51和半导电隔离条52，在绝缘线芯的绝缘屏蔽层4外部形成对接缝以止口搭接结构成型的金属屏蔽层5。
为了提高金属屏蔽层5的金属扁丝51和半导电隔离条52之间的对接缝处光滑、平整度，以及提高金属扁丝51与半导电隔离条52之间的整体性，在它们的对接缝处填充有阻水型半导电化合物的导电填充层-即导电填充层二53。
上述阻水型半导电化合物，主要由下列重量配比的原料组成：乙烯-醋酸乙烯共聚物80份、偶氮类引发剂0.5份、石墨2.2份、顺丁烯二酸酐1.4份、导电炭黑14份、铜抑制剂1份；乙烯-醋酸乙烯共聚物中的醋酸乙烯（VA）含量约为15%。前述配方量的阻水型半导电化合物，按如下制备方法制得：
步骤1. 将配方量的乙烯-醋酸乙烯共聚物与顺丁烯二酸酐混合均匀之后，放入釜式化学反应器中，釜式化学反应器的加热温度约为45℃、压力约为13MPa；
在釜式化学反应器研磨约15分钟，进行接枝反应，形成链状化合物；
步骤2. 在研磨好的粉末中加入配方量的偶氮类引发剂，与线型的链状化合物发生自由基反应；
步骤3. 在步骤2的化合物中依次加入配方量的石墨、导电炭黑，继续研磨约15分钟；
步骤4. 在步骤3的物料中加入配方量的铜抑制剂，继续研磨约3分钟；
步骤5. 收集研磨混合的粉料；
将粉体通过螺杆挤出、造粒，获得可熔融之后在上述导体总成1或金属屏蔽层5的缝隙内灌装填充的阻水型半导电化合物。
护套层7为常规的防鼠防白蚁的化合物挤包结构，也可以为常规的金属铠装结构。护套层7包覆在上述结构的金属屏蔽层5的外部，金属屏蔽层5的外壁与护套层7邻接。
上述中压电缆的制备方法包括下列工艺步骤：
步骤1. 将铜杆采用设计横截面为圆形的模具拉制出中心导体11，备用；
将铜杆采用设计横截面为近似Z形的模具拉制出环向导体12，备用；
将软铝采用设计截面为近似Z形的模具拉制出金属扁丝51，备用；
将半导电化合物材料采用设计截面为近似Z形的模具挤塑成半导电隔离条52，备用；
步骤2. 以一根中心导体11为绞合中心，将若干根近似Z形截面的环向导体12以同心圆结构分层排布于中心导体11的外围，相邻环向导体12之间环周顺序搭盖方式拼接排布，绞合形成导体总成1；
在绞合过程中，将阻水型半导电化合物在熔融状态下注入导体总成1的绞合缝隙内，对导体总成1的相邻导体之间缝隙填充，形成整体化、紧实的导体总成1，过程中尽量使阻水型半导电化合物不渗出外表面；
步骤3. 在导体总成1的外部采用三层共挤工艺，同时挤包导体屏蔽层2、绝缘层3和绝缘屏蔽层4；
经干式交联工艺，使绝缘进行交联固化，制得绝缘线芯；
步骤4. 将横截面为近似Z形的金属扁丝51和半导电隔离条52，以对应边缘止口搭接方式组合在一起，绕布在绝缘线芯外部，绕布的邻接边缘形成止口搭接，使得金属扁丝51和半导电隔离条52在绝缘线芯外部形成相间排布的密绕结构；
在密绕过程中，将阻水型半导电化合物在熔融状态下注入金属扁丝51与半导电隔离条52的对接缝隙内，对它们的对接缝形成填充，形成整体化、紧实的金属屏蔽层5，过程中尽量使阻水型半导电化合物不渗出外表面；
步骤5. 按照设计要求，在金属屏蔽层5的外部铠装和/或挤包护套层7；
制得中压电缆。
以上各实施例仅用以说明本发明，而非对其限制。
尽管参照上述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解，其依然可以对上述各实施例进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，例如导体总成可以为传统的铜丝、铝丝、镀锡铜丝等的复绞结构，这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明的精神和范围。
Claims (10)
1.一种紧凑型金属屏蔽结构中压电缆，包括绝缘线芯及绕包于所述绝缘线芯外部的金属屏蔽层（5）；
其特征在于：
所述金属屏蔽层（5）具有横截面为扁平状的金属扁丝（51）和半导电隔离条（52）；
所述金属扁丝（51）疏绕于所述绝缘线芯的外部；
所述半导电隔离条（52）疏绕于所述绝缘线芯的外部、且处在所述金属扁丝（51）的疏绕间隙内；
所述金属扁丝（51）与所述半导电隔离条（52）在所述绝缘线芯的外部，形成相间排布方式的密绕结构。
2.根据权利要求1所述紧凑型金属屏蔽结构中压电缆，其特征在于：
所述金属屏蔽层（5）的金属扁丝（51）和半导电隔离条（52），在所述绝缘线芯的外部以相间排布方式进行密绕时，所述金属扁丝（51）和所述半导电隔离条（52）的对接缝以互嵌扣合结构或止口搭接结构成型。
3.根据权利要求2所述紧凑型金属屏蔽结构中压电缆，其特征在于：
所述金属扁丝（51）的横截面，具有从宽度方向两侧外延、在厚度方向上内外错位的金属内侧搭盖部（511）和金属外侧搭盖部（513）；
