JP4095570B2 - イオン注入装置およびイオン注入方法 - Google Patents

Description

本発明は、イオン注入装置およびイオン注入方法に関する。

半導体装置の製造工程において、半導体基板に不純物を注入する際に行われるイオン注入は、チャネリングという現象により影響を受ける。チャネリングとは、イオンビームが打ち込まれる方向が半導体基板の結晶方向に沿っていると、沿っていない場合に注入された不純物プロファイルのピーク値よりも深い位置に不純物が多く注入される現象である。チャネリングの発生量は、半導体基板に対する注入角度（垂直度）に依存するため、垂直度に応じて、半導体基板上に形成された半導体装置の特性がばらつく。よって、垂直度の制御が重要である。

しかしながら、現在、垂直度の決定に関与するイオンビームの軌道および半導体基板の処理面（主面）の角度の精度はイオン注入装置の機械精度に依存しており、実際のイオンビームの軌道と半導体基板の処理面との相対的な関係を観測し、これに基づいて垂直度が制御される構成とはされていない。すなわち、例えば下げ振りおよび水準器を用いて、重力の方向に対する垂線および平行面を求めて基準線とし、この基準線に対してイオン注入装置を組み立てるのが一般的である。このため、イオン注入装置の部品を加工する精度およびこれら部品を組み立てる精度に応じて基準線がことなり、この結果、垂直度がイオン注入装置ごとにばらつく。

また、上記したように、現在、実際のイオンビームの軌道と半導体基板の処理面との相対的な関係は観測されていない。このため、イオン注入装置の組み立て後に何等かの要因により装置の状態が変化し、この結果、垂直度が変化しても、これを発見、修正することができなかった。また、同じ理由により、処理される半導体基板ごとの垂直度の違いも検出できず、処理基板に応じて半導体装置の特性がばらつくこともある。

この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては次のものがある。
特開平6-325723号公報

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、処理基板ごとに同じ基準によって垂直度を制御できるイオン注入装置およびイオン注入方法を提供しようとするものである。

本発明の第１の視点によるイオン注入装置は、処理基板の主面に対する光軸の角度を調節可能なレーザー光を前記主面に向けて発するレーザー光照射部と、前記角度がある値となった際の前記光軸と一致する仮想的な基準線を規定可能な基準線規定部と、前記基準線規定部により規定される前記基準線と一致する軌道を有するイオンビームを照射するイオン照射部と、を具備することを特徴とする。

本発明の第２の視点によるイオン注入方法は、処理基板の主面に対して発せられたレーザー光の前記主面に対する光軸の角度がある値となった際の前記光軸と一致する仮想的な基準線を規定する工程と、前記規定された基準線と一致する軌道を有するイオンビームを前記主面に向かって照射する工程と、を具備することを特徴とする。

本発明の第３の視点によるイオン注入方法は、処理基板の主面が位置する予定の仮想面に向かって発せられたイオンビームの前記仮想面に対する角度がある値となった際の前記イオンビームの設定軌道と一致する仮想的な基準線を規定する工程と、前記規定された基準線と一致する軌道を有するレーザー光の光軸に対する前記主面の角度を調整する工程と、調整された前記処理基板の前記主面に対して、前記設定軌道を有するイオンビームを照射する工程と、を具備することを特徴とする。

更に、本発明に係る実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が省略されることで発明が抽出された場合、その抽出された発明を実施する場合には省略部分が周知慣用技術で適宜補われるものである。

本発明によれば、機械精度に依存せず、また処理基板ごとに半導体装置の特性がばらつくことを回避可能なイオン注入装置およびイオン注入方法を提供できる。

以下に本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るイオン注入装置１の主要部の１つの状態を概略的に示す図である。より詳しくは、図１は、後に詳述するように、処理基板３１に対する垂線を設定する際の状態を示している。図１に示すように、イオン注入装置１は、レーザー光照射部１１を有する。レーザー光照射部１１は、処理基板３１に対して注入されるイオンビームの角度を調整するために用いられるレーザー光を照射する。レーザー光照射部１１は、レーザー光源１２、ミラー１３、１４を有する。

