JP2003113471A - ダイヤモンド様炭素膜透明導電積層体及びその製造方法 - Google Patents
ダイヤモンド様炭素膜透明導電積層体及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の表面エネルギーが異なる場合でも、基
板上に円滑に形成することができるとともに、導電性及
び光学透過性の向上を図ることができるダイヤモンド様
炭素膜透明電極積層体及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板（ガラス基板）１１と、この基板１
１上の下層から上層に順次ｓｐ2 含有割合の高いダイヤ
モンド様炭素層１２Ａからｓｐ3 含有割合の高いダイヤ
モンド様炭素層１２Ｂとｓｐ2 含有割合の高いダイヤモ
ンド様炭素層１２Ｃを有するダイヤモンド様炭素膜１２
を具備する。
板上に円滑に形成することができるとともに、導電性及
び光学透過性の向上を図ることができるダイヤモンド様
炭素膜透明電極積層体及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板（ガラス基板）１１と、この基板１
１上の下層から上層に順次ｓｐ2 含有割合の高いダイヤ
モンド様炭素層１２Ａからｓｐ3 含有割合の高いダイヤ
モンド様炭素層１２Ｂとｓｐ2 含有割合の高いダイヤモ
ンド様炭素層１２Ｃを有するダイヤモンド様炭素膜１２
を具備する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイヤモンド様炭
素膜透明導電積層体及びその製造方法に関するものであ
る。
素膜透明導電積層体及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ダイヤモンド様炭素膜は、炭化水
素を励起し、分解して得た高硬度炭素膜である。耐摩耗
性があること、平坦な表面が得られること、各種の金属
等との静止摩擦係数、動摩擦係数が小さいこと等から、
樹脂、金属の表面保護膜として、大いに利用されるよう
になってきている。
素を励起し、分解して得た高硬度炭素膜である。耐摩耗
性があること、平坦な表面が得られること、各種の金属
等との静止摩擦係数、動摩擦係数が小さいこと等から、
樹脂、金属の表面保護膜として、大いに利用されるよう
になってきている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、保護膜とし
て使われるダイヤモンド様炭素膜は光透過性が悪く、光
透過性を改善するためにｓｐ3 の含有割合を高くしよう
とすると、表面エネルギーが異なる基板の場合には応力
がかかるため、光透過性が優れるｓｐ3 含有割合の高い
ダイヤモンド様炭素膜を基板上に直接堆積することは困
難である。
て使われるダイヤモンド様炭素膜は光透過性が悪く、光
透過性を改善するためにｓｐ3 の含有割合を高くしよう
とすると、表面エネルギーが異なる基板の場合には応力
がかかるため、光透過性が優れるｓｐ3 含有割合の高い
ダイヤモンド様炭素膜を基板上に直接堆積することは困
難である。
【０００４】すなわち、ガラス等の表面エネルギーの異
なる非結晶基板にｓｐ3 リッチＤＬＣ膜を堆積すると、
その表面エネルギーの違いから、ＤＬＣ膜の表面にクラ
ックが発生し、平滑表面を特徴とするＤＬＣ膜の特徴が
損なわれる。
なる非結晶基板にｓｐ3 リッチＤＬＣ膜を堆積すると、
その表面エネルギーの違いから、ＤＬＣ膜の表面にクラ
ックが発生し、平滑表面を特徴とするＤＬＣ膜の特徴が
損なわれる。
【０００５】また、ＤＬＣ膜の導電性は窒素をドープす
ることにより実現することができる。しかし、導電性の
良いＤＬＣ膜の光学透過性は悪く、透過率はＩＴＯ膜に
は遠く及ばなかった。そして、光学透過性を改善する
と、導電性が悪化し、光学透過性と電気導電性はトレー
ドオフの関係にあった。
ることにより実現することができる。しかし、導電性の
