JP2003115102A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】面記録密度１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ^２の磁気ディ
スク装置に搭載するＭＲヘッドでは、ＭＲ素子高さ精度
を±０．０２mｍ以下、浮上面の形状精度を±２ｎｍ以
下が要求される。 【解決手段】上記課題は、スライダ形態で仕上げ研磨加
工を行い、スライダ内に形成されている抵抗検知素子の
抵抗値をインプロセスで検出し、検出した抵抗値または
抵抗値から換算したＭＲ素子高さ寸法が所定の値に達し
た場合に研磨加工を停止することで解決することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果素子
を形成した薄膜磁気ヘッドに係わり、特に磁気抵抗効果
素子の素子高さ及び浮上面形状を高精度に制御した薄膜
磁気ヘッドの構造および製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年，磁気ディスク装置においては、小
型・大容量化が進んでおり，現在３．５インチと２．５
インチサイズのディスクを用いた小型磁気ディスク装置
が主流になっている。この小型磁気ディスク装置に使用
されている磁気ヘッドのうち、再生出力がディスクの回
転速度に依存する磁気誘導型ヘッドでは，ディスクの回
転数が小さいために十分な再生出力を得ることが出来な
い。一方、磁界の変化によって抵抗値が変化する磁気抵
抗効果素子を用いた磁気抵抗効果型ヘッドでは，再生出
力がディスク回転速度に依存しないため，大きな再生出
力を得ることができる。また，磁気抵抗効果型ヘッド
は，高密度化に伴う狭トラック化に対しても磁気誘導型
磁気ヘッドと比べて高い再生出力を得られ、小型化・大
容量化に適した磁気ヘッドであると考えられている。

【０００３】磁気抵抗効果型ヘッドには、ＭＲ(Magneto
Resistive)素子を用いたＭＲヘッドとＧＭＲ(Giant Ma
gneto Resistive)素子を用いたＧＭＲヘッド及びＴＭＲ
(Tunneling Magneto Resistive)素子を用いたＴＭＲヘ
ッドがある。ここでは、上記の３種類の構造を有する磁
気ヘッドを総称してＭＲヘッドと呼ぶ。

【０００４】ところでＭＲヘッドにおいて、磁界の変化
に対応させて磁気抵抗効果素子の抵抗値変化を検出する
ため，ＭＲヘッドを搭載させたスライダのディスクに対
向する面（以下，浮上面と呼ぶ）に磁気抵抗効果素子を
露出させて使用する構造が最もディスクに記録された情
報信号の再生効率が高い。浮上面に磁気抵抗効果素子を
露出させた露出型ＭＲヘッドでは，浮上面加工時に磁気
抵抗効果素子の一部を研磨加工することにより浮上面に
磁気抵抗効果素子の端部を露出させている。

【０００５】そして，磁気抵抗効果素子の浮上面に対し
て直交する方向の寸法を磁気抵抗効果素子の高さ（ＭＲ
素子高さ）と呼び，このＭＲ素子高さの寸法が研磨加工
によって制御されている。この磁気抵抗効果ヘッドで
は，このＭＲ素子高さによって再生出力が変化するた
め，ＭＲ素子高さのばらつきがそのまま磁気ヘッドの再
生出力変動という形で現れる。

【０００６】一方、再生出力変動の別の要因として、Ｍ
Ｒヘッドの浮上量の変動がある。ＭＲヘッドは、磁気デ
ィスクの回転により発生する動圧により、十数nmと非常
に小さい間隙で浮上しており、この浮上量が変動すると
再生出力が変動するという問題が生じる。浮上量を安定
にするには、研磨加工において発生するＭＲヘッドの浮
上面形状のばらつきを抑制し、常に一定な動圧を作用さ
せることが必須となる。従って、磁気ヘッドの再生出力
変動を抑制するためには，研磨加工工程においてＭＲ素
子高さを高精度に制御し、かつ浮上面形状を高精度に形
成することが必要となる。

【０００７】このＭＲ素子高さの寸法が小さいほど磁気
ヘッドの性能が向上する、すなわちディスクの記録情報
を高感度に検出することが出来るので、年々ＭＲ素子高
さが小さくなっている。現在、一般のＭＲ素子高さは
０．２〜０．６μｍであり、面記録密度１００Ｇｂｉｔ
／ｉｎ２以上の磁気ディスク装置では、０．１μｍ以下
と言われている。従って、これらに対応してＭＲ素子高
さの加工精度は、±０．０２μｍ（面記録密度１００Ｇ
ｂｉｔ／ｉｎ２以上の場合）が要求されると考えられ
る。

【０００８】また、面記録密度を向上するには、磁気デ
ィスク上の１ビットの面積を小さくする必要があり、そ
のためには、磁気ヘッドの浮上量を小さくすることが有
効である。面記録密度１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ２以上の磁
気ディスク装置では、磁気ヘッドの浮上量は５nm以下に
なる可能性があり、それを実現するには、磁気ヘッドの
浮上面形状の加工精度は±２nm以下が要求されると考え
られる。

【０００９】ＭＲ素子高さを高精度に研磨する方法とし
て、特開昭６３−１９１５７０号公報、特開平１０−４
９８２８号公報、特開平１０−２０８２１４号公報に記
載されているように，素子の形成工程においてＭＲ素子
とは別に形成した測定用のパターン（抵抗検知素子と呼
ぶ）を用い、この測定した抵抗値をＭＲ素子高さに換算
する方法が一般的である。そしてその制御方法は、ロウ
バー内に形成した数１０点の抵抗検知素子の抵抗値から
換算したＭＲ素子高さを２次曲線もしくは４次曲線で近
似し、この近似曲線の傾き成分、２次曲がり成分、うね
り成分が小さくなるように研磨加工中にロウバーに加え
る荷重を制御する方法が用いられている。