ミラー１３、１４は、レーザー光源１２のレーザー光発射口と処理基板３１との間に設けられる。ミラー１３、１４は可動とされており、レーザー光を処理基板３１に導くとともに、レーザー光の光軸を調整する機能を有する。レーザー光源１２からのレーザー光を処理基板３１へと導くための可動なミラーの数を２つにすることにより、ミラーの大きさの範囲内で光軸を自由に調整することができる。ミラー１３、１４の傾きは、制御部１５により制御される。なお、レーザー光照射部１１が有するミラーの数は１つまたは３つ以上とすることもできる。

ミラー１３と処理基板３１との間には、偏光ビームスプリッター２１が設けられる。偏光ビームスプリッター２１は、Ｐ偏光をほぼ１００％透過（吸収分は除く）し、Ｓ偏光をほぼ１００％反射する光学素子である。Ｐ偏光とＳ偏光とは、それぞれの振幅の方向に沿った面が相互に直交する関係を有する。

偏光ビームスプリッター２１の側方には、光強度計測器２２が設けられる。光強度計測器２２は、処理基板３１によって反射されたレーザー光が偏光ビームスプリッター２１により反射されてきたレーザー光が入射するような位置に配置される。また、光強度計測器２２は、入射した光の強度を計測し、計測結果を制御部１５に供給する。

偏光ビームスプリッター２１と処理基板３１との間には、１／４波長板２３が設けられる。１／４波長板２３を用いることで、直線偏光を円偏光に、また円偏光を直線偏光に変換することができる。この特性を利用することで１／４波長板２３を通して処理基板３１からの反射光の偏光方向を９０°回転させることができる。

１／４波長板２３と処理基板３１との間には、基準線規定部２４が設けられる。基準線規定部２４は、レーザー光の光軸を捕捉し、この光軸と同一の仮想的な基準線を規定することができる。イオンビームの軌道を調整する際に、この仮想的な基準線が用いられる。基準線規定部２４は、第１開口板２５、第２開口板２６が順次設けられる。第１開口板２５および第２開口板２６は、それぞれ開口を有し、また制御部１５の制御により可動とされている。イオン照射部４１およびイオン計測器４４については、後述する。

図２は、第１実施形態に係るイオン注入装置の主要部の、他の１つの状態を概略的に示している。より詳しくは、図２は、後に詳述するように、イオンビームの軌道を調整する際の状態を示している。図２に示すように、第１開口板２５の上方に、イオン照射部４１が設けられる。イオン照射部４１は、処理基板３１に対して注入されるイオンビームを照射する。イオン照射部４１は、イオンビームの処理基板３１に対する角度を任意に設定することができる。

イオン照射部４１は、イオンビーム発生部４２およびコリメータマグネット４３を有する。イオンビーム発生部４２は、イオンを発生するイオン源、アナライザーマグネット、スキャナー等を有し、コリメータマグネット４３の入り口に向かってイオンを照射する。コリメータマグネット４３は、イオンレンズの役割を果たし、イオンビームを平行ビームにして処理基板３１に導く機能を有する。第２開口板２６と処理基板３１との間には、イオンの量を計測するイオン計測器４４が設けられる。イオン計測器４４として、例えばファラデーカップを用いることができる。

次に、図１〜図３を用いて、第１実施形態に係るイオン注入装置１によるイオンの注入方法について説明する。図２は、第１実施形態に係るイオン注入装置のイオンビームの垂直度の設定方法を示すフローチャートである。まず、レーザー光源１２から発せられた光を用いて、処理基板３１に対して垂直な軸が設定される。図１および図２を用いて、処理基板３１に対する垂線を設定する方法について説明する。

まず、第１開口板２５が、処理基板３１の上方に配置される（ステップＳ１）。次に、制御部１５は、ミラー１３、１４により反射された光が第１開口板２５の開口（第１開口）を通過するように、ミラー１３、１４の傾きを制御する（ステップＳ２）。ミラー１３、１４によって導かれたレーザー光は、偏光ビームスプリッター２１に対してＰ偏光の直線偏光の成分が透過し、さらに１／４波長板２３を通過することにより、円偏光へと変換される。

