JP2003142825A - 電気絶縁層の形成方法及びその利用 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 配線埋め込み性および表面平滑性に優れた電
気絶縁層を形成する方法を提供する。 【解決手段】 絶縁性重合体と硬化剤とを含有する硬化
性組成物を硬化して電気絶縁層を形成する方法であっ
て、表面に導電体回路を有する内層基板に、硬化性組成
物のフィルム状又はシート状成形物を、加熱及び加圧
して、重ね合わせた後、成形物を硬化する工程（１）
と、当該成形物を硬化して得られた硬化膜上に、硬化
性組成物のフィルム状又はシート状成形物を、加熱及
び加圧して、重ね合わせた後、成形物を硬化させる工
程（２）とを経て電気絶縁層を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気絶縁層の形成
方法とその利用に関し、詳しくは多層回路基板の製造に
適した表面平滑性に優れた電気絶縁層を形成する方法、
当該方法により得られた電気絶縁層を有する多層回路基
板及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ビルドアップ方式の多層回路配線板は、
一般に、導電体回路（配線層）と有機材料から成る電気
絶縁層とを交互に積み上げて製造される。導電体回路
（配線層）に電気絶縁層を積み上げていくために、表面
に導電体回路を有する内層基板（以下、単に内層基板と
いうことがある）に、絶縁性重合体と硬化剤とを含有す
る硬化性組成物のフィルム状又はシート状成形物（以
下、成形物ということがある）を、加熱及び加圧して、
重ね合わせ、次いで成形物を硬化させて硬化膜を得る。
この方法においては、ここで得られた硬化膜が電気絶縁
層となる。前記加熱及び加圧に際しては、耐熱ゴム製の
プレス板を有する真空プレス装置を用いることが提案さ
れている（特開平１１−３４０６２５号公報など）。し
かし、耐熱ゴム製のプレス板だけで成形物を加熱及び加
圧した場合、当該加熱及び加圧後の成形物は、導電体回
路パターンの凹凸をある程度埋めることができるもの
の、導電体回路パターンの凹凸に追従した凹凸が表面に
残ってしまう。この凹凸は、加熱及び加圧後の成形物の
硬化によってできた電気絶縁層の表面にも引き継がれ
る。凹凸の激しい電気絶縁層上に次の導電体回路を形成
すると、その上に新たに形成された導電体回路パターン
にずれが生じ、これを複数回重ねると、多層回路基板全
体の寸法精度が悪くなる。特に、導電体回路が上の層に
なるに従って、配線幅と配線スペース（ライン・アンド
・スペース）を小さくする設計の多層回路基板では、寸
法精度を高めるため、特に表面平滑性（以下、単に平滑
性という）に優れた電気絶縁層が必要とされている。そ
こで、前記加熱及び加圧された硬化前の成形物の表面を
平滑化する手法として、特開２０００−２２８５８１号
公報では、耐熱ゴム製プレス板を介して加熱及び加圧
（一次プレス）した後、更に、金属板あるいは金属ロー
ルを介して加熱及び加圧（二次プレス）することが提案
されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者らは、この特開２０００−２２８５８１号公報記載の
方法によれば、加熱及び加圧された成形物の硬化前の表
面を平滑にさせることはできるものの、これを硬化して
形成された電気絶縁層の表面には、凹凸が生じてしまう
ことを確認した。そして本発明者らは、硬化のための加
熱により生じる、加熱及び加圧された成形物中の残留揮
発成分の揮発や絶縁性重合体の収縮が、電気絶縁層表面
に凹凸を生じさせる原因であると推定した。かかる知見
に基づき、本発明者らは、表面がより平滑な電気絶縁層
を形成するべく鋭意研究をした結果、成形物の硬化膜を
２層以上積層して電気絶縁層を形成すると、配線埋め込
み性を維持しつつ、平滑性が大幅に改善されることを見
出し、本発明を完成するに至った。

【０００４】

【課題を解決するための手段】かくして本発明によれ
ば、第一の発明として、表面に導電体回路を有する内層
基板に、硬化性組成物のフィルム状又はシート状成形物
を、加熱及び加圧して、重ね合わせた後、成形物を
硬化する工程（１）と、当該成形物を硬化して得られ
た硬化膜上に、硬化性組成物のフィルム状又はシート状
成形物を、加熱及び加圧して、重ね合わせた後、成形
物を硬化させる工程（２）とを少なくとも有する電気
絶縁層の形成方法が提供され、第二の発明として、第一
の発明により形成された電気絶縁層の表面に、新たな導
電体回路を形成する多層回路基板の製造方法が提供さ
れ、第三の発明として、第二の発明により製造された多
層回路基板が提供される。

