JP2003121765A

JP2003121765A - 光スイッチ

Info

Publication number: JP2003121765A
Application number: JP2001313364A
Authority: JP
Inventors: Toshishige Shibazaki; 利成柴崎; Teruaki Takeuchi; 輝明竹内
Original assignee: Hitachi Maxell Ltd
Current assignee: Maxell Holdings Ltd
Priority date: 2001-10-11
Filing date: 2001-10-11
Publication date: 2003-04-23

Abstract

(57)【要約】【課題】小型で簡易な構造を有し、安価に製造可能な
光スイッチを提供する。【解決手段】光スイッチ１００は素片１０と磁界印加
部２００を備える。素片１０は、可撓性を有する基体１
上に磁歪材料薄膜３及び反射膜４を備え、素片１０で入
射部３１からの光を反射させる。磁歪材料薄膜３は磁化
方向に伸びたり縮んだりする性質を有し、素片１０は、
磁歪材料薄膜３の伸び縮みに応じて撓み量が変化する。
磁界印加部２００で素片１０に異なる方向の磁界を印加
して素片１０の撓み量を変化させる。これにより素片１
０で反射する光の方向が変化するため、光入射部３１か
らの光を、出射部３２の光ファイバ１４または１５に光
路を切り替えることができる。さらに、予め素片１０を
所定の角度θで配置しておくことにより磁界トルクの影
響を軽減し、効果的な撓み量を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光の伝送経路を切
り替える光スイッチに関し、特に、光の反射方向を変化
させることによって光の伝送経路を切り替える光スイッ
チに関する。

【０００２】

【従来の技術】光通信システムにおいては、光通信回線
を切り替えるために光スイッチが必要である。光スイッ
チの方式の一つとして、例えば、光路上に反射ミラーを
配置し、その角度を変化させることにより光の反射方向
を変える方式の光スイッチが知られている。かかる光ス
イッチにおいて、反射ミラーの角度を変化させる方法と
しては、例えば、静電方式、圧電方式、磁気力方式など
が知られており、磁気力方式を用いた光スイッチは、電
力を連続的に供給し続けなくても反射ミラーの角度を一
定に保持できるという点で優れている。

【０００３】従来の磁気力方式の光スイッチの一例とし
て、例えば、特開２０００−１６２５２０号には、磁石
と電磁石との吸引力を利用した光スイッチが開示されて
いる。この文献に記載されている光スイッチは、磁性体
が取り付けられているミラーが３次元的に運動可能な支
持体を介して基板に取り付けられるとともに、ミラー近
傍に電磁石を設けて構成されている。かかる光スイッチ
では、電磁石を動作させて電磁石から磁界を発生させ、
ミラーに取り付けられている磁性体を磁気的な相互作用
により電磁石に引き付け、ミラーに入射したレーザを所
定の方向にスイッチングさせている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
磁気力方式の光スイッチにおいては、ミラーに磁性体を
取り付けるとともに、変形可能な支持体を介してミラー
を基板に取り付ける必要があるために、部品点数が多く
なるとともに構造が複雑になり、製造工程もまた複雑化
するという問題があった。

【０００５】本発明は、上記従来技術の問題を解決する
ためになされたものであり、その目的は、小型で簡易な
構造を有し、容易に製造できる新規な光スイッチを提供
することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の態様に従えば、
光の伝送経路を切り替えるための光スイッチにおいて、光入射部と；光出射部と；基体、磁歪材料からなる薄膜
及び反射膜を含む素片と；上記素片に磁界を印加するた
めの磁界印加手段と；を備え、上記素片が、磁界印加手段から発生する磁界の方向に対
して所定の角度で傾斜して配置され；上記磁界印加手段
の磁界印加による上記素片の撓みの違いを利用して光入
射部からの光を光出射部に切り替えることを特徴とする
光スイッチが提供される。

