JP2003124063A - 容量可変型キャパシタ装置 - Google Patents
容量可変型キャパシタ装置Info
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 427
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 144
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 32
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 15
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 11
- 238000013459 approach Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 18
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- -1 polyphenylethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G5/00—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture
- H01G5/16—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of distance between electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G5/00—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture
- H01G5/16—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of distance between electrodes
- H01G5/18—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of distance between electrodes due to change in inclination, e.g. by flexing, by spiral wrapping
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 寄生インダクタを低減して広周波数帯域での
動作を可能とする。 【解決手段】 微小電気機械システム技術によって製作
され、主面２ａ上に少なくとも２個のキャパシタ電極
３，４が互いに絶縁を保持されて形成された絶縁基板２
と、絶縁材によって形成され各キャパシタ電極３，４に
跨る外形を有してこれらキャパシタ電極３，４との間に
それぞれキャパシタを構成する導電体６が形成されたア
クチュエータ５と、このアクチュエータ５を絶縁基板２
の主面２ａに対して接離動作させる駆動手段７とを備え
てなる。
動作を可能とする。 【解決手段】 微小電気機械システム技術によって製作
され、主面２ａ上に少なくとも２個のキャパシタ電極
３，４が互いに絶縁を保持されて形成された絶縁基板２
と、絶縁材によって形成され各キャパシタ電極３，４に
跨る外形を有してこれらキャパシタ電極３，４との間に
それぞれキャパシタを構成する導電体６が形成されたア
クチュエータ５と、このアクチュエータ５を絶縁基板２
の主面２ａに対して接離動作させる駆動手段７とを備え
てなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微小電気機械シス
テム（MEMS:Micro Electro-Mechanical System）技術を
用いて製作され、静電容量を可変可能とするとともに配
線引き回しによる寄生インダクタ成分の低減を図った容
量可変型キャパシタ装置に関する。
テム（MEMS:Micro Electro-Mechanical System）技術を
用いて製作され、静電容量を可変可能とするとともに配
線引き回しによる寄生インダクタ成分の低減を図った容
量可変型キャパシタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、音楽、音声或いは画像等の各種
情報は、データのデジタル技術や圧縮技術の進展或いは
通信システムやサービスシステムの整備・充実に伴って
各種の通信端末機器によって手軽に扱われ、有効利用が
図られるようになっている。通信端末機器は、小型軽量
で携帯性に優れかつ長時間の使用が可能であり、中継装
置等を不要として各種の通信システムとの接続が図られ
る用になっている。通信端末機器には、送受信部におい
てアナログの高周波信号の変復調処理を行うために、例
えばスーパーヘテロダイン方式或いはダイレクトコンバ
ージョン方式等の高周波送受信回路が備えられている。
情報は、データのデジタル技術や圧縮技術の進展或いは
通信システムやサービスシステムの整備・充実に伴って
各種の通信端末機器によって手軽に扱われ、有効利用が
図られるようになっている。通信端末機器は、小型軽量
で携帯性に優れかつ長時間の使用が可能であり、中継装
置等を不要として各種の通信システムとの接続が図られ
る用になっている。通信端末機器には、送受信部におい
てアナログの高周波信号の変復調処理を行うために、例
えばスーパーヘテロダイン方式或いはダイレクトコンバ
ージョン方式等の高周波送受信回路が備えられている。
【０００３】高周波送受信回路には、アンテナや切替ス
イッチを有し信号を受信或いは送信するアンテナ部、送
信と受信との切替を行う送受信切替部、周波数変換回路
部や復調回路部及び変調回路部或いは基準周波数を供給
する基準周波数生成回路部等が備えられている。高周波
送受信回路は、各段間に種々のフィルタ、容量を可変と
した局部発振用の電圧制御発振器（VCO:Voltage Contro
lled Oscilator）、表面弾性波（SAW:Surface Acaustic
Wave）フィルタ等の機能部品や、整合回路やバイアス
回路、インダクタ、抵抗、キャパシタ等の受動部品が設
けられる。高周波送受信回路は、このために全体が大型
となって消費電力も大きくなり、通信端末機器の小型軽
量化・低電力化の大きな障害となっている。
イッチを有し信号を受信或いは送信するアンテナ部、送
信と受信との切替を行う送受信切替部、周波数変換回路
部や復調回路部及び変調回路部或いは基準周波数を供給
する基準周波数生成回路部等が備えられている。高周波
送受信回路は、各段間に種々のフィルタ、容量を可変と
した局部発振用の電圧制御発振器（VCO:Voltage Contro
lled Oscilator）、表面弾性波（SAW:Surface Acaustic
Wave）フィルタ等の機能部品や、整合回路やバイアス
回路、インダクタ、抵抗、キャパシタ等の受動部品が設
けられる。高周波送受信回路は、このために全体が大型
となって消費電力も大きくなり、通信端末機器の小型軽
量化・低電力化の大きな障害となっている。
【０００４】ところで、上述した電圧制御発振器につい
ては、例えば特開平９−８２５６９号公報に記載される
ように、絶縁基板上に厚膜技術や厚膜技術等によって微
小な電極や可動体等を形成するＭＥＭＳ技術を用いるこ
とにより微小化を図った可変容量コンデンサ１００も採
用される。可変容量コンデンサ１００は、図７（Ａ）に
示すように、絶縁基板１０１と、この絶縁基板１０１の
主面１０１ａ上に一端部を片持ち支持された可動部材１
０２とからなる。
ては、例えば特開平９−８２５６９号公報に記載される
ように、絶縁基板上に厚膜技術や厚膜技術等によって微
小な電極や可動体等を形成するＭＥＭＳ技術を用いるこ
とにより微小化を図った可変容量コンデンサ１００も採
用される。可変容量コンデンサ１００は、図７（Ａ）に
示すように、絶縁基板１０１と、この絶縁基板１０１の
主面１０１ａ上に一端部を片持ち支持された可動部材１
０２とからなる。
【０００５】絶縁基板１０１には、図７（Ｂ）に示すよ
うに主面１０１ａ上に、互いに絶縁を保持されて矩形の
駆動電極１０３と検出電極１０４とが形成されるととも
に、可動部材１０２の支持部に対応位置して一対の引出
電極１０５、１０６が形成されている。可動部材１０２
は、絶縁性及び弾性を有しており、一端部に形成された
支持部１０７と、この支持部１０７に立ち上がり形成さ
れた支点部１０８と、この支点部１０８の一側部に沿っ
て一体に形成され絶縁基板１０１の主面１０１ａと所定
の間隔を以って対向する可動部１０９とからなる。
うに主面１０１ａ上に、互いに絶縁を保持されて矩形の
駆動電極１０３と検出電極１０４とが形成されるととも
に、可動部材１０２の支持部に対応位置して一対の引出
電極１０５、１０６が形成されている。可動部材１０２
は、絶縁性及び弾性を有しており、一端部に形成された
支持部１０７と、この支持部１０７に立ち上がり形成さ
れた支点部１０８と、この支点部１０８の一側部に沿っ
て一体に形成され絶縁基板１０１の主面１０１ａと所定
の間隔を以って対向する可動部１０９とからなる。
【０００６】可動部１０９は、図７（Ｃ）に示すように
駆動電極１０３と検出電極１０４とを覆うに足る外形を
有しており、絶縁基板１０１の主面１０１ａと対向する
内面にこれら駆動電極１０３と検出電極１０４とにそれ
ぞれ対応して第１の可動電極１１０と第２の可動電極１
１１とが形成されている。第１の可動電極１１０と第２
の可動電極１１１は、可動部１０９の内面から支点部１
０８及び支持部１０７に導かれ、支持部１０７が絶縁基
板１０１の主面１０１ａ上に固定された状態においてそ
れぞれ引出電極１０５、１０６と接合される。
駆動電極１０３と検出電極１０４とを覆うに足る外形を
有しており、絶縁基板１０１の主面１０１ａと対向する
内面にこれら駆動電極１０３と検出電極１０４とにそれ
ぞれ対応して第１の可動電極１１０と第２の可動電極１
１１とが形成されている。第１の可動電極１１０と第２
の可動電極１１１は、可動部１０９の内面から支点部１
０８及び支持部１０７に導かれ、支持部１０７が絶縁基
板１０１の主面１０１ａ上に固定された状態においてそ
れぞれ引出電極１０５、１０６と接合される。
【０００７】以上のように構成された可変容量コンデン
サ１００は、駆動電極１０３と第１の可動電極１１０と
接続された引出電極１０５とに外部バイアス電圧が印加
されると、駆動電極１０３と可動電極１１０との間に静
電気力が生成される。可変容量コンデンサ１００は、こ
の静電気力によって可動部１０９が支点部１０８を弾性
変位させながら駆動電極１０３側へと吸引される。可変
容量コンデンサ１００は、静電気力と支点部１０８に蓄
勢される弾性力とがバランスした状態で検出電極１０４
と第２の可動電極１１１との対向間隔が規定され、これ
ら電極間に生成した静電容量の取り出しが行われる。
サ１００は、駆動電極１０３と第１の可動電極１１０と
接続された引出電極１０５とに外部バイアス電圧が印加
されると、駆動電極１０３と可動電極１１０との間に静
電気力が生成される。可変容量コンデンサ１００は、こ
の静電気力によって可動部１０９が支点部１０８を弾性
変位させながら駆動電極１０３側へと吸引される。可変
容量コンデンサ１００は、静電気力と支点部１０８に蓄
勢される弾性力とがバランスした状態で検出電極１０４
と第２の可動電極１１１との対向間隔が規定され、これ
ら電極間に生成した静電容量の取り出しが行われる。
【０００８】可変容量コンデンサ１００は、上述したよ
うに外部バイアス電圧を調整することによって静電気力
の大きさが変化することで検出電極１０４と第２の可動
電極１１１との対向間隔も変化する。可変容量コンデン
サ１００は、検出電極１０４と第２の可動電極１１１と
の間に生成される静電容量がその対向間隔の逆数に比例
することから、可変容量型のコンデンサとして機能す
る。
うに外部バイアス電圧を調整することによって静電気力
の大きさが変化することで検出電極１０４と第２の可動
電極１１１との対向間隔も変化する。可変容量コンデン
サ１００は、検出電極１０４と第２の可動電極１１１と
の間に生成される静電容量がその対向間隔の逆数に比例
することから、可変容量型のコンデンサとして機能す
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、可変容量コ
ンデンサ１００においては、上述したように絶縁基板１
０１に形成した引出電極１０５から可動部材１０２側の
第１の可動電極１１０に対して外部バイアス電圧が印加
される。可変容量コンデンサ１００においては、引出電
極１０５と第１の可動電極１１０との間に線路抵抗成分
である寄生インダクタンスが発生して検出電極１０４と
第２の可動電極１１１とによって構成されるキャパシタ
に直列に接続されて全体としてＬＣ共振器が構成され
る。したがって、可変容量コンデンサ１００は、寄生イ
ンダクタンス成分が大きくなることにより全体の共振周
波数が低下し、キャパシタとして動作する周波数領域が
狭くなるといった問題が生じる。
ンデンサ１００においては、上述したように絶縁基板１
０１に形成した引出電極１０５から可動部材１０２側の
第１の可動電極１１０に対して外部バイアス電圧が印加
される。可変容量コンデンサ１００においては、引出電
極１０５と第１の可動電極１１０との間に線路抵抗成分
である寄生インダクタンスが発生して検出電極１０４と
第２の可動電極１１１とによって構成されるキャパシタ
に直列に接続されて全体としてＬＣ共振器が構成され
る。したがって、可変容量コンデンサ１００は、寄生イ
ンダクタンス成分が大きくなることにより全体の共振周
波数が低下し、キャパシタとして動作する周波数領域が
狭くなるといった問題が生じる。
【００１０】一方、可変容量コンデンサ１００において
は、機器の低電力化を図るために、可動部材１０２をよ
り低い印加電圧により駆動することによって検出電極１
０４と第２の可動電極１１１との間に大きな容量変化が
生成されるように構成する必要がある。可変容量コンデ
ンサ１００は、上述したように支点部１０８を弾性変位
させるに足る外部バイアス電圧が印加されることによっ
て、検出電極１０４と第２の可動電極１１１との間の対
向間隔が変化される。可変容量コンデンサ１００は、例
えば支点部１０８を幅狭の梁状部位とすることによって
弾性変位特性を低減して低電圧駆動化を図ることも考慮
される。しかしながら、可変容量コンデンサ１００は、
かかる対応によって支点部１０８における引出電極１０
５と第１の可動電極１１０との間の配線が狭くなり、線
路抵抗成分が大きくなってしまうといった問題が生じ
る。
は、機器の低電力化を図るために、可動部材１０２をよ
り低い印加電圧により駆動することによって検出電極１
０４と第２の可動電極１１１との間に大きな容量変化が
生成されるように構成する必要がある。可変容量コンデ
ンサ１００は、上述したように支点部１０８を弾性変位
させるに足る外部バイアス電圧が印加されることによっ
て、検出電極１０４と第２の可動電極１１１との間の対
向間隔が変化される。可変容量コンデンサ１００は、例
えば支点部１０８を幅狭の梁状部位とすることによって
弾性変位特性を低減して低電圧駆動化を図ることも考慮
される。しかしながら、可変容量コンデンサ１００は、
かかる対応によって支点部１０８における引出電極１０
５と第１の可動電極１１０との間の配線が狭くなり、線
路抵抗成分が大きくなってしまうといった問題が生じ
る。
【００１１】したがって、本発明は、寄生インダクタを
低減して広周波数帯域での動作を可能とする微小構成の
容量可変型キャパシタ装置を提供することを目的に提案
されたものである。
低減して広周波数帯域での動作を可能とする微小構成の
容量可変型キャパシタ装置を提供することを目的に提案
されたものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
本発明にかかる容量可変型キャパシタ装置は、微小電気
機械システム技術によって製作された、主面上に少なく
とも２個のキャパシタ電極が互いに絶縁を保持されて形
成された絶縁基板と、各キャパシタ電極に跨る外形を有
しこれらキャパシタ電極との間にそれぞれキャパシタを
構成する導電体が形成された絶縁性のアクチュエータ
と、このアクチュエータを絶縁基板の主面に対して接離
動作させる駆動手段とを備えてなる。
本発明にかかる容量可変型キャパシタ装置は、微小電気
機械システム技術によって製作された、主面上に少なく
とも２個のキャパシタ電極が互いに絶縁を保持されて形
成された絶縁基板と、各キャパシタ電極に跨る外形を有
しこれらキャパシタ電極との間にそれぞれキャパシタを
構成する導電体が形成された絶縁性のアクチュエータ
と、このアクチュエータを絶縁基板の主面に対して接離
動作させる駆動手段とを備えてなる。
【００１３】以上のように構成された本発明にかかる容
量可変型キャパシタ装置によれば、アクチュエータが駆
動手段により絶縁基板に接近動作されることによって、
各キャパシタ電極と導電体との間にそれぞれキャパシタ
が構成される。容量可変型キャパシタ装置によれば、駆
動手段により絶縁基板に対して接近動作されるアクチュ
エータが絶縁基板との対向間隔を適宜調整することによ
って、所望の電気容量を有する各キャパシタが構成され
るようになる。容量可変型キャパシタ装置によれば、ア
クチュエータに形成した導電体に対する配線を不要とす
ることで、各キャパシタに対する寄生インダクタンスの
影響が低減される。したがって、容量可変型キャパシタ
装置によれば、全体の共振周波数の低下が抑制されて広