【０００５】

【発明の実施の形態】１．電気絶縁層の形成 本発明の電気絶縁層の形成方法は、硬化性組成物のフィ
ルム状又はシート状成形物の硬化膜を少なくとも２層以
上重ね合わせて電気絶縁層を形成する点が特徴である。
本発明において工程（１）は、表面に導電体回路を有す
る内層基板に、硬化性組成物のフィルム状又はシート状
成形物（以下、単に成形物ということがある）を、
加熱及び加圧して、重ね合わせた後、成形物を硬化す
る工程である。本発明において工程（２）は、工程
（１）で成形物を硬化して得られた硬化膜上に、硬化
性組成物のフィルム状又はシート状成形物（以下、単
に成形物ということがある）を、加熱及び加圧して、
重ね合わせた後、成形物を硬化させる工程である。工
程（２）で得た硬化性組成物とそのフィルム状又はシー
ト状成形物の硬化膜の上に、工程（２）と同様にして、
さらに１層以上の硬化性組成物のフィルム状又はシート
状成形物の硬化膜を形成することができる。

【０００６】・工程（１） ＜硬化性組成物＞工程（１）において用いられる硬化性
組成物は、絶縁性重合体と硬化剤とを含有するものであ
る。絶縁性重合体は、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、
（メタ）アクリル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、トリ
アジン樹脂、脂環式オレフィン重合体、芳香族ポリエー
テル重合体、ベンゾシクロブテン重合体、シアネートエ
ステル重合体、液晶ポリマー、ポリイミドなどの電気絶
縁性を有する重合体である。これらの中でも、脂環式オ
レフィン重合体、芳香族ポリエーテル重合体、ベンゾシ
クロブテン重合体、シアネートエステル重合体又はポリ
イミドが好ましく、脂環式オレフィン重合体又は芳香族
ポリエーテル重合体が特に好ましく、脂環式オレフィン
重合体がとりわけ好ましい。脂環式オレフィン重合体と
しては、８−エチル−テトラシクロ［４．４．０．１
^２，５．１^７，１０］−ドデカ−３−エンなどのノルボ
ルネン環を有する単量体（ノルボルネン系単量体）の開
環重合体及びその水素添加物、ノルボルネン系単量体の
付加重合体、ノルボルネン系単量体とビニル化合物との
付加重合体、単環シクロアルケン重合体、脂環式共役ジ
エン重合体、ビニル系脂環式炭化水素重合体及びその水
素添加物、芳香族オレフィン重合体の芳香環水素添加物
などが挙げられる。これらの中でも、ノルボルネン系単
量体の開環重合体及びその水素添加物、ノルボルネン系
単量体の付加重合体、ノルボルネン系単量体とビニル化
合物との付加重合体、芳香族オレフィン重合体の芳香環
水素添加物が好ましく、特にノルボルネン系単量体の開
環重合体の水素添加物が好ましい。

【０００７】硬化剤としては、イオン性硬化剤、ラジカ
ル性硬化剤又はイオン性とラジカル性とを兼ね備えた硬
化剤等、一般的なものを用いることができ、特にビスフ
ェノールＡビス（プロピレングリコールグリシジルエー
テル）エーテルのようなグリシジルエーテル型エポキシ
化合物、脂環式エポキシ化合物、グリシジルエステル型
エポキシ化合物などの多価エポキシ化合物が好ましい。
硬化反応を促進させるために、例えば硬化剤として多価
エポキシ化合物を用いた場合には、第３級アミン化合物
や三弗化ホウ素錯化合物などの硬化促進剤や硬化助剤を
使用することもできるが好適である。

【０００８】上述した硬化性組成物には、所望に応じ
て、難燃剤、軟質重合体、耐熱安定剤、耐候安定剤、老
化防止剤、レベリング剤、帯電防止剤、スリップ剤、ア
ンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然
油、合成油、ワックス、乳剤、充填剤、紫外線吸収剤な
どをその他の成分として用いることができる。

【０００９】＜硬化性組成物のフィルム状又はシート状
成形物＞工程（１）において用いられる硬化性組成物
のフィルム状又はシート状成形物は、通常、上述した
硬化性組成物が、溶液キャスト法や溶融キャスト法など
により成形されたものである。成形物の厚みは、目的
とする電気絶縁層の厚み未満である。成形体の厚み
（好ましくは、成形物が硬化膜となったときの厚み）
の下限は、導電体回路の厚み以上であるのが、優れた配
線埋め込み性や平滑性が得られる点で好ましい。成形体
の厚みの上限は、好ましくは目的とする電気絶縁層の
厚みの９０％以下、より好ましくは目的とする電気絶縁
層の厚みの８０％以下、特に好ましくは目的とする電気
絶縁層の厚みの７０％以下である。成形物の厚みは、
通常０．１〜１５０μｍ、好ましくは０．５〜１００μ
ｍ、より好ましくは１．０〜８０μｍである。

