JP2003124207A

JP2003124207A - 被膜、被膜形成用塗布液、被膜の製造方法及びその被膜を有する電子部品

Info

Publication number: JP2003124207A
Application number: JP2001314988A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Enomoto; 和宏榎本; Koichi Abe; 浩一阿部; Shigeru Nobe; 茂野部
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd
Current assignee: Showa Denko Materials Co Ltd
Priority date: 2001-10-12
Filing date: 2001-10-12
Publication date: 2003-04-25

Abstract

(57)【要約】【課題】温度範囲が３５０〜５００℃、かつ加熱時間
が１０分以内と短時間で完全硬化可能で熱処理工程の短
縮可能な低比誘電率の被膜を提供する。【解決手段】温度範囲が３５０〜５００℃、加熱時間
が１０分以内の条件下で被膜を加熱処理した場合に、そ
の被膜の比誘電率が３．０以下になる（ａ）シロキサン
骨格を有する縮重合反応物、（ｂ）２５０〜５００℃の
温度範囲で全て分解もしくは揮発する有機ポリマー及び
（ｃ）有機ポリマー分解促進剤を含有する被膜。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は比較的低温、かつ短
時間加熱処理により提供可能な低比誘電率の絶縁性の被
膜、その被膜形成用塗布液、被膜の製造方法及びその被
膜を有する電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩの高集積化による配線の微細化に
ともない、配線間容量の増大による信号遅延時間の増大
が問題となっており、電子部品の絶縁材料は、耐熱性、
機械特性等の他、低比誘電率と熱処理工程の短縮が求め
られている。その理由は、一般に配線の信号の伝搬速度
（ｖ）と、配線材料が接する絶縁材料の比誘電率（ε）
とは、ｖ＝ｋ／√ε（ｋは定数）で示される関係があ
り、信号の伝搬速度を高速化するためには使用する周波
数領域を高くし、また、そのときの絶縁材料の比誘電率
を低くする必要があるからである。従来から、比誘電率
４．２程度のＣＶＤ法によるＳｉＯ_２膜が層間絶縁材料
として用いられてきたが、デバイスの配線間容量を低減
し、ＬＳＩの動作速度を向上するため、より低誘電率な
材料が求められている。現在実用化されている低誘電率
材料としては、比誘電率３．５程度のＳｉＯＦ膜（ＣＶ
Ｄ法）があげられる。比誘電率２．５〜３．０の絶縁材
料としては、有機ＳＯＧ（Spin On Glass）、有機ポリ
マー等が、さらに比誘電率２．５以下の絶縁材料として
は膜中に空隙を有するポーラス材が有力と考えられてお
り、ＬＳＩの層間絶縁被膜に適用するための検討が盛ん
に行われている。特開平10-283843号公報、特開平11-32
2992号公報、特開平11-310411号公報などでは、有機Ｓ
ＯＧ系の材料で金属アルコキシシランの加水分解縮重合
物と加熱することにより揮発もしくは分解するポリマー
を含有する組成物から低誘電性に優れた被膜材料を形成
することが提案されている。しかしながら、これらの被
膜を形成する際の加熱処理時間はいずれも３０分以上と
長い。一方で層間絶縁膜材料の製造において、配線材料
の変更に伴い長時間の加熱で配線材料の劣化などが伴う
恐れがあるため、加熱処理時間の短縮が要求されてい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、温度
範囲が３５０〜５００℃、かつ加熱時間が１０分以内と
短時間で完全硬化可能で熱処理工程の短縮可能な低比誘
電率の被膜を提供することにある。本発明の他の目的
は、上記の被膜を形成するための被膜形成用塗布液を提
供することにある。本発明の他の目的は、上記の被膜形
成用塗布液を用いた被膜の製造方法を提供することにあ
る。本発明の他の目的は、上記の被膜を有する電子部品
を提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、温度範囲が３
５０〜５００℃、加熱時間が１０分以内の条件下で被膜
を加熱処理した場合に、その被膜の比誘電率が３．０以
下になる被膜に関する。本発明は、また、加熱処理を行
う前後の応力差が±１０ＭＰａ以内である上記の被膜に
関する。本発明は、また、被膜がケイ素１原子当たり炭
素元素を０〜３原子含有するシリカ系被膜である上記の
被膜に関する。本発明は、また、被膜の膜厚が０．０１
μｍ〜４０μｍである上記の被膜に関する。本発明は、
また、被膜が直径０．１〜１００ｎｍの空孔を有する上
記の被膜に関する。本発明は、また、（ａ）シロキサン
骨格を有する縮重合反応物、（ｂ）２５０〜５００℃の
温度範囲で全て分解もしくは揮発する有機ポリマー及び
（ｃ）有機ポリマー分解促進剤を含有することを特徴と
する被膜形成用塗布液に関する。本発明は、また、２５
０〜５００℃の温度範囲で全て分解もしくは揮発する有
機ポリマーがポリアルキレンオキサイド構造を有する化
合物又はアクリレート系重合体である上記の被膜形成用
塗布液に関する。本発明は、また、有機ポリマー分解促
進剤が硝酸、過酸化水素又はリンゴ酸である上記の被膜
形成用塗布液に関する。本発明は、また、上記の被膜形
成用塗布液を基板上に塗布し、酸素濃度が１０容量％以
下の条件で加熱処理して被膜を形成することを特徴とす
る被膜の製造方法に関する。本発明は、また、上記の被
膜形成用塗布液を基板上に塗布して被膜を形成し、形成
された被膜に含有されている溶媒を除去した後、温度範
囲が３５０〜５００℃、加熱時間が１０分以内の条件下
で被膜を加熱処理することを特徴とする被膜の製造方法
に関する。本発明は、また、上記の被膜を有する電子部
品に関する。