【０００７】本発明の光スイッチは、基体上に磁歪材料
からなる薄膜が形成された素片を備えており、かかる素
片は、光路を切り替えるための素子として機能する。素
片は、例えば、薄い平板状の基体上に磁性材料薄膜と反
射膜とが形成されて構成されており、素片の一端は支持
部によって支持され、他方の端部が所定の角度で撓んで
いる。光スイッチの光入射部から入射した光は、素片の
反射膜により反射して、反射光は光出射部に導かれる。
ここで、素片を構成する磁歪材料は、所定の方向に磁化
したときに、その方向に伸びるかあるいは縮む性質を有
している。磁化した方向に伸びるか縮むかは磁歪材料の
種類により異なる。磁化した方向に伸びる性質を有する
磁歪材料を用いて素片を構成した場合、素片に対して磁
界印加手段により、例えば、素片長手方向（素片の縦方
向とする）に磁界を印加すると、磁歪材料薄膜は素片縦
方向に伸びるため、基体と磁歪材料薄膜との間にずれ応
力が発生し、素片は、磁歪材料薄膜の形成されている側
が外側になるように反り返る。すなわち、素片が撓む。
一方、素片に対して、素片長手方向に垂直な方向、例え
ば、素片の面内において長手方向に垂直な方向（素片の
横方向とする）に磁界を印加すると、磁歪材料薄膜は、
素片縦方向への伸びが無くなって元の状態に戻る。この
ように素片の撓みが、素片に印加される磁界の方向に応
じて発生するため、光入射部から素片表面に入射した光
は、それぞれ違う角度で反射される。したがって、素片
の撓みの有無に応じてそれぞれ違う角度で反射した反射
光が受光されるように、二つの光出射部を光スイッチ内
で位置付けることにより、光の伝達経路を切り替える光
スイッチングが可能となる。

【０００８】さらに本発明においては、図４に示すよう
に磁界印加方向（Ｘ方向）に対して磁歪素片を予め所定
角度で傾斜させて配置している。このように素片を磁界
印加方向に対して傾斜配置させる理由を図６を用いて説
明する。図６に示すように、磁界を印加しない状態で素
片１０を磁界印加方向に配置した場合（傾斜角０度）、
素片１０は印加磁界により上述の原理に従って例えば図
示のように下方に撓む。ここで、素片１０の磁化は印加
磁界によりその長手方向に揃えられているので、素片１
０の磁化方向は磁界印加方向に対して所定角度をなして
いる。それゆえ、印加された磁界は素片１０を磁界印加
方向に戻す方向に磁気トルクを発生させる。すなわち、
この磁気トルクは前述の磁歪素片の撓みを抑制するよう
に作用する。そこで、本発明では、磁歪素片を磁界印加
方向に対して、素片が撓む向きと逆向きに傾斜させて配
置することにより、素片が撓んだときに磁気トルクが最
小となるようにしている。これにより、所定の磁界強度
の下で最大の撓み量を獲得することができる。

【０００９】磁性材料の磁歪定数（元の長さに対する伸
びまたは縮みの変化量）は１０^−５〜１０^−３程度で極
めて微小であるが、基体と磁歪材料薄膜の厚みや材料を
適当に調整することにより、素片の撓み量を大きくし
て、撓みがある場合の反射光の光路を撓みがない場合の
反射光の光路と明確に区別することができる。

【００１０】本発明において、素片を構成する基体は、
可撓性を有するとともに所定の曲げ弾性を有する材料か
ら形成し得る。基体を形成する材料としては、例えば、
シリコン、酸化シリコン、ガラス、銅ニッケル合金など
を用いることができる。

【００１１】本発明において、磁歪材料は、希土類元素
と鉄族元素の合金から構成することが好ましい。かかる
磁歪材料は大きな磁歪を有するため最適である。希土類
元素としては、テルビウム（Ｔｂ）、サマリウム（Ｓ
ｍ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）からなる群から選ばれた
少なくとも１種を用いることができ、鉄族元素として
は、鉄、コバルト、ニッケルからなる群から選ばれた少
なくとも１種を用いることができる。