【００１０】本発明においては、操作性の観点から、成
形物の形状は、フィルム状の成形物の少なくとも片面
に支持体が張り合わせられている支持体付きドライフィ
ルムであるのが好ましい。支持体付きドライフィルム
は、例えば、硬化性組成物を構成する各成分と有機溶媒
とを混合して得られたワニスを支持体に、デイップコー
ト、ロールコート、カーテンコート、ダイコート、スリ
ットコートなどの方法で塗布した後に、２０〜３００
℃、３０秒〜１時間程度の加熱条件下で、有機溶剤を乾
燥除去して得られる。

【００１１】ワニスを得るための有機溶剤としては、例
えば、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチ
ルベンゼンなどの芳香族炭化水素系有機溶剤；ｎ−ペン
タン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタンなどの脂肪族炭化水
素系有機溶剤；シクロペンタン、シクロヘキサンなどの
脂環式炭化水素系有機溶剤；クロロベンゼン、ジクロロ
ベンゼン、トリクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水
素系有機溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどのケ
トン系有機溶剤などを挙げることができる。これらの有
機溶剤は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合
わせて用いることができる。ワニスは、上述した硬化性
組成物を構成する各成分と有機溶剤とを、攪拌子とマグ
ネチックスターラーとの組み合わせからなる攪拌装置、
高速ホモジナイザー、遊星攪拌機、二軸攪拌機、ボール
ミル、三本ロールなどを使用して混合して得る。

【００１２】ワニスを塗布するのに用いる支持体として
は、樹脂フィルム（キャリアフィルム）や金属箔などが
挙げられ、樹脂フィルムが好適に使用される。樹脂フィ
ルムとしては、通常、熱可塑性樹脂フィルムが用いら
れ、具体的には、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、
ポリカーボネイトフィルム、ポリエチレンナフタレート
フィルム、ポリアリレートフィルム、ナイロンフィルム
などが挙げられる。これら樹脂フィルムの中、耐熱性や
耐薬品性、積層後の剥離性などの観点からポリエチレン
テレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフ
ィルムが好ましい。金属箔としては、例えば、銅箔、ア
ルミ箔、ニッケル箔、クロム箔、金箔、銀箔などが挙げ
られる。これらの金属博の中では、導電性が良好で安価
である点から、銅箔、特に電解銅箔や圧延銅箔が好適で
ある。支持体の厚さは特に制限されないが、作業性等の
観点から、通常１μｍ〜１５０μｍ、好ましくは２μｍ
〜１００μｍ、より好ましくは３μｍ〜５０μｍであ
る。

【００１３】＜成形物の導電体回路への重ね合わせ＞
本発明の工程（１）においては、まず、表面に導電体回
路を有する内層基板に、成形物を加熱及び加圧して、
重ね合わせる。内層基板は、表面に、導電性金属などの
導電性物質からなる導電体回路を有する基板であり、通
常、導電体回路は、電気絶縁層ａ上に形成されている。
電気絶縁層ａは、例えば、前述したのと同様の硬化性組
成物を硬化して得られたものである。内層基板は、ガラ
ス繊維、樹脂繊維などを強度向上のために含有させたも
のであってもよい。内層基板の厚みは、通常５０μｍ〜
２ｍｍ、好ましくは６０μｍ〜１．６ｍｍ、より好まし
くは１００μｍ〜１ｍｍである。このような内層基板の
具体例として、プリント配線基板、シリコンウェハー基
板などが挙げられる。

【００１４】成形物を重ね合わせる前に、成形物と導
電体回路や電気絶縁層ａとの密着性を改良する目的で、
必要に応じて内層基板に対して、粗化やプライマー層形
成などの前処理をしてもよい。粗化処理は、例えば、ア
ルカリ性亜塩素酸ナトリウム水溶液や過マンガン酸等の
粗化剤を内層基板と接触させることにより行われ、プラ
イマー層形成は、例えばチオール化合物やシラン化合物
などを内層基板と接触させることにより行われる。