周波数帯域での動作が可能とされるキャパシタが構成さ
れる。
量可変型キャパシタ装置によれば、アクチュエータが駆
動手段により絶縁基板に接近動作されることによって、
各キャパシタ電極と導電体との間にそれぞれキャパシタ
が構成される。容量可変型キャパシタ装置によれば、駆
動手段により絶縁基板に対して接近動作されるアクチュ
エータが絶縁基板との対向間隔を適宜調整することによ
って、所望の電気容量を有する各キャパシタが構成され
るようになる。容量可変型キャパシタ装置によれば、ア
クチュエータに形成した導電体に対する配線を不要とす
ることで、各キャパシタに対する寄生インダクタンスの
影響が低減される。したがって、容量可変型キャパシタ
装置によれば、全体の共振周波数の低下が抑制されて広
周波数帯域での動作が可能とされるキャパシタが構成さ
れる。
【００１４】また、容量可変型キャパシタ装置は、絶縁
基板の主面上に各キャパシタ電極と絶縁を保持されて形
成された駆動用固定電極と、アクチュエータに導電体と
絶縁を保持されて駆動用電極に対応して形成された駆動
用可動電極とによってアクチュエータの駆動手段が構成
されてなる。
基板の主面上に各キャパシタ電極と絶縁を保持されて形
成された駆動用固定電極と、アクチュエータに導電体と
絶縁を保持されて駆動用電極に対応して形成された駆動
用可動電極とによってアクチュエータの駆動手段が構成
されてなる。
【００１５】以上のように構成された本発明にかかる容
量可変型キャパシタ装置によれば、駆動用固定電極と駆
動用可動電極とに所定の駆動電圧が印加されることによ
ってこれら駆動用固定電極と駆動用可動電極との間に静
電気力が発生し、この静電気力によりアクチュエータが
駆動される。容量可変型キャパシタ装置によれば、駆動
電圧の印加によって微小形状のアクチュエータを高精度
に位置決めして駆動することから、低消費電力化が図ら
れるとともに精度の高いキャパシタが構成されるように
なる。また、容量可変型キャパシタ装置によれば、キャ
パシタ用の電気信号系とアクチュエータ駆動用の電気信
号系とが互いに電気的に絶縁されることから、微小な間
隔で形成される可変キャパシタを利用する電気信号系と
アクチュエータの駆動信号系との相互干渉が低減されて
精度の向上が図られる。
量可変型キャパシタ装置によれば、駆動用固定電極と駆
動用可動電極とに所定の駆動電圧が印加されることによ
ってこれら駆動用固定電極と駆動用可動電極との間に静
電気力が発生し、この静電気力によりアクチュエータが
駆動される。容量可変型キャパシタ装置によれば、駆動
電圧の印加によって微小形状のアクチュエータを高精度
に位置決めして駆動することから、低消費電力化が図ら
れるとともに精度の高いキャパシタが構成されるように
なる。また、容量可変型キャパシタ装置によれば、キャ
パシタ用の電気信号系とアクチュエータ駆動用の電気信
号系とが互いに電気的に絶縁されることから、微小な間
隔で形成される可変キャパシタを利用する電気信号系と
アクチュエータの駆動信号系との相互干渉が低減されて
精度の向上が図られる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態として
図面に示した容量可変型キャパシタ装置（以下、キャパ
シタ装置と略称する。）について詳細に説明する。第１
の実施の形態として図１に示したキャパシタ装置１は、
ＭＥＭＳ技術によって微小形状に製作され、主面２ａ上
に互いに絶縁を保持して第１のキャパシタ電極３と第２
のキャパシタ電極４とが成膜形成された絶縁基板２と、
主面２ａと対向する主面５ａに導電体６が形成されたア
クチュエータ５と、このアクチュエータ５を駆動する駆
動部７とから構成される。なお、キャパシタ装置１は、
ＭＥＭＳ技術による製作に限定されるものではなく、一
般的な基板形成技術等によって製作されることも勿論で
ある。
図面に示した容量可変型キャパシタ装置（以下、キャパ
シタ装置と略称する。）について詳細に説明する。第１
の実施の形態として図１に示したキャパシタ装置１は、
ＭＥＭＳ技術によって微小形状に製作され、主面２ａ上
に互いに絶縁を保持して第１のキャパシタ電極３と第２
のキャパシタ電極４とが成膜形成された絶縁基板２と、
主面２ａと対向する主面５ａに導電体６が形成されたア
クチュエータ５と、このアクチュエータ５を駆動する駆
動部７とから構成される。なお、キャパシタ装置１は、
ＭＥＭＳ技術による製作に限定されるものではなく、一
般的な基板形成技術等によって製作されることも勿論で
ある。
【００１７】絶縁基板２は、絶縁性を有するとともに良
好な面精度を以って形成することが可能な例えばガラス
基板やセラミック基板或いはシリコン基板からなる。ま
た、絶縁基板２は、高周波特性を有する有機基材、例え
ばポリフェニールエチレン、ビスマレイドトリアジン、
ポリイミド、液晶ポリマ、フェノール樹脂、ポリオレフ
ィン等によって形成され、好ましくは研磨処理等を施す
ことによって主面を平坦化された基板が用いられる。
好な面精度を以って形成することが可能な例えばガラス
基板やセラミック基板或いはシリコン基板からなる。ま
た、絶縁基板２は、高周波特性を有する有機基材、例え
ばポリフェニールエチレン、ビスマレイドトリアジン、
ポリイミド、液晶ポリマ、フェノール樹脂、ポリオレフ
ィン等によって形成され、好ましくは研磨処理等を施す
ことによって主面を平坦化された基板が用いられる。
【００１８】絶縁基板２には、主面２ａ上に所定の抜き
パターンを有する電極形成用マスクを配置し、例えばア
ルミニウムや金等の電気抵抗率の小さな金属材の蒸着処
理或いはスパッタリング処理等を施すことにより第１の
キャパシタ電極３と第２のキャパシタ電極４を成膜形成
してなる。第１のキャパシタ電極３と第２のキャパシタ
電極４は、図１（Ａ）に示すようにそれぞれ略同一の矩
形形状を呈しており、外部回路と接続される取出リード
３ａ、４ａが一体に形成されている。第１のキャパシタ
電極３と第２のキャパシタ電極４は、後述するように生
成した静電容量をそれぞれ各取出リード３ａ、４ａを介
して外部回路に供給する。なお、電極形成用マスクは、
第１のキャパシタ電極３と第２のキャパシタ電極４とを
形成した後に絶縁基板２から取り外される。
パターンを有する電極形成用マスクを配置し、例えばア
ルミニウムや金等の電気抵抗率の小さな金属材の蒸着処
理或いはスパッタリング処理等を施すことにより第１の
キャパシタ電極３と第２のキャパシタ電極４を成膜形成
してなる。第１のキャパシタ電極３と第２のキャパシタ
電極４は、図１（Ａ）に示すようにそれぞれ略同一の矩
形形状を呈しており、外部回路と接続される取出リード
３ａ、４ａが一体に形成されている。第１のキャパシタ
電極３と第２のキャパシタ電極４は、後述するように生
成した静電容量をそれぞれ各取出リード３ａ、４ａを介
して外部回路に供給する。なお、電極形成用マスクは、
第１のキャパシタ電極３と第２のキャパシタ電極４とを
形成した後に絶縁基板２から取り外される。
【００１９】絶縁基板２には、主面２ａに対して所定の
対向間隔を以ってアクチュエータ５が組み合わされてな
る。アクチュエータ５は、例えば第１のキャパシタ電極
３及び第２のキャパシタ電極４を成膜形成した絶縁基板
２の主面２ａ上に例えば二酸化珪素や適宜の有機物を素
材として犠牲層８（図１（Ｂ）参照）を形成し、この犠
牲層８を利用して形成される。犠牲層８は、絶縁基板２
の主面２ａ上に所定の抜きパターンを有する犠牲層形成
用マスクを配置し、例えばプラズマＣＶＤ（CVD:Chemic
al Vapor Deposition）処理或いはスパッタリング処理
等を施すことによって所定の厚みを有して成膜形成され
る。なお、犠牲層形成用マスクは、犠牲層８を形成した
後に絶縁基板２から取り外される。
対向間隔を以ってアクチュエータ５が組み合わされてな
る。アクチュエータ５は、例えば第１のキャパシタ電極
３及び第２のキャパシタ電極４を成膜形成した絶縁基板
２の主面２ａ上に例えば二酸化珪素や適宜の有機物を素
材として犠牲層８（図１（Ｂ）参照）を形成し、この犠
牲層８を利用して形成される。犠牲層８は、絶縁基板２
の主面２ａ上に所定の抜きパターンを有する犠牲層形成
用マスクを配置し、例えばプラズマＣＶＤ（CVD:Chemic
al Vapor Deposition）処理或いはスパッタリング処理
等を施すことによって所定の厚みを有して成膜形成され
る。なお、犠牲層形成用マスクは、犠牲層８を形成した
後に絶縁基板２から取り外される。
【００２０】犠牲層８には、第１のキャパシタ電極３と
第２のキャパシタ電極４とに対応する領域に抜きパター
ンを形成したマスクが配置され、例えばアルミニウムや
金等の電気抵抗率の小さな金属材の蒸着処理或いはスパ
ッタリング処理等を施すことによって導電体６が成膜形
成される。導電体６は、犠牲層８の厚み分絶縁基板２の
主面２ａと対向離間するとともに、第１のキャパシタ電
極３と第２のキャパシタ電極４とを被覆するに足る大き
さを有する矩形形状を有している。なお、導電体形成用
マスクは、導電体６を形成した後に絶縁基板２から取り
外される。
第２のキャパシタ電極４とに対応する領域に抜きパター
ンを形成したマスクが配置され、例えばアルミニウムや
金等の電気抵抗率の小さな金属材の蒸着処理或いはスパ
ッタリング処理等を施すことによって導電体６が成膜形
成される。導電体６は、犠牲層８の厚み分絶縁基板２の
主面２ａと対向離間するとともに、第１のキャパシタ電
極３と第２のキャパシタ電極４とを被覆するに足る大き
さを有する矩形形状を有している。なお、導電体形成用
マスクは、導電体６を形成した後に絶縁基板２から取り
外される。
【００２１】導電体６には、その外形よりもやや大きな
外形を有して全体を被覆する薄板状のアクチュエータ５
が形成される。アクチュエータ５は、犠牲層８上に導電
体６を介してアクチュエータ形成用マスクを配置し、例
えばプラズマＣＶＤ処理やスパッタリング処理等を施す
ことによって所定の厚みを有する二酸化珪素、窒化珪素
或いは多結晶珪素等の層を形成する。アクチュエータ５
は、アクチュエータ形成用マスクを取り外すことによっ
て、絶縁基板２との対向面に上述した導電体６を一体化
してなる。
外形を有して全体を被覆する薄板状のアクチュエータ５
が形成される。アクチュエータ５は、犠牲層８上に導電
体６を介してアクチュエータ形成用マスクを配置し、例
えばプラズマＣＶＤ処理やスパッタリング処理等を施す
ことによって所定の厚みを有する二酸化珪素、窒化珪素
或いは多結晶珪素等の層を形成する。アクチュエータ５
は、アクチュエータ形成用マスクを取り外すことによっ
て、絶縁基板２との対向面に上述した導電体６を一体化
してなる。
【００２２】アクチュエータ５には、例えば一側部に弾
性を有するアーム部９が形成されており、このアーム部
９を適宜の連結手段を介して駆動部７に連結してなる。
アクチュエータ５は、詳細を省略するがアーム部９と駆
動部７とが支持部を構成して絶縁基板２に対して対向間
隔を保持される。なお、アクチュエータ５は、複数のア
ーム部９により一側部を片持ち支持するようにしたが、
両側部或いは外周側部に適宜は位置したアーム部９によ
り両持ち支持或いは多点支持するようにしてもよい。
性を有するアーム部９が形成されており、このアーム部
９を適宜の連結手段を介して駆動部７に連結してなる。
アクチュエータ５は、詳細を省略するがアーム部９と駆
動部７とが支持部を構成して絶縁基板２に対して対向間
隔を保持される。なお、アクチュエータ５は、複数のア
ーム部９により一側部を片持ち支持するようにしたが、
両側部或いは外周側部に適宜は位置したアーム部９によ
り両持ち支持或いは多点支持するようにしてもよい。
【００２３】駆動部７は、詳細を省略するがアーム部９
を昇降動作させる、例えば静電量駆動機構或いは電磁駆
動機構や熱電駆動機構等によって構成されてなる。駆動
部７は、図示しない制御部から出力される制御信号に応
じてアーム部９を所定の位置まで下降させる。駆動部７
は、図に示すように第１のキャパシタ電極３と第２のキ
ャパシタ電極４とが接続されるキャパシタの電気信号系
と独立した駆動信号系を構成することで、相互の干渉が
低減されるように構成されている。
を昇降動作させる、例えば静電量駆動機構或いは電磁駆
動機構や熱電駆動機構等によって構成されてなる。駆動
部７は、図示しない制御部から出力される制御信号に応
じてアーム部９を所定の位置まで下降させる。駆動部７
は、図に示すように第１のキャパシタ電極３と第２のキ
ャパシタ電極４とが接続されるキャパシタの電気信号系
と独立した駆動信号系を構成することで、相互の干渉が
低減されるように構成されている。
【００２４】絶縁基板２には、上述したように主面２ａ
上に、第１のキャパシタ電極３と第２のキャパシタ電極
４、これらを被覆する犠牲層８及び導電体６を一体化し
たアクチュエータ５を積層形成した後に、化学エッチン
グ処理や反応性イオンエッチング処理（RIE:Reactive I
on Etching）或いは酸素プラズマエッチング処理等が施
されることによって犠牲層８が除去されてキャパシタ装
置１を形成する。キャパシタ装置１は、アクチュエータ
５がアーム部９を介して絶縁基板２の主面２ａに対して
所定の間隔を保持されて対向する。キャパシタ装置１
は、第１のキャパシタ電極３と第２のキャパシタ電極４
とが導電体６を共通の電極板として直列に接続された第
１のキャパシタと第２のキャパシタとを構成する。
上に、第１のキャパシタ電極３と第２のキャパシタ電極
４、これらを被覆する犠牲層８及び導電体６を一体化し
たアクチュエータ５を積層形成した後に、化学エッチン
グ処理や反応性イオンエッチング処理（RIE:Reactive I
on Etching）或いは酸素プラズマエッチング処理等が施
されることによって犠牲層８が除去されてキャパシタ装
置１を形成する。キャパシタ装置１は、アクチュエータ
５がアーム部９を介して絶縁基板２の主面２ａに対して
所定の間隔を保持されて対向する。キャパシタ装置１
は、第１のキャパシタ電極３と第２のキャパシタ電極４
とが導電体６を共通の電極板として直列に接続された第
１のキャパシタと第２のキャパシタとを構成する。
【００２５】キャパシタ装置１においては、第１のキャ
パシタと第２のキャパシタとの静電容量が、第１のキャ
パシタ電極３及び第２のキャパシタ電極４と導電体６と
の対向間隔に反比例して変化する。キャパシタ装置１
は、図示しない制御部から駆動部７に対して制御信号が
供給されることによって、アーム部９を介してアクチュ
エータ５が絶縁基板２側へと移動動作される。キャパシ
タ装置１は、制御信号に応じてアクチュエータ５と絶縁
基板２との対向間隔、換言すれば第１のキャパシタ電極
３及び第２のキャパシタ電極４と導電体６との対向間隔
が規定され、第１のキャパシタと第２のキャパシタとの
静電容量が変化する。
パシタと第２のキャパシタとの静電容量が、第１のキャ
パシタ電極３及び第２のキャパシタ電極４と導電体６と
の対向間隔に反比例して変化する。キャパシタ装置１
は、図示しない制御部から駆動部７に対して制御信号が
供給されることによって、アーム部９を介してアクチュ
エータ５が絶縁基板２側へと移動動作される。キャパシ
タ装置１は、制御信号に応じてアクチュエータ５と絶縁
基板２との対向間隔、換言すれば第１のキャパシタ電極
３及び第２のキャパシタ電極４と導電体６との対向間隔
が規定され、第１のキャパシタと第２のキャパシタとの
静電容量が変化する。
【００２６】キャパシタ装置１は、上述したように静電
容量を変化させるための可動部側の導電体６がキャパシ
タの電気信号系と独立しており、第１のキャパシタと第
２のキャパシタに対して引回し配線による寄生インダク
タンスを有しない構造となっている。したがって、キャ
パシタ装置１は、第１のキャパシタと第２のキャパシタ
とがそれぞれ寄生インダクタンスの影響を低減され、静
電容量を可変とするとともに全体の共振周波数の低下が
抑制されて広周波数帯域での動作が可能とされるように
なる。
容量を変化させるための可動部側の導電体６がキャパシ
タの電気信号系と独立しており、第１のキャパシタと第
２のキャパシタに対して引回し配線による寄生インダク
タンスを有しない構造となっている。したがって、キャ
パシタ装置１は、第１のキャパシタと第２のキャパシタ
とがそれぞれ寄生インダクタンスの影響を低減され、静
電容量を可変とするとともに全体の共振周波数の低下が
抑制されて広周波数帯域での動作が可能とされるように
なる。
【００２７】第２の実施の形態として図２及び図３に示
したキャパシタ装置１０も、ＭＥＭＳ技術によって微小
形状に製作され、主面１１ａ上に互いに絶縁を保持して
第１のキャパシタ電極１２と第２のキャパシタ電極１３
とが成膜形成された絶縁基板１１と、主面１１ａと対向
する主面に導電体１５が形成されたアクチュエータ１４
とを備える基本的な構成について上述したキャパシタ装
置１と同様とする。キャパシタ装置１０は、アクチュエ
ータ１４が、絶縁基板１１との間に生成される静電気力
によって駆動される構成に特徴を有している。
したキャパシタ装置１０も、ＭＥＭＳ技術によって微小
形状に製作され、主面１１ａ上に互いに絶縁を保持して
第１のキャパシタ電極１２と第２のキャパシタ電極１３
とが成膜形成された絶縁基板１１と、主面１１ａと対向
する主面に導電体１５が形成されたアクチュエータ１４
とを備える基本的な構成について上述したキャパシタ装
置１と同様とする。キャパシタ装置１０は、アクチュエ
ータ１４が、絶縁基板１１との間に生成される静電気力
によって駆動される構成に特徴を有している。
【００２８】絶縁基板１１も、ガラス基板やセラミック
基板或いはシリコン基板からなり、図３に示すように長