【０００５】

【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
本発明は、加熱温度が３５０〜５００℃、加熱時間が１
０分以内の加熱処理条件で完全硬化可能で、かつ被膜中
に含有されている有機ポリマー成分を完全に分解、もし
くは揮発することにより低誘電性に優れた被膜を得るも
のである。ここで加熱温度は、石英チューブ炉、ホット
プレート、ラピッドサーマルアニールなどの加熱処理装
置で処理する温度を指す。３５０〜５００℃の温度範囲
における加熱処理時間が１０分以内であることが必須で
ある。また加熱終了後は、３５０℃より低くする必要が
あり、場合によっては急冷の必要がある。そのため、ホ
ットプレート、ラピッドサーマルアニールなどの枚葉式
の装置の方が好ましい。３５０〜５００℃の温度範囲に
保たれる時間が長いと配線材料の劣化や配線材料の溶融
によるボイドの発生などが発生するため、好ましくな
い。また、本発明においては、加熱温度、加熱時間の短
縮を目指すため、被膜の加熱処理前後の応力変化が±１
０ＭＰａ以内であることが好ましい。応力差が大きいと
加熱処理に伴う膜収縮などの変化が大きいことを示して
おり、加熱温度、加熱時間の短縮を目指した材料設計と
はいえない。応力とはシリコンウエハー上に塗布した場
合、ウエハーのそりから計算されるものであり、加熱処
理前後において応力の変化が小さいことは、加熱処理前
後のウエハーのそりが変化ないことを示しており、か
つ、加熱処理前に被膜形成組成物の構造が定まっている
ことを示している。応力値（ＭＰａ）は下記式より求め
られる。 σ＝［Ｅｂ^２δ／３（１−ν）ｌ^２ｄ］×１／１０^７Ｅ：シリコンウエハーのヤング率（ｄｙｎ／ｃｍ^２）ｂ：ウエハーの厚さ（μｍ） ν：シリコンウエハーのポアソン比以上定数ｌ：表面粗さ計の走査距離（ｍｍ）ｄ：被膜の厚さ（μｍ） δ：シリコンウエハーのそり（μｍ）装置：テンコール社製ＦＬＸ−２３２０

【０００６】また、本発明の被膜は、半導体プロセス適
応性を考慮した場合、被膜中にケイ素元素を含むことが
好ましい。被膜中に含有するケイ素元素１原子あたり炭
素元素を０〜３原子、好ましくは０．２〜２原子含有す
ることが好ましいる。ここで示す、炭素元素／ケイ素元
素の元素比については、光電子分光法で測定される炭素
／ケイ素元素の組成比を用いることが有効である。炭素
元素の比率が高いと半導体プロセス適応性、特に積層膜
である、ＳｉＯ_２、ＳｉＮなどの被膜との接着性の保持
の点で好ましくない。

【０００７】また、本発明の被膜は、半導体素子に使用
することを目的としているため、膜厚について制約され
る。０．０１μｍ〜４０μｍであることが好ましく、好
０．１μｍ〜２．０μｍであることがより好ましい。膜
厚が厚いと応力によるクラックの発生が起こる傾向があ
り、また膜厚が薄いと上下隣接配線間のリーク特性が悪
くなる傾向がある。また、本発明の被膜は、低誘電性を
保持するため、適宜空孔を有することが好ましい。０．
１〜１００ｎｍの空孔であることが好ましく、１０ｎｍ
以下であることがより好ましい。空孔の大きさが大きく
なると吸湿水の増加、左右隣接配線間のリーク特性の悪
化や強度の低下を生じる傾向がある。空孔の直径はＢＥ
Ｔ法により測定できる。本発明の被膜を得るためには、
好ましくは、（ａ）シロキサン骨格を有する縮重合反応
物、（ｂ）２５０〜５００℃の温度範囲で全て分解もし
くは揮発する有機ポリマー及び（ｃ）有機ポリマー分解
促進剤を含有する被膜形成用塗布液が用いられる。シロ
キサン骨格を有する縮重合反応物を形成するモノマーと
しては、アルコキシシラン系、クロロシラン系、イソシ
アネート系のモノマーを用いる。半導体プロセス適応性
を考慮した場合、不純物イオンの発生がないアルコキシ
シラン系のモノマーを用いることが好ましい。シロキサ
ン骨格を有する縮重合反応物としては、アルコキシシラ
ンの加水分解縮合物が好ましく用いられる。