【００１５】加熱及び加圧の方法は、加熱圧着（ラミネ
ーション）が一般的である。加熱及び加圧は、配線埋め
込み性を向上させ、気泡等の発生を抑える観点から、減
圧環境で行うのが好ましい。加熱及び加圧に用いる装置
としては、加圧ラミネータ装置、真空ラミネータ装置、
真空プレス装置、ロールラミネータ装置などの加圧機が
挙げられる。加圧機には、通常耐熱ゴム製プレス板や金
属製プレス板などのプレス板が設置され、このプレス板
を介して、基板と成形物とを加熱及び加圧する。ま
た、プレス板で基板と成形物とを加熱及び加圧する回
数に制限はないが、平滑性確保や生産性の観点から通常
１〜３回程度である。成形物を構成する硬化性組成物の
性質により、耐熱ゴム性プレス板や金属製プレス板をど
ちらか一方だけ用いても、両者を組み合わせて用いても
よい。例えば、成形物を加熱及び加圧する場合、耐熱
ゴム製プレス板のような成形物と接する面が比較的柔ら
かいプレス板を用い、配線埋め込み性を確保するのが望
ましい。また、耐熱ゴム製プレス板などを介して加熱及
び加圧（一次プレス）した後、金属製プレス板のような
成形物と接する面が比較的硬いプレス板を介して加熱及
び加圧（二次プレス）すると、高い平滑性を得ることが
できるので望ましい。

【００１６】加熱及び加圧時のプレス板の温度は、通常
３０〜２５０℃、好ましくは７０〜２００℃、圧着力
は、通常１０ｋＰａ〜２０ＭＰａ、好ましくは１００ｋ
Ｐａ〜１０ＭＰａ、圧着時間は、通常３０秒〜５時間、
好ましくは１分〜３時間である。加熱及び加圧を、減圧
環境で行う場合、通常１００ｋＰａ〜１Ｐａ、好ましく
は４０ｋＰａ〜１０Ｐａに雰囲気を減圧する。

【００１７】＜成形物の硬化＞成形物の硬化は、通
常、成形物（成形物を重ね合わせた基板全体）を加熱す
ることにより行う。支持体付きドライフィルムなどの支
持体を有する成形物を用いた場合には、前記支持体を剥
がした後に、硬化を行うのが一般的である。硬化条件
は、硬化性組成物に応じて適宜選択されるが、硬化させ
るための温度は、通常３０〜４００℃、好ましくは７０
〜３００℃、より好ましくは１００〜２００℃であり、
硬化時間は、通常０．１〜５時間、好ましくは０．５〜
３時間である。加熱の方法は特に制限されず、例えばオ
ーブンなどを用いて行えばよい。このようにして得られ
た成形物の硬化膜は、電気絶縁層としては十分な厚み
ではないが、導電体回路パターンの凹凸をある程度埋め
たものである。

【００１８】・工程（２） ＜硬化性組成物＞工程（２）において用いる硬化性組成
物は、工程（１）のものと同様である。 ＜硬化性組成物のフィルム状又はシート状成形物＞工
程（２）で用いる成形物は、工程（１）のものと同様
である。成形物を構成する硬化性組成物、形状、厚み
は、成形物と同一であっても異なっても良い。成形物
の厚みは、成形物の硬化膜と成形物の硬化膜とか
らなる硬化膜の積層体の厚みが、目的とする電気絶縁層
の厚み以下となるように、成形物の厚みを設計すればよ
く、生産性の観点から、当該硬化膜の積層体の厚みが、
目的とする電気絶縁層の厚みとなるように、成形物の厚
みを設計するのが望ましい。

【００１９】＜成形物の硬化膜の粗化処理＞上述のよ
うにして工程（１）を行うことにより成形物の硬化膜
を得た後、工程（２）を行う前に、前記硬化膜の表面
を、粗化処理して成形物との密着性を高めることも可
能である。粗化処理の方法としては、逆スパッタリング
などのプラズマ処理やクロム酸、過マンガン酸又はリン
酸溶液などの粗化液による粗面化処理などが挙げられ
る。

