JP2013211650A - Mems振動子およびmems振動子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板500と、基板500の上方に形成される第1電極10と、基板500の上方に形成されたアンカー部21、第1電極10の上方に配置されたビーム部22、および基板500の上方に立ち上がりアンカー部21とビーム部22とを連結する連結部23と、を有する第2電極20と、を含み、連結部23と基板500との間に連結部23を支持するサイドウォール部24が備えられている。
【選択図】図1
Description
MEMS振動子100は、第1電極10及び第2電極20から構成されている。
第1電極10は、基板500に固定配置されており、第2電極20は、基板500に固定配置されたアンカー部21、及び、第1電極10にギャップ25を介して対向配置されたビーム部22、及びアンカー部21とビーム部22を結合させている連結部23から構成されている。
本実施形態は、MEMS振動子のひとつの形態である、いわゆるフラップ振動子またはマイクロフラップ振動子の構造に関するものである。
実施形態1の平面図は図9に示される従来構造と同様であり、図1は図9のX−X断面方向にカットした断面図に相当する。
MEMS振動子1の基板500上には誘電膜400が配置されており、第1電極10は、誘電膜400上に固定配置されている。第2電極20は、誘電膜400上に固定配置されたアンカー部21及び、第1電極10にギャップ25を介して対向配置されたビーム部22、及びアンカー部21とビーム部22を連結させている連結部23を備えている。そして、第2電極20には誘電膜400上に配置され、連結部23を支持する第1電極10の側方に配置されたサイドウォール部24を有している。
次に、実施形態2として上記MEMS振動子1の製造方法について説明する。
図2(a)では、第1工程後に得られる断面構造を示す。第1工程では基板500を準備し、基板500上に誘電膜400を成膜する。基板500は、例えば、シリコン基板を用いることができ、誘電膜400には、例えば、窒化珪素(SiN)を用いることができる。
第1電極層710は、例えば、ポリシリコンを用いることができる。第1電極層710にポリシリコンを用いた場合には、例えば、CVD(化学気相成長)法によって成膜を行うことが可能である。また、このポリシリコン層の抵抗を低減するため、熱拡散やイオン注入によって砒素(As)や燐(P)、ホウ素(B)などをドープすることが可能である。
このようにして、第1電極層710にポリシリコンを用いた場合、第1電極10に対応する形状に加工することは、半導体の微細加工技術で一般的に広く使用されているフォトリソグラフィー技術とエッチング技術を用いることで容易に実現できる。
犠牲層30は、例えば、二酸化珪素(SiO2)を用いることができる。第1電極層710を、例えば、ポリシリコンを用いて形成した場合、熱酸化によって、選択的に第1電極層710の表面のみに犠牲層30を二酸化珪素(SiO2)によって成膜することが可能である。
サイドウォール部24は、例えば、窒化珪素(SiN)を用いることができる。サイドウォール部24に窒化珪素(SiN)を用いる場合、例えば、CVD(化学気相成長)法によって成膜を行い、その後、指向性のあるドライエッチングを用いて選択的に窒化珪素(SiN)のエッチングを行うことによって、犠牲層30である二酸化珪素(SiO2)をエッチングせずに窒化珪素(SiN)のサイドウォール部を形成することが可能である。
第2電極層720は、例えば、ポリシリコンを用いることができる。第2電極層720にポリシリコンを用いた場合には、例えば、CVD(化学気相成長)法によって成膜を行うことが可能である。また、このポリシリコン層の抵抗を低減するため、熱拡散やイオン注入によって砒素(As)や燐(P)、ホウ素(B)などをドープすることが可能である。
このようにして、第2電極層720にポリシリコンを用いた場合、第2電極20に対応する形状に加工することは、半導体の微細加工技術で一般的に広く使用されているフォトリソグラフィー技術とエッチング技術を用いることで容易に実現できる。
犠牲層30は上述したように、例えば、二酸化珪素(SiO2)で成膜することが可能である。このように犠牲層30を二酸化珪素(SiO2)で成膜した場合、例えば、フッ化水素酸(HF)を含む溶液で選択的に二酸化珪素(SiO2)のみをエッチングすることが可能である。
次に実施形態1の変形例1を図4及び図5に示す。図4はMEMS振動子の構成を示す平面図であり、図5は図4のX−X断面を示す断面図である。
実施形態1の変形例1は、MEMS振動子のひとつの形態である、いわゆるブリッジ振動子またはマイクロブリッジ振動子に関するものである。
MEMS振動子2は、第1電極10と第2電極20を備えている。基板500上には誘電膜400が配置されており、第1電極10は、誘電膜400上に固定配置されている。第2電極20は、誘電膜400上に固定配置されたアンカー部21a,21b、及び、第1電極10にギャップ25を介して対向配置されたビーム部22、及びアンカー部21a,21bとビーム部22を連結させている連結部23a,23bを備えている。そして、第2電極20には誘電膜400上に配置され、且つ、連結部23a,23bを支持するサイドウォール部24a,24bを有している。
実施形態1の変形例2の平面図を図6に示す。なお、図6では上記で説明した構成要素と同様な部材には同符号を付し説明を省略する。
MEMS振動子3は、第1電極10と第2電極20を備えている。