【００１０】一方、浮上面形状の高精度化に関しては、
例えば特開２０００−１５５９２１公報に記載されてい
るように、ＭＲ素子高さの制御研磨加工をしたのちに、
ウレタン等の弾性体を介してロウバーを研磨治具に貼り
付け、その状態でＭＲヘッドの浮上面を研磨定盤に押し
当て、研磨定盤の形状を高精度に浮上面に転写する仕上
げ研磨方法が公開されている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上記で説明した従来技
術では、下記の原因によりＭＲ素子高さの加工精度に誤
差が生じるという欠点を有していた。即ち、 （１）基板上に磁気抵抗効果素子と抵抗検知素子を形成
する際に使用する露光マスクの形成誤差及びその露光工
程における露光誤差。 （２）形成される磁気抵抗効果素子と抵抗検知素子との
位置が離れていることによる研磨量の違いに起因する誤
差。 （３）浮上面研磨工程において補正しきれないロウバー
内のＭＲ素子高さの分布における傾き成分、２次曲がり
成分、うねり成分等によって生じる誤差。 （４）抵抗検知素子の抵抗値をＭＲ素子高さに換算する
際の誤差。 （５）抵抗検知素子の抵抗値または抵抗値換算ＭＲ素子
高さが所定の値に達した時に加工を終了する際に生じる
停止寸法誤差。 （６）ＭＲ素子高さを制御して研磨した後にロウバーの
形態で実施される浮上面の仕上げ研磨加工を行う際に生
じる加工量のばらつき。

【００１２】上記した誤差要因によって、従来技術を使
って磁気抵抗効果素子の高さを±０．０２μｍ以下の精
度で行なうことは、小型・大容量の磁気ディスク装置の
実現という大きなニーズがあるにも係らず、極めて困難
であった。即ち、特開平１０−４９８２８号公報や特開
平１０−２０８２１４号公報に記載されるように、磁気
抵抗効果素子に隣接して研磨量モニター用の抵抗検知素
子が設けられているが、研磨はロウバーの状態で行なわ
れるため、個々の抵抗検知素子で得られた情報を独立し
て制御し、個別に磁気抵抗効果素子の研磨量にフィード
バックすることが困難であった。そのため、実際に得ら
れる磁気抵抗効果素子の素子高さは大きなばらつきを有
し、±０．０２μｍ以下という精度を実現することは到
底不可能と言わざるを得なかった。

【００１３】一方、浮上面形状に関しては、ロウバーの
状態で浮上面の仕上げ研磨加工を行うために、ロウバー
の長手方向のうねりやねじれ等の影響により、部分的に
研磨圧力が異なり、その結果、浮上面形状のばらつきが
大きくなり、形状精度±２nm以下を実現するのは困難で
ある。

【００１４】本発明の目的は、従来技術の欠点を解決
し、ＭＲ素子高さ及び浮上面形状を高精度に加工可能な
磁気ヘッドの構造とその製造方法を提供すること、及び
面記録密度１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ２以上に対応したＭＲ
素子高さ精度と浮上面形状精度を両立させた磁気ヘッド
を提供することである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明では、絶縁膜を形
成した基板の上方に第１の磁気抵抗効果素子と第２の磁
気抵抗効果素子とを近接させて形成し、この第１の磁気
抵抗効果素子と第２の磁気抵抗効果素子とが形成された
面に対して直交する上記基板の一面を磁気記録媒体に対
して対向するスライダ面として、薄膜磁気ヘッドを構成
した。

【００１６】また、上記した第１の磁気抵抗効果素子と
第２の磁気抵抗効果素子とが、各々電極に挟まれて形成
された第１の磁気抵抗効果膜と第２の磁気抵抗効果膜を
有し、更には各々の磁気抵抗効果膜の端部が上記したス
ライダ面に露出するように形成されている。そして、２
組の電極と磁気抵抗効果膜とが各々幾何学的に同一形状
であるように形成した。

【００１７】また本発明では、第１の磁気抵抗効果素子
が下部シールド膜と上部シールド膜とに挟まれて形成さ
れた第１の磁気抵抗効果膜を備えて基板の上方に積層形
成され、かつこの第１の磁気抵抗効果膜が形成された平
面内に第２の磁気抵抗効果素子を構成する第２の磁気抵
抗効果膜を形成するようにした。

【００１８】本発明では、絶縁膜を形成した基板の上方
に、第１の磁気抵抗効果素子と第２の磁気抵抗効果素子
とを形成する工程と、前記第１の磁気抵抗効果素子と第
２の磁気抵抗効果素子とを含むようにしてスライダに切
断する工程と、該スライダを研磨装置に装着して、前記
第１の磁気抵抗効果素子と第２の磁気抵抗効果素子に直
交する面を研磨する工程とを備えており、上記したスラ
イダ毎に研磨を行なうようにした。

【００１９】このとき、第１の磁気抵抗効果素子を磁気
記録媒体からの磁気信号を再生する手段として用い、か
つ第２の磁気抵抗効果素子をスライダ面の研磨加工量を
計測する手段として用いるようにしてスライダ面の研磨
を行ない、この第２の磁気抵抗効果素子の抵抗値を検出
して、その抵抗値または抵抗値から換算した第２の磁気
抵抗効果素子の高さ寸法が所定の値に達したとき、研磨
工程を終了させて薄膜磁気ヘッドを製造した。

【００２０】また、研磨装置に少なくともひとつ以上の
スライダを装着し、スライダ毎に形成された第２の磁気
抵抗効果素子の抵抗値を検出して、その抵抗値または抵
抗値から換算した第２の磁気抵抗効果素子の高さ寸法が
所定の値に達したとき、当該のスライダの研磨が終了す
るようにした。

【００２１】さらに、研磨装置にスライダを弾性体を介
して装着し、スライダ単位で浮上面の仕上げ研磨加工を
することにより、ロウバーのうねりやねじれ等が浮上面
の研磨精度に与える影響を排除し、高精度に定盤形状を
個々のスライダの浮上面に転写するようにした。

【００２２】以上で説明したように、スライダ毎に設け
た２つの磁気抵抗効果素子の一方をスライダの研磨量計
測用に用い、その抵抗値または抵抗値から換算した磁気
抵抗効果素子の高さに達したときに当該のスライダの研
磨を終了させることによって、高精度に制御された磁気
抵抗効果素子の高さを有する薄膜磁気ヘッドを実現する
ことが可能である。それと同時に、スライダを弾性体を
介して研磨装置に装着し、スライダ単位で浮上面の仕上
げ研磨加工をすることにより、高精度に形成した浮上面
形状を有する薄膜磁気ヘッドを実現することが可能であ
る。

【００２３】

【発明の実施の形態】先ず、磁気ディスク装置の概要に
ついて説明する。図１は磁気ヘッド１とディスク２との
配置を説明するための図である。磁気ヘッド１はスライ
ダ３とこのスライダ面４に直交するスライダ３の上に形
成された磁気抵抗効果素子５から構成されている。ＣＳ
Ｓ(Contact Start Stop)方式の磁気ディスク装置では、
磁気記録媒体であるディスク２の回転による動圧を利用
して磁気ヘッド１、正確には磁気抵抗効果素子５の端部
をディスク２の表面から微小量だけ浮上させ、ディスク
２に対して情報の記録または再生を行う。このとき、デ
ィスク２の表面と磁気抵抗効果素子５との間隔を浮上量
ｈと定義する。この浮上量ｈが小さいほど記録または再
生の効率を高めることが出来る。