与之对应的，所述半导电隔离条（52）的横截面，具有从宽度方向两侧外延、在厚度方向上内外错位的半导电内侧搭盖部（521）和半导电外侧搭盖部（523）；
所述金属扁丝（51）和所述半导电隔离条（52），在所述绝缘线芯的外部相间排布密绕时，所述金属扁丝（51）的金属外侧搭盖部（513），顺序搭盖在所述半导电隔离条（52）的对应半导电内侧搭盖部（521）上；所述半导电隔离条（52）的半导电外侧搭盖部（523），顺序搭盖在所述金属扁丝（51）的金属内侧搭盖部（511）上；
所述金属扁丝（51）和所述半导电隔离条（52），在所述绝缘线芯的外部形成对接缝以止口搭接结构成型的金属屏蔽层（5）；
顺序对接的金属外侧搭盖部（513）外壁和半导电外侧搭盖部（523）外壁，以齐平结构配合；
顺序对接的半导电内侧搭盖部（521）内壁和金属内侧搭盖部（511）内壁，以齐平结构配合。
4.根据权利要求3所述紧凑型金属屏蔽结构中压电缆，其特征在于：
所述金属扁丝（51）的横截面与所述半导电隔离条（52）的横截面相同；
所述金属扁丝（51）横截面的弯折长度与厚度之比为3～5:1。
5.根据权利要求2所述紧凑型金属屏蔽结构中压电缆，其特征在于：
所述金属扁丝（51）的横截面，具有从宽度方向两侧外延、在厚度方向上内外错位的金属内侧搭盖部（511）和金属外侧搭盖部（513）；
所述金属内侧搭盖部（511）上具有外折凸起成型的金属外折扣舌（512），所述金属外折扣舌（512）在所述金属内侧搭盖部（511）的外壁形成内凹结构的金属外扣槽（515）；
所述金属外侧搭盖部（513）上具有内折凸起成型的金属内折扣舌（514），所述金属内折扣舌（514）在所述金属外侧搭盖部（513）的内壁形成内凹结构的金属内扣槽（516）；
与之对应的，所述半导电隔离条（52）的横截面，具有从宽度方向两侧外延、在厚度方向上内外错位的半导电内侧搭盖部（521）和半导电外侧搭盖部（523）；
所述半导电内侧搭盖部（521）上具有外折凸起成型的半导电外折扣舌（522），所述半导电外折扣舌（522）在所述半导电内侧搭盖部（521）的外壁形成内凹结构的半导电外扣槽（525）；
所述半导电外侧搭盖部（523）上具有内折凸起成型的半导电内折扣舌（524），所述半导电内折扣舌（524）在所述半导电外侧搭盖部（523）的内壁形成内凹结构的半导电内扣槽（526）；
所述金属扁丝（51）和所述半导电隔离条（52），在所述绝缘线芯的外部相间排布密绕时，所述金属扁丝（51）的金属外侧搭盖部（513），顺序搭盖在所述半导电隔离条（52）的半导电内侧搭盖部（521）上，且所述金属外侧搭盖部（513）上的金属内折扣舌（514），嵌入所述半导电内侧搭盖部（521）上的对应半导电外扣槽（525）内；所述半导电隔离条（52）的半导电外侧搭盖部（523），顺序搭盖在所述金属扁丝（51）的金属内侧搭盖部（511）上，且所述半导电外侧搭盖部（523）上的半导电内折扣舌（524），嵌入所述金属内侧搭盖部（511）上的对应金属外扣槽（515）内；
所述金属扁丝（51）和所述半导电隔离条（52），在所述绝缘线芯的外部形成对接缝以互嵌扣合结构成型的金属屏蔽层（5）；
顺序对接的金属外侧搭盖部（513）外壁和半导电外侧搭盖部（523）外壁，以齐平结构配合；
顺序对接的半导电内侧搭盖部（521）内壁和金属内侧搭盖部（511）内壁，以齐平结构配合。
6.根据权利要求5所述紧凑型金属屏蔽结构中压电缆，其特征在于：
所述金属扁丝（51）的横截面与所述半导电隔离条（52）的横截面相同；
所述金属扁丝（51）横截面的弯折长度与厚度之比为8～10:1。
7.根据权利要求1、2、3或5所述紧凑型金属屏蔽结构中压电缆，其特征在于：
所述金属屏蔽层（5）的金属扁丝（51）和半导电隔离条（52）之间的对接缝处，填充有导电填充层。
8.根据权利要求7所述紧凑型金属屏蔽结构中压电缆，其特征在于：
所述导电填充层为阻水型半导电化合物的成型结构；
所述阻水型半导电化合物主要由下列重量配比的原料组成：
乙烯-醋酸乙烯共聚物 80份、
偶氮类引发剂 0.3～0.7份、
石墨 1～3份、
顺丁烯二酸酐 1～2份、
导电炭黑 12～18份、
铜抑制剂 0.5～1.5份。
9.根据权利要求1、2、3或5所述紧凑型金属屏蔽结构中压电缆，其特征在于：
所述金属扁丝（51）的横截面棱角为平滑过渡的倒圆结构；
所述半导电隔离条（52）的横截面棱角为平滑过渡的倒圆结构。
10.根据权利要求1所述紧凑型金属屏蔽结构中压电缆，其特征在于：
所述金属屏蔽层（5）的内壁与所述绝缘线芯的绝缘屏蔽层（4）邻接配合；
所述金属屏蔽层（5）的外壁与护套层（7）和/或填充层（6）邻接配合。
