JP2003142537A

JP2003142537A - 半導体装置の検査装置

Info

Publication number: JP2003142537A
Application number: JP2001336223A
Authority: JP
Inventors: Toshio Miyatake; 俊雄宮武; Tatsuya Nagata; 達也永田; Hiroya Shimizu; 浩也清水; Ryuji Kono; 竜治河野; Hideyuki Aoki; 英之青木
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2001-11-01
Filing date: 2001-11-01
Publication date: 2003-05-16

Abstract

(57)【要約】【課題】広い面積にわたって電極パッドにプローブさ
せる場合でも、全てのプローブに対して、ほぼ均等な圧
力を加え、安定した導通が得られる半導体検査用プロー
ブ装置を提供する。【解決手段】プローブ装置のステージ１６のウェハ２
１が載置される領域の周囲にウェハ２１の厚さとほぼ同
じ高さのスペーサ１６０を配置し、プローブ構造体１１
をウェハ２１とスペーサ１６０の両方に対向させ、プロ
ーブ構造体１１のウェハ２１に対向している部分を押圧
することにより、プローブ構造体１１がウェハ２１の表
面に対して傾斜するのを防ぐ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造時
の検査に係り、特にバーンイン検査、最終検査など半導
体製造工程における半導体装置の電気的特性の検査に関
する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造においては、半導体ウ
ェハ上に精密写真転写技術等を用いて、複数の半導体装
置が形成され、この後各半導体装置毎に切断される。こ
のような半導体装置の製造工程では、従来からプローブ
装置を用いて、半完成品の半導体装置の電気的特性の測
定を半導体ウェハの状態で行い、この試験の結果、良品
と判断されたもののみをパッケージング等の後工程に送
ることによって、生産性の向上をはかっている。

【０００３】このようなプローブ装置は、Ｘ―Ｙ―Ｚ―
θ方向に移動可能に構成された、被検査体としての半導
体ウェハを載せるためのステージを備えている。ステー
ジの上方には、半導体ウェハに形成された半導体装置の
電極パッドに対応した多数のプローブ針を備えたプロー
ブカードが配置される。そして、ステージ上に半導体ウ
ェハを載せ、ステージの位置を調節することにより、半
導体ウェハの電極パッドにプローブ針を接触させ、この
プローブ針を介して試験手段であるテスタにより電気的
特性の測定を行う。

【０００４】しかし近年、半導体装置の微細化が進み、
回路の集積度が高まり、それに伴って電極パッドのサイ
ズも微細化し、その間隔も狭まっている。例えば、半導
体装置の各電極パッドは、一辺が６０〜１００μｍ角で
あり、各電極パッド列の相互間ピッチ距離は１００〜２
００μｍである。したがって、プローブカードの限られ
たスペースに数百本〜数千本という多数のプローブ針が
必要となるが、このようなことは技術的に困難であり、
限界に近づきつつある。

【０００５】また、検査の効率を上げるために、一度に
プローブすることができる面積を増加させ、最終的には
半導体ウェハを一括でプローブするような技術開発が求
められている。これは、いわゆるＷＬＢＩ（Wafer Lev
el Burn In）と呼ばれるような、これまで個片に切断
された後に行われていたバーンイン検査をウェハの状態
で行う、というような検査方法を実現するためにも必要
となる。

【０００６】そこで、特開平９―０３６１８８号公報お
よび特開平９―０４３２７６号公報に示されるように、
所定のパターン配線を有する膜部材に複数の電極バンプ
を設けた、いわゆるメンブレンタイプのプローブカード
が提案されている。

【０００７】このうち特開平９―０３６１８８号公報に
記載されているプローブ装置は、多数の電極バンプを有
する膜部材を、独立に上下移動可能な複数のブロックで
ウェハに押し付けることにより、広い面積にわたってウ
ェハの表面プロファイルに追従した状態で押圧する。こ
れにより、ウェハ上の電極パッドに対し、ほぼ均等に圧
力を加えプロービングを行う。