さ方向に第１の領域１１ｂと第２の領域１１ｃとに区分
された主面１１ａ上の第１の領域１１ｂ側に、一方側縁
に沿って第１のキャパシタ電極１２と第２のキャパシタ
電極１３とが互いに絶縁を保持されて並列に配置されて
形成されている。第１のキャパシタ電極１２及び第２の
キャパシタ電極１３とは、それぞれ略同一の矩形形状を
呈しており、外周縁に静電容量の取出リード１２ａ、１
３ａがそれぞれ引き出し形成され、例えば図示しないイ
ンダクタンス素子と組み合わせ接続されることにより、
可変周波数フィルタや可変周波数発信器を構成する。
基板或いはシリコン基板からなり、図３に示すように長
さ方向に第１の領域１１ｂと第２の領域１１ｃとに区分
された主面１１ａ上の第１の領域１１ｂ側に、一方側縁
に沿って第１のキャパシタ電極１２と第２のキャパシタ
電極１３とが互いに絶縁を保持されて並列に配置されて
形成されている。第１のキャパシタ電極１２及び第２の
キャパシタ電極１３とは、それぞれ略同一の矩形形状を
呈しており、外周縁に静電容量の取出リード１２ａ、１
３ａがそれぞれ引き出し形成され、例えば図示しないイ
ンダクタンス素子と組み合わせ接続されることにより、
可変周波数フィルタや可変周波数発信器を構成する。
【００２９】絶縁基板１１には、主面１１ａ上に第１の
駆動用固定電極１６が成膜形成されている。第１の駆動
用固定電極１６は、一側部に図示しない制御部から供給
される駆動電圧が印加される電圧供給リード１６ａが形
成されている。第１の駆動用固定電極１６は、図３に示
すように第１のキャパシタ電極１２と第２のキャパシタ
電極１３と絶縁を保持されて第１の領域１１ｂの一方側
に位置して並列状態で形成されている。
駆動用固定電極１６が成膜形成されている。第１の駆動
用固定電極１６は、一側部に図示しない制御部から供給
される駆動電圧が印加される電圧供給リード１６ａが形
成されている。第１の駆動用固定電極１６は、図３に示
すように第１のキャパシタ電極１２と第２のキャパシタ
電極１３と絶縁を保持されて第１の領域１１ｂの一方側
に位置して並列状態で形成されている。
【００３０】絶縁基板１１には、主面１１ａ上に第２の
駆動用固定電極１７が成膜形成されている。第２の駆動
用固定電極１７は、第２の領域１１ｃの一端側の近傍で
幅方向の略中央部に位置して形成されている。第２の駆
動用固定電極１７は、後述するようにアクチュエータ１
４の固定位置に対応して形成されている。第２の駆動用
固定電極１７には、一端部に図示しない制御部から供給
される駆動電圧が印加される電圧供給リード１７ａが形
成されている。勿論、第２の駆動用固定電極１７は、第
１の駆動用固定電極１６や第１のキャパシタ電極１２及
び第２のキャパシタ電極１３と絶縁が保持されている。
駆動用固定電極１７が成膜形成されている。第２の駆動
用固定電極１７は、第２の領域１１ｃの一端側の近傍で
幅方向の略中央部に位置して形成されている。第２の駆
動用固定電極１７は、後述するようにアクチュエータ１
４の固定位置に対応して形成されている。第２の駆動用
固定電極１７には、一端部に図示しない制御部から供給
される駆動電圧が印加される電圧供給リード１７ａが形
成されている。勿論、第２の駆動用固定電極１７は、第
１の駆動用固定電極１６や第１のキャパシタ電極１２及
び第２のキャパシタ電極１３と絶縁が保持されている。
【００３１】絶縁基板１１には、アクチュエータ１４が
第２の領域１１ｃ側に一端部を固定されて片持ち支持さ
れてなる。アクチュエータ１４は、可撓性を有するとと
もに少なくとも絶縁基板１１との対向表面が絶縁性を有
する基材によって形成されてなる。アクチュエータ１４
は、図２及び図３に示すように一体に形成された可動部
１８と、アーム部１９及び支持部２０とからなる。アク
チュエータ１４は、支持部２０が、絶縁基板１１の主面
１１ａ上に直接積層形成されて一体化される矩形板状の
固定部２１と、この固定部２１の一側縁に一体に立ち上
がり形成された立上部２２と、この立上部２２の上端縁
から水平に折曲された支点部２３とから構成されてな
る。アクチュエータ１４には、絶縁基板１１と対向する
内面に、導電体１５とともに駆動電極パターン２４が形
成されている。駆動電極パターン２４は、駆動用可動電
極部２５と、リード部２６と、立上リード部２７と、駆
動用接続電極部２８とからなる。
第２の領域１１ｃ側に一端部を固定されて片持ち支持さ
れてなる。アクチュエータ１４は、可撓性を有するとと
もに少なくとも絶縁基板１１との対向表面が絶縁性を有
する基材によって形成されてなる。アクチュエータ１４
は、図２及び図３に示すように一体に形成された可動部
１８と、アーム部１９及び支持部２０とからなる。アク
チュエータ１４は、支持部２０が、絶縁基板１１の主面
１１ａ上に直接積層形成されて一体化される矩形板状の
固定部２１と、この固定部２１の一側縁に一体に立ち上
がり形成された立上部２２と、この立上部２２の上端縁
から水平に折曲された支点部２３とから構成されてな
る。アクチュエータ１４には、絶縁基板１１と対向する
内面に、導電体１５とともに駆動電極パターン２４が形
成されている。駆動電極パターン２４は、駆動用可動電
極部２５と、リード部２６と、立上リード部２７と、駆
動用接続電極部２８とからなる。
【００３２】可動部１８は、絶縁基板１１の第１の領域
１１ｂをほぼ全域に亘って覆うに足る大きさの外形を有
する薄厚の矩形板状部からなる。可動部１８は、図３に
示すように絶縁基板１１との対向面が幅方向に２つの領
域１８ａ、１８ｂに区割りされている。可動部１８に
は、第１のキャパシタ電極１２と第２のキャパシタ電極
１３とに対応する第１の領域１８ａに導電体１５が成膜
形成されている。可動部１８には、第１の駆動用固定電
極１６に対応する第２の領域１８ｂに駆動用可動電極部
２５が成膜形成されている。
１１ｂをほぼ全域に亘って覆うに足る大きさの外形を有
する薄厚の矩形板状部からなる。可動部１８は、図３に
示すように絶縁基板１１との対向面が幅方向に２つの領
域１８ａ、１８ｂに区割りされている。可動部１８に
は、第１のキャパシタ電極１２と第２のキャパシタ電極
１３とに対応する第１の領域１８ａに導電体１５が成膜
形成されている。可動部１８には、第１の駆動用固定電
極１６に対応する第２の領域１８ｂに駆動用可動電極部
２５が成膜形成されている。
【００３３】導電体１５は、第１のキャパシタ電極１２
と第２のキャパシタ電極１３に対向してその全体を覆う
に足る大きさの外形を有する矩形形状を呈している。導
電体１５は、後述するように第１のキャパシタ電極１２
と第２のキャパシタ電極１３との共通電極板として作用
して、直列に接続された第１のキャパシタと第２のキャ
パシタとを構成する。駆動用可動電極部２５も、第１の
駆動用固定電極１６に対向してその全体を覆うに足る大
きさの矩形形状を呈している。駆動用可動電極部２５
は、後述するように駆動電極パターン２４を介して図示
しない制御部から駆動電圧が印加されて第１の駆動用固
定電極１６との間に静電気力を生成する。導電体１５と
駆動用可動電極部２５とは、互いに絶縁を保持されてい
る。
と第２のキャパシタ電極１３に対向してその全体を覆う
に足る大きさの外形を有する矩形形状を呈している。導
電体１５は、後述するように第１のキャパシタ電極１２
と第２のキャパシタ電極１３との共通電極板として作用
して、直列に接続された第１のキャパシタと第２のキャ
パシタとを構成する。駆動用可動電極部２５も、第１の
駆動用固定電極１６に対向してその全体を覆うに足る大
きさの矩形形状を呈している。駆動用可動電極部２５
は、後述するように駆動電極パターン２４を介して図示
しない制御部から駆動電圧が印加されて第１の駆動用固
定電極１６との間に静電気力を生成する。導電体１５と
駆動用可動電極部２５とは、互いに絶縁を保持されてい
る。
【００３４】可動部１８には、一側縁部の幅方向の略中
央部に位置してアーム部１９が一体に突出形成されてい
る。アーム部１９は、絶縁基板１１側の第１の駆動用固
定電極部１６と第２の駆動用固定電極１７との対向間隔
よりもやや短い長さを有しており、幅狭とされることに
よって厚み方向に対して可撓性を有している。アーム部
１９には、絶縁基板１１との対向面に可動部１８に形成
された駆動用可動電極部２５から引き出されたリード部
２６が長さ方向の全域に亘って成膜形成されている。ア
ーム部１９は、後述するように可動部１８が絶縁基板１
１側に接近するようにアクチュエータ１４が駆動される
際に、蓄勢される弾性力を低減して小さな動作電圧で大
きな変位が得られるようにする。アーム部１９には、そ
の先端部に支持部２０の支点部２３が一体に連設されて
いる。
央部に位置してアーム部１９が一体に突出形成されてい
る。アーム部１９は、絶縁基板１１側の第１の駆動用固
定電極部１６と第２の駆動用固定電極１７との対向間隔
よりもやや短い長さを有しており、幅狭とされることに
よって厚み方向に対して可撓性を有している。アーム部
１９には、絶縁基板１１との対向面に可動部１８に形成
された駆動用可動電極部２５から引き出されたリード部
２６が長さ方向の全域に亘って成膜形成されている。ア
ーム部１９は、後述するように可動部１８が絶縁基板１
１側に接近するようにアクチュエータ１４が駆動される
際に、蓄勢される弾性力を低減して小さな動作電圧で大
きな変位が得られるようにする。アーム部１９には、そ
の先端部に支持部２０の支点部２３が一体に連設されて
いる。
【００３５】支持部２０は、上述した固定部２１と立上
部２２と支点部２３とが断面を略クランク状を呈して一
体に形成されてなる。固定部２１は、底面が絶縁基板１
１の主面１１ａ上に一体化されることによって、アクチ
ュエータ１４を片持ち支持する。立上部２２は、固定部
２１と支点部２３、換言すれば支持部２０と絶縁基板１
１の主面１１ａとを所定の対向間隔に保持する。支点部
２３は、長さ方向の一側縁の略中央部にアーム部１９の
先端部が一体化されることによってこれを支持する。支
持部２０には、アーム部１９に形成された駆動電極パタ
ーン２４のリード部２６が支点部２３まで延長され、こ
の延長端に立上部２２の内面に形成した立上リード部２
７が連続されて成膜形成されている。支持部２０には、
固定部２１の底面に立上リード部２７と連続する駆動用
接続電極部２８が成膜形成されている。
部２２と支点部２３とが断面を略クランク状を呈して一
体に形成されてなる。固定部２１は、底面が絶縁基板１
１の主面１１ａ上に一体化されることによって、アクチ
ュエータ１４を片持ち支持する。立上部２２は、固定部
２１と支点部２３、換言すれば支持部２０と絶縁基板１
１の主面１１ａとを所定の対向間隔に保持する。支点部
２３は、長さ方向の一側縁の略中央部にアーム部１９の
先端部が一体化されることによってこれを支持する。支
持部２０には、アーム部１９に形成された駆動電極パタ
ーン２４のリード部２６が支点部２３まで延長され、こ
の延長端に立上部２２の内面に形成した立上リード部２
７が連続されて成膜形成されている。支持部２０には、
固定部２１の底面に立上リード部２７と連続する駆動用
接続電極部２８が成膜形成されている。
【００３６】以上のように構成されたアクチュエータ１
４は、図２に示すように固定部２１を主面１１ａ上に固
定されて絶縁基板１１に片持ち支持される。アクチュエ
ータ１４は、立上部２２によって対向間隔を保持され
て、可動部１８が絶縁基板１１の第１の領域１１ｂと対
向する。アクチュエータ１４は、可動部１８の内面に形
成された導電体１５が第１のキャパシタ電極１２と第２
のキャパシタ電極１３とに跨ってこれらを覆うようにし
て対向して第１のキャパシタと第２のキャパシタを構成
する。また、アクチュエータ１４は、駆動用可動電極部
２５が第１の駆動用固定電極１６を覆うようにして対向
するが、駆動用可動電極部２５及び駆動電極パターン２
４のリード部２６が第１のキャパシタ電極１２及び第２
のキャパシタ電極１３と対向されない位置にあり、第１
のキャパシタや第２のキャパシタに影響を及ぼさない構
成となっている。
４は、図２に示すように固定部２１を主面１１ａ上に固
定されて絶縁基板１１に片持ち支持される。アクチュエ
ータ１４は、立上部２２によって対向間隔を保持され
て、可動部１８が絶縁基板１１の第１の領域１１ｂと対
向する。アクチュエータ１４は、可動部１８の内面に形
成された導電体１５が第１のキャパシタ電極１２と第２
のキャパシタ電極１３とに跨ってこれらを覆うようにし
て対向して第１のキャパシタと第２のキャパシタを構成
する。また、アクチュエータ１４は、駆動用可動電極部
２５が第１の駆動用固定電極１６を覆うようにして対向
するが、駆動用可動電極部２５及び駆動電極パターン２
４のリード部２６が第１のキャパシタ電極１２及び第２
のキャパシタ電極１３と対向されない位置にあり、第１
のキャパシタや第２のキャパシタに影響を及ぼさない構
成となっている。
【００３７】キャパシタ装置１０には、第１の駆動用固
定電極１６と第２の駆動用固定電極１７に対して図示し
ない制御部から供給される駆動電圧が印加される。キャ
パシタ装置１０は、第２の駆動用固定電極１７に供給さ
れた直流の駆動電圧が、アクチュエータ１４に対してそ
の支持部２０側の駆動用接続電極部２８を入力部として
絶縁基板１１との対向面に引き回し形成された駆動電極
パターン２４を介して可動部１８に形成した駆動用可動
電極部２５に印加される。
定電極１６と第２の駆動用固定電極１７に対して図示し
ない制御部から供給される駆動電圧が印加される。キャ
パシタ装置１０は、第２の駆動用固定電極１７に供給さ
れた直流の駆動電圧が、アクチュエータ１４に対してそ
の支持部２０側の駆動用接続電極部２８を入力部として
絶縁基板１１との対向面に引き回し形成された駆動電極
パターン２４を介して可動部１８に形成した駆動用可動
電極部２５に印加される。
【００３８】キャパシタ装置１０においては、第１の駆
動用固定電極１６と駆動用可動電極部２５との間に静電
気力が生成され、アクチュエータ１４の可動部１８を絶
縁基板１１側へと吸引する。アクチュエータ１４は、こ
れによってアーム部１９が弾性変位して可動部１８が絶
縁基板１１側へと接近動作する。アクチュエータ１４
は、この可動部１８の動作に伴ってアーム部１９に次第
に弾性力が蓄勢される。アクチュエータ１４は、第１の
駆動用固定電極１６と駆動用可動電極部２５との間の静
電気力とアーム部１９に蓄勢された弾性力とがバランス
した位置において可動部１８の動作が停止するとともに
この状態を保持される。
動用固定電極１６と駆動用可動電極部２５との間に静電
気力が生成され、アクチュエータ１４の可動部１８を絶
縁基板１１側へと吸引する。アクチュエータ１４は、こ
れによってアーム部１９が弾性変位して可動部１８が絶
縁基板１１側へと接近動作する。アクチュエータ１４
は、この可動部１８の動作に伴ってアーム部１９に次第
に弾性力が蓄勢される。アクチュエータ１４は、第１の
駆動用固定電極１６と駆動用可動電極部２５との間の静
電気力とアーム部１９に蓄勢された弾性力とがバランス
した位置において可動部１８の動作が停止するとともに
この状態を保持される。
【００３９】キャパシタ装置１０は、上述したアクチュ
エータ１４の動作に伴って可動部１８に形成された導電
体１５と絶縁基板１１に形成された第１のキャパシタ電
極１２と第２のキャパシタ電極１３との対向間隔が規定
され、これらによって構成される第１のキャパシタと第
２のキャパシタとの静電容量が変化する。
エータ１４の動作に伴って可動部１８に形成された導電
体１５と絶縁基板１１に形成された第１のキャパシタ電
極１２と第２のキャパシタ電極１３との対向間隔が規定
され、これらによって構成される第１のキャパシタと第
２のキャパシタとの静電容量が変化する。
【００４０】キャパシタ装置１０においては、第１の駆
動用固定電極１６と駆動用可動電極部２５との間に生成
される静電気力が印加される駆動電圧の大きさによって
変化することから、アクチュエータ１４の動作量を制御
することが可能である。したがって、キャパシタ装置１
０は、駆動電圧を制御することにより任意の静電容量の
取り出しが可能となる。
動用固定電極１６と駆動用可動電極部２５との間に生成
される静電気力が印加される駆動電圧の大きさによって
変化することから、アクチュエータ１４の動作量を制御
することが可能である。したがって、キャパシタ装置１
０は、駆動電圧を制御することにより任意の静電容量の
取り出しが可能となる。
【００４１】キャパシタ装置１０においては、第１のキ
ャパシタ電極１２及び第２のキャパシタ電極１３と導電
体１５とによるキャパシタの電気信号系と、第１の駆動
用固定電極１６と駆動用可動電極部２５とによるアクチ
ュエータ１４の駆動電気系とが互いに独立した構造とな
っている。したがって、キャパシタ装置１０は、キャパ
シタの電気信号系に駆動電気系の引回し配線を有しない
構造となっており、第１のキャパシタと第２のキャパシ
タに対する引回し配線による寄生インダクタンスが低減
される。キャパシタ装置１０は、これによって第１のキ
ャパシタと第２のキャパシタとに寄生インダクタンスの
影響が低減され、静電容量を可変とするとともに全体の
共振周波数の低下が抑制されて広周波数帯域での動作が
可能とされるようになる。
ャパシタ電極１２及び第２のキャパシタ電極１３と導電
体１５とによるキャパシタの電気信号系と、第１の駆動
用固定電極１６と駆動用可動電極部２５とによるアクチ
ュエータ１４の駆動電気系とが互いに独立した構造とな
っている。したがって、キャパシタ装置１０は、キャパ
シタの電気信号系に駆動電気系の引回し配線を有しない
構造となっており、第１のキャパシタと第２のキャパシ
タに対する引回し配線による寄生インダクタンスが低減
される。キャパシタ装置１０は、これによって第１のキ