良いＤＬＣ膜の光学透過性は悪く、透過率はＩＴＯ膜に
は遠く及ばなかった。そして、光学透過性を改善する
と、導電性が悪化し、光学透過性と電気導電性はトレー
ドオフの関係にあった。
【０００６】本発明は、上記状況に鑑みて、基板の表面
エネルギーが異なる場合でも、基板上に円滑に形成する
ことができるとともに、導電性及び光学透過性の向上を
図ることができるダイヤモンド様炭素膜透明電極積層体
及びその製造方法を提供することを目的とする。
エネルギーが異なる場合でも、基板上に円滑に形成する
ことができるとともに、導電性及び光学透過性の向上を
図ることができるダイヤモンド様炭素膜透明電極積層体
及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕ダイヤモンド様炭素膜透明導電積層体において、
基板と、この基板側から順にグラファイト成分が多いｓ
ｐ2 の含有割合の高いダイヤモンド様炭素層からダイヤ
モンド成分が多いｓｐ3 の含有割合の高いダイヤモンド
様炭素層を有するダイヤモンド様炭素膜を具備すること
を特徴とする。
成するために、 〔１〕ダイヤモンド様炭素膜透明導電積層体において、
基板と、この基板側から順にグラファイト成分が多いｓ
ｐ2 の含有割合の高いダイヤモンド様炭素層からダイヤ
モンド成分が多いｓｐ3 の含有割合の高いダイヤモンド
様炭素層を有するダイヤモンド様炭素膜を具備すること
を特徴とする。
【０００８】〔２〕上記〔１〕記載のダイヤモンド様炭
素膜透明導電積層体において、前記ｓｐ3 の含有割合の
高いダイヤモンド様炭素層上にさらにグラファイト成分
が多いｓｐ2 の含有割合の高いダイヤモンド様炭素層を
具備することを特徴とする。
素膜透明導電積層体において、前記ｓｐ3 の含有割合の
高いダイヤモンド様炭素層上にさらにグラファイト成分
が多いｓｐ2 の含有割合の高いダイヤモンド様炭素層を
具備することを特徴とする。
【０００９】〔３〕ダイヤモンド様炭素膜透明導電積層
体の製造方法において、基板を形成し、この基板側から
順に上層に向かって連続的又は段階的に、グラファイト
成分が多いｓｐ2 の含有割合の高いダイヤモンド様炭素
層からダイヤモンド成分が多いｓｐ3 の含有割合の高い
ダイヤモンド様炭素層を堆積し、ダイヤモンド様炭素膜
を形成することを特徴とする。
体の製造方法において、基板を形成し、この基板側から
順に上層に向かって連続的又は段階的に、グラファイト
成分が多いｓｐ2 の含有割合の高いダイヤモンド様炭素
層からダイヤモンド成分が多いｓｐ3 の含有割合の高い
ダイヤモンド様炭素層を堆積し、ダイヤモンド様炭素膜
を形成することを特徴とする。
【００１０】〔４〕上記〔３〕記載のダイヤモンド様炭
素膜透明導電積層体の製造方法において、前記ｓｐ3 の
含有割合の高いダイヤモンド様炭素層上にさらにグラフ
ァイト成分が多いｓｐ2 の含有割合の高いダイヤモンド
様炭素層を堆積することを特徴とする。
素膜透明導電積層体の製造方法において、前記ｓｐ3 の
含有割合の高いダイヤモンド様炭素層上にさらにグラフ
ァイト成分が多いｓｐ2 の含有割合の高いダイヤモンド
様炭素層を堆積することを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１２】ここでは、成膜方法についてはＣＶＤ法で
説明するが、ＰＶＤ法などを用いることもできる。
説明するが、ＰＶＤ法などを用いることもできる。
【００１３】また、主反応ガスは、一例としてメタンを
用いる。
用いる。
【００１４】まず、メタンガスと窒素ガス（ドーパン
ト）を反応チャンバに導入し、接地されたアノード電極
と高周波電源にインピーダンス整合器を介して接続され
たカソード電極の間でプラズマを発生させる。基板はカ
ソード電極上に設置し、カソードのバイアス電圧は高周
波フィルターを通して高周波成分を除去した直流電圧を
監視する。カソードのバイアス電圧と高周波電源出力電
力はコンピュータによる自動制御もしくは手動による監