【００２４】次に、磁気ヘッド１について、図２の構造
図を用いて説明する。同図において、例えばＡｌ_２Ｏ_３
−ＴｉＣまたはＳｉＣなどの非磁性体である基板６の表
面に誘導型磁気変換素子１０と磁気抵抗効果素子５を、
良く知られたスパッタ法等の薄膜形成工程、ホトリソ工
程、エッチング加工工程等を用いて形成される。これを
短冊状に切断加工を施し、複数個の磁気ヘッドを有する
ロウバー７を形成する。

【００２５】さらにこのロウバー７を切断加工すること
により、磁気ヘッド１が完成する。このとき、誘導型磁
気変換素子１０と磁気抵抗効果素子５とを含むように切
断された基板６の一部分がスライダ３であって、誘導型
磁気変換素子１０と磁気抵抗効果素子５とが形成された
面に対して直交するスライダ３の一面が浮上面４として
機能する。

【００２６】図３は磁気ヘッド１の素子部（誘導型磁気
変換素子１０と磁気低効果素子５）の構造を表わす斜視
図である。誘導型磁気記録素子１０はコイル８、上部磁
性膜９、上部シールド膜１１により構成されており、上
部磁性膜９の端部は、スライダ３の浮上面４とほぼ同一
面に露出するように配置され、この露出した部分を用い
てディスク２に情報の記録を行う。

【００２７】また、誘導型磁気記録素子１０の近傍には
磁気抵抗効果素子５が配置されており、磁気抵抗効果膜
１２を挟むように電極１３が形成されている。そして、
磁気抵抗効果素子５を用いてディスク２に記録された情
報を再生するときのノイズを低減するため、磁気抵抗効
果膜１２と電極１３とが上部シールド膜１１と下部シー
ルド膜１４とに挟まれる構造となっている。

【００２８】ここでは、スライダ３の浮上面４とほぼ直
角方向の磁気抵抗効果膜１２の端部から浮上面までの高
さ、即ち磁気抵抗効果膜１２の高さをＭＲ素子高さと呼
ぶ。このＭＲ素子高さと浮上面４の形状は、研磨加工に
より形成され、その研磨加工精度がＭＲ素子高さ精度及
び浮上面の形状精度を支配する。

【００２９】ところで、磁気ヘッド１を用いた磁気ディ
スク装置の記録再生は次のように行われる。 （１）コイル８と上部磁性膜９を用いてディスク２の表
面を磁化することにより、必要な情報がディスク２に記
録される。 （２）磁化されたディスク２の表面と磁気ヘッド１とを
相対的に移動させたとき、ディスク２に書き込まれた磁
極Ｓ、Ｎの極性によって、磁気抵抗効果膜１２の抵抗値
が変化する。この抵抗値変化を検出することにより、デ
ィスク２の表面に書き込まれた情報が再生される。

【００３０】以上で述べたように、磁気抵抗効果素子５
を有する磁気ヘッド１を用いる場合、ＭＲ素子高さ、即
ちスライダ３の浮上面４とほぼ同一面に位置する磁気抵
抗効果膜１２の端部から、浮上面４に対してほぼ直角方
向の高さ寸法を高精度に研磨加工することが極めて重要
である。そこで、以下にＭＲ素子高さを制御しながら高
精度に研磨する方法について説明する。

【００３１】図４は一般に良く知られたロウバー７の外
観図である。ひとつの例としてロウバー７は磁気ヘッド
１が数１０個連なった形状を有し、個々の磁気ヘッド１
に切り離したときに図１に示したスライダ３となる浮上
面４と図３に示した磁気抵抗効果素子５がこのロウバー
７の状態で研磨加工される。このとき、図５に例示する
ように、一般的にはロウバー７における個々の磁気ヘッ
ド１の間に設けられた切断部には研磨加工時のＭＲ素子
高さを検出するための抵抗検知素子１５が設けられてい
る。

【００３２】そして、この抵抗検知素子１５の一部が浮
上面４の研磨加工によって除去される際にその抵抗値の
変化を検出し、検出したこの抵抗値をＭＲ素子高さに換
算することにより、ロウバー７内におけるＭＲ素子高さ
の分布をモニタリングする。このとき、ＭＲ素子高さの
分布が均一になるように上記した複数の抵抗検知素子１
５で検出された抵抗値を用いてロウバー７に印加する研
磨荷重を調節する。

【００３３】現在主流の磁気ヘッド１の大きさはピコス
ライダと呼ばれ、磁気ヘッド１の外形寸法は幅１．２ｍ
ｍ、長さ１．０ｍｍ、高さ０．３ｍｍであり、図４に例
示したロウバー７の状態では、幅（ｂ）１．２ｍｍ、長
さ（Ｌ）４０〜８０ｍｍ、高さ（ｔ）０．３０〜０．３
３ｍｍである。ロウバー７の長さが他の寸法と比較して
非常に長い理由としては、ロウバー７の長さを長くする
ことにより１本のロウバー７に含まれる磁気ヘッド１の
数を大きくすることが出来、それによって磁気ヘッド１
の生産性を向上させることが可能になるためである。

【００３４】しかしながら、従来技術であるロウバー７
の状態で研磨加工を行なう場合、この長さが長くなるに
従ってロウバー７の剛性が低下し、ロウバー７内に２次
曲り成分と３次曲線以上の高次曲線成分（うねり成分と
呼ぶ）が生じ易くなる。上記した２次曲り成分はロウバ
ー７内に設けた抵抗検知素子１５の抵抗値を検出し、そ
の値に基いてロウバー７に印加する荷重を適宜調整する
ことによって、比較的容易に補正することが可能である
が、うねり成分に関しては補正するのが困難である。

【００３５】図６に面記録密度とトラック幅、ＭＲ素子
高さ及びその加工公差の関係を示す。なおトラック幅
は、図３に示すＭＲ素子の幅方向の寸法である。図６に
示すようにトラック幅及び素子高さは、面記録密度の向
上にともない、その寸法は小さくなっている。トラック
幅は、リソグラフィ−の露光精度に依存しているのに対
して、素子高さはトラック幅の０．８倍で、素子高さの
加工公差は素子高さの１／４が一般に求められる。同図
に示すように、面記録密度１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ ^２を実
現するには、素子高さの加工公差は±０．０２４μｍ以
下にする必要がある。