【００１２】素片を構成する反射膜は、基体の少なくと
も一方の表面に形成され得、磁歪材料薄膜上に形成され
ていても、基体に対して磁歪材料薄膜が形成されている
側とは反対側に形成されても良い。反射膜は、基体の表
面の全面に形成されていても、光が入出射する領域にの
み部分的に形成されていても良い。

【００１３】本発明の光スイッチにおいて、磁界印加手
段は、素片に対して、２方向に磁界を印加できるように
構成し得、例えば磁界印加により撓んだ状態の素片のほ
ぼ長手方向（縦方向）と長手方向にほぼ垂直な方向（横
方向）、或いは、素片のほぼ長手方向と素片のほぼ厚み
方向に磁界を印加できるように構成し得る。磁界印加手
段は、例えば、永久磁石やコイルを用いて構成すること
ができる。磁界印加手段としてコイルを用いる場合は、
発生させる磁界強度を大きくする目的で、鉄やパーマロ
イなどの軟磁性体などから形成される磁心を備えること
が好ましい。

【００１４】本発明の光スイッチは、支持部によって一
端が支持された素片の他端を支持するストッパを備え得
る。かかるストッパは、磁界印加手段の印加により生じ
る素片の撓み或いは反りを制限することができる。

【００１５】本発明の光スイッチにおいて、光入射部及
び光出射部は、例えば、光ファイバを用いて形成するこ
とができ、光ファイバの光出射側または光出射側にはレ
ンズなどの光学素子を備えることができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明に従う光スイッチに
ついて具体的に説明するが、本発明はこれに限定される
ものではない。

【００１７】

【第１実施例】図１に、本発明に従う光スイッチの概略
平面図を示す。また、図２に、図１に示した光スイッチ
のＡ−Ａ方向の断面図を示す。図１及び２に示すよう
に、光スイッチ１００は、素片１０と、該素片１０の一
端を支持する支持部１９と、素片１０の他端を支持して
動作を制限するストッパ１１及び１２と、素片１０に磁
界を印加するための磁界印加部２００と、外部からの光
信号が入力される光入射部３１と、外部に光信号を出力
する光出射部３２とを備える。光入射部３１は、光ファ
イバ１３と、光ファイバ１３の光出射側に設けられたレ
ンズ１８から構成される。光出射部３２は、光ファイバ
１４とその光入射側に設けられたレンズ１７、及び、光
ファイバ１５とその光入射側に設けられたレンズ１６か
ら構成される。

【００１８】図３に素片１０の概略断面図を示した。図
３に示すように、素片１０は、基板１上に、下地膜２、
磁歪材料薄膜３及び反射膜４を備えた構造を有する。基
板１は、磁歪材料薄膜３の磁化方向による撓みを大きく
する必要性があることから、十分に薄いことが望まれ
る。このため、シリコン基板の表面を熱酸化して所望の
厚さの酸化層を形成し、裏面から水酸化カリウム溶液で
エッチングして薄い基板を形成した。こうして縦１．０
ｃｍ、横０．５ｃｍ、厚さ２μｍの平板状のＳｉＯ_２基
板を作製した。ここでは基板１としてＳｉＯ_２を用いた
が、弾性を有する金属箔を用いることもできる。

【００１９】つぎに、かかる基板１上に、スパッタ法を
用いて、下地膜２、磁歪材料薄膜３、反射膜４を順に形
成した。まず、基板１上に、下地膜２としてチタンを膜
厚１０ｎｍにて成膜した。次いで、下地膜２上に、磁歪
材料薄膜３としてテルビウム−鉄非晶質合金を膜厚２μ
ｍにて成膜した。ここでは、磁歪材料としてテルビウム
−鉄非晶質合金を用いたが、結晶質のテルビウム−鉄合
金、テルビウム−ジスプロシウム−鉄合金などを用いる
こともできる。つぎに、磁歪材料薄膜３上に反射膜４と
してアルミニウムを膜厚５０ｎｍにて成膜した。ここで
は、反射膜４を形成する材料としてアルミニウムを用い
たが、金、白金などの金属材料を用いることができ、反
射膜４として誘電体多層膜を用いることもできる。