【０００８】一方、特開平９―０４３２７６号公報に記
載されているプローブ装置は、多数の電極バンプを有す
る膜部材を、ポゴピン（スプリングを内装し伸縮可能な
ピン）を介して押圧部材でウェハに押付けることによ
り、広い面積にわたってウェハの表面プロファイルに追
従した状態で押圧する。これにより、ウェハ上のパッド
に対し、ほぼ均等に圧力を加えプロービングを行う。

【０００９】しかしながら、特開平９―０３６１８８号
公報開示の技術では、電極バンプを備えた方形のブロッ
クを格子状に並べてウェハに押し付けるため、ウェハ外
周部では、一つのブロック内でウェハに当たる部分とウ
ェハの外側になってウェハに当たらない部分が存在する
場合がある。このような場合には、ブロックがウェハに
対して傾き、ブロック内で荷重のばらつきが発生しプロ
ーブできない部分が生じてしまう可能性がある。

【００１０】また特開平９―０４３２７６号公報では、
段差部分でもポゴピンが追従するような構造になってい
るが、段差の下の部分を押圧することにより、そこでメ
ンブレン状のプローブカードが引っ張られて、プローブ
がパッドに対してずれてしまいプローブできなくなる可
能性がある。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体ウェ
ハ上の複数の半導体装置の電極パッドを一括してプロー
ブする場合のように、広い面積にわたって電極パッドに
プローブさせる場合でも、全てのプローブに対して、ほ
ぼ均等な圧力を加え、安定した導通が得られる半導体検
査用プローブ装置を提供することを課題とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、ウェハ上に形成された、複数の電極パッ
ドを有する被検査体、すなわち半導体装置の電極パッド
にプローブを接触させて前記被検査体の電気特性を検査
するためのプローブ装置であって、被検査体を載置、固
定するためのステージと、前記被検査体の複数の電極パ
ッドに対応するように形成されたプローブを備え、前記
ステージ、すなわちステージに載置された被検査体に対
向して設けられるプローブ構造体と、前記プローブ構造
体を、ウェハ全域にプロービングさせるための位置決め
機構と、前記プローブ構造体のプローブ形成面の反対面
を押圧し、プローブと被検査体の電極パッドを接触させ
るための押圧機構と、を備えており、以下のような特徴
の少なくとも一つを持つ。 (1) 前記ステージは被検査体を入れることができる、被
検査体と同じ高さの段差を形成するためのスペーサを有
し、前記プローブ構造体を被検査体に接触させる時に、
プローブ構造体をウェハ、及び、前記スペーサに押圧す
ること。ステージのウェハが載置される部分を周囲より
も低い凹部をなすように形成し、ウェハが載置されたと
き、ウェハの上面と、ステージの前記凹部の外側の部分
の上面の高さが同じになるようにしてもよい。前記スペ
ーサのプローブ構造体と接触する部分や、ステージの前
記凹部の外側のウェハの上面と同じ高さになる部分は、
電気絶縁性を持たせておく必要がある。 (2) 前記押圧機構はプローブ構造体のうち被検査体と接
触する部分内で少なくとも３点以上の点で押圧し、被検
査体と接触する部分にのみ押圧荷重をかけることができ
ること。このように構成することで、被検査体がない、
ウェハの外周部分でプローブ構造体が傾斜してプローブ
と電極パッドの接触が不安定になるのが避けられる。な
お、前記プローブ構造体のプローブは、被検査体と対応
する部分にのみ形成されていることが望ましい。被検査
体と対応していない部分にプローブがあっても、使用さ
れることがないから、無駄である。 (3) プローブ構造体は、ウェハに形成された複数の半導
体装置全ての電極パッドに同時に接触できる数と配置の
プローブを備えたものとし、１度の位置決めで半導体装
置全ての検査を終わらせるのが望ましいが、いくつかの
半導体装置の電極パッドに同時に接触できる数と配置の
プローブを備えたものとし、いくつかの半導体装置の検
査が終わる毎に新たな複数の半導体装置に位置決めして
検査を行うようにし、何回かに分けてウェハの検査を行
うようにしてもよい。 (4) プローブ構造体は、それぞれ独立してステージに向
かって進退できる複数のプローブ構造体の集合体として
構成し、各プローブ構造体はそれぞれ複数の半導体装置
に対応できる数と配置のプローブを備えたものとするの
が望ましい。それぞれ独立してステージに向かって進退
できるようにすることで、押圧機構による押圧が、ウェ
ハの微細な凹凸により追従してプローブを電極パッドに
接触させることを容易にする。