１／４波長板２３からの円偏光は、第１開口板２５の開口を介して処理基板３１により反射される。反射された反射光は、再び第１開口板２５の開口を介して１／４波長板２３を通過することにより直線偏光へと変換される。この変換された直線偏光は、１／４波長板２３によって、もとの偏光方向（偏光ビームスプリッター２１に対してＰ偏光）から偏光方向が９０°回転している。すなわち、偏光ビームスプリッター２１に対してＳ偏光へと変換されており、偏光ビームスプリッター２１によって反射され、光強度計測器２２に入射する。光強度計測器２２は、入射した光強度を計測し、その値を制御部１５に供給する（ステップＳ３）。

制御部１５は、光強度計測器２２からの値を観察しながらミラー１３、１４の傾きを制御し、レーザー光の光軸を処理基板３１に対して垂直へと調整する。すなわち、ミラー１４からの光の光軸が、処理基板３１に対して角度を有している場合、第１開口２５の開口を処理基板３１に向かって通過する際に、その強度が減少する。さらに、処理基板３１により反射された光も角度を有しているため、第１開口２５の開口をミラー１４に向かって通過する際に、光強度が減少する。したがって、光強度計測器２２により計測される光強度が最大となるときの光軸の角度は、処理基板３１に対して垂直である。制御部１５は、光強度計測器２２に入射する光の強度が最大となるように、ミラー１３、１４の傾きを微調整する（ステップＳ４）。

次に、制御部１５は、設定された光軸上に第２開口板２６の開口（第２開口）が位置するように、第２開口板２６を配置する。すなわち、光強度計測器２２により検出された光強度が減少しないように、第２開口板２６が配置される（ステップＳ５）。このようにして配置された第１開口板２５と第２開口板２６のそれぞれの開口により、処理基板３１に対する垂線が規定される。

次に、規定された垂線と沿うようにイオンビームの軌道が調整される。図２および図３を用いて、イオンビームの軌道を調整する方法について説明する。

図２および図３に示すように、第２開口板２６と処理基板３１との間にイオン計測器４４が設置される（ステップＳ６）。次に、制御部１５は、イオンビームが第１開口板２５の開口、第２開口板２６の開口をともに通過するようにイオンビーム照射部４１を制御する。イオン計測器４４は、イオン計測器４４に入射したイオンビームの量を計測し、その結果を制御部１５に供給する。制御部１５は、この値を参照して、イオン計測器４４により計測されたイオンビームの量が最大となるように、コリメータマグネット４３からのイオンビームの軸を微調整する（ステップＳ７）。このときのイオンビームの軌道の処理基板３１に対する角度は、レーザー光の光軸が処理基板３１に対して有する角度と同じである。この後、第１開口板２５、第２開口板２６、イオン計測器４４が除去され（ステップＳ８）、処理基板３１に対するイオン注入が行われる（ステップＳ９）。

本発明の第１実施形態に係るイオン注入装置によれば、処理基板３１に対して発せられたレーザー光の光軸と一致する仮想的な基準線が規定部２４により規定され、この規定された基準線と一致する軌道を有するようにイオンビームが照射される。このように、実際のイオンビームの軌道が制御されるため、処理基板３１に対する任意の角度でイオンを注入することができる。すなわち、イオンが注入される角度が、イオン注入装置の機械精度に依存しないため、イオン注入装置を用いて形成された半導体装置の特性がイオン注入装置ごとにばらつくことを回避できる。また、同じイオン注入装置を用いた場合でも、処理基板ごとに対してイオンビームの軌道を調整することにより、処理基板ごとに半導体装置の特性がばらつくことを防止することもできる。

（第２実施形態）
第２実施形態では、処理基板を保持する基板保持部を調整することにより、基準線を設定するためのレーザー光の光軸の処理基板に対する角度が調整される。

図４は、本発明の第２実施形態に係るイオン注入装置の主要部の１つの状態を概略的に示す図である。より詳しくは、図４は、処理基板３１に対する垂線を設定する際の状態を示している。図４に示すように、イオン注入装置２は、基板保持部（プラテン）５１を有する。基板保持部５１は、処理基板３１を保持し、また処理基板３１の主面の角度を調整可能なように構成されており、また静電チャック５２およびアクチュエータ５３を有する。アクチュエータ５３の、静電チャックと接続された複数の脚部の長さを変化させることにより、処理基板３１の主面の角度を変化させることができる。基板保持部５１の動作は、制御部１５により制御される。その他の構成は第１実施形態と同じである。