【００２０】図２に示すように、磁界印加部２００は、
Ｘコイル２２及び２３、Ｙコイル２４及び２５、並びに
磁心２１から構成される。磁心２１は、素片１０の四辺
を取り囲むような四角形（額縁状）の金属製の枠であ
り、Ｍｎ−Ｚｎフェライトで形成されている。ここで
は、磁心２１を形成する材料として酸化物材料を用いた
が、鉄やパーマロイ、鉄コバルト合金などの軟磁性材料
を用いることができる。磁心２１の横片２１ｃ及び２１
ｄは、それぞれ、Ｘコイル２２及び２３の磁心として機
能し、磁心２１の縦片２１ａ及び２１ｂが、それぞれ、
Ｙコイル２４及び２５の磁心として機能する。磁心２１
の横片２１ｃ及び２１ｄの対向する部分、例えば、横片
２１ｃのＸ方向端部と横片２１ｄのＸ方向端部が、同じ
極性になるように、Ｘコイル２２及び２３にそれぞれ電
流が供給される。これにより、Ｘコイル２２及び２３に
よって挟まれた素片１０には、図２中、Ｘ方向の磁界Ｈ
ｘが印加される。また、磁心２１の縦片２１ａ及び２１
ｂの対向する部分、例えば、縦片２１ａのＹ方向端部と
縦片２１ｂのＹ方向端部が、同じ極性になるように、Ｙ
コイル２４及び２５にそれぞれ電流を流すことにより、
Ｙコイル２４及び２５によって挟まれた素片１０に、図
２中、Ｙ方向の磁界Ｈｙを印加することができる。

【００２１】つぎに、光スイッチ１００の動作について
説明する。まず、磁界印加部２００のＸコイル２２及び
２３に電流を流して素片１０に長手方向の磁界Ｈｘを印
加する。磁界Ｈｘの磁界強度は、例えば、１００〔Ｏ
ｅ〕〜５００〔Ｏｅ〕程度にすることができる。これに
より、素片１０の磁歪材料薄膜３は長手方向（Ｘ方向）
に伸張するため、素片１０は図１の波線で示した位置か
ら、実線で示した位置に、即ち、下方に撓む。このと
き、素片１０の他端はストッパ１２と接触して支持さ
れ、素片１０の撓みが制限される。このとき、光入射部
３１の光ファイバ１３から出射された光はレンズ１８を
通って素片１０に入射し、素片１０の反射膜４で所定の
角度で反射された後、光出射部３２のレンズ１６を通っ
て光ファイバ１５に入射される。ここで、Ｘコイル２２
及び２３への電流の供給を停止して磁界印加部２００か
ら発生させる磁界Ｈｘを零にしても、素片１０の磁歪材
料薄膜３の保磁力により磁歪材料薄膜３は磁化したまま
であるため、素片１０はそのまま撓み続ける。それゆ
え、光ファイバ１３から出射した光は、後述する磁界Ｈ
ｙを印加して光スイッチを切換えない限り、光ファイバ
１５に入射される。

