JP2003137662A

JP2003137662A - セラミックス焼結体の製造方法

Info

Publication number: JP2003137662A
Application number: JP2001331904A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Kobayashi; 善宏小林
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-10-30
Filing date: 2001-10-30
Publication date: 2003-05-14

Abstract

(57)【要約】【課題】棒状のセラミックス焼結体の特定個所がミクロ
ン以下の所望の寸法公差の範囲内に入る。【解決手段】出発原料に安定化剤、焼結助剤等を混合し
バインダーを添加した成形前原料を棒状に成形し、上記
棒状のセラミックス成形体１１の一部分を取り出して、
その特定個所の寸法もしくは成形金型の特定個所の寸法
を測定し、乾燥工程の第１ゾーンと第２ゾーンによる乾
燥を行った後、その状態のままかもしくは焼成後、再び
セラミックス乾燥体もしくはセラミックス焼結体の上記
特定個所の寸法を測定し、その収縮率を算出する予備試
験を行った後、セラミックス焼結体の特定個所が所望の
寸法になるように、上記乾燥工程の第１ゾーンにおける
マイクロ波出力を制御して本乾燥し、本焼成を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、精密な寸法精度を
要求される棒状のセラミックス焼結体の製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、セラミックス焼結体は、高強度、
耐磨耗性、高剛性、低熱膨張性、耐熱性、高硬度などの
特性を利用して、機械材料として工作機械部品、測定装
置、エンジン、送風機、軸受け、工具、潤滑剤、もしく
は光通信用部品等に用いられてきている。また化学的な
安定性を利用して化学装置や断熱性あるいは伝熱性を利
用した機器への応用も図られてきている。

【０００３】この中で、精密機械や精密測定器のよう
に、常温環境下で使用される精密機器の重要要素部品に
セラミックス焼結体が採用されるようになってきた。そ
の背景には、半導体に代表される電子部品の超精密化、
微細化が急速に進み、それらを製造する加工機や測定器
にサブミクロンもしくはそれ以下の精度が要求されるよ
うになってきたからである。これら精密機器の構造用部
材として従来は、ステンレス、アルミ系合金、防錆処理
した鉄系材料及び石材が使われてきた。

【０００４】しかし、加工精度がミクロン以下を要求す
る超精密や超微細加工分野においては、構造体の自重に
よる変形や温度、湿度変化による微小な変形も問題にな
るほど要求仕様が厳しく、しかも能率化のために機械の
高速化、軽量化の要求も強い。このような、高性能の品
質要求にたいし、従来の材料では様々な問題点が指摘さ
れ、セラミックス焼結体が使われ始めている。

【０００５】また、近年通信における情報量の増大に伴
い、光ファイバを用いた光通信が使用されている。この
光通信において、光ファイバ同士の接続、あるいは光フ
ァイバと各種光素子との接続には光コネクタが用いられ
ている。

【０００６】例えば、光ファイバ同士を接続するコネク
タの場合、図５及び図６に示すフェルール１に形成され
た貫通孔１ａに光ファイバ３の端部を保持し、一対のフ
ェルール１をスリーブ４の両端から挿入して、内部で凸
球面状に加工した先端面１ｄ同士を当接させるようにし
た構造となっている。

【０００７】上記フェルール１の材質としてはセラミッ
クス焼結体、金属、プラスチック、ガラス等、さまざま
なものが試作されてきたが、現在は大半がセラミックス
製となっている。その理由は、セラミックスは加工精度
を高く加工することが出来るため、内径、外径の公差を
１μｍ以下と高精度にすることができ、またセラミック
ス焼結体は摩擦係数が低いため光ファイバの挿入性に優
れ、剛性が高く熱膨張係数が低いことから外部応力や温
度変化に対して安定であり、耐食性にも優れているため
である。

【０００８】さらに、上記フェルール１のセラミックス
焼結体としては、近年、アルミナからジルコニアに大半
が置き代わりつつある。このジルコニア焼結体は、ヤン
グ率がアルミナの約半分と低いため、２個のフェルール
の先端面同士を当接する際に、小さな応力で密着性を高
めることができ、また強度、靱性が高いことから信頼性
を向上できる（特公平８−３０７７５号公報参照）。

【０００９】上記セラミックス焼結体の製造方法は、図
７に示すように、出発原料の不純物を除去して安定化剤
や焼結助剤等を混合して、バインダーを添加した成形前
原料を、セラミックス焼結体の特定個所が所望の寸法に
なるように平均的な収縮率に基づき成形金型を選定し
て、成形、焼成をおこない、必要ある部分を研削や研磨
等の機械仕上げ加工を行って製品化していた。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の従来
の製造方法においては、平均的な収縮率を用いていたた
めに、成形前原料の製造ロット毎に収縮率が異なり、成
形、焼成されたセラミックス焼結体の特定個所がミクロ
ン以下の所望の寸法公差の範囲内に入らないという問題
を生じていた。

【００１１】そのセラミックス焼結体が所望の寸法にた
いして、削り代があれば、研磨等で所望の寸法に仕上げ
なければならず、そのために多大な作業時間を要し、製
造コストを増大させる要因となっていた。

【００１２】また、そのセラミックス焼結体が所望寸法
にたいして、削り代のない場合は使用できなくなるので
廃棄処分をしなければならず、廃棄処分をしたくないた
めに大半の製造ロットで削り代が残るように上記平均的
な収縮率を削り代の多い側へシフトして製造していた。

【００１３】そのために、更に削り代が多くなり、研削
や研磨等で所望の寸法に仕上げなければならず、更に多
大な作業時間を要し、製造コストを増大させる要因とな
っていた。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記問題点に鑑みて本発
明は、出発原料に安定化剤、焼結助剤等を混合しバイン
ダーを添加した成形前原料を棒状に成形し、乾燥工程に
てまず第１ゾーンとしてマイクロ波により急速乾燥を行
い、第２ゾーンとして熱風および／または遠赤外線によ
る乾燥を行った後、焼成することを特徴とする。

【００１５】また、上記第１ゾーンでのマイクロ波の出
力を調整することにより、上記セラミックス乾燥体の乾
燥収縮率を所望の値にすることを特徴とする。

【００１６】更に、上記棒状のセラミックス成形体の少
なくとも長手方向の２箇所を支えて、少なくとも１方向
からマイクロ波を照射することを特徴とする。

【００１７】しかも、上記棒状のセラミックス成形体の
一部分を取り出して、その特定個所の寸法もしくは成形
金型の特定個所の寸法を測定し、乾燥工程の第１ゾーン
と第２ゾーンによる乾燥を行った後、その状態のままか
もしくは焼成後、再びセラミックス乾燥体もしくはセラ
ミックス焼結体の上記特定個所の寸法を測定し、その収
縮率を算出する予備試験を行った後、セラミックス焼結
体の特定個所が所望の寸法になるように、上記乾燥工程
の第１ゾーンにおけるマイクロ波出力を制御して本乾燥
し、本焼成を行うことを特徴とする。

【００１８】そして、上記マイクロ波の出力を１〜５Ｋ
Ｗとすることを特徴とする。

【００１９】更に、上記セラミックス焼結体がジルコニ
アセラミックスからなることを特徴とする。

【００２０】また、上記セラミックス焼結体が光通信用
コネクタ部材に使用されることを特徴とする。

【００２１】即ち、本発明によれば、セラミックス成形
体を乾燥する際に脱水速度を制御することにより、所望
の収縮率のセラミックス焼結体を得ることが出来、セラ
ミックス焼結体の特定個所をミクロン以下の所望の寸法
公差の範囲内に入れることが可能となった。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下本発明の実施形態を説明す
る。

【００２３】図１は本発明の棒状のセラミックス焼結体
の製造方法を示す流れ図である。

【００２４】上記セラミックス焼結体において、上記セ
ラミックス成形体の一部分を取り出して、該セラミック
ス成形体の特定個所の寸法もしくは成形金型の特定個所
の寸法を測定したあと、乾燥工程の第１ゾーンとしてマ
イクロ波による急速乾燥を行い、次に第２ゾーンとして
熱風および／または遠赤外線による乾燥をおこない、そ
の状態のままかもしくは焼成後、再びセラミックス乾燥
体もしくはセラミックス焼結体の上記特定個所の寸法を
測定し、その収縮率を算出する予備試験を行った後、セ
ラミックス焼結体の特定個所が所望の寸法になるよう
に、マイクロ波出力を制御して本乾燥し、その後本焼成
をおこなったあと、必要部分を研削もしくは研磨等の機
械仕上げ加工を行い製品化する。

【００２５】ここで、図２（ａ）〜（ｃ）に成形工程及
び乾燥工程について説明する。

【００２６】まず成形工程であるが、一例として押し出
し成形の概念を図２（ａ）に示すが、成形機１３の投入
口１４に成形前原料１５を投入して、数段にわたるスク
リュー１６により混合され、金型１７と通過して棒状の
セラミックス成形体１１を得る。

【００２７】次に、乾燥工程の第１ゾーンであるが、図
２（ｂ）に示す様に、第１ゾーン乾燥炉１８に乾燥治具
１２に整列したセラミックス成形体１１を投入し、マイ
クロ波発生装置１９を運転して急速乾燥させる。

【００２８】次に、乾燥工程の第２ゾーンであるが、図
２（ｃ）に示す様に、第２ゾーン乾燥炉２０に乾燥工程
の第１ゾーンを終了したセラミックス成形体１１を乾燥
治具１２のまま投入し、遠赤外線発生装置２１を運転し
て急速乾燥させる。このとき遠赤外線でなくともヒータ
とファン等を用いて熱風での乾燥でも良い。

【００２９】本発明は、セラミックス焼結体のなかで
も、外形寸法に対して全長が長い、所謂細長比の大きな
棒状のセラミックス焼結体に関するものである。

【００３０】本発明の棒状のセラミックス焼結体の具体
例として、光コネクタ用のフェルールを用いて説明す
る。

【００３１】図５に示すように、光コネクタ用のフェル
ール１は、中央に光ファイバを挿入する貫通孔１ａを有
し、該貫通孔１ａの後端側には光ファイバの挿入を容易
にするために円錐部１ｂを備え、先端外周にはスリーブ
挿入時にガイド面となるＣ面部１ｃを備えている。

【００３２】上記フェルール１は、詳細を後述するジル
コニア焼結体で形成され、図６に示すように、その後方
を金属製の支持体２に接合し、上記貫通孔１ａに光ファ
イバ３を挿入して接合した後、先端面１ｄを曲率半径１
０〜２５ｍｍ程度の凸球面状に研摩する。このような一
対のフェルール１をスリーブ４の両端から挿入し、バネ
等で押圧して先端面１ｄ同士を当接させることによっ
て、光ファイバ３同士の接続を行うことができる。

【００３３】上記フェルール１を成すジルコニア焼結体
は、ＺｒＯ₂ を主成分とし、安定化剤としてＹ₂ Ｏ₃ を
含有し、正方晶の結晶相を主体とし、平均結晶粒径を
０．３〜０．５μｍ、ビッカース硬度を１２４０〜１３
００としており、このようにすることによって、フェル
ール１の先端面１ｄの研磨性を良好にしている。

【００３４】本発明のジルコニア焼結体は、正方晶相を
主体とすることによって、応力を受けた際に、この正方
晶結晶が単斜晶結晶に変態して体積膨張し、クラックの
進展を防止するという応力誘起変態のメカニズムによっ
て、焼結体の強度、靱性を向上でき、部分安定化ジルコ
ニアと呼ばれている。

【００３５】また、本発明のジルコニア焼結体は、単斜
晶相を含まず、主体をなす正方晶相の他に相変態に対し
て安定な立方晶を含むことで、前記応力誘起変態のメカ
ニズムをほとんど損なわずに高温水中での相変態特性を
大きく向上させることができる。

【００３６】次に、上記フェルール１の製造方法につい
て説明する。

【００３７】まず、出発原料のＺｒＯ₂ には不純物とし
てＡｌ₂ Ｏ₃ やＳｉＯ₂ 、ＴｉＯ₂、あるいはＣａＯ、
Ｎａ₂ Ｏ、Ｆｅ₂ Ｏ₃ 等が含まれているが、この原料を
酸やアルカリ等の薬品で処理したり、あるいは比重差を
利用した重力選鉱等の手法にて精製し純度を高める。そ
して、ＺｒＯ₂ にＹ₂ Ｏ₃ を３〜５モル％添加混合し、
中和共沈または加水分解等の方法により反応・固溶させ
る。

【００３８】次に、得られた原料に、成形しやすくする
ために水系、樹脂系、もしくはエマルジョン系等のバイ
ンダーを混合し、成形前原料を作成し、所定の金型を用
いて成形する。

【００３９】次に、このセラミックス成形体の一部分を
取り出して成形し、フェルール１のセラミックス成形体
の外径などの特定個所の寸法もしくは成形金型の特定個
所の寸法を測定したあと、乾燥工程の第１ゾーンとして
マイクロ波による急速乾燥を行い、次に第２ゾーンとし
て熱風および／または遠赤外線による乾燥をおこない、
その後焼成して、再びフェルール１のセラミックス焼結
体の上記特定個所の寸法を測定し、その収縮率を算出す
る予備試験を行う。

【００４０】更に、フェルール１のセラミックス焼結体
の特定個所が所望の寸法になるように、上記算定した収
縮率に基づき乾燥工程の第１ゾーンでのマイクロ波の出
力を決定して、本乾燥工程の第１ゾーンとしてマイクロ
波による急速乾燥を行い、次に第２ゾーンとして熱風お
よび／または遠赤外線による乾燥をおこなった後、本焼
成をおこない、セラミックス焼結体を得たあと、外周
面、先端面、Ｃ面部等の必要部分を研削もしくは研磨等
の機械仕上げ加工を行い完成品のフェルール１を得る。

【００４１】なお、本発明における収縮率はセラミック
ス焼結体の特定個所寸法をセラミックス成形体の特定個
所の寸法もしくは成形金型の特定個所の寸法で割った値
をいう。

【００４２】ここで、予備試験での乾燥工程の第１ゾー
ンにおけるマイクロ波出力は平均的な基準出力を予め決
めておく。この基準出力をもとに実験で得られた収縮率
とマイクロ波出力の相関関係を示すグラフを用いて本乾
燥でのマイクロ波出力を決定する。

【００４３】本発明における、ジルコニアからなるフェ
ルール１においては、基準出力を３ＫＷとし、上記収縮
率とマイクロ波出力の相関関係を示すグラフを図３に示
す。

【００４４】ここで一例として、予備試験での収縮率が
７７．７％であった場合は、図３よりマイクロ波出力を
３．６１ＫＷと決定すればよい。

【００４５】本発明のマイクロ波出力は１〜５ＫＷの範
囲内とすることが望ましい。１ＫＷ未満であれば、出力
が足りなく、乾燥が進行していかないことと、５ＫＷを
超えると逆に出力が大きすぎでセラミックス成形体にク
ラックが入ってしまうか、もしくは変形してしまうため
に１〜５ＫＷが望ましい。

【００４６】以上より、本発明では、セラミックス焼結
体の乾燥工程において、生密度を変化させて焼結時の収
縮率を調整することが出来る。その理由を以下に説明す
る。

【００４７】セラミックス成形体の乾燥時には、脱水に
伴ってセラミックス粉の凝集が生じるが、脱水速度が速
くなるとセラミックス粉の凝集が追いつかず、内部に微
小な空隙を生じて生密度が低下し、収縮率が大きくな
る。したがって、本発明では、第１ゾーンでマイクロ波
の出力を大きくすれば、脱水速度が速くなってセラミッ
クス成形体の収縮率を小さくし、逆にマイクロ波の出力
を小さくすれば脱水速度が遅くなって収縮率を大きくで
きるのである。

【００４８】ここで、本発明のセラミックス成形体を乾
燥する際に、図４（ａ）に示す様に棒状のセラミックス
成形体１１をＶ溝１２ａを有した乾燥治具１１に外周面
１１ａが接触するように載置して、上方からマイクロ波
２２を照射する方法があり、特に外形寸法が５ｍｍ以下
のものではこれで十分である。

【００４９】しかし、外形寸法が大きいものもしくは外
形寸法が小さくともより高精度な寸法精度が要求される
場合には、図４（ｂ）に示す様に、棒状のセラミックス
成形体１１を２本の棒材２３にセラミックス成形体１１
の外周面１１ａが保持されるように載置して、上方及び
下方の２方向からマイクロ波２２を照射する方法があ
る。

【００５０】また、図４（ｃ）に示す様に、２本の回転
ローラ２４にセラミックス成形体１１の外周面１１ａが
保持されるように載置して、２本の回転ローラ２４を回
転させることにより、上方のみにマイクロ波２２を照射
する方法でも図４（ｂ）と同一の効果を奏することが出
来る。

【００５１】このように、第１ゾーンではマイクロ波の
出力を制御することにより、セラミックス成形体の収縮
率を常にある一定値にコントロールすることが可能とな
る。また、マイクロ波を用いていることから、極めて効
率よく均一に乾燥することができる。

【００５２】そして、上記第１ゾーンに連続した第２ゾ
ーンでは、熱風および／または遠赤外線による乾燥をお
こなうことによって、最終的に含水率を４％以下として
乾燥を終了する。これは、最終的な含水率が４％を超え
ると、その後の自然乾燥により、収縮率が変化してしま
うためである。また、第２ゾーンの加熱は伝熱にて作用
し、第１ゾーンで生じた歪を緩和させる効果がある。

【００５３】なお、第２ゾーンでの加熱は表面からの乾
燥が進行するため、表面のみが乾燥し、むらや効率低下
が生じるが、本発明の乾燥方法では、既に第１ゾーンで
大部分の乾燥が済んでいる為、特に問題とはならない。

【００５４】以上、予備試験として焼成を行って収縮率
を算出する方法で説明してきたが、焼成まで行うと収縮
率の算出までに時間が掛かることから、成形後に乾燥の
み行い、バインダーの流体分を除去しその収縮率をもと
に上記製造方法を行うことでも、本発明の同等の効果を
得ることが出来る。

【００５５】これは、乾燥体の焼成後の収縮率は製造ロ
ットによるばらつきがなく、一定であるからである。

【００５６】本発明の製造方法によれば、成形方法とし
て、押し出し成形、プレス成形、射出成形等いずれの成
形方法を用いることが出来、焼成方法もバッチ炉、連続
炉等様々な焼成方法を用いても、同一の効果を得ること
が出来る。

【００５７】なお、図６では光ファイバ４同士を接続す
るための光コネクタを示したが、上記フェルール１は、
レーザダイオードやフォトダイオード等の光素子と光フ
ァイバを接続する光モジュールに用いることもできる。

【００５８】また、本発明におけるジルコニア焼結体
は、上述した光ファイバ同士、又は光ファイバと各種光
素子との接続に用いるさまざまな部材に適用することが
でき、上述したフェルール１に限らない。例えば、光フ
ァイバ同士を完全に接続するために用いるスプライサ
や、光モジュールに用いるダミーフェルール等にも適用
することができる。

【００５９】

【実施例】以下本発明の実施例を説明する。

【００６０】原料はＺｒＯ₂ へＹ₂ Ｏ₃ を添加した部分
安定化ジルコニアを用い、それぞれ、焼結後の外径の寸
法がφ２．５００ｍｍのフェルールとなるようにし、本
発明の図１及び比較例として図７に示す製造方法にてサ
ンプルを作製した。

【００６１】本発明の図１に示す製造方法にて、平均的
な収縮率７７．８％をもとに外径φ３．２１３４ｍｍの
成形金型を用いて、サンプルＮｏ毎に成形体の一部を取
り出し、乾燥、焼成を行い再び焼結体の外形を測定し、
サンプルＮｏ毎の収縮率を計算した。そのサンプルＮｏ
毎の収縮率に基づき図３のグラフから最適なマイクロ波
出力により、本乾燥を行った後、本焼成をおこない、サ
ンプルＮｏ毎にそれぞれ２０個の本焼結体の外径を測定
した。

【００６２】乾燥工程では連続炉を用いて、第１ゾーン
でのマイクロ波の基準出力を３ＫＷとし、第２ゾーンで
の熱風温度は８０℃に設定した。

【００６３】ここで、サンプルＮｏ１の予備試験におい
て、成形金型の外径寸法がφ３．２１３４ｍｍで乾燥後
の外形寸法がφ２．５１１ｍｍとなり、計算により収縮
率が７８．１４％となった。次に図３よりマイクロ波出
力を２．６８ＫＷとして本乾燥をおこなった。最終的に
得られた焼結体の外形寸法がφ２．５１２ｍｍとなっ
た。

【００６４】次に順次サンプルを作製し最終的に得られ
た焼結体の外形寸法を測定した。

【００６５】比較例として、従来の図７に示す製造方法
にて平均的な収縮率７７．８％に基づいて外径φ３．２
１３４ｍｍの成形金型を用いて本成形、本焼成したサン
プルをそれぞれ１０種類作製し、サンプルＮｏ毎に２０
個の外径寸法を測定した。

【００６６】各サンプルの平均値を表１に示す。

【００６７】

【表１】

【００６８】以上より、図７に示す従来の製造方法で作
製したサンプルでは、外径の平均値がφ２．４９７１ｍ
ｍ、各値の最大値と最小値の差であるばらつきが０．０
１９８９ｍと大きくばらついていたのにたいし、本発明
の図１に示す製造方法では、外径の平均値がφ２．５０
１８ｍｍ、ばらつきが０．００８３６ｍｍと大幅に安定
した外径寸法を得ることが出来、更には図５に示す製造
方法では、平均値がφ２．４９９５ｍｍ、ばらつきが
０．００４０１ｍｍとほとんどばらつきがない状態まで
安定した外径寸法をえることが出来た。

【００６９】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、出発原料
に安定化剤、焼結助剤等を混合しバインダーを添加した
成形前原料を棒状に成形し、上記棒状のセラミックス成
形体の一部分を取り出して、その特定個所の寸法もしく
は成形金型の特定個所の寸法を測定し、乾燥工程の第１
ゾーンと第２ゾーンによる乾燥を行った後、その状態の
ままかもしくは焼成後、再びセラミックス乾燥体もしく
はセラミックス焼結体の上記特定個所の寸法を測定し、
その収縮率を算出する予備試験を行った後、セラミック
ス焼結体の特定個所が所望の寸法になるように、上記乾
燥工程の第１ゾーンにおけるマイクロ波出力を制御して
本乾燥し、本焼成を行うことにより、セラミックス焼結
体の特定個所がミクロン以下の所望の寸法公差の範囲内
に入るようになった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のセラミックス焼結体の製造方法を示す
流れ図である。

【図２】（ａ）〜（ｃ）は本発明のセラミックス焼結体
の製造方法における成形工程及び乾燥工程を示す概略図
である。

【図３】本発明のセラミックス焼結体の製造方法におけ
る収縮率とマイクロ波出力の相関関係を示すグラフであ
る。

【図４】（ａ）〜（ｃ）は本発明のセラミックス焼結体
の製造方法における乾燥方法を示す概略図である。

【図５】本発明のセラミックス焼結体を用いた光コネク
タ用部材を示す図である。

【図６】本発明のセラミックス焼結体からなる光コネク
タ用部材を用いた光コネクタを示す断面図である。

【図７】従来のセラミックス焼結体の製造方法を示す流
れ図である。

【符号の説明】

１：フェルール１ａ：貫通孔１ｂ：円錐部１ｃ：Ｃ面部１ｄ：先端面２：支持体３：光ファイバ４：スリーブ１１：セラミックス成形体１１ａ：外周面１２：乾燥治具１２ａ：Ｖ溝１３：成形機１４：投入口１５：成形前原料１６：スクリュー１７：金型１８：第１ゾーン乾燥炉１９：マイクロ波発生装置２０：第２ゾーン乾燥炉２１：赤外線発生装置２２：マイクロ波２３：棒材２４：回転ローラ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】出発原料に安定化剤、焼結助剤等を混合し
バインダーを添加した成形前原料を棒状に成形し、乾燥
工程にてまず第１ゾーンとしてマイクロ波により急速乾
燥を行い、第２ゾーンとして熱風および／または遠赤外
線による乾燥を行った後、焼成することを特徴とするセ
ラミックス焼結体の製造方法。
【請求項２】上記第１ゾーンでのマイクロ波の出力を調
整することにより、上記セラミックス乾燥体の乾燥収縮
率を所望の値にすることを特徴とする請求項１記載のセ
ラミックス焼結体の製造方法。
【請求項３】上記棒状のセラミックス成形体の少なくと
も長手方向の２箇所を支えて、少なくとも１方向からマ
イクロ波を照射することを特徴とする請求項１または２
に記載のセラミックス焼結体の製造方法。
【請求項４】上記棒状のセラミックス成形体の一部分を
取り出して、その特定個所の寸法もしくは成形金型の特
定個所の寸法を測定し、乾燥工程の第１ゾーンと第２ゾ
ーンによる乾燥を行った後、その状態のままかもしくは
焼成後、再びセラミックス乾燥体もしくはセラミックス
焼結体の上記特定個所の寸法を測定し、その収縮率を算
出する予備試験を行った後、セラミックス焼結体の特定
個所が所望の寸法になるように、上記乾燥工程の第１ゾ
ーンにおけるマイクロ波出力を制御して本乾燥し、本焼
成を行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記
載のセラミックス焼結体の製造方法。
【請求項５】上記マイクロ波の出力を１〜５ＫＷとする
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のセラ
ミックス焼結体の製造方法。
【請求項６】上記セラミックス焼結体がジルコニアセラ
ミックスからなることを特徴とする請求項１〜５のいず
れかに記載のセラミックス焼結体の製造方法。
【請求項７】上記セラミックス焼結体が光通信用コネク
タ部材に使用されることを特徴とする請求項１〜６のい
ずれかに記載のセラミックス焼結体の製造方法。