KR100540820B1 - 인버터의 커패시턴스 가변 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 인버터의 커패시턴스 가변 방법에 관한 것으로, 상세하게는 PCB와, 상기 PCB의 상면에 형성되는 트랜스포머와, 상기 PCB의 상면의 일끝단에 형성되는 커넥터와, 상기 트랜스포머의 출력단과 상기 커넥터 사이에서 사각 형태로 인쇄되며, 상기 트랜스포머의 출력단과 상기 커넥터와 각각 전기적으로 접속되는 제 1패턴을 포함하는 인버터의 제조 방법에 있어서, 상기 제 1패턴과 대응하도록 상기 PCB의 하면에 제 2패턴을 형성하되, 가로 방향 또는 세로 방향으로 복수로 분리시켜 형성하며, 각각 분리하고 결선에 의한 전기적 접속이 가능하도록 패드를 형성하는 것을 특징으로 한다.
따라서 상기와 같이 이루어진 본 발명에 따르면 공진 포인트가 이동된 경우에도 공진 주파수와의 매칭이 정확히 이루어질 수 있다.
인버터, PCB, 패턴, 공진 포인트, 이동, 면적, 가변

Description

인버터의 커패시턴스 가변 방법{CAPACITANCE VARIABLE METHOD OF INVERTER}
도 1은 종래의 인버터 구성을 개략적으로 나타낸 평면도
도 2는 도 1의 저면도
도 3은 도 1의 측면도
도 4는 본 발명에 따른 인버터의 커패시턴스 가변 방법이 적용된 인버터 구성을 개략적으로 나타낸 평면도
도 5는 도 4의 저면도
도 6은 도 4의 측면도
<도면중 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 인버터 110 : PCB
120 : 트랜스포머 130 : 커넥터
140 : 제 1패턴 150 : 제 2패턴
151 : 패드
본 발명은 인버터에 관한 것으로, 상세하게는 임의적으로 커패시턴스를 변경 시킬 수 있는 인버터의 커패시턴스 가변 방법에 관한 것이다.
일반적으로 인버터는 TFT LCD 패널의 백라이트(back light)를 점등시키고 백라이트의 점등을 안정시키는 회로를 말한다.
이러한 인버터는 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이 수동소자인 커패시터를 대체하기 위해 PCB 고유의 유전율을 이용하는 패턴 커패시터가 사용되는데, 이를 보다 상세하게 살펴보면, 전자부품이 실장되는 PCB(11)의 상면에서 트랜스포머(12)의 출력단과 전압을 공급하는 커넥터(13) 사이에 사각 형태의 제 1패턴(14)이 인쇄되고, 제 1패턴(14)은 트랜스포머(12)의 출력단과 커넥터(13)와 각각 전기적으로 접속된다.
그리고 제 1패턴(14)과 대응되도록 PCB(11)의 하면에 이와 동일한 형태 및 크기의 제 2패턴(15)이 인쇄되고, 제 1패턴(14)과 제 2패턴(15) 사이에 커패시턴스가 형성되어 커패시터로 동작하게 된다. 도면중 미설명 부호인 16는 PCB의 일반 패턴이다.
이때 제 1패턴(14)과 제 2패턴(15)으로 이루어진 커패시터의 커패시턴스는 아래의 수학식 1과 같다.
Figure 112004001067990-pat00001
한편 인버터와 구동 주파수는 아래의 수학식 2와 같이 트랜스포머(120)의 출력측 인덕턴스와 제 1패턴(140)과 제 2패턴(150)으로 구성된 커패시터의 커패시턴스에 의해 형성되는 데, 공진 주파수와 매칭되어야만 효율 및 그 외 특성이 양호하게 나타난다.
Figure 112004001067990-pat00002
그러나 종래의 인버터에서는 패턴 커패시터의 면적이 일정하기 때문에 트랜스포머의 공차에 의해 공진 포인트가 이동된 경우 커패시턴스를 가변이 불가능하기 때문에 공진 주파수와의 매칭이 정확히 이루어지지 않아 효율 및 특성이 저하되는 문제점이 있다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 공진 포인트가 이동된 경우에도 공진 주파수와의 매칭이 정확히 이루어지도록 하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은,
PCB와, 상기 PCB의 상면에 형성되는 트랜스포머와, 상기 PCB의 상면의 일끝단에 형성되는 커넥터와, 상기 트랜스포머의 출력단과 상기 커넥터 사이에서 사각 형태로 인쇄되며, 상기 트랜스포머의 출력단과 상기 커넥터와 각각 전기적으로 접속되는 제 1패턴을 포함하는 인버터의 제조 방법에 있어서,
상기 제 1패턴과 대응하도록 상기 PCB의 하면에 제 2패턴을 형성하되, 가로 방향 또는 세로 방향으로 복수로 분리시켜 형성하며, 각각 분리하고 결선에 의한 전기적 접속이 가능하도록 패드를 형성하는 것을 특징으로 한다.
여기에서 상기 제 2패턴은,
길이를 기준으로 중앙부까지는 하나의 넓은 형태로 형성하고, 중앙부에서 나머지 부분을 동일한 폭으로 분리시킨다.
여기에서 또한 상기 제 2패턴은,
길이를 기준으로 중앙부까지는 하나의 넓은 형태로 형성하고, 중앙부에서 외측으로 갈수록 폭이 좁아지는 형태로 분리시킨다.
이하, 본 발명이 적용된 인버터의 구성을 도 4 내지 도 6을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명에 따른 인버터의 커패시턴스 가변 방법이 적용된 인버터 구성을 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 5는 도 4의 저면도이며, 도 6은 도 4의 측면도이다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 인버터(100)는, PCB(110)와, 커넥터(130)와, 트랜스포머(120)와, 제 1패턴(140)과, 제 2패턴(150)으로 구성된다. 도면중 미설명 부호인 160은 PCB의 일반 패턴이다.
PCB(110)는 각종 전자부품이 실장된다.
트랜스포머(120)는 전원을 승압하도록 PCB(110)의 상면에 형성된다.
커넥터(130)는 트랜스포머(120)로 전원을 공급하도록 PCB(110)의 상면의 일끝단에 형성된다.
제 1패턴(140)은 트랜스포머(120)의 출력단과 커넥터(130) 사이에서 사각 형태로 인쇄되며, 트랜스포머(120)의 출력단과 커넥터(130)와 각각 전기적으로 접속된다.
제 2패턴(150)은 제 1패턴(140)과 대응하도록 PCB(110)의 하면에 이와 동일한 형태 및 동일한 크기로 형성하되, 내부에서 가로 방향 또는 세로 방향으로 복수 로 분리시켜 형성하며, 각각 분리된 곳에 납땜에 의한 전기적 접속이 가능하도록 각각 패드(151)를 형성한다. 여기에서 제 2패턴(150)은 길이를 기준으로 중앙부까지는 하나의 넓은 형태로 형성하고, 중앙부에서 나머지 부분을 동일한 폭으로 분리시킬 수도 있고, 또는 다른 형태로 길이를 기준으로 중앙부까지는 도 5에 도시된 바와 같이 하나의 넓은 형태로 형성하고, 중앙부에서 외측으로 갈수록 폭이 좁아지는 형태로 분리시킬 수도 있다.
이하 본 발명에 따른 인버터의 커패시턴스 가변 방법을 도 4 내지 도 6을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
먼저 기본적인 동작시 트랜스포머(120)의 인덕턴스가 대표 값에 있을 때는 제 2패턴(150)을 기본값(일정 개수만 분리 상태로 놓고, 나머지는 패드(151)를 통해 납땜을 연결시킨 상태)으로 하여 커패시턴스를 중간으로 설정한다.
그리고 트랜스포머(120)의 인덕턴스가 대표 값보다 높을 때는 제 2패턴(150)중 몇몇 패드(151)에 납땜을 제거하여 제 2패턴(150)의 전체 면적을 줄여 커패시턴스를 감소시키고, 반대로 트랜스포머(120)의 인덕턴스가 대표 값보다 낮을 때는 제 2패턴(150)중 몇몇 패드(151)에 납땜을 하여 제 2패턴(150)의 전체 면적을 늘여 커패시턴스를 증가시킨다.
따라서 공진 포인트의 이동 여부에 따라 패턴의 면적을 가변하여 커패시턴스를 가변시킬 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 인버터의 커패시턴스 가변 방법 에 의하면, 공진 포인트가 이동된 경우에도 공진 주파수와의 매칭이 정확히 이루어질 수 있다.