ャパシタと第２のキャパシタとに寄生インダクタンスの
影響が低減され、静電容量を可変とするとともに全体の
共振周波数の低下が抑制されて広周波数帯域での動作が
可能とされるようになる。
【００４２】キャパシタ装置１０は、絶縁基板１１の主
面１１ａ上に薄膜形成技術や厚膜形成技術を利用してア
クチュエータ１４或いは導電体１５や各電極を形成する
基本的な方法について上述したキャパシタ装置１と同様
とする。キャパシタ装置１０は、アクチュエータ１４及
び駆動電極パターン２４の具体的な形成方法について特
徴を有している。すなわち、キャパシタ装置１０の製造
工程においては、絶縁基板１１の主面１１ａ上に第１の
キャパシタ電極１２と第２のキャパシタ電極１３及び第
１の駆動用固定電極１６と第２の駆動用固定電極１７と
を成膜形成した後に犠牲層が形成されるが、この犠牲層
が第２の駆動用固定電極１７を露出させた状態で絶縁基
板１１の主面１１ａ上に所定の厚みを以って成膜形成さ
れる。また、犠牲層は、アクチュエータ１４の固定部２
１と対応する領域を露出させた状態で絶縁基板１１に形
成されている。
面１１ａ上に薄膜形成技術や厚膜形成技術を利用してア
クチュエータ１４或いは導電体１５や各電極を形成する
基本的な方法について上述したキャパシタ装置１と同様
とする。キャパシタ装置１０は、アクチュエータ１４及
び駆動電極パターン２４の具体的な形成方法について特
徴を有している。すなわち、キャパシタ装置１０の製造
工程においては、絶縁基板１１の主面１１ａ上に第１の
キャパシタ電極１２と第２のキャパシタ電極１３及び第
１の駆動用固定電極１６と第２の駆動用固定電極１７と
を成膜形成した後に犠牲層が形成されるが、この犠牲層
が第２の駆動用固定電極１７を露出させた状態で絶縁基
板１１の主面１１ａ上に所定の厚みを以って成膜形成さ
れる。また、犠牲層は、アクチュエータ１４の固定部２
１と対応する領域を露出させた状態で絶縁基板１１に形
成されている。
【００４３】キャパシタ装置１０の製造工程において
は、犠牲層の主面上に、第１のキャパシタ電極１２と第
２のキャパシタ電極１３及び第１の駆動用固定電極１６
と第２の駆動用固定電極１７とに対応する領域にそれぞ
れ抜きパターンを形成した電極形成マスクが配置され
る。キャパシタ装置１０の製造工程においては、例えば
アルミニウムや金等の電気抵抗率の小さな金属材の蒸着
処理或いはスパッタリング処理等を施すことによって、
犠牲層の主面上に、第１のキャパシタ電極１２と第２の
キャパシタ電極１３とに対向する導電体１５と、第１の
駆動用固定電極１６に対向する駆動電極パターン２４と
が成膜形成される。キャパシタ装置１０は、上述したよ
うに第２の駆動用固定電極１７が犠牲層から露出されて
いることから、この第２の駆動用固定電極１７に対して
駆動電極パターン２４の駆動用接続電極部２８が一体化
されて形成される。
は、犠牲層の主面上に、第１のキャパシタ電極１２と第
２のキャパシタ電極１３及び第１の駆動用固定電極１６
と第２の駆動用固定電極１７とに対応する領域にそれぞ
れ抜きパターンを形成した電極形成マスクが配置され
る。キャパシタ装置１０の製造工程においては、例えば
アルミニウムや金等の電気抵抗率の小さな金属材の蒸着
処理或いはスパッタリング処理等を施すことによって、
犠牲層の主面上に、第１のキャパシタ電極１２と第２の
キャパシタ電極１３とに対向する導電体１５と、第１の
駆動用固定電極１６に対向する駆動電極パターン２４と
が成膜形成される。キャパシタ装置１０は、上述したよ
うに第２の駆動用固定電極１７が犠牲層から露出されて
いることから、この第２の駆動用固定電極１７に対して
駆動電極パターン２４の駆動用接続電極部２８が一体化
されて形成される。
【００４４】キャパシタ装置１０の製造工程において
は、電極形成マスクを取り外した状態で、絶縁基板１１
上に犠牲層を被覆してアクチュエータ１４の外形形状を
抜きパターンとしたアクチュエータ形成マスクが配置さ
れ、例えばスパッタリング処理やプラズマＣＶＤ処理等
を施すことにより所定の厚みを有する二酸化珪素、窒化
珪素或いは多結晶珪素等からなる層を成膜形成する。キ
ャパシタ装置１０においては、上述したように固定部２
１の対応領域が犠牲層の非形成領域とされることから、
この固定部２１を絶縁基板１１の主面１１ａ上に一体化
されてアクチュエータ１４が犠牲層上に成膜形成され
る。
は、電極形成マスクを取り外した状態で、絶縁基板１１
上に犠牲層を被覆してアクチュエータ１４の外形形状を
抜きパターンとしたアクチュエータ形成マスクが配置さ
れ、例えばスパッタリング処理やプラズマＣＶＤ処理等
を施すことにより所定の厚みを有する二酸化珪素、窒化
珪素或いは多結晶珪素等からなる層を成膜形成する。キ
ャパシタ装置１０においては、上述したように固定部２
１の対応領域が犠牲層の非形成領域とされることから、
この固定部２１を絶縁基板１１の主面１１ａ上に一体化
されてアクチュエータ１４が犠牲層上に成膜形成され
る。
【００４５】キャパシタ装置１０の製造工程において
は、アクチュエータ形成マスクを取り外した後に化学エ
ッチング処理等を施すことによって犠牲層を除去し、キ
ャパシタ装置１０を形成する。キャパシタ装置１０は、
上述したように固定部２１が主面１１ａ上に固定される
とともにこの主面１１ａに対してアーム部１９を介して
可動部１８が所定の対向間隔を以って対向するアクチュ
エータ１４が、絶縁基板１１に片持ち支持されて形成さ
れる。なお、キャパシタ装置１０においては、適宜の形
状の抜きパターンを有するアクチュエータ形成マスクを
用いることによって、例えば可動部１８の適宜の外周縁
に複数のアーム部１９や支持部２０を一体に形成した両
持ち支持或いは多点支持のアクチュエータ１４が形成さ
れる。
は、アクチュエータ形成マスクを取り外した後に化学エ
ッチング処理等を施すことによって犠牲層を除去し、キ
ャパシタ装置１０を形成する。キャパシタ装置１０は、
上述したように固定部２１が主面１１ａ上に固定される
とともにこの主面１１ａに対してアーム部１９を介して
可動部１８が所定の対向間隔を以って対向するアクチュ
エータ１４が、絶縁基板１１に片持ち支持されて形成さ
れる。なお、キャパシタ装置１０においては、適宜の形
状の抜きパターンを有するアクチュエータ形成マスクを
用いることによって、例えば可動部１８の適宜の外周縁
に複数のアーム部１９や支持部２０を一体に形成した両
持ち支持或いは多点支持のアクチュエータ１４が形成さ
れる。
【００４６】第３の実施の形態として図４に示したキャ
パシタ装置３０も、ＭＥＭＳ技術によって微小形状に製
作され、主面１１ａ上に互いに絶縁を保持して第１のキ
ャパシタ電極１２と第２のキャパシタ電極１３とが成膜
形成された絶縁基板１１を備える基本的な構成について
上述したキャパシタ装置１０と同様とする。したがっ
て、キャパシタ装置３０については、絶縁基板１１側の
各部に同一符号を付すことによって説明を省略する。
パシタ装置３０も、ＭＥＭＳ技術によって微小形状に製
作され、主面１１ａ上に互いに絶縁を保持して第１のキ
ャパシタ電極１２と第２のキャパシタ電極１３とが成膜
形成された絶縁基板１１を備える基本的な構成について
上述したキャパシタ装置１０と同様とする。したがっ
て、キャパシタ装置３０については、絶縁基板１１側の
各部に同一符号を付すことによって説明を省略する。
【００４７】キャパシタ装置３０は、絶縁基板１１の主
面１１ａに対してアクチュエータ３１が所定の対向間隔
を保持されて片持ち支持された構成についてキャパシタ
装置１０と同様とするが、このアクチュエータ３１の絶
縁基板１１と対向する主面と反対側の主面に導電体３２
が成膜形成されるとともに駆動電極パターン３３が引き
回し形成された構成に特徴を有している。すなわち、ア
クチュエータ３１は、一体に形成された可動部３４と、
この可動部３４の一側縁の略中央部に一体に突設された
アーム部３５及びこのアーム部３５の他端に一体に形成
された支持部３６とからなる基本的な構成を上述したア
クチュエータ１４と同様とする。
面１１ａに対してアクチュエータ３１が所定の対向間隔
を保持されて片持ち支持された構成についてキャパシタ
装置１０と同様とするが、このアクチュエータ３１の絶
縁基板１１と対向する主面と反対側の主面に導電体３２
が成膜形成されるとともに駆動電極パターン３３が引き
回し形成された構成に特徴を有している。すなわち、ア
クチュエータ３１は、一体に形成された可動部３４と、
この可動部３４の一側縁の略中央部に一体に突設された
アーム部３５及びこのアーム部３５の他端に一体に形成
された支持部３６とからなる基本的な構成を上述したア
クチュエータ１４と同様とする。
【００４８】可動部３４は、絶縁基板１１の第１の領域
１１ｂをほぼ全域に亘って覆うに足る大きさの外形を有
する薄厚の矩形板状部からなり、アクチュエータ３１の
主面が幅方向に２つの領域３４ａ、３４ｂに区割りされ
ている。可動部３４には、絶縁基板１１側の第１のキャ
パシタ電極１２と第２のキャパシタ電極１３とに対応す
る第１の領域３４ａに、導電体３２が成膜形成されてい
る。導電体３２は、第１のキャパシタ電極１２と第２の
キャパシタ電極１３に対向してその全体を覆うに足る大
きさの外形を有する矩形形状を呈している。導電体３２
は、可動部３４を介して第１のキャパシタ電極１２と第
２のキャパシタ電極１３との共通電極板として作用し
て、直列に接続された第１のキャパシタと第２のキャパ
シタとを構成する。
１１ｂをほぼ全域に亘って覆うに足る大きさの外形を有
する薄厚の矩形板状部からなり、アクチュエータ３１の
主面が幅方向に２つの領域３４ａ、３４ｂに区割りされ
ている。可動部３４には、絶縁基板１１側の第１のキャ
パシタ電極１２と第２のキャパシタ電極１３とに対応す
る第１の領域３４ａに、導電体３２が成膜形成されてい
る。導電体３２は、第１のキャパシタ電極１２と第２の
キャパシタ電極１３に対向してその全体を覆うに足る大
きさの外形を有する矩形形状を呈している。導電体３２
は、可動部３４を介して第１のキャパシタ電極１２と第
２のキャパシタ電極１３との共通電極板として作用し
て、直列に接続された第１のキャパシタと第２のキャパ
シタとを構成する。
【００４９】可動部３４には、第１の駆動用固定電極１
６に対応する第２の領域３４ｂに、導電体３２と絶縁を
保持されて駆動電極パターン３３の駆動用可動電極部３
７が成膜形成されている。駆動電極パターン３３は、駆
動用可動電極部３７と、アーム部３５及び支持部３６に
引き回し形成されたリード部３８とから構成されてな
る。駆動用可動電極部３７は、第１の駆動用固定電極１
６に対向してその全体を覆うに足る大きさの矩形形状を
呈している。駆動用可動電極部３７は、駆動電極パター
ン３３を介して図示しない制御部から駆動電圧が印加さ
れて静電気力を生成する。
６に対応する第２の領域３４ｂに、導電体３２と絶縁を
保持されて駆動電極パターン３３の駆動用可動電極部３
７が成膜形成されている。駆動電極パターン３３は、駆
動用可動電極部３７と、アーム部３５及び支持部３６に
引き回し形成されたリード部３８とから構成されてな
る。駆動用可動電極部３７は、第１の駆動用固定電極１
６に対向してその全体を覆うに足る大きさの矩形形状を
呈している。駆動用可動電極部３７は、駆動電極パター
ン３３を介して図示しない制御部から駆動電圧が印加さ
れて静電気力を生成する。
【００５０】アーム部３５は、幅狭とされることにより
厚み方向に対して可撓性を有しており、アクチュエータ
３１が駆動される際に蓄勢される弾性力を低減して小さ
な動作電圧で大きな変位が得られるようにする。アーム
部３５には、その先端部に支持部３６の支点部３９が一
体に連設されている。支持部３６は、上述したアクチュ
エータ１４と同様に、絶縁基板１１の主面１１ａ上に直
接積層形成されて一体化される矩形板状の固定部３９
と、この固定部３９の一側縁に沿って一体に立ち上がり
形成された立上部４０と、この立上部４０の上端縁から
水平に折曲された支点部４１とからなり、断面が略クラ
ンク状を呈して一体に形成されて可動部３４を絶縁基板
１１に対して所定の対向間隔に保持する。
厚み方向に対して可撓性を有しており、アクチュエータ
３１が駆動される際に蓄勢される弾性力を低減して小さ
な動作電圧で大きな変位が得られるようにする。アーム
部３５には、その先端部に支持部３６の支点部３９が一
体に連設されている。支持部３６は、上述したアクチュ
エータ１４と同様に、絶縁基板１１の主面１１ａ上に直
接積層形成されて一体化される矩形板状の固定部３９
と、この固定部３９の一側縁に沿って一体に立ち上がり
形成された立上部４０と、この立上部４０の上端縁から
水平に折曲された支点部４１とからなり、断面が略クラ
ンク状を呈して一体に形成されて可動部３４を絶縁基板
１１に対して所定の対向間隔に保持する。
【００５１】アーム部３５には、可動部３４に形成され
た駆動用可動電極部３７から引き出されたリード部３８
が長さ方向の全域に亘って成膜形成されている。支持部
３６には、固定部３９と立上部４０及び支点部４１の外
側面に連続してリード部３８が成膜形成されている。リ
ード部３８は、固定部３９の外側面の下端部において絶
縁基板１１側の第２の駆動用固定電極１７と一体化され
ている。
た駆動用可動電極部３７から引き出されたリード部３８
が長さ方向の全域に亘って成膜形成されている。支持部
３６には、固定部３９と立上部４０及び支点部４１の外
側面に連続してリード部３８が成膜形成されている。リ
ード部３８は、固定部３９の外側面の下端部において絶
縁基板１１側の第２の駆動用固定電極１７と一体化され
ている。
【００５２】キャパシタ装置３０は、第１の駆動用固定
電極１６と駆動用可動電極部３７との間に静電気力が生
成されて、アクチュエータ３１の可動部３４を絶縁基板
１１側へと吸引する。キャパシタ装置３０は、これによ
ってアクチュエータ３１が、アーム部３５が弾性変位し
て可動部３４が絶縁基板１１側へと接近動作する。キャ
パシタ装置３０は、第１の駆動用固定電極１６と駆動用
可動電極部３７との間の静電気力と、アーム部３５に蓄
勢された弾性力とがバランスした位置においてアクチュ
エータ３１が安定した状態に保持される。
電極１６と駆動用可動電極部３７との間に静電気力が生
成されて、アクチュエータ３１の可動部３４を絶縁基板
１１側へと吸引する。キャパシタ装置３０は、これによ
ってアクチュエータ３１が、アーム部３５が弾性変位し
て可動部３４が絶縁基板１１側へと接近動作する。キャ
パシタ装置３０は、第１の駆動用固定電極１６と駆動用
可動電極部３７との間の静電気力と、アーム部３５に蓄
勢された弾性力とがバランスした位置においてアクチュ
エータ３１が安定した状態に保持される。
【００５３】キャパシタ装置３０は、上述したアクチュ
エータ３１の動作に伴って可動部３４に形成された導電
体３２と絶縁基板１１に形成された第１のキャパシタ電
極１２と第２のキャパシタ電極１３との対向間隔が規定
され、これらによって構成される第１のキャパシタと第
２のキャパシタとの静電容量が変化する。
エータ３１の動作に伴って可動部３４に形成された導電
体３２と絶縁基板１１に形成された第１のキャパシタ電
極１２と第２のキャパシタ電極１３との対向間隔が規定
され、これらによって構成される第１のキャパシタと第
２のキャパシタとの静電容量が変化する。
【００５４】キャパシタ装置３０においても、第１の駆
動用固定電極１６と駆動用可動電極部３７との間に生成
される静電気力が印加される駆動電圧の大きさによって
変化することから、アクチュエータ３１の動作量を制御
することが可能である。したがって、キャパシタ装置３
０は、駆動電圧を制御することにより任意の静電容量の
取り出しが可能となる。
動用固定電極１６と駆動用可動電極部３７との間に生成
される静電気力が印加される駆動電圧の大きさによって
変化することから、アクチュエータ３１の動作量を制御
することが可能である。したがって、キャパシタ装置３
０は、駆動電圧を制御することにより任意の静電容量の
取り出しが可能となる。
【００５５】キャパシタ装置３０においても、第１のキ
ャパシタ電極１２及び第２のキャパシタ電極１３と導電
体３２とによるキャパシタの電気信号系と、第１の駆動
用固定電極１６と駆動用可動電極部３７とによるアクチ
ュエータ３１の駆動電気系とが互いに独立した構造とな
っている。したがって、キャパシタ装置３０は、キャパ
シタの電気信号系に駆動電気系の引回し配線を有しない
構造となっており、第１のキャパシタと第２のキャパシ
タに対する引回し配線による寄生インダクタンスが低減
される。キャパシタ装置３０は、これによって第１のキ
ャパシタと第２のキャパシタとに寄生インダクタンスの
影響が低減され、静電容量を可変とするとともに全体の
共振周波数の低下が抑制されて広周波数帯域での動作が
可能とされるようになる。
ャパシタ電極１２及び第２のキャパシタ電極１３と導電
体３２とによるキャパシタの電気信号系と、第１の駆動
用固定電極１６と駆動用可動電極部３７とによるアクチ
ュエータ３１の駆動電気系とが互いに独立した構造とな
っている。したがって、キャパシタ装置３０は、キャパ
シタの電気信号系に駆動電気系の引回し配線を有しない
構造となっており、第１のキャパシタと第２のキャパシ
タに対する引回し配線による寄生インダクタンスが低減
される。キャパシタ装置３０は、これによって第１のキ
ャパシタと第２のキャパシタとに寄生インダクタンスの
影響が低減され、静電容量を可変とするとともに全体の
共振周波数の低下が抑制されて広周波数帯域での動作が
可能とされるようになる。
【００５６】キャパシタ装置３０においては、第１のキ
ャパシタと第２のキャパシタとを構成する第１のキャパ