【００１３】プローブ装置と、このプローブ装置に接続
されて半導体装置の電気特性を検査する試験手段と、を
含む半導体装置の検査装置を構成する場合、プローブ装
置として、上記条件を備えたプローブ装置を用いればよ
い。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図を参照して具体的に説明する。

【００１５】まず、本発明の第１の実施の形態に係る半
導体装置の検査装置について説明する。半導体装置の検
査装置は、ウェハに形成された半導体装置に電流あるい
は電圧を負荷して出力を取り出す部分（以下、プローブ
装置という）と、取り出された出力を判断する部分（試
験手段）から構成される。本発明はこのプローブ装置
と、プローブ装置を含む半導体装置の検査装置に係るも
のである。図１は本発明の第１の実施の形態に係るプロ
ーブ装置の平面図、図２、図３はそれぞれ図１のＡ―Ａ
´、Ｂ―Ｂ´線矢視断面図であり、上記試験手段に相当
する部分は図示及び説明を省略する。

【００１６】プローブ装置１は、複数のプローブ構造体
１１、プローブ構造体１１を位置決めする位置決め枠１
２、プローブ構造体１１を被検査体である半導体ウェハ
２１（あるいはウェハに形成された半導体装置２２）に
対して押圧する押圧機構１３、押圧機構１３を介してプ
ローブ構造体１１に結合されたプリント基板１４、プリ
ント基板１４がたわまないようにするためプリント基板
１４の押圧機構１３と反対側の面に結合された補強板１
５と、半導体ウェハ２１を載せるステージ１６とを備え
ている。

【００１７】プローブ構造体１１は、被検査体である半
導体ウェハ２１に形成された半導体装置２２の電極パッ
ド２３に対応する位置にプローブとなる突起１１１１を
備え、一つのプローブ構造体で複数の半導体装置を検査
できるようになっている。

【００１８】本実施の形態におけるプローブ構造体１１
の詳細な構造を図４から図８に示す。図４はプローブ構
造体の略平面図、図５は図４に示すプローブ構造体１１
のＣ―Ｃ´線矢視断面図である。図４に示すように、プ
ローブ構造体は、一つの半導体装置を検査するためのプ
ローブユニット１１０を複数集めることにより構成され
ている。本実施の形態では、１２個のプローブユニット
１１０で一つのプローブ構造体１１が構成されている。
なお、図１では、１４個のプローブ構造体１１が配置さ
れ、各プローブ構造体１１は、同一パターンで配置され
た１２個のプローブユニット１１０を備えている。図１
に示された小さい桝目は、半導体ウェハに形成された半
導体装置２２を示している。

【００１９】各プローブ構造体は、プローブ基板１１１
と、異方性導電膜１１３を介してプローブ基板１１１に
結合されたセラミック基板１１２と、セラミック基板１
１２を覆う金属カバー１１４からなる。異方性導電膜１
１３は、プローブ基板１１１とセラミック基板１１２の
間を電気的に接続する。

【００２０】図６、図７、図８は、プローブ構造体１１
の構成要素の一つのプローブ基板１１１を示し、それぞ
れプローブ面の平面図、断面図、プローブ面の反対面の
平面図である。

【００２１】プローブ基板１１１には、図に示すよう
に、個別に変形が容易な梁１１１０が形成され、前記梁
には検査対象である半導体装置と対向する側に、半導体
装置と電気的に導通を行うためのプローブとして突起１
１１１が形成されている。突起１１１１は、半導体装置
の複数の電極パッド位置に合わせて、マイクロマシニン
グ技術により高精度に加工されている。その位置精度は
１μｍ以下である。このように、突起を梁上に形成する
ことにより、半導体装置の電極パッドに突起が当たる時
に梁がたわみ、電極パッドの高さばらつきを吸収するこ
とができる。なお前記梁は、図に示すような両持ち梁の
ほか、図示しないが、片持ち梁でもよい。図に示すよう
に、突起１１１１および梁１１１０には金属配線１１１
２が形成されており、外部との電気的なやり取りを行う
ための２次電極パッド１１１３に接続されている。な
お、図７では、図の両側にある２次電極パッド１１１３
が中央に示された突起１１１１に接続されているように
見えるが、図６を見ればわかるように、突起１１１１は
右もしくは左の一方の２次電極パッド１１１３のみに接
続されている。

【００２２】配線は、抵抗率が小さいＣｕが好適であ
り、配線の酸化を防止するためにニッケルがＣｕの上に
形成されていてもよい。プローブ先端には、Ａｕをコー
ティングし、接触性を向上させるのが好ましい。前記金
属配線１１１２の配線材料は１５０℃以上で溶解せず、
電気的導通がある薄膜形成可能で、抵抗率が低い材料で
あれば、他の材料を用いてもよい。また、２次電極パッ
ド１１１３表面には、他の電気接続端子を導通しやすい
ようにＡｕがコーティングされていてもよい。

【００２３】セラミック基板１１２は積層構造を持ち、
電源線やグランド線など共通化できる部分をまとめた
り、適切に配線を引き出すことにより、テスタとの接続
を行いやすくしてある。接続の方法としては、図示しな
いが、セラミック基板上にコネクタをつけて、そこから
フレキ配線などを用いてテスタと接続するなどの方法が
考えられる。また、本実施の形態のようにセラミック基
板を用いるのではなく、プローブ基板とプリント基板の
間にポゴピンを設置して、直接接続するような方法をと
ってもよい。金属カバー１１４は、プローブユニットが
半導体装置に押圧されたときにたわむのを防ぐために配
置されている。

【００２４】このようなプローブ構造体を複数（図１で
は１４個）用い、位置決め枠１２を使って、半導体ウェ
ハ上の半導体装置の位置に対応させることにより、ウェ
ハ一括プローブを実現する。

【００２５】以上のように本実施の形態におけるプロー
ブ構造体１１には、Ｓｉを用いるプローブ基板を用いた
が、メンブレンタイプのプローブカード等で同様の機能
を持つものがあればそれを用いてもよい。

【００２６】この時、プローブ構造体は全て同じ構造の
ものを用いることが、プローブ構造体を安価に作ること
ができるため望ましいが、このような場合ウェハ上の外
周部では、一つのプローブ構造体の中で、ウェハ上の半
導体装置の電極パッドに当たる突起１１１１と、当たら
ない突起１１１１ができる。当たらない突起があるとこ
ろでは、プローブ構造体がウェハに対して傾いてしま
い、押圧荷重がばらつきプローブできない部分が発生す
る可能性がある。

【００２７】このような現象をなくすために、半導体ウ
ェハ２１を載せるステージ１６には、被検査体である半
導体ウェハを入れることのできる、半導体ウェハの厚さ
とほぼ同じ高さの段差を形成するためのスペーサ１６０
を配置する。スペーサ１６０は、ステージ１６の中央部
を、半導体ウェハ２１の外径に合わせて半導体ウェハの
厚さとほぼ同じ深さの円形の凹みを削り込んで形成して
もよいし、半導体ウェハの厚さとほぼ同じ厚さの板材の
中央部を半導体ウェハ２１の外径とほぼ同じ径で切りぬ
き、これをステージ１６の表面に固定して形成してもよ
い。

【００２８】上述のようなスペーサ１６０をステージ１
６に設け、スペーサ１６０で形成されるステージ１６中
央部の円形の凹みに検査対象の半導体ウェハ２１を配置
する。この構成でプローブ構造体１１を半導体ウェハ２
１に対して押圧すると、半導体ウェハ上の半導体装置の
電極パッドとこのスペーサ１６０の両方に、プローブ構
造体が押圧され、半導体ウェハとプローブ構造体の平行
が保たれ、プローブ構造体上の全ての領域でプローブで
きる。

【００２９】スペーサは図１のようにウェハの全周にあ
ってもよいし、図示しないが、プローブ構造体が当たる
部分にだけあってもよい。

【００３０】このようにスペーサにプローブ構造体を押
圧する場合には、スペーサが導電性であると、スペーサ
に当たったプローブ間でショートしてしまい、検査が行
えなくなってしまう恐れがあるため、プローブ構造体が
接触するスペーサ部分は電気絶縁性を持つことが必要と
なる。そのため、ステージ１６のスペーサ部分は電気絶
縁性を持つ材料を用いることが望ましい。しかし、ステ
ージの材料として金属材料が用いられるのが一般的と考
えられるので、その場合には、電気絶縁性を持つシート
１６１をスペーサに張りつけるとよい。そのとき、シー
ト１６１の弾性を考慮して、押圧したときにプローブ構
造体の傾きが生じないような厚さのシートを用いる必要
がある。なお、電気絶縁性のシートに限らず、その他の
方法でもスペーサのプローブ構造体に対向する部分に電
気絶縁性を持たせることができればそれを用いてもよ
い。

【００３１】本実施の形態における押圧機構１３は、プ
ローブ構造体の金属カバー１１４上に配置されたＳｉゴ
ムのような弾性体１３０と、この弾性体１３０とプリン
ト基板１４の間に配置された押圧板１３１とを含んで構
成され、プリント基板１４とプリント基板がたわまない
ようにするための補強板１５で押圧板１３１を押圧し、
押圧板１３１が弾性体１３０を介してプローブ構造体を
ウェハに押圧する構造にしてある。

【００３２】この時、プローブ構造体の全ての領域に均
等に弾性体１３０を配置して押圧するのではなく、半導
体ウェハ、言いかえるとウェハに形成された半導体装置
に当たる部分内で少なくとも３点以上の点で押圧するよ
うに弾性体１３０を配置する。このようにすることによ
り、半導体ウェハ全域をプローブできるように並べた複
数のプローブ構造体を半導体ウェハに押圧したときに、
各プローブ構造体がそれぞれ半導体ウェハ面に倣い、前
記３点を通る平面が半導体ウェハ面に対して傾くことが
なく、プローブ構造体と半導体ウェハを平行に保つこと
ができる。

【００３３】ウェハの外周部では、ウェハに当たらない
部分を避けて弾性体を配置して押圧することにより、ウ
ェハと当たっている部分にのみ荷重がかかり、ウェハと
全面で当たる部分と同様に、ウェハとの間に傾きを生じ
なくすることができる。

【００３４】また、プローブ構造体のプローブ面および
ウェハ面の反りが存在しプローブしにくい場合には、プ
ローブ構造体のその部分も押圧することにより、プロー
ブ面をウェハ面に倣わせてプローブすることができる。

【００３５】このような押圧方法は、ステージ上にスペ
ーサを形成することができない場合などでも傾きを抑え
る効果がある。

【００３６】本発明の第２の実施の形態について図９を
参照して説明する。本実施の形態が前記第１の実施の形
態と異なるのは、本実施の形態は前記第１の実施の形態
のように一種類のプローブ構造体を用いるのではなく、
図９に示すように、半導体ウェハ外周部にはウェハに配
置された半導体装置２２の形状、配置に合わせた複数の
種類のプローブ構造体を用いる点である。このようにす
ると、半導体装置がある部分にのみ押圧荷重がかかるた
め、より安定して平行を保て、全領域で安定したプロー
ビングが実現できる。

【００３７】このように一枚の半導体ウェハに形成され
た複数の半導体装置を複数のプローブ構造体で検査する
ことにより、プローブ構造体が部分的に破損した場合
に、その部分だけを交換することにより、復旧ができる
という利点がある。また、プローブ構造体を製造すると
きの歩留まりも向上し、プローブ構造体を製造する時の
コスト低減をはかれる。

【００３８】本発明の第３の実施の形態を図１０を参照
して説明する。前記第１、第２の実施の形態では、一枚
の半導体ウェハに対して複数のプローブ構造体を用いる
方法について示したが、本実施の形態では、図１０に示
すように、半導体ウェハと同等の面積を持ち、半導体ウ
ェハの複数の半導体装置２２のそれぞれに対応する、半
導体装置２２と同数のプローブユニットを有する一つの
プローブ構造体を備えている。そして、１枚の半導体ウ
ェハ全体の半導体装置を一括して１回の位置決めで検査
を行う。これは前記したＳｉを基板としたプローブ基板
を用いてもよいし、所定のパターン配線を有する膜部材
に複数の電極バンプを設けた、メンブレンタイプのプロ
ーブカードを用いてもよい。

【００３９】Ｓｉを基板としたプローブ基板を用いた一
つのプローブ構造体で一枚の半導体ウェハ全域を検査す
ると、複数のプローブ構造体を用いる時に必要となるプ
ローブ構造体の間の位置決めが不要となり、マイクロマ
シニングを用いた高い加工精度で電極パッドとの位置決
めを行うことができるようになる。また、プローブ構造
体を被検査体である半導体ウェハと同等の面積にするこ
とにより、被検査体である半導体ウェハ以外の部分に接
触する部分がなくなり、プローブ構造体に傾きが生じて
プローブできなくなることがない。

【００４０】次に、メンブレンタイプのプローブカード
を用いる場合について説明する。

【００４１】特開平９―０３６１８８号公報のようにブ
ロックで半導体ウェハに押し付ける場合、前記したプロ
ーブ構造体を用いる場合と同様に、ステージのウェハ外
周部分にスペーサを形成すると傾きを生じない。また、
ウェハ外周部に当たるブロックはウェハ上の半導体装置
の電極パッド位置に対応する部分だけ押圧できるような
形にすることでも傾きを抑えられる。

【００４２】また、特開平９―０４３２７６号公報のよ
うにポゴピンを用いた場合についても同様である。ステ
ージのウェハ外周部分にスペーサを形成すると傾きを生
じない。また、ウェハ外周部に当たる部分はウェハ上の
半導体装置のパッド位置に対応する部分だけポゴピンを
配置して押圧することで不要な部分に荷重をかけること
により起こりうる半導体装置の電極パッドとプローブと
の間の位置ずれなどの問題を避けることができる。

【００４３】

【発明の効果】本発明によれば、半導体ウェハ上の複数
の半導体装置の電極パッドを一括してプローブする場合
のように、広い面積にわたって電極パッドにプローブさ
せる場合でも、全てのプローブに対して、ほぼ均等な圧
力を加え、安定した導通が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係るプローブ装置
の平面図である。

【図２】図１に示すプローブ装置のＡ−Ａ’線矢視断面
図である。

【図３】図１に示すプローブ装置のＢ−Ｂ’線矢視断面
図である。

【図４】図１に示す実施の形態に係るプローブ構造体の
プローブユニットの配置を示す平面図である。

【図５】図４に示すプローブ構造体のＣ−Ｃ’線矢視断
面図である。

【図６】本発明の第１の実施の形態に係るプローブユニ
ットのプローブ面の平面図である。

【図７】本発明の第１の実施の形態に係るプローブユニ
ットの断面図である。

【図８】本発明の第１の実施の形態に係るプローブユニ
ットのプローブ面の反対面の平面図である。

【図９】本発明の第２の実施の形態に係るプローブ装置
の平面図である。

【図１０】本発明の第３の実施の形態に係るプローブ装
置の平面図である。

【符号の説明】

１プローブ装置１１プローブ構造体１２位置決め枠１３押圧機構１４プリント基板１５補強板１６ステージ２１半導体ウェハ２２半導体装置２３電極パッド１１０プローブユニット１１１プローブ基板１１２セラミック基板１１３異方性導電膜１１４金属カバー１６０スペーサ１６１絶縁シート１１１０梁１１１１突起１１１２配線１１１３２次電極パッド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者清水浩也茨城県土浦市神立町502番地株式会社日立製作所機械研究所内 (72)発明者河野竜治茨城県土浦市神立町502番地株式会社日立製作所機械研究所内 (72)発明者青木英之東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体グループ内Ｆターム(参考） 2G003 AA10 AB00 AC01 AD09 AG03 AG04 AG07 AG08 AG12 AH05 2G011 AA04 AA16 AA21 AB06 AB08 AC14 AE03 AF07 2G132 AA00 AF00 AF02 AF07 AJ00 AL00 AL03 AL11 4M106 AA01 BA01 BA14 DD03 DD10 DD12 DJ02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】それぞれ複数の電極パッドを備えた複数
の半導体装置が形成されたウェハが載置されるステージ
と、このステージに載置されたウェハの電極パッドに当
接するプローブを備え、前記ステージに対して相対的な
進退が可能に構成されたプローブ構造体と、前記プロー
ブ構造体のプローブを備えた面と反対側の面をプローブ
を備えた面に向かって押圧してプローブを前記電極パッ
ドに当接させる押圧機構と、を有してなり、前記電極パ
ッドにプローブを接触させて被検査体である半導体装置
の電気特性を検査するための半導体装置用のプローブ装
置において、前記ステージは、ウェハが載置されたとき
ウェハの外周縁外側になる位置に、ウェハの外周に沿っ
て、上面が載置されたウェハの上面と同じ高さになるス
ペーサを備えていることを特徴とする半導体装置検査用
のプローブ装置。
【請求項２】請求項１記載の半導体装置検査用のプロ
ーブ装置において、前記スペーサの前記プローブ構造体
に対向する部分は、電気絶縁性であることを特徴とする
半導体装置検査用用のプローブ装置。
【請求項３】それぞれ複数の電極パッドを備えた複数
の半導体装置が形成されたウェハが載置されるステージ
と、このステージに載置されたウェハの電極パッドに当
接するプローブを備え、前記ステージに対して相対的な
進退が可能に構成されたプローブ構造体と、前記プロー
ブ構造体のプローブを備えた面と反対側の面をプローブ
を備えた面に向かって押圧してプローブを前記電極パッ
ドに当接させる押圧機構と、を有してなり、前記電極パ
ッドにプローブを接触させて被検査体である半導体装置
の電気特性を検査するための半導体装置検査用のプロー
ブ装置において、前記ステージの前記ウェハが載置され
る部分は、載置されるウェハの厚み分だけ周囲より低い
凹部をなして形成され、ウェハが該凹部に載置されたと
き、ウェハの上面は、ステージの凹部の周囲の部分の高
さと同じ高さになることを特徴とする半導体装置検査用
のプローブ装置。
【請求項４】請求項３記載の半導体装置用のプローブ
装置において、前記ステージの凹部の周囲の部分の前記プローブ構造体
に対向する部分は、電気絶縁性であることを特徴とする
半導体装置検査用用のプローブ装置。
【請求項５】請求項１〜４のうちのいずれか１項に記
載の半導体装置検査用のプローブ装置において、前記プ
ローブ構造体は、互いに独立して上下方向に進退可能な
複数のプローブ構造体からなり、各プローブ構造体はそ
れぞれ少なくとも１個の半導体装置の電極パッドに対応
するプローブを備え、前記押圧機構は、各プローブ構造
体が押圧されたとき半導体装置に接触する領域におい
て、それぞれ３箇所以上で各プローブ構造体をウェハに
対して押圧するよう構成されていることを特徴とする半
導体装置検査用のプローブ装置。
【請求項６】それぞれ複数の電極パッドを備えた複数
の半導体装置が形成されたウェハが載置されるステージ
と、このステージに載置されたウェハの電極パッドに当
接するプローブを備え、前記ステージに対して相対的な
進退が可能に構成されたプローブ構造体と、前記プロー
ブ構造体のプローブを備えた面と反対側の面をプローブ
を備えた面に向かって押圧してプローブを前記電極パッ
ドに当接させる押圧機構と、を有してなり、前記電極パ
ッドにプローブを接触させて被検査体である半導体装置
の電気特性を検査するための半導体装置検査用のプロー
ブ装置において、前記プローブ構造体は、互いに独立し
て上下方向に進退可能な複数のプローブ構造体からな
り、各プローブ構造体はそれぞれ少なくとも１個の半導
体装置の電極パッドに対応するプローブを備え、前記押
圧機構は、各プローブ構造体が押圧されたとき半導体装
置に接触する領域において、それぞれ３箇所以上で各プ
ローブ構造体をウェハに対して押圧するよう構成されて
いることを特徴とする半導体装置検査用のプローブ装
置。
【請求項７】請求項１〜６のうちのいずれか１項に記
載の半導体装置検査用のプローブ装置において、前記プ
ローブ構造体のプローブは、プローブ構造体の被検査体
と対向する部分にのみ形成されていることを特徴とする
半導体装置検査用のプローブ装置。
【請求項８】請求項１〜７のうちのいずれか１項に記
載の半導体装置検査用のプローブ装置において、前記プ
ローブ構造体は、ウェハに形成された複数の半導体装置
の電極パッドに同時に接触できる数と配置のプローブを
備え、ステージに載置されたウェハに対して複数回プロ
ーブ構造体の相対位置を変化させることで、ウェハに形
成された半導体装置すべての電極パッドに対してプロー
ブを接触させるように構成されていることを特徴とする
半導体装置検査用のプローブ装置。
【請求項９】請求項１〜７のうちのいずれか１項に記
載の半導体装置検査用のプローブ装置において、前記プ
ローブ構造体は、ウェハに形成されたすべての半導体装
置の電極パッドすべてに同時に接触できる数と配置のプ
ローブを備えていることを特徴とする半導体装置検査用
のプローブ装置。
【請求項１０】請求項１〜７のうちのいずれか１項に
記載の半導体装置検査用のプローブ装置において、前記
プローブ構造体は互いに独立してステージに対して進退
可能な複数のプローブ構造体からなり、各プローブ構造
体はそれぞれ複数の半導体装置の電極パッドに対応する
プローブを有し、プローブ構造体全体では、ウェハに形
成されたすべての半導体装置の電極パッドすべてに同時
に接触できる数と配置のプローブを備えていることを特
徴とする半導体装置検査用のプローブ装置。
【請求項１１】それぞれ複数の電極パッドを備えた複
数の半導体装置が形成されたウェハが載置されるステー
ジと、このステージに載置されたウェハの電極パッドに
当接するプローブを備え、前記ステージに対して相対的
な進退が可能に構成されたプローブ構造体と、前記プロ
ーブ構造体のプローブを備えた面と反対側の面をプロー
ブを備えた面に向かって押圧してプローブを前記電極パ
ッドに当接させる押圧機構と、を有してなり、前記電極
パッドにプローブを接触させて被検査体である半導体装
置の電気特性を検査するための半導体装置検査用のプロ
ーブ装置と、前記プローブ構造体のプローブに接続され
て前記半導体装置の電気特性を検査する試験手段と、を
含んでなる半導体装置の検査装置において、前記半導体
装置検査用のプローブ装置が、請求項１〜１０のうちの
いずれか１項に記載の半導体装置検査用のプローブ装置
であることを特徴とする半導体装置の検査装置。