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Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0076579A1 (en) * | 1981-10-07 | 1983-04-13 | Cable Technology Laboratories, Inc. | Insulation shield for a high-voltage cable |
| JP2000299021A (ja) * | 1999-04-16 | 2000-10-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 波付金属被を有する固体絶縁電力ケーブル |
| JP2003147134A (ja) * | 2001-08-27 | 2003-05-21 | Fujikura Ltd | 半導電水密組成物 |
| JP3465237B1 (ja) * | 2003-03-07 | 2003-11-10 | 株式会社フジクラ | 金属遮水層付きケーブル |
| CN201877180U (zh) * | 2010-11-22 | 2011-06-22 | 江苏河阳线缆有限公司 | 联锁铠装高强度电梯电缆 |
| CN105367698A (zh) * | 2015-11-26 | 2016-03-02 | 湖南工业大学 | 一种弹性防水乳液 |
| CN209216620U (zh) * | 2018-09-29 | 2019-08-06 | 贵州天虹志远电线电缆有限公司 | 一种绝缘柔性铠装船用电缆 |
| CN210743666U (zh) * | 2019-06-18 | 2020-06-12 | 圣安电缆有限公司 | 一种榫卯结构金属带屏蔽高压电力电缆 |
| CN216353550U (zh) * | 2021-12-10 | 2022-04-19 | 无锡市华美电缆有限公司 | 防水防潮电力电缆 |
| CN115036072A (zh) * | 2021-11-23 | 2022-09-09 | 上海起帆电缆股份有限公司 | 一种大截面中压纵向阻水电缆及其制备方法 |
-
2023
- 2023-07-05 CN CN202310817330.9A patent/CN116543970B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0076579A1 (en) * | 1981-10-07 | 1983-04-13 | Cable Technology Laboratories, Inc. | Insulation shield for a high-voltage cable |
| JP2000299021A (ja) * | 1999-04-16 | 2000-10-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 波付金属被を有する固体絶縁電力ケーブル |
| JP2003147134A (ja) * | 2001-08-27 | 2003-05-21 | Fujikura Ltd | 半導電水密組成物 |
| JP3465237B1 (ja) * | 2003-03-07 | 2003-11-10 | 株式会社フジクラ | 金属遮水層付きケーブル |
| CN201877180U (zh) * | 2010-11-22 | 2011-06-22 | 江苏河阳线缆有限公司 | 联锁铠装高强度电梯电缆 |
| CN105367698A (zh) * | 2015-11-26 | 2016-03-02 | 湖南工业大学 | 一种弹性防水乳液 |
| CN209216620U (zh) * | 2018-09-29 | 2019-08-06 | 贵州天虹志远电线电缆有限公司 | 一种绝缘柔性铠装船用电缆 |
| CN210743666U (zh) * | 2019-06-18 | 2020-06-12 | 圣安电缆有限公司 | 一种榫卯结构金属带屏蔽高压电力电缆 |
| CN115036072A (zh) * | 2021-11-23 | 2022-09-09 | 上海起帆电缆股份有限公司 | 一种大截面中压纵向阻水电缆及其制备方法 |
| CN216353550U (zh) * | 2021-12-10 | 2022-04-19 | 无锡市华美电缆有限公司 | 防水防潮电力电缆 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 尤新: "《淀粉衍生物》", pages: 251 - 261 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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