【０００８】かかるアルコキシシラン類には、具体的に
はテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テト
ラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキ
シシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシラン、テトラ−ｓｅ
ｃ−ブトキシシラン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラ
ン、テトラフェノキシシラン等のテトラアルコキシシラ
ン及びテトラアリールオキシラン、メチルトリメトキシ
シラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−
プロポキシシラン、メチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシ
ラン、メチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、メチルトリ−
ｉｓｏ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｔｅｒｔ−ブト
キシシラン、メチルトリフェノキシシラン、エチルトリ
メトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルト
リ−ｎ−プロポキシシラン、エチルトリ−ｉｓｏ−プロ
ポキシシラン、エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、エチ
ルトリ−ｉｓｏ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｔｅｒ
ｔ−ブトキシシラン、エチルトリフェノキシシラン、ｎ
−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエト
キシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラ
ン、ｎ−プロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｎ
−プロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルト
リ−ｉｓｏ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリフェノキシシ
ラン、ｉｓｏ−プロピルトリメトキシシラン、ｉｓｏ−
プロピルトリエトキシシラン、ｉｓｏ−プロピルトリ−
ｎ−プロポキシシラン、ｉｓｏ−プロピルトリ−ｉｓｏ
−プロポキシシラン、ｉｓｏ−プロピルトリ−ｎ−ブト
キシシラン、ｉｓｏ−プロピルトリ−ｉｓｏ−ブトキシ
シラン、ｉｓｏ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシ
ラン、ｉｓｏ−プロピルトリフェノキシシラン、ｎ−ブ
チルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリエトキシシラ
ン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｎ−ブチ
ルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｎ−ブチルトリ−
ｎ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｉｓｏ−ブトキ
シシラン、ｎ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラ
ン、ｎ−ブチルトリフェノキシシラン、ｓｅｃ−ブチル
トリメトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリエトキシシラ
ン、ｓｅｃ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｓｅ
ｃ−ブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｓｅｃ−
ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリ
−ｉｓｏ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリフェノキシ
シラン、ｔ−ブチルトリメトキシシラン、ｔ−ブチルト
リエトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシ
ラン、ｔ−ブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｔ
−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−
ｉｓｏ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−
ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリフェノキシシラン、フ
ェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラ
ン、フェニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、フェニルト
リ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｎ−ブ
トキシシラン、フェニルトリ−ｉｓｏ−ブトキシシラ
ン、フェニルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、フェニ
ルトリフェノキシシラン等のモノオルガノトリアルコキ
シシラン及びモノオルガノトリアリールオキシシラン、
ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラ
ン、ジメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジメチルジ−
ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジメチルジ−ｎ−ブトキシ
シラン、ジメチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジメチ
ルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジメチルジフェノキ
シシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエト
キシシラン、ジエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジエ
チルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジエチルジ−ｎ−
ブトキシシラン、ジエチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラ
ン、ジエチルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジエチル
ジフェノキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジメトキシシラ
ン、ジ−ｎ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロ
ピルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−
ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｎ−
ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｓｅｃ−ブトキ
シシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシ
ラン、ジ−ｎ−プロピルジフェノキシシラン、ジ−ｉｓ
ｏ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル
ジエトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジ−ｎ−プロ
ポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジ−ｉｓｏ−プロ
ポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジ−ｎ−ブトキシ
シラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジ−ｓｅｃ−ブトキシシ
ラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシ
ラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジフェノキシシラン、ジ−
ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジエトキ
シシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｎ−プロポキシシラン、
ジ−ｎ−ブチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｎ
−ブチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−
ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｔｅｒｔ
−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジフェノキシシラ
ン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｓｅｃ
−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｎ
−プロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｉｓｏ−
プロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｎ−ブトキ
シシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシ
ラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジフェノキシシラン、ジ−ｔｅ
ｒｔ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
ジエトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｎ−プロ
ポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｉｓｏ−プロ
ポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｎ−ブトキシ
シラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシ
ラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシ
ラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシシラン、ジフ
ェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラ
ン、ジフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジフェニル
ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジフェニルジ−ｎ−ブ
トキシシラン、ジフェニルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラ
ン、ジフェニルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジフェ
ニルジフェノキシシラン等のジオルガノジアルコキシシ
ラン及びジオルガノジアリールオキシシラン等が挙げら
れ、これらは１種又は２種以上が用いられる。これらの
アルコキシシラン又はアリールオキシシランをモノマー
として使用するが、使用の割合は全使用モノマーの１モ
ル％以上１００モル％以下であることが好ましい。より
好ましくは、６０モル％以上１００モル％以下である。

【０００９】また、上記アルコキシシラン又はアリール
オキシシランを使用する場合、適宜加水分解縮合を必要
とする。加水分解縮合反応を促進する触媒として、蟻
酸、マレイン酸、フマル酸、酢酸、プロピオン酸、ブタ
ン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン
酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ酸、アジピン酸、セバ
シン酸、酪酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール
酸、リノレイン酸、サリチル酸、安息香酸、ｐ−アミノ
安息香酸、ｐ−トルエンスルホン酸、フタル酸、スルホ
ン酸、酒石酸等の有機酸及び塩酸、リン酸、硝酸、ホウ
酸、硫酸、フッ酸等の無機酸が用いられる。この触媒
は、原料となるアルコキシシラン又はアリールオキシシ
ランの量に応じて適当量で用いられるが、好ましくはア
ルコキシシラン又はアリールオキシシラン１モルに対し
て０．００１〜１モルの範囲が好ましい。所定量より多
い場合ゲル化を促進する傾向があり、また所定量より少
ない場合、重合反応が進行しない傾向がある。