【００２０】＜成形物の硬化膜への成形物の重ね合
わせ＞工程（１）で内層基板上に形成された成形物の
硬化膜に、加熱及び加圧して、成形物を重ね合わせ
る。成形物を成形物の硬化膜に重ね合わせるための
加熱及び加圧方法は、成形物を乾燥基板に重ね合わせ
るときと同様に、加圧機を使用して加熱圧着（ラミネー
ション）すればよい。加熱及び加圧の温度や時間などの
諸条件は工程（１）で詳述したのと同様の範囲でよい。
また、必要に応じて減圧環境下で加熱及び加圧を行って
もよい。工程（２）においても、工程（１）と同様、耐
熱ゴム性プレス板や金属製プレス板などのプレス板が設
置された加圧機を用い、プレス板を介して、基板と成形
物とを加熱及び加圧する。また、基板と成形物とを
加熱及び加圧する回数に制限はないが、平滑性と生産性
のバランスから通常１〜３回程度である。成形物を構成
する硬化性組成物の性質により、耐熱ゴム性プレス板や
金属製プレス板をどちらか一方だけ用いても、両者を組
み合わせて用いてもよい。例えば、成形物を加熱及び
加圧する場合、金属製プレス板のような成形物と接する
面が比較的硬いプレス板を用いて高い平滑性を得るのが
望ましい。もちろん、優れた配線埋め込み性や高い平滑
性を得るため、耐熱ゴム製プレス板のような成形物と接
する面が比較的柔らかいプレス板を介して加熱及び加圧
した後、金属製プレス板のような成形物と接する面が比
較的硬いプレス板を介して加熱及び加圧してもよい。工
程（２）において採用する加熱及び加圧の方法や加熱及
び加圧条件は、工程（１）で採用したのと同一であって
も異なってもよい。

【００２１】＜成形物の硬化＞成形物の硬化の方法
や条件は、工程（１）のと同様でよい。工程（２）にお
いて採用する硬化の方法と硬化条件は、工程（１）で採
用したのと同一であっても異なってもよい。工程（２）
において、成形物の硬化膜の上に成形物を硬化する
ことで、成形物の硬化膜の凹凸が埋まり、平滑な硬化
膜面が得られる。本発明では、必要に応じて、成形物
の硬化膜の上に、同様の要領で、新たな成形物の硬化膜
を形成してもよい。このように硬化膜を２以上積層して
得られた硬化膜積層体は、平滑性に優れた電気絶縁層と
なる。

【００２２】２．多層回路基板の形成 本発明の多層回路基板の形成方法は、上述した本発明の
電気絶縁層の形成方法により形成された電気絶縁層の上
に、導電体回路を形成する方法である。通常、多層回路
基板を形成する場合、当該電気絶縁層の下に位置する内
層基板表面の導電体回路と、当該電気絶縁層の上に後に
形成される新たな導電体回路とを接続するため、電気絶
縁層にビアホール形成用の開口を形成する。ビアホール
形成用の開口を形成する方法は特に制限されず、例え
ば、ドリル、レーザー、プラズマエッチング等の物理的
処理等によって行えばよい。これらの方法のうち、絶縁
層の特性を低下させず、より微細なビアホールを形成す
ることができるという観点から、炭酸ガスレーザー、エ
キシマレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザー等のレーザーに
よる方法が好ましい。

【００２３】新たな電気絶縁層を形成する方法は特に制
限されないが、例えば、電気絶縁層表面とビアホール形
成用開口の内壁面に金属薄膜層を形成し、次いで、金属
薄膜層の上にメッキレジストパターンを形成させ、更に
その上に電解メッキ等の湿式メッキによりメッキを成長
させ、次いで、メッキレジストを除去し、更にエッチン
グにより金属薄膜層をエッチングして導電体回路を形成
する方法が挙げられる。ここで新たに形成された導電体
回路は、金属薄膜層と、その上に成長させたメッキとか
ら構成されている。

【００２４】金属薄膜層の形成は、スパッタリング法、
無電解メッキ法、真空蒸着法等の周知の方法により行え
ば良く、特に無電解メッキによるのが好ましい。無電解
メッキ法に用いる無電解メッキ液としては、公知の自己
触媒型無電解めっき液のいずれを用いても良い。例え
ば、次亜リン酸アンモニウム又は次亜リン酸、水素化硼
素アンモニウムやヒドラジン、ホルマリンなどを還元剤
とする無電解銅めっき液、次亜リン酸ナトリウムを還元
剤とする無電解ニッケル−リンめっき液、ジメチルアミ
ンボランを還元剤とする無電解ニッケル−ホウ素めっき
液、無電解パラジウムめっき液、次亜リン酸ナトリウム
を還元剤とする無電解パラジウム−リンめっき液、無電
解金めっき液、無電解銀めっき液、次亜リン酸ナトリウ
ムを還元剤とする無電解ニッケル−コバルト−リンめっ
き液等の無電解めっき液を用いることができる。金属薄
膜層を形成した後、基板表面を防錆剤と接触させて防錆
処理をすることもできる。