視・制御で時間軸で制御する。
ト）を反応チャンバに導入し、接地されたアノード電極
と高周波電源にインピーダンス整合器を介して接続され
たカソード電極の間でプラズマを発生させる。基板はカ
ソード電極上に設置し、カソードのバイアス電圧は高周
波フィルターを通して高周波成分を除去した直流電圧を
監視する。カソードのバイアス電圧と高周波電源出力電
力はコンピュータによる自動制御もしくは手動による監
視・制御で時間軸で制御する。
【００１５】ダイヤモンド成分が多いｓｐ3 の含有割合
の高いｓｐ3 リッチ膜は、バイアス電圧の絶対値が低い
ときに成膜されるので、バイアス電圧の絶対値が大きい
状態より順に連続的もしくは段階的に変化させてバイア
ス電圧が低い状態まで遷移させる。
の高いｓｐ3 リッチ膜は、バイアス電圧の絶対値が低い
ときに成膜されるので、バイアス電圧の絶対値が大きい
状態より順に連続的もしくは段階的に変化させてバイア
ス電圧が低い状態まで遷移させる。
【００１６】図１は本発明の第１実施例を示すダイヤモ
ンド様炭素膜透明導電積層体の断面図、図２はそのダイ
ヤモンド様炭素膜透明導電積層体の製造工程図である。
ンド様炭素膜透明導電積層体の断面図、図２はそのダイ
ヤモンド様炭素膜透明導電積層体の製造工程図である。
【００１７】図１において、１はシリコン単結晶を除く
材料からなる基板、ここでは、ガラス基板、２Ａはその
ガラス基板１上の下層から順次上方に形成されたグラフ
ァイト成分が多いｓｐ2 の含有割合の高いダイヤモンド
様炭素層、２Ｂはそのｓｐ2の含有割合の高いダイヤモ
ンド様炭素層２Ａ上に下層から順次上方に形成されたダ
イヤモンド成分が多いｓｐ3 の含有割合の高いダイヤモ
ンド様炭素層である。２は、このようにして形成される
ダイヤモンド様炭素膜である。
材料からなる基板、ここでは、ガラス基板、２Ａはその
ガラス基板１上の下層から順次上方に形成されたグラフ
ァイト成分が多いｓｐ2 の含有割合の高いダイヤモンド
様炭素層、２Ｂはそのｓｐ2の含有割合の高いダイヤモ
ンド様炭素層２Ａ上に下層から順次上方に形成されたダ
イヤモンド成分が多いｓｐ3 の含有割合の高いダイヤモ
ンド様炭素層である。２は、このようにして形成される
ダイヤモンド様炭素膜である。
【００１８】以下、そのダイヤモンド様炭素膜透明導電
積層体の製造方法について図２を参照しながら説明す
る。
積層体の製造方法について図２を参照しながら説明す
る。
【００１９】（１）まず、図２（ａ）に示すように、シ
リコン単結晶を除く材料からなる基板、ここでは、ガラ
ス基板１を形成する。
リコン単結晶を除く材料からなる基板、ここでは、ガラ
ス基板１を形成する。
【００２０】（２）次に、図２（ｂ）に示すように、透
明性は低いが歪みの少ないグラファイト成分が多いｓｐ
2 の含有割合の高いダイヤモンド様炭素層２Ａを自己バ
イアス−１３００Ｖでまず堆積する。
明性は低いが歪みの少ないグラファイト成分が多いｓｐ
2 の含有割合の高いダイヤモンド様炭素層２Ａを自己バ
イアス−１３００Ｖでまず堆積する。
【００２１】（３）図２（ｃ）に示すように、堆積途中
で自己バイアスを、次第に小さくしていき、最終的には
−１５０Ｖ程度の自己バイアスでダイヤモンド成分が多
いｓｐ3 含有割合の高いダイヤモンド様炭素層２Ｂを形
成し、ダイヤモンド様炭素膜２を作製することができ
る。
で自己バイアスを、次第に小さくしていき、最終的には
−１５０Ｖ程度の自己バイアスでダイヤモンド成分が多
いｓｐ3 含有割合の高いダイヤモンド様炭素層２Ｂを形
成し、ダイヤモンド様炭素膜２を作製することができ
る。
【００２２】より詳細には、圧力が１０ｍＴｏｒｒで、
Ｎ2 分量圧力３ｍＴｏｒｒの雰囲気で、自己バイアス−
１３００Ｖで３分間、自己バイアス−１３００〜−１５
０Ｖで１２分間（連続的に下降させる制御）、自己バイ
アス−１５０Ｖで５分間の条件でダイヤモンド様炭素の
成膜を行う。
Ｎ2 分量圧力３ｍＴｏｒｒの雰囲気で、自己バイアス−
１３００Ｖで３分間、自己バイアス−１３００〜−１５