図５は、第２実施形態に係るイオン注入装置の主要部の１つの状態を示している。より詳しくは、図５は、イオンビームの軌道を調整する際の状態を示している。図５に示すように、処理基板３１が基板保持部５１により保持されていることを除いて、第１実施形態を示す図２と同じである。

次に、図４〜図６を用いて、第２実施形態に係るイオン注入装置２によるイオンの注入方法について説明する。図６は、第２実施形態に係るイオン注入装置２のイオンビームの垂直度の設定方法を示すフローチャートである。まず、レーザー光源１２から発せられた光を用いて、処理基板３１に対して垂直な軸が設定される。図４および図６を用いて、処理基板３１に対する垂線を設定する方法について説明する。

まず、図４および図６に示すように、第１開口板２５および第２開口板２６が、それぞれの開口がほぼレーザー光の光軸上に位置するように配置される（ステップＳ１１）。第１開口板２５および第２開口板２６の位置、レーザー光の光軸は、この後、特に微調整される必要はない。次に、第１実施形態と同じく、光強度計測器２２は、レーザー光照射部１１から発せられ、第１開口板２５の第１開口および第２開口板２６の第２開口を通過し、処理基板３１により反射され、且つ第２開口および第１開口を再び通過し、偏光ビームスプリッター２１により反射された反射光の強度を計測する（ステップＳ３）。制御部１５は、計測された光強度の値を観察しながら、光強度が最大となるように、基板保持部５１を制御することにより処理基板３１の主面の傾きを微調整する（ステップＳ１２）。反射光が最大となる際、処理基板３１とレーザー光照射部１１からのレーザー光の光軸は、処理基板３１に対して垂直である。よって、この状態の処理基板３１の主面の角度と、第１開口および第２開口により規定された基準線と、は垂直の関係を有する。

この後の工程は第１実施形態と同じである。すなわち、図５および図６に示すように、第２開口板２６と処理基板３１との間にイオン計測器４４が配置される（ステップＳ６）。次に、イオン計測器４４の値が最大となるようにイオン照射部４１からのイオンビームの軌道が調整される（ステップＳ７）。この後、第１開口板２５、第２開口板２６、イオン計測器４４が除去され（ステップＳ８）、イオンが注入される（ステップＳ９）。

本発明の第２実施形態に係るイオン注入装置によれば、第１実施形態と同じく、基準線規定部２４により処理基板３１に対する基準線が規定され、この基準線と同じ軌道を有するようにイオンビームが照射される。このため、第１実施形態と同じ効果を得られる。

また、第２実施形態によれば、基板保持部５１により処理基板３１の主面の角度を調整することにより、基準線と処理基板３１との角度の調整が行われる。このため、第２実施形態によれば、ミラー１３、１４の制御により基準線と処理基板３１とのを調整する第１実施形態に比べ、基準線の設定速度が上がる利点を得られる。

（第３実施形態）
第３実施形態は、第２実施形態に係るイオン注入装置２を用いたイオンビームの垂直度の設定方法の変形例に関わる。第３実施形態では、イオンビームの軌道が調整された後、レーザー光および基板保持部５１による処理基板３１の主面の傾きを調整することにより、イオンビームと処理基板３１との角度が調整される。

図４、図５、図７を用いて、第３実施形態に係るイオン注入装置の注入方法について説明する。図７は、第３実施形態に係る、イオン注入装置２によるイオンビームの注入方法を示すフローチャートである。まず、イオンビームの軌道が設定される。すなわち、図５および図７に示すように、イオン照射部４１と処理基板３１が配置される予定の位置との間に、第１開口板２５と、第２開口板２６と、イオン計測器４４とが配置される（ステップＳ２１）。次に、第１開口板２５の第１開口および第２開口板２６の第２開口を通過してイオン計測器４４に到達したイオンビームの値が最大となるように、イオン計測器４４の値を観測しながらイオンビームの軌道が調整される（ステップＳ７）。次に、イオン計測器が除去される（ステップＳ２２）。