【００３６】しかしながら、従来の加工方法では、完成
した個々の磁気ヘッド１のＭＲ素子高さがばらつく要因
は前述した発明における課題の欄で述べたが、特に要因
（１）〜（３）、（６）はロウバー７の状態で浮上面を
研磨加工する際に生じるものであって、ロウバー７内の
うねり成分を十分に補正することが出来ないため、素子
高さの加工公差±０．０２４μｍを達成するのは困難で
ある。

【００３７】次に、浮上面形状の形成方法について、以
下に説明する。図７に浮上面形状の概念図を示す。同図
に示すように、磁気ヘッドの長手方向の反りをクラウン
と称し、磁気ヘッドの短手方向の反りをキャンバーと称
する。これらのパラメータの測定は、ＺＹＧＯ社のＮＥ
Ｗ ＶＩＥＷ２００に代表される光干渉型形状測定器を
用いる。クラウンは、磁気ヘッド浮上面の長手方向の形
状を円筒近似し、その反り量とする。それに対して、キ
ャンバーは、ヘッド浮上面の短手方向の形状を円筒近似
し、その反り量とする。凸形状に反るのが正クラウン、
正キャンバーである。

【００３８】従来の浮上面形状の形成方法は、前述した
素子高さの制御研磨加工工程の後に、ウレタン等の弾性
体を介してロウバーを研磨治具に貼り付け、その状態で
浮上面を研磨定盤に押し当て、研磨定盤の形状を浮上面
に転写する仕上げ研磨法により形成される。弾性体を用
いることにより、ワックス等でロウバーを固定した場合
と比較して、接着歪みによる形状精度の劣化が無いこ
と、及びロウバーの長手方向のうねりを矯正でき、精度
良く定盤形状を転写することが可能となる。しかしなが
ら、素子高さの制御研磨加工と同様に、ロウバーの長手
方向における高次のうねりを弾性体により矯正すること
は困難であり、またうねりの影響により、ロウバー内で
研磨圧力に分布が生じ、その結果、浮上面の形状精度を
高精度に形成することは困難である。

【００３９】前述したように、クラウン及びキャンバー
の加工精度は、磁気ヘッドの浮上量の変動に影響を与え
る。図８に示すように、面記録密度の向上に伴い磁気ヘ
ッドの浮上量は小さくなり、低浮上を実現するには、ク
ラウン及びキャンバーの加工精度の高精度化が必要とな
る。同図に示すように、面記録密度１００Ｇｂｉｔ／ｉ
ｎ^２を実現するには、浮上面形状であるクラウン及びキ
ャンバーの形状精度は±２ｎｍ以下にする必要がある。

【００４０】以下、本発明の実施例を図面を用いて具体
的に説明する。図４に示したロウバーの状態で浮上面４
を研磨し、同時にＭＲ素子の高さも制御する場合、上記
したロウバーなる形状特有のばらつきが生じる。従っ
て、本発明ではそのばらつき要因を排除することを目的
に、スライダの状態で研磨するようにした。即ち、個々
のスライダ毎に設けられた抵抗検知素子を用いてその抵
抗値を検出し、その結果を逐次研磨条件にフィードバッ
クしながら研磨を行なうようにすれば良い。

【００４１】本発明の一実施例である磁気ヘッドの斜視
図を図９に、また磁気抵抗効果素子の端部が浮上面に露
出した状態で、浮上面から見た磁気ヘッドの概略断面図
を図１０に示す。上記した磁気ヘッドは、上記の図２〜
図５に示した場合と同様の方法で形成されるが、従来の
場合との違いは下記の点にある。即ち、ロウバーから切
り離されたスライダ３には第１の磁気抵抗効果素子１０
１と第２の磁気抵抗効果素子１０２とを近接させて形成
した。第１の磁気抵抗効果素子１０１と第２の磁気抵抗
効果素子２０１は、各々第１の磁気抵抗効果膜１０２と
第２の磁気抵抗効果膜２０２の一部に接触させて、かつ
挟みこむようにして形成した第１の電極１０３と第２の
電極２０３とを、絶縁膜３０１を有する基板３（切断後
のスライダ３）の上方に積層されている。

【００４２】第１の磁気抵抗効果膜１０２と第２の磁気
抵抗効果膜２０２及び第１の電極１０３と第２の電極２
０３とは各々幾何学的に同一形状とし、また同一素材を
用いて形成した。そして、第２の磁気抵抗効果膜２０２
は第１の磁気抵抗効果膜１０２と同一平面内に形成され
ている。更に、第１の磁気抵抗効果素子１０１は、第１
の磁気抵抗効果膜１０２及び第１の電極１０３とを挟む
ようにして形成した下部シールド膜１０４及び上部シー
ルド膜１０５を備えている。第１の磁気抵抗効果素子１
０１と第２の磁気抵抗効果素子２０１との間隔ｄはホト
マスクの寸法公差やホト工程での誤差等を考慮して可能
な限り小さくすることが望ましい。

【００４３】情報をディスク２に記録させるための誘導
型磁気変換素子１０は第１の磁気抵抗効果素子１０１の
上方に上部シールド膜１０５を介して形成されるが、そ
の構造及び形成方法は従来技術と同様であり、ここでは
省略する。

【００４４】次に、スライダの浮上面の研磨加工につい
て説明する。図１１は従来技術と比較して、本実施例に
おける加工プロセスフローを表わす。即ち、 （１）第１の磁気抵抗効果素子１０１、第２の磁気抵抗
効果素子２０１、誘導型磁気変換素子１０を備えた基板
６をロウバー７の形状に切断する。 （２）第１の磁気抵抗効果素子１０１や第２の磁気抵抗
効果素子２０１の形成された面に対して直交する基板６
の面を、両面ラップと呼ばれる方法を用いて粗研磨を行
ない、ＭＲ素子高さを予め決められた所定の寸法に加工
する。 （３）更にこの状態でスライダ３の浮上面４の研磨を行
い、ＭＲ素子高さを所定の値に近付ける。即ち、完成し
た磁気ヘッドのＭＲ素子高さをＨｆとすれば、この工程
における研磨加工の目標値Ｈｂは、Ｈｆ＋０．０３〜
０．１５μｍ程度である。尚、この工程までは従来技術
と同じである。 （４）第１の磁気抵抗効果素子１０１や第２の磁気抵抗
効果素子２０１が各スライダに含まれるようにロウバー
７を切断する。 （５）スライダを研磨装置に装着し、スライダ毎に第２
の磁気抵抗効果素子２０１の抵抗値を検出しながらその
結果を研磨装置にフィードバックしながら浮上面４の研
磨を行ない、上記の抵抗値またはその抵抗値から換算し
たＭＲ素子高さがＨｆになるまで研磨加工を行なう。 （６）次に本実施例では浮上面４の表面に、良く知られ
たイオンミリング法あるいはスパッタ法を用いて浮上用
のレールを形成する。