０Ｖで１２分間（連続的に下降させる制御）、自己バイ
アス−１５０Ｖで５分間の条件でダイヤモンド様炭素の
成膜を行う。
【００２３】したがって、低い応力でガラス基板上に透
明なダイヤモンド様炭素膜を形成することができる。
明なダイヤモンド様炭素膜を形成することができる。
【００２４】また、上記したようにダイヤモンド様炭素
膜を構成したことにより、光学透過性を改善すると、導
電性が悪化するために起こる光学透過性と電気導電性は
トレードオフ関係にあるが、そのトレードオフを改善す
ることができる。
膜を構成したことにより、光学透過性を改善すると、導
電性が悪化するために起こる光学透過性と電気導電性は
トレードオフ関係にあるが、そのトレードオフを改善す
ることができる。
【００２５】図３は本発明の第２実施例を示すダイヤモ
ンド様炭素膜透明導電積層体の断面図、図４はそのダイ
ヤモンド様炭素膜透明導電積層体の製造工程図である。
ンド様炭素膜透明導電積層体の断面図、図４はそのダイ
ヤモンド様炭素膜透明導電積層体の製造工程図である。
【００２６】この実施例では、上記した第１実施例のｓ
ｐ3 含有割合の高いダイヤモンド様炭素層２Ｂ上に更に
ｓｐ2 の含有割合の高いダイヤモンド様炭素層１２Ｃを
形成する。
ｐ3 含有割合の高いダイヤモンド様炭素層２Ｂ上に更に
ｓｐ2 の含有割合の高いダイヤモンド様炭素層１２Ｃを
形成する。
【００２７】以下、そのダイヤモンド様炭素膜透明導電
積層体の製造方法について図４を参照しながら説明す
る。
積層体の製造方法について図４を参照しながら説明す
る。
【００２８】（１）まず、図４（ａ）に示すように、シ
リコン単結晶を除く材料からなる基板、ここでは、ガラ
ス基板１１を形成する。
リコン単結晶を除く材料からなる基板、ここでは、ガラ
ス基板１１を形成する。
【００２９】（２）次に、図４（ｂ）に示すように、透
明性は低いが歪みの少ないグラファイト成分が多いｓｐ
2 の含有割合の高いダイヤモンド様炭素層１２Ａを自己
バイアス−１３００Ｖでまず堆積する。
明性は低いが歪みの少ないグラファイト成分が多いｓｐ
2 の含有割合の高いダイヤモンド様炭素層１２Ａを自己
バイアス−１３００Ｖでまず堆積する。
【００３０】（３）図４（ｃ）に示すように、堆積途中
で自己バイアスを、次第に小さくしていき、最終的には
−１５０Ｖ程度の自己バイアスでダイヤモンド成分が多
いｓｐ3 含有割合の高いダイヤモンド様炭素層１２Ｂを
形成する。
で自己バイアスを、次第に小さくしていき、最終的には
−１５０Ｖ程度の自己バイアスでダイヤモンド成分が多
いｓｐ3 含有割合の高いダイヤモンド様炭素層１２Ｂを
形成する。
【００３１】（４）次いで、図４（ｄ）に示すように、
透明性は低いが歪みの少ないグラファイト成分が多いｓ
ｐ2 の含有割合の高いダイヤモンド様炭素層１２Ｃを形
成し、ダイヤモンド様炭素膜１２を作製することができ
る。
透明性は低いが歪みの少ないグラファイト成分が多いｓ
ｐ2 の含有割合の高いダイヤモンド様炭素層１２Ｃを形
成し、ダイヤモンド様炭素膜１２を作製することができ
る。
【００３２】したがって、低い応力でガラス基板上に透
明なダイヤモンド様炭素膜を形成することができる。
明なダイヤモンド様炭素膜を形成することができる。
【００３３】また、上記したようにダイヤモンド様炭素
膜を構成したことにより、光学透過性を改善すると、導
電性が悪化するために起こる光学透過性と電気導電性は
トレードオフ関係にあるが、そのトレードオフを改善す
ることができる。
膜を構成したことにより、光学透過性を改善すると、導
電性が悪化するために起こる光学透過性と電気導電性は
トレードオフ関係にあるが、そのトレードオフを改善す
ることができる。
【００３４】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００３５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、基板がシリコン単結晶以外の場合でも、基板上
