JP2003124552A - レーザビーム分岐装置及びレーザ加工方法 - Google Patents
レーザビーム分岐装置及びレーザ加工方法Info
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- JP2003124552A JP2003124552A JP2001317100A JP2001317100A JP2003124552A JP 2003124552 A JP2003124552 A JP 2003124552A JP 2001317100 A JP2001317100 A JP 2001317100A JP 2001317100 A JP2001317100 A JP 2001317100A JP 2003124552 A JP2003124552 A JP 2003124552A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 分岐したレーザビームのパワーを微調整する
ことが可能なレーザビーム分岐装置を提供する。 【解決手段】 レーザ光源が、レーザビームを出射す
る。強度比可変光学装置が、レーザ光源から出射された
レーザビームの、相互に直交する第1の偏光成分と第２
の偏光成分との強度比を変える。ビームスプリッタが、
強度比可変光学装置により、第１及び第２の偏光成分の
強度比を変えられたレーザビームの一部を反射し、残り
を透過させる。第１の偏光成分の反射率と第２の偏光成
分の反射率とが異なる。
ことが可能なレーザビーム分岐装置を提供する。 【解決手段】 レーザ光源が、レーザビームを出射す
る。強度比可変光学装置が、レーザ光源から出射された
レーザビームの、相互に直交する第1の偏光成分と第２
の偏光成分との強度比を変える。ビームスプリッタが、
強度比可変光学装置により、第１及び第２の偏光成分の
強度比を変えられたレーザビームの一部を反射し、残り
を透過させる。第１の偏光成分の反射率と第２の偏光成
分の反射率とが異なる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザビーム分岐
装置に関し、特に分岐後のレーザビームのパワーを相互
に等しくするのに適したレーザビーム分岐装置、及びそ
れを用いたレーザ加工方法に関する。
装置に関し、特に分岐後のレーザビームのパワーを相互
に等しくするのに適したレーザビーム分岐装置、及びそ
れを用いたレーザ加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザビームを、ビームスプリッタを用
いてほぼ５０％のパワーの２本のレーザビームに分岐さ
せる場合、ビームスプリッタの性能のばらつきにより、
必ずしも５０％のパワーのレーザビームが得られない場
合がある。例えば、分岐した２本のレーザビームのパワ
ーに、１０％程度の差が生じる場合がある。
いてほぼ５０％のパワーの２本のレーザビームに分岐さ
せる場合、ビームスプリッタの性能のばらつきにより、
必ずしも５０％のパワーのレーザビームが得られない場
合がある。例えば、分岐した２本のレーザビームのパワ
ーに、１０％程度の差が生じる場合がある。
【０００３】分岐した２本のレーザビームのパワーを揃
えるための従来の方法について説明する。ビームスプリ
ッタの性能にばらつきがあった場合でも、常に特定の一
方のレーザビームが他方のレーザビームよりも強くなる
ように、ビームスプリッタを設計しておく。パワーの強
い方のレーザビームの光路内に減光フィルタを配置する
ことにより、２本のレーザビームのパワーを等しくす
る。
えるための従来の方法について説明する。ビームスプリ
ッタの性能にばらつきがあった場合でも、常に特定の一
方のレーザビームが他方のレーザビームよりも強くなる
ように、ビームスプリッタを設計しておく。パワーの強
い方のレーザビームの光路内に減光フィルタを配置する
ことにより、２本のレーザビームのパワーを等しくす
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法では、種々
の減衰率の減光フィルタを予め準備しておかなければな
らない。減衰率を連続的に変化させることができないた
め、２本のレーザビームのパワーの微少な不揃いを補償
することが困難である。また、減光フィルタの交換を自
動化するには、装置を大掛かりなものにしなければなら
ない。
の減衰率の減光フィルタを予め準備しておかなければな
らない。減衰率を連続的に変化させることができないた
め、２本のレーザビームのパワーの微少な不揃いを補償
することが困難である。また、減光フィルタの交換を自
動化するには、装置を大掛かりなものにしなければなら
ない。
【０００５】本発明の目的は、分岐したレーザビームの
パワーを微調整することが可能なレーザビーム分岐装
置、及びそれを用いたレーザ加工方法を提供することで
ある。
パワーを微調整することが可能なレーザビーム分岐装
置、及びそれを用いたレーザ加工方法を提供することで
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、レーザビームを出射するレーザ光源と、前記レーザ
光源から出射されたレーザビームの、相互に直交する第
1の偏光成分と第２の偏光成分との強度比を変えること
ができる強度比可変光学装置と、前記強度比可変光学装
置により、第１及び第２の偏光成分の強度比を変えられ
たレーザビームの一部を反射し、残りを透過させ、前記
第１の偏光成分の反射率と第２の偏光成分の反射率とが
異なるビームスプリッタとを有するレーザビーム分岐装
置が提供される。
と、レーザビームを出射するレーザ光源と、前記レーザ
光源から出射されたレーザビームの、相互に直交する第
1の偏光成分と第２の偏光成分との強度比を変えること
ができる強度比可変光学装置と、前記強度比可変光学装
置により、第１及び第２の偏光成分の強度比を変えられ
たレーザビームの一部を反射し、残りを透過させ、前記
第１の偏光成分の反射率と第２の偏光成分の反射率とが
異なるビームスプリッタとを有するレーザビーム分岐装
置が提供される。
【０００７】本発明の他の観点によると、レーザ光源か
ら出射されたレーザビームの、相互に直交する第1の偏
光成分と第２の偏光成分との強度比を変える工程と、前
記第１の偏光成分の反射率と第２の偏光成分の反射率と
が異なるビームスプリッタに、該第1の偏光成分と第２
の偏光成分との強度比を変えられたレーザビームを入射
させ、入射ビームを分岐させる工程と、分岐したレーザ
ビームの各々を、加工対象物に照射し、レーザ加工を行
う工程とを有するレーザ加工方法が提供される。
ら出射されたレーザビームの、相互に直交する第1の偏
光成分と第２の偏光成分との強度比を変える工程と、前
記第１の偏光成分の反射率と第２の偏光成分の反射率と
が異なるビームスプリッタに、該第1の偏光成分と第２
の偏光成分との強度比を変えられたレーザビームを入射
させ、入射ビームを分岐させる工程と、分岐したレーザ
ビームの各々を、加工対象物に照射し、レーザ加工を行
う工程とを有するレーザ加工方法が提供される。
【０００８】ビームスプリッタに入射するレーザビーム
の第１の偏光成分と第２の偏光成分との強度比を変える
ことにより、ビームスプリッタへ入射するビーム全体の
反射率を変えることができる。これにより、ビームスプ
リッタの性能にばらつきがある場合であっても、分岐さ
れた２本のレーザビームの強度比を所望の値に近づける
ことができる。
の第１の偏光成分と第２の偏光成分との強度比を変える
ことにより、ビームスプリッタへ入射するビーム全体の
反射率を変えることができる。これにより、ビームスプ
リッタの性能にばらつきがある場合であっても、分岐さ
れた２本のレーザビームの強度比を所望の値に近づける
ことができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１に、本発明の第１の実施例に
よるレーザビーム分岐装置の概略図を示す。レーザ光源
１が、レーザビームＬＢ１を出射する。レーザ光源１
は、例えば炭酸ガスレーザ発振器である。レーザビーム
ＬＢ１は、図１の紙面に平行な方向に偏光した偏光成分
（以下、Ｐ偏光成分と呼ぶ）と、紙面に垂直な方向に偏
光した偏光成分（以下、Ｓ偏光成分と呼ぶ）とを有す
る。レーザビームＬＢ１が、部分反射鏡２に入射する。
レーザビームＬＢ１の入射角が、ブリュースタ角（例え
ば６８．６°）になるように、回転機構９が部分反射鏡
２を保持している。部分反射鏡２は、入射光のＰ偏光成
分を１００％透過させ、Ｓ偏光成分を約８０％透過させ
る。Ｓ偏光成分の２０％は、部分反射鏡２で反射する。
よるレーザビーム分岐装置の概略図を示す。レーザ光源
１が、レーザビームＬＢ１を出射する。レーザ光源１
は、例えば炭酸ガスレーザ発振器である。レーザビーム
ＬＢ１は、図１の紙面に平行な方向に偏光した偏光成分
（以下、Ｐ偏光成分と呼ぶ）と、紙面に垂直な方向に偏
光した偏光成分（以下、Ｓ偏光成分と呼ぶ）とを有す
る。レーザビームＬＢ１が、部分反射鏡２に入射する。
レーザビームＬＢ１の入射角が、ブリュースタ角（例え
ば６８．６°）になるように、回転機構９が部分反射鏡
２を保持している。部分反射鏡２は、入射光のＰ偏光成
分を１００％透過させ、Ｓ偏光成分を約８０％透過させ
る。Ｓ偏光成分の２０％は、部分反射鏡２で反射する。
【００１０】部分反射鏡２に入射するレーザビームＬＢ
１のＰ偏光成分及びＳ偏光成分の反射率は、部分反射鏡
２を回転させることによって変動する。入射面に対して
垂直な偏光方向を有する成分の反射率が高く、入射面に
対して平行な偏光方向を有する成分の反射率が低い。例
えば、部分反射鏡２の反射面が図１の紙面に対して垂直
である場合、すなわち図１の紙面が入射面になる場合、
Ｓ偏光成分の反射率が最大になり、Ｐ偏光成分の反射率
が最小になる。
１のＰ偏光成分及びＳ偏光成分の反射率は、部分反射鏡
２を回転させることによって変動する。入射面に対して
垂直な偏光方向を有する成分の反射率が高く、入射面に
対して平行な偏光方向を有する成分の反射率が低い。例
えば、部分反射鏡２の反射面が図１の紙面に対して垂直
である場合、すなわち図１の紙面が入射面になる場合、
Ｓ偏光成分の反射率が最大になり、Ｐ偏光成分の反射率
が最小になる。
【００１１】このような光学的性質を有する部分反射鏡
２は、例えばＺｎＳｅ板の表面にＺｎＳ等をコーティン
グすることにより得られる。
２は、例えばＺｎＳｅ板の表面にＺｎＳ等をコーティン
グすることにより得られる。
【００１２】部分反射鏡２をレーザビームＬＢ１の光軸
を中心として回転させると、レーザビームＬＢ１のＳ偏
光成分の反射率が徐々に低下し、Ｐ偏光成分の反射率が
徐々に増加する。部分反射鏡２が９０°回転し、入射面
が図１の紙面に対して垂直になると、Ｐ偏光成分の反射
率が最大になり、Ｓ偏光成分の反射率が最小になる。こ
のようにして、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分との反射率を調
節することにより、部分反射鏡２を透過したレーザビー
ムＬＢ２のＳ偏光成分とＰ偏光成分との強度比を変える
ことができる。
を中心として回転させると、レーザビームＬＢ１のＳ偏
光成分の反射率が徐々に低下し、Ｐ偏光成分の反射率が
徐々に増加する。部分反射鏡２が９０°回転し、入射面
が図１の紙面に対して垂直になると、Ｐ偏光成分の反射
率が最大になり、Ｓ偏光成分の反射率が最小になる。こ
のようにして、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分との反射率を調
節することにより、部分反射鏡２を透過したレーザビー
ムＬＢ２のＳ偏光成分とＰ偏光成分との強度比を変える
ことができる。
【００１３】部分反射鏡２を透過したレーザビームＬＢ
２が、ビームスプリッタ３に入射する。ビームスプリッ
タ３は、レーザビームＬＢ２の約５０％を反射させ、残
りの約５０％を透過させる。ただし、Ｓ偏光成分の反射
率とＰ偏光成分の反射率とは異なる。例えば、Ｓ偏光成
分の反射率が７５％であり、Ｐ偏光成分の反射率が２５
％である。このような光学的性質を有するビームスプリ
ッタ３は、例えばＺｎＳｅ板の表面にＺｎＳ等をコーテ
ィングすることにより得られる。
２が、ビームスプリッタ３に入射する。ビームスプリッ
タ３は、レーザビームＬＢ２の約５０％を反射させ、残
りの約５０％を透過させる。ただし、Ｓ偏光成分の反射
率とＰ偏光成分の反射率とは異なる。例えば、Ｓ偏光成
分の反射率が７５％であり、Ｐ偏光成分の反射率が２５
％である。このような光学的性質を有するビームスプリ
ッタ３は、例えばＺｎＳｅ板の表面にＺｎＳ等をコーテ
ィングすることにより得られる。
【００１４】ビームスプリッタ３で反射したレーザビー
ムＬＢ３は、ＸＹステージ５の可動面上に載置される被
照射物に到達する。ビームスプリッタ３を透過したレー
ザビームＬＢ４は、全反射鏡４で反射し、ＸＹステージ
６の可動面上に載置される被照射物に到達する。レーザ
ビームの照射により、被照射物に穴開け加工等が行われ
る。
ムＬＢ３は、ＸＹステージ５の可動面上に載置される被
照射物に到達する。ビームスプリッタ３を透過したレー
ザビームＬＢ４は、全反射鏡４で反射し、ＸＹステージ
６の可動面上に載置される被照射物に到達する。レーザ
ビームの照射により、被照射物に穴開け加工等が行われ
る。
【００１５】ＸＹステージ５及び６の可動面上に、それ
ぞれパワーメータ７及び８が取り付けられている。パワ
ーメータ７及び８は、入射するレーザビームのパワーを
測定し、測定結果を制御装置１０に送信する。制御装置
１０は、レーザパワーの測定結果を判断し、回転機構９
を駆動する。
ぞれパワーメータ７及び８が取り付けられている。パワ
ーメータ７及び８は、入射するレーザビームのパワーを
測定し、測定結果を制御装置１０に送信する。制御装置
１０は、レーザパワーの測定結果を判断し、回転機構９
を駆動する。
【００１６】通常、ビームスプリッタ３の反射率が５０
±３％の範囲内でばらつくことが避けられない。反射率
がばらつくと、ビームスプリッタ３で分岐された２つの
レーザビームＬＢ３とＬＢ４とのパワーが等しくなくな
ってしまう。次に、２つのレーザビームＬＢ３とＬＢ４
とのパワーを等しくする調節方法について説明する。
±３％の範囲内でばらつくことが避けられない。反射率
がばらつくと、ビームスプリッタ３で分岐された２つの
レーザビームＬＢ３とＬＢ４とのパワーが等しくなくな
ってしまう。次に、２つのレーザビームＬＢ３とＬＢ４
とのパワーを等しくする調節方法について説明する。
【００１７】製造上のばらつきにより、ビームスプリッ
タ３の反射率が例えば５１．５％になった場合を考え
る。このときのＳ偏光成分及びＰ偏光成分の反射率は、
それぞれ７６．５％及び２６．５％になる。Ｓ偏光成分
とＰ偏光成分との強度比が１：１のレーザビームを、こ
のビームスプリッタ３で分岐させると、反射ビームと透
過ビームとの強度比が１０６：９４になってしまう。
タ３の反射率が例えば５１．５％になった場合を考え
る。このときのＳ偏光成分及びＰ偏光成分の反射率は、
それぞれ７６．５％及び２６．５％になる。Ｓ偏光成分
とＰ偏光成分との強度比が１：１のレーザビームを、こ
のビームスプリッタ３で分岐させると、反射ビームと透
過ビームとの強度比が１０６：９４になってしまう。
【００１８】部分反射鏡２を回転させて、Ｓ偏光成分の
反射率とＰ偏光成分の反射率とを変化させる。
反射率とＰ偏光成分の反射率とを変化させる。
【００１９】図２に、部分反射鏡２を回転させたときの
レーザビームＬＢ３とＬＢ４との強度を示す。横軸は部
分反射鏡２の回転角度を単位「度」で表し、縦軸は、レ
ーザビームＬＢ１の強度を１００としたときのレーザビ
ームＬＢ３及びＬＢ４の相対強度を表す。図中の白丸及
び白三角は、それぞれレーザビームＬＢ３及びＬＢ４の
強度を示す。回転角度が２５度のときに、両者の強度が
等しくなることがわかる。
レーザビームＬＢ３とＬＢ４との強度を示す。横軸は部
分反射鏡２の回転角度を単位「度」で表し、縦軸は、レ
ーザビームＬＢ１の強度を１００としたときのレーザビ
ームＬＢ３及びＬＢ４の相対強度を表す。図中の白丸及
び白三角は、それぞれレーザビームＬＢ３及びＬＢ４の
強度を示す。回転角度が２５度のときに、両者の強度が
等しくなることがわかる。
【００２０】回転角度が２５度のとき、Ｓ偏光成分の反
射率が１８．１％、Ｐ偏光成分の反射率が８．５％であ
る。レーザ光源１から出射したレーザビームＬＢ１のＳ
偏光成分とＰ偏光成分との強度比が１：１である場合、
部分反射鏡２を透過したレーザビームＬＢ２のＳ偏光成
分とＰ偏光成分との強度比は、４４２：４１６になって
いる。このため、ビームスプリッタ３で反射したレーザ
ビームＬＢ３と、ビームスプリッタ３を透過したレーザ
ビームＬＢ４との強度比が、ほぼ１：１になる。このよ
うに、ビームスプリッタ３で分岐された２本のレーザビ
ームＬＢ３とＬＢ４との強度を、ほぼ一致させることが
できる。
射率が１８．１％、Ｐ偏光成分の反射率が８．５％であ
る。レーザ光源１から出射したレーザビームＬＢ１のＳ
偏光成分とＰ偏光成分との強度比が１：１である場合、
部分反射鏡２を透過したレーザビームＬＢ２のＳ偏光成
分とＰ偏光成分との強度比は、４４２：４１６になって
いる。このため、ビームスプリッタ３で反射したレーザ
ビームＬＢ３と、ビームスプリッタ３を透過したレーザ
ビームＬＢ４との強度比が、ほぼ１：１になる。このよ
うに、ビームスプリッタ３で分岐された２本のレーザビ
ームＬＢ３とＬＢ４との強度を、ほぼ一致させることが
できる。
【００２１】ビームスプリッタ３の反射率が正確にわか
っていない場合には、パワーメータ７及び８でレーザビ
ームＬＢ３及びＬＢ４のパワーを観測しながら、両者の
パワーが近づくように回転機構９を駆動すればよい。光
学部品を交換することなく、回転のみで強度比の制御が
行われるため、移動制御が容易である。上記実施例にお
いては、制御装置１０が、パワーメータ７及び８からの
出力を判断し、回転機構９を制御する。
っていない場合には、パワーメータ７及び８でレーザビ
ームＬＢ３及びＬＢ４のパワーを観測しながら、両者の
パワーが近づくように回転機構９を駆動すればよい。光
学部品を交換することなく、回転のみで強度比の制御が
行われるため、移動制御が容易である。上記実施例にお
いては、制御装置１０が、パワーメータ７及び８からの
出力を判断し、回転機構９を制御する。
【００２２】図３に、第２の実施例によるレーザビーム
分岐装置の概略図を示す。第２の実施例によるレーザビ
ーム分岐装置には、第１の実施例によるレーザビーム分
岐装置に加えて、マスク１５、フィールドレンズ１６、
及び結像レンズ１７、１８が配置されている。
分岐装置の概略図を示す。第２の実施例によるレーザビ
ーム分岐装置には、第１の実施例によるレーザビーム分
岐装置に加えて、マスク１５、フィールドレンズ１６、
及び結像レンズ１７、１８が配置されている。
【００２３】マスク１５は、部分反射鏡２を透過したレ
ーザビームＬＢ２のビーム断面を整形する。フィールド
レンズ１６は、マスク１５の貫通孔を通過したレーザビ
ームをコリメートする。結像レンズ１７及び１８は、そ
れぞれレーザビームＬＢ３及びＬＢ４の光路上に配置さ
れ、マスク１５の貫通孔をＸＹステージ５及び６の上に
保持された加工対象物の表面上に結像させる。
ーザビームＬＢ２のビーム断面を整形する。フィールド
レンズ１６は、マスク１５の貫通孔を通過したレーザビ
ームをコリメートする。結像レンズ１７及び１８は、そ
れぞれレーザビームＬＢ３及びＬＢ４の光路上に配置さ
れ、マスク１５の貫通孔をＸＹステージ５及び６の上に
保持された加工対象物の表面上に結像させる。
【００２４】ビームスプリッタ３は、レーザビームのＳ
偏光成分とＰ偏光成分との反射率を変化させることによ
って、所望の強度のレーザビームＬＢ３及びＬＢ４に分
岐させている。分岐の前後で、ビーム断面形状が変化し
ないため、ＸＹステージ５及び６に保持された加工対象
物の表面上に、同一の像を形成することができる。これ
により、２つの加工対象物の加工品質を等しくすること
ができる。
偏光成分とＰ偏光成分との反射率を変化させることによ
って、所望の強度のレーザビームＬＢ３及びＬＢ４に分
岐させている。分岐の前後で、ビーム断面形状が変化し
ないため、ＸＹステージ５及び６に保持された加工対象
物の表面上に、同一の像を形成することができる。これ
により、２つの加工対象物の加工品質を等しくすること
ができる。
【００２５】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ビームスプリッタに入射するレーザビームのＰ偏光成分
とＳ偏光成分との強度比を調節することにより、ビーム
スプリッタの性能のばらつきを補償し、分岐された２本
のレーザビームの強度をほぼ等しくすることができる。
ビームスプリッタに入射するレーザビームのＰ偏光成分
とＳ偏光成分との強度比を調節することにより、ビーム
スプリッタの性能のばらつきを補償し、分岐された２本
のレーザビームの強度をほぼ等しくすることができる。
【図１】 本発明の第１の実施例によるレーザビーム分
岐装置の概略図である。
岐装置の概略図である。
【図２】 レーザビームＬＢ３及びＬＢ４と、部分反射
鏡の回転角度との関係を示すグラフである。
鏡の回転角度との関係を示すグラフである。
【図３】 本発明の第２の実施例によるレーザビーム分
岐装置の概略図である。
岐装置の概略図である。
１ レーザ光源
２ 部分反射鏡
３ ビームスプリッタ
４ 全反射鏡
５、６ ＸＹステージ
７、８ パワーメータ
９ 回転機構
１０ 制御装置
１５ マスク
１６ フィールドレンズ
１７、１８ 結像レンズ
Claims (5)
- 【請求項１】 レーザビームを出射するレーザ光源と、 前記レーザ光源から出射されたレーザビームの、相互に
直交する第1の偏光成分と第２の偏光成分との強度比を
変えることができる強度比可変光学装置と、 前記強度比可変光学装置により、第１及び第２の偏光成
分の強度比を変えられたレーザビームの一部を反射し、
残りを透過させ、前記第１の偏光成分の反射率と第２の
偏光成分の反射率とが異なるビームスプリッタとを有す
るレーザビーム分岐装置。 - 【請求項２】 前記強度比可変光学装置が、 前記レーザ光源から出射したレーザビームの光路内に、
該レーザビームの光軸に対して斜めに配置された部分透
過鏡と、 前記部分透過鏡を、入射ビームの光軸を中心として回転
させることができる回転機構とを有する請求項１に記載
のレーザビーム分岐装置。 - 【請求項３】 さらに、前記ビームスプリッタで反射し
たレーザビームのパワーを測定する第１のパワーメータ
と、前記ビームスプリッタを透過したレーザビームのパ
ワーを測定する第２のパワーメータと、前記第１及び第
２のパワーメータで検出されたレーザビームのパワーを
比較し、比較結果に基づいて、前記回転機構を制御する
制御手段とを有する請求項２に記載のレーザビーム分岐
装置。 - 【請求項４】 さらに、前記強度比可変光学装置と前記
ビームスプリッタとの間のレーザビームの経路上に配置
され、ビーム断面を整形する貫通孔が設けられたマスク
と、 前記ビームスプリッタで反射したレーザビーム及び該ビ
ームスプリッタを透過したレーザビームが入射する位置
に加工対象物を保持するステージと、 前記ビームスプリッタで反射したレーザビームの経路上
に配置され、前記マスクの貫通孔を前記加工対象物上に
結像させる第１の結像レンズと、 前記ビームスプリッタを透過したレーザビームの経路上
に配置され、前記マスクの貫通孔を前記加工対象物上に
結像させる第２の結像レンズとを有する請求項１〜３の
いずれかに記載のレーザビーム分岐装置。 - 【請求項５】 レーザ光源から出射されたレーザビーム
の、相互に直交する第1の偏光成分と第２の偏光成分と
の強度比を変える工程と、 前記第１の偏光成分の反射率と第２の偏光成分の反射率
とが異なるビームスプリッタに、該第1の偏光成分と第
２の偏光成分との強度比を変えられたレーザビームを入
射させ、入射ビームを分岐させる工程と、 分岐したレーザビームの各々を、加工対象物に照射し、
レーザ加工を行う工程とを有するレーザ加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001317100A JP2003124552A (ja) | 2001-10-15 | 2001-10-15 | レーザビーム分岐装置及びレーザ加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001317100A JP2003124552A (ja) | 2001-10-15 | 2001-10-15 | レーザビーム分岐装置及びレーザ加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003124552A true JP2003124552A (ja) | 2003-04-25 |
Family
ID=19135023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001317100A Pending JP2003124552A (ja) | 2001-10-15 | 2001-10-15 | レーザビーム分岐装置及びレーザ加工方法 |
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|---|---|
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008521615A (ja) * | 2004-11-29 | 2008-06-26 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 多重レーザビームを使用して効率的に微細加工する装置及び方法 |
| KR101001593B1 (ko) | 2008-06-25 | 2010-12-17 | (주)티엔스 | 엑시머레이저 빔의 분기를 이용한 마이크로 필름 가공 방법및 그 장치 |
| JPWO2013054372A1 (ja) * | 2011-10-11 | 2015-03-30 | 三菱電機株式会社 | レーザ出力測定機構 |
| JPWO2013098887A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2015-04-30 | 三菱電機株式会社 | レーザ出力測定装置 |
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| WO2021192867A1 (ja) * | 2020-03-26 | 2021-09-30 | 株式会社アマダ | レーザパワーモニタリング装置及びレーザパワーモニタリング方法 |
-
2001
- 2001-10-15 JP JP2001317100A patent/JP2003124552A/ja active Pending
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| JP2021154325A (ja) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | 株式会社アマダ | レーザパワーモニタリング装置及びレーザパワーモニタリング方法 |
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