【００２２】次いで、磁界印加部２００のＸコイル２２
及び２３への電流の供給を停止した状態で、Ｙコイル２
４及び２５にそれぞれ電流を流して、素片１０に磁界Ｈ
ｙを印加する。かかる磁界Ｈｙの印加により、素片１０
の磁歪材料薄膜３においては長手方向（Ｈｘの方向）の
伸張が無くなるため、図１において、素片１０の撓み量
は減少し、素片１０は図１の破線で示した位置に戻る。
このとき素片１０の他端がストッパ１１と接触して支持
される。この状態で、光入射部３１の光ファイバ１３か
ら出射された光はレンズ１８を通って素片１０に入射
し、素片１０の反射膜４で所定の角度で反射された後、
破線で示した光路を経て光出射部３２のレンズ１７を通
って光ファイバ１４に入射される。ここで、Ｙコイル２
４及び２５に供給する電流を停止して磁界印加部２００
から発生させる磁界Ｈｙを零としても、素片１０の磁歪
材料薄膜３の保磁力により磁歪材料薄膜３は磁化したま
まであるので素片１０の撓み量は一定に保持される（こ
の場合、撓みは殆どない）。このため、光入射部３１の
光ファイバ１３から出射した光は、素片１０により光出
射部３２の光ファイバ１４の方に反射される。

【００２３】このように、光スイッチ１００は、磁界印
加部２００のＸコイル２２及び２３とＹコイル２４及び
２５に供給する電流を切り替えることにより、素片１０
の撓み量を変化させて、光入射部３１の光ファイバ１３
からの光を、光出射部３２の光ファイバ１４または光フ
ァイバ１５の存在する方向に反射させることが可能であ
るため、光伝送経路のスイッチングが実現できる。ま
た、光スイッチ１００のＸコイル２２、２３及びＹコイ
ル２４、２５に流す電流は、素片１０の状態を切り替え
るとき、すなわち光伝送経路を切り替えるときのみでよ
く、素片１０の状態を保持するためにＸコイル２２、２
３またはＹコイル２４、２５に電流を流し続ける必要は
ない。

【００２４】

【第２実施例】本発明の光スイッチの第２実施例を図４
及び５を用いて説明する。光スイッチ３００は、素片１
０を磁界印加部２００から磁界Ｈｘの印加方向に対して
角度θだけ傾斜させて配置し、さらに厚さ４０μｍのフ
ィルム状ポリイミドを素片の基体として用いた以外は、
実施例１の光スイッチ１００と同様にして構成した。第
１実施例では、素片１０はほぼ磁界Ｈｘの印加方向に沿
って配置されており、磁界が印加されて素片１０が撓む
に従って、磁界Ｈｘに対する素片１０の向きが傾斜す
る。ここで、素片１０の磁化は素片の長手方向に向いて
いるので、素片１０が磁界Ｈｘに対して傾斜角を有する
と、素片１０（の自由端）を磁界Ｈｘの方向に戻すよう
な磁気トルクが作用する。それゆえ、磁歪材料薄膜３の
延びによる素片の撓みは、この磁気トルクにより抑制さ
れることになる。これに対して、本実施例では、図４に
示すように、素片１０を磁界Ｈｘ（Ｘ方向）に対して予
め角度θだけ傾斜させて配置させている。こうすること
により、磁界Ｈｘが素片１０に印加されると素片１０は
支持部１９を基点として時計方向に撓み、素片１０の長
手方向は磁界Ｈｘの方向に揃うことになる。すなわち、
素片１０は磁気トルクがかからない方向に撓もうとす
る。それゆえ、素片１０の撓みは磁気トルクにより抑制
されることがなく、逆に磁界印加開始時に発生する磁気
トルクにより素片１０を一層容易に撓ませることが可能
になる。