に円滑にダイヤモンド様炭素膜を形成することができ
る。つまり、低い応力でシリコン単結晶以外の材料から
なる基板上に透明なダイヤモンド様炭素膜を形成するこ
とができる。
よれば、基板がシリコン単結晶以外の場合でも、基板上
に円滑にダイヤモンド様炭素膜を形成することができ
る。つまり、低い応力でシリコン単結晶以外の材料から
なる基板上に透明なダイヤモンド様炭素膜を形成するこ
とができる。
【００３６】また、ダイヤモンド様炭素膜を構成したこ
とにより、光学透過性を改善すると導電性が悪化するた
めに起こる光学透過性と電気導電性のトレードオフを改
善することができる。
とにより、光学透過性を改善すると導電性が悪化するた
めに起こる光学透過性と電気導電性のトレードオフを改
善することができる。
【００３７】さらに、導電性があり透明性が良好なため
ダイヤモンド様炭素膜からなる透明導電膜として好適で
ある。
ダイヤモンド様炭素膜からなる透明導電膜として好適で
ある。
【図１】本発明の第１実施例を示すダイヤモンド様炭素
膜透明導電積層体の断面図である。
膜透明導電積層体の断面図である。
【図２】本発明の第１実施例を示すダイヤモンド様炭素
膜透明導電積層体の製造工程図である。
膜透明導電積層体の製造工程図である。
【図３】本発明の第２実施例を示すダイヤモンド様炭素
膜透明導電積層体の断面図である。
膜透明導電積層体の断面図である。
【図４】本発明の第２実施例を示すダイヤモンド様炭素
膜透明導電積層体の製造工程図である。
膜透明導電積層体の製造工程図である。
１，１１ シリコン単結晶を除く材料からなる基板
（ガラス基板） ２，１２ ダイヤモンド様炭素膜 ２Ａ，１２Ａ ｓｐ2 含有割合の高いダイヤモンド様
炭素層 ２Ｂ，１２Ｂ ｓｐ3 含有割合の高いダイヤモンド様
炭素層 １２Ｃ ｓｐ2 含有割合の高いダイヤモンド様炭素層
（表面層）
（ガラス基板） ２，１２ ダイヤモンド様炭素膜 ２Ａ，１２Ａ ｓｐ2 含有割合の高いダイヤモンド様
炭素層 ２Ｂ，１２Ｂ ｓｐ3 含有割合の高いダイヤモンド様
炭素層 １２Ｃ ｓｐ2 含有割合の高いダイヤモンド様炭素層
（表面層）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 友景 肇
福岡県福岡市城南区七隈３−13−13
(72)発明者 崔 雲
福岡県福岡市城南区東油山２−22−２−４
ソレイユ東油山Ｄ−102
(72)発明者 井芹 陽一
福岡県田川市大字川宮1424−１
Ｆターム(参考） 4K029 AA09 BA34 BB02 BC03 BC09
4K030 AA09 BA28 BB12 CA06 FA01
HA01 HA07 LA23
Claims (4)
- 【請求項１】（ａ）基板と、（ｂ）該基板側から順にグ
ラファイト成分が多いｓｐ2 の含有割合の高いダイヤモ
ンド様炭素層からダイヤモンド成分が多いｓｐ3 の含有
割合の高いダイヤモンド様炭素層を有するダイヤモンド
様炭素膜を具備することを特徴とするダイヤモンド様炭
素膜透明導電積層体。 - 【請求項２】 請求項１記載のダイヤモンド様炭素膜透
明導電積層体において、前記ｓｐ3 の含有割合の高いダ
イヤモンド様炭素層上にさらにグラファイト成分が多い
ｓｐ2 の含有割合の高いダイヤモンド様炭素層を具備す
ることを特徴とするダイヤモンド様炭素膜透明導電積層
体。 - 【請求項３】（ａ）基板を形成し、（ｂ）該基板側から
順に上層に向かって連続的又は段階的に、グラファイト
成分が多いｓｐ2 の含有割合の高いダイヤモンド様炭素
層からダイヤモンド成分が多いｓｐ3 の含有割合の高い
ダイヤモンド様炭素層を堆積し、ダイヤモンド様炭素膜
を形成することを特徴とするダイヤモンド様炭素膜透明
導電積層体の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３記載のダイヤモンド様炭素膜透
明導電積層体の製造方法において、前記ｓｐ3 の含有割