シタ電極１２及び第２のキャパシタ電極１３と導電体３
２とがアクチュエータ３１の可動部３４によって電気的
に隔離された状態となっている。したがって、キャパシ
タ装置３０は、衝撃等が加えられた場合でも第１のキャ
パシタ電極１２或いは第２のキャパシタ電極１３と導電
体３２とが直接接触することは無く、過大電流の発生が
確実に防止される。また、キャパシタ装置３０は、絶縁
基板１１の主面１１ａに可動部３４の内面が当接するま
でアクチュエータ３１を駆動することで、第１のキャパ
シタ及び第２のキャパシタの静電容量の最大値を可動部
３４の厚みによって規定することが可能となる。
ャパシタと第２のキャパシタとを構成する第１のキャパ
シタ電極１２及び第２のキャパシタ電極１３と導電体３
２とがアクチュエータ３１の可動部３４によって電気的
に隔離された状態となっている。したがって、キャパシ
タ装置３０は、衝撃等が加えられた場合でも第１のキャ
パシタ電極１２或いは第２のキャパシタ電極１３と導電
体３２とが直接接触することは無く、過大電流の発生が
確実に防止される。また、キャパシタ装置３０は、絶縁
基板１１の主面１１ａに可動部３４の内面が当接するま
でアクチュエータ３１を駆動することで、第１のキャパ
シタ及び第２のキャパシタの静電容量の最大値を可動部
３４の厚みによって規定することが可能となる。
【００５７】キャパシタ装置３０は、絶縁基板１１の主
面１１ａ上に薄膜形成技術や厚膜形成技術を利用してア
クチュエータ３１或いは導電体３２や各電極を形成する
基本的な方法について上述したキャパシタ装置１０と同
様とするが、アクチュエータ３１及び導電体３２、駆動
電極パターン３３の具体的な形成方法について異にして
いる。すなわち、キャパシタ装置３０の製造工程におい
ては、絶縁基板１１の主面１１ａ上に第１のキャパシタ
電極１２と第２のキャパシタ電極１３及び第１の駆動用
固定電極１６と第２の駆動用固定電極１７とを成膜形成
した後に犠牲層が形成されるが、この犠牲層が第２の駆
動用固定電極１７を露出させた状態で絶縁基板１１の主
面１１ａ上に所定の厚みを以って成膜形成される。ま
た、犠牲層は、アクチュエータ３１の固定部３９と対応
する領域を露出させた状態で絶縁基板１１に形成されて
いる。
面１１ａ上に薄膜形成技術や厚膜形成技術を利用してア
クチュエータ３１或いは導電体３２や各電極を形成する
基本的な方法について上述したキャパシタ装置１０と同
様とするが、アクチュエータ３１及び導電体３２、駆動
電極パターン３３の具体的な形成方法について異にして
いる。すなわち、キャパシタ装置３０の製造工程におい
ては、絶縁基板１１の主面１１ａ上に第１のキャパシタ
電極１２と第２のキャパシタ電極１３及び第１の駆動用
固定電極１６と第２の駆動用固定電極１７とを成膜形成
した後に犠牲層が形成されるが、この犠牲層が第２の駆
動用固定電極１７を露出させた状態で絶縁基板１１の主
面１１ａ上に所定の厚みを以って成膜形成される。ま
た、犠牲層は、アクチュエータ３１の固定部３９と対応
する領域を露出させた状態で絶縁基板１１に形成されて
いる。
【００５８】キャパシタ装置３０の製造工程において
は、絶縁基板１１上に犠牲層を被覆してアクチュエータ
３１の外形形状を抜きパターンとしたアクチュエータ形
成マスクが配置され、例えばスパッタリング処理やプラ
ズマＣＶＤ処理等を施すことにより所定の厚みを有する
二酸化珪素、窒化珪素或いは多結晶珪素等からなる層を
成膜形成する。キャパシタ装置３０の製造工程において
は、上述したように固定部３９の対応領域が犠牲層の非
形成領域とされることから、この固定部３９を絶縁基板
１１の主面１１ａ上に一体化されてアクチュエータ３１
に対応した二酸化珪素層が犠牲層上に成膜形成される。
は、絶縁基板１１上に犠牲層を被覆してアクチュエータ
３１の外形形状を抜きパターンとしたアクチュエータ形
成マスクが配置され、例えばスパッタリング処理やプラ
ズマＣＶＤ処理等を施すことにより所定の厚みを有する
二酸化珪素、窒化珪素或いは多結晶珪素等からなる層を
成膜形成する。キャパシタ装置３０の製造工程において
は、上述したように固定部３９の対応領域が犠牲層の非
形成領域とされることから、この固定部３９を絶縁基板
１１の主面１１ａ上に一体化されてアクチュエータ３１
に対応した二酸化珪素層が犠牲層上に成膜形成される。
【００５９】キャパシタ装置３０の製造工程において
は、アクチュエータ形成マスクを取り外した状態で、ア
クチュエータ３１の主面上に導電体３２及び駆動電極パ
ターン３３に対応する領域にそれぞれ抜きパターンを形
成した電極形成マスクが配置される。キャパシタ装置３
０の製造工程においては、例えばアルミニウムや金等の
電気抵抗率の小さな金属材の蒸着処理或いはスパッタリ
ング処理等を施すことによって、アクチュエータ３１の
主面上に第１のキャパシタ電極１２と第２のキャパシタ
電極１３とに対向する導電体３２と、第１の駆動用固定
電極１６に対向する駆動電極パターン３３とが成膜形成
される。
は、アクチュエータ形成マスクを取り外した状態で、ア
クチュエータ３１の主面上に導電体３２及び駆動電極パ
ターン３３に対応する領域にそれぞれ抜きパターンを形
成した電極形成マスクが配置される。キャパシタ装置３
０の製造工程においては、例えばアルミニウムや金等の
電気抵抗率の小さな金属材の蒸着処理或いはスパッタリ
ング処理等を施すことによって、アクチュエータ３１の
主面上に第１のキャパシタ電極１２と第２のキャパシタ
電極１３とに対向する導電体３２と、第１の駆動用固定
電極１６に対向する駆動電極パターン３３とが成膜形成
される。
【００６０】キャパシタ装置３０の製造工程において
は、電極形成マスクを取り外した後に化学エッチング処
理等を施すことによって犠牲層を除去し、キャパシタ装
置３０を形成する。キャパシタ装置３０は、上述したよ
うに固定部３９が主面１１ａ上に固定されるとともにこ
の主面１１ａに対してアーム部３５を介して可動部３４
が所定の対向間隔を以って対向するアクチュエータ３１
が、絶縁基板１１に片持ち支持されて形成される。
は、電極形成マスクを取り外した後に化学エッチング処
理等を施すことによって犠牲層を除去し、キャパシタ装
置３０を形成する。キャパシタ装置３０は、上述したよ
うに固定部３９が主面１１ａ上に固定されるとともにこ
の主面１１ａに対してアーム部３５を介して可動部３４
が所定の対向間隔を以って対向するアクチュエータ３１
が、絶縁基板１１に片持ち支持されて形成される。
【００６１】キャパシタ装置３０は、主面３０ａ上に導
電体３２及び駆動用可動電極部３７を有する駆動電極パ
ターン３３が引き回し形成される。キャパシタ装置３０
は、駆動電極パターン３３がアクチュエータ３１の可動
部３４に形成された駆動用可動電極部３７から引き出さ
れてアーム部３５及び支持部３６の外側面を引き回さ
れ、支点部４１を介して第２の駆動用固定電極１７と一
体化される。なお、キャパシタ装置３０においては、適
宜の抜きパターンを有するアクチュエータ形成マスクを
用いることによって、例えば可動部３４の外周縁に複数
のアーム部３５や支持部３６を一体に形成した両持ち支
持或いは多点支持のアクチュエータ３１を形成するよう
にしてもよい。
電体３２及び駆動用可動電極部３７を有する駆動電極パ
ターン３３が引き回し形成される。キャパシタ装置３０
は、駆動電極パターン３３がアクチュエータ３１の可動
部３４に形成された駆動用可動電極部３７から引き出さ
れてアーム部３５及び支持部３６の外側面を引き回さ
れ、支点部４１を介して第２の駆動用固定電極１７と一
体化される。なお、キャパシタ装置３０においては、適
宜の抜きパターンを有するアクチュエータ形成マスクを
用いることによって、例えば可動部３４の外周縁に複数
のアーム部３５や支持部３６を一体に形成した両持ち支
持或いは多点支持のアクチュエータ３１を形成するよう
にしてもよい。
【００６２】第４の実施の形態として図５に示したキャ
パシタ装置５０も、ＭＥＭＳ技術によって微小形状に製
作され、主面１１ａ上に互いに絶縁を保持して第１のキ
ャパシタ電極１２と第２のキャパシタ電極１３とが成膜
形成された絶縁基板１１を備える基本的な構成について
上述したキャパシタ装置１０と同様とする。キャパシタ
装置５０は、同図（Ｂ）に示すように絶縁基板１１の主
面１１ａ上に形成された第１のキャパシタ電極１２と第
２のキャパシタ電極１３及び第１の駆動用固定電極１６
とを被覆する絶縁体５１が形成された構成に特徴を有し
ており、その他の構成をキャパシタ装置１０と同等とす
ることから各部に同一符号を付すことによって説明を省
略する。
パシタ装置５０も、ＭＥＭＳ技術によって微小形状に製
作され、主面１１ａ上に互いに絶縁を保持して第１のキ
ャパシタ電極１２と第２のキャパシタ電極１３とが成膜
形成された絶縁基板１１を備える基本的な構成について
上述したキャパシタ装置１０と同様とする。キャパシタ
装置５０は、同図（Ｂ）に示すように絶縁基板１１の主
面１１ａ上に形成された第１のキャパシタ電極１２と第
２のキャパシタ電極１３及び第１の駆動用固定電極１６
とを被覆する絶縁体５１が形成された構成に特徴を有し
ており、その他の構成をキャパシタ装置１０と同等とす
ることから各部に同一符号を付すことによって説明を省
略する。
【００６３】キャパシタ装置５０は、図５（Ａ）に示す
ように絶縁基板１１の主面１１ａ上に互いに絶縁を保持
されて第１のキャパシタ電極１２と第２のキャパシタ電
極１３とが成膜形成されるとともに、第１の駆動用固定
電極１６と第２の駆動用固定電極１７とが各電極に対し
て絶縁を保持されて成膜形成されている。キャパシタ装
置５０は、図示を省略するが絶縁基板１１に対してアク
チュエータ１４が片持ち支持されている。アクチュエー
タ１４には、絶縁基板１１の主面１１ａと対向する内面
に、第１のキャパシタ電極１２と第２のキャパシタ電極
１３とに対応して導電体１５が成膜形成されるとともに
第１の駆動用固定電極１６に対応する駆動用可動電極部
２５を有する駆動電極パターン２４が成膜形成されてい
る。
ように絶縁基板１１の主面１１ａ上に互いに絶縁を保持
されて第１のキャパシタ電極１２と第２のキャパシタ電
極１３とが成膜形成されるとともに、第１の駆動用固定
電極１６と第２の駆動用固定電極１７とが各電極に対し
て絶縁を保持されて成膜形成されている。キャパシタ装
置５０は、図示を省略するが絶縁基板１１に対してアク
チュエータ１４が片持ち支持されている。アクチュエー
タ１４には、絶縁基板１１の主面１１ａと対向する内面
に、第１のキャパシタ電極１２と第２のキャパシタ電極
１３とに対応して導電体１５が成膜形成されるとともに
第１の駆動用固定電極１６に対応する駆動用可動電極部
２５を有する駆動電極パターン２４が成膜形成されてい
る。
【００６４】キャパシタ装置５０の製造工程は、上述し
たキャパシタ装置１０の製造工程と同様に、絶縁基板１
１の主面１１ａ上に、第１のキャパシタ電極１２と第２
のキャパシタ電極１３及び第１の駆動用固定電極１６と
第２の駆動用固定電極１７とに対応する部位を抜きパタ
ーンとした電極形成マスクが配置される。キャパシタ装
置５０の製造工程は、この状態で例えばアルミニウムや
金等の電気抵抗率の小さな金属材の蒸着処理或いはスパ
ッタリング処理等を施すことによって絶縁基板１１の主
面１１ａ上に第１のキャパシタ電極１２と第２のキャパ
シタ電極１３及び第１の駆動用固定電極１６と第２の駆
動用固定電極１７とを成膜形成する。
たキャパシタ装置１０の製造工程と同様に、絶縁基板１
１の主面１１ａ上に、第１のキャパシタ電極１２と第２
のキャパシタ電極１３及び第１の駆動用固定電極１６と
第２の駆動用固定電極１７とに対応する部位を抜きパタ
ーンとした電極形成マスクが配置される。キャパシタ装
置５０の製造工程は、この状態で例えばアルミニウムや
金等の電気抵抗率の小さな金属材の蒸着処理或いはスパ
ッタリング処理等を施すことによって絶縁基板１１の主
面１１ａ上に第１のキャパシタ電極１２と第２のキャパ
シタ電極１３及び第１の駆動用固定電極１６と第２の駆
動用固定電極１７とを成膜形成する。
【００６５】キャパシタ装置５０の製造工程は、電極形
成マスクを取り外した状態で、第１のキャパシタ電極１
２と第２のキャパシタ電極１３及び第１の駆動用固定電
極１６とを被覆する絶縁体５１を形成する。絶縁体５１
は、例えば樹脂フィルムを絶縁基板１１の主面１１ａ上
に接合したり、所定の抜きパターンが形成されたマスク
を配置して絶縁ペーストを塗布する等の方法によって形
成される。絶縁体５１は、第１のキャパシタ電極１２と
第２のキャパシタ電極１３及び第１の駆動用固定電極１
６の全体を完全被覆する必要は無く、少なくともこれら
各電極とアクチュエータ１４側に形成された導体部１５
や駆動用可動電極部２５との間に介在する大きさを有す
るものであればよい。なお、キャパシタ装置５０は、上
述したように絶縁基板１１側に絶縁体５１を形成するよ
うにしたが、アクチュエータ１４側に絶縁体５１を形成
するようにしてもよいことは勿論である。
成マスクを取り外した状態で、第１のキャパシタ電極１
２と第２のキャパシタ電極１３及び第１の駆動用固定電
極１６とを被覆する絶縁体５１を形成する。絶縁体５１
は、例えば樹脂フィルムを絶縁基板１１の主面１１ａ上
に接合したり、所定の抜きパターンが形成されたマスク
を配置して絶縁ペーストを塗布する等の方法によって形
成される。絶縁体５１は、第１のキャパシタ電極１２と
第２のキャパシタ電極１３及び第１の駆動用固定電極１
６の全体を完全被覆する必要は無く、少なくともこれら
各電極とアクチュエータ１４側に形成された導体部１５
や駆動用可動電極部２５との間に介在する大きさを有す
るものであればよい。なお、キャパシタ装置５０は、上
述したように絶縁基板１１側に絶縁体５１を形成するよ
うにしたが、アクチュエータ１４側に絶縁体５１を形成
するようにしてもよいことは勿論である。
【００６６】キャパシタ装置５０の製造工程は、絶縁体
５１の形成工程を施した後に、上述した犠牲層の形成工
程、アクチュエータ１４側の各電極の形成工程、アクチ
ュエータ１４の形成工程、犠牲層の除去工程等を経てキ
ャパシタ装置５０が形成される。なお、絶縁体５１は、
化学エッチング処理を施して犠牲層を除去する場合に同
時にエッチングされないような材料が選択されて形成さ
れる。
５１の形成工程を施した後に、上述した犠牲層の形成工
程、アクチュエータ１４側の各電極の形成工程、アクチ
ュエータ１４の形成工程、犠牲層の除去工程等を経てキ
ャパシタ装置５０が形成される。なお、絶縁体５１は、
化学エッチング処理を施して犠牲層を除去する場合に同
時にエッチングされないような材料が選択されて形成さ
れる。
【００６７】キャパシタ装置５０は、第１のキャパシタ
と第２のキャパシタとを構成する第１のキャパシタ電極
１２及び第２のキャパシタ電極１３と導電体１５及び駆
動用可動電極部２５とが絶縁体５１によって電気的に隔
離された状態となっている。したがって、キャパシタ装
置５０は、衝撃等が加えられた場合でも第１のキャパシ
タ電極１２或いは第２のキャパシタ電極１３と導電体１
５或いは駆動用可動電極部２５とが直接接触することは
無く、過大電流の発生が確実に防止される。また、キャ
パシタ装置５０は、絶縁基板１１の主面１１ａに可動部
１８の内面が当接するまでアクチュエータ１４を駆動す
ることで、第１のキャパシタ及び第２のキャパシタの静
電容量の最大値を絶縁体５１の厚みによって規定するこ
とが可能となる。
と第２のキャパシタとを構成する第１のキャパシタ電極
１２及び第２のキャパシタ電極１３と導電体１５及び駆
動用可動電極部２５とが絶縁体５１によって電気的に隔
離された状態となっている。したがって、キャパシタ装
置５０は、衝撃等が加えられた場合でも第１のキャパシ
タ電極１２或いは第２のキャパシタ電極１３と導電体１
５或いは駆動用可動電極部２５とが直接接触することは
無く、過大電流の発生が確実に防止される。また、キャ
パシタ装置５０は、絶縁基板１１の主面１１ａに可動部
１８の内面が当接するまでアクチュエータ１４を駆動す
ることで、第１のキャパシタ及び第２のキャパシタの静
電容量の最大値を絶縁体５１の厚みによって規定するこ
とが可能となる。
【００６８】第５の実施の形態として図６に示したキャ
パシタ装置６０も、ＭＥＭＳ技術によって微小形状に製
作され、絶縁基板６１と、この絶縁基板６１の主面６１
ａに対してアクチュエータ６２が接離自在に組み付けら
れた基本的な構成について上述したキャパシタ装置１０
と同様とされる。キャパシタ装置６０は、絶縁基板６１
の主面６１ａ上に第１の駆動用固定電極６３と第２の駆
動用固定電極６４とが互いに絶縁を保持されて成膜形成
されているが、これら各電極と絶縁を保持されるキャパ
シタ電極が第１のキャパシタ電極６５乃至第３のキャパ
シタ電極６７とからなる構成に特徴を有している。
パシタ装置６０も、ＭＥＭＳ技術によって微小形状に製
作され、絶縁基板６１と、この絶縁基板６１の主面６１
ａに対してアクチュエータ６２が接離自在に組み付けら
れた基本的な構成について上述したキャパシタ装置１０
と同様とされる。キャパシタ装置６０は、絶縁基板６１
の主面６１ａ上に第１の駆動用固定電極６３と第２の駆
動用固定電極６４とが互いに絶縁を保持されて成膜形成
されているが、これら各電極と絶縁を保持されるキャパ
シタ電極が第１のキャパシタ電極６５乃至第３のキャパ
シタ電極６７とからなる構成に特徴を有している。
【００６９】すなわち、キャパシタ装置６０は、ガラス
基板やセラミック基板或いはシリコン基板からなる横長
矩形の絶縁基板６１が、長さ方向に第１の領域６１ｂと
第２の領域６１ｃとに区分されてなる。絶縁基板６１
は、主面６１ａ上の第１の領域６１ｂ側に、一方側縁に
沿って第１のキャパシタ電極６５乃至第３のキャパシタ