【００２５】ここで、素片の磁界Ｈｘ方向に対する最適
傾斜角θを調べるために、θを０度、２度、４度及び６
度の４種の値に変更して素片の撓み量をそれぞれ測定し
た。撓み量は、図７に示すように素片１０の支持部１０
を基点として素片１０の自由端の回転角度δとして測定
した。また、撓み量は印加する磁界強度に依存するため
に、磁界Ｈｘの強度を０〜３０００〔Ｏｅ〕までの範囲
で変化させながら測定した。測定結果を図８に示す。い
ずれの磁界強度においても傾斜角度θが大きいほど素片
の傾斜角度θが大きいほど素片の撓み量δが大きいこと
が分かる。例えば、磁界強度１５００〔Ｏｅ〕において
は、素片を傾斜しない場合(θ＝０)に比べて、４度傾斜
した場合には撓み量が１０％、６度傾斜した場合には撓
み量が１５％増大していることが分かる。この結果から
すれば、この実験に用いた素片では傾斜角θとして６度
が最適であることが分かる。このように、実際に光スイ
ッチに用いる素片の材料及び寸法などに応じて素片の最
適傾斜角度を求めて、その傾斜角度で磁界印加部に対し
て配置することにより、少ない磁界で有効に光反射方向
を切り替えることができる。それゆえ、小型で且つ省電
力な光スイッチを構成することができる。

【００２６】理論的には、磁歪材料薄膜の磁歪定数、素
片の長さ、基体材料及び印加する磁界強度などにより素
片の最大撓み量δmaxが決定される。それゆえ、素片を
磁界印加部に対して配置させるときに、素片を磁界Ｈｘ
に対して最大撓み量δmaxになるように予め傾斜させれ
ば（δmax＝θ）、磁気トルクによる悪影響を最も効果
的に抑制し、最大の撓み量を得ることができる。

【００２７】以上、本発明の光スイッチについて実施の
形態により具体的に説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、種々の変形及び改良を含み得る。例
えば、上記実施の形態では、図２示すように、素片１０
に対する印加磁界の方向をＸ方向とＹ方向に切り替える
ことによって素片の撓み量を制御したが、例えば、Ｘ方
向と素片１０の厚み方向（紙面に対して垂直な方向）に
印加磁界の方向を切り替えて素片の状態を制御すること
もできる。素片の厚み方向に磁界を印加するには、例え
ば、図１において、素片の１０の上下に電磁コイルや永
久磁石を配置させればよい。或いは、磁心としての金属
製の枠を、該枠を含む平面と素片表面とが互いに垂直に
なるように配置してもよい。また、磁界印加部２００
は、素片１０に対してＸ方向の磁界Ｈｘを発生させるた
めに、Ｘコイル２２とＸコイル２３の２つのコイルを用
いたが、Ｘコイル２２と２３のどちらか一方のコイルを
用いて素片１０にＸ方向の磁界を印加することもでき
る。この場合は、磁心２１の縦片２１ａ及び２１ｂのそ
れぞれの中間部分にギャップを形成すればよい。これに
より、磁心２１の縦片２１ａのギャップ部分から縦片２
１ｂのギャップ部分に向かって磁界が発生するため、縦
片２１ａのギャップ部分と縦片２１ｂのギャップ部分と
の間に位置する素片１０にＸ方向の磁界を印加すること
ができる。また、素片１０に対してＹ方向の磁界Ｈｙを
発生させる場合も同様に、Ｙコイル２４とＸコイル２５
の２つのコイルを用いずにどちらか一方のコイルを用い
て素片１０にＹ方向の磁界を印加することもできる。こ
の場合は、磁心２１の横片２１ｃ及び２１ｄのそれぞれ
の中間部分にギャップを形成すればよい。これにより、
磁心２１の横片２１ｃのギャップ部分から横片２１ｄの
ギャップ部分に向かって磁界が発生するため、それらの
間に位置する素片１０にＹ方向の磁界を印加できる。

【００２８】また、図１に示した光スイッチでは、素片
１０を、基板１に対して、光入出射する側に磁歪材料薄
膜３を形成して構成したが、光入出射する側とは反対の
側に磁歪材料薄膜３を形成して素片１０を構成すること
もできる。また、図１に示した光スイッチ１００では、
光入射部３１と光出射部３２を上部に位置付けて構成し
たが、下部に位置付けることもできる。この場合は、素
片１０の反射膜４を基板１の裏面に形成して素片１０の
裏面で光を反射させるようにすればよい。