【００１０】また、水の量も適宜決められる。あまり少
ない場合や多すぎる場合には成膜性が悪くなったり、保
存安定性の低下等の問題があるので、水の量はアルコキ
シシラン１００モル％に対して５０〜８００モル％の範
囲とすることが好ましい。

【００１１】また、本発明の被膜形成用塗布液における
シロキサン骨格を有する縮重合反応物は、２５０〜５０
０℃の温度範囲で全て分解もしくは揮発する有機ポリマ
ーとの相溶性、溶剤への溶解性、機械特性、成形性等の
点から、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（Ｇ
ＰＣ）により測定し、標準ポリスチレンの検量線を使用
して換算した値の重量平均分子量が、５００〜２０，０
００であることが好ましく、１，０００〜１０，０００
であることがより好ましい。

【００１２】また、本発明の被膜形成用塗布液において
は、空孔を形成するために、２５０〜５００℃の温度範
囲で全て分解もしくは揮発する有機ポリマーを含有する
ことを必須とする。熱分解温度が低いと被膜成分の硬化
が進行していない時に有機ポリマーが揮発してしまうた
め、空孔を形成出来なくなるため好ましくない。また、
熱分解温度が高すぎると加熱処理終了後にも有機ポリマ
ーが残存してしまい、所望の誘電特性を達成できないた
め好ましくない。

【００１３】２５０〜５００℃の温度範囲で完全に分解
する有機ポリマーとしては、具体的にはポリアルキレン
オキサイド構造を有する化合物、（メタ）アクリレート
系重合体、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアン
ハイドライドなどを挙げることが出来る。

【００１４】ここで、ポリアルキレンオキサイド構造と
してはポリエチレンオキサイド構造、ポリプロピレンオ
キサイド構造、ポリテトラメチレンオキサイド構造、ポ
リブチレンオキサイド構造などが挙げられる。具体的に
は、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシ
エチレンステロールエーテル、ポリオキシエチレンラノ
リン誘導体、アルキルフェノールホルマリン縮合物の酸
化エチレン誘導体、ポリオキシエチレンポリオキシプロ
ピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンポリオ
キシプロピレンアルキルエーテルなどのエーテル型化合
物、ポリオキシエチレンモノオレイルエーテルなどのポ
リオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン
ソルビトール脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪
酸アルカノールアミド硫酸塩などのエーテルエステル型
化合物、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、エチ
レングリコール脂肪酸エステル、脂肪酸モノグリセリ
ド、ポリグリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸
エステル、プロピレングリコール脂肪酸エステルなどの
エーテルエステル型化合物などを挙げることができる。

【００１５】また、（メタ）アクリレート系重合体を構
成するアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルと
しては、アクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸ア
ルキルエステル、アクリル酸アルコキシアルキルエステ
ル、メタクリル酸アルコキシアルキルエステルなどを挙
げることが出来る。アクリル酸アルキルエステルとして
は、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸
ｎ−プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸ｎ
−ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸ペンチ
ル、アクリル酸ヘキシルなどの炭素数１〜６のアルキル
エステル、メタクリル酸アルキルエステルとしては、メ
タクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸
ｎ−プロピル、メタクリル酸イソプロピル、メタクリル
酸ｎ−ブチル、メタクリル酸イソブチル、メタクリル酸
ペンチル、メタクリル酸ヘキシルなどの炭素数１〜６の
アルキルエステル、アクリル酸アルコキシアルキルエス
テルとしては、アクリル酸メトキシメチル、アクリル酸
エトキシエチル、メタクリル酸アルコキシアルキルエス
テルとしては、メタクリル酸メトキシメチル、メタクリ
ル酸エトキシエチルなどを挙げることが出来る。また、
ポリエステルとしては、ヒドロキシカルボン酸の重縮合
物、ラクトンの開環重合物、脂肪族ポリオールと脂肪族
ポリカルボン酸との重縮合物などを挙げることが出来
る。また、ポリカーボネートとしては、ポリエチレンカ
ーボネート、ポリプロピレンカーボネート、ポリトリメ
チレンカーボネート、ポリテトラメチレンカーボネー
ト、ポリペンタメチレンカーボネート、ポリヘキサメチ
レンカーボネートなどの炭酸とアルキレングリコールの
重縮合物を挙げることが出来る。また、ポリアンハイド
ライドとしては、ポリマロニルオキシド、ポリアジポイ
ルオキシド、ポリピメイルオキシド、ポリスベロイルオ
キシド、ポリアゼライルオキシド、ポリセバコイルオキ
シドなどのジカルボン酸の重縮合物などを挙げることが
出来る。

【００１６】また、これらの有機ポリマーの分子量はシ
ロキサン骨格を有する縮重合反応物との相溶性、溶剤へ
の溶解性、機械特性、成形性等の点から、アルキレンオ
キサイド構造を有する化合物又はアクリレート系重合体
を使用することが好ましい。また、ゲルパーミエーショ
ンクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定し、標準ポ
リスチレンの検量線を使用して換算した値の重量平均分
子量が、３００〜２００，０００であることが好まし
く、５００〜２０，０００であることがより好ましい。
また、これらの有機ポリマーの使用量は、塗布液中に含
有される被膜形成成分（塗布から水、有機溶媒を除いた
成分）に対して好ましくは１〜１００重量％、より好ま
しくは５〜７０重量％である。少なすぎると比誘電率を
下げる効果がなく、多すぎると機械的強度を著しく低下
する。