合の高いダイヤモンド様炭素層上にさらにグラファイト
成分が多いｓｐ2 の含有割合の高いダイヤモンド様炭素
層を堆積することを特徴とするダイヤモンド様炭素膜透
明導電積層体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001307436A JP2003113471A (ja) | 2001-10-03 | 2001-10-03 | ダイヤモンド様炭素膜透明導電積層体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001307436A JP2003113471A (ja) | 2001-10-03 | 2001-10-03 | ダイヤモンド様炭素膜透明導電積層体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003113471A true JP2003113471A (ja) | 2003-04-18 |
Family
ID=19126900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001307436A Withdrawn JP2003113471A (ja) | 2001-10-03 | 2001-10-03 | ダイヤモンド様炭素膜透明導電積層体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003113471A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009069695A1 (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Kaneka Corporation | 透明導電膜およびその製造方法 |
| JP2009135003A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Kaneka Corp | 透明導電膜とその製造方法 |
| WO2016175088A1 (ja) * | 2015-04-27 | 2016-11-03 | 京セラ株式会社 | 被覆部材 |
| JP2017117800A (ja) * | 2017-02-22 | 2017-06-29 | キヤノン株式会社 | 透過型ｘ線ターゲットおよび透過型ｘ線ターゲットの製造方法 |
| JP2018107148A (ja) * | 2018-04-04 | 2018-07-05 | キヤノン株式会社 | Ｘ線ターゲットおよびｘ線ターゲットの製造方法 |
-
2001
- 2001-10-03 JP JP2001307436A patent/JP2003113471A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009069695A1 (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Kaneka Corporation | 透明導電膜およびその製造方法 |
| JP2009135003A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Kaneka Corp | 透明導電膜とその製造方法 |
| WO2016175088A1 (ja) * | 2015-04-27 | 2016-11-03 | 京セラ株式会社 | 被覆部材 |
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| JP2018107148A (ja) * | 2018-04-04 | 2018-07-05 | キヤノン株式会社 | Ｘ線ターゲットおよびｘ線ターゲットの製造方法 |
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