【００２５】金属薄膜層の形成を無電解メッキにより行
う場合、金属薄膜層を電気絶縁層の表面に形成させる前
に、金属薄膜層上に、銀、パラジウム、亜鉛、コバルト
などの触媒核を吸着させるのが一般的である。触媒核を
電気絶縁層に付着させる方法は特に制限されず、例え
ば、必要に応じて過マンガン酸カリウム水溶液や過マン
ガン酸ナトリウム水溶液などのアルカリ性水溶液を電気
絶縁層と接触させた後、硫酸ヒドロキシアミンと硫酸と
の混合液などの酸性水溶液により中和還元処理し、次い
で銀、パラジウム、亜鉛、コバルトなどの金属化合物や
これらの塩や錯体を、水又はアルコール若しくはクロロ
ホルムなどの有機溶媒に０．００１〜１０重量％の濃度
で溶解した液（必要に応じて酸、アルカリ、錯化剤、還
元剤などを含有していてもよい）に浸漬した後、金属を
還元する方法などが挙げられる。

【００２６】導電体回路を構成する金属薄膜層と、その
上に成長させたメッキとの密着性を高めるため、金属薄
膜層を形成した時点で、或いはメッキを成長させて導電
体回路を形成した時点で、その基板を、例えば、熱プレ
ス機、加圧加熱ロール機などで加熱及び加圧することが
できる。温度条件は、通常５０〜３５０℃、好ましくは
８０〜２５０℃である。加える圧力は、通常０．１ＭＰ
ａ〜２０ＭＰａ、好ましくは０．５ＭＰａ〜１０ＭＰａ
である。このようにして複数の導電体回路を有する多層
回路基板が得られる。もちろん、この新たに導電体回路
が形成された基板を内層基板として、本発明の方法で更
に電気絶縁層や導電体回路を形成することもできる。

【００２７】こうして得られる本発明の多層回路基板
は、コンピューターや携帯電話等の電子機器において、
ＣＰＵやメモリなどの半導体素子、その他の実装部品を
実装するためのプリント配線板として使用できる。特
に、微細配線を有するものは高密度プリント配線基板と
して、高速コンピューターや、高周波領域で使用する携
帯端末の配線基板として好適である。

【００２８】

【実施例】以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明を
具体的に説明する。なお、実施例中、部及び％は、特に
断りのない限り重量基準である。 （１）分子量（Ｍｗ、Ｍｎ） テトラヒドロフランを溶剤とするゲル・パーミエーショ
ン・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン
換算値として測定した。 （２）水素化率及びマレイン酸残基含有率 水素添加前の重合体中の、不飽和結合のモル数に対する
水素添加率（水素添加添加率）及び水素添加後の重合体
中の総モノマー単位数に対する（無水）マレイン酸残基
のモル数の割合（マレイン酸残基含有率）は^１Ｈ−ＮＭ
Ｒスペクトルにより測定した。 （３）ガラス移転温度（Ｔｇ） 示差走査熱量法（ＤＳＣ法）により測定した。

【００２９】（４）配線埋め込み性 回路基板を切断し、走査型電子顕微鏡にて空隙の有無を
観察した。評価は配線１００本につき空隙を生じていな
いものは◎、空隙が１ヶ所以上３ヶ所以下のものは○、
空隙が４ヶ所以上６ヶ所以下のものは△、空隙が７ヶ所
以上のものは×とした。 （５）平滑性 回路基板表面を触針式膜厚計（テンコール社 Ｐ−１
０）にて測定し凹凸の大小を判定。評価は膜厚差が０μ
ｍ以上０．５μｍ未満のものは◎、０．５μｍ以上１μ
ｍ未満のものは○、１μｍ以上２μｍ未満のものは△、
２μｍ以上のものを×とした。

【００３０】製造例１ ８−エチル−テトラシクロ［４．４．０．１^２，５．１
^７，１０］−ドデカ−３−エンを開環重合し、次いで水
素添加反応を行い、Ｔｇ＝約１４０℃の水素化重合体を
得た。得られた重合体の水素化率は９９％以上であっ
た。得られた水素化重合体１００部、無水マレイン酸４
０部及びジクミルパーオキシド５部をｔ−ブチルベンゼ
ン２５０部に溶解し、１４０℃で６時間反応を行った。
得られた反応生成物溶液を１０００部のイソプロピルア
ルコール中に注ぎ、反応生成物を凝固させマレイン酸変
性水素化重合体を得た。この変性水素化重合体を１００
℃で２０時間真空乾燥した。この変性水素化重合体の分
子量はＭｎ＝３３，２００、Ｍｗ＝６８，３００、Ｔｇ
＝１７０℃であった。マレイン酸残基含有率は２５モル
％であった。