電極６７とが互いに絶縁を保持されて並列に配置されて
形成されている。第１のキャパシタ電極６５乃至第３の
キャパシタ電極６７とは、それぞれ略同一の矩形形状を
呈しており、外周縁に静電容量の取出リード６５ａ乃至
６７ａがそれぞれ引き出し形成されて、例えば図示しな
いインダクタンス素子と組み合わせ接続されることによ
り、可変周波数フィルタや可変周波数発信器を構成す
る。
基板やセラミック基板或いはシリコン基板からなる横長
矩形の絶縁基板６１が、長さ方向に第１の領域６１ｂと
第２の領域６１ｃとに区分されてなる。絶縁基板６１
は、主面６１ａ上の第１の領域６１ｂ側に、一方側縁に
沿って第１のキャパシタ電極６５乃至第３のキャパシタ
電極６７とが互いに絶縁を保持されて並列に配置されて
形成されている。第１のキャパシタ電極６５乃至第３の
キャパシタ電極６７とは、それぞれ略同一の矩形形状を
呈しており、外周縁に静電容量の取出リード６５ａ乃至
６７ａがそれぞれ引き出し形成されて、例えば図示しな
いインダクタンス素子と組み合わせ接続されることによ
り、可変周波数フィルタや可変周波数発信器を構成す
る。
【００７０】絶縁基板６１には、主面６１ａの第１の領
域６１ｂの一方側に位置して第１の駆動用固定電極６３
が成膜形成されている。第１の駆動用固定電極６３は、
一側部に図示しない制御部から供給される駆動電圧が印
加される電圧供給リード６３ａを有している。絶縁基板
６１には、主面６１ａの第２の領域６１ｃの一端側の近
傍で幅方向の略中央部に位置して第２の駆動用固定電極
６４が成膜形成されている。第２の駆動用固定電極６４
は、アクチュエータ６２の固定位置に対応して形成され
ている。第２の駆動用固定電極６４には、一端部に図示
しない制御部から供給される駆動電圧が印加される電圧
供給リード６４ａが形成されている。
域６１ｂの一方側に位置して第１の駆動用固定電極６３
が成膜形成されている。第１の駆動用固定電極６３は、
一側部に図示しない制御部から供給される駆動電圧が印
加される電圧供給リード６３ａを有している。絶縁基板
６１には、主面６１ａの第２の領域６１ｃの一端側の近
傍で幅方向の略中央部に位置して第２の駆動用固定電極
６４が成膜形成されている。第２の駆動用固定電極６４
は、アクチュエータ６２の固定位置に対応して形成され
ている。第２の駆動用固定電極６４には、一端部に図示
しない制御部から供給される駆動電圧が印加される電圧
供給リード６４ａが形成されている。
【００７１】絶縁基板６１には、アクチュエータ６２が
第２の領域６１ｃ側に一端部を固定されて片持ち支持さ
れてなる。アクチュエータ６２は、可撓性を有するとと
もに少なくとも絶縁基板６１との対向表面が絶縁性を有
する基材によって形成されてなる。アクチュエータ６２
は、可動部６８と、アーム部６９及び支持部７０とから
なる。アクチュエータ６２は、支持部７０が、絶縁基板
６１の主面６１ａ上に直接積層形成されて一体化される
矩形板状の固定部７１と、この固定部７１の一側縁に一
体に立ち上がり形成された立上部７２と、この立上部７
２の上端縁から水平に折曲された支点部７３とから構成
されてなる。アクチュエータ６２には、絶縁基板６１と
対向する内面に、導電体７４と駆動電極パターン７５と
が成膜形成されている。駆動電極パターン７５は、駆動
用可動電極部７６と、リード部７７と、立上リード部７
８と、駆動用接続電極部７９とからなる。
第２の領域６１ｃ側に一端部を固定されて片持ち支持さ
れてなる。アクチュエータ６２は、可撓性を有するとと
もに少なくとも絶縁基板６１との対向表面が絶縁性を有
する基材によって形成されてなる。アクチュエータ６２
は、可動部６８と、アーム部６９及び支持部７０とから
なる。アクチュエータ６２は、支持部７０が、絶縁基板
６１の主面６１ａ上に直接積層形成されて一体化される
矩形板状の固定部７１と、この固定部７１の一側縁に一
体に立ち上がり形成された立上部７２と、この立上部７
２の上端縁から水平に折曲された支点部７３とから構成
されてなる。アクチュエータ６２には、絶縁基板６１と
対向する内面に、導電体７４と駆動電極パターン７５と
が成膜形成されている。駆動電極パターン７５は、駆動
用可動電極部７６と、リード部７７と、立上リード部７
８と、駆動用接続電極部７９とからなる。
【００７２】可動部６８は、絶縁基板６１の第１の領域
６１ｂをほぼ全域に亘って覆うに足る大きさの外形を有
する薄厚の矩形板状部からなる。可動部６８は、絶縁基
板６１との対向面が幅方向に２つの領域６８ａ、６８ｂ
に区割りされている。可動部６８には、第１のキャパシ
タ電極６５乃至第３のキャパシタ電極６７とに対応する
第１の領域６８ａに導電体７４が成膜形成されている。
可動部６８には、第１の駆動用固定電極６３に対応する
第２の領域６８ｂに駆動電極パターン７５の駆動用可動
電極部７６が成膜形成されている。
６１ｂをほぼ全域に亘って覆うに足る大きさの外形を有
する薄厚の矩形板状部からなる。可動部６８は、絶縁基
板６１との対向面が幅方向に２つの領域６８ａ、６８ｂ
に区割りされている。可動部６８には、第１のキャパシ
タ電極６５乃至第３のキャパシタ電極６７とに対応する
第１の領域６８ａに導電体７４が成膜形成されている。
可動部６８には、第１の駆動用固定電極６３に対応する
第２の領域６８ｂに駆動電極パターン７５の駆動用可動
電極部７６が成膜形成されている。
【００７３】導電体７４は、第１のキャパシタ電極６５
乃至第３のキャパシタ電極６７に対向してその全体を覆
うに足る大きさの外形を有する矩形形状を呈している。
導電体７４は、後述するように第１のキャパシタ電極６
５乃至第３のキャパシタ電極６７との共通電極板として
作用して、直列に接続された第１のキャパシタ乃至第３
のキャパシタとを構成する。駆動用可動電極部７６も、
第１の駆動用固定電極６３に対向してその全体を覆うに
足る大きさの矩形形状を呈している。駆動用可動電極部
７６は、駆動電極パターン７５を介して図示しない制御
部から駆動電圧が印加されて第１の駆動用固定電極６３
との間に静電気力を生成する。導電体７４と駆動用可動
電極部７６とは、互いに絶縁を保持されている。
乃至第３のキャパシタ電極６７に対向してその全体を覆
うに足る大きさの外形を有する矩形形状を呈している。
導電体７４は、後述するように第１のキャパシタ電極６
５乃至第３のキャパシタ電極６７との共通電極板として
作用して、直列に接続された第１のキャパシタ乃至第３
のキャパシタとを構成する。駆動用可動電極部７６も、
第１の駆動用固定電極６３に対向してその全体を覆うに
足る大きさの矩形形状を呈している。駆動用可動電極部
７６は、駆動電極パターン７５を介して図示しない制御
部から駆動電圧が印加されて第１の駆動用固定電極６３
との間に静電気力を生成する。導電体７４と駆動用可動
電極部７６とは、互いに絶縁を保持されている。
【００７４】アーム部６９は、幅狭とされることによっ
て厚み方向に対して可撓性を有している。アーム部６９
には、絶縁基板６１との対向面に可動部６８に形成され
た駆動用可動電極部７６から引き出されたリード部７７
が長さ方向の全域に亘って成膜形成されている。アーム
部６９は、可動部６８が絶縁基板６１側に接近するよう
にアクチュエータ６２が駆動される際に、蓄勢される弾
性力を低減して小さな動作電圧で大きな変位が得られる
ようにする。
て厚み方向に対して可撓性を有している。アーム部６９
には、絶縁基板６１との対向面に可動部６８に形成され
た駆動用可動電極部７６から引き出されたリード部７７
が長さ方向の全域に亘って成膜形成されている。アーム
部６９は、可動部６８が絶縁基板６１側に接近するよう
にアクチュエータ６２が駆動される際に、蓄勢される弾
性力を低減して小さな動作電圧で大きな変位が得られる
ようにする。
【００７５】支持部７０は、アーム部６９の先端部に一
体に連設され、固定部７１と立上部７２と支点部７３と
が断面を略クランク状を呈して一体に形成されてなる。
支持部７０は、固定部７１の底面が絶縁基板６１の主面
６１ａ上に一体化されることにより、アクチュエータ６
２を片持ち支持する。支持部７０は、立上部２２によっ
て固定部７１と支点部７３、換言すれば可動部６８を絶
縁基板６１の主面６１ａに対して所定の対向間隔に保持
する。支持部７０には、アーム部６９に形成された駆動
電極パターン７５のリード部７７が支点部７３まで延長
され、この延長端に立上部７２の内面に形成した立上リ
ード部７８が連続されて成膜形成されている。支持部７
０には、固定部７１の底面に立上リード部７８と連続す
る駆動用接続電極部７９が成膜形成されている。
体に連設され、固定部７１と立上部７２と支点部７３と
が断面を略クランク状を呈して一体に形成されてなる。
支持部７０は、固定部７１の底面が絶縁基板６１の主面
６１ａ上に一体化されることにより、アクチュエータ６
２を片持ち支持する。支持部７０は、立上部２２によっ
て固定部７１と支点部７３、換言すれば可動部６８を絶
縁基板６１の主面６１ａに対して所定の対向間隔に保持
する。支持部７０には、アーム部６９に形成された駆動
電極パターン７５のリード部７７が支点部７３まで延長
され、この延長端に立上部７２の内面に形成した立上リ
ード部７８が連続されて成膜形成されている。支持部７
０には、固定部７１の底面に立上リード部７８と連続す
る駆動用接続電極部７９が成膜形成されている。
【００７６】アクチュエータ６２は、固定部７１を主面
６１ａ上に一体化されて絶縁基板６１に片持ち支持され
る。アクチュエータ６２は、立上部７２によって対向間
隔を保持されて、可動部６８が絶縁基板６１の第１の領
域６１ｂと対向する。アクチュエータ６２は、可動部６
８の内面に形成された導電体７４が第１のキャパシタ電
極６５乃至第３のキャパシタ電極６７とに跨ってこれら
を覆うようにして対向して第１のキャパシタ乃至第３の
キャパシタを構成する。また、アクチュエータ６２は、
駆動用可動電極部７６が第１の駆動用固定電極６３を覆
うようにして対向するが、駆動電極パターン７５が第１
のキャパシタ電極６５乃至第３のキャパシタ電極６７と
対向されない位置にあり、第１のキャパシタ乃至第３の
キャパシタに影響を及ぼさない構成となっている。
６１ａ上に一体化されて絶縁基板６１に片持ち支持され
る。アクチュエータ６２は、立上部７２によって対向間
隔を保持されて、可動部６８が絶縁基板６１の第１の領
域６１ｂと対向する。アクチュエータ６２は、可動部６
８の内面に形成された導電体７４が第１のキャパシタ電
極６５乃至第３のキャパシタ電極６７とに跨ってこれら
を覆うようにして対向して第１のキャパシタ乃至第３の
キャパシタを構成する。また、アクチュエータ６２は、
駆動用可動電極部７６が第１の駆動用固定電極６３を覆
うようにして対向するが、駆動電極パターン７５が第１
のキャパシタ電極６５乃至第３のキャパシタ電極６７と
対向されない位置にあり、第１のキャパシタ乃至第３の
キャパシタに影響を及ぼさない構成となっている。
【００７７】キャパシタ装置６０には、第１の駆動用固
定電極６５と第２の駆動用固定電極６６に対して図示し
ない制御部から供給される駆動電圧が印加される。キャ
パシタ装置６０は、第２の駆動用固定電極６６に供給さ
れた直流の駆動電圧が、アクチュエータ６２に対してそ
の支持部７０側の駆動用接続電極部７９を入力部として
絶縁基板６１との対向面に引き回し形成された駆動電極
パターン７５を介して可動部６８に形成した駆動用可動
電極部７６に印加される。
定電極６５と第２の駆動用固定電極６６に対して図示し
ない制御部から供給される駆動電圧が印加される。キャ
パシタ装置６０は、第２の駆動用固定電極６６に供給さ
れた直流の駆動電圧が、アクチュエータ６２に対してそ
の支持部７０側の駆動用接続電極部７９を入力部として
絶縁基板６１との対向面に引き回し形成された駆動電極
パターン７５を介して可動部６８に形成した駆動用可動
電極部７６に印加される。
【００７８】キャパシタ装置６０においては、第１の駆
動用固定電極６５と駆動用可動電極部６６との間に静電
気力が生成されて、アクチュエータ６２の可動部６８を
絶縁基板６１側へと吸引する。アクチュエータ６２は、
これによりアーム部６９が弾性変位して可動部６８が絶
縁基板６１側へと接近動作する。アクチュエータ６２
は、この可動部６８の動作に伴ってアーム部６９に次第
に弾性力が蓄勢される。アクチュエータ６２は、第１の
駆動用固定電極６４と駆動用可動電極部７６との間の静
電気力とアーム部６９や立上部７２に蓄勢された弾性力
とがバランスした位置において可動部６８の動作が停止
するとともにこの状態を保持される。
動用固定電極６５と駆動用可動電極部６６との間に静電
気力が生成されて、アクチュエータ６２の可動部６８を
絶縁基板６１側へと吸引する。アクチュエータ６２は、
これによりアーム部６９が弾性変位して可動部６８が絶
縁基板６１側へと接近動作する。アクチュエータ６２
は、この可動部６８の動作に伴ってアーム部６９に次第
に弾性力が蓄勢される。アクチュエータ６２は、第１の
駆動用固定電極６４と駆動用可動電極部７６との間の静
電気力とアーム部６９や立上部７２に蓄勢された弾性力
とがバランスした位置において可動部６８の動作が停止
するとともにこの状態を保持される。
【００７９】キャパシタ装置６０は、上述したアクチュ
エータ６２の動作に伴って可動部６８に形成された導電
体７４と絶縁基板６１に形成された第１のキャパシタ電
極６５乃至第３のキャパシタ電極６７との対向間隔が規
定され、これらによって構成される第１のキャパシタ乃
至第３のキャパシタとの静電容量が変化する。
エータ６２の動作に伴って可動部６８に形成された導電
体７４と絶縁基板６１に形成された第１のキャパシタ電
極６５乃至第３のキャパシタ電極６７との対向間隔が規
定され、これらによって構成される第１のキャパシタ乃
至第３のキャパシタとの静電容量が変化する。
【００８０】キャパシタ装置６０においては、第１の駆
動用固定電極６３と駆動用可動電極部７６との間に生成
される静電気力が印加される駆動電圧の大きさによって
変化することから、アクチュエータ６２の動作量を制御
することが可能である。したがって、キャパシタ装置６
０は、駆動電圧を制御することにより任意の静電容量の
取り出しが可能となる。
動用固定電極６３と駆動用可動電極部７６との間に生成
される静電気力が印加される駆動電圧の大きさによって
変化することから、アクチュエータ６２の動作量を制御
することが可能である。したがって、キャパシタ装置６
０は、駆動電圧を制御することにより任意の静電容量の
取り出しが可能となる。
【００８１】キャパシタ装置６０においては、上述した
各キャパシタ装置と同様に、第１のキャパシタ電極６５
乃至第３のキャパシタ電極６７と導電体７４とによるキ
ャパシタの電気信号系と、第１の駆動用固定電極６３と
駆動用可動電極部７６を有する駆動電極パターン７５と
によるアクチュエータ６２の駆動電気系とが互いに独立
した構造となっている。したがって、キャパシタ装置６
０は、キャパシタの電気信号系に駆動電気系の引回し配
線を有しない構造となっており、第１のキャパシタ乃至
第３のキャパシタに対する引回し配線による寄生インダ
クタンスが低減される。キャパシタ装置６０は、これに
よって第１のキャパシタ乃至第３のキャパシタとに寄生
インダクタンスの影響が低減され、静電容量を可変とす
るとともに全体の共振周波数の低下が抑制されて広周波
数帯域での動作が可能とされるようになる。
各キャパシタ装置と同様に、第１のキャパシタ電極６５
乃至第３のキャパシタ電極６７と導電体７４とによるキ
ャパシタの電気信号系と、第１の駆動用固定電極６３と
駆動用可動電極部７６を有する駆動電極パターン７５と
によるアクチュエータ６２の駆動電気系とが互いに独立
した構造となっている。したがって、キャパシタ装置６
０は、キャパシタの電気信号系に駆動電気系の引回し配
線を有しない構造となっており、第１のキャパシタ乃至
第３のキャパシタに対する引回し配線による寄生インダ
クタンスが低減される。キャパシタ装置６０は、これに
よって第１のキャパシタ乃至第３のキャパシタとに寄生
インダクタンスの影響が低減され、静電容量を可変とす
るとともに全体の共振周波数の低下が抑制されて広周波
数帯域での動作が可能とされるようになる。
【００８２】キャパシタ装置６０においては、上述した
ように第１のキャパシタ電極６５乃至第３のキャパシタ
電極６７と導電体７４とによって第１のキャパシタ乃至
第３のキャパシタとが構成される。キャパシタ装置６０
においては、例えば第２のキャパシタ電極６６を共通電
極として第１のキャパシタ電極６５と第３のキャパシタ
電極６７とをもう一方のキャパシタ電極とすることで、
連動動作する２連の可変キャパシタを構成することも可
能である。
ように第１のキャパシタ電極６５乃至第３のキャパシタ
電極６７と導電体７４とによって第１のキャパシタ乃至
第３のキャパシタとが構成される。キャパシタ装置６０
においては、例えば第２のキャパシタ電極６６を共通電
極として第１のキャパシタ電極６５と第３のキャパシタ
電極６７とをもう一方のキャパシタ電極とすることで、
連動動作する２連の可変キャパシタを構成することも可
能である。
【００８３】また、キャパシタ装置６０においては、上
述したように第１のキャパシタ電極６５乃至第３のキャ
パシタ電極６７がそれぞれ同一形状に形成されてなる。
キャパシタ装置６０においては、例えば第１のキャパシ
タ電極６５乃至第３のキャパシタ電極６７の面積をそれ
ぞれ異にして形成することにより、静電容量を可変とす
るとともにその可変範囲を異にする２連の可変キャパシ
タを構成することも可能である。
述したように第１のキャパシタ電極６５乃至第３のキャ
パシタ電極６７がそれぞれ同一形状に形成されてなる。