【００１７】また、本発明の被膜形成用塗布液には、有
機ポリマーの揮発、又は分解を完全に行うため、有機ポ
リマー分解促進剤を含有させる。有機ポリマー分解促進
剤としては、有機ポリマーの燃焼を補助する酸素を含有
したものが好ましく、１分子中に３０重量％以上の酸素
元素を含有する分子を使用することが好ましい。酸素元
素含有量が少ないと有機ポリマー分解の際に、有機ポリ
マーの不完全燃焼を生じるため、好ましくない。具体的
には、硝酸、硫酸、過酸化水素、過塩素酸、塩素酸など
の無機酸、マレイン酸、リンゴ酸、酢酸、蟻酸、炭酸、
フマル酸、コハク酸、オキサロ酢酸などの有機酸、硝酸
アンモニウム、硫酸アンモニウムなどの塩、ホルムアミ
ド、ホルムアルデヒドなどが好ましい。有機ポリマー分
解促進剤の配合量は、シロキサン骨格を有する縮重合反
応物１．０ｇに対して０．００１〜０．２ｇであること
が好ましい。

【００１８】本発明におけるシリカ系被膜形成用塗布液
には溶媒として有機溶媒を使用することが好ましい。有
機溶媒としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパ
ノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタ
ノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ｎ−ペ
ンタノール、ｉ−ペンタノール、２−メチルブタノー
ル、ｓｅｃ−ペンタノール、ｔ−ペンタノール、３−メ
トキシブタノール、ｎ−ヘキサノール、２−メチルペン
タノール、ｓｅｃ−ヘキサノール、２−エチルブタノー
ル、ｓｅｃ−ヘプタノール、ｎ−オクタノール、２−エ
チルヘキサノール、ｓｅｃ−オクタノール、ｎ−ノニル
アルコール、ｎ−デカノール、ｓｅｃ−ウンデシルアル
コール、トリメチルノニルアルコール、ｓｅｃ−テトラ
デシルアルコール、ｓｅｃ−ヘプタデシルアルコール、
シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、ベン
ジルアルコール、エチレングリコール、１，２−プロピ
レングリコール、１，３−ブチレングリコール、ジエチ
レングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレ
ングリコール、トリプロピレングリコール等のアルコー
ル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ
−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、メチル
−ｉ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メ
チル−ｎ−ヘキシルケトン、ジエチルケトン、ジ−ｉ−
ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノ
ン、メチルシクロヘキサノン、２，４−ペンタンジオ
ン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、アセ
トフェノン等のケトン系溶媒、エチルエーテル、ｉ−プ
ロピルエーテル、ｎ−ブチルエーテル、ｎ−ヘキシルエ
ーテル、２−エチルヘキシルエーテル、エチレンオキシ
ド、１，２−プロピレンオキシド、ジオキソラン、４−
メチルジオキソラン、ジオキサン、ジメチルジオキサ
ン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレン
グリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジ
エチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ヘキシ
ルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテ
ル、エチレングリコールモノ−２−エチルブチルエーテ
ル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール
ジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブ
チルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエ
ーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ヘキシルエー
テル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコ
ールジ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、
ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピ
レングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレング
リコールモノメチルエーテル、テトラヒドロフラン、２
−メチルテトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロ
ピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−
ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢
酸３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−
エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジ
ル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、
酢酸ノニル、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクト
ン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレ
ングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコ
ールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモ
ノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチ
ルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチ
ルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエー
テル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、
酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸
ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプ
ロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコ
ール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチ
ル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉ−アミ
ル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル、乳酸
メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミル
等のエステル系、フェノール等種々の有機溶媒が挙げら
れ、これらは１種又は２種以上が用いられる。有機溶媒
の使用量は、上記の反応で得られるシロキサン骨格を有
する縮重合反応物の量が被膜形成用塗布液中５〜２５重
量％となる量とされることが好ましい。シロキサン骨格
を有する縮重合反応物の量が多すぎると安定性及び成膜
性の点で好ましくない傾向があり、少なすぎると所望の
膜厚を得ることが困難となる傾向がある。

【００１９】本発明において被膜形成用塗布液を基板上
に塗布する場合、成膜性、膜均一性を考慮して好ましく
はスピンコート法が用いられる。スピンコート法を用い
た被膜の形成方法として、始めに被膜形成用塗布液を基
板上に５００〜５０００回転／分、好ましくは、１００
０〜３０００回転／分でスピン塗布する。スピン塗布に
おける回転数が小さ過ぎる場合、膜均一性が悪化し、大
きすぎる場合、成膜性が悪化する傾向がある。

【００２０】次いで５０〜３５０℃、好ましくは１００
〜２５０℃でホットプレートにて有機溶媒の乾燥を行
う。乾燥温度が低すぎる場合、溶媒の乾燥が十分に行わ
れないため好ましくなく、乾燥温度が高すぎる場合、シ
ロキサン骨格形成前にポーラス形成用熱分解揮発有機ポ
リマー重合物が熱分解揮発してしまうため、所望の誘電
特性が得られない傾向がある。