【００４５】一方、従来技術では、（３）ロウバーの状
態で浮上面の加工を行ない、その後に、第２の磁気抵抗
効果素子２０１の抵抗値またはその換算したＭＲ素子高
さがＨｆになるまで仕上げ研磨加工が行なわれる。しか
しながら、数１０の磁気抵抗効果素子が連なったロウバ
ーの状態で研磨が行なわれるため、たとえ第２の磁気抵
抗効果素子の抵抗値を検出して、その結果を研磨装置に
フィードバックしても当該のスライダ部分にだけ必要な
研磨荷重を印加することが不可能である。従って、この
場合には目標のＭＲ素子高さＨｆに対して、極めて大き
なばらつきが生じてしまうことを避けることが出来な
い。

【００４６】次に、上記した（５）の工程における浮上
面の高精度研磨加工方法について、図１２〜図１５を用
いて説明する。図１２は本実施例で使用した研磨装置の
概念図である。また、図１３は第１の磁気抵抗効果素子
１０１及び第２の磁気抵抗効果素子２０１を有するスラ
イダ３を研磨装置に装着したときの概念図である。これ
らの図において、スライダ３の裏面（第１の磁気抵抗効
果膜１０３及び第２の磁気抵抗効果膜２０３が表面に露
出していない側の面）をポリウレタン等の粘着性弾性体
３０１を貼り付け、研磨冶具３０２の上下シリンダ３０
３に固定する。図１３に示すように、上下シリンダ３０
３には例えばフィルム状の回路基板３０４が装着されて
おり、フィルム状の回路基板３０４の端子３０５と図６
に示した第２の磁気抵抗効果素子２０１の端子２０４と
を、例えばワイヤーボンディング法を用いてワイヤ３０
９で結線し、研磨加工中に第２の磁気抵抗効果素子２０
１の抵抗値を検出することが出来る。

【００４７】図１２に示した実施例において、複数個の
スライダ３を固定した研磨冶具３０２をラップ研磨装置
に取り付け、スライダ３の浮上面４と研磨定盤３０６と
が対向するように配置する。研磨加工を行なう前は、ア
クチュエータ３０７と上下シリンダ３０３とが離れてお
り、また上下シリンダ３０３が例えばコイルバネ３０８
により押し上げられた状態にあるので、スライダ面４と
研磨定盤３０６とが非接触の状態に置かれている。

【００４８】図１４はスライダ３を研磨加工していると
きの状態を表わす図であって、アクチュエータ２４を用
いて上下シリンダ３０３に荷重Ｆを付加することによ
り、スライダ３の浮上面４と研磨定盤３０６の表面とが
接触させる。この状態で砥粒を含まない油性あるいは水
溶性の研磨液（図示せず）を研磨定盤３０６上に滴下し
ながら、研磨定盤３０６を例えば０．１〜２０ｒ／ｍｉ
ｎの範囲で回転させ、研磨冶具３０２を研磨定盤３０６
の直径方向または法線方向に例えば１〜３００ｍｍ／ｓ
の範囲内で往復運動させることによって、浮上面４の表
面が研磨される。尚、研磨定盤３０６の表面には、例え
ば平均粒径が１/２〜１/２０μｍのダイヤモンド砥粒を
機外にて定盤表面に埋め込んだ固定砥粒定盤を用いる。

【００４９】研磨が行なわれている間、スライダ３の上
に設けられた第２の磁気抵抗効果素子２０１を用いて第
２の磁気抵抗効果膜２０２の抵抗値を適宜あるいは決め
られたスケジュールに従って測定し、その結果をアクチ
ュエータ３０７にフィードバックされる。そして、図１
５に例示するように、第２の磁気抵抗効果素子２０２を
用いて測定した抵抗値もしくは抵抗値から換算したＭＲ
素子高さが所定の値になったとき、そのスライダ４に研
磨荷重を加えていたアクチュエータ３０７を反対方法に
作動させ、上下シリンダ３０２に加える荷重をゼロにす
ることによって上下シリンダ３０２がコイルバネ３０８
の復元力により押し上げられる。（図１２において、右
端及び４番目の研磨治具が該当する） このようにして、スライダ３内に形成した第２の磁気抵
抗効果素子２０２の抵抗値もしくは抵抗値から換算した
ＭＲ素子高さが所定の値を有する磁気ヘッド１が完成す
る。図１５の本実施例に示すように、複数個のスライダ
３を一括して研磨加工を行ない、ＭＲ素子高さが所定の
値に達したスライダ３から順次加工が終了する。そし
て、ＭＲ素子高さが所定の値に達しないスライダ３は引
続き研磨加工が継続される。研磨冶具３０２に装着した
全てのスライダ３の研磨が終了したとき、研磨定盤３０
６の回転と研磨冶具３０２の往復運動を停止し、加工が
終了する。

【００５０】以上で説明したように、本実施例で述べた
研磨加工法は下記の効果を有し、ＭＲ素子高さ及び浮上
面形状を極めて高精度に加工することが可能である。 （１）スライダ毎に、かつ個々のスライダに設けた磁気
抵抗効果素子の特性を利用して研磨加工を行なうため、
従来技術におけるロウバー毎の研磨加工に起因する加工
量のばらつきを低減することが出来る。 （２）スライダ毎に研磨加工を行なうため、その加工を
独立して制御することが出来る。 （３）スライダ内に第１の磁気抵抗効果素子（記録再生
用）と第２の磁気抵抗効果素子（研磨加工モニター用）
とを近接させて形成することにより、両者の離間距離に
起因する加工量のばらつきを低減することが出来る。 （４）記録再生用の磁気抵抗効果素子を構成する磁気抵
抗効果膜及び電極と同一部材及び同一形状の研磨加工用
素子を用いることにより、実質的には記録再生用の磁気
抵抗効果素子の研磨加工が可能になる。 （５）研磨加工用の磁気抵抗効果素子はシールド膜を除
外したため、研磨加工時に発生するスクラッチ起因のノ
イズを低減することが出来、抵抗値の高感度測定が可能
になる。

