JP2005126758A5 - - Google Patents

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基板に印加する電力密度(WD1)とターゲットに印加する電力密度(WD2)との比(WD1/WD2)を0.2以上とすることで、より低い抵抗を実現できる。
透明導電膜はたとえば、In、SnO、ZnOの内の少なくとも1種を含んだ膜である。
真空室内に配置された基板とターゲットとの間に設けられたシャッタを閉じた状態で前記真空室内を5×10 -4 Pa以下まで真空引きした後、前記真空室内にArガスを一定の流量で供給しながら、前記基板を載置する基板電極に負電位を印加しつつ、前記基板に対向して設けられたITOターゲットに電力を印加することで、前記真空室内にプラズマを発生させ、前記基板の表面に透明導電膜を形成する方法であって、前記基板の中心線平均粗さ(Ra)は10nm以上70nm以下であり、前記基板に印加する電力密度(WD1)と前記ターゲットに印加する電力密度(WD2)との比(WD1/WD2)が0.2以上0.4以下である透明導電膜の製造方法は好ましい。

Claims (7)

  1. 中心線平均粗さ(Ra)が10nm以上の基板の表面に透明導電膜をスパッタ製膜する方法であって、前記基板の表面を負電位に印加しながらスパッタ製膜する透明導電膜の製造方法。
  2. 透明導電膜が、太陽電池の透明電極層となる膜である請求項1記載の透明導電膜の製造方法。
  3. 基板が、Cu、In、Ga、Seの内の少なくとも2種を含んだ化合物薄膜を具備した請求項1記載の透明導電膜の製造方法。
  4. 基板に印加する電力密度(WD1)とターゲットに印加する電力密度(WD2)との比(WD1/WD2)が0.1以上である請求項1記載の透明導電膜の製造方法。
  5. 基板に印加する電力密度(WD1)とターゲットに印加する電力密度(WD2)との比(WD1/WD2)が0.2以上である請求項1記載の透明導電膜の製造方法。
  6. 透明導電膜がIn、SnO、ZnOの内の少なくとも1種を含んだ膜である請求項1または請求項2のいずれかに記載の透明導電膜の製造方法。
  7. 真空室内に配置された基板とターゲットとの間に設けられたシャッタを閉じた状態で前記真空室内を5×10 -4 Pa以下まで真空引きした後、前記真空室内にArガスを一定の流量で供給しながら、前記基板を載置する基板電極に負電位を印加しつつ、前記基板に対向して設けられたITOターゲットに電力を印加することで、前記真空室内にプラズマを発生させ、前記基板の表面に透明導電膜を形成する方法であって、前記基板の中心線平均粗さ(Ra)は10nm以上70nm以下であり、前記基板に印加する電力密度(WD1)と前記ターゲットに印加する電力密度(WD2)との比(WD1/WD2)が0.2以上0.4以下であることを特徴とする透明導電膜の製造方法。
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