【００２９】

【発明の効果】本発明の光スイッチは、極めて簡単な構
成で光伝送経路のスイッチングを実現することができ
る。また、光スイッチを製造する際の製造工程を簡略に
することができるため、安価な光スイッチを提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に従う第１の実施例の光スイッチの概略
平面図である。

【図２】図１に示した光スイッチのＡ―Ａによる断面図
である。

【図３】本発明に従う光スイッチに用いられる素片の概
略断面図である。

【図４】本発明に従う第２の実施例の光スイッチの概略
平面図である。

【図５】図４に示した光スイッチのＡ―Ａによる断面図
である。

【図６】磁気トルクの影響を記載した概念図である。

【図７】本発明に従う光スイッチに用いられる素片に関
する、素片を配置した時の角度による撓み量の変化を調
べる実験を概略的に説明する図である。

【図８】素片を配置した時の角度に対する撓み量の変化
を示すグラフである。

【符号の説明】

１基板２下地膜３磁歪材料薄膜４反射膜１０素片１１、１２ストッパ１３、１４、１５光ファイバ１６、１７、１８レンズ１９支持部２１磁心２２、２３Ｘコイル２４、２５Ｙコイル３１光入射部３２光出射部２００磁界印加部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光の伝送経路を切り替えるための光スイ
ッチにおいて、光入射部と；光出射部と；基体、磁歪材料からなる薄膜
及び反射膜を含む素片と；上記素片に磁界を印加するた
めの磁界印加手段と；を備え、上記素片が、磁界印加手段から発生する磁界の方向に対
して所定の角度で傾斜して配置され；上記磁界印加手段
の磁界印加による上記素片の撓みの違いを利用して光入
射部からの光を光出射部に切り替えることを特徴とする
光スイッチ。
【請求項２】上記反射膜は、上記基体の少なくとも一
方の面に形成されていることを特徴とする請求項１に記
載の光スイッチ。
【請求項３】更に、上記素片の一端を支持するための
支持部材と、上記素片の他端を係止するストッパとを備
える請求項１または２に記載の光スイッチ。
【請求項４】上記磁歪薄膜が、希土類元素と鉄族元素
とからなる合金を用いて形成されることを特徴とする請
求項１〜３のいずれか一項に記載の光スイッチ。
【請求項５】上記希土類元素が、テルビウム、ジスプ
ロシウム及びサマリウムからなる群から選択された少な
くとも１種の元素であり、上記鉄族元素が、鉄、コバル
ト及びニッケルからなる群から選択された少なくとも１
種の元素であることを特徴とする請求項４に記載の光ス
イッチ。
【請求項６】上記磁界印加手段は、磁界印加により撓
んだ状態の上記素片のほぼ長手方向及び素片表面にほぼ
垂直な方向に磁界を発生することを特徴とする請求項１
〜５のいずれか一項に記載の光スイッチ。
【請求項７】上記磁界印加手段は、磁界印加により撓
んだ状態の上記素片の面内においてほぼ長手方向及び長
手方向に垂直な方向に磁界を発生することを特徴とする
請求項１〜５のいずれか一項に記載の光スイッチ。
【請求項８】上記磁界印加手段はコイルであることを
特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の光スイ
ッチ。
【請求項９】上記コイルは軟磁性体の磁心を有するこ
とを特徴とする請求項８に記載の光スイッチ。
【請求項１０】上記素片は平板であり、上記磁心は、
上記平板を取り囲むように配置された四角形状の枠部材
であり、該枠部材の各辺にコイルが巻きつけられている
ことを特徴とする請求項９に記載の光スイッチ。
【請求項１１】上記所定の角度は、印加された磁界の
下での最大撓み量に相当する角度である請求項１〜１０
のいずれか一項に記載の光スイッチ。
【請求項１２】上記光入射部及び光出射部は、光ファ
イバを有することを特徴とする請求項１〜１１のいずれ
か一項に記載の光スイッチ。