【００５１】即ち、シールド膜が存在する場合、または
記録再生用の磁気抵抗効果素子を用いて研磨加工量を測
定する場合、磁気抵抗効果膜及び電極を挟んで設けられ
たシールド膜の間隔は高々８０〜１００ｎｍ程度である
ため、研磨加工時のスクラッチによってシールド膜と電
極との短絡によって検出すべき抵抗値が本来の抵抗値よ
りも小さくなって測定される。これによって正確な研磨
を行なうことが出来ずに、ＭＲ素子高さの大きなばらつ
きを発生させる。（６）スライダ毎に、かつ個々のスラ
イダを弾性体を介して研磨装置に装着し研磨加工を行な
うため、従来技術におけるロウバーのねじれや反りに起
因する浮上面の形状ばらつきを低減することが出来る。

【００５２】次に、本実施例に基いて研磨加工を行なっ
た結果について説明する。図１６は、スライダ毎に設け
た第２の磁気抵抗効果素子２０１の抵抗値を検出しなが
ら加工研磨を実施し、研磨終了後に第１の磁気抵抗効果
素子１０１の抵抗値を測定した結果を表わす。その結
果、スライダ内に形成した第１の磁気抵抗効果素子１０
１と第２の磁気抵抗効果素子２０１との抵抗値は極めて
良い相関関係にあることが明らかである。

【００５３】このことは、スライダ内の第１の磁気抵抗
効果素子１０１に近接させて設けた第２の磁気抵抗効果
素子２０１の抵抗値をモニターしながら加工研磨を行な
うことによって、第１の磁気抵抗効果素子１０１、即ち
実際の磁気ヘッドにおける磁気抵抗効果素子の抵抗値も
しくはＭＲ素子高さを精度良く加工することが出来ると
言うことを意味する。

【００５４】図１７（ａ）、（ｂ）は、従来技術である
ロウバーの状態で浮上面の研磨加工を行ない、その後ス
ライダに切断した磁気ヘッドのＭＲ素子高さ（抵抗換算
値）とＭＲ素子の抵抗値の分布図である。また、図１８
（ａ）、（ｂ）は、本実施例を用いてスライダ毎に研磨
加工を施したときのＭＲ素子高さ（抵抗換算値）とＭＲ
素子の抵抗値の分布図である。ＭＲ素子の抵抗値は、マ
クロ社製のΔＶ−Ｈ装置を用い測定した。ＭＲ素子高さ
は、測定した抵抗値をＭＲ素子高さに換算した値であ
る。

【００５５】この結果から明らかのように、従来技術に
おけるＭＲ素子高さは平均値０．２６μｍ、最大値０．
３４μｍ、最小値０．１７μｍ、ばらつき（３σ値）
０．０９１μｍであるのに対して、本実施例におけるＭ
Ｒ素子高さは平均値０．２５μｍ、最大値０．２７μ
ｍ、最小値０．２３μｍ、ばらつき（３σ値）０．０２
２μｍである。また、従来技術におけるＭＲ素子の抵抗
値は平均値４１．３Ω、最大値６２．３Ω、最小値３
１．０Ω、ばらつき（３σ値）１５．４Ωであるのに対
して、本実施例におけるＭＲ素子の抵抗値は平均値４
２．１Ω、最大値４５．７Ω、最小値３８．９Ω、ばら
つき（３σ値）３．７Ωである。

【００５６】換言すれば、本実施例で説明した磁気ヘッ
ドの構造（図６参照）及びスライダ毎の研磨加工方法
（図１２参照）を用いることによって、記録面密度１０
０Ｇｂｉｔ／ｉｎ^２の磁気ディスク装置の実現に必要不
可欠なＭＲ素子高さ精度±０．０２４μｍを有する磁気
ヘッドを作製することが可能であることを示している。

【００５７】本実施例を用いて研磨加工した磁気ヘッド
を無作為に抽出し、そのサンプリング数とＧＭＲ素子の
素子高さのばらつき（３σ）と抵抗値のばらつき（３
σ）と平均値のと比の関係を図１９（ａ）、（ｂ）に示
す。上記の方法によって作製された磁気ヘッドを無作為
に数〜１００個範囲で抽出した場合、抽出数が１０個以
上であればＧＭＲ素子の素子高さのばらつき（３σ）は
０．０２６μｍとなり、抵抗値のばらつき（３σ）と抵
抗値の平均値との比は概略０．１１となる。

【００５８】この結果から、無作為に１０個の磁気ヘッ
ドを抽出し、そのＧＭＲ素子高さばらつき（３σ）が
０．０２６μｍ以下、あるいは抵抗値のばらつき（３
σ）と平均値との比が概略０．１１であれば、図１８に
示す本実施例を用いた場合の分布と同じといえる。な
お、ＧＭＲ素子の抵抗値からＧＭＲ素子高さを算出する
換算式が不明の場合、ＧＭＲ素子の部分を集束イオンビ
ーム加工装置（ＦＩＢ）により、素子高さ方向に加工
し、その断面からＧＭＲ素子の素子高さを求めても良
い。

【００５９】図２０（ａ）は従来技術における磁気ヘッ
ドの再生出力とＧＭＲ素子の抵抗値との関係を、また図
２０（ｂ）は本実施例における関係を表わす。その結
果、従来技術においては図１７（ａ）に示したようにＭ
Ｒ素子高さのばらつきが大きいので、その結果としてＧ
ＭＲ素子の抵抗値及び再生出力が広範囲に分布する。一
方、本実施例においては、図１９（ｂ）に示す如くＭＲ
素子高さのばらつきを極めて小さくすることが出来るの
で、ＧＭＲ素子の抵抗値及び再生出力のばらつきも低減
することが可能になる。これによって、磁気ヘッドとし
て重要な特性のひとつである再生出力の安定した、かつ
高信頼度を有する磁気ヘッドを提供することが出来ると
いっても過言ではない。

【００６０】図２１（a）、（ｂ）に従来の加工方法で
あるロウバーの状態で浮上面の仕上げ研磨加工を行った
場合の浮上面形状であるクラウン及びキャンバーの分布
を示す。また、図２２（ａ）、（b）に本実施例を用い
てスライダ毎に研磨加工を施したときの浮上面形状であ
るクラウン及びキャンバーの分布を示す。なお、クラウ
ン及びキャンバーの測定は、ＺＹＧＯ社の光干渉型形状
測定器であるＮＥＷＶＩＥＷ２００により測定し、測定
長は、クラウンの場合、１．１ｍｍ、キャンバーの場
合、０．９ｍｍとした。