Claims (3)

  1. PCB와, 상기 PCB의 상면에 형성되는 트랜스포머와, 상기 PCB의 상면의 일끝단에 형성되는 커넥터와, 상기 트랜스포머의 출력단과 상기 커넥터 사이에서 사각 형태로 인쇄되며, 상기 트랜스포머의 출력단과 상기 커넥터와 각각 전기적으로 접속되는 제 1패턴을 포함하는 인버터의 제조 방법에 있어서,
    상기 제 1패턴과 대응하도록 상기 PCB의 하면에 제 2패턴을 형성하되, 가로 방향 또는 세로 방향으로 복수로 분리시켜 형성하며, 각각 분리하고 결선에 의한 전기적 접속이 가능하도록 패드를 형성하는 것을 특징으로 하는 인버터의 커패시턴스 가변 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2패턴은,
    길이를 기준으로 중앙부까지는 하나의 넓은 형태로 형성하고, 중앙부에서 나머지 부분을 동일한 폭으로 분리시키는 것을 특징으로 하는 인버터의 커패시턴스 가변 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2패턴은,
    길이를 기준으로 중앙부까지는 하나의 넓은 형태로 형성하고, 중앙부에서 외 측으로 갈수록 폭이 좁아지는 형태로 분리시키는 것을 특징으로 하는 인버터의 커패시턴스 가변 방법.
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