【００２１】最後に３５０〜５００℃、１０分以内、好
ましくは１〜５分の処理条件で最終加熱処理反応を行
う。この段階で、被膜が完全に硬化し、かつ空孔を形成
する有機ポリマーが全て揮発もしくは分解することが好
ましい。また、この際の加熱処理場の雰囲気としては、
酸素濃度が１０容量％以下であることが好ましい。酸素
濃度が多いと配線材料の信頼性低下につながるため好ま
しくない。

【００２２】本発明において、電子部品とは、半導体素
子等の半導体装置、多層配線板等における絶縁被膜を指
す。半導体装置においては、表面保護膜、バッファーコ
ート膜、層間絶縁膜等として使用することができる。

【００２３】本発明における半導体素子とは、ダイオー
ド、トランジスタ、化合物半導体、サーミスタ、バリス
タ、サイリスタなどの個別半導体、ＤＲＡＭ（ダイナミ
ック・ランダム・アクセス・メモリー）、ＳＲＡＭ（ス
タティック・ランダム・アクセス・メモリー）、ＥＰＲ
ＯＭ（イレイザブル・プログラマブル・リード・オンリ
ー・メモリー）、マスクＲＯＭ（マスク・リード・オン
リー・メモリー）、ＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカル・イ
レイザブル・プログラマブル・リード・オンリー・メモ
リー）、フラッシュメモリーなどの記憶素子、マイクロ
プロセッサー、ＤＳＰ、ＡＳＩＣなどの理論回路素子、
ＭＭＩＣ（モノリシック・マイクロウェーブ集積回路）
に代表される化合物半導体などの集積回路素子、混成集
積回路（ハイブリッドＩＣ）、発光ダイオード、電荷結
合素子などの光電変換素子などを意味する。

【００２４】本発明の被膜は多層配線板、例えばＭＣＭ
などの高密度配線板の層間絶縁膜として適用することに
より、上記と同じく信号伝搬遅延時間の低減などの高性
能化と同時に高信頼性を達成できる。

【００２５】

【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明する
が、本発明はこれに限定されるものではない。被膜形成用塗布液製造例１テトラメトキシシラン７６．１ｇとメチルトリメトキシ
シラン６０．１ｇ、ポリオキシエチレンモノオレイルエ
ーテル（エチレンオキサイド連結数７）４０．０ｇをイ
ソプロパノール３５６．７ｇに溶解させた溶液中に、マ
レイン酸４．０６ｇを溶解させた水６３．０ｇを攪拌下
で３０分かけて滴下した。滴下終了後５時間反応させ、
ケイ素／炭素比率＝１／０．５のポリシロキサン（重量
平均分子量＝２，２００）溶液を得た。

【００２６】被膜形成用塗布液製造例２テトラメトキシシラン６０．９ｇとメチルトリメトキシ
シラン７２．１ｇ、ポリメチルメタクリレート（重量平
均分子量＝１０，０００）４０．０ｇをプロピレングリ
コールモノメチルアセテート３５６．７ｇに溶解させた
溶液中に、硝酸２．１４ｇを溶解させた水６１．２ｇを
攪拌下で３０分かけて滴下した。滴下終了後５時間反応
させ、ケイ素／炭素比率＝１／０．６のポリシロキサン
（重量平均分子量＝２，０００）溶液を得た。

【００２７】被膜形成用塗布液製造例３テトラメトキシシラン７６．１ｇとメチルトリメトキシ
シラン６０．１ｇをｎ−ブタノール３９６．７ｇに溶解
させた溶液中に、リン酸４．０６ｇを溶解させた水６
３．０ｇを攪拌下で３０分かけて滴下した。滴下終了後
５時間反応させ、ケイ素／炭素比率＝１／０．５のポリ
シロキサン（重量平均分子量＝２，６００）溶液を得
た。

【００２８】実施例１製造例１に従って製造されたポリシロキサン溶液１００
ｇに硝酸０．２ｇを添加した後、素早くスピンコート塗
布を行った。回転数を２０００ｒｐｍとして回転時間を
３０秒とした。回転塗布後、１５０℃／１分＋２５０℃
／１分かけて溶媒除去後、被膜の応力を測定したとこ
ろ、２５ＭＰａであった。その後、Ｏ_２濃度が１％前後
にコントロールされているホットプレートを４００℃に
加熱し、５分間かけて被膜を最終硬化した。その被膜の
膜厚は０．５μｍ、応力は２７ＭＰａ、空孔の直径（Ｂ
ＥＴ法により測定し、計算した平均値、ＱＵＡＮＴＡ
ＣＨＲＯＭＥ社製ガス吸着量測定装置ＡＵＴＯＳＯＲＢ
−１を使用）は１．１ｎｍであった。この被膜上にアル
ミニウム被膜を０．１μｍの厚さにスパッタ法で形成
し、この試料の比誘電率をＬＦインピーダンスメータに
て周波数１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚで測定したところ、
２．５であった。また、ＦＴ−ＩＲによりポリシロキサ
ンの未硬化状態を示すＳｉ−ＯＨの吸収である３４００
ｃｍ^−１の吸収が観測されず、またポーラス形成材によ
るＣ−Ｈ結合の吸収である２９００ｃｍ^−１付近の吸収
も完全に観測されなかった。さらに昇温脱離ガス測定装
置により有機成分残存についてＣＨ_３（Ｍ／ｚ＝１５）
の脱ガス挙動を調べたところ室温〜５００℃付近におい
て観測されず、ポーラス形成材の有機ポリマーは全て揮
発もしくは熱分解していることが示された。