【００６１】この結果から明らかのように、従来技術に
おけるクラウンは平均値２．９ｎｍ、最大値９．９ｎ
ｍ、最小値−１．８ｎｍ、ばらつき（３σ値）２．３ｎ
ｍであり、キャンバーは平均値−０．７６ｎｍ、最大値
３．７ｎｍ、最小値−４．１ｎｍ、ばらつき（３σ値）
３．０ｎｍであるのに対して、本実施例におけるクラウ
ンは平均値１．８ｎｍ、最大値３．０ｎｍ、最小値０．
５２ｎｍ、ばらつき（３σ値）１．４ｎｍであり、キャ
ンバーは平均値−０．２２ｎｍ、最大値０．９ｎｍ、最
小値−１．１ｎｍ、ばらつき（３σ値）１．０ｎｍであ
る。

【００６２】換言すれば、本実施例で説明した磁気ヘッ
ドの構造（図９参照）及びスライダ毎の研磨加工方法
（図１５参照）を用いることによって、記録面密度１０
０Ｇｂｉｔ／ｉｎ^２の磁気ディスク装置の実現に必要不
可欠な浮上面の形状精度±２ｎｍを有する磁気ヘッドを
作製することが可能であることを示している。

【００６３】本実施例を用いて研磨加工した磁気ヘッド
を無作為に抽出し、そのサンプリング数とクラウンばら
つき（３σ）及びキャンバーばらつき（３σ）の関係を
図２３（ａ）、（ｂ）に示す。無作為に３０個の磁気ヘ
ッドを抽出した場合、クラウンのばらつき（３σ）は
１．４ｎｍとなり、またキャンバーのばらつき（３σ）
は１．０ｎｍとなる。この結果から、無作為に３０個の
磁気ヘッドを抽出し、そのクラウン（３σ）が１．４ｎ
ｍ以下であり、かつキャンバーのばらつき（３σ）が
１．０ｎｍ以下であれば、図２２に示す本実施例を用い
た場合の分布と同じといえる。

【００６４】

【発明の効果】記録再生用と研磨加工量検出用の磁気抵
抗効果素子をスライダ内に形成し、加工量をモニターし
ながらスライダ毎に仕上げ研磨加工を行なうことによっ
て、高精度に制御されたＭＲ素子高さ及び浮上面形状を
有する磁気ヘッドを実現することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁気ヘッドとディスクとの関係を表わす配置図
である。

【図２】磁気ヘッドの製造過程を説明するための概念図
である。

【図３】磁気ヘッドの構造を説明するための斜視図であ
る。

【図４】磁気ヘッドの連なった状態であるロウバーの概
略図である。

【図５】ロウバーを説明するための拡大概略図である。

【図６】磁気ディスク装置の面記録密度とＧＭＲ素子高
さ精度の関係を表わす図である。

【図７】磁気ヘッドの浮上面形状（クラウン、キャンバ
ー）の概念図である。

【図８】磁気ディスク装置の面記録密度と磁気ヘッド浮
上面の形状精度との関係を表わす図である。

【図９】本実施例である磁気ヘッドの構造を説明するた
めの斜視図である。

【図１０】本実施例である磁気ヘッドの断面構造図であ
る。

【図１１】従来技術及び本実施例における研磨加工プロ
セスフローである。

【図１２】本実施例であるスライダ毎の研磨加工を行な
うための装置概略図（加工前）である。

【図１３】加工装置のスライダ取り付け部の拡大図であ
る。

【図１４】本実施例であるスライダ毎の研磨加工を行な
うための装置概略図（加工中）である。

【図１５】本実施例であるスライダ毎の研磨加工を行な
うための装置概略図（加工終了）である。

【図１６】第１及び第２の磁気抵抗効果素子における抵
抗値相関図である。

【図１７】従来技術におけるＧＭＲ素子高さ（抵抗値換
算）とＧＭＲ素子抵抗値の分布図である。

【図１８】本実施例におけるＧＭＲ素子高さ（抵抗値換
算）とＧＭＲ素子抵抗値の分布図である。

【図１９】磁気ヘッドのサンプリング数とＧＭＲ素子高
さ（抵抗値換算）及びＧＭＲ素子抵抗値のばらつき（３
σ）の関係を表す図である。

【図２０】本実施例におけるＧＭＲ素子の抵抗値と再生
出力との関係を表わす図である。

【図２１】従来技術におけるクラウン及びキャンバーの
分布図である。

【図２２】本実施例におけるクラウン及びキャンバーの
分布図である。

【図２３】磁気ヘッドのサンプリング数とクラウン及び
キャンバーのばらつき（３σ）の関係を表す図である。

【符号の説明】

１…磁気ヘッド、２…ディスク、３…スライダ、４…ス
ライダ面、５…磁気抵抗効果素子、６…基板、７…ロウ
バー、８…コイル、９…上部磁性膜、１０…誘導型磁気
変換素子、１１…上部シールド膜、１２…磁気抵抗効果
膜、１３…電極、１４…下部シールド膜、１５…抵抗検
知素子、１０１…第１の磁気抵抗効果素子、１０２…第
１の磁気抵抗効果膜、１０３…第１の電極、１０４…下
部シールド膜、１０５…上部シールド膜、２０１…第２
の磁気抵抗効果素子、２０２…第２の磁気抵抗効果膜、
２０３…第２の電極、２０４…抵抗検知用端子、２０５
…磁気変換素子の端子、３０１…表面粘着性の弾性体、
３０２…研磨冶具、３０３…上下シリンダ、３０４…フ
ィルム状回路基板、３０５…端子、３０６…研磨定盤、
３０７…アクチュエータ、３０８…ばね、３０９…ワイ
ヤーボンディングのワイヤー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田村 利夫 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 高倉 昭雄 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージ事業部内 (72)発明者 田中 幸治 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージ事業部内 Ｆターム(参考） 5D034 AA02 BA02 BB01 BB02 DA02 DA07 5D042 NA02 PA02 PA09 QA03 QA04 RA02