【００３１】前記変性水素化重合体を１００部、ビスフ
ェノールＡビス（プロピレングリコールグリシジルエー
テル）エーテル４０部、２−［２−ヒドロキシ−３，５
−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル］ベンゾ
トリアゾール５部及び１−ベンジル−２−フェニルイミ
ダゾール０．１部を、キシレン２１５部及びシクロペン
タノン５４部からなる混合溶剤に溶解させてワニスａを
得た。

【００３２】当該ワニスを、ダイコーターを用いて、３
００ｍｍ角の厚さ５０μｍのポリエチレンナフタレート
フィルム（支持体）に塗工し、その後、窒素オーブン
中、１２０℃で１０分間乾燥し、成形物の厚みが２０μ
ｍである支持体付きドライフィルム１を得た。

【００３３】製造例２ 変性水素化重合体１００部に代えて、ポリ（２，６−ジ
メチルフェニレン−１，４−エーテル）（Ｍｗ＝１８，
０００）６０部、エポキシ樹脂（商品名：エピコート１
０００：油化シェルエポキシ株式会社製：Ｍｗ＝１，３
００）４０部を用いた以外は製造例１と同様にして樹脂
厚み２０μｍの支持体付きドライフィルム２を得た。

【００３４】製造例３ 製造例１で得た変性水素化重合体を１００部、１，３−
ジアリルー５−グリシジルイソシアヌレート４０部、ジ
クミルペルオキシド４部、２−［２−ヒドロキシ−３，
５−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル］ベン
ゾトリアゾール５部及び水素化ビスフェノールＡ型エポ
キシ化合物（商品名：ＥＰＩＣＬＯＮＥＸＡ−７０１
５、大日本インキ株式会社製、エポキシ当量＝２１０
ｇ）４０部、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール
０．１部をキシレン４０部及びシクロペンタノン２５部
からなる混合溶剤に溶解させて得たワニスｂを用いたこ
と以外は製造例１と同様にして樹脂厚み２０μｍの支持
体付きドライフィルム３を得た。

【００３５】製造例４ 支持体に塗布するワニスの量を調整したこと以外は、製
造例１と同様にし、成形物の厚みが４０μｍである支持
体付きドライフィルム４を得た。

【００３６】実施例１ 直径０．２ｍｍのメッキスルーホールを有し、両面にラ
イン・アンド・スペース（Ｌ／Ｓ）＝５０μｍ／１００
μｍ、導体層厚みが１５μｍの導電体回路が形成され
た、厚さ０．８ｍｍの内層基板を、１ｍｏｌ／リットル
の水酸化ナトリウム水溶液で洗浄し、基板上の不純物を
除去し、水洗し、乾燥させた。 ・工程（１） 次いで、前記洗浄処理後の内層基板を、成形体側が基板
に接するように、製造例１で得た支持体付きドライフィ
ルム１で挟み、加熱及び加圧時に、基板とドライフィル
ムとがずれないように４角をポリイミドテープで固定し
た。これを、耐熱ゴム製プレス板を上下に備えた真空積
層装置を用いて、減圧度２００Ｐａにて、温度１１５
℃、圧力１．０ＭＰａで１８０秒間加熱圧着した（一次
プレス）。次いで、ステンレス製プレス板で覆われた耐
熱ゴム製プレス板を上下に備えた積層装置を用いて、温
度１３５℃、圧力１．０ＭＰａで１８０秒間加熱圧着し
た（二次プレス）。そして、支持体のみを剥がし、１７
０℃の窒素オーブン中で６０分間硬化して、硬化膜を形
成した。 ・工程（２） この硬化膜表面を、約３５℃に保持して、１０分間、周
波数１３.５６ＭＨｚ、出力１００Ｗ、ガス圧０.８Ｐａ
のアルゴンプラズマによる粗化処理を行った。粗化処理
後の基板を、製造例１で得たドライフィルム１を用い
て、工程（１）と同様に挟み、硬化膜を得たのと同様の
操作を行い、電気絶縁層を形成した。電気絶縁層形成
後、導体層がある部分とない部分の膜厚差は０．２μｍ
であった。このようにして電気絶縁層が形成された回路
基板の評価結果を表１に示す。

【００３７】実施例２ 工程（１）及び（２）で用いる成形体を製造例２で得た
ドライフィルム２に代えたこと以外は、実施例１と同様
にして電気絶縁層を形成した。このようにして電気絶縁
層が形成された回路基板の評価結果を表１に示す。