【００２９】実施例２製造例２に従って製造されたポリシロキサン溶液１００
ｇに過酸化水素水０．３ｇを添加した後、素早くスピン
コート塗布を行った。回転数を２０００ｒｐｍとして回
転時間を３０秒とした。回転塗布後、１５０℃／１分＋
２５０℃／１分かけて溶媒除去後、被膜の応力を測定し
たところ、２０ＭＰａであった。その後、Ｏ_２濃度が１
００ｐｐｍ前後にコントロールされているホットプレー
トを４５０℃に加熱し、２分間かけて被膜を最終硬化し
た。その被膜の膜厚は０．５μｍ、応力は２３ＭＰａ、
空孔の大きさ（平均値）は１．０ｎｍであった。この被
膜上にアルミニウム被膜を０．１μｍの厚さにスパッタ
法で形成し、この試料の比誘電率をＬＦインピーダンス
メータにて周波数１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚで測定したと
ころ、２．３であった。また、ＦＴ−ＩＲにより３４０
０ｃｍ^−１の吸収が観測されず、またポーラス形成材起
因のＣ＝Ｏの吸収である１７００ｃｍ^−１付近の吸収も
完全に観測されなかった。さらに昇温脱離ガス測定装置
により有機成分残存についてＣＨ_３（Ｍ／ｚ＝１５）の
脱ガス挙動を調べたところ室温〜５００℃付近で観測さ
れなかった。

【００３０】実施例３製造例１に従って製造されたポリシロキサン溶液１００
ｇにリンゴ酸０．２ｇを添加した後、素早くスピンコー
ト塗布を行った。回転数を２０００ｒｐｍとして回転時
間を３０秒とした。回転塗布後、１５０℃／１分かけて
溶媒除去後、被膜の応力を測定したところ、２４ＭＰａ
であった。その後、Ｏ_２濃度が１００ｐｐｍ前後にコン
トロールされているホットプレートを４００℃に加熱
し、５分間かけて被膜を最終硬化した。その被膜の膜厚
は０．５μｍ、応力は２７ＭＰａ、空孔の大きさ（平均
値）は１．０ｎｍであった。この被膜上にアルミニウム
被膜を０．１μｍの厚さにスパッタ法で形成し、この試
料の比誘電率をＬＦインピーダンスメータにて周波数１
ｋＨｚ〜１００ｋＨｚで測定したところ、２．５であっ
た。また、ＦＴ−ＩＲにより３４００ｃｍ^−１の吸収が
観測されず、またポーラス形成材起因の２９００ｃｍ
^−１付近の吸収も完全に観測されなかった。さらに昇温
脱離ガス測定装置により有機成分残存についてＣＨ
_３（Ｍ／ｚ＝１５）の脱ガス挙動を調べたところ室温〜
５００℃付近において観測されず、ポーラス形成材の有
機ポリマーは全て揮発もしくは熱分解していることが示
された。

【００３１】比較例１製造例１に従って製造されたポリシロキサン溶液をスピ
ンコート塗布した。回転数を２０００ｒｐｍとして回転
時間を３０秒とした。回転塗布後、１５０℃／１分＋２
５０℃／１分かけて溶媒除去後、被膜の応力を測定した
ところ、１０ＭＰａであった。その後、Ｏ_２濃度が１０
０ｐｐｍ前後にコントロールされているホットプレート
を４００℃に加熱し、５分間かけて被膜を最終硬化し
た。その被膜の膜厚は０．４μｍ、応力は２７ＭＰａで
あった。この被膜上にアルミニウム被膜を０．１μｍの
厚さにスパッタ法で形成し、この試料の比誘電率をＬＦ
インピーダンスメータにて周波数１ｋＨｚ〜１００ｋＨ
ｚで測定したところ、４．０であった。また、ＦＴ−Ｉ
Ｒにより３４００ｃｍ^−１の吸収が観測された。またポ
ーラス形成材起因の２９００ｃｍ^−１付近の吸収も観測
された。さらに昇温脱離ガス測定装置により有機成分残
存についてＣＨ_３（Ｍ／ｚ＝１５）の脱ガス挙動を調べ
たところ室温〜５００℃付近において観測され、ポーラ
ス形成材の有機ポリマーは全て揮発もしくは熱分解して
いないことが示された。さらに上記被膜を石英チューブ
炉で４００℃、３０分間焼成し、比誘電率を測定したと
ころ、２．５まで低下した。また、ＦＴ−ＩＲにより３
４００ｃｍ^−１の吸収が消失した。また、２９００ｃｍ
^−１付近の吸収も消失し、３０分の熱処理を行うことに
より完全硬化が認められた。