キャパシタ装置６０においては、例えば第１のキャパシ
タ電極６５乃至第３のキャパシタ電極６７の面積をそれ
ぞれ異にして形成することにより、静電容量を可変とす
るとともにその可変範囲を異にする２連の可変キャパシ
タを構成することも可能である。
【００８４】さらに、キャパシタ装置６０においては、
上述したように絶縁基板６１の主面６１ａ上に第１のキ
ャパシタ電極６５乃至第３のキャパシタ電極６７を成膜
形成したが、さらに多数個のキャパシタ電極を形成する
ようにしてもよい。勿論、かかるキャパシタ装置は、多
数個のキャパシタ電極に跨って対向する１個の導電体を
アクチュエータに形成するようにしてもよいが、複数個
の導電体をアクチュエータに形成して独立した複数の多
連キャパシタを構成してもよい。かかるキャパシタ装置
は、各キャパシタ電極と導電体とによって多数個の静電
容量を可変とするキャパシタを構成する。
上述したように絶縁基板６１の主面６１ａ上に第１のキ
ャパシタ電極６５乃至第３のキャパシタ電極６７を成膜
形成したが、さらに多数個のキャパシタ電極を形成する
ようにしてもよい。勿論、かかるキャパシタ装置は、多
数個のキャパシタ電極に跨って対向する１個の導電体を
アクチュエータに形成するようにしてもよいが、複数個
の導電体をアクチュエータに形成して独立した複数の多
連キャパシタを構成してもよい。かかるキャパシタ装置
は、各キャパシタ電極と導電体とによって多数個の静電
容量を可変とするキャパシタを構成する。
【００８５】また、かかるキャパシタ装置は、多数個の
キャパシタ電極の特定のキャパシタ電極を共通電極とし
て他をキャパシタ電極とすることにより多連の可変キャ
パシタが構成される。したがって、キャパシタ装置は、
各キャパシタ電極に様々なインダクタ素子を組み合わせ
ることによって、例えば多重可変周波数フィルタや多重
可変周波数発信器或いはヘテロダイン送受信回路等を構
成することが可能となる。
キャパシタ電極の特定のキャパシタ電極を共通電極とし
て他をキャパシタ電極とすることにより多連の可変キャ
パシタが構成される。したがって、キャパシタ装置は、
各キャパシタ電極に様々なインダクタ素子を組み合わせ
ることによって、例えば多重可変周波数フィルタや多重
可変周波数発信器或いはヘテロダイン送受信回路等を構
成することが可能となる。
【００８６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明にか
かる容量可変型キャパシタ装置によれば、主面上に少な
くとも２個のキャパシタ電極が成膜形成された絶縁基板
に対して各キャパシタ電極に跨る大きさを有する導電体
を成膜形成したアクチュエータを駆動手段によって接離
動作させることにより、各キャパシタ電極と導電体との
対向間隔を調整して静電容量を可変としたキャパシタを
構成する。したがって、容量可変型キャパシタ装置によ
れば、可動体側の導電体に対する電気配線が不要となる
ことから寄生インダクタンスの影響が低減され、全体の
共振周波数の低下が抑制されて広周波数帯域での動作が
可能とされるキャパシタが構成される。
かる容量可変型キャパシタ装置によれば、主面上に少な
くとも２個のキャパシタ電極が成膜形成された絶縁基板
に対して各キャパシタ電極に跨る大きさを有する導電体
を成膜形成したアクチュエータを駆動手段によって接離
動作させることにより、各キャパシタ電極と導電体との
対向間隔を調整して静電容量を可変としたキャパシタを
構成する。したがって、容量可変型キャパシタ装置によ
れば、可動体側の導電体に対する電気配線が不要となる
ことから寄生インダクタンスの影響が低減され、全体の
共振周波数の低下が抑制されて広周波数帯域での動作が
可能とされるキャパシタが構成される。
【００８７】また、容量可変型キャパシタ装置によれ
ば、絶縁基板の主面上に各キャパシタ電極とともにこれ
らと絶縁を保持して駆動用固定電極を成膜形成しかつア
クチュエータ側に導電体とともにこれと絶縁を保持して
駆動用可動電極を成膜形成してなり、駆動用固定電極と
駆動用可動電極との間に生成される静電気力によってア
クチュエータを駆動するように構成される。したがっ
て、容量可変型キャパシタ装置によれば、駆動用固定電
極と駆動用可動電極とに印可する駆動電圧によってアー
クチュエータを高精度に位置決めして駆動することか
ら、低消費電力化が図られるとともに精度の高いキャパ
シタが構成されるようになる。また、容量可変型キャパ
シタ装置によれば、キャパシタ用の電気信号系とアクチ
ュエータの駆動用の電気信号系とが互いに電気的に絶縁
されることから、微小な間隔で形成される可変キャパシ
タを利用する電気信号系と駆動信号系との相互干渉が低
減されて高精度のキャパシタが構成される。
ば、絶縁基板の主面上に各キャパシタ電極とともにこれ
らと絶縁を保持して駆動用固定電極を成膜形成しかつア
クチュエータ側に導電体とともにこれと絶縁を保持して
駆動用可動電極を成膜形成してなり、駆動用固定電極と
駆動用可動電極との間に生成される静電気力によってア
クチュエータを駆動するように構成される。したがっ
て、容量可変型キャパシタ装置によれば、駆動用固定電
極と駆動用可動電極とに印可する駆動電圧によってアー
クチュエータを高精度に位置決めして駆動することか
ら、低消費電力化が図られるとともに精度の高いキャパ
シタが構成されるようになる。また、容量可変型キャパ
シタ装置によれば、キャパシタ用の電気信号系とアクチ
ュエータの駆動用の電気信号系とが互いに電気的に絶縁
されることから、微小な間隔で形成される可変キャパシ
タを利用する電気信号系と駆動信号系との相互干渉が低
減されて高精度のキャパシタが構成される。
【図１】本発明の第１の実施の形態として示す容量可変
型キャパシタ装置であり、同図（Ａ）は要部斜視図、同
図（Ｂ）は要部側面図である。
型キャパシタ装置であり、同図（Ａ）は要部斜視図、同
図（Ｂ）は要部側面図である。
【図２】第２の実施の形態として示す容量可変型キャパ
シタ装置の要部斜視図である。
シタ装置の要部斜視図である。
【図３】同容量可変型キャパシタ装置の要部分解斜視図
である。
である。
【図４】第３の実施の形態として示す容量可変型キャパ
シタ装置の要部斜視図である。
シタ装置の要部斜視図である。
【図５】第４の実施の形態として示す容量可変型キャパ
シタ装置であり、同図（Ａ）はアクチュエータを取り外
した状態の要部斜視図、同図（Ｂ）は要部縦断面図であ
る。
シタ装置であり、同図（Ａ）はアクチュエータを取り外
した状態の要部斜視図、同図（Ｂ）は要部縦断面図であ
る。
【図６】第５の実施の形態として示す容量可変型キャパ
シタ装置の要部分解斜視図である。
シタ装置の要部分解斜視図である。
【図７】従来の容量可変型キャパシタ装置であり、同図
（Ａ）は要部斜視図、同図（Ｂ）は幅方向の要部縦断面
図、同図（Ｃ）は長さ方向の要部縦断面図である。
（Ａ）は要部斜視図、同図（Ｂ）は幅方向の要部縦断面
図、同図（Ｃ）は長さ方向の要部縦断面図である。
１ キャパシタ装置、２ 絶縁基板、３ 第１のキャパ
シタ電極、４ 第２のキャパシタ電極、５ アクチュエ
ータ、６ 導電体、７ 駆動部、８ 犠牲層、１０ キ
ャパシタ装置、１１ 絶縁基板、１２ 第１のキャパシ
タ電極、１３第２のキャパシタ電極、１４ アクチュエ
ータ、１５ 導電体、１６ 第１の駆動用固定電極、１
７ 第２の駆動用固定電極、１８ 可動部、１９ アー
ム部、２０ 支持部、２４ 駆動電極パターン、２５
駆動用可動電極部、２８ 駆動用接続電極部、３０ キ
ャパシタ装置、３１ アクチュエータ、３２ 導電体、
３３ 駆動電極パターン、３４ 可動部、３５ アーム
部、３６ 支持部、３７駆動用可動電極部、５０ キャ
パシタ装置、５１ 絶縁体、６０ キャパシタ装置、６
１ 絶縁基板、６２ アクチュエータ、６３ 第１の駆
動用固定電極、６４ 第２の駆動用固定電極、６５ 第
１のキャパシタ電極、６６ 第２のキャパシタ電極、６
７ 第３のキャパシタ電極、６８ 可動部、６９ アー
ム部、７０ 支持部、７４ 導電体、７４ 駆動電極パ
ターン、７６ 駆動用可動電極部
シタ電極、４ 第２のキャパシタ電極、５ アクチュエ
ータ、６ 導電体、７ 駆動部、８ 犠牲層、１０ キ
ャパシタ装置、１１ 絶縁基板、１２ 第１のキャパシ
タ電極、１３第２のキャパシタ電極、１４ アクチュエ
ータ、１５ 導電体、１６ 第１の駆動用固定電極、１
７ 第２の駆動用固定電極、１８ 可動部、１９ アー
ム部、２０ 支持部、２４ 駆動電極パターン、２５
駆動用可動電極部、２８ 駆動用接続電極部、３０ キ
ャパシタ装置、３１ アクチュエータ、３２ 導電体、
３３ 駆動電極パターン、３４ 可動部、３５ アーム
部、３６ 支持部、３７駆動用可動電極部、５０ キャ
パシタ装置、５１ 絶縁体、６０ キャパシタ装置、６
１ 絶縁基板、６２ アクチュエータ、６３ 第１の駆
動用固定電極、６４ 第２の駆動用固定電極、６５ 第
１のキャパシタ電極、６６ 第２のキャパシタ電極、６
７ 第３のキャパシタ電極、６８ 可動部、６９ アー
ム部、７０ 支持部、７４ 導電体、７４ 駆動電極パ
ターン、７６ 駆動用可動電極部
Claims (11)
- 【請求項１】 主面上に少なくとも２個のキャパシタ電
極が互いに絶縁を保持されて形成された絶縁基板と、
絶縁材によって形成され、主面に上記各キャパシタ電極
に跨る外形を有してこれらキャパシタ電極との間にそれ
ぞれキャパシタを構成する共通の導電体が形成されたア
クチュエータと、 上記アクチュエータを上記絶縁基板の主面に対して接離
動作させる駆動手段とを備え、 上記アクチュエータが上記駆動手段によって上記絶縁基
板との対向間隔を調整して駆動されることにより、上記
各キャパシタの容量調整が行われることを特徴とする容
量可変型キャパシタ装置。 - 【請求項２】 上記駆動手段が、上記絶縁基板の主面上
に上記キャパシタ電極と絶縁を保持されて形成された駆
動用固定電極と、上記アクチュエータに上記導電体と絶
縁を保持されて上記駆動用電極に対応して形成された駆
動用可動電極とから構成され、 駆動電圧の印加により上記駆動用固定電極と上記駆動用
可動電極との間に生じる静電気力によって上記アクチュ
エータが駆動されることを特徴とする請求項１に記載の
容量可変型キャパシタ装置。 - 【請求項３】 上記駆動手段が、 上記絶縁基板の主面上に上記キャパシタ電極と絶縁を保
持されてそれぞれ形成された第１の駆動用固定電極及び
第２の駆動用固定電極と、 上記アクチュエータに上記導電体と絶縁を保持されてそ
れぞれ形成された上記第１の駆動用固定電極と対向する
駆動用可動電極部と、上記第２の駆動用固定電極と接続
される駆動用接続電極部と、これら駆動用可動電極部と
駆動用接続電極部とを接続するリード部とから構成さ
れ、 駆動電圧の印加により上記第１の駆動用固定電極と上記
駆動用可動電極部との間に生じる静電気力によって上記
アクチュエータが駆動されることを特徴とする請求項１
に記載の容量可変型キャパシタ装置。 - 【請求項４】 上記各キャパシタ電極が絶縁材によって
被覆されるとともに、上記導電体が上記絶縁基板の主面
と対向する上記アクチュエータの主面に形成されること
を特徴とする請求項１に記載の容量可変型キャパシタ装
置。 - 【請求項５】 上記導電体が、上記絶縁基板との対向主
面と反対側の上記アクチュエータの主面に形成されるこ
とを特徴とする請求項１に記載の容量可変型キャパシタ
装置。 - 【請求項６】 上記アクチュエータが、上記絶縁基板の
主面上に固定される支持部と、この支持部を支点として
上記絶縁基板に対して接離される可動部と、上記支持部
と上記可動部との間を一体に連結する幅狭のアーム部と
からなることを特徴とする請求項１に記載の容量可変型
キャパシタ装置。 - 【請求項７】 上記アクチュエータが、上記絶縁基板の
主面上に固定される支持部と、この支持部を支点として
上記絶縁基板に対して接離される可動部とから構成さ
れ、 上記支持部が上記可動部の一側部に形成されて上記絶縁
基板に対して片持ち支持されることを特徴とする請求項
１に記載の容量可変型キャパシタ装置。 - 【請求項８】 上記アクチュエータが、上記絶縁基板の
主面上に固定される支持部と、この支持部を支点として
上記絶縁基板に対して接離される可動部とから構成さ
れ、 上記支持部が上記可動部の両側部に形成されて上記絶縁
基板に対して両持ち支持されることを特徴とする請求項
１に記載の容量可変型キャパシタ装置。 - 【請求項９】 上記絶縁基板に少なくとも３個以上のキ
ャパシタ電極が形成され、 いずれか１個のキャパシタ電極を共通電極として他のキ
ャパシタ電極とによりキャパシタを構成することによ
り、上記可動電極とによって互いに連動動作する多連キ
ャパシタを構成することを特徴とする請求項１に記載の
容量可変型キャパシタ装置。 - 【請求項１０】 上記絶縁基板に少なくとも３個以上の
キャパシタ電極が形成されるとともに上記アクチュエー
タに互いに絶縁を保持されて少なくとも２個以上の可動
電極が形成され、 いずれか２個以上の上記キャパシタ電極を共通電極とし
て他のキャパシタ電極とによりキャパシタ電極を構成し
て上記稼働電極とによって互いに連動動作する多連キャ
パシタを構成することを特徴とする請求項１に記載の容
量可変型キャパシタ装置。 - 【請求項１１】 上記各キャパシタ電極が、それぞれ面
積を異にして形成されることを特徴とする請求項１又は
請求項９、１０のいずれか１項に記載の容量可変型キャ
パシタ装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001321026A JP3890952B2 (ja) | 2001-10-18 | 2001-10-18 | 容量可変型キャパシタ装置 |
| KR10-2003-7008067A KR20040049295A (ko) | 2001-10-18 | 2002-10-09 | 용량 가변형 캐패시터 장치 |
| PCT/JP2002/010485 WO2003034452A1 (fr) | 2001-10-18 | 2002-10-09 | Condensateur a capacitance variable |
| US10/450,867 US6885537B2 (en) | 2001-10-18 | 2002-10-09 | Capacitor apparatus of the capacity variable type |
| CNB028031881A CN1316525C (zh) | 2001-10-18 | 2002-10-09 | 电容可变型的电容器装置 |
| US11/104,908 US7002787B2 (en) | 2001-10-18 | 2005-04-13 | Capacitor apparatus of the capacity variable type |
| US11/107,002 US6970340B2 (en) | 2001-10-18 | 2005-04-14 | Capacitor apparatus of the capacity variable type |
| US11/112,686 US6961228B2 (en) | 2001-10-18 | 2005-04-23 | Capacitor apparatus of the capacity variable type |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001321026A JP3890952B2 (ja) | 2001-10-18 | 2001-10-18 | 容量可変型キャパシタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003124063A true JP2003124063A (ja) | 2003-04-25 |
| JP3890952B2 JP3890952B2 (ja) | 2007-03-07 |
Family
ID=19138320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001321026A Expired - Fee Related JP3890952B2 (ja) | 2001-10-18 | 2001-10-18 | 容量可変型キャパシタ装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US6885537B2 (ja) |
| JP (1) | JP3890952B2 (ja) |
| KR (1) | KR20040049295A (ja) |
| CN (1) | CN1316525C (ja) |
| WO (1) | WO2003034452A1 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007096940A1 (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Fujitsu Limited | 半導体回路 |
| JP2007533186A (ja) * | 2004-04-06 | 2007-11-15 | セイコーエプソン株式会社 | マイクロフラップ型ナノ・マイクロ機械素子、及びその製造方法 |
| WO2008053704A1 (fr) * | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Advantest Corporation | Elément à capacité variable, résonateur et modulateur |