次に、先に設定されたイオンビームの軌道（設定軌道）と、処理基板３１との角度が制御される。すなわち、図４および図７に示すように、第１、第２実施形態と同じく、光強度計測器２２は、レーザー照射部１１から発せられ、第１開口板２５の第１開口および第２開口板２６の第２開口を通過し、処理基板３１により反射され、且つ第２開口および第１開口を再び通過し、偏光ビームスプリッター２１により反射された反射光の強度を計測する（ステップＳ３）。制御部１５は、計測された光強度の値を観察しながら、光強度が最大となるように、基板保持部５１を制御することにより処理基板３１の主面の傾きを微調整する（ステップＳ１２）。反射光が最大となる際、処理基板３１はレーザー光の光軸に対して垂直である。よって、この状態の処理基板３１の主面の角度と、第１開口および第２開口により規定された基準線と、は垂直の関係を有する。すなわち、この状態の処理基板３１の主面の角度と、イオンビームの軌道とは垂直の関係を有している。

次に、第１開口板２５および第２開口板２６が除去される（ステップＳ２３）。次に、先に設定された軌道に沿ってイオンが注入される（ステップＳ９）。

本発明の第３実施形態に係るイオン注入方法によれば、第１実施形態と同じく、基準線規定部２４により処理基板３１に対する基準線が規定され、この基準線と同じ軌道を有するようにイオンビームが照射される。このため、第１実施形態と同じ効果を得られる。

また、第３実施形態によれば、第２実施形態と同じく、基板保持部５１により処理基板３１の主面の角度を調整することにより、基準線と処理基板３１との角度の調整が行われる。このため、第２実施形態と同じ効果を得られる。

さらに、第３実施形態によれば、イオンビームの軌道を調整した後に、基板保持部５１により処理基板３１の主面の角度を調整することにより、イオンビームと処理基板３１との角度の調整が行われる。このため、複数枚の処理基板３１に対してイオン注入を行う際に、処理基板３１ごとにイオンビームに対する処理基板３１主面の角度を調整する速度が上がる利点を得られる。

なお、第１実施形態〜第３実施形態において、第１開口板２５および第２開口板２６として、アイリス（虹彩絞り）構造等の開口サイズが可変なものを用いることもできる。開口サイズが可変となることにより、レーザー光の光軸の微調整およびイオンビームの軌道の調整を容易に行うことができる。

さらに、第１実施形態〜第３実施形態において、処理基板３１により反射されたレーザー光がレーザー光源１２に進入することによりレーザー光源１２にダメージを与えることを回避するために、偏光ビームスプリッター２１が用いられる。しかしながら、他の方法により、反射されたレーザー光がレーザー光源１２に進入することを防止する構成とすることもできる。さらに、レーザー光源１２が、進入するレーザー光に対する防止機構を有していれば、反射されたレーザー光による影響を考慮する必要はない。

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

本発明の第１実施形態に係るイオン注入装置の主要部の１つの状態を示す図。 本発明の第１実施形態に係るイオン注入装置の主要部の１つの状態を示す図。 本発明の第１実施形態に係るイオン注入装置によるイオン注入方法を示すフローチャート。 本発明の第２実施形態に係るイオン注入装置の主要部の１つの状態を示す図。 本発明の第２実施形態に係るイオン注入装置の主要部の１つの状態を示す図。 本発明の第２実施形態に係るイオン注入装置によるイオン注入方法を示すフローチャート。 本発明の第３実施形態に係るイオン注入方法を示すフローチャート。

符号の説明

１、２…イオン注入装置、１１…レーザー光照射部、１２…レーザー光源、１３、１４…ミラー、１５…制御部、２１…偏光ビームスプリッター、２２…光強度計測器、２３…１／４波長板、２４…基準線規定部、２５…第１開口板、２６…第２開口板、３１…処理基板、４１…イオン照射部、４２…イオンビーム発生部、４３…コリメータマグネット、４４…イオン計測器、５１…基板保持部、５２…静電チャック、５３…アクチュエータ。

Claims (10)