【００３２】比較例２製造例２に従って製造されたポリシロキサン溶液をスピ
ンコート塗布した。回転数を２０００ｒｐｍとして回転
時間を３０秒とした。回転塗布後、１５０℃／１分＋２
５０℃／１分かけて溶媒除去後、被膜の応力を測定した
ところ、６ＭＰａであった。その後、Ｏ_２濃度が１００
ｐｐｍ前後にコントロールされているホットプレートを
４５０℃に加熱し、２分間かけて被膜を最終硬化した。
その被膜の膜厚は０．４μｍ、応力は２３ＭＰａであっ
た。この被膜上にアルミニウム被膜を０．１μｍの厚さ
にスパッタ法で形成し、この試料の比誘電率をＬＦイン
ピーダンスメータにて周波数１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚで
測定したところ、５．０であった。また、ＦＴ−ＩＲに
より３４００ｃｍ^−１の吸収が観測された。またポーラ
ス形成材起因の１７００ｃｍ^−１付近の吸収が観測され
た。さらに昇温脱離ガス測定装置により有機成分残存に
ついてＣＨ_３（Ｍ／ｚ＝１５）の脱ガス挙動を調べたと
ころ室温〜５００℃付近で観測された。さらに上記被膜
を石英チューブ炉で４００℃、３０分間焼成し、比誘電
率を測定したところ、２．４まで低下した。また、ＦＴ
−ＩＲにより３４００ｃｍ^−１の吸収が消失した。ま
た、１７００ｃｍ^−１付近の吸収も消失し、３０分の熱
処理を行うことにより完全硬化が認められた。

【００３３】比較例３製造例３に従って製造されたポリシロキサン溶液をスピ
ンコート塗布した。回転数を２０００ｒｐｍとして回転
時間を３０秒とした。回転塗布後、１５０℃／１分＋２
５０℃／１分かけて溶媒除去後、被膜の応力を測定した
ところ、５ＭＰａであった。その後、Ｏ_２濃度が１００
ｐｐｍ前後にコントロールされているホットプレートを
４００℃に加熱し、５分間かけて被膜を最終硬化した。
その被膜の膜厚は０．４μｍ、応力は６０ＭＰａであっ
た。この被膜上にアルミニウム被膜を０．１μｍの厚さ
にスパッタ法で形成し、この試料の比誘電率をＬＦイン
ピーダンスメータにて周波数１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚで
測定したところ、３．６であった。また、ＦＴ−ＩＲに
より３４００ｃｍ^−１の吸収が観測された。さらに上記
被膜を石英チューブ炉で４００℃、３０分間焼成し、比
誘電率を測定したところ、３．０まで低下した。また、
ＦＴ−ＩＲにより３４００ｃｍ^−１の吸収が消失し、３
０分の熱処理を行うことにより完全硬化が認められた。

【００３４】

【発明の効果】本発明により、熱処理工程短縮が可能な
被膜を提供し、低比誘電率特性、半導体プロセス適応性
を考慮した被膜を提供することが可能である。本発明の
電子部品は、信号伝搬遅延時間の低減などの高性能化と
同時に高信頼性を達成できる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ０９Ｄ 171/02 Ｃ０９Ｄ 171/02 183/04 183/04 Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｇ (72)発明者野部茂茨城県日立市東町四丁目13番１号日立化成工業株式会社山崎事業所内Ｆターム(参考） 4D075 BB21Z BB56Z BB92Z BB93Z BB95Z CA23 DC21 EA05 EB22 EB43 4J038 CG082 CG142 DD002 DE002 DF022 DL031 HA156 HA336 JA39 KA04 PB09 5F058 AA10 AC03 AF04 AG01 AH02 BA20 BC05 BF46 BH01 BJ02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】温度範囲が３５０〜５００℃、加熱時間
が１０分以内の条件下で被膜を加熱処理した場合に、そ
の被膜の比誘電率が３．０以下になる被膜。
【請求項２】加熱処理を行う前後の応力差が±１０Ｍ
Ｐａ以内である請求項１記載の被膜。
【請求項３】被膜がケイ素１原子当たり炭素元素を０
〜３原子含有するシリカ系被膜である請求項１又は２記
載の被膜。
【請求項４】被膜の膜厚が０．０１μｍ〜４０μｍで
ある請求項１、２又は３記載の被膜。
【請求項５】被膜が直径０．１〜１００ｎｍの空孔を
有する請求項１〜４何れか記載の被膜。
【請求項６】（ａ）シロキサン骨格を有する縮重合反
応物、（ｂ）２５０〜５００℃の温度範囲で全て分解も
しくは揮発する有機ポリマー及び（ｃ）有機ポリマー分
解促進剤を含有することを特徴とする被膜形成用塗布
液。
【請求項７】２５０〜５００℃の温度範囲で全て分解
もしくは揮発する有機ポリマーがポリアルキレンオキサ
イド構造を有する化合物又はアクリレート系重合体であ
る請求項６記載の被膜形成用塗布液。
【請求項８】有機ポリマー分解促進剤が硝酸、過酸化
水素又はリンゴ酸である請求項６又は７記載の被膜形成
用塗布液。
【請求項９】請求項６〜８何れか記載の被膜形成用塗
布液を基板上に塗布し、酸素濃度が１０容量％以下の条
件で加熱処理して被膜を形成することを特徴とする被膜
の製造方法。
【請求項１０】請求項６記載の被膜形成用塗布液を基
板上に塗布して被膜を形成し、形成された被膜に含有さ
れている溶媒を除去した後、温度範囲が３５０〜５００
℃、加熱時間が１０分以内の条件下で被膜を加熱処理す
ることを特徴とする被膜の製造方法。
【請求項１１】請求項１〜５何れか記載の被膜を有す
る電子部品。