| JP2009521128A (ja) * | 2005-12-22 | 2009-05-28 | エヌエックスピー ビー ヴィ | 直列接続されたキャパシタを有するｍｅｍｓデバイス装置 |
| JP2011066156A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | Ｍｅｍｓデバイス |
| EP2365495A1 (en) | 2010-03-11 | 2011-09-14 | Fujitsu Limited | MEMS Device |
| WO2012056889A1 (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | 株式会社村田製作所 | 可変容量装置 |
| JP2012531122A (ja) * | 2009-06-19 | 2012-12-06 | クアルコム，インコーポレイテッド | キャビティ内の調整可能なｍｅｍｓ共振器 |
| KR101262606B1 (ko) | 2011-11-24 | 2013-05-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 커패시터 및 이의 제조방법 |
| JP2013211650A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Seiko Epson Corp | Ｍｅｍｓ振動子およびｍｅｍｓ振動子の製造方法 |
| JP2015219294A (ja) * | 2014-05-15 | 2015-12-07 | 日本電信電話株式会社 | 光変調装置 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100540820B1 (ko) * | 2004-01-12 | 2006-01-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 인버터의 커패시턴스 가변 방법 |
| KR100549003B1 (ko) * | 2004-02-04 | 2006-02-02 | 삼성전자주식회사 | 넓은 튜닝 범위를 갖는 멤스 튜너블 커패시터 및 그것을제조하는 방법 |
| WO2005117042A1 (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Fujitsu Limited | 可変キャパシタ及びその製造方法 |
| US7657242B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-02-02 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Selectable capacitance circuit |
| US7653371B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-01-26 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Selectable capacitance circuit |
| US7345867B2 (en) * | 2005-11-18 | 2008-03-18 | Alps Electric Co., Ltd | Capacitive pressure sensor and method of manufacturing the same |
| US7907033B2 (en) * | 2006-03-08 | 2011-03-15 | Wispry, Inc. | Tunable impedance matching networks and tunable diplexer matching systems |
| US7454967B2 (en) * | 2006-07-10 | 2008-11-25 | Lv Sensors, Inc. | Signal conditioning methods and circuits for a capacitive sensing integrated tire pressure sensor |
| JP4910679B2 (ja) * | 2006-12-21 | 2012-04-04 | 株式会社ニコン | 可変キャパシタ、可変キャパシタ装置、高周波回路用フィルタ及び高周波回路 |
| KR100947942B1 (ko) * | 2007-12-10 | 2010-03-15 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 캐패시터, 그 형성 방법 |
| JP2011018831A (ja) * | 2009-07-10 | 2011-01-27 | Toshiba Corp | 可変容量素子 |
| JP2011044556A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Toshiba Corp | プログラマブルアクチュエータ及びそのプログラミング方法 |
| JP5338615B2 (ja) * | 2009-10-27 | 2013-11-13 | 富士通株式会社 | 可変容量デバイスおよび可変容量素子の駆動方法 |
| WO2011058826A1 (ja) * | 2009-11-11 | 2011-05-19 | 株式会社村田製作所 | 可変容量装置 |
| CN102725808B (zh) * | 2010-01-28 | 2016-01-20 | 株式会社村田制作所 | 可变电容装置 |
| JP5423816B2 (ja) * | 2010-02-08 | 2014-02-19 | 株式会社村田製作所 | 可変容量素子 |
| JP5569689B2 (ja) * | 2010-10-15 | 2014-08-13 | ソニー株式会社 | 可変容量装置、アンテナモジュールおよび通信装置 |
| KR101359578B1 (ko) * | 2012-06-27 | 2014-02-12 | 한국과학기술원 | 멤즈 가변 커패시터 |
| KR101393787B1 (ko) * | 2012-06-29 | 2014-05-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 커패시터 및 이의 제조방법 |
| JP6515677B2 (ja) * | 2014-07-24 | 2019-05-22 | ソニー株式会社 | コンタクト構造体、及び該コンタクト構造体を用いた生体試料用電気的測定装置 |
| JP2016059191A (ja) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | ソニー株式会社 | 静電型デバイス |
| CN105712290B (zh) * | 2014-12-04 | 2017-09-29 | 无锡华润上华半导体有限公司 | Mems静电驱动器的制作方法 |
| CN109081302B (zh) * | 2018-07-13 | 2020-10-16 | 潍坊歌尔微电子有限公司 | 一种微通道加工方法、微通道 |
| CN111750905B (zh) * | 2019-03-29 | 2023-05-09 | 财团法人工业技术研究院 | 可调整感应电容值的微机电感测装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5557495A (en) * | 1994-09-29 | 1996-09-17 | Harris Corporation | Variable capacitor and method |
| JPH0982569A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-03-28 | Murata Mfg Co Ltd | 可変容量コンデンサ |
| JPH09153436A (ja) * | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Murata Mfg Co Ltd | 可変容量コンデンサ |
| US5982608A (en) * | 1998-01-13 | 1999-11-09 | Stmicroelectronics, Inc. | Semiconductor variable capacitor |
| US6242989B1 (en) * | 1998-09-12 | 2001-06-05 | Agere Systems Guardian Corp. | Article comprising a multi-port variable capacitor |
| US6396677B1 (en) * | 2000-05-17 | 2002-05-28 | Xerox Corporation | Photolithographically-patterned variable capacitor structures and method of making |
| US6377438B1 (en) * | 2000-10-23 | 2002-04-23 | Mcnc | Hybrid microelectromechanical system tunable capacitor and associated fabrication methods |
| US6856499B2 (en) * | 2003-03-28 | 2005-02-15 | Northrop Gurmman Corporation | MEMS variable inductor and capacitor |
-
2001
- 2001-10-18 JP JP2001321026A patent/JP3890952B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-10-09 US US10/450,867 patent/US6885537B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-10-09 CN CNB028031881A patent/CN1316525C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-10-09 KR KR10-2003-7008067A patent/KR20040049295A/ko active IP Right Grant
- 2002-10-09 WO PCT/JP2002/010485 patent/WO2003034452A1/ja active Application Filing
-
2005
- 2005-04-13 US US11/104,908 patent/US7002787B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-04-14 US US11/107,002 patent/US6970340B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-04-23 US US11/112,686 patent/US6961228B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007533186A (ja) * | 2004-04-06 | 2007-11-15 | セイコーエプソン株式会社 | マイクロフラップ型ナノ・マイクロ機械素子、及びその製造方法 |
| US7705693B2 (en) | 2004-04-06 | 2010-04-27 | Seiko Epson Corporation | μ-Flap type nano/micro mechanical device and fabrication method thereof |
| US8194386B2 (en) | 2005-12-22 | 2012-06-05 | Epcos Ag | Arrangement of MEMS devices having series coupled capacitors |
| JP2009521128A (ja) * | 2005-12-22 | 2009-05-28 | エヌエックスピー ビー ヴィ | 直列接続されたキャパシタを有するｍｅｍｓデバイス装置 |
| US7750740B2 (en) | 2006-02-20 | 2010-07-06 | Fujitsu Limited | Semiconductor circuit |
| WO2007096940A1 (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Fujitsu Limited | 半導体回路 |
| JP2008117813A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-22 | Advantest Corp | 可変容量素子、共振器および変調器 |
| US7965491B2 (en) | 2006-10-31 | 2011-06-21 | Advantest Corporation | Variable capacitor, resonator and modulator |
| WO2008053704A1 (fr) * | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Advantest Corporation | Elément à capacité variable, résonateur et modulateur |
| JP2015136162A (ja) * | 2009-06-19 | 2015-07-27 | クアルコム，インコーポレイテッド | キャビティ内の調整可能なｍｅｍｓ共振器 |
| US8981875B2 (en) | 2009-06-19 | 2015-03-17 | Qualcomm Incorporated | Tunable MEMS resonators |
| JP2012531122A (ja) * | 2009-06-19 | 2012-12-06 | クアルコム，インコーポレイテッド | キャビティ内の調整可能なｍｅｍｓ共振器 |
| JP2011066156A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | Ｍｅｍｓデバイス |
| US8508910B2 (en) | 2010-03-11 | 2013-08-13 | Fujitsu Limited | MEMS device |
| EP2365495A1 (en) | 2010-03-11 | 2011-09-14 | Fujitsu Limited | MEMS Device |
| WO2012056889A1 (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | 株式会社村田製作所 | 可変容量装置 |
| WO2013077544A1 (en) * | 2011-11-24 | 2013-05-30 | Lg Innotek Co., Ltd. | Capacitor and method of fabricating the same |
| KR101262606B1 (ko) | 2011-11-24 | 2013-05-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 커패시터 및 이의 제조방법 |
| US9455090B2 (en) | 2011-11-24 | 2016-09-27 | Lg Innotek Co., Ltd. | Capacitor and method of fabricating the same |
| JP2013211650A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Seiko Epson Corp | Ｍｅｍｓ振動子およびｍｅｍｓ振動子の製造方法 |
| JP2015219294A (ja) * | 2014-05-15 | 2015-12-07 | 日本電信電話株式会社 | 光変調装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2003034452A1 (fr) | 2003-04-24 |
| US6885537B2 (en) | 2005-04-26 |
| JP3890952B2 (ja) | 2007-03-07 |
| US6970340B2 (en) | 2005-11-29 |
| US7002787B2 (en) | 2006-02-21 |
| KR20040049295A (ko) | 2004-06-11 |
| US6961228B2 (en) | 2005-11-01 |
| CN1316525C (zh) | 2007-05-16 |
| CN1476619A (zh) | 2004-02-18 |
| US20050254195A1 (en) | 2005-11-17 |
| US20050190526A1 (en) | 2005-09-01 |
| US20050180089A1 (en) | 2005-08-18 |
| US20040075158A1 (en) | 2004-04-22 |
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