図6の平面図に示されるX−X方向にカットした断面図は図10で示したものと同様になり、Y−Y方向にカットした断面図は図1で示したものと同様になる。
実施形態2の変形例1は、いわゆるフラップ振動子またはマイクロフラップ振動子を含むMEMS振動子の製造方法に関するものである。この製造方法は、標準CMOSプロセスのBEOL(Back End Of Line)でMEMS振動子を作成するのに適した方法である。
図7(a)では、実施形態2の変形例1の第1工程後に得られる断面構造を示す。第1工程では基板500を準備し、基板500の上方に第1誘電膜401を成膜する。基板500は、例えば、シリコン基板を用いることができ、第1誘電膜401には、例えば、二酸化珪素(SiO2)を用いることができる。二酸化珪素(SiO2)は、例えばCVD(化学気相成長)法によって形成することができる。
第1電極層710は、例えば、タングステン(W)、チタン(Ti)、アルミニウム(Al)等を用いることができる。第1電極層710にタングステン(W)を用いた場合には、例えば、PVD(物理気相成長)法やCVD(化学気相成長)法によって成膜を行うことが可能である。
このようにして、第1電極層710にタングステン(W)を用いた場合、第1電極10に対応する形状に加工することは、半導体の微細加工技術で一般的に広く使用されているフォトリソグラフィー技術とエッチング技術を用いることで容易に実現できる。
犠牲層30は、例えば、レジスト、ポリイミドなどの有機材料を用いることができる。
犠牲層30にレジストを用いる場合、半導体の微細加工技術で一般に用いられるフォトリソグラフィー技術を用いることで成膜・加工が可能である。
サイドウォール部24は、例えば、二酸化珪素(SiO2)や窒化珪素(SiN)を用いることができる。サイドウォール部24に二酸化珪素(SiO2)を用いる場合、例えば、CVD(化学気相成長)法によって成膜を行い、その後、指向性のあるドライエッチングを用いて選択的に二酸化珪素(SiO2)のエッチングを行うことによって、犠牲層30であるレジスト等の有機材料をエッチングせずに二酸化珪素(SiO2)のサイドウォール部を形成することが可能である。
第2電極層720は、例えば、タングステン(W)、チタン(Ti)、アルミニウム(Al)等を用いることができる。第2電極層720にタングステン(W)を用いた場合には、例えば、PVD(物理気相成長)法やCVD(化学気相成長)法によって成膜を行うことが可能である。
このようにして、第2電極層720にタングステン(W)を用いた場合、第2電極20に対応する形状に加工することは、半導体の微細加工技術で一般的に広く使用されているフォトリソグラフィー技術とエッチング技術を用いることで容易に実現できる。
犠牲層30は上述したように、例えば、レジスト、ポリイミドなどの有機材料で成膜することが可能である。このように犠牲層30を有機材料で成膜した場合、例えば、エタノールを含む溶液で選択的に有機材料のみをエッチングすることが可能である。
Claims (7)
- 基板と、
前記基板の上方に形成される第1電極と、
前記基板の上方に形成されたアンカー部、前記第1電極の上方に配置されたビーム部、および前記基板の上方に立ち上がり前記アンカー部と前記ビーム部とを連結する連結部と、を有する第2電極と、を含み、
前記連結部と前記基板との間に前記連結部を支持するサイドウォール部が備えられていることを特徴とするMEMS振動子。 - 請求項1に記載のMEMS振動子において、
前記サイドウォール部が二酸化珪素または窒化珪素で形成されていることを特徴とするMEMS振動子。 - 請求項1に記載のMEMS振動子において、
前記第1電極、および前記第2電極がポリシリコンで形成され、
前記サイドウォール部が窒化珪素で形成されていることを特徴とするMEMS振動子。 - 請求項1に記載のMEMS振動子において、
前記第1電極、および前記第2電極がタングステン、チタン、またはアルミニウムで形成され、
前記サイドウォール部が二酸化珪素または窒化珪素で形成されていることを特徴とするMEMS振動子。 - 基板の上方に第1電極を形成する工程と、
前記基板の上方であって前記第1電極の側面にサイドウォール部を形成する工程と、
前記第1電極を覆うように犠牲層を形成する工程と、
前記基板の上方に形成された支持部、前記支持部に支持されており前記第1電極の上方に配置されたビーム部、および支持部と前記ビーム部とを連結する連結部と、を有する第2電極を形成する工程と、
前記犠牲層を除去する工程と、を含み、
前記犠牲層を除去する工程は、前記第1電極上方の前記犠牲層を除去して、前記第1電極と前記ビーム部との間にギャップを形成するとともに、前記連結部の前記第1電極に対向する面が前記サイドウォール部で支持されることを特徴とするMEMS振動子の製造方法。 - 請求項5に記載のMEMS振動子の製造方法において、
前記第1電極、前記第2電極をポリシリコンで成膜する工程と、
前記サイドウォール部を窒化珪素で成膜した後に指向性のあるドライエッチングを行うことによって形成する工程と、を有することを特徴とするMEMS振動子の製造方法。 - 請求項5に記載のMEMS振動子の製造方法において、
前記第1電極、前記第2電極をタングステン、チタン、もしくはアルミニウムで成膜する工程と、
前記サイドウォール部を二酸化珪素、または、窒化珪素で成膜した後に指向性のあるドライエッチングを行うことによって形成する工程と、を有することを特徴とするMEMS振動子の製造方法。
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