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】誘導型磁気変換素子及び磁気抵抗効果素子
   を形成した薄膜磁気ヘッドであって、基板上に第１の磁
   気抵抗効果素子と、第２の磁気抵抗効果素子とを近接さ
   せて備えてなり、前記第１の磁気抵抗効果素子と第２の
   磁気抵抗効果素子とが形成された面に対して直交する前
   記基板の一面をスライダ面となすことを特徴とする薄膜
   磁気ヘッド。
2. 【請求項２】前記第１の磁気抵抗効果素子と前記第２の
   磁気抵抗効果素子とが、各々電極に挟まれて形成された
   磁気抵抗効果膜を備えてなり、２組の前記電極と前記磁
   気抵抗効果膜とが各々幾何学的に同一形状をなすことを
   特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 【請求項３】前記第１の磁気抵抗効果素子が、下部シー
   ルド膜と上部シールド膜とに挟まれて形成された第１の
   磁気抵抗効果膜を備えて前記基板の上方に積層形成され
   てなり、かつ前記第１の磁気抵抗効果膜の形成面内に前
   記第２の磁気抵抗効果素子を構成する第２の磁気抵抗効
   果膜が形成されてなり、かつ前記第２の磁気抵抗効果素
   子近傍にはシールド膜が形成されていないことを特徴と
   する請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
4. 【請求項４】前記第１の磁気抵抗効果素子が磁気記録媒
   体からの磁気信号を再生する手段として用いられ、かつ
   前記第２の磁気抵抗効果素子が前記スライダ面の研磨加
   工量を計測する手段として用いられてなることを特徴と
   する請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
5. 【請求項５】前記基板がＡｌ_２Ｏ_３−ＴｉＣまたはＳｉ
   Ｃ等からなる非磁性体であることを特徴とする請求項１
   に記載の薄膜磁気ヘッド。
6. 【請求項６】誘導型磁気変換素子及び磁気抵抗効果素子
   を形成した薄膜磁気ヘッドであって、基板上に第１の磁
   気抵抗効果素子と、該第１の磁気抵抗効果素子の磁気抵
   抗を検出するための第１の接続用端子と、前記第１の磁
   気抵抗効果素子に近接して設けられた第２の磁気抵抗効
   果素子と、該第２の磁気抵抗効果素子の抵抗を検出する
   ための第２の接続用端子とを備えてなり、前記第１の磁
   気抵抗効果素子と第２の磁気抵抗効果素子とが形成され
   た面に対して直交する前記基板の一面をスライダ面とす
   ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
7. 【請求項７】誘導型磁気変換素子及び磁気抵抗効果素子
   を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、基板上に
   第１の磁気抵抗効果素子と第２の磁気抵抗効果素子とを
   形成する工程と、前記第１の磁気抵抗効果素子と第２の
   磁気抵抗効果素子とを含むようにしてスライダに切断す
   る工程と、該スライダを弾性体を介して研磨装置に装着
   して、前記第１の磁気抵抗効果素子と第２の磁気抵抗効
   果素子に直交する面を研磨する工程とを備えてなり、前
   記スライダ毎に研磨を行なうことを特徴とする薄膜磁気
   ヘッドの製造方法。
8. 【請求項８】前記研磨工程において、前記第２の磁気抵
   抗効果素子の抵抗値を検出して、該抵抗値または該抵抗
   値から換算した第２の磁気抵抗効果素子の高さ寸法が所
   定の値に達したとき、前記研磨工程が終了することを特
   徴とする請求項８に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
9. 【請求項９】誘導型磁気変換素子及び磁気抵抗効果素子
   を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、基板上に
   第１の磁気抵抗効果素子と第２の磁気抵抗効果素子とを
   形成する工程と、前記第１の磁気抵抗効果素子と第２の
   磁気抵抗効果素子とを含むようにしてスライダに切断す
   る工程と、少なくともひとつ以上のスライダを弾性体を
   介して研磨装置に装着して、前記第１の磁気抵抗効果素
   子と第２の磁気抵抗効果素子に直交する面を研磨する工
   程とを備えてなり、前記スライダ毎に形成された第２の
   磁気抵抗効果素子の抵抗値を検出して、該抵抗値または
   該抵抗値から換算した第２の磁気抵抗効果素子の高さ寸
   法が所定の値に達したとき、前記研磨工程が終了するこ
   とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
10. 【請求項１０】前記研磨工程において、前記第２の磁気
    抵抗効果素子の抵抗値を検出して、該抵抗値または該抵
    抗値から換算した第２の磁気抵抗効果素子の高さ寸法が
    所定の値に達したとき、前記スライダの研磨面と前記研
    磨装置の研磨盤表面とを非接触状態にして研磨を終了さ
    せることを特徴とする請求項８または１０に記載の薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
11. 【請求項１１】前記研磨工程において、前記第２の磁気
    抵抗効果素子の抵抗値を検出して、該抵抗値または該抵
    抗値から換算した第２の磁気抵抗効果素子の高さ寸法が
    所定の値に達したとき、当該のスライダのみ研磨を終了
    させることを特徴とする請求項１０に記載の薄膜磁気ヘ
    ッドの製造方法。
12. 【請求項１２】誘導型磁気変換素子及び磁気抵抗効果素
    子を備えた薄膜磁気ヘッドであって、無作為に３０個の
    薄膜磁気ヘッドを抽出した場合に、磁気記録媒体と対向
    する面である浮上面の形状を表わすクラウンのばらつき
    ３σが±１．４ｎｍ以下であり、かつキャンバーのばら
    つき３σが±１．０ｎｍ以下であることを特徴とする薄
    膜磁気ヘッド。
13. 【請求項１３】誘導型磁気変換素子及び磁気抵抗効果素
    子を備えた薄膜磁気ヘッドであって、磁気記録媒体と対
    向する面である浮上面とほぼ直角方向の前記磁気抵抗効
    果素子の端部から浮上面までの距離の寸法ばらつき３σ
    が、無作為に１０個の薄膜磁気ヘッドを抽出した場合に
    ±０．０２６μｍ以下であることを特徴とする薄膜磁気
    ヘッド。
14. 【請求項１４】誘導型磁気変換素子及び磁気抵抗効果素
    子を備えた薄膜磁気ヘッドであって、前記磁気抵抗効果
    素子の抵抗ばらつき３σと抵抗の平均値との比が、無作
    為に１０個の薄膜磁気ヘッドを抽出した場合に０．１１
    以下であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
15. 【請求項１５】請求項１２に記載の浮上面形状の寸法ば
    らつきと請求項１３に記載の磁気抵抗効果素子の寸法ば
    らつきとを満足するように前記浮上面と前記磁気抵抗効
    果素子とが形成されてなることを特徴とする薄膜磁気ヘ
    ッド。
16. 【請求項１６】請求項１２に記載の浮上面形状の寸法ば
    らつきと請求項１４に記載の磁気抵抗効果素子の抵抗ば
    らつきとを満足するように前記浮上面と前記磁気抵抗効
    果素子とが形成されてなることを特徴とする薄膜磁気ヘ
    ッド。