【００３８】実施例３ 工程（１）及び（２）で用いる成形体を、いずれも製造
例３で得たドライフィルム３に代え、工程（１）及び
（２）における一次プレスを省略したこと以外は、実施
例１と同様にして電気絶縁層を形成した。このようにし
て電気絶縁層が形成された回路基板の評価結果を表１に
示す。

【００３９】実施例４ 実施例１で、工程（１）における二次プレスの工程を省
略したこと以外は、実施例１と同様にして電気絶縁層を
形成した。このようにして電気絶縁層が形成された回路
基板の評価結果を表１に示す。

【００４０】比較例１ 工程（１）において実施例１のドライフィルムの代わり
に製造例４で得たドライフィルム４を使用し、工程
（２）を省略したこと以外は、実施例１と同様にして回
路基板を得た。電気絶縁層形成後、導体層がある部分と
ない部分の膜厚差は２．０μｍであった。このようにし
て電気絶縁層が形成された回路基板の評価結果を表１に
示す。

【００４１】比較例２ 工程（１）において、成形物を硬化しなかったこと、
及びアルゴンプラズマによる粗化処理を行わなかったこ
と以外は実施例１と同様にして第１、第２の電気絶縁層
を形成した。評価結果を表１に示す。

【００４２】

【表１】

【００４３】この結果から、工程（１）及び（２）を経
て得られた電気絶縁層は、配線埋め込み性とともに平滑
性に優れることが判る。特に、硬化性組成物中の絶縁性
重合体として脂環式オレフィン重合体を用い、工程
（１）及び（２）のいずれにおいても、耐熱ゴム製プレ
ス板を用いた一次プレスと、金属製プレス板を用いた二
次プレスとを組み合わせると極めて優れた平滑性と配線
埋め込み性が得られることがわかる（実施例１）。

【００４４】

【発明の効果】本発明の方法によれば、寸法精度に優れ
た多層回路基板を与えるのに好適な配線埋め込み性およ
び平滑性に優れた電気絶縁層を形成することができる。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面に導電体回路を有する内層基板に、
   硬化性組成物のフィルム状又はシート状成形物を、加
   熱及び加圧して、重ね合わせた後、成形物を硬化する
   工程（１）と、当該成形物を硬化して得られた硬化膜
   上に、硬化性組成物のフィルム状又はシート状成形物
   を、加熱及び加圧して、重ね合わせた後、成形物を硬
   化させる工程（２）とを少なくとも有する電気絶縁層の
   形成方法。
2. 【請求項２】 工程（１）において、内層基板に、成形
   物を、減圧環境下で加熱及び加圧して、重ね合わせる
   請求項１記載の電気絶縁層の形成方法。
3. 【請求項３】 工程（１）において、加熱及び加圧が、
   硬化性組成物のフィルム状又はシート状成形物の上か
   ら、耐熱ゴム性プレス板を介して行われるものである請
   求項１記載の電気絶縁層の形成方法。
4. 【請求項４】 工程（１）において、加熱及び加圧が、
   硬化性組成物のフィルム状又はシート状成形物の上か
   ら、耐熱ゴム性プレス板を介して行われた後、更に、金
   属製プレス板を介して行われるものである請求項１記載
   の電気絶縁層の形成方法。
5. 【請求項５】 工程（２）において、加熱及び加圧が、
   硬化性組成物のフィルム状又はシート状成形物の上か
   ら、金属製プレス板を介して行われるものである請求項
   １記載の電気絶縁層の形成方法。
6. 【請求項６】 工程（２）において、加熱及び加圧が、
   硬化性組成物のフィルム状又はシート状成形物の上か
   ら、耐熱ゴム性プレス板を介して行われた後、更に、金
   属製プレス板を介して行われるものである請求項１記載
   の電気絶縁層の形成方法。
7. 【請求項７】 工程（２）の前に、硬化性組成物のフィ
   ルム状又はシート状成形物を硬化して得られた硬化膜
   の表面を粗化する工程を有する請求項１記載の電気絶縁
   層の形成方法。
8. 【請求項８】 絶縁性重合体がエポキシ樹脂、マレイミ
   ド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ジアリルフタレート樹
   脂、トリアジン樹脂、脂環式オレフィン重合体、芳香族
   ポリエーテル重合体、ベンゾシクロブテン重合体、シア
   ネートエステル重合体、液晶ポリマー又はポリイミドで
   ある請求項１記載の電気絶縁層の形成方法。
9. 【請求項９】 請求項１〜７のいずれかの方法により形
   成された電気絶縁層の表面に、新たな導電体回路を形成
   する多層回路基板の製造方法。
10. 【請求項１０】 請求項９記載の方法により製造された
    多層回路基板。