1. 処理基板の主面に対する光軸の角度を調節可能なレーザー光を前記主面に向けて発するレーザー光照射部と、
   前記角度がある値となった際の前記光軸と一致する仮想的な基準線を規定可能な基準線規定部と、
   前記基準線規定部により規定される前記基準線と一致する軌道を有するイオンビームを照射するイオン照射部と、
   を具備することを特徴とするイオン注入装置。
2. 前記基準線規定部は、
   前記レーザー光照射部と前記主面との間に配設され、且つ第１開口を有する第１開口板と、
   前記第１開口板と前記主面との間に配設され、且つ第２開口を有する第２開口板と、
   を含むことを特徴とする請求項１に記載のイオン注入装置。
3. 前記主面に向かって前記第１開口を通過した前記レーザー光が前記主面により反射され且つ前記第１開口を再度通過した反射レーザー光の強度を計測する光強度計測器と、
   前記強度が最大となるように前記角度を調整するために前記レーザー光照射部を制御する制御部と、
   をさらに具備することを特徴とする請求項２に記載のイオン注入装置。
4. 前記処理基板を保持し、且つ前記主面の傾きを変化させることにより前記角度を変化させる、基板保持部と、
   前記主面に向かって前記第１開口および前記第２開口を通過した前記レーザー光が前記主面により反射され且つ前記第２開口および第１開口を再度通過した反射レーザー光の強度を計測する光強度計測器と、
   前記主面が前記強度が最大となる前記傾きを有するように前記基板保持部を制御する制御部と、
   を具備することを特徴とする請求項２に記載のイオン注入装置。
5. 処理基板の主面に対して発せられたレーザー光の前記主面に対する光軸の角度がある値となった際の前記光軸と一致する仮想的な基準線を規定する工程と、
   前記規定された基準線と一致する軌道を有するイオンビームを前記主面に向かって照射する工程と、
   を具備することを特徴とするイオン注入方法。
6. 前記基準線を規定する工程は、前記光軸上に位置する第１開口を有する第１開口板と、前記光軸上に位置する第２開口を有する第２開口板と、によって前記光軸を規定する工程を含み、
   前記イオンビームを照射する工程は、前記イオンビームが前記第１開口および前記第２開口を通過するように前記イオンビームを照射する工程を含む、
   ことを特徴とする請求項５に記載のイオン注入方法。
7. 前記基準線を規定する工程は、
   前記主面に向かって前記第１開口を通過した前記レーザー光が前記主面により反射され且つ前記第１開口を再度通過した反射レーザー光の強度を計測する工程と、
   前記強度が最大となるように、前記レーザー光を照射するレーザー光照射部を制御することにより前記角度を調整する工程と、
   前記光軸上に前記第２開口が位置するように前記第２開口板を配置する工程と、
   を含むことを特徴とする請求項６に記載のイオン注入方法。
8. 前記基準線を規定する工程は、
   前記主面に向かって前記第１開口および前記第２開口を通過した前記レーザー光が前記主面により反射され且つ前記第２開口および前記第１開口を再度通過した反射レーザー光の強度を計測する工程と、
   前記強度が最大となるように、前記処理基板を保持する基板保持部を制御することにより前記主面の傾きを変化させる工程と、
   を含むことを特徴とする請求項６に記載のイオン注入方法。
9. 処理基板の主面が位置する予定の仮想面に向かって発せられたイオンビームの前記仮想面に対する角度がある値となった際の前記イオンビームの設定軌道と一致する仮想的な基準線を規定する工程と、
   前記規定された基準線と一致する軌道を有するレーザー光の光軸に対する前記主面の角度を調整する工程と、
   調整された前記処理基板の前記主面に対して、前記設定軌道を有するイオンビームを照射する工程と、
   を具備することを特徴とするイオン注入方法。
10. 前記基準線を設定する工程は、前記イオンビームの軌道上に位置する第１開口を有する第１開口板と、前記軌道上に位置する第２開口を有する第２開口板と、によって前記軌道を規定する工程を含み、
    前記レーザー光の光軸は、前記第１開口および前記第２開口を通過し、
    前記主面の角度を調整する工程は、前記主面に向かって前記第１開口および前記第２開口を通過した前記レーザー光が前記主面により反射され且つ前記第２開口および前記第１開口を再度通過した反射レーザー光の強度を計測する工程と、前記強度が最大となるように、前記処理基板を保持する基板保持部を制御することにより前記主面の傾きを変化させる工程と、を含む
    ことを特徴とする請求項９に記